KR20010023755A - 저 잡음 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기와 그의 방법 - Google Patents

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Abstract

길버트 승산기 셀은 에미터 결합 트랜지스터 쌍 및 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 포함한다. 필터는 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합한다. 필터는 각 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 각 쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 직렬로 제각기 결합하는 한쌍의 인덕터 또는 저항기와, 인덕터 또는 저항기 쌍 사이에 접속된 캐패시터를 포함한다. 국부 발진기는 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합되고, 데이터 입력은 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합된다. 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 인가되는 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 출력을 저역 통과 필터링함으로써, 저 잡음 플로어의 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기가 제공될 수 있다.

Description

저 잡음 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기와 그의 방법{LOW NOISE GILBERT MULTIPLIER CELLS AND QUADRATURE MODULATORS, AND RELATED METHODS}
이런 변조기는 무선 주파수 전송기에 널리 이용되어, 음성 입력과 같은 데이터 입력을 반송파로 변조시킨다. 또한, 이런 변조기를 "믹서" 또는 "승산기"라 부른다. 예를 들면, 이동 무선 전화기에서는 변조기가 무선 전화 송수신기에 이용된다.
널리 이용되는 특정형의 변조기는 "길버트 승산기 셀"(Gilbert Multiplier Cell) 로서, 또한 "길버트 변조기", "길버트 셀" 또는 "길버트 믹서"라 부른다. 길버트 승산기 셀은 하부(lower) 트랜지스터 또는 구동 트랜지스터라 부르는 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 포함하는 데, 이런 에미터 결합 트랜지스터 쌍은 상부(upper) 트랜지스터, 스위치 트랜지스터 또는 능동 믹서 트랜지스터라 부르는 한 상의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합된다. 아날로그 또는 디지털 음성 또는 데이터 입력을 포함할 수 있는 데이터 입력은 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합된다. 국부 발진기는 한 쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합되어 변조된 출력을 발생시킨다. 길버트 승산기 셀에 대해서는 1993년, 뉴욕, 죤 윌리 및 선즈, 폴 그레이 및 로버트 메이어에 의해 텍스트의 섹션 10.3 "아날로그 집적 회로의 분석 및 디자인"에서 광범위하게 기재되어 있는 데, 이는 여기에서 참조로 포함된다.
현대의 통신 시스템에서는 저 잡음 길버트 승산기 셀을 제공하는 것이 더욱 중요하게 되었다. 예를 들면, 셀룰러 전화기와 같은 이동 무선 전화기에서는 전송기가 수신 대역에서 발생된 잡음을 제거하는 것이 중요하다. 이런 잡음 제거는 길버트 승산기 셀의 출력에서 표면 음향파(SAW) 필터를 사용함으로써 달성될 수 있다.
불행하게도, SAW 필터는 고가이고, 과도한 회로판 영역을 차지하여 이동 무선 전화기의 크기를 제한할 수 있다. 더욱이, SAW 필터의 대역 통과는 AMPS, DAMPS 및 PCS와 같이 서로 다른 무선 전화 시스템 중에서 다를 수 있는 특정 무선 대역폭을 위해 테일러(tailor)될 필요가 있다. 따라서, 다중 SAW 필터는 이중 대역 전화기내에 사용될 필요가 있다.
길버트 승산기 셀에서 잡음을 감소시키기 위한 하나의 해결책은 뉴옌에 의해 명칭이 "저 잡음 능동 믹서"인 미국 특허 제5,379,457호에 기술되어 있다. 여기에 기술된 바와 같이, 종래의 길버트 승산기 셀 능동 믹서에 의해서는 표준 무선 주파수 에미터 축퇴(degeneration) 저항기를 반응 소자로 대체시켜 열 잡음을 감소시킴으로써 잡음 저하가 감소된다. 협대역 입력 매칭은 직렬 유도 소자 및 선택적 병렬 용량성 소자를 무선 주파수 입력과 일직선으로 삽입함으로써 이루어진다.
한쌍의 길버트 승산기 셀은 IC/IQ 변조기 또는 I/Q 직각 위상 변조기로서 공지된 직각 위상 변조기를 생성시키는 데에 이용될 수 있다. 직각 위상 변조기는 퍼시코에 의해 명칭이 "I/Q 직각 위상 변조 회로"인 미국 특허 제5,574,755호에 기술되어 있다. 직각 위상 변조기는 일반적으로 90°위상 시프터로서 공지된 직각 위상 스플리터와, 이런 직각 위상 스플리터에 결합된 한쌍의 길버트 셀을 포함한다.국부 발진기는 직각 위상 스플리터에 결합되어 각 길버트 셀에 대해 90°위상 시프트된 국부 발진기 신호를 발생시킨다. I 데이터 및 Q 데이터는 각 길버트 셀에 결합되고, 길버트 셀의 출력은 조합되어 I/Q 변조된 출력을 발생시킨다.
전술된 바와 같이, 직각 위상 변조기의 저 잡음 동작은 현대의 무선 통신 시스템에서 더욱 중요하게 되었다. 따라서, 저 잡음 길버트 셀 및 직각 위상 변조기에 대한 필요성이 계속 요구된다.
본 발명은 변조기 또는 믹서 회로 와 그의 방법에 관한 것으로서, 특히, 길버트 셀 변조기 와 그의 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 길버트 승산기 셀의 회로도이다.
도 2는 본 발명에 따른 직각 위상 변조기의 회로도이다.
따라서, 본 발명의 목적은 개선된 길버트 승산기 셀, 직각 위상 변조기 및 그의 변조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 저 잡음 변조된 출력을 제공할 수 있는 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기 와 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또다른 목적은 길버트 승산기 셀의 출력에서 표면 음향파 필터를 필요로 하지 않고 저 잡음 출력을 제공할 수 있는 저 잡음 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기 와 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 이런 및 다른 목적은 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합하는 필터를 포함하는 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기에 의해 제공된다. 이런 필터는 양호하게도 차단 주파수를 가져 차단 주파수 이상의 주파수를 필터하는 저역 통과 필터이다. 이런 필터는, 각 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 각 쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 직렬로 제각기 결합하는 한쌍의 인덕터 또는 저항기와, 인덕터 또는 저항기 쌍 사이에 접속된 캐패시터에 의해 구현될 수 있다. 이런 인덕터는 집적 회로의 나선형 인덕터를 이용하여 구현될 수 있고, 캐패시터는 이산형 캐패시터일 수 있다. 본 발명에 따른 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기는 길버트 승산기 셀 또는 직각 위상 변조기의 출력에서 값비싼 대역 통과 SAW 필터를 필요로 하지 않고 저 잡음 플로어(floor)를 제공할 수 있다. 더욱이, SAW 필터를 사용할 지라도, 더욱 약간의 SAW 필터가 요구될 수 있다.
본 발명은, 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍이 길버트 승산기 셀내의 스위치로서 동작하므로, 이런 장치에 대한 잡음을 일반적으로 작게 할 수 있다. 따라서, 길버트 승산기 셀내의 대부분의 잡음은 신호를 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 공급하는 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 의해 유발된다. 따라서, 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 잡음이 필터되고, 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 스위치 온 및 오프하는 국부 발진기와 믹스(mix)되지 않게 될 경우, 길버트 승산기 셀의 잡음은 길버트 승산기 셀의 출력에서 값비싼 필터링을 필요로 하지 않고 매우 작게 생길 수 있다.
본 발명에 따른 길버트 승산기 셀은 에미터 결합 트랜지스터 쌍 및 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 포함한다. 저역 통과 필터는 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합한다. 본 발명에 따른 길버트 승산기 셀은 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합되는 국부 발진기 및, 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합되는 데이터 입력을 더 포함한다.
저역 통과 필터는 양호하게도 각 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 각 쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 직렬로 제각기 결합하는 한쌍의 인덕터 또는 저항기와, 인덕터 또는 저항기 쌍 사이에 접속된 캐패시터를 포함한다. 저역 통과 필터는 양호하게도 차단 주파수 이상의 주파수를 필터하는 차단 주파수를 가진다.
길버트 승산기 셀이 양호하게도 집적 회로 기판내에 구성되기 때문에, 집적 회로 기판내에는 에미터 결합 트랜지스터 쌍 및 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 포함한다. 한쌍의 인덕터 또는 저항기는 또한 양호하게도 집적 회로의 기판내에 포함되는 반면에, 캐패시터는 양호하게도 집적 회로 기판내에 포함되지 않는 이산 캐패시터이다. 이런 인덕터 쌍은 한쌍의 집적 회로의 나선형 인덕터로서 실시될 수 있다.
본 발명에 따르면, 직각 위상 변조기는 직각 위상 스플리터 및, 이런 직각 위상 스플리터에 결합된 한쌍의 길버트 승산기 셀을 사용하여 제공될 수 있다. 각각의 길버트 승산기 셀은 에미터 결합 트랜지스터 쌍, 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍및, 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합하는 필터를 포함한다. 국부 발진기는 직각 위상 스플리터에 결합됨으로써, 직각 위상 스플리터는 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍과, 각 쌍의 길버트 승산기 셀에 각각 결합되는 한쌍의 위상 시프트된 출력을 발생시킨다. 또한, 각각의 에미터 결합 트랜지스터 쌍과, 각 쌍의 길버트 승산기 셀에 각각 결합되는 I 및 Q 데이터 입력이 제공된다. 각각의 길버트 승산기 셀내의 한쌍의 교차 결합된 트랜지스터 쌍은 함께 I/Q 변조된 출력을 제공하도록 결합된다.
따라서, 길버트 승산기 셀내에서는, 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 인가되는 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 출력을 필터링함으로써 잡음이 감소될 수 있다. 양호하게도, 차단 주파수 이상의 주파수를 필터하기 위해서는 저역 통과 필터링을 사용한다. 이에 의해 저 잡음 플로어의 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 변조기가 제공된다.
이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명의 양호한 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 다양한 형태로 실시될 수 있고, 여기에 설명된 실시예로 제한되지 않으며, 본 발명의 범주가 본 기술 분야의 숙련자에게 충분히 전달될 수 있도록 본 실시예는 상세히 기술된다. 여기서 동일 번호는 동일 소자를 나타낸다.
도 1에서, 본 발명에 따른 길버트 승산기 셀이 설명된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 길버트 승산기 셀은 상부 트랜지스터 셀(스위칭 블록)(10), 하부 트랜지스터 셀(구동기 블록)(20) 및 필터(30)를 포함한다. 상부 트랜지스터 셀은 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 포함한다. 트랜지스터 Q4 및 Q5는 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍중의 하나를 포함하고, 트랜지스터 Q6 및 Q7는 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍중의 다른 하나를 포함한다. 또한, 도시된 바와 같이, 국부 발진기의 입력 "LO IN"은 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합된다. 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍은 변조된 출력을 발생시킨다.
하부 트랜지스터 셀(20)은 데이터 입력 DATA-IN이 인가되는 에미터 결합 트랜지스터 쌍 Q1 및 Q2를 포함한다. 바이어스 트랜지스터 Q3는 BIAS 입력에 응답한다. 길버트 승산기 셀을 형성할 블록(10 및 20)의 디자인은 본 기술 분야의 숙련자에게는 공지되어 있어, 여기서 더 이상 설명을 하지 않기로 한다.
본 발명에 따른면, 필터(30)는 에미터 결합 트랜지스터 쌍 Q1 및 Q2을 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍 Q4,Q5 및 Q6,Q7에 결합한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 필터(30)는 한쌍의 인덕터 L1 및 L2 또는 한쌍의 저항기 R1,R2를 포함하는 데, 이는 제각기 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 각 트랜지스터 Q1, Q2를 각각의 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍 Q4,Q5 및 Q6,Q7에 직렬로 결합한다. 캐패시터 C는 한쌍의 인덕터 또는 저항기 사이에 접속된다. 인덕터 및 저항기 양자 모두는 또한 이용될 수 있다. 필터(30)는 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 도달하는 대역외(out-of-band) 잡음을 감소시키고, 양호하게는 이를 제거하는 데에 이용된다. 따라서, 길버트 승산기 셀의 대역내(in-band) 잡음 핑거(figure)는 통상적인 값 12 내지 17 dB에서 변화되지 않는다. 그러나, 대역외 잡음은 크게 감소될 수 있다.
양호한 실시예에서, 하부 트랜지스터 셀의 콜렉터와 직렬로 배치되는 2개의 인덕터 L1 및 L2는 약 10 내지 15 nH 사이의 값을 가질 수 있다. 이는 길버트 승산기 셀에 이용되는 집적 회로의 기판내의 나선형 인덕터로서 구현될 수 있다. 저항기 R1 및 R2가 이용될 경우, 이는 약 50Ω의 값을 가질 수 있다. 캐패시터 C는 저역 통과 필터의 차단 주파수가 수십 MHZ 이하일 경우에 5000PF의 값을 가진 외부 캐패시터일 수 있다. 특히, 데이터 주파수가 30 MHZ 이하일 경우, 차단 주파수는 100 MHZ 이상으로 설정될 수 있고, 저역 통과 필터는 45 MHZ에서 잡음을 제거할 수 있다.
따라서, L1 및 L2는 RF 신호가 캐패시터 C에 의해 분로(shunt)되지 않게 하는 무선 주파수(RF) 쵸크(choke)이다. 이와 같은 기능은 저항기 R1 및 R2에 의해 이루어질 수 있다. 캐패시터 C는 트랜지스터 Q1, Q2 및 Q3로부터 잡음의 고주파 성분을 필터 아웃(filter out)시킨다.
도 2는 본 발명에 따른 2개의 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 스플리터를 사용하여 구현될 수 있는 저 잡음 직각 위상 변조기를 설명한 것이다. 모든 변조기는 한쌍의 이산 캐패시터를 가진 집적 회로내에서 구현될 수 있다.
도 2에서, 본 발명에 따른 I/Q 변조기는 제각기 제 1 및 2 길버트 승산기 셀(40 및 50) 와 직각 위상 스플리터(60)를 포함한다. 국부 발진기는 위상 시프트된 국부 발진기의 출력을 각 길버트 승산기 셀(40 및 50)에 제공하는 직각 위상 스플리터(60)에 결합된다. I-데이터 입력은 길버트 승산기 셀(40)에 제공되고, Q-데이터 입력은 길버트 승산기 셀(50)에 제공된다. 길버트 승산기 셀(40 및 50)의 출력은 함께 결합되어 I/Q 변조된 출력을 제공한다. 길버트 승산기 셀(40 및 50)의 디자인은 도 1과 관련하여 기술된 바와 같아, 다시 설명할 필요가 없다.
따라서, 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 인가되는 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 출력을 필터링함으로써 길버트 승산기 셀내의 잡음을 감소시킬 수 있다. 저 잡음 플로어의 길버트 승산기 셀 및 직각 위상 승산기는 그의 출력에서 고가의 큰 SAW 장치를 사용할 필요없이 제공될 수 있다.
도면 및 명세서에서, 본 발명의 통상적인 양호한 실시예가 기술되었고, 특정 용어가 사용되었지만, 이는 제한을 위한 것이 아니며, 본 발명의 범주는 첨부한 청구 범위에서 설명된다.

Claims (20)

  1. 길버트 승산기 셀에 있어서,
    에미터 결합 트랜지스터 쌍,
    한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 및,
    에미터 결합 트랜지스터 쌍을 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합하는 필터를 구비하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필터는,
    각 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 각 쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 직렬로 제각기 결합하는 한쌍의 인덕터 또는 저항기 및,
    인덕터 또는 저항기 쌍 사이에 접속된 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  3. 제2항에 있어서,
    집적 회로 기판을 더 포함하는 데,
    상기 에미터 결합 트랜지스터 쌍 및 상기 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍은 상기 집적 회로 기판내에 포함되고,
    한쌍의 인덕터 또는 저항기는 상기 집적 회로 기판내에 포함되며,
    상기 캐패시터는 상기 집적 회로 기판내에 포함되지 않는 이산 캐패시터인 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인덕터 쌍은 한쌍의 집적 회로의 나선형 인덕터인 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합된 국부 발진기및,
    상기 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합된 데이터 입력을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 필터는 차단 주파수를 가져 차단 주파수 이상의 주파수를 필터하는 저역 통과 필터인 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 국부 발진기는 이동 무선 전화기 주파수에서 발진하고, 상기 데이터 입력은 이동 무선 전화기 데이터 입력인 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀.
  8. 직각 위상 변조기에 있어서,
    직각 위상 스플리터 및,
    상기 직각 위상 스플리터에 결합된 한쌍의 길버트 승산기 셀을 구비하는 데,
    상기 길버트 승산기 셀의 각각은 에미터 결합 트랜지스터 쌍,
    한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍및,
    상기 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 상기 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합하는 필터를 포함하는 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  9. 제8항에 있어서, 상기 필터는,
    각 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 각 쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 직렬로 제각기 결합하는 한쌍의 인덕터 또는 저항기 및,
    인덕터 또는 저항기 쌍 사이에 접속된 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  10. 제9항에 있어서,
    집적 회로 기판을 더 포함하는 데,
    상기 에미터 결합 트랜지스터 쌍 및, 상기 길버트 승산기 셀의 각각의 상기 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍은 상기 집적 회로 기판내에 포함되고,
    상기 길버트 승산기 셀의 각각의 한쌍의 인덕터 또는 저항기는 상기 집적 회로 기판내에 포함되며,
    상기 길버트 승산기 셀의 각각의 상기 캐패시터는 상기 집적 회로 기판내에 포함되지 않는 이산 캐패시터인 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 길버트 승산기 셀의 각각의 상기 한쌍의 인덕터는 한쌍의 집적 회로의 나선형 인덕터인 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 직각 위상 스플리터에 결합되는 국부 발진기로서, 상기 직각 위상 스플리터는 각 쌍의 길버트 승산기 셀내의 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 각각 결합되는 한쌍의 위상 시프트된 출력을 발생시키는 국부 발진기 및,
    각 쌍의 길버트 승산기 셀내의 각각의 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 각각 결합되는 I 및 Q 데이터 입력을 포함하는 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 필터의 각각은 차단 주파수를 가져 차단 주파수 이상의 주파수를 필터하는 저역 통과 필터인 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 길버트 승산기 셀의 각각의 한쌍의 교차 결합된 트랜지스터 쌍은 함께 I/Q 변조된 출력을 제공하도록 결합되는 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 국부 발진기는 이동 무선 전화기 주파수에서 발진하고, 상기 I/Q 데이터 입력은 이동 무선 전화기 데이터 입력인 것을 특징으로 하는 직각 위상 변조기.
  16. 길버트 승산기 셀내의 잡음을 저감시키는 방법으로서, 상기 길버트 승산기 셀은 출력이 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 결합되는 에미터 결합 트랜지스터 쌍을 포함하는 길버트 승산기 셀내의 잡음 저감 방법에 있어서,
    한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 인가되는 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 출력을 필터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀내의 잡음 저감 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 필터링 단계는 차단 주파수 이상의 주파수를 필터하도록 에미터 결합 트랜지스터 쌍의 출력을 저역 통과 필터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀내의 잡음 저감 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 저역 통과 필터링 단계는,
    상기 에미터 결합 트랜지스터 쌍과 각각의 상기 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍 사이에 인덕터 또는 저항기를 직렬로 결합하는 단계 및,
    상기 인덕터 양단에 캐패시터를 직렬로 결합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀내의 잡음 저감 방법.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 데이터 입력을 결합하는 단계 및,
    상기 한쌍의 교차 결합된 에미터 결합 트랜지스터 쌍에 국부 발진기를 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀내의 잡음 저감 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 국부 발진기는 이동 무선 전화기 국부 발진기이고, 상기 데이터 입력은 이동 무선 전화기 데이터 입력인 것을 특징으로 하는 길버트 승산기 셀내의 잡음 저감 방법.
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