FI107656B - Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin - Google Patents
Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin Download PDFInfo
- Publication number
- FI107656B FI107656B FI982362A FI982362A FI107656B FI 107656 B FI107656 B FI 107656B FI 982362 A FI982362 A FI 982362A FI 982362 A FI982362 A FI 982362A FI 107656 B FI107656 B FI 107656B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- pass filter
- low
- modulator
- pass
- transmitter
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/145—Balanced arrangements with transistors using a combination of bipolar transistors and field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/52—Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
- H03C1/54—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
- H03C1/542—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
- H03C1/545—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03C—MODULATION
- H03C1/00—Amplitude modulation
- H03C1/52—Modulators in which carrier or one sideband is wholly or partially suppressed
- H03C1/54—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type
- H03C1/542—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes
- H03C1/547—Balanced modulators, e.g. bridge type, ring type or double balanced type comprising semiconductor devices with at least three electrodes using field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1433—Balanced arrangements with transistors using bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/14—Balanced arrangements
- H03D7/1425—Balanced arrangements with transistors
- H03D7/1483—Balanced arrangements with transistors comprising components for selecting a particular frequency component of the output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D7/00—Transference of modulation from one carrier to another, e.g. frequency-changing
- H03D7/16—Multiple-frequency-changing
- H03D7/165—Multiple-frequency-changing at least two frequency changers being located in different paths, e.g. in two paths with carriers in quadrature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0001—Circuit elements of demodulators
- H03D2200/0033—Current mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D2200/00—Indexing scheme relating to details of demodulation or transference of modulation from one carrier to another covered by H03D
- H03D2200/0041—Functional aspects of demodulators
- H03D2200/0084—Lowering the supply voltage and saving power
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
Description
107656
Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin - Lagpassfilter i en sändare och en mobil station
Keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdanto-osassa määritelty alipäästö-5 suodin lähettimessä ja patenttivaatimuksen 7 johdanto-osassa määritelty matkaviestin.
Ennestään tunnetaan digitaalisia matkaviestimiä, joissa on suoramuunnosmodulaat-tori. Suoramuunnosmodulaattorin tärkeimmät ominaisuudet ovat lineaarisuus ja sig-naalikohinasuhde (S/N Signal to noise ratio). Signaalikohinasuhde koostuu lähetys-10 signaalin suhteesta taustakohinaan lähetyksen taajuusalueella (TX Transmit) ja lähe-tyssignaalin suhteesta lähetyksestä vastaanoton taajuusalueelle (RX Receive) aiheutuneeseen kohinaan. Vastaanoton taajuusalueelle aiheutuvaa kohinaa pyritään suodattamaan edullisimmin tehovahvistuksen jälkeen kaksisuuntaisella suotimella. Vastaanoton taajuuskaistalle on määritelty GSM-, PCN (Personal Communication 15 Network)- ja PCS (Personal Communication System) -verkoissa seuraavat signaali-kohinasuhteen rajat:
Järjestelmä N 100 kHz N 1 Hz Marginaali__P^__S/N
:/-j GSM__-79 dBm -129 dBm 3 dB 33 dBm 165 dBc : PCN__-71 dBm -121 dBm 3 dB 30 dBm 154 dBc ΓΛ PCS -71 dBm -121 dBm 3 dB 30 dBm 154 dBc • · • · • · · • · · • ·
Taulukko 1 Vastaanoton taajuusalueen signaalikohinasuhteen rajat « · ··· « · » • « · jossa taulukossa N 100 kHz määrittää lähetinketjun vastaanoton 100 kHz:n laajuisel-20 le taajuusalueelle aiheuttaman kohinan tason. Kohina mitataan sellaisella tehotasol- • « · ’·*;* la, jolla kohinan taso on suurin. Tämä tehotaso on käytännössä suurin lähetysteho.
- ’ Mitattu kohinan tehotaso normitetaan 100 kHz:n leveydeltä 1 Hz:n leveydelle, joi- :***: loin taso laskee 50 dB ja nähdään kohdassa N 1 Hz. Mittaus suoritetaan täten suurel- • · · la kaistanleveydellä, mutta normitetaan laskennallisesti kapeampaan. Kohinalla on φ·φ 25 myös yksilökohtaisia tasoeroja samanlaisten lähettimien kesken, minkä vuoksi on • · '···’ marginaali 3 dBm, joka vähennetään edellisistä tasorajoista. Pout on lähettimen lähtö- : V teho. S/N on kantoaallolla aiheutuva signaalikohinasuhde (dBc desibel carrier), joka määritetään suurimman lähtötehon ja normitetun kohinan etäisyydestä lisättynä marginaalilla.
2 107656
Tunnetaan myös suodatus lähetysketjun modulaattorin ja lähettimen välisillä suo-dattimilla.
Kuviosta 1 nähdään alipäästösuotimen periaatteellinen vaikutus radiosignaaleihin. Alkuperäinen lähetyssignaali 1 peilautuu taajuustasoon moduloidun keskitaajuuden 5 yli. Kuviosta IA nähdään, että moduloidun, mutta suodattamattoman, lähetyssig-naalin lopputulos 2 ulottuu sekä tarkoitetulle lähetysalueelle TX että osittain vas-taanottoalueelle RX. Kuviosta IB nähdään, että moduloidun ja suodinfunktiolla 3 suodatetun lähetyssignaalin 1 lopputulos 4 ulottuu enimmäkseen tarkoitetulle lähetysalueelle TX ja vain vähän vastaanottoalueelle RX.
10 Ennestään tunnetaan myös ns. Gilbert-solu, jota on yleisesti käytetty tietoliikennejärjestelmien, erityisesti matkaviestinten, integroiduissa kertojapiireissä. Kertojapii-rejä käytetään esimerkiksi integroiduissa RF (Radio Frequency)- ja välitaajuusosis-sa, kuten modulaattorissa, sekoittajassa ja säädettävässä vahvistimessa.
Tunnetun tekniikan mukainen kertoja, kuten neliöivä kertoja, perustuu matemaatti-15 seen kaavaan, jossa kahden signaalin summan ja erotuksen neliöiden erotus antaa signaalien tulon: (x + y)2 - (x - y)2 = 4xy (i) I · * • · · • · • · · ‘·:·* jossa x on ensimmäinen signaali ja y on toinen signaali.
• « · • · • · • · :.*·· Neliöön korotus muodostetaan esimerkiksi MOS (Metal Oxide Semiconductor) :,:,: 20 -transistorilla, jossa nieluvirta on hila-lähdejännitteeseen neliöllisesti verrannollinen.
Kertoja on toteutettavissa myös bipolaaritransistoreilla. Bipolaaritransistorin kollek-torivirta ie on: • · • · · • · ·
*·· VBE
% ‘c = he Vt (2) • · • · · • · . jossa nähtävät parametrit ovat bipolaaritransistorin saturaatiovirta Is, kanta-emitteri- 25 jännite vBe ja terminen jännite VT. Eksponenttifunktiota approksimoidaan tässä ää-: *.: rettömän pituisen Taylorin potenssisarj an nelj ällä ensimmäisellä termillä: 3 107656 »C =/ίβ3φ(χ)*/ί|ΐ + ^Λ + ^Χ2+^*3} (3) jossa V _ νΒΕ x~y~ (4)
VT
jossa nähtävät parametrit ovat bipolaaritransistorin kanta-emitterijännite vbe ja ter-5 minen jännite Vt.
Sekoittajissa käytetään yleisesti kaksoisbalansoitua rakennetta, jossa neljän eri tavalla vaiheistetun sekoittajan annot summataan harmonisten häiriöiden kumoamiseksi. Balansointi esitetään matemaattisesti: (x + yf+(-x-yf-{x-yf-(-x + yf = Zxy (5) 10 Taylorin potenssisarjan neljän ensimmäisen termin kaavaan sijoittamisen jälkeen jää jäljelle yhä sisään tulevien signaalien tulo: 3 e^ + e-^-e^-e-^=^xy (6) • · · φ m • · • · '· x- ja y-merkintöjen antosignaaleja kuvaaviksi vaihtamisen jälkeen lopullinen mate- ::: maattinen kaava voidaan kirjoittaa: ·«· • · · • · · + eVss-x~y-er^+x-y-ev‘s~x+y =—xy iTl 15 2! · · • · · • · · ‘1 · •
Kuviosta 2 nähdään sinänsä tunnettu Gilbert-solu, jota käytetään esimerkiksi integ-•: · ·: roitujen RF- ja välitaajuusosien, kuten säädettävän vahvistimen ja sekoittajan, toteu- tukseen. Gilbert-solussa kaksi ottojännitettä kertautuu yhdeksi antojännitteeksi so. annoissa vaikuttava erojännite on otoissa vaikuttavien erojännitteiden tulo. Ensim- • « · • ·* 20 mäinen erojännite kytketään terminaaleihin Vx+ ja Vx., joista jännitteet vastaavasti johdetaan transistoreiden Q1 ja Q2 sekä Q4 ja Q5 kannoille. Toinen erojännite kyt- 4 107656 ketään terminaaleihin Vy+ ja Vy., joista jännite vahvistetaan transistoreilla Q3 ja Q6. Transistorit Q3 ja Q6 on kytketty vastusten REi ja RE2 kautta esijännitteen Vbias säätämään kanavatransistoriin (FET Field Effect Transistor) Q7, joka on kytketty negatiiviseen käyttöjännitteeseen. Transistorit Q1 ja Q5 vahvistavat positiivisen 5 erojännitteen Vx+ ja Vx., joka kytketään antoihin Vout+ ja Vout- Edellä mainittu piiri kytketään positiiviseen käyttöjännitteeseen vastusten Ru ja RL2 kautta. Transistorit Q2 ja Q4 vahvistavat negatiivisen erojännitteen Vx+ ja Vx_, joka kytketään ristiin antoihin Vout+ ja Vout-.
Ongelmana tunnetuissa laitteissa on, että kahdella tai kolmella taajuusalueella toi-10 mivassa matkaviestimessä tarvitaan useita suotimia, mikä vaatii liiallisesti tilaa matkaviestimessä. Radiotaajuusosan toteuttaminen pienikokoisena tällä tavoin on käytännössä mahdotonta, minkä vuoksi suodatusta yritetään välttää. Jätettäessä suodatus pois täytyy modulaattorin kuitenkin olla erityisen korkeatasoinen.
Edelleen ongelmana tunnetuissa laitteissa on, että tarvitaan erilliset suodattimet mo-15 dulaattorin j a lähettimen välillä.
Keksinnön tarkoituksena on poistaa edellä mainitut epäkohdat.
Keksinnön mukaiselle alipäästösuotimelle on tunnusomaista se, mitä on esitetty pa- : tenttivaatimuksessa 1. Keksinnön mukaiselle matkaviestimelle on tunnusomaista se, : mitä on esitetty patenttivaatimuksessa 7. Keksinnön edullisia suoritusmuotoja on : ‘ · ’; 20 esitetty epäitsenäisissä patenttivaatimuksissa.
• « « « • · · • · ·
Keksintö koskee alipäästösuodinta lähettimessä korkeataajuisten häiriöiden vaimen-
• I I
!.! tamiseksi. Keksinnön mukaisesti alipäästösuodin sijaitsee modulaattorissa.
• · ·
Eräässä sovellusmuodossa modulaattori on suoramuunnostyyppiä.
• · · • · · • · • · · : Eräässä sovellusmuodossa alipäästösuodin sijaitsee modulaattorin kertojapiirin vir- 25 tapeilissä.
» · · • « ; Eräässä sovellusmuodossa alipäästösuodin sijaitsee virtapeilin virtaa peilaavan transistoriparin transistorien välissä suodattaen ohjauksen tuovan transistorin ja • · · : *.: peilatun virran muodostavan transistorin välisen signaalitien.
5 107656
Eräässä sovellusmuodossa alipäästösuodin muodostuu RC-alipäästökytkennästä, jossa vastus on sarjakytketty signaalilinjaan ja kondensaattori rinnankytketty, signaalin kulkusuunnan suhteen, vastuksen jälkeen transistoriparin yhteiseen potentiaaliin.
5 Eräässä sovellusmuodossa transistoriparin yhteinen potentiaali on kytketty käyttö-jännitteen negatiiviseen potentiaaliin.
Keksintö koskee myös matkaviestintä, jonka lähetinketjussa on alipäästösuodin kor-keataajuisten häiriöiden vaimentamiseksi. Keksinnön mukaisesti alipäästösuodin sijaitsee lähettimen suoramuunnosmodulaattorissa.
10 Keksinnön etuna on, että tarvittava alipäästösuodin kyetään integroimaan modulaattoriin.
Edelleen keksinnön etuna on, että lähetysketju keksinnön mukaisella alipäästösuo-timella on signaalikohinasuhteeltaan aikaisempia ratkaisuja parempi.
Seuraavassa keksintöä selostetaan yksityiskohtaisesti viittaamalla oheiseen piirus-15 tukseen, jossa i. ’· · kuvio 1 esittää alipäästösuotimen periaatteellista vaikutusta lähettimen ja vastaan- ottimen taajuusalueille.
•« · • · · • · • · : kuvio 2 esittää sinänsä tunnettua Gilbert-solua, • · • · • · · • · *;'t kuvio 3 esittää suoramuunnosmodulaattorinkytkintransistorienpiirikytkentää, • · · 20 kuvio 4 esittää keksinnön mukaisen suoramuunnosmodulaattorin keksinnön kan- • · • · · * · * ·' naita oleellisia osia piirikaaviossa, • ♦ · * * * : * * *; kuvio 5 esittää keksinnön mukaisen suoramuunnosmodulaattorin virtapeiliä, ja ·«· • « • kuvio 6 esittää keksinnön mukaisen matkaviestimen eräitä keksinnön kannalta • » · :’ oleellisia osia lohkokaaviossa.
• · · • · · • · • · 25 Kuvioita 1 ja 2 on käsitelty tunnetun tekniikan osiossa.
6 107656
Kuviosta 3 nähdään suoramuunnosmodulaattorin kytkintransistorit Q8, Q9, Q10, Qll, Q12, Q13, Q14 ja Q15. Transistoreille tuodaan ohjaussignaaleiksi paikallisvä-rähtelijän neljän eri vaiheen signaalit LOo, LO iso, LO90 ja LO270. Transistorien emittereille johdetaan vastakkaisvaiheiset lähetyssignaalit TXI0 ja TXIiso sekä nii-5 den komplementit TXQ0 ja TXQiso. Transistorien kollektoreilta saadaan lähtösig-naalit OUT+ja OUT-,
Kuviosta 4 nähdään keksinnön mukaisen suoramuunnosmodulaattorin keksinnön kannalta oleellisia osia piirikaaviossa kahdella sivulla kuvioissa 4A ja 4B. Kuviosta 4A nähdään, kuinka vastakkaisvaiheisilla lähetyssignaaleilla TXI0 ja TXIiso sekä 10 niiden komplementeilla TXQ0 ja TXQiso ohjataan esivirralla IBias kytkentää positiivisen käyttöjännitepotentiaalin V+ ja kuvion 4B virtapeilien 7 välillä. Virralla Ibias ohjataan virtoja virtapeilillä 5, joka muodostuu transistorien Q16, Q17 ja Q18 kytkennästä. Virrat johdetaan edelleen vastusten Rl, R2, R3 ja R4 läpi lähetyssignaali-en ohjaamien transistorien Q19, Q20, Q21 ja Q22 muodostaman ohjauskytkennän 6 15 läpi virtapeileille 7. Lähetyssignaaleilla TXIo, TXIiso, TXQ0, TXQiso ja esivirralla Ibias ohjataan täten virtapeileillä 7 modulaattoria.
Modulaattorissa on matalan käyttöjännitteen ja vaadittavan suuren lähtötehon vuoksi piirikaaviossa nähtävä kytkentä, jossa on vain kaksi transistoria sarjassa lähdön OUT+, OUT- ja negatiivisen käyttöjännitepotentiaalin V- välillä. Nämä kaksi tran-: /. i 20 sistoria ovat kytkintransistorit 8 j a virtapeilin 7 transistorit.
• · · • · · • · · •' ·'; Keksinnön mukaiset lähetyssignaalien TXI0, TXIi80, TXQo, TXQiso ja esivirran Ibias • · : korkeataajuisen kohinan suodattavat RC-alipäästösuodattimet (RC resistor capaci- tor) nähdään virtapeileissä 7 transistorien Q23, Q24, Q25, Q26, Q27, Q28, Q29, Q30 välissä vastuksilla R5, R6, R7, R8 ja kondensaattoreilla Cl, C2, C3, C4 muo- 25 dostettuna. Kondensaattorit Cl, C2, C3, C4 kytketään käyttöjännitteen negatiiviseen potentiaaliin V- tai muuhun riittävän kohinattomaan potentiaaliin. Suodatin sijaitsee *·:·* signaalin kulun kannalta mahdollisimman myöhäisessä vaiheessa, jotta mahdolliste- : taan suuri signaalikohinasuhde. Muuten suodattamaton kohina sekoittuisi vastaan- . * · ·. oton taajuusalueelle j a signaalikohinasuhde huonontuisi.
• · « • · ; 30 Kuviosta 5 nähdään kuvion 4B virtapeileissä 7 sijaitsevan yhden virtapeilin va- paampi kytkentä. Ohjaavan transistorin Q23 jälkeen signaalitiellä sijaitsee RC-suo-: datin 9 koostuen sarjavastuksesta R5 ja rinnakkaiskapasitanssista Cl. Signaali joh tuu edelleen peilatun virran muodostavalle transistorille Q24.
7 107656
Kuviosta 6 nähdään erään keksintöä käyttävän matkaviestimen osia. Matkaviestimeen kuuluu tunnetun tekniikan mukaiset suoritin 11, muisti 12, näyttö 13, näppäimistö 14 ja audiolohko 15, johon liittyvät mikrofoni 16A ja kaiutin 16B. Keksinnön mukainen alipäästösuodatin sijaitsee lähetinvastaanotmlohkossa 17, joka liittyy 5 antenniin 18.
Keksintöä ei rajata pelkästään edellä esitettyjä sovellutusesimerkkejä koskevaksi, vaan monet muunnokset ovat mahdollisia pysyttäessä patenttivaatimusten määrittelemän keksinnöllisen ajatuksen piirissä.
• 1 • · · • ♦ · • · • · · • · · • · · • · · • · · • · • « • · • 1 · • ♦ · • · • · • · · • · · • · • · · • · 1 • · · • · • · · • · · • · • · · • « · • · · b · · · • · • · φφφ • 1 • · · • ♦ • · ··» φφ φ φ φ φ φ φ φ ·
Claims (7)
1. Alipäästösuodin lähettimessä korkeataajuisten häiriöiden vaimentamiseksi, tunnettu siitä, että alipäästösuodin sijaitsee modulaattorin virtapeilissä (7).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen alipäästösuodin, tunnettu siitä, että modulaat-5 tori on suoramuunnostyyppiä (5, 6, 7, 8).
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen alipäästösuodin, tunnettu siitä, että alipäästö-suodin sijaitsee modulaattorin (5, 6, 7, 8) kertojapiirin (7, 8) virtapeilissä (7).
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen alipäästösuodin, tunnettu siitä, että alipäästösuodin sijaitsee virtapeilin (7) virtaa peilaavan transistoriparin (Q23, Q24; Q25,
10 Q26; Q27, Q28; Q29, Q30) transistorien välissä suodattaen ohjauksen tuovan tran sistorin (Q23, Q25, Q27, Q29) ja peilatun virran muodostavan transistorin (Q24, Q26, Q28, Q30) välisen signaalitien.
5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen alipäästösuodin, tunnettu siitä, että alipäästösuodin muodostuu RC-alipäästökytkennästä (9), jossa vastus (R5, R6, R7, R8) on 15 sarjakytketty signaalilinjaan ja kondensaattori (Cl, C2, C3, C4) rinnankytketty, signaalin kulkusuunnan suhteen, vastuksen (R5, R6, R7, R8) jälkeen transistoriparin (Q23, Q24; Q25, Q26; Q27, Q28; Q29, Q30) yhteiseen potentiaaliin. • · · • · · • ·
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen alipäästösuodin, tunnettu siitä, että transisto- • · · • V riparin yhteinen potentiaali on kytketty käyttöjännitteen negatiiviseen potentiaaliin 20 (V-). • · • · · • · · • ·
7. Matkaviestin, jonka lähetinketjussa (17) on alipäästösuodin korkeataajuisten häiriöiden vaimentamiseksi, tunnettu siitä, että alipäästösuodin sijaitsee lähettimen modulaattorin (5, 6, 7, 8, 17) virtapeilissä (7). • · • · · • · · • · • · • · · • · ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ · ♦ ♦ • ·· • · • ♦ ··· • · • · · • ♦ ♦ • · · · 1 · • · · • ·» « · 107656
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI982362A FI107656B (fi) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin |
EP99308555A EP0998024B1 (en) | 1998-10-30 | 1999-10-28 | Modulator structure for a transmitter and a mobile station |
DE69937329T DE69937329T2 (de) | 1998-10-30 | 1999-10-28 | Modulator für einen Sender und eine Mobilstation |
JP30993399A JP4809962B2 (ja) | 1998-10-30 | 1999-10-29 | 変調器および移動局 |
US09/429,911 US6373345B1 (en) | 1998-10-30 | 1999-10-29 | Modulator structure for a transmitter and a mobile station |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI982362A FI107656B (fi) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin |
FI982362 | 1998-10-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FI982362A0 FI982362A0 (fi) | 1998-10-30 |
FI982362A FI982362A (fi) | 2000-05-01 |
FI107656B true FI107656B (fi) | 2001-09-14 |
Family
ID=8552820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FI982362A FI107656B (fi) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6373345B1 (fi) |
EP (1) | EP0998024B1 (fi) |
JP (1) | JP4809962B2 (fi) |
DE (1) | DE69937329T2 (fi) |
FI (1) | FI107656B (fi) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030119473A1 (en) * | 1998-11-09 | 2003-06-26 | Smith Stephen H. | Adjustable balanced modulator |
DE10132802A1 (de) * | 2001-07-06 | 2002-11-14 | Infineon Technologies Ag | Multipliziererschaltung |
US6728527B2 (en) | 2001-07-10 | 2004-04-27 | Asulab S.A. | Double up-conversion modulator |
DE60108866T2 (de) * | 2001-07-10 | 2006-01-12 | Asulab S.A. | Symmetrischer Quadraturmodulator unter Verwendung von zweistufiger Frequenzumsetzung |
US7415077B2 (en) * | 2002-07-29 | 2008-08-19 | Infineon Technologies Ag | Transmission arrangement, particularly for mobile radio |
US6892057B2 (en) * | 2002-08-08 | 2005-05-10 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Method and apparatus for reducing dynamic range of a power amplifier |
US6810242B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-10-26 | Skyworks Solutions, Inc. | Subharmonic mixer |
US7187917B2 (en) * | 2004-03-29 | 2007-03-06 | Texas Instruments Incorporated | Current interpolation in multi-phase local oscillator for use with harmonic rejection mixer |
KR100598437B1 (ko) * | 2004-10-22 | 2006-07-11 | 한국전자통신연구원 | 직접변환 주파수 혼합기 |
JP4752272B2 (ja) * | 2005-01-05 | 2011-08-17 | ソニー株式会社 | 通信装置 |
US8400218B2 (en) * | 2010-11-15 | 2013-03-19 | Qualcomm, Incorporated | Current mode power amplifier providing harmonic distortion suppression |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2841978B2 (ja) * | 1991-10-30 | 1998-12-24 | 日本電気株式会社 | 周波数逓倍・ミキサ回路 |
JPH05121946A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-18 | Sharp Corp | 平衡変調回路 |
US5530722A (en) | 1992-10-27 | 1996-06-25 | Ericsson Ge Mobile Communications Inc. | Quadrature modulator with integrated distributed RC filters |
US5379457A (en) * | 1993-06-28 | 1995-01-03 | Hewlett-Packard Company | Low noise active mixer |
JP3565281B2 (ja) * | 1993-10-08 | 2004-09-15 | ソニー株式会社 | 受信機 |
US5574755A (en) | 1994-01-25 | 1996-11-12 | Philips Electronics North America Corporation | I/Q quadraphase modulator circuit |
ES2153849T3 (es) * | 1994-11-07 | 2001-03-16 | Cit Alcatel | Mezclador de transmision con entrada en modo de corriente. |
EP0767536A3 (en) * | 1995-10-02 | 1998-04-08 | Nortel Networks Corporation | An ECL clock phase shifter with CMOS digital control |
JPH1056336A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Mitsubishi Electric Corp | ミキサ回路 |
JP3506587B2 (ja) | 1997-08-19 | 2004-03-15 | アルプス電気株式会社 | 二重平衡変調器及び四相位相変調器並びにデジタル通信機 |
US5847623A (en) | 1997-09-08 | 1998-12-08 | Ericsson Inc. | Low noise Gilbert Multiplier Cells and quadrature modulators |
-
1998
- 1998-10-30 FI FI982362A patent/FI107656B/fi not_active IP Right Cessation
-
1999
- 1999-10-28 EP EP99308555A patent/EP0998024B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-28 DE DE69937329T patent/DE69937329T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-29 JP JP30993399A patent/JP4809962B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-10-29 US US09/429,911 patent/US6373345B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0998024A3 (en) | 2001-08-29 |
FI982362A0 (fi) | 1998-10-30 |
US6373345B1 (en) | 2002-04-16 |
FI982362A (fi) | 2000-05-01 |
EP0998024A2 (en) | 2000-05-03 |
DE69937329D1 (de) | 2007-11-29 |
DE69937329T2 (de) | 2008-07-17 |
EP0998024B1 (en) | 2007-10-17 |
JP2000165146A (ja) | 2000-06-16 |
JP4809962B2 (ja) | 2011-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7116950B2 (en) | Direct-conversion transmitting circuit and integrated transmitting/receiving circuit | |
JP4212557B2 (ja) | 送信回路およびそれを用いた送受信機 | |
US7062248B2 (en) | Direct conversion receiver having a low pass pole implemented with an active low pass filter | |
FI107656B (fi) | Alipäästösuodin lähettimessä ja matkaviestin | |
Hyyrylainen et al. | Six-port direct conversion receiver | |
US6388526B1 (en) | Methods and apparatus for high performance reception of radio frequency communication signals | |
KR20080053516A (ko) | 부고조파 믹서를 갖는 직접 변환 수신기 | |
US6112069A (en) | Radio receiver and method for suppressing attenuation properties of a low frequency signal | |
US6798294B2 (en) | Amplifier with multiple inputs | |
US8204469B2 (en) | Low-noise mixer | |
US11581852B2 (en) | Systems and methods for detecting local oscillator leakage and image tone in I/Q mixer based transceivers | |
US7340232B2 (en) | Receiving system and semiconductor integrated circuit device for processing wireless communication signal | |
EP1465334B1 (en) | Passive Mixer | |
US6850752B2 (en) | Single-to-differential conversion circuit outputting DC-balanced differential signal | |
Baltus et al. | DECT zero IF receiver front end | |
US7130601B2 (en) | Determination of received signal strength in a direct conversion receiver | |
US7945221B2 (en) | Transmitter device with quasi-constant LO leakage, for wireless communication equipment with a direct conversion architecture | |
JP3369396B2 (ja) | 無線送受信共用周波数変換器 | |
JP4322649B2 (ja) | 受信装置および無線信号処理用半導体集積回路 | |
RU2336626C2 (ru) | Способ управления просачиванием сигнала гетеродина в методах прямого преобразования | |
US6574457B1 (en) | Two-transistor mixer | |
KR100298207B1 (ko) | 단일밸런스능동혼합기 | |
WO2004088835A1 (en) | Passive mixer | |
Alam | A CMOS front end for high linearity zero-if WCDMA receiver | |
JP2001186043A (ja) | 無線送受信機 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MA | Patent expired |