KR20010022313A - 정밀 온도 센서 집적 회로 - Google Patents

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KR20010022313A
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비. 놀란 제임스
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씨. 필립 채프맨
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Abstract

정밀 온도 센서는 대기 온도의 폭 넓은 변화에 대하야 예측 가능하게 변하는 클럭 주파수를 생성한다. 2개의 독립 전류 발생기의 출력은 온도에서 변화에 직접적으로 비례하여 대략적으로 선형 커패시터 충전 전류를 제공하기 위해 조합된다. 커패시터 충전 전류는 결정 가능한 기울기와 차단으로 대략적으로 선형적으로 온도에 의존하는 주파수 클럭을 출력하는 발진 발생기를 구동하기 위해 사용된다. 주파수 카운터는 온도에 대한 디지털 값을 계산하기 위해 독립적인 기준 발진기와 발진 발생기의 출력을 비교한다. 정밀 온도 센서는 단일 집적 회로에서 단일로 실시된다.

Description

정밀 온도 센서 집적 회로{A Precision Temperature Sensor Integrated Circuit}
종래 기술은 온도에 비례하는 전압을 생성하는 것으로 잘 알려진모델을 기본으로 하는 일반적인 집적 온도 센서를 도시하는 도 1에 의해 기술된다. 종래 기술 집적 회로 온도 센서는 다이오드, 서미스터 또는 다른 소스를 디지털 온도에 상당하는 값으로 변환하기 위한 차등 증폭기와 아날로그/디지털 변환기(A to D)를 필요로 한다. 종래, 전압 지향성 아날로그/디지털 변환기는 온도 센싱 애플리케이션을 위해 필요로 하지 않는 불필요한 하드웨어 및 소프트웨어 오버헤드를 또한 요구할 수 있다. 더욱이, 종래에 기술된 회로는 정확성을 위한 필요성 때문에, 매우 고가일 수 있는 정밀 기준 전압을 필요로 한다.
그러므로, 온도 변화의 정확한 측정이 가능하고, 복잡성, 보드 공간 및/또는 다이 영역 및 핀 카운트를 감소시키는 집적 회로에서 실시되는 온도 센서를 제공할 필요가 있다.
본 발명은 대기 온도를 측정하는 집적 회로와 일반적으로 관련된 것이다. 특히, 본 발명은 번갈아 가며 대기 온도의 변동으로 예측할 수 있는 클럭 주파수를 생성하기 위해 사용되는 대체적으로 선형인 캐패시터 충전 전류를 제공하는 정밀 온도 센서에 관한 것이다. 본 발명은 대기 온도를 계산하기 위해 이장(relaxation) 발진기, 2개의 독립적인 전류 발생기들, 기준 발진기 및 주파수 카운터들로 조합된다. 본 발명은 단일집적 회로에서 단일로 실시된다.
도 1은 온도 센서 회로를 보이는 종래 기술의 대략적 다이어그램이다.
도 2는 본 발명의 블록 다이어그램이다.
도 2a는 선형 특성과 본 발명의 온도 파라미터들 사이의 관계를 도시한 그래프이다.
도 3은 본 발명에서 절대 온도 비례(PTAT) 전류 발생기의 블록 다이어그램이다.
도 4는 본 발명에서 알려진 절대 온도 보상(CTAT) 전류 발생기의 블록 다이어그램이다.
도 5는 본 발명의 적당한 정밀 온도 센서 실시예의 블록 다이어그램이다.
도 6은 본 발명의 특정 파라미터들의 타이밍 다이어그램이다.
본 발명의 목적은 전압 지향성 아날로그/디지털 변환기에 의존하지 않으나, 대신해서 전류를 주파수 아날로그/디지털 회로에 조합한 온도 센서를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 정밀 전압 기준를 필요로 하지 않는 온도 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 제조 단가, 다이 영역 및 핀 카운트를 감소시키는 온도 센서를 제공하는 데 있다.
본 발명의 하나의 실시예에 따라서, 대기 온도의 폭 넓은 변동에 대한 정밀한 측정을 제공하는 온도 센서를 도시한다. 정밀 이완 발진기는 발진 발생기, 제 1 출력 전류를 산출하기 위한 제 1 전류 발생기, 제 2 출력 전류를 산출하기 위한 제 2 전류 발생기, 기준 발진기 및 주파수 카운터로 구성된다. 발명은 단일 집적 회로에서 단일로 실시된다.
본 발명의 다른 실시예에 따라서, 기준 발진기는 제 2 발진 발생기로 구성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따라서, 기준 발진기는 크리스탈 발진기로 구성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따라서, 1개 또는 그 이상의 외부 레지스터는 각 출력 전류를 생성하기 위한 제 1 또는 제 2 전류 발생기와 결합될 수 있다.
본 발명의 선행 및 다른 목적, 특성, 및 이점은 동반하는 도면에서 도시된 것으로써 뒤에 오는 본 발명의 바람직한 실시예의 더욱 특별한 기술로부터 명확해질 것이다.
도 2를 기준하여, 대기 온도의 폭 넓은 변화에 대한 정밀한 측정을 제공하는 정밀 온도 센서(1)를 도시한다.
정밀 온도 센서(1)는 발진 발생기(100), 일반적으로 절대 온도 비례 전류 발생기인 제 1 전류 발생기(300), 일반적으로 절대 온도 보상(CTAT) 전류 발생기인 제 2 전류 발생기(200), 기준 발진기(400) 및 주파수 카운터(500)로 구성된다. 그러나, 당업자는 전류 발생기의 역할이 역전될 수 있다는 것을 인식할 수 있어서 즉, 제 1 전류 발생기(200)는 CTAT일 수 있고, 제 2 전류 발생기(300)는 PTAT일 수 있다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 정밀 온도 센서(1)는 단일 집적 회로에서 단일로 실시된다.
도 2 및 2a를 기준하여, 독립적인 CTAT(200) 및 PTAT(300) 전류 발생기는 온도에 대해 대략적으로 선형인 CTAT 전류(290) 및 PTAT 전류(390)를 제공한다. 바람직한 실시예에서, CTAT 전류(290) 및 PTAT 전류(390)(도 4 및 5)는 온도에 대해 일정한 양의 기울기를 가지는 커패시터 충전 전류(Iccc,190, Iccc 190=CTAT 전류 290 + PTAT 전류 390)를 형성하기 위해 조합된다.
바람직한 실시예에서, PTAT 전류(390)는 Iccc의 지배적인 성분이고 온도에 직접적으로 비례하는 일정한 양의 기울기를 가지나, 제작 이상과 공정 드리프트 때문에 디바이스로부터 디바이스까지 약간 변할 수 있다. CTAT 전류(290)는 온도에 비례하는 기울기를 가지고 온도에 대략 선형적으로 변하는 예측가능한 균일 Iccc(190)은 디바이스와 디바이스로부터 얻어지기 때문에, PTAT 전류(390)와 조합된다. 바람직한 실시예에서, CTAT 전류는 온도에 대해 음의 기울기를 가진다. 다른 실시예에서, PTAT 전류(390)는 Iccc(190)의 단독의 성분일 수 있고, 아래에 도시된 바와 같이 디지털적으로 트림드(trimmed)될 수 있다. 또 다른 실시예에서, CTAT 전류(290)는 Iccc(190)은 온도에 따라 변하는 예측 가능한 클럭 주파수를 생성하기 위한 발진 발생기(100, 도 2)에 의해 실질적으로 사용된다.
도 2에서 도시된 바람직한 실시예에서, 발진 발생기(100)는 셋-리셋 플립 플롭(160), 2개의 비교기들(182, 184)을 또한 포함하는 비교기 회로(180), 4개 트랜지스터 스위치들(130,132,134,136), 2개 인버터들(140, 142) 및 기준 전압(152)을 생성하기 위한 대역 간격기준 전압 회로(150)로 구성된다. 종래에 기술된 이러한 것들은 부품의 다른 조합을 인정할 수 있거나, 유사한 부품들은 실질적으로 같은 결과를 얻을 수 있도록 한다.
트랜지스터 스위치들(130,134)은 커패시터들(110,120) 각각에 대한 충전 경로를 제공한다. 트랜지스터 스위치들(132,136)은 커패시터들(110,120) 각각에 대한 방전 경로를 제공한다. 바람직한 실시예에서, 트랜지스터 스위치들(130, 132, 134 ,136)은 MOSFET 트랜지스터이나, 당업자는 본 발명이 이 기술에 한정되지 않는다는 것을 인식할 수 있게 된다.
발진 발생기(100)는 다른 캐패시터가 방전되는 동안 하나의 충전 캐패시터에 의해 동작한다. 캐패시터(110)에 대한 방전 경로는 비교기(182)의 입력에서 트랜지스터 스위치(132)를 경유하여 연결된다. 커패시터(120)에 대한 방전 경로 비교기(184)의 입력에서 트랜지스터 스위치(136)를 경유하여 연결된다.
바람직한 실시예에서, 및 최선의 성능에 대하여, 대역 간격 기준 전압 회로와 같은 안정한 기준 전압(150)이 사용된다. 대역 간격 기준 전압 회로(150)는 비교기들(182,184)의 제 2 입력에 연결되는 단일 기준 전압(152)을 제공하고, 각 비교기(182,184)에서 공통 모드 전압이 되도록 사용된다. 대역 간격기준 전압 회로(150)에 대한입력(325)은 아래에 기술된 PTAT 바이어스 발생기(310)의 출력이다. 대역 간격기준 전압 회로(150)는 안정한 Iccc(190)의 이점과 비교기 입력 근절 및 전파 지연에서 변동에 기인하는 오류를 안정화하고 Iccc(190) 최소화하는 이점을 가진다. 더욱이, 기준 전압 드리프트의 효과를 없애기 위해서, CTAT(200) 전류 발생기는 비교기들(182, 184)로써 같은 기준 전압(152)에 의존한다. 당업자에게 공지된 대역 간격기준 전압 회로(150)의 다양한 실시예가 있다. 그러나, 대역 간격기준 전압(150)이 본 발명에서 실시되는 새로운 방법은 종래 기술에 의해 기술되지 않는다.
부품(182)의 출력이 플립 플롭(160)의 세트된 입력(162)에 연결된다. 비교기(184)의 출력이 플립 플롭(160)의 리세트된 입력(164)에 연결된다. 따라서, 커패시터(110,120)가 선택적으로 충전 및 방전됨으로써, 비교기(182,184)의 출력은 선택적으로 플립 플롭(160)을 세트 및 리세트 하여 클럭 출력을 생성한다.
플립 플롭(160)의 출력(Q, 166)은 온도 변화에 직접적으로 관련된 클럭 주파수를 제공한다. 바람직한 실시예에서, 출력(Q,166)은 트랜지스터 스위치(132)와 트랜지스터 스위치(130)에 인버터(140)를 경유하여 또한 연결된다. 출력(Q, 166)은 교대로 커패시터(110)에 대한 충전 및 방전 경로가 개방 및 밀폐되는 트랜지스터 스위치들(130,132)을 제어하는 신호를 제공한다.
플립 플롭(160)의 보상형 출력(Q, 168)을 온도 및 출력(Q, 166)의 보상과 직접적으로 관련된 제 2 클럭 주파수를 제공한다. 보상형 출력(Q, 168)은 트랜지스터 스위치(136)와 트랜지스터 스위치(134)에서 인버터(142)를 경유하여 연결된다. 따라서, 보상형 출력(Q, 168)은 교대로 커패시터(120)에 대한 충전 및 방전 경로가 개방 또는 밀폐되는 트랜지스터 스위치(134, 136)를 제어하는 신호를 제공한다.
기준 발진기(400)는 전류 발생기들(200,300)의 온도 계수보다 훨씬 더 작은 온도 계수를 가진다. 기준 발진기와 플립 플롭(160)의 출력(Q, 166)은 주파수 카운터(500)에 연결된다. 알맞은 정밀도를 위하여, 기준 발진기(400)는 아래에서 기술된 바와 같은 제 2 발진 발생기(100)일 수 있다.
더 높은 정밀도를 위하여, 크리스탈 발진기는 온도상 높은 안정성을 가지기 때문에 바람직한 실시예이다. 주파수 카운터(500)는 온도 감지(Q) 출력(166)과온도 비감지성 기준 발진기(400)를 비교하고, 온도의 정확한 표현이 되는 출력(510)을 제공한다. 다양한 실시예의 주파수 카운터들은 당업자에게 공지되어 있어, 더 이상 기술할 필요가 없다.
도 3을 기준하여, 같은 기준 번호는 같은 요소를 반영한다는 점에서,전류로써 당업자에게 공지된 PTAT 전류 발생기(300)는 PTAT 바이어스 발생기(310) 및 PTAT 전류(390)를 생성하기 위한 PTAT 전류 미러(350)로 구성된다.
PTAT 바이어스 발생기(310)는 증폭 회로(320), 작은 선형 온도 계수(332, 334)를 가지는 선택 가능한 레지스터를 교차하는 제 1 바이어스 전압을 제공하기 위한 제 1 바이어스 회로(330) 및 제 2 바이어스 전압을 제공하기 위한 제 2 바이어스 회로(340)로 구성된다. 본 발명은 선택 비트(336)에 의해 내부 래지스터상에서 선택될 수 있는 외부 래지스터(334)를 제공한다.
제 1 및 제 2 바이어스 전압은 증폭기(320)에 입력을 제공한다. 증폭기(320)의 출력은 제 1 (330) 및 제 2 (340) 바이어스 회로, PTAT 전류 미러(350) 및 대역 간격기준 전압 발생기(150, 도1)에 연결되는이다.
PTAT 전류 미러(350)는 1에서 n까지 복수의 트랜지스터(352)로 구성된다. 도 3에서 도시된 바로써, 트랜지스터(352)의 제어 전극들은(325)에 연결된다. 적당한 출력 전류를 위한 트리밍은 바람직한 PTAT 전류(390)를 얻기 위해 눈금 선택을 통하여 프로그램 가능한 선택적인 하나 또는 그 이상의 전류 미러에 의해 수행된다. 바람직한 실시예에서, 눈금 선택 스위치들(354)은 PMOS 트랜지스터이다. 그러나 당업자는 실질적으로 같은 결과를 초래하는 스위치들의 다른 타입이 가능하다는 것을 인식하게 된다.
바람직한 실시에서, 전류 미러(350)는 당업자에게 공지된 전류 디바이더로써 작용한다. 바람직한 실시예에서, 전류 미러(350)는 전류 멀티플렉서로써 형성될 수 있다. PTAT 전류(390)는 전류 미러 트랜지스터(352)로부터 선택된 출력의 합이다. 따라서, PTAT 전류 발생기(300)는 기울기의 결정과 도 2a에서 보여진 바와 같은 온도에 대한 대략적인 선형 PTAT 전류(390)의 차단을 허용한다.
도 4를 기준하여, 같은 도면 부호는 같은 요소를 반영하고, CTAT 전류 발생기(200)는 CTAT 바이어스 CTAT 전류(290)를 셍성하기 위한 CTAT 바이어스 발생기(210) 및 전류 미러(250)로 구성된다.
CTAT 바이어스 발생기(210)는 증폭기 회로(220), 증폭기(220)에 입력 전류를 조정하기 위한 작은 양의 온도 계수(232,234)를 가지는 적어도 하나의 래지스터, 증폭기(220)에 입력 전류를 제공하기 위한 트랜지스터(240)로 구성된다. 증폭기(220)는 공급과 노이즈 제거를 위한 병렬 구조이다. 기준 전압(152)은 증폭기(220)의 입력과 연결된다. 본 발명은 외부 레지스터(234)가 선택 비트(236)에 의해 내부 레지스터(232)상에서 선택될수 있다는 것을 제공한다.
전류 미러(250)는 1부터 n까지 복수의 트랜지스터로 구성된다. 도 4에서 도시된 것으로서, 트랜지스터들(252)의 제어 전극들은 CTAT 바이어스 생성 증폭기(220)의 출력과 연결된다. 적당한 PTAT:CTAT 밸런스를 얻기 위한 CTAT 전류 트리밍은 바람직한 CTAT 전류(290)를 얻기 위한 눈금 선택(254)을 통해 프로그램 가능한 선택적인 1개 또는 그 이상의 전류 미러 트랜지스터들(252)에 의해 디지털적으로 수행된다. 바람직한 실시예에서, 눈금 선택 스위치들(254)은 PMOS 트랜지스터들이다. 그러나, 종래에 기술된 것들은 스위치들의 다른 타입들이 실질적으로 같은 결과를 초래할 수 있다는 것을 인식할 수 있게 한다.
따라서, 트리밍은 온도에 관하여, 전류 미러(250, 350) 각각의 출력 전류(290, 390)에 대한 제어의 처리이다. 드림트된 출력 전류(290, 390)가 발진 발생기(100, 도2)에서 조합될 때, Iccc(190)을 위한 한 기울기와 차단(전류 대 온도)은 온도로 예상 가능하게 변하는 클럭 주파수(166, 도2)를 생성하고자 하는 목적을 위한 것이다. 대략적으로 선형인 Iccc(190)은 온도에 관하여 대략적으로 선형인 클럭 주파수(166)를 생성한다. 그러므로, 트림드 출력 전류(290, 390)는 도 2a에서 도시된 것과 같이, 온도상에서 적당한 기울기와 클럭 주파수(166)의 차단을 제어하기 위해 Iccc(190)로써 조합된다.
바람직한 실시예에서, 전류 미러(250)는 당업자에게 공지된 전류 디바이더로써 작동한다. 다른 실시예에서 전류 미러(250)는 전류 다중기로써 형성될 수 있다. CTAT 전류(290)는 전류 미러 트랜지스터(252)로부터 선택된 출력의 합이다.
도 5를 기준하여, 여기서 같은 도면 부호는 같은 요소와 프라임(′)으로 표현하는 같은 특성의 부가적인 회로의 부호를 반영한다. 적절한 정밀 온도 센서 실시예가 도시된다. 이 실시예에서 공통 PTAT 바이어스 발생기(310) 및 CTAT 바이어스 발생기(210), PTAT 전류 미러들(350,350′)와 CTAT 전류미러들(250, 250′)의 유일한 쌍을 구동한다. PTAT 바이어스 발생기(310)는 이전에 기술한 것과 같이, 기준 전압 발생기(150)를 또한 구동한다. PTAT/CTAT 전류 미러들(350. 250)은 온도에 민감한 출력 전류(390, 290)를 생성한다. PTAT/CTAT 전류(390, 290)는 위에서 기술한 바와 같은, 온도에 비례적으로 변하는 클럭 주파수를 생성하기 위해 발진 발생기(100)를 구동한다.
PTAT/CTAT 전류 미러들(350′, 250′)은 조합된 전류의 기울기가 온도에 관하여 민감하지 않도록, PTAT/CTAT 전류 미러들(350′, 250′)이 PTAT/CTAT의 비율을 제어함으로서 온도에 민감하지 않은 출력 전류(390′,290′)를 생산하는 것을 제외하고는 PTAT/CTAT 전류 미러들(350, 250)과 매우 유사하다. 이러한 PTAT/CTAT 전류들(390′,290′)은 발진 발생기(100)과 구조적으로 유사한 발진 발생기(100′)를 구동한다. 발진 발생기(100′)의 출력은 온도에 관하여, 변화지 않거나, 매우 약간 변하는 클럭 주파수이다. 주파수 카운터(500)는 위에서 기술한 것과 같은 디지털 온도 측정을 생성하기 위한 발진 발생기들(100, 100′)과 2개의 클럭 주파수들을 비교한다.
도 6을 기준하여, 같은 도면 부호는 온도 센서(1)가 도시하기 위한 타이밍 다이어그램에서 같은 요소들을 반영한다. V1(112)은 캐패시터(110, 도1)의 중전과 방전을 반영한다. V1(112)의 양의 기울기가 캐패시터(110)의 정전 용량에 의해 분할되는 Iccc(190)과 동일하다는 것을 주목하자. V1(112)의 최대 증폭은 기준 전압(152)과 동일하다. CMP1은 플립 플롭(160)의 정해진 입력(162)에 연결되는 비교기의 출력을 반영한다.
V2(122)는 캐패시터(120)의 충전과 방전을 반영한다. 이 경우에 V2(122)의 양의 기울기 캐패시터(120)의 정전 용량에 의해 분할되는 Iccc(190)과 동일하다. CMP2는 플립 플롭(160)의 리셋 입력(164)에 연결되는 비교기(184)의 출력을 반영한다. CLK는 플립 플롭(160)의 출력(166, Q)이다.
50 퍼센트 듀티 사이클 동안, 커패시터의 값들(110, 20)은 V1(112) 및 V2(122)에 대해 유사한 기울기를 초래하는 것과 동일하다. 커패시터 전압은 기준 전압(152)을 초과하기 때문에, 각 비교기(182, 184)는 변화 상태로 플립 플롭(160)을 유도하도록 낮게 진동한다. RST(리셋)은 알려진 상태에서 비교기들(182, 184) 및 플립 플롭(160)을 초기화하기 위해 사용되고, 하나의 슈트(shot) 모드에서 센서를 동작시키기 위해 사용된다.
본 발명은 온도에 직접적으로 비례하는 클럭 주파수를 생성한다. 트림드되고 합해질 때 대략적으로 선형적으로 온도에 비례하는 예측 가능한 커패시터 충전 전류를 산출하는 바이어스 전류를 제공함으로써 수행된다. 회로(1)는 대역 간격기준 전압 회로(150)와 같은 안정한 전압 기준를 사용하여, 처리 변동을 제거하기 위해 프로그램 가능한 전류 미러들(250, 350)을 통하여 바이어스 전류(290, 390)의 디지털 트리밍을 수행한다. 회로(910)는 듀얼 커패시터, 듀얼 비교기 발진 발생기(100)를 통하여 온도 감지 클럭(166)을 생성한다. 주파수 카운터(500)는 디지털 온도(510)를 계산하기 위한 기준 발진기의 출력과 발진 발생기(100)의 출력을 비교한다. 또한, 아날로그는 성분 정합 및 캐스코드 전류원과 같은 당업자에게 공지된 아날로그 설계 기술은 회로의 안정성을 향상시킨다.
본 발명이 바람직한 실시예를 참고로 특히 도시 및 설계되었지만, 당업자에게는 형태 및 상세한 내용이 본 발명의 정신 및 범위를 어긋남이 없이 본원에 이루어지는 것으로 이해된다..

Claims (40)

  1. 발진 발생기; 및
    발진 발생기에 연결된 제 1 전류 발생기를 포함하고, 단일 집적 회로에서 실시되는 정밀 온도 센서 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 발진 발생기에 연결된 제 2 전류 발생기를 더 포함하는 회로.
  3. 제 2 항에 있어서, 발진 발생기에 연결되는 주파수 카운터; 및
    발진 발생기에 연결되는 기준 발진기를 더 포함하는 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 발진 발생기는,
    플립 플롭;
    상기 플립 플롭에 연결되는 비교기 회로;
    상기 비교기 회로에 연결되는 기준 전압 회로;
    상기 비교기 회로에 연결되는 적어도 하나의 커패시터;
    상기 적어도 하나의 커패시터에 연결되는 적어도 하나의 스위치 회로; 및
    상기 플립 플롭에 연결되는 적어도 하나의 인버터를 포함하는 회로.
  5. 제 4 항에 있어서, 기준 전압 회로가 대역 간격 기준 전압 회로인 회로.
  6. 제 4 항에 있어서, 비교기 회로가 2개의 비교기로 구성되는 회로.
  7. 제 6 항에 있어서, 2개의 비교기의 각각의 하나의 입력과 제 1 전류 발생기가 기준 전압 회로에 모두 연결되는 회로.
  8. 제 6 항에 있어서, 2개의 비교기 중 제 1 비교기가 플립 플롭을 셋팅하기 위한 회로.
  9. 제 6 항에 있어서, 2개의 비교기 중 제 2 비교기가 플립 플롭을 리셋하기 위한 회로.
  10. 제 4 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 커패시터에 연결되는 적어도 하나의 스위치는,
    제 1 커패시터에 연결되는 제 1 복수의 스위치들; 및
    제 2 커패시터에 연결되는 제 2 복수의 스위치들을 포함하는 회로.
  11. 제 10 항에 있어서, 제 1 및 제 2 복수의 스위치들이 MOSFET 트랜지스터인 회로.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 플립 플롭이,
    온도 변동에 직접적으로 비례하는 제 1 클럭 주파수를 제공하고, 제 1 복수의 스위치를 제어하기 위한 제 1 출력; 및
    제 1 안정한 클럭 주파수에 대해 보상되는 온도 변동에 직접적으로 비례하는 제 2 클럭 주파수를 제공하고, 제 2 복수의 스위치들을 제어하기 위한 제 2 출력을 포함하는 회로.
  13. 제 10 항에 있어서, 제 1 복수의 스위치들을 제 1 커패시터를 위한 충전 경로와 방전 경로를 제공하는 회로.
  14. 제 10 항에 있어서, 제 2 복수의 스위치들을 제 2 커패시터를 위한 충전 경로와 방전 경로를 제공하는 회로.
  15. 제 13 항에 있어서, 제 1 커패시터를 위한 방전 경로가 제 1 복수의 스위치들 중 하나에 의해 제 1 비교기의 입력에 연결되는 회로.
  16. 제 14 항에 있어서, 제 2 커패시터의 방전 경로가 제 1 복수의 스위치들 중 하나에 의해 제 2 비교기의 입력에 연결되는 회로.
  17. 제 1 항에 있어서, 발진 발생기가 온도에 비례적으로 변하는 클럭 주파수를 생성하는 회로.
  18. 제 2 항에 있어서, 제 1 전류 발생기로부터 출력 전류는 대략적으로 선형적으로 온도에 비례하는 조합된 전류를 얻기 위해 제 2 전류 발생기로부터 출력 전류와 연결되는 회로.
  19. 제 18 항에 있어서, 조합된 전류가 온도에 비례적으로 변하는 클럭 주파수를 생성하기 위한 발진 발생기에 의해 사용되는 회로.
  20. 제 18 항에 있어서, 제 2 전류 발생기로부터 출력 전류는 온도에 관하여 조합된 전류의 기울기와 차단을 판단하기 위해서 제 1 전류 발생기로부터 출력 전류와 조합되는 회로.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전류 발생기는
    제 1 바이어스 발생기; 및
    온도에 비례적으로 변하는 제 1 출력 전류를 생성하기 위해 제 1 바이어스 발생기에 연결되는 제 1 전류 미러를 포함하는 회로.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 제 1 바이어스 발생기는,
    제 1 증폭기 회로에 연결되는 적어도 하나의 트랜지스터; 및
    제 1 증폭기 회로의 입력에 연결되는 작은 양의 온도 계수를 가지는 적어도 하나의 레지스터를 포함하는 회로.
  23. 제 21 항에 있어서, 전류 미러가 제 1 출력 전류를 생성하기 위해 개별적으로 선택가능한 복수의 트랜지스터로 구성되는 회로.
  24. 제 21 항에 있어서, 적어도 하나의 래지스터 중 하나가 단일 집적 회로에 외장되는 회로.
  25. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전류 발생기는,
    제 2 바이어스 발생기; 및
    제 2 바이어스 발생기에 연결되어 온도에 비례적으로 변하는 제 2 출력 전류를 발생시키는 제 2 전류 미러를 포함하는 회로.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 제 2 바이어스 발생기는,
    제 2 증폭기 회로;
    제 2 증폭기 회로의 제 1 입력에 연결되는 제 1 바이어스 전압을 발생시키는 제 1 바이어스 회로; 및
    제 2 증폭기 회로의 제 2 입력에 연결되는 제 2 바이어스 전압을 생성하기 위한 제 2 바이어스 회로를 포함하는 회로.
  27. 제 26 항에 있어서, 제 1 바이어스 전압을 생성하기 위한 제 1 바이어스 회로가 작은 양의 온도 계수를 가지는 적어도 하나의 레지스터로 구성되는 회로.
  28. 제 27 항에 있어서, 적어도 하나의 레지스터 중 하나가 단일 집적 회로에서 단일로 외장되는 회로.
  29. 제 26 항에 있어서, 제 2 증폭기 회로의 출력이 기준 전압을 생성하기 위한 발진 발생기에 연결되는 회로.
  30. 제 25 항에 있어서, 제 2 전류 미러가 제 2 출력 전류를 생성하기 위한 개별적으로 선택가능한 복수의 트랜지스터로 구성되는 회로.
  31. 발진 발생기;
    온도에 비례적으로 변하는 제 1 출력 전류를 생성하기 위한 발진 발생기에 연결되는 제 1 전류 발생기를 포함하고, 상기 회로가 집적 회로에서 단일로 실시되는 정밀 온도 센서 회로.
  32. 제 31 항에 있어서, 발진 발생기에 연결되어 온도에 비례적으로 변하고 제 1 출력 전류로부터 온도에 대해 반대 기울기인 제 2 출력 전류를 발생시키는 제 2 전류를 발생기를 더 포함하는 회로.
  33. 제 31 항에 있어서, 발진 발생기가 온도에 비례적으로 변하는 클럭 주파수를 생성하는 회로.
  34. 제 32 항에 있어서, 제 1 출력 전류가 온도에 비례적으로 변하는 조합된 전류를 얻기 위해 제 2 출력 전류와 연결되는 회로.
  35. 제 34 항에 있어서, 제 2 전류 발생기로부터 출력 전류는 온도에 대하여 조합된 전류의 기울기 및 차단을 판정하기 위한 제 1 전류 발생기로부터 출력 전류와 조합되는 회로.
  36. 제 34 항에 있어서, 제 2 전류 발생기로부터 출력 전류가 온도에 비례하여 클럭 주파수의 기울기 및 차단을 판정하기 위한 제 1 전류 발생기로부터 출력 전류와 조합되는 회로.
  37. 제 32 항에 있어서, 제 1 및 제 2 전류 발생기가 전압 공급을 처리 및 공급하기 위해 보상하도록 프로그램될 수 있는 회로.
  38. 복수의 발진 발생기들;
    복수의 바이어스 발생기들; 및
    복수의 회로 미러들을 포함하고, 상기 회로는 단일 집적 회로에서 단일로 실시되는 정밀 온도 센서 회로.
  39. 제 38 항에 있어서, 전압 기준 회로를 더 포함하는 회로.
  40. 제 38 항에 있어서, 주파수 카운터를 더 포함하는 회로.
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