KR20010015839A - 노광장치와 노광방법 및 기록매체 - Google Patents

노광장치와 노광방법 및 기록매체 Download PDF

Info

Publication number
KR20010015839A
KR20010015839A KR1020007005836A KR20007005836A KR20010015839A KR 20010015839 A KR20010015839 A KR 20010015839A KR 1020007005836 A KR1020007005836 A KR 1020007005836A KR 20007005836 A KR20007005836 A KR 20007005836A KR 20010015839 A KR20010015839 A KR 20010015839A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure
reticle
pattern
information
area
Prior art date
Application number
KR1020007005836A
Other languages
English (en)
Inventor
모리오까도시노부
Original Assignee
오노 시게오
가부시키가이샤 니콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오노 시게오, 가부시키가이샤 니콘 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR20010015839A publication Critical patent/KR20010015839A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508—Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791—Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034—Leveling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

표시장치 (22) 에 쇼트맵을 표시시켜, 오퍼레이터는 그 쇼트맵 상에서 평가점을 지정한다. 제어장치 (21) 는 지정된 평가점에 대응하는 투영면상 (플레이트상) 의 위치좌표를 산출하여 표시장치 (22) 에 출력한다. 플레이트 (6) 상에 노광되는 패턴에 중복된 부분이 있고, 그 중복된 부분에서 평가점이 지정된 경우, 제어장치 (21) 는 대응하는 패턴후보를 출력하여, 오퍼레이터는 그 중에서 희망하는 패턴을 선택할 수 있다. 또한, 쇼트맵 상에서 1 점을 지정하면, 자동적으로 패턴경계를 사이에 끼운 2 점이 평가점으로서 나타나는 기능도 구비하고 있다. 이로써, 평가점의 지정 및 그 플레이트면 상에서의 위치를 정확하게 단시간에 구하여, 장치의 작업효율을 향상시킨다.

Description

노광장치와 노광방법 및 기록매체{EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND RECORDING MEDIUM}
도 1 은, 액정디스플레이 (LCD) 제조에 사용하는 종래의 투영노광장치 (1) 의 구성을 나타내고 있다. 이 투영노광장치 (1) 는 스텝 앤드 리피트 방식의 투영노광장치이다. 여기에서, 레티클 또는 마스크 (이하, 레티클이라 함 ; 3) 상에 형성된 LCD 패턴은 조명광학계 (2) 에 의해 조사되고, 투영광학계 (4) 에 의해 XY 스테이지 (5) 상에 놓여진 각형(角形)의 글래스기판인 플레이트 (6) 의 소정의 노광영역에 노광된다. 이 노광에 의해 패턴이 전사되면, XY 스테이지 (5) 의 이동에 의해 플레이트 (6) 는 소정의 거리만큼 이동하고, LCD 패턴은 다른 노광영역에 노광되어, 소정의 회수만큼 이 LCD 패턴의 노광을 반복한다. 그 후, 레티클 (3) 은 레티클 교환기구 (10) 에 의해 다른 레티클과 교환되고, 교환된 레티클상의 LCD 패턴이 순차적으로 소정의 노광영역에 소정의 회수만큼 노광되어, 플레이트 (6) 전체에 대하여 복수의 레티클의 패턴 전사가 행해진다.
이와 같은 스텝 앤드 리피트 방식의 노광장치에 있어서, XY 스테이지 (5) 상에서의 플레이트 (6) 의 위치는 레이저간섭계 (7) 에 의해 정확하게 모니터되어, 그 위치좌표가 특정된다. 또, 레티클 (3) 의 위치맞춤은 레티클 얼라인먼트계 (8) 에 의해 행해지고, 플레이트 (6) 의 위치맞춤은 플레이트 얼라인먼트계 (9) 에 의해 행해진다.
도 2 는, LCD 용 투영노광장치 (1) 에 의해 플레이트 (6) 에 전사된 LCD 패턴의 예를 나타내고 있다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, LCD 패턴의 전사에서는, 패턴은 예를 들면 A, B, C, D, E, F 의 6 개의 패턴으로 분할되어, 각각의 패턴의 연결부에서 미소량의 중첩노광이 행해져 6 개의 위치에 노광된다 (6 패턴에 의한 6 면 모따기). 이들의 6 개의 패턴은, 각각 대응하는 6 장의 레티클상에 형성되어 있고, 레티클을 교환하면서 노광을 반복함으로써 6 개의 패턴이 합성되어, 도면에 나타낸 바와 같은 LCD 패턴 전체가 형성된다.
이와 같은 화면합성법을 사용하는 노광에서는, 레티클 (3) 이나 플레이트 (6) 의 얼라인먼트 오차나 투영광학계 (4) 의 디스토션(distortion) 등에 의해, 도 3a, 3b 및 3c 에 나타낸 바와 같은 패턴간의 연결부에 있어서의 어긋남이 발생할 수 있다. 즉, 패턴합성시에 전사하는 패턴이 회전오차를 갖고 있었던 경우나, 전사하는 패턴 A 나 B 위치에 패턴어긋남에 의한 오차가 있는 경우에는, 이들의 노광된 패턴의 연결부에도, 도 3a 및 3b 에 나타낸 바와 같은 어긋남이 발생한다. 또, 도 3c 에 나타낸 바와 같이, 제 1 레이어의 노광으로 형성된 패턴 A 와 B (점선) 상에 제 2 레이어로서 각각 패턴 A' 와 B'(실선) 을 중첩하는 경우에도, 각 패턴이 회전오차나 위치오차를 포함하는 경우에는, 제 1 레이어와 제 2 레이어와의 사이의 중첩에 어긋남이 발생한다. 또한, 이 외에도 투영렌즈의 디스토션에 의해서도 연결부의 어긋남이나 중첩오차가 발생하고, 또, 패턴의 레티클로의 패터닝시에도 패터닝 오차에 의한 어긋남이 발생할 수 있다.
상술한 바와 같은 여러가지 요인에 의해 오차가 발생하면, 노광에 의해 작성되는 LCD 기판으로부터 설계대로의 특성을 얻을 수 없는 문제가 있었다. 이 문제를 해결하기 위해, 패턴노광시에 각종 오차를 없애기 위한 보정량 (보정값) 을 최적화시키는 방법이 취해지고 있다. 이 방법에서는, 테스트 노광에 의해 얻어진 전사 이미지로부터 패턴 어긋남량을 측정하고, 그곳으로부터 보정값을 도출하여, 이 보정값을 사용하여 실제의 패턴노광시에는 그 어긋남을 없애는 보정이 행해진다.
이와 같은 보정을 행하기 위해서는, 패턴의 연결이나 중복에 있어서의 어긋남량을 평가하기 위한 평가위치 (평가점) 를 설정하고, 그 평가위치의 레티클상 또는 패턴의 투영면 상 (플레이트상) 에서의 좌표를 알 필요가 있다. 또한, 도 3b 의 연결부의 오차를 보정할 때에, 패턴 A 를 기준으로 한 경우에는 패턴 B 를 가진 레티클을 상방으로 위치보정하는 것에 대하여, 패턴 B 를 기준으로 한 경우에는 패턴 A 를 가진 레티클을 하방으로 위치보정하지 않으면 안된다. 이와 같이, 연결부에 있어서의 오차보정은 매우 복잡한 것이었다. 그러나, 종래의 장치는 이 평가위치좌표를 산출하는 기능은 갖고 있지 않고, 오퍼레이터가 플레이트상의 다수의 평가위치에 대하여 수작업으로 그 좌표의 판독을 행하였다. 이 수작업에 의한 좌표의 설정은 매우 많은 시간을 필요로 하는 번잡한 작업으로, 특히 플레이트가 큰 경우에는 100 점 정도의 평가점이 필요하게 되기 때문에, 그 작업은 기판작업 상의 큰 부하로 되었다.
이와 같은 문제는, LCD 용 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치 뿐만 아니라, 반도체소자, 촬상소자 (CCD 등) 및 박막자기헤드용 등의 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치에서도 발생할 수 있다.
또, 이와 같은 문제는 다른 투영노광장치에서도 발생할 수 있다. 투영노광장치에는, 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치 이외에도, 주사방식 투영노광장치, EB (Electron Beam) 투영노광장치 등이 있다.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 평가점의 지정 및 레티클상 또는 플레이트상에서의 좌표의 설정을 단시간에 정확하게 행하여, 패턴 노광작업의 효율을 향상시키는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은 액정이나 반도체의 기판 등에 소망의 패턴을 노광하는 투영노광장치에 관한 것이다.
도 1 은 종래의 노광장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 2 는 플레이트상의 패턴배치의 예를 나타낸 도면이다.
도 3a, 3b 및 3c 는, 패턴의 연결을 설명하기 위한 도면이다.
도 4 는, 본 발명에 의한 노광장치의 실시형태의 구성을 나타낸 도면이다.
도 5 는, 본 발명에 의한 노광장치의 제어장치와 표시장치와 지시장치의 구성을 나타낸 도면이다.
도 6 은 본 발명에 의한 평가점확정의 기본처리를 나타내는 플로우차트이다.
도 7 은 쇼트맵의 표시예와 평가점의 지정을 나타낸 도면이다.
도 8 은 플레이트상의 평가점의 좌표산출방법을 나타낸 도면이다.
도 9 는 평가점 확정결과의 표시예를 나타낸 도면이다.
도 10 에 있어서의 (a) 및 (b) 는, 패턴에 중복이 있는 경우의 평가점의 설정방법을 나타낸 도면이다.
도 11 은 본 발명에 의한 평가점 확정처리의 제 2 예를 나타낸 플로우 차트이다.
도 12 는 본 발명에 의한 패턴 경계 부근의 2 점을 지정하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 13 은 본 발명에 의한 평가점 확정처리의 제 3 예를 나타낸 플로우차트이다.
도 14 는 도립축소계 주사방식 투영노광장치의 투영광학계를 설명하는 도면이다.
도 15 는, 등배정립정상계 주사방식 투영노광장치의 투영광학계를 설명하는 도면이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 일 실시예를 나타내는 도 4 ∼ 도 6 및 도 11, 도 13 에 대응시켜 설명하면, 청구항 1 기재의 노광장치는, 레티클 (3) 상의 패턴을 기판 (6) 의 노광영역에 노광하는 노광장치로, 상기 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 표시수단 (22) 과, 이 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 지정수단 (23) 과, 상기 지정된 위치에 대응하는 레티클 (3) 의 위치에 관한 정보를 출력하는 출력수단 (21, 22) 을 구비하고 있다.
청구항 2 기재의 노광장치는, 레티클 (3) 을 복수 지지하는 레티클 교환기 (10) 와, 복수이 레티클 (3) 의 패턴의 일부를 중복하여 기판 (6) 에 노광하는 노광제어수단 (21) 을 구비하고 있다.
청구항 3 기재의 노광장치는, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분일 때에, 출력수단 (21, 22) 이 레티클 (3) 의 위치에 관한 정보를 복수 출력한다.
청구항 4 기재의 노광장치는, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분일 때에, 당해 중복하는 부분에 대응하는 복수의 레티클로부터 하나의 레티클의 위치에 관한 정보를 선택하는 선택수단 (23) 을 구비하고 있다.
청구항 5 기재의 노광장치는, 레티클 (3) 의 위치에 관한 정보가, 레티클 (3) 의 중심으로부터의 위치와, 패턴의 중심으로부터의 위치 중 적어도 일방이다.
청구항 6 기재의 노광장치는, 레티클 (3) 상의 패턴을 기판 (6) 의 복수의 노광영역에 노광하는 노광장치로, 상기 복수의 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 표시수단 (22) 과, 상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 지정수단 (23) 과, 상기 노광의 오차에 관한 정보를 상기 복수의 노광영역에 대응시켜 기록하는 기록수단 (25) 과, 기록수단 (25) 이 기록되어 있는 상기 정보에 근거하여, 상기 지정된 위치의 상기 노광의 오차에 관한 정보를 출력하는 출력수단 (21, 22) 을 구비하고 있다.
청구항 7 기재의 노광장치는, 스텝 앤드 리피트 방식 또는 주사방식이다.
청구항 8 기재의 노광방법은, 레티클 (3) 상의 패턴을 기판 (6) 의 노광영역에 노광하는 노광방법으로, 상기 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 스텝 (S1, S11, S21) 과, 상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 스텝 (S2, S12, S22) 과, 상기 지정된 위치에 대응하는 레티클 (3) 의 위치에 관한 정보를 출력하는 스텝 (S6, S18, S29) 을 포함하고 있다.
청구항 9 기재의 노광방법은, 복수의 레티클 (3) 의 패턴의 일부를 중복하여 기판 (6) 에 노광하는 스텝을 포함하고 있다.
청구항 10 기재의 노광방법은, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분인 때에, 레티클 (3) 의 위치에 관한 정보를 복수 출력하는 스텝을 포함하고 있다.
청구항 11 기재의 노광방법은, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분인 때에, 당해 중복하는 부분에 대응하는 복수의 레티클로부터 하나의 레티클의 위치에 관한 정보를 선택하는 스텝 (S16, S26) 을 포함하고 있다.
청구항 12 기재의 노광방법은, 레티클 (3) 의 위치에 관한 정보가, 레티클 (3) 의 중심으로부터의 위치와, 패턴의 중심으로부터의 위치와의 적어도 일방이다.
청구항 13 기재의 노광방법은, 레티클 (3) 상의 패턴을 기판 (6) 의 복수의 노광영역에 노광하는 노광방법으로, 상기 복수의 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 스텝 (S1, S11, S21) 과, 상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 스텝 (S2, S12, S22) 과, 상기 노광의 오차에 관한 정보를 상기 복수의 노광영역에 대응시켜 기록하는 스텝과, 상기 기록한 정보에 근거하여, 상기 지정된 위치의 상기 노광의 오차에 관한 정보를 출력하는 스텝을 포함하고 있다.
또, 본 발명에 의한 기록매체는, 레티클상의 패턴을 기판의 노광영역에 노광하는 노광방법을 실현하는 컴퓨터 프로그램을 기록한, 컴퓨터에 의해 입력가능한 기록매체로, 상술의 청구항 8 ∼ 13 기재의 방법의 각 스텝을 실행하는 컴퓨터 프로그램을 격납하는 것이다. 컴퓨터를 사용하여 이 프로그램을 실행함으로써, 상기의 작업을 신속하게 처리하는 것이 가능해진다. 이 기록매체는, ROM, RAM, 하드디스크 등의 내부 기록매체로서, 또, CDROM, 플로피디스크, MD 등의 외부기록매체로서 실현된다.
이하, 도면을 사용하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다.
도 4 는, 본 발명의 노광장치의 구성을 나타내고 있다. 이 도면에서, 도 1 에 나타낸 장치의 구성요소와 동일한 요소에는 동일한 참조번호를 달아, 그 설명을 생략한다.
본 실시형태의 노광장치 (20) 는, 액정디스플레이용 투영노광장치 (LCD 스텝퍼) 를 예로서 사용하고 있다. 이 노광장치 (20) 는 도 1 에 나타낸 종래의 노광장치 (1) 의 구성과 더하여, 추가로 제어장치 (21) 와 표시장치 (22) 와 지시장치 (23) 를 구비하고 있다. 이 제어장치 (21) 와 표시장치 (22) 와 지시장치 (23) 의 구체적 구성을 도 5 에 나타낸다. 도면에 나타낸 바와 같이, 제어장치 (21) 는, CPU 등에 의한 데이터 처리부 (24) 와, 각종 데이터를 격납하는 메모리 (25) 와, 기록매체용의 드라이버 (26) 를 구비하고 있다. 처리부 (24) 는 이하에 서술한 바와 같은 처리를 실행하고, 메모리 (25) 는 처리를 실행하기 위한 프로그램이나 처리의 실행에 필요하게 되는 데이터를 저장한다. 또, 드라이버 (26) 는 외부기록매체에 격납된 프로그램이나 데이터를 처리부 (24) 나 메모리 (25) 에 도입하기 위한 것으로, 키보드나 마우스 등으로 이루어지는 지시장치 (23) 는 오퍼레이터가 처리의 실행에 필요한 입력을 행하기 위해 사용된다.
제어장치 (21) 는, 레티클교환기구 (10) 에 의한 레티클교환의 제어, 레티클 얼라인먼트계 (8) 에 의한 레티클 얼라인먼트의 제어, 레이저 간섭계 (7) 에 의한 플레이트 위치의 제어 및 플레이트 얼라인먼트계 (9) 에 의한 플레이트 얼라인먼트의 제어를 행하여, 복수의 레티클을 미소량 중첩하여 소망의 LCD 패턴을 노광하는 화면합성 노광전체를 제어한다. 이 화면합성에 대해서는, 1995년 2월 21일에 본원출원인에 의해 미국특허청에 출원된 출원번호 08/391588 에 기재되어 있고, 출원번호 08/391588 의 기재는 본원명세서의 기재의 일부로 포함된다. 제어장치 (21) 의 메모리 (25) 에는, 각 패턴의 플레이트 (6) 상에 있어서의 노광영역의 위치를 나타내는 쇼트맵 데이터가 기록되어 있다. 또, 메모리 (25) 에는, 레티클 (3) 의 위치나 로테이션이나, 투영광학계 (4) 에 의한 투사배율이나, 플레이트 스케일링 등에 대한 오차정보나 보정값이 기록되어 있다. 이 오차정보나 보정값은, 통상적으로 노광장치 (20) 에 의해 대량의 플레이트를 노광하기 전에, 1 장 또는 여러장의 플레이트를 노광함으로써 얻는다. 이와 같은 양산(量産)의 전에 행하는 최초의 1 장 또는 여러장의 플레이트의 노광을 테스트노광이라고 한다. LCD 작성에 있어서, 정밀도가 요구되는 층에 대하여 테트스노광을 행하고, 각 쇼트간의 연결 어긋남량이나 각 쇼트의 하위층에 대하는 중복 어긋남량을 계측하여 오차정보를 얻는다. 어긋남량이 LCD 설계상의 어긋남의 허용량내이면 충분하지만, 정밀도가 요구되는 층에서는 생산성을 좋게 하기 위해, 가능한한 목표값에 가까워지도록 쇼트의 위치를 조정하는 것이 바람직하다. 따라서, 쇼트의 위치를 조정하기 의해, 계측점에 대하여 기록된 오차정보로부터 보정값이 산출된다. 노광장치 (20) 에 의한 액정기판 양산시에는, 지정된 패턴 상의 평가점에 따라 메모리 (25) 로부터 보정값이 입력된다. 레티클 (3) 의 회전오차는, 도시하지 않은 레티클 스테이지에 의해 레티클 (3) 을 회전시켜 보정된다. 또, 레티클 (3) 및 투영광학계 (4) 의 배율오차는, 투영광학계 (4) 를 구성하는 렌즈를 투영광학계 (4) 의 광축방향으로 이동시키거나, 렌즈실의 압력을 조절함으로써 행해진다.
다음으로, 본 실시형태의 노광장치에 의한 평가점 확정처리에 대하여 설명한다. 통상, 평가점은 하나의 LCD 를 구성하는 각 쇼트의 연결변 상에 위치한다. 연결변 1 변에 대하여 여러점을 평가점으로 하는 것이 보통이다. 그러나, LCD 를 구성하는 쇼트수가 많거나, 플레이트상에 LCD 가 복수 있는 경우에는 평가점수가 늘어나기 때문에, 평가시간, 주로 계측시간을 필요로 하게 된다. 이 때문에, 노광하는 층에 필요한 정밀도나 생산경험을 고려하여, 평가하는 플레이트상의 LCD 의 수를 줄이거나, 또는 플레이트상의 하나의 LD 만에 대하여 상세하게 평가하여, 플레이트상의 다른 LCD 의 평가점은 가능한한 적게 하여, 평가시간의 단축을 꾀하는 경우도 있을 수 있다. 이하, 어느 1 점에 주목하여, 평가점 확정시에 행해지는 처리에 대하여 설명한다.
도 6 은, 본 실시형태의 노광장치 (20) 에 의한 평가점 확정의 기본처리를 나타낸 플로우차트이다. 처리가 개시되면, 먼저 표시장치 (22) 에 쇼트맵이 표시되어 (스텝 S1), 오퍼레이터는 마우스 등의 지시장치 (23) 를 사용하여 쇼트맵상의 1 점을 평가점으로 지정한다 (스텝 S2). 도 7 은, 표시장치 (22) 에 표시된 쇼트맵과, 그 위에서 오퍼레이터가 지정한 평가점 (P) 의 예를 나타내고 있다. 이와 같이 평가점 (P) 이 지정되면, 제어장치 (21) 의 처리부 (24) 는 그 평가점 (P) 의 쇼트맵 상의 좌표 P (x, y) 를 산출한다 (스텝 S3).
패턴이 선택되면, 처리부 (24) 는 평가점 (P) 에 대응하는 플레이트 (6) 상의 점 (Pb) 의 위치를 이하와 같이 산출한다 (스텝 S4). 이 플레이트 (6) 상의 점 (Pp) 의 위치의 산출에 있어서, 처리부 (24) 는 도 8 에 나타낸 바와 같이, 플레이트 (6) 상에 있어서의, 패턴 (A) 의 중심의 플레이트 (6) 중심에 대하는 좌표와, 평가점 (P) 에 대응하는 플레이트 (6) 상의 점 (Pb) 의 패턴 (A) 중심에 대한 좌표를 구하고, 이 좌표를 벡터적으로 가산함으로써 플레이트 중심으로부터의 플레이트 (6) 상의 Pb 의 좌표를 구한다. 처리부 (24) 는, 패턴 (A) 을 가진 레티클의 플레이트 (6) 상의 Pb 좌표에 대응하는 PR 좌표를 산출한다 (스텝 S5). 이들의 처리에 의해, 오퍼레이터에 지정된 평가점에 대응하는, 레티클상의 측정점 (점 PR) 의 위치를 산출한다. 처리부 (24) 는, 이와 같이 하여 산출된 레티클상의 점 (PR) 의 위치를 표시장치 (22) 에 표시시킨다 (스텝 S6).
또한, 평가점의 지정은 1 점에 한정되지 않고, 2 점 이상 지정하는 것도 가능하다. 평가점을 2 점 이상 지정하는 경우에는, 스텝 S2 에서 함께 지정한다. 그리고, 스텝 S6 에서 지정된 2 점 이상의 평가점의 위치를 함께 표시한다. 또는 상술의 일련의 평가점 확정처리를, 지정하고 싶은 평가점의 수만큼 반복하여도 된다.
도 9 는, 표시장치 (22) 에 의한 평가점 (P) 에 대응하는 레티클상의 점 (PR) 의 표시예를 나타내고 있다. 도면에 나타낸 바와 같이, 표시장치 (22) 에는 평가점의 확정결과로서 쇼트 맵과 평가점 (P) 의 좌표 및 평가점 (P) 에 대응하는 레티클 (3) 상의 점 (PR) 의 좌표가 표시된다. 또한, 이 표시는 일례로서의 표시방법으로, 점 PR 에 대해서는 간단히 그 좌표값만을 표시하여도 된다. 또, 상기의 처리에 이어서, 처리부 (24) 는 메모리 (25) 로부터 레티클 (3) 상의 점 PR 에 대응하는 보정값을 입력할 수 있어, 입력된 보정값을 표시장치 (22) 에 출력할 수도 있다.
이와 같이, 본 실시형태의 노광장치에 의하면, 오퍼레이터가 표시된 쇼트맵 상에서 평가점 (P) 을 지정하는 것만으로, 레티클 (3) 상의 대응하는 점 PR 의 좌표 데이터를 자동적으로 얻을 수 있다. 따라서, 얻어진 좌표에 대응하는 보정값을 재빠르게 찾아내어, 기판으로의 정확한 패턴노광을 단시간에 종료시키는 것이 가능해진다.
다음으로, 본 실시형태의 노광장치 (20) 에 의한 제 2 평가점 확정처리에 대하여 설명한다.
액정기판의 작성시에 화면합성을 할 때에는, 각 패턴은 각각의 이음매 부근에서 적은 양만 중첩시켜 노광된다. 도 10 에서의 (a) 및 (b) 는, 각각 화면합성을 행하는 경우의 쇼트맵 상에서의 평가점 (P) 의 지정과, 평가점 (P) 에 대응하는 레티클 (3) 상의 점 (PRA, PRB) 의 위치를 나타내고 있다. 이 도 10 의 (a) 에 나타낸 바와 같이 (여기에서는 패턴 A 와 B 만을 들어 설명한다), 이 경우 패턴 A 와 패턴 B 의 연결의 부분에는 패턴이 중복된 부분이 있으므로, 이 중복된 부분에서 평가점을 지정한 경우, 평가점에 대응하는 점은 패턴 A 와 패턴 B 중에 각각 PRA, PRB 로서 나타난다 (도 10 의 (b) 참조). 이 동작예에서는, 지정된 평가점 (P) 을 포함하는 패턴 A 와 B 중의 일방을 오퍼레이터가 선택하고, 선택된 패턴 상에서의 레티클 (3) 에 대응하는 점의 좌표가 구해진다. 이것은 일방의 패턴을 기준으로서 다른 패턴을 가진 레티클의 위치를 조정하기 위해서이다.
도 11 은, 이 제 2 평가점 확정처리도 고려한 플로우차트이다. 도면에 나타낸 바와 같이, 처리가 개시되면 먼저 표시장치 (22) 에 쇼트맵이 표시되고 (스텝 S11), 오퍼레이터는 마우스 등의 지시장치 (23) 를 사용하여 쇼트맵 상의 1 점을 평가점으로 지정한다 (스텝 S12). 다음에, 제어장치 (21) 의 처리부 (24) 는 그 평가점 (P) 의 쇼트맵 상의 좌표 P (x, y) 를 산출하여 (스텝 S13), 그 평가점 (P) 이 포함되는 패턴을 리스트업한다 (스텝 S14). 이어서, 처리부 (24) 는, 리스트업된 레티클 (3) 의 패턴의 수를 판정하고 (스텝 S15), 패턴의 수가 0 인 경우 (패턴 S15:0) 은, 지정한 평가점이 패턴 상에 없는 것을 의미하므로, 다시한번 평가점의 지정을 행한다 (스텝 S12). 이 경우, 오퍼레이터에 대하여 평가점이 패턴 상에 없는 것을, 표시장치 (22) 에 표시함으로써, 또는 도시하지 않은 장치를 통하여 경고음 등을 발함으로써 알린다. 오퍼레이터는 그 표시 등에 의해, 다시 한번 평가점의 지정을 행할 필요가 있는 것을 알 수 있다. 판정된 패턴의 수가 1 인 경우 (스텝 S15 : 1), 패턴의 선택을 행할 필요는 없으므로, 레티클 (3) 상에서의 대칭점의 좌표를 구하는 처리로 진행된다 (스텝 S17). 패턴의 수가 복수인 경우 (스텝 S15:복수), 오퍼레이터는 리스트업된 복수의 패턴 중에서 하나의 패턴을 선택한다 (스텝 S16). 도 10(a) 및 10(b) 에 나타낸 예에서 생각하면, 평가점 (P) 을 포함하는 2 개의 패턴 A 와 B 가 리스트업되어, 그 중의 일방의 패턴이 오퍼레이터에 의해 선택된다.
패턴이 선택되면, 처리부 (24) 는 투영면상 (플레이트 (6) 상) 에 있어서의 평가점 (P) 에 대응하는 점 Pb (PpA 또는 PpB) 의 위치를 산출하고, 이 산출한 위치에 근거하여 레티클 (3) 에 대응하는 위치를 구한다 (스텝 S17). 레티클 (3) 에 대응하는 위치 (PRA, PRB) 는 표시장치 (22) 에 표시된다 (스텝 S18). 이 점 (Pb) 의 위치의 산출방법과 표시방법은, 도 6 에서 설명한 것과 동일하므로 설명을 생략한다. 또한, 이 처리에 있어서, 스텝 S15 에서 복수의 패턴으로 판정된 경우, 그 복수의 패턴 전부에 대하여 대응점 (Pb) 의 위치를 산출하여 그 전부의 위치좌표를 표시하거나, 2 개의 대응점간의 상대적 위치의 차이를 산출하여 표시할 수도 있다. 또, 복수의 패턴 중에서 주패턴과 부패턴을 오퍼레이터가 지정하고, 그 구별을 하여 대응점 (PR) 의 좌표를 표시하여도 된다. 또한 이 경우, 주패턴에서의 대응점 (PRA) 에서 본 부패턴 상의 대응점 (PRB) 의 어긋남량을 산출하여 표시할 수도 있다.
실제의 액정기판의 작성에 있어서는, 플레이트 (6) 상에 제 1 층째의 레티클의 패턴을 노광하고 (제 1 레이어), 그 위에 다시 복수의 패턴을 노광형성해 가는 것이 행해진다. 이와 같은 액정기판의 평가에 있어서는, 통상 제 1 레이어에 있어서는 패턴의 연결정밀도 (인접패턴간의 어긋남량) 가 문제로 되어, 그 위의 제 2 레이어 이후에 있어서는 중첩 정밀도 (제 1 레이어의 패턴과 그 위에 중복되는 제 2 레이어의 패턴과의 어긋남량) 와, 중첩차이 정밀도 (제 2 레이어의 인접패턴 간의 상대적 어긋남량) 가 문제로 된다. 이들의 평가는 패턴의 경계가 또는 그 근방에서 행해지지만, 연결정밀도의 문제는 상기의
처리방법에 따라 2 개의 대응하는 점 PpA (x, y) 및 PpB (x, y) 의 좌표를 구하여, 이들의 상대적인 위치의 차이를 구함으로써 그 보정이 가능해진다.
중첩 정밀도나 중첩차이 정밀도를 측정하는 경우, 또 패턴에 중복부분이 없는 경우의 연결의 정밀도를 측정하는 경우에는, 인접하는 패턴의 경계 (연결부) 를 끼운 2 점에서 평가를 행할 필요가 있다. 본 실시형태의 노광장치는 이와 같은 패턴경계 부근의 2 점을 용이하게 지정할 수 있는 기능을 구비하고 있다.
도 12 는, 본 실시형태의 노광장치에 의한, 패턴경계부근의 2 점을 지정하는 기능을 설명하기 위한 도면이다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 패턴 A 와 패턴 B 의 경계에 있어서 어느 점 P 가 지정되면, 점 P 로부터 패턴 A 측으로 거리 a 만큼 떨어진 점 PA 과 패턴 B 측으로 거리 b 만큼 떨어진 점 PB 가 특정되어, 이들의 점에 대응하는 플레이트상의 점의 위치 (PpA (x, y) 및 PpB (x, y)) 가 구해진다. 또 동일하게, 패턴 A 와 D 와의 경계에 있어서 점 Q 가 지정되면, 점 Q 로부터 패턴 A 측으로 거리 c 만큼 떨어진 점 (A) 과 패턴 D 측으로 거리 d 만큼 떨어진 점 QD 가 특정되어, 이들에 대응하는 점의 위치 (QpA (x, y) 및 QpD (x, y)) 가 산출된다.
이 때, 오퍼레이터가 지정하는 점 P 나 Q 를 정확히 경계상으로 가져오는 것은 드물고, 또 곤란하다. 이와 같은 경우, 본 실시형태에 의하면, 오퍼레이터가 지시한 점의 근방에서의 경계상의 점이 점 P 나 Q 로서 확정된다. 또 경계로부터의 거리 a, b, c, d 는 오퍼레이터가 지정할 수 있으나, 특히 항상 a＝b 가 되는 지정, 또는 이 지정을 소정의 값으로 고정해 둠으로써 오퍼레이터가 지정하지 않으면 안되는 값을 줄일 수 있다. 또한, 경계는 반드시 선은 아니다. 도 10(a) 및 10(b) 와 같이 중복하여 노광하는 쇼트맵을 작성하는 경우도 있다. 이와 같은 경우에는, 가상적인 환경선을 생성하도록 해 두면, 경계산과 동일하게 생각할 수 있다. 가상적인 경계선은, 중복량을 적당히 내분하는 파라미터를 형성해 두면, 자유롭게 변경할 수 있다.
다음으로, 본 실시형태의 노광장치 (20) 에 의해 이 경계근방점의 지정을 행하는 경우의 처리 (제 3 평가점 지정처리) 에 대하여 설명한다.
도 13 은, 이 제 3 평가점 확정처리의 흐름을 나타내는 플로우차트이다. 이 도면에 나타낸 바와 같이, 처리가 개시되면 먼저 표시장치 (22) 에 쇼트맵이 표시되어 (스텝 21), 오퍼레이터는 마우스 등의 지시장치 (23) 를 사용하여 쇼트맵 상의 1 점을 평가점으로서 지정한다 (스텝 S22). 다음에 처리부 (24) 는, 이 처리가 연결부 부근의 2 점을 평가하는 모드에 설정되어 있는 지의 여부를 판단하고 (스텝 S23), 이 모드가 설정되어 있지 않은 경우 (스텝 S23:No) 에는 이 때 지정되어 있는 다른 모드의 처리를 행하고, 이 모드가 설정되어 있는 경우 (스텝 S23 : Yes) 에는 다음의 스텝 S24 로 진행한다.
스텝 S24 에서는, 오퍼레이터가 지시한 점이 패턴의 연결의 위치 (경계상) 에 없었던 경우, 지시한 점을 포함하는 패턴의 가장 가까운 변에 그 점의 위치를 수정하고, 다시 경계선 상에 위치를 수정한다. 경계선이 없는 경우, 즉, 패턴의 단에 불과한 경우에는, 평가점의 지정을 다시 하게 된다.
그 후, 처리부 (24) 는 경계상의 점이 몇개의 패턴에 대응하고 있는 지 (연결패턴의 수) 를 판정한다 (스텝 S25). 여기에서, 경계상의 점이 도 12 의 점 P 나 Q 와 같이 2 개의 패턴의 경계상에 있는 경우에는 연결패턴의 수는 2 로 판정되어 (스텝 S25:2) 처리는 스텝 S27 으로 나아가고, 점 L 과 같이 주위의 경계상에 있는 경우나 패턴이 없는 부분의 점이었던 경우에는, 연결패턴의 수는 1 이하로 판정되어 (스텝 S25:1 이하), 처리는 스텝 S22로 복귀되어 평가점의 지정을 다시 한다. 이 경우, 오퍼레이터에 대하여 연결 패턴의 수가 1 이하인 것을, 표시장치 (22) 에 표시하거나, 또는 도시하지 않은 장치를 통하여 경고음 등을 발함으로써 알린다. 오퍼레이터는 그 표시 등에 의해, 다시 한번 평가점의 지정을 행할 필요가 있는 것을 알수 있다. 또, 그 점이 M 이나 N 과 같은 위치에 있는 경우, 연결 패턴의 수는 각각 3 이나 4로 판정되어 (스텝 S25:3 이상) 처리는 스텝 S26 으로 진행되고, 거기에서 오퍼레이터에 의해 그 중의 2 개의 패턴이 선택된다.
스텝 S27 에서는 선택된 2 개의 패턴에 대하여, 오퍼레이터에 의한 주패턴과 부패턴의 지정이 이루어진다. 다음에 처리부 (24) 는, 레티클에서의 상기 2 점 (PA 와 PB 또는 QA 와 QD) 에 대응하는 점 (RPA 와 RPB 또는 QRA 와 QRB) 의 위치를 산출하여 (스텝 S28), 주패턴상의 점에서 본 부패턴상의 점의 위치 (상대위치) 를 산출하여 표시장치 (22) 에 출력한다 (스텝 S29). 이 때, 산출한 2 점의 위치좌표를 표시하여도 되고, 또 선택한 패턴을 함께 표시하여도 된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명했는데, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 기술적사상의 범위내에서 그 외의 여러가지 변경이 가능하다.
예를 들면, 상기 각 실시형태에서는, LCD 용 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명의 적용범위는 이것에 한정되지 않는다. 본 발명은, LCD 용 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치 뿐만 아니라, 반도체소자, 촬상소자 (CCD ), 원판용 레티클 및 박막자기헤드용 등의 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치에도 적용가능하다. 특히, 반도체소자용의 스텝 앤드 리피트 방식의 투영노광장치는, USP4,748,478 에 개시되어 있고, 그 개시는 본원 명세서의 개시의 일부로서 포함된다.
또, 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치 이외에, 주사방식 투영노광장치 등의 노광장치에도 적용가능하다. 스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치에서는, XY 스테이지가 소정의 거리만큼 이동하여, 패턴이 노광영역에 노광된다. 한편, 주사방식 투영노광장치에서는, 레티클과 XY 스테이지가 동기하여 이동하여, 패턴이 노광영역에 노광된다. 주사방식 투영노광장치에는, 도립축소계와 등배정립정상계가 있다. 도립축소계 주사방식 투영노광장치는, 반도체소자용에 많이 사용되고 있다. 등배정립정상계 주사방식 투영노광장치는, LCD 용에 많이 사용되고 있다. LCD 용 주사방식 노광장치는 USP5, 579,147 에 개시되어 있고, 반도체소자용의 주사방식 노광장치는 USP5,473,410 에 개시되어 있다. 각각의 개시는 본원 명세서의 개시의 일부로서 본원 명세서에 포함된다.
도 14 는, 도립축소계 주사방식 투영노광장치의 투영광학계에 주목한 도면이다. 도 14 에 나타나는 바와 같이, 레티클 (3) 의 주사방향 (Y 축 방향) 에 대하여 수직인 방향으로 길이방향을 갖는 장방형 (슬릿상) 의 조명영역 (IAR) 에서 레티클 (3) 이 조명되고, 레티클 (3) 은 노광시에 Y 축의 한방향으로 속도 (VR) 로 주사된다. 조명영역 (IAR ; 중심은 광축 (AX) 과 실질적으로 일치함) 은 투영광학계 (4) 를 통하여 플레이트 (6) 상에 투영되고, 조명영역 (IAR) 에 공액인 슬릿상의 투영영역인 노광영역 (1A) 이 형성된다. 플레이트 (6) 는 레티클과 도립결상관계에 있기 때문에, 플레이트 (6) 는 속도 (VR) 의 방향과는 역방향 (Y 축의 ＋방향) 으로 레티클 (34) 에 동기하여 속도 (VP) 로 주사되어, 플레이트 (6) 상의 쇼트영역 (SA) 이 노광가능하게 된다. 주사속도의 비 VP/VR 은 실질적으로 투영광학계의 축소배율에 따르고 있다. 레티클 (3) 의 패턴영역 (PA) 의 패턴이 플레이트 (6) 상의 쇼트영역 (SA) 상에 정확하게 축소전사된다. 조명영역 (IAR) 의 길이방향의 폭은, 레티클 (3) 상의 패턴영역 (PA) 보다도 넓고, 차단영역 (ST) 의 최대폭보다도 좁아지도록 설정되어, 레티클 (3) 을 주사함으로써 패턴영역 (PA) 전면이 조명되도록 되어 있다.
도 15 는, 등배정립정상계 주사방식 투영노광장치의 투영광학계에 주목한 도면이다. 도 15 에 나타나는 바와 같이, 레티클 (3) 의 주사방향 (Y 축방향) 에 대하여 수직인 방향으로 길이방향을 갖는 장방형 (슬릿형상) 의 조명영역 (IAR) 에서 레티클 (3) 이 조명되고, 레티클 (3) 은 노광시에 Y 축의 한방향으로 속도 (VR) 로 주사된다. 상술의 도립축소계 주사방식 투영노광장치와 다른 점은, 플레이트 (6) 는 레티클 (3) 과 등배정립정상관계에 있기 때문에, 플레이트 (6) 는 속도 (VR) 의 방향과 동일한 방향 (Y 축의 한방향) 으로 레티클 (3) 에 동기하여 속도 (VP) 로 주사되는 것이다. 이 때문에, 주사속도 VP 와 VR 은 실질적으로 같다. 레티클 (3) 의 패턴영역 (PA) 의 패턴이 플레이트 (6) 상의 쇼트영역 (SA) 상에 정확하게 등배전사된다.
본 발명의 제어장치의 메모리에, 노광장치의 방식에 따른 레티클이나 투영광학계 등에 관한 정보를 기록함으로서, 상술의 주사방식 투영노광장치에 본 발명을 적용할 수 있다.
스텝 앤드 리피트 방식 투영노광장치와 동일하게, LCD, 반도체소자, 촬상소자 (CCD 등), 원판용 레티클 및 박막자기헤드용 등에 주사방식 투영노광장치를 적용할 수도 있다.
또, 예를 들면, 상기 실시형태에 있어서, 고온고압 수은노광장치에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명의 적용범위는 이것에 한정되지 않는다. ArF 노광장치, EB 노광장치에도 적용가능하다. EB 노광장치에 대해서는, USP5,260,151 에 개시되어 있고, 그 개시는 본원명세서의 개시의 일부로서 본원 명세서에 포함된다. 또한, F2 레이저광 (파장 157 ㎚) 등의 진공자외역광을 노광용 조명광으로 사용하는 VUV 노광장치나, 파장 5 내지 15 ㎚ 의 광을 노광용 조명광으로 하는 EUV 노광장치, X 선 노광장치나 이온빔 노광장치 등의 하전입자선을 사용하는 노광장치 등에도 본 발명은 적용가능하다. 또, 본 발명은, 챔버내가 공기분위기이어도 되고, KrF 엑시머레이저광이나 g 선이나 i 선을 노광용 조명광으로서 사용하는 DUV 노광장치에도 적합하다.
또한, 복수의 렌즈로 구성되는 조명광학계나 투영광학계 (또는 전자광학계) 를 노광장치 본체에 형성하여 광학조정함과 동시에, 레티클 스테이지 (레티클 교환기구), XY 스테이지 및 본 발명에 관련되는 제어장치, 표시장치 및 지시장치를 노광장치 본체에 장착하여 배선이나 배관을 접속하고, 다시 종합조정 (전기조정, 동작확인 등) 을 함으로써 상기 각 실시형태의 노광장치를 제조할 수 있다. 또한, 노광장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린룸에서 행하는 것이 바람직하다.
또, LCD 디바이스나 반도체 디바이스 등은, 디바이스의 기능·성능설계를 행하는 스텝, 이 설계 스텝에 근거한 레티클을 제작하는 스텝, 글래스기판이나 웨이퍼 등을 제작하는 스텝, 상술한 각 실시형태의 노광장치에 의해 소정패턴을 글래스기판이나 웨이퍼 등에 전사하는 스텝, 디바이스 조립 스텝 (다이싱공정, 본딩공정, 패키지공정을 포함한다), 검사 스텝 등을 거쳐 제조된다.
본 발명에 의하면, 그래피컬한 쇼트맴 표시화면 상에 있어서, 오퍼레이터가 임의의 평가점을 지정할 수 있고, 또한 그 평가점의 레티클상에 있어서의 위치도 정확하게 자동적으로 구해지므로, 그 점에 있어서의 보정값을 용이하게 알 수 있어, LCD 기판 등의 정밀한 제조를 단시간에 행하는 것이 가능해진다. 또, 평가점의 지정이나 좌표의 판독을 수작업이 아니라 표시화면상에서 행할 수 있어, 그 변경이나 정정도 용이하기 때문에 오퍼레이터의 작업효율도 매우 향상된다.
또한, 복수의 평가점을 한번에 지정할 수 있어, 대응하는 패턴도 자동적으로 알 수 있으므로, 작업효율을 매우 향상시킬 수 있다.

Claims (15)

  1. 레티클상의 패턴을 기판의 노광영역에 노광하는 노광장치로서,
    상기 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 표시수단과,
    상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 지정수단과,
    상기 지정된 점에 대응하는 상기 레티클의 위치에 관한 정보를 출력하는 출력수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 레티클을 복수 유지하는 레티클 교환기와,
    상기 복수의 레티클의 패턴 중 일부를 중복하여 상기 기판에 노광하는 노광제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 출력수단은, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분일 때에, 상기 레티클의 위치에 관한 정보를 복수 출력하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분일 때에, 이 중복되는 부분에 대응하는 상기 복수의 레티클로부터 하나의 레티클의 위치에 관한 정보를 선택하는 선택수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 레티클의 위치에 관한 정보는, 상기 레티클의 중심으로부터의 위치와, 상기 패턴의 중심으로부터의 위치 중 적어도 일방인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 레티클상의 패턴을 기판의 복수의 노광영역에 노광하는 노광장치로서,
    상기 복수의 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 표시수단과,
    상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 지정수단과,
    상기 노광의 오차에 관한 정보를 상기 복수의 노광영역에 대응시켜 기록하는 기록수단과,
    상기 기록수단이 기록되어 있는 상기 정보에 근거하여, 상기 지정된 위치의 상기 노광의 오차에 관한 정보를 출력하는 출력수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 노광장치는, 스텝 앤드 리피트 방식 또는 주사방식인 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 레티클 상의 패턴을 기판의 노광영역에 노광하는 노광방법으로서,
    상기 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 스텝과,
    상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 스텝과,
    상기 지정된 위치에 대응하는 레티클의 위치에 관한 정보를 출력하는 스텝 을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 복수의 레티클의 패턴의 일부를 중복하여 상기 기판에 노광하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분일 때에, 상기 레티클의 위치에 관한 정보를 복수 출력하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 지정된 위치가 상기 중복된 부분일 때에, 이 중복되는 부분에 대응하는 상기 복수의 레티클로부터 하나의 레티클의 위치에 관련되는 정보를 선택하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 레티클의 위치에 관한 정보는, 상기 레티클의 중심으로부터의 위치와, 상기 패턴의 중심으로부터의 위치 중 적어도 일방인 것을 특징으로 하는 노광방법.
  13. 레티클 상의 패턴을 기판의 복수의 노광영역에 노광하는 노광방법으로서,
    상기 복수의 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 스텝과,
    상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 스텝과,
    상기 노광의 오차에 관한 정보를 상기 복수의 노광영역에 대응시켜 기록하는 스텝과,
    상기 기록된 정보에 근거하여, 상기 지정된 위치의 상기 노광의 오차에 관한 정보를 출력하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  14. 레티클 상의 패턴을 기판의 노광영역에 노광하는 노광방법을 실현하는 컴퓨터 프로그램을 기록한, 컴퓨터에 의해 판독가능한 기록매체로서,
    상기 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 프로그램을 격납하는 영역과,
    상기 쇼트맵 상에서 지정된 점에 대응하는 상기 레티클의 위치에 관한 정보를 출력하는 프로그램을 격납하는 영역을 구비한 것을 특징으로 하는 기록매체.
  15. 레티클 상의 패턴을 기판의 복수의 노광영역에 노광하는 노광방법을 실현하는 컴퓨터 프로그램을 기록한, 컴퓨터에 의해 판독가능한 기록매체로서,
    상기 복수의 노광영역을 나타내는 쇼트맵을 표시하는 프로그램을 격납하는 영역과,
    상기 쇼트맵 상의 임의의 위치를 지정하는 프로그램을 격납하는 영역과,
    상기 노광의 오차에 관한 정보를 상기 복수의 노광영역에 대응시켜 기록하는 프로그램을 격납하는 영역과,
    상기 기록된 정보에 근거하여, 상기 지정된 점의 상기 노광의 오차에 관한 정보를 출력하는 프로그램을 격납하는 영역을 구비한 것을 특징으로 하는 기록매체.
KR1020007005836A 1998-02-06 1999-02-04 노광장치와 노광방법 및 기록매체 KR20010015839A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2526098 1998-02-06
JP98-25260 1998-02-06
PCT/JP1999/000479 WO1999040486A1 (fr) 1998-02-06 1999-02-04 Appareil et procede d'exposition, et support d'enregistrement

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20010015839A true KR20010015839A (ko) 2001-02-26

Family

ID=12161063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007005836A KR20010015839A (ko) 1998-02-06 1999-02-04 노광장치와 노광방법 및 기록매체

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6512572B1 (ko)
KR (1) KR20010015839A (ko)
AU (1) AU2299199A (ko)
TW (1) TW432469B (ko)
WO (1) WO1999040486A1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466311B1 (ko) * 2002-07-05 2005-01-13 삼성전자주식회사 반도체 공정의 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법
KR100895937B1 (ko) * 2007-12-27 2009-05-07 주식회사 동부하이텍 패턴의 광학 근접 보상 방법
KR20200075742A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 캐논 가부시끼가이샤 결정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4294311B2 (ja) * 2002-12-27 2009-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法および表示装置の加工基板
KR100575230B1 (ko) * 2002-12-28 2006-05-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 노광 장치를 이용한 노광 방법
JP5294489B2 (ja) * 2009-12-14 2013-09-18 株式会社ブイ・テクノロジー 露光方法及び露光装置
JP2014053510A (ja) * 2012-09-07 2014-03-20 Toshiba Corp 端面加工方法及び端面加工装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5525808A (en) * 1992-01-23 1996-06-11 Nikon Corporaton Alignment method and alignment apparatus with a statistic calculation using a plurality of weighted coordinate positions
JP3427132B2 (ja) * 1994-02-22 2003-07-14 株式会社ニコン 露光装置
JP3498420B2 (ja) * 1995-03-29 2004-02-16 セイコーエプソン株式会社 露光方法及び露光装置
JPH09199400A (ja) * 1996-01-12 1997-07-31 Canon Inc 半導体製造装置および該装置を用いた半導体製造方法
JP3459742B2 (ja) * 1996-01-17 2003-10-27 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5859690A (en) * 1996-03-28 1999-01-12 Nikon Corporation Method of dividing and exposing patterns
KR100471461B1 (ko) * 1996-05-16 2005-07-07 가부시키가이샤 니콘 노광방법및노광장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466311B1 (ko) * 2002-07-05 2005-01-13 삼성전자주식회사 반도체 공정의 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법
KR100895937B1 (ko) * 2007-12-27 2009-05-07 주식회사 동부하이텍 패턴의 광학 근접 보상 방법
KR20200075742A (ko) * 2018-12-18 2020-06-26 캐논 가부시끼가이샤 결정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW432469B (en) 2001-05-01
AU2299199A (en) 1999-08-23
US6512572B1 (en) 2003-01-28
WO1999040486A1 (fr) 1999-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6337162B1 (en) Method of exposure, photomask, method of production of photomask, microdevice, and method of production of microdevice
TWI403854B (zh) Exposure method and lithography system
US6710847B1 (en) Exposure method and exposure apparatus
JP4563923B2 (ja) 位置合わせ方式最適化方法
JPH06196384A (ja) 露光方法
JPH11162832A (ja) 走査露光方法及び走査型露光装置
US4982227A (en) Photolithographic exposure apparatus with multiple alignment modes
KR20100016315A (ko) 노광 장치, 노광 방법 및 전자 디바이스 제조 방법
JP6521223B2 (ja) リソグラフィ装置の管理方法及び装置、並びに露光方法及びシステム
US6172740B1 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method
KR20010015839A (ko) 노광장치와 노광방법 및 기록매체
JP4635354B2 (ja) 露光方法及び継ぎ誤差計測方法並びにデバイス製造方法
JP3526042B2 (ja) 投影露光装置
JP2897345B2 (ja) 投影露光装置
KR20020063798A (ko) 노광방법 및 노광장치
JP3243818B2 (ja) 投影露光装置及び方法、並びに素子製造方法
KR101205262B1 (ko) 노광 장치
JP3350400B2 (ja) 投影露光装置
JP2003224055A (ja) 露光方法及び露光装置
JP6744596B2 (ja) リソグラフィ装置の管理装置、該装置用のプログラム、露光システム、及びデバイス製造方法
JP2001135559A (ja) 位置計測方法及び露光方法
JP2002246287A (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP3344426B2 (ja) 計測方法及びデバイス製造方法
JPH0629179A (ja) 投影光学装置
JP3092732B2 (ja) 投影露光装置及び投影露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application