KR20000069348A - 면 발광 레이저 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 목적은, 횡 모드를 제어하면서, 복수의 광 출사부로부터 위상동기한 레이저 광을 출사하여 외관상 하나의 레이저 광을 얻을 수 있는 면 발광 레이저 및 그 제조방법으로서, 광 출사측의 반사경의 일부를 구성하는 기둥 형상부(20)와, 상기 기둥 형상부(20)의 주위를 둘러싸 묻혀 들어가는(bury) 층(22)과, 기둥 형상부(20) 및 묻혀 들어가는 층(22)의 위에 형성되는 상부 전극(23)과, 기둥 형상부(20)및 묻혀 들어가는 층(22)의 아래에 형성되는 절연층(18)을 가지며, 상부 전극(23)에는, 기둥 형상부(20)의 위에 있어서, 복수의 개구부(23a)가 형성되며, 절연층(18)에는, 개구부(23a)에 대응하는 위치에 개구부(18a)가 형성되며, 묻혀 들어가는 층(22)은, 절대적 굴절율에서 기둥 형상부(20)보다도 약간 작기때문에, 횡 모드를 제어할 수 있다.
Description
면 발광 레이저에 있어서는, 고출력으로서 방사각이 좁은 레이저 광을 출사하는 것이 과제로 되어 있다. 일본 특개평 8-340156호 공보에는, 복수의 광 출사부로부터 위상 동기한 레이저 광을 출사하며, 광의 간섭효과에 의해 외관상 하나의 레이저 광을 출사하는 면 발광 레이저가 개시되어 있다. 외관상 하나로 된 레이저 광은, 고출력으로서 방사각이 좁은 것이 관측되어 있다.
상기 면 발광 레이저에는, 광 출사측의 클레드(clad)층에 기둥 형상부분이 형성되며, 이 기둥 형상 부분의 주위에 묻혀들어가는 층이 형성되며, 광 출사측의 전극은 복수의 개구부를 가지며, 개구부의 둘레 테두리부가 기둥 형상부분과 접촉하도록 되어 있다. 그리고, 전극의 개구부 바로아래와, 둘레 테두리부 바로아래에서 광의 발진모드가 다르도록 되어 있으며, 개구부로부터 출사된 복수의 레이저 광이 외관상하나의 레이저 광으로 된다.
상기 면 발광 레이저에서는 묻혀들어가는 층으로서 절연성의 물질이 사용되고 있다. 절연성의 묻혀들어가는 층으로서 보통으로 사용되고 있는 SiO2등의 산화물이나 Si3N4등의 질화물이나 ZnSe등의 Ⅱ-Ⅵ족 화합물과, 클레드층의 구성요소로 되는 GaAs등의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물과는 굴절율이 크게 다르게 되어 있다. 따라서, 광을 공진기의 중심부에 지나치게 넣기 때문에 고차 횡모드를 컷트할 수 없었다.
본 발명은, 상기 종래의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 횡모드를 제어하면서 복수의 광 출사부로부터 위상동기한 레이저 광을 출사하여 외관상 하나의 레이저 광을 얻을 수 있는 면 발광 레이저 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
(발명의 개시)
(1) 본 발명에 따른 수직 공진기형의 면 발광 레이저는,
적어도 광 출사측의 반사경의 일부로 이루어지는 기둥 형상부와, 상기 기둥 형상부의 주위를 둘러싸서 묻혀들어가는(embed) 층과, 상기 기둥 형상부 및 상기 묻혀들어가는 층의 위에 형성되는 상부 전극과, 상기 기둥 형상부 및 상기 묻혀들어가는 층의 아래에 형성되는 절연층을 가지며,
상기 상부 전극에는, 상기 기둥 형상부의 위에 있어서, 복수의 전극개구부가 형성되며, 상기 절연층에는, 상기 전극 개구부에 대응하는 위치에 절연개구부가 형성되며, 상기 묻혀들어가는 층은, 절대적 굴절율에 있어서 상기 기둥 형상부 보다도 약간 작다.
본 발명에 의하면, 절연측에 절연측에 절연개구부가 형성되어 있으며, 상부 전극으로부터 절연개구부를 통하여 활성층에 전류가 공급된다. 각 절연 개구부에 대응하여 발생되는 광은, 발진모드가 동일하게 되어 있다. 그리고, 복수의 전극 개구부로부터 위상동기한 복수의 레이저 광이 출사된다. 이와같은 복수의 레이저 광은 외관상 고출력으로서 방사각이 좁은 하나의 레이저 광으로 된다.
또한, 본 발명에 의하면, 기둥 형상부의 주위를 묻혀들어가는 층이 둘러싸고 있으며, 묻혀들어가는 층의 절대적 굴절율(진공에 대한 굴절율)이 기둥 형상부의 절대적 굴절율 보다도 작게 되어 있다. 이 구성에 의해 광 화이버와 동일하게 기둥 형상부내에 광을 전반사시켜 가두어 넣을(containment)수 있다.
또한, 광 화이버에 있어서, 코어와 클레드와의 절대적 굴절율차가 그게되면 다수모드가 전반하는 것이 알려져 있다. 따라서, 절대적 굴절율 차를 작게하는 것으로서 횡 모드를 제어할 수 있다.
마찬가지로, 본 발명에 의하면, 절대적 굴절율차가 조금이기 때문에 횡모드를 제어할 수 있다.
(2) 상기 면 발광 레이저에 있어서,
상기 기둥 형상부를 형성하는 물질은, 단결정화 되어 있으며,
상기 묻혀들어가는 층을 형성하는 물질은, 상기 기둥 형상부와 동일한 물질로서, 비 단결정화되어 이루어지는 것이 바람직 하다.
동일의 물질은, 단결정화 되면 밀도가 높게 되어 절대적 굴절율이 높게 되는 것에 대하여, 비 단결정화(다 결정화 또는 비 정질화)되면 밀도가 약간 낮게되어 절대적 굴절율이 약간 낮게된다. 이렇게하여 단결정화 하든지, 비 단결정화 하는것에 의해, 절대적 굴절율을 약간 변화시킬 수 있다.
(3) 상기 면 발광 레이저에 있어서,
각 전극 개구부는 직경1-6㎛정도이며, 인접하는 상기 전극 개구부사이의 거리는 약 7㎛이하로 하는 것이 바람직 하다.
(4) 상기 면 발광 레이저에 있어서,
상기 묻혀 들어가는 층은, 전기 저항이 낮은 것이 바람직 하다.
이렇게 함으로써, 묻혀들어가는 층의 전기저항이 낮으므로 발열을 억제할 수 있다.
(5) 본 발명에 따른 수직 공진기형의 면 발광 레이저의 제조방법은,
활성층보다도 위로서, 광 출사측의 반사경보다도 아래에 위치하는 단 결정층을 형성하는 공정과,
상기 단 결정층의 위에 비 단결정의 절연층을 형성하는 공정과,
상기 절연층에, 복수의 절연개구부를 형성하여, 상기 단 결정층의 노출부를 형성하는 공정과,
상기 절연개구부를 포함하여 상기 절연층의 위에, 비 선택적으로 다층막을 성장시키는 공정과,
상기 다층막 위에, 상기 절연 개구부에 대응하는 전극개구부를 갖는 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하며,
상기 다층막은, 상기 비 단결정의 절연층 위에서는 비 단결정화 되며, 상기 절연 개구부 위에서는 단 결정화 된다.
본 발명에 의하면, 비 선택성장에 의해 성장하는 다층막은, 절연 개구부로부터 단 결정층이 노츨하고 있기 때문에, 이 절연개구부 위에서는 단 결정화된 기둥 형상부로 되며, 그 주위에서는 비 단결정화(다결정화 또는 비 정질화)된 묻혀 들어가는 층으로 된다. 이렇게 하여 간단하게 상술한 면 발광 레이저를 제조할 수 있다.
(6) 상기 면 발광 레이저의 제조방법에 있어서,
상기 다층막은, 전기저항이 낮은 것이 바람직하다.
이와같이, 다층막의 전기 저항을 낮게함으로써, 묻혀 들어가는 층에서의 발열을 억제할 수 있다.
본 발명은, 수직 공진기형의 면 발광 레이저에 관한 것으로서, 특히 복수의 광 출사부로부터 위상동기한 레이저 광을 출사하는 것으로서 고출력으로 방사각이 좁은 레이저 광이 얻어지는 면 발광 레이저 및 그 제조방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 면 발광 레이저를 나타내는 단면도.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시 형태에 따른 면 발광 레이저의 제조방법의 한 예를 나타내는 설명도.
도 3a 내지 도 3b는 본 발명의 실시 형태에 따른 면 발광 레이저의 제조방법의 한 예를 나타내는 설명도.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 관하여 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 실시형태에 따른 면 발광 레이저를 나타내는 단면도 이다.
상기 도 1에 있어서, 예를들면 n형 GaAs등의 반도체 기판(12)의 이면에는 하부 전극(11)이 형성되어 있다.
또한, 반도체 기판(12)의 위에는 하부 반사경(13)이 형성되어 있다. 하부 반사경(13)은, 예를들면 40베어의 n형 Al0.8Ga0.2As층 및 Al0.15Ga0.85As층으로 이루어지며, 파장 800nm부근의 광에 대하여 99.5%이상의 반사율을 갖는 분포 반사형(DBR;Distributed Bragg Reflector)의 다층막 반사경 이다.
하부반사경(13)의 위에는, 클레드층(14), 활성층(15)및 단결정층(16)이, 아래로부터 차례로 형성되어 있다. 클레드층(14)은, 예를들면 n형 Al0.7Ga0.3As층으로 이루어지며, 활성층(15)은, 예를들면 n-형 GaAs웰 층 및 n- 형 Al0.3Ga0.7As베리어층으로 이루어지는 다중 우물(well)구조로 이루어져 있으며, 단 결정층(16)은, 클레드층으로 이루어지며, 예를들면 p형 Al0.7Ga0.3As층으로 이루어진다.
단 결정층(16)의 위에는, 절연층(18)이 형성되어 있다. 또한, 절연층(18)은 비 단결정(다결정 또는 비정질)의 SiO2등의 산화막으로 이루어지며, 절연성을 갖는다.
절연층(18)에는 복수의 개구부(18a)가 형성되어 있으며, 개구부(18a)를 통해 단 결정층(16)의 노출부(16a)의 위에, 단결정의 AlAs층(19a)가 형성되어 있다. 절연층(18)의 위에는, 비 단결정의 AlAs층(19b)가 형성되어 있다.
AlAs층(19a)의 위에서는, 기둥 형상부(20)가 형성되어 있다. 상세하게는, 절연층918)의 개구부(18a)부근의 위에, 기둥 형상부(20)가 형성되어 있다. 따라서, 기둥 형상부(20)의 일부는 단결정의 AlAs층(19a)및 개구부(18a)를 통해 단결정층(16)의 위에 위치한다.
기둥 형상부(20)는 단결정의 Al0.8Ga0.2As층 및 단결정의 Al0.15Ga0.85As층을 교대로 적층한 다층막으로 이루어진다. AlAs층(19a)및 기둥 형상부(20)는, 광 출사측의 반사경을 구성한다.
기둥 형상부(20)의 주위에는, 묻혀 들어가는 층(22)이 형성되어 있다. 묻혀 들어가는 층(22)은, 비 단결정의 Al0.8Ga0.2As층 및 비 단결정의 Al0.15Ga0.85As층을 교대로 적층한 다층막으로 이루어진다. 여기에서, 비 단결정이란, 다결정 및 비 정질중 어느 것이다. 묻혀 들어가는 층(22)을 형성하는 물질은, 기둥 형상부(20)을 형성하는 물질과 동일의 물질이 비 단결정화된 것이다. 그리고, 동일의 물질이라면, 비 단결정은 단 결정보다도 밀도가 낮기때문에 비 단결정의 묻혀 들어가는 층(22)은, 단결정의 기둥 형상부(20)보다도 약간(약 0.01)절대적 굴절율이 낮게되어 있다. 또한, 묻혀 들어가는 층(22)의 전기적 저항은 낮게되어 있다. 또한, 절연층(18)의 위에는, 비 단결정의 AlAs층(19b)가 형성되어 있다.
묻혀 들어가는 층(22)의 위로부터 기둥 형상부(20)의 최상층에 위치하는 접촉층(21)의 위에, 상부전극(23)이 형성되어 있다. 상부전극(23)에는, 복수의 개구부(23a)가 형성되어 있다. 개구부(23a)은, 절연층(18)의 개구부(18a)의 바로위에 대응하는 위치로 형성되어 있다. 여기에서 개구부(23a)는 구형을 이루며, 한변의 폭(W)이 1-6㎛정도로서, 개구부(23a)끼리의 간격(S)이 7㎛이하(바람직하게는 5.5㎛이하)인 것이 바람직하다. 또한, 개구부(23a)의 형상은, 구형에 한정하지 않고 원형등의 형상이라도 좋다. 개구부(23a)을 원형으로 형성하는 경우에는, 직경을 1-6㎛정도로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 상부전극(23)은, 기둥 형상부(20)의 최상층의 접촉층(21)에 접촉되어 전류를 공급한다.
본 실시형태에 따른 면 발광 레이저는, 상술하듯이 구성되어 있다. 그 작용을 개략 설명하면, 활성층(15)에서 광이 발생하며, 하부 반사경(13)과 출사측의 반사경으로 되는 AlAs층(19a)및 기둥 형상부(20) 등으로서 공진기가 구성되며, 그 공진기의 사이에서 광이 공진하도록 이루어져 있다. 광 발생에 의해 손실되는 에너지는, 상부전극(23)과 하부전극(11)과의 사이에 흐르는 전류에 의해 공급된다. 그리고, 기둥 형상부(20)의 접촉층(21)으로부터의 투과광이 광 출력으로 된다. 상기 면 발광 레이저는, 반도체 기판(12)과 수직으로 공진기가 구성되는 수직 공진기형으로 분류된다.
또한, 본 실시형태에서는, 묻혀 들어가는 층(22)의 전기저항이 낮게되어 있기 때문에, 상부 전극(23)으로부터의 전류는, 접촉층(21)만이 아니라 묻혀 들어가는 층(22)으로부터도 기둥 형상부(20)으로 흘러들어 간다. 따라서 묻혀 들어가는 층(22)에서의 발열이 억제된다.
그리고, 묻혀 들어가는 층(22)의 아래에 형성된 절연층(18)에 의해 전류가 차단된다. 단, 절연층(18)에 개구부(18a)가 형성되어 있으며, 이 개구부(18a)를 통해 전류가 단결정층(16)으로 흘러들어 간다. 이렇게하여 이 개구부(18a)에 대응하여 활성층(15)에 부분적으로 전류를 집중시켜서 광을 발생시킬 수 있다.
활성층(15)에서 발생하는 광은, 개구부(18a)를 통해 상부 반사경으로 이루어지는 기둥 형상부(20)및 AlAs 층(19a)과, 하부 반사경(13)과의 사이에서 증폭된다.
본 실시형태에서는, 복수의 개구부(18a)에 대응하여, 상부 전극(23)에 복수의 개구부(23a)가 형성되어 있다. 그리고, 각 개구부(23a)로부터 레이저 광이 출사되며, 각 개구부(23a)로부터 출사된 레이저 광은 위상동기하고 있다. 따라서, 복수의 레이저 광이 방사각이 좁은 외관상 하나의 레이저 광으로 된다.
또한, 광 출사측의 반사경으로 되는 AlAs층(19a)및 기둥 형상부(20)보다도 그 주위를 둘러싸는 묻혀 들어가는 층(22)은, 절대적 굴절율이 약간(약 0.01)낮게되어 있다. 따라서, 모든 광을 수납하는 것이 아니기 때문에 횡 모드를 제어할 수 있다.
이와같이 하여, 본 실시형태에 의하면, 방사각의 안정한 고출력 레이저 광을 출사할 수 있다.
이어서, 도 2a 내지 도 3c는, 도 1에 도시하는 면 발광 레이저의 제조방법의 한 예를 설명하는 설명도 이다.
우선, 도 2a에 나타내듯이, 반도체 기판(12)의 이면에 하부전극(11)을 형성함과 동시에, 유기 금속 기상성장(MOCVD :Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 또는 분자선 에피텍시(MBE ; Molecular Beam Epitaxy)법 등에 의해 반도체 기판(12)의 표면의 하부 반사경(13)으로부터 단결정층(16)까지를 성장 시킨다.
이어서, 도 2b에 나타내듯이, 단결정층(16)의 위에 절연층(18)을 형성한다. 이 절연층(18)은, CVD 법 또는 스퍼터링 등에 의해 성막한 SiO2등의 비 단결정(다결정 또는 비정질)의 산화막 이다.
혹은, 단 결정층(16)의 표면을 산화 시켜서 비 단결정의 산화 알루미늄층을 형성하며, 이것을 절연층(18)으로 하여도 좋다.
이어서, 도 2c에 나타내듯이, 절연층(18)에 복수의 개구부(18a)를 형성하며, 단결정층(16)의 노출부(16a)를 형성한다. 개구부(18a)의 형성에는 포토리소그래피의 기술이 적용된다.
또는, 단 결정층(16)의 위에 얇은 AlGaAs층을 형성하며, 그 위에 최상층으로서의 AlAs층을 형성하며, 실온대기중에서의 AlAs층의 산화를 억제하며, 포토리소그래피의 기술에 의해 AlAs층에 개구부를 형성하여 AlGaAs의 일부를 노출시킨 후, 약 400℃의 수증기 분위기중에서 AlAs층을 산화시켜도 좋다. 이 경우, 산화된 AlAs층이 절연층(18)에 상당하며, AlGaAs층의 노출부가 단결정층(16)의 노출부(16a)에 상당한다.
또한, 단 결정층(16)의 표면에는, 패시베이션을 시행하는 것이 바람직하다. 그것을 위해서는, 예를들면, 탈지세정, 유화 암모니움의 도포 및 고온처리를 행하든지, 또는 초순수에 의한 세정 및 고급처리를 행한다.
이어서, 도 3a에 나타내듯이, 절연층(18)및 단 결정층(16)의 위에 MOCVD법에 의해 AlAs를 성장시킨다. 그렇게하면, 비 선택성장이 행해지며, 절연층(18)및 단 결정층(16)의 위에 AlAs층(19a, 19b)이 형성된다.
AlAs층(19a)는, 단 결정층(16)의 위에서 단 결정화 되어 있지만, AlAs층(19b)는, 절연층(18)의 위에서 비 단결정화(다결정화 또는 비정질화)되어 있다. 또한, 절연층(18)에는, 개구부(18a)가 형성되어 있으며, 그 개구부(18a)보다도 넓은 영역이 단결정화 된다. 따라서, 도 3a에 나타내듯이 개구부(18a)부근의 위는, 전체적으로 단결정화 되어 있다.
그리고, AlAs층(19a, 19b)의 위에는, A10.15Ga0.85As층(31)과 Al0.8Ga0.2As층(32)을 교대로 적층한다.
Al0.15Ga0.85As층(31)에 있어서도 단결정화 된 AlAs층(19a)의 위에 위치한느 부분(31a)은 단결정화 되며, 비 단결정화(다결정화 또는 비정질화)된 AlAs층(19b)의 위에 위치하는 부분(31b)는 비 단결정화(다 결정화 또는 비정질화)된다.
마찬가지로, Al0.8Ga0.2As층(32)에 있어서도, 단결정화 된 부분(31a)의 윗 부분(32a)은 단결정화 되며, 비 단결정화(다 결정화 또는 비정질화)된 부분(31b)의 윗 부분(32b)은 비 단결정화(다 결정화 또는 비 정질화)된다.
이렇게하여, 단 결정화 된 부분(31a, 32a)에 의해 기둥 형상부(20)가 형성되며, 비 단결정화 된 부분(31b, 32b)에 의해 묻혀 들어가는 층(22)이 형성된다. 즉, 단결정의 기둥 형상부(20)와 비 단결정의 묻혀 들어가는 층(22)을 형성할 수 있다. 기둥 형상부(20)및 단결정층(19a)는, 광출사측의 반사경으로 된다.
또한, 단결정층(16)을 형성한 때에, 단결정층(16)과 하부 반사경(13)으로 구성되는 공진기의 세로모드를 측정하며, 기둥 형상부(20)을 구성하는 다층막의 각각의 두깨를 조정하여 세로 모드를 조정하는 것이 바람직 하다.
보다 상세하게는, AlAs, Al0.8Ga0.2As 및 Al0.15Ga0.85As는, TMGa, TMAl, AsH3을 원료로 하며, 기판온도 650-800℃정도(약 750℃가 바람직하다), 10-200Torr 정도(약 145Torr가 바람직하다)의 감압하에서 As와 Ga의 몰비를 나타내는 Ⅴ/Ⅲ비가 290으로서, Al0.8Ga0.2As층의 성장에서는 Ⅴ/Ⅲ비가 95이었으므로, 성장에 있어서의 Ⅴ/Ⅲ비에 대한 의존성은 없다.
이어서, 도 3b에 나타내듯이, 묻혀 들어가는 층(22)과 기둥 형상부(20)의 최상층으로 되는 접촉층(21)의 위에, 금속을 증착시켜서 상부전극(23)을 형성한다. 이어서, 증착한 금속의 일부를 제저하는 것으로서, 도 1에 나타내듯이 상부전극(23)에 개구부(23a)를 형성한다. 상기 개구부(23a)은, 절연층(18)의 개구부(18a)에 대응하는 위치로 형성된다.
본 제조방법에 의하면, 기둥 형상부(20)의 드라이에칭등으로 형성하며, 그후 재성장에 의해 비 단결정을 묻혀 넣어 묻혀 들어가는 층(22)을 형성하는 것 보다도, 간편한 방법으로서, 도 1에 나타내는 면 발광 레이저를 제조할 수 있다.
또한, 본 발명은, 상기 실시형태에 한정되는 것이 아닌, 여러가지의 변형이 가능하다.
예를들면, 도 3a에 나타내는 공정에 있어서, AlAs, Al0.8Ga0.2As 및 Al0.15Ga0.85As에 있어서의 As의 대신에 N을 사용한 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체를 사용하여도 좋다.
또는 도 2c의 공정 종료후, 도 3a의 공정전에, 단결정층(16)의 노출부(16a)위에, 절연층(18)과 면 일치되도록 제 2단결정층을 형성하여도 좋다.
상세하게는, 도 2c에 나타내는 상태로서 절연층(18)및 노출부(16a)의 위에 , MOCVD법에 의해, Al 조성이 낮고 Ga조성이 높은 Al0.15Ga0.85As를 성장시킨다. 이와같이 하면, Ga 조성이 높으므로서 선택성장이 행해지며, Al0.15Ga0.85As는, SiO2등의 산화막으로 이루어지는 절연층(18) 위에는 전혀 성장되지 않고, 단 결정의 AlGaAs로부터 이루어지는 노출부(16a) 위에만 성장한다. 또한, 제 2단결정층은, 다층막 반사경의 하나의 막으로 이루어지는 정도의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 그것을 위해서, 제 2 단결정층과 면 일치로 되는 절연층(18)도 동일한 두께로서 형성하는 것이 바람직하다.
Claims (6)
- 수직 공진기형의 면 발광 레이저에 있어서,광 출사측의 반사경의 일부로 이루어지는 기둥 형상부와, 상기 기둥 형상부의 주위를 둘러싸서 묻혀 들어가는(embed) 층과, 상기 기둥 형상부 및 상기 묻혀 들어가는 층의 위에 형성되는 상부 전극과, 상기 기둥 형상부 및 상기 묻혀 들어가는 층의 아래에 형성되는 절연층을 가지며,상기 상부 전극에는, 상기 기둥 형상부의 위에서, 복수의 전극 개구부가 형성되며,상기 절연층에는, 상기 전극 개구부에 대응하는 위치에, 절연 개구부가 형성되며,상기 묻혀 들어가는 층은, 절대적 굴절율에 있어서 상기 기둥 형상부 보다도 작은 면 발광 레이저.
- 제 1항에 있어서, 상기 기둥 형상부를 형성하는 물질은, 단결정화 되어 있으며,상기 묻혀 들어가는 층을 형성하는 물질은, 상기 기둥 형상부와 동일한 물질로서, 비단결정화되어 이루어지는 면 발광 레이저.
- 제 1항에 있어서, 각 전극 개구부는 직경 1-6㎛ 정도이며, 인접하는 상기 전극 개구부 사이의 거리는, 7㎛이하인 면 발광 레이저.
- 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,상기 묻혀 들어가는 층은, 전기 저항이 낮은 면 발광 레이저.
- 수직 공진기형의 면 발광 레이저의 제조방법에 있어서,활성층보다도 위로서, 광 출사측의 반사경보다도 아래에 위치하는 단결정층을 형성하는 공정과,상기 단결정층의 위에 비단결정의 절연층을 형성하는 공정과,상기 절연층에, 복수의 절연개구부를 형성하여, 상기 단결정층의 노출부를 형성하는 공정과,상기 절연개구부를 포함하여 상기 절연층의 위에, 비선택적으로 다층막을 성장시키는 공정과,상기 다층막 위에, 상기 절연 개구부에 대응하는 전극개구부를 갖는 상부 전극을 형성하는 공정을 포함하며,상기 다층막은, 상기 비 단결정의 절연층 위에서는 비단결정화 되며, 상기 절연 개구부 위에서는 단결정화 되는 면 발광 레이저의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 상기 다층막은, 전기저항이 낮은 면 발광 레이저의 제조방법.
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