KR20000048127A - 반도체 웨이퍼 척 장치 및 상기 척 장치에 이용되는 커넥터 - Google Patents

반도체 웨이퍼 척 장치 및 상기 척 장치에 이용되는 커넥터 Download PDF

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Abstract

척의 몸체내에 매립된 전극으로 DC 척킹 전압 및 RF 바이어스 전력을 연결하기 위한 커넥터를 포함하는 반도체 웨이퍼 공정 시스템에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정동안 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 반도체 웨이퍼 척에 관한 것이다. 척용 커넥터는 탄성 바나나형 연결 수단에 의하여 결합되는 2 또는 그 이상의 부재를 포함한다. 커넥터는 상승된 온도에서 작동되는 정전기적 척을 위한 고온 커넥터로서 이용되기 위하여 적용될 수 있으며 이 같은 커넥터는 척으로부터 커넥터의 하부로 전달되는 열을 감소시키기 위한 열 임피던스를 포함한다.

Description

반도체 웨이퍼 척 장치 및 상기 척 장치에 이용되는 커넥터{SEMICONDUCTOR WAFER CHUCK APPARATUS AND CONNECTOR USED THEREIN}
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 공정 시스템에서 반도체 웨이퍼를 처리하는 공정 도중 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 정전 척에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 척에 매립된 전극에 DC 척킹 전압 및 무선 주파수(RF) 바이어스 전력을 연결하기 위한 커넥터에 관한 것이다.
다수의 정전 척이 반도체 웨이퍼 공정 시스템의 공정 쳄버내의 반도체 웨이퍼를 유지하기 위하여 종래 기술에 공지되어 있다. 반도체 웨이퍼 공정 시스템은 1989년 6월 27일자로 발명가 데이비드 쳉(David Cheng) 등에 특허된 상기 특허는 본 발명과 동일한 양수인에게 양수되고 본 명세서에 참조되었다. 발명의 명칭이 "자기장 강화 플라즈마 부식 반응기(MAGNETIC FIELD-ENHANCED PLASMA ETCH REACTOR)"인 미국 특허 제 4,842,683호에 공지되어 있다. 또한 전형적인 종래 기술의 정전 척(10)은 도 1에 개략적으로 별도로 도시된다. 척(10)은 예를 들면 알루미늄 질화물과 같은 세라믹 물질의 척 몸체(12)를 포함하며, 척 몸체(12)의 상부 근처에 매립된 전극(14)도 포함한다. 매립된 전극(14)은 예를 들면 몰리브덴 메쉬 전극일 수 있다. 전극(14)은 커넥터(16)를 통하여 전력 공급부에 결합된다. 커넥터(16)는 제 1 수 커넥터 부재(18) 및 제 2 암 커넥터 부재(20)를 포함한다. 척(10)은 예를 들면 도시되지 않은 적합한 접착제 또는 적합한 볼트 같은 것에 의하여 척 몸체(12)의 저부에 적절히 결합된 냉각판(22)에 부착된다. 냉각판(22)은 예를 들면, 스테인레스 강 또는 알루미늄으로 제작될 수 있으며 척(10)을 냉각시키기 위한 액체 냉매를 운반하기 위한 다수의 냉각 채널(21)이 제공된다. 제 1 커넥터 부재(18)는 척 몸체(12)에 형성된 구멍(25)을 통하여 연장되는 상부 중실 원통형부(upper solid cylindrical portion;24) 및 냉각판(22)에 형성된 구멍(27)을 통하여 연장되는 하부 중실 원통형부(26)를 포함한다. 하부 원통형부(26)는 상부 원통형부(24)보다 작은 직경을 갖는다. 제 2 커넥터 부재(20)는 제 1 및 제 2 커넥터 부재(18 및 20)를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 제 1 커넥터 부재(18)의 하부 원통형부(26)를 수용하기 위한 콜릿(collet;29)을 형성하는 내부로 연장되는 상부 원통형 구멍(28)이 제공된다. 제 2 커넥터 부재(20)는 받침대(도시안됨)의 절연부(11)내에 고정된다. 제 2 커넥터 부재(20)의 하부는 커넥터(34) 및 전도체(35)에 의하여 RF 바이어스 전력(30)의 공급원 및 DC 척킹 전압(32)의 공급원에 연결된다.
도 1의 상부에 도시된 바와 같이, 적합한 전도성 접착제(36)의 몸체는 제 1 커넥터 부재(18) 및 전극(14)의 상부에 기계적 및 전기적으로 상호 연결된다. 제 1 커넥터 부재(18)는 몰리브텐으로 제작되며 RF 전류 전도를 위하여 금, 은, 니켈 또는 구리와 같은 도전성 물질이 도금되며, 제 2 커넥터 부재(20)는 베릴륨 구리로 제작되며 RF 전류 전도를 위하여 금, 은 또는 니켈과 같은 도전성 물질이 도금된다. 제 1 커넥터 부재(18)의 하부 원통형부(26)가 콜릿(29)으로 삽입될 때, DC 척킹 전압은 반도체 웨이퍼 공정 도중 척(10)상에 반도체 웨이퍼를 유지하기 위하여 매립된 전극(14)이 적용되며 RF 바이어스 전력은 유지된 반도체 웨이퍼를 편향시키기 위하여 매립된 전극(14)에 적용된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 커넥터(16)의 전술된 수 및 암 커넥터 부재(18,20)는 별도로 제작되며 이중 수직 화살표(37)에 의하여 개략적으로 표시된 바와 같이 블라인드 조립(blind assembly)시에서 조립된다. 제 1 커넥터 부재(18)의 하부 원통형부(26)는 핀으로서 지칭되며, 제 2 커넥터 부재(20)에 제공된 구멍(28)은 콜릿으로서 지칭되며 그들의 상호 연결은 핀 및 콜릿 상호 연결로서 지칭된다. 핀 및 콜릿 상호 연결의 블라인드 조립은 도 1에 도시된 바와 같이 이중 수평 화살표(38)에 의하여 개략적으로 표시된 바와 같이 핀 및 콜릿 사이의 각도 오정렬 상태가 발생할 수 있으며, 이 같이 각도 오정렬 상태는 도 1a에서 외곽실선 및 과장된 형태로 도시된다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 이 같이 각도 오정렬 상태는 심한 경우, 핀과 콜릿 사이의 표면 또는 면적 접촉보다 점 또는 선 접촉이 될 수 있다. 이 같이 각도 오정렬 상태는 국부 RF 가열을 초래하는 바람직하지 못하게 전기 접촉 저항 및 척(10)상에 반도체 웨이퍼 유지에서 부수적인 손실을 초래하는 DC 척킹 전압용 DC 전류의 감소가 바람지하지 못하게 발생할 수 있다. 또한, 콜릿으로 핀을 삽입하는 공정은 이 같은 상호 연결의 기계적 및 전기적 불량이 발생되는 제 1 커넥터 부재(18)의 상부 및 매립된 메쉬 전극(14) 사이의 상호 연결에 전달되는 오정렬력을 발생시키는 바람직스럽지 못한 고 조립 및 분해력이 발생할 수 있다. 유사하게, 콜릿으로부터 핀을 제거하기 위하여 요구될 수 있는 바람직스럽지 못한 고 분해력은 제 1 커넥터 부재(18)의 상부 및 접착제(36)에 의하여 제공된 메쉬 전극(14) 사이의 전기적 및 기계적 연결의 불량이 발생한다.
따라서, 이 기술분야에는 매립된 척 전극에 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 위하여 개량된 커넥터 및 전술된 커넥터 부재 오정렬 상태의 문제점을 실질적으로 회피하는 적어도 2개의 커넥터 부재를 포함하는 개량된 커넥터를 가진 척에 대한 요구가 있다.
또한 이 기술 분야에 공지되었듯이, 임의의 반도체 웨이퍼 공정은 척이 상대적으로 상승된 온도, 예를 들면 약 200℃ 내지 약 500℃에서 작동되는 것이 요구된다. 다시 도 1을 참조하면, 척(10)이 약 200℃ 내지 약 500℃에서 작동될 때 및 제 1 및 제 2 커넥터 부재(18 및 20)가 각각 몰리브덴 및 베릴륨 구리일 때, 이 같은 몰리브덴 및 베릴륨 구리 커넥터 부재는 약간의 온도 감소와 함께, 예를 들면 척(10)이 약 200℃ 내지 약 500℃로 가열되는 열을 제 2 커넥터 부재(20)의 하부로 전도된다. 약간의 온도 하강과 함께 제 2 커넥터 부재(20)가 약 200℃ 내지 약 500℃일 때, 커넥터에 RF 및 DC 바이어스 전압을 적용하는 전기 커넥터(34) 및 전도체(35)는 약간의 온도 감소와 함께, 실질적으로 200℃ 내지 500℃로 견딜 수 있어야 한다. 이 것은 매우 및 바람직하지 못하게 비용이 증가되며 커넥터 및 전도체는 일반적으로 상업적으로 이용가능하지 않다.
따라서, 반도체 웨이퍼 척의 기술분야에는 전술된 범위의 상대적인 고온에서 작동되는 척 및 적어도 커넥터의 상부와 커넥터의 하부 사이에 전달된 열을 감소시키는 열 임피던스를 포함하는 척 전극으로 DC 척킹 전압 및 RF 바이어스 전력이 적용되는 커넥터를 포함하는 척이 또한 요구된다. 그럼으로써 표준 또는 상업적으로 이용가능한 전기 커넥터 및 전기 전도체는 커넥터의 저부에 연결되며 척 전극으로 DC 척킹 전압 및 RF 바이어스 전력을 적용하는데 이용된다.
본 발명의 목적은 매립된 척 전극에 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 위하여 개량된 커넥터 및 전술된 커넥터 부재 오정렬 상태의 문제점을 실질적으로 회피하는 적어도 2개의 커넥터 부재를 포함하는 개량된 커넥터를 가진 척을 제공하기 위한 것이다.
또한 본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 척의 기술분야에는 전술된 범위의 상대적인 고온에서 작동되는 척 및 적어도 커넥터의 상부와 커넥터의 하부 사이에 전달된 열을 감소시키는 열 임피던스를 포함하는 척 전극으로 DC 척킹 전압 및 RF 바이어스 전력이 적용되는 커넥터를 포함하는 척을 제공하기 위한 것이다.
도 1은 종래 기술의 반도체 웨이퍼 척 및 커넥터의 수직 측 단면도.
도 1a는 커넥터 부재의 블라인드 조립중 핀과 콜릿의 각도 오정렬 상태를 도시한 부분도.
도 2는 본 발명의 반도체 웨이퍼 척 및 커넥터의 제 1 실시예를 도시한 수직 측 단면도.
도 2a는 본 발명의 척 커넥터를 포함하는 커넥터 부재를 도시한 측면도.
도 2b는 도 2a의 평면도.
도 2c는 도 2a의 저면도.
도 2d는 도 2a의 2D-2D선의 화살표 방향을 따라 도시된 수직 단면도.
도 2e는 도 2a의 2E-2E선의 화살표 방향을 따라 도시된 수평 단면도.
도 2f는 블라인드 조립시 각도 오정렬 상태를 극복하는 탄성 바나나형 커넥터를 포함하며, 개선된 기계적 및 전기적인 연결 그리고 감소된 삽입 및 인출력을 제공하는 본 발명에 의한 커넥터 실시예의 장점을 도시한 부분 개략도.
도 3은 본 발명의 반도체 웨이퍼 척 및 커넥터의 다른 실시예의 수직 측단면도.
도 3a는 도 3에 도시된 척 몸체의 수직 단면도.
도 3b는 도 3에 도시된 제 1 커넥터 소자의 측면도.
도 3c는 도 3b의 평면도.
도 3d는 도 3c의 3D-3D선의 화살표 방향을 따라 도시된 수직 단면도.
도 3e는 도 3에 도시된 제 2 커넥터 소자의 수직 측단면도.
도 3f는 도 3에 도시되며 본 발명을 구체화하는 커넥터에 포함된 커넥터 부재의 개략도.
도 4는 본 발명의 반도체 웨이퍼 척 및 커넥터의 다른 실시예를 도시한 수직 측단면도.
도 4a는 도 4에 도시된 커넥터 소자의 분해도.
도 4b는 도 4에 도시된 커넥터 소자의 분해도.
도 5는 본 발명의 반도체 웨이퍼 척 및 커넥터의 다른 실시예를 도시한 분해 수직 측 단면도.
도 6 내지 8은 도 5에 분해 도시된 커넥터를 포함하며 상호 연결되는 커넥터 부재를 상세하게 도시한 측 단면도이며, 도 7a는 도 7의 원형 표시부의 분리도.
도 9는 도 7의 평면도.
도 10은 본 발명의 커넥터를 포함하는 2개의 결합된 커넥터 부재를 도시한 부분 개략도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
11 : 절연체 30 : RF 바이어스 전력 공급원
32 : DC 공급원 34,35 : 전기 커넥터
40 : 척 42 : 척 몸체
43 : 전극 44 : 커넥터
45 : 제 1 커넥터 부재 45a : 상부 원통형부
45b : 하부 원통형부 46 : 제 2 커넥터 부재
46a : 원통형 몸체 47 : 블라인드 구멍
48 : 척 하부 49 : 척 상부
51 : 도전성 접착제 54 : 중심 구멍
56 ∼ 59 : 구멍 60 : 포팅 접착제
62 : 탄성 바나나형 수 잭
종래 기술의 단점을 개선하며 본 발명을 구체화하는 반도체 웨이퍼 척은 척 몸체, 척 몸체에 매립된 전극 및 RF 바이어스 전력 및/또는 DC 척킹 전압을 매립된 전극으로 연결하기 위한 커넥터를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에서, 커넥터는 2개의 커넥터 부재를 포함하는데, 상기 2개의 커넥터 부재중 적어도 하나에는 커넥터 부재의 블라인드 조립을 용이하게 하기 위한 탄성 바나나형 커넥터가 제공되며, 또 다른 실시예에서, 커넥터는 커넥터의 저부에서의 온도를 커넥터 상부에서의 온도 아래로 감소시키는 열 임피던스를 제공한다.
본 발명은 첨부되는 도면과 함께 후술되는 상세한 설명에 의하여 용이하게 이해할 수 있다.
이해를 용이하게 하기 위해, 도면에서 일반적으로 동일한 부재는 가능한 동일한 도면번호가 사용되었다.
도 2는 본 발명을 구체화하는 반도체 웨이퍼 정전 척(40)의 제 1 실시예이다. 척(40)은 전극(43)이 매립된 척 몸체(42)를 포함한다. 척 몸체(42)는 알루미늄 질화물과 같은 적당한 세라믹 물질로 제작될 수 있으며, 전극(43)은 몰리브덴 메쉬 전극일 수 있다. 또한 척(40)은 본 발명을 구현하며 전극(43)에 DC 척킹 전압 및/또는 RF 바이어스 전력을 연결하기 위한 커넥터(44)를 포함한다. 커넥터(44)는 제 1 일반적인 원통형 제 1 커넥터 부재(이하, 제 1 커넥터 부재라 칭함;45) 및 제 2 일반적인 원통형 제 2 커넥터 부재(이하, 제 2 커넥터 부재라 칭함;46)를 포함한다. 제 1 커넥터 부재(45)는 몰리브덴으로 제작될 수 있으며 RF 전류 전도를 위하여 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 적당한 도금 물질로 도금될 수 있으며, 제 2 커넥터 부재(46)는 베릴륨 구리로 제작될 수 있으며 RF 전류 전도를 위하여 금, 은 또는 니켈로 구성된 그룹으로부터 선택된 적당한 도금 물질로 적당히 도금될 수 있다. 선택적으로, RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리 , 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다. 커넥터 부재(45)는 일반적으로 척 몸체(42)의 중앙에 형성된 블라인드 구멍(47)에 수용되는데, 이 블라인드 구멍(47)은 척 하부(48)로부터 척 상부(49)를 향하여 상방으로 연장되며 매립된 전극(43)으로 개방된다. 제 1 커넥터 부재(45)의 상부 확장 원통형부(45a)의 외경 및 척 구멍(47)의 직경은 커넥터 부재(45) 및 척 몸체(42)를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 그 사이에 적당한 포팅 접착제(potting adhesive;60)를 수용하기 위한 종래에 공지된 유형의 고리형 공기 간극을 형성하기 위한 치수를 가진다. 커넥터 부재(45)의 상부는 기계적 및 전기적 상호연결 금속부를 위하여 기술분야에서 공지된 유형의 도전성 접착제(51)의 적당한 몸체에 의하여 전극(43)과 기계적 및 전기적으로 상호 연결된다.
제 1 커넥터 부재(45)는 도 2a 내지 2e에 상세하게 도시되며 상부 원통형부(45a) 및 직경이 감소된 하부 원통형부(45b)를 포함하며 도 2d에서 도시된 바와 같이 상부 원통형부(45a)의 하부로부터 상부를 향하여 연장되는 일반적으로 중심에 형성된 구멍(이하, 중심 구멍이라고 칭함;54)이 제공된다. 제 1 커넥터 부재(45)의 상부 원통형부(45a)는 다수의 수평방향 및 반지름 방향으로 배치된 구멍(56 내지 59)이 제공되며, 이 구멍(56 내지 59)은 중심 구멍(54)과 유체 연통되며 중심 구멍(56 내지 59)에 대해 가로 또는 수직 배치된다.(도 2e 참조) 도 2를 다시 참조하면, 진공상태는 제 1 커넥터 부재(45)에 형성된 중심구멍(54)으로 유도되며 진공상태는 포팅 접착제(60)로 유도되도록 하기 위하여 도시되지 않은 적당한 공급원으로부터 제 1 커넥터 부재(45)의 상부 원통형부(45a)와 척 몸체(42) 사이의 고리형 공기 간극 으로 가로 진공 구멍(56 내지 59)으로 유도된다. 포팅 접착제(60)가 경화될 때, 제 1 커넥터 부재(45)는 척 몸체(42)에 굳게 상호 연결되며 그럼으로써 커넥터 부재(45)의 상부와 매립된 전극(43) 사이에 도전성 접착제(51)의 몸체에 의하여 제공된 상호 연결부에 작용하는 커넥터 부재(45 및 46)의 블라인드 조립 공정 도중 발생되는 이 같은 오정렬력의 전달이 매우 감소된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 제 2 커넥터 부재(46)는 원통형 몸체(46a) 및 종래에 공지된 유형으로서 원통형 몸체(46a)의 상부에 적당히 결합된 탄성 바나나형 커넥터, 즉 탄성 바나나형 수 잭(62)을 포함한다. 몸체(46a)는 일반적으로 받침대(도시되지 않음)의 절연부(11)에 고정된다. 바람직한 실시예에서 탄성 바나나형 수 잭(62) 및 원통형 몸체(46a)는 베릴륨 구리로 제작되며, RF 전류 전도를 위하여 금, 은, 또는 니켈로 구성된 그룹으로부터 선택된 도전성 물질의 적당한 도금이 제공된다. 선택적으로 RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다. 적당한 전기 커넥터(34)는 제 2 커넥터 부재(46)의 하부에 연결될 수 있으며 적당한 공급원(30)으로부터 RF 바이어스 전력 및 적당한 DC 공급원(32)으로부터 척킹 전압은 적당한 전기 커넥터(35)에 의하여 커넥터(34)에 연결될 수 있다.
블라인드 조립시, 탄성 바나나형 수 잭(62)은 탄성 바나나형 수 잭(62)을 수용하기 위한 바나나형 암 잭 소켓으로서 기능을 하는 구멍(54)으로 삽입됨으로써 제 1 커넥터 부재(45) 및 제 2 커넥터 부재(46)를 기계적 및 전기적으로 상호 연결한다. 구멍(54)이 탄성 바나나형 수 잭(62)을 수용되기 때문에, 상보적 탄성 바나나형 커넥터로서 고려될 수 있다. 커넥터 부재(45)는 전술된 것으로서 몰리브덴으로 제작될 수 있기 때문에, 바나나형 암 잭 소켓에 제공된 구멍(54)은 RF 전류 전도를 강화하기 위하여 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 적당한 도전성 물질로 도금될 수 있다. 선택적으로 RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다. 탄성 바나나형 수 잭(62) 및 구멍(54)에 의하여 제공된 바나나형 암 잭 소켓은 전술 및 도 1에 도시된 제 1 및 제 2 커넥터 부재(18 및 20)의 핀 및 콜릿의 연결시 요구되는 삽입 및 인출력보다 도 2에서 이중 수직 화살표(68)에 의하여 표시된 것으로서 매우 적은 삽입 및 인출력을 요구한다. 또한 도 2에 도시된 바와 같이 탄성 바나나형 수 잭(62)은 제 1 커넥터 부재(45) 및 제 2 커넥터 부재(46)의 블라인드 조립시 임의의 탄성 바나나형 수 잭(62)과 구멍(54)에 의하여 제공된 바나나형 암 잭 소켓 사이에 각도 오정렬 상태로 수용된다는 것이 이해된다. 또한, 탄성 바나나형 수 잭(62)의 기하 또는 형상은 탄성 바나나형 수 잭(62)과 구멍(54)에 의하여 제공된 바나나형 암 잭 소켓 사이에 임의의 각도 오정렬 상태시 실질적으로 일치하는 기계적 및 전기적 영역 또는 표면 접촉을 제공한다. 본 상세한 설명 및 첨부된 청구범위에서 사용되는 용어 "탄성 바나나형 커넥터"는 탄성 바나나형 수 커넥터 또는 탄성 바나나형 암 커넥터를 의미하는 것으로 사용되며 "상보적 탄성 바나나형 커넥터"는 "탄성 바나나형 커넥터"가 탄성 바나나형 수 커넥터일 때 바나나형 암 잭 소켓을 의미하는 것으로 사용되며 "탄성 바나나형 커넥터"가 탄성 바나나형 암 커넥터일 때 암 커넥터 부재를 의미하는 것으로 사용된다.
본 발명을 구현하는 반도체 웨이퍼 척(70)의 다른 실시예는 도 3에 도시된다. 척(70)은 바람직한 실시예에서 세라믹이며 특히 알루미늄 질화물인 척 몸체(72)를 포함한다. 전극(73)은 척 몸체(72)에 매립되며 바람직한 실시예에서 매립된 전극은 몰리브덴 메쉬 전극이다. 또한 척(70)은 본 발명을 구체화하며 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 매립된 전극(73)으로 연결하기 위한 커넥터(74)를 포함한다. 커넥터(74)는 제 1 커넥터 부재(76) 및 제 2 커넥터 부재(78)를 포함한다. 제 1 커넥터 부재(76)는 제 1 몰리브덴 커넥터 소자(76a)(도 3b 내지 d 참조) 및 제 2 스테인레스 강 커넥터 소자(76b)(도 3e 참조)를 포함한다. RF 전류 전도를 위해 소자(76a 및 76b)는 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 전기전도성 물질의 적당한 도금과 같이 도전성 물질의 적당한 도금이 제공된다. 선택적으로 RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 척(70)은 또한 척 몸체(72)에 , 예를 들면, 적당한 볼트 또는 적당한 접착제(도시안됨)에 의하여 결합된 알루미늄 냉각판(80)을 포함한다. 냉각판(80)은 척(70)을 냉각시키기 위하여 적당한 냉매를 수용하는 다수의 냉각 채널(81)이 제공된다. 게다가, 도 3을 참조하면, 또한 척(70)은 제 1 탄성 절연체(83) 및 제 2 탄성 절연체(84)를 포함하며, 바람직한 실시예에서, 탄성 절연체는 실리콘으로 제작된다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 척 몸체(72)는 상부(86) 및 하부(87)를 가지며 일반적으로 중앙에 형성된 계단형 블라인드 구멍(88)이 제공되며 구멍은 척 몸체 하부(87)로부터 상부(86)를 향하여 상방으로 연장되며 전극(73)으로 개방된다. 계단형 구멍(88)은 도 3a에 도시된 바와 같이 연속적으로 상방으로 직경이 감소하는 다수의 원통형부(91 내지 94)를 포함한다. 도 3b 내지 3d에서 제 1 몰리브덴 커넥터 부재(76a)는 계단형 커넥터 부재이며 도 3b 및 3d에 도시된 바와 같이 연속적으로 상방으로 직경이 감소하는 다수의 일반적인 원통형부(96,97,98, 및 99)를 포함하며 제 1 커넥터 소자(76a)는 또한 상부(101)를 포함한다. 제 1 커넥터 부재(76a)에 제공된 원통형부는 도 3a에 도시된 계단형 구멍(88)의 원통형부(91 내지 94)에 상보적인 크기 및 형상이며, 도 3으로부터 이해된 바와 같이, 계단형 구멍(88)의 원통형부(91 내지 94)에 수용되기 위한 것이다. 도 3a로부터 특히 지적된 바와 같이, 계단형 구멍(88)의 원통형부(93)에는 도 3b에 도시된 바와 같이 제 1 커넥터 소자(76a)의 내부 나사부 및 계단형 부분(98)이 제공되며, 외부 나사부가 제공된다. 제 1 몰리브덴 커넥터 소자(76a)는 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 커넥터 소자(76a)에 제공된 외부 나사부(도 3b)와 계단형 구멍(도 3a)에 제공된 내부 나사부 사이의 나사결합에 의하여 척 몸체(72)에 기계적으로 연결된다. 또한 바람직한 실시예에서 제 1 커넥터 소자(76a)(도 3b 내지 3d)의 상부(101)가 제 1 커넥터 부재(76a) 및 척 몸체(72) 사이에 공기 간극을 방지하기 위하여 납땜에 의하여 매립된 전극(73)(도 3)에 기계적 및 전기적으로 연결되는 것으로 이해되며, 제 1 커넥터 소자(76a)에 제공된 원통형부는 척 몸체에 납땜 결합될 수 있다. 제 1 커넥터 소자(76a)는 RF 전류 전도를 위하여 금, 은, 니켈, 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 도전성 물질의 적당한 도금이 제공되며, 선택적으로 RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다.
도 3e에 도시된 바와 같이, 제 2 커넥터 부재(76b)는 상단부(103) 및 하단부(104)를 갖으며 상기 상단부로부터 하단부로 하방으로 직경이 감소하는 형상인 일반적인 절두 원추형상(frusto-conical)이다. 바람직한 실시예에서, 제 2 스테인레스 강 커넥터 소자(76b)는 하단부(104)로부터 상단부(103)를 향하여 상방으로 연장되는 일반적으로 중앙에 형성된 블라인드 구멍(105)이 제공되며, 상기 구멍(105)에는 도 3에 도시된 바와 같이 바나나형 암 잭 소켓이 제공되며, 상보적 탄성 바나나형 커넥터로 고려된다. 제 2 커넥터 소자(76b)(도 3e)의 상단부(103)로부터 상방으로 연장되는 부분은 일체로 형성되며, 상방으로 연장되는 원통형 부재(106)는 제 1 커넥터 소자(76a)의 중심에 일반적으로 형성되고 상방으로 연장되는 구멍(109)에 제공된 내부 나사부(108)(도 3d)를 나사 결합하기 위하여 소자 외부 나사부(107)가 제공된다. 이 같은 나사 결합부는 도 3에 도시된 바와 같이 제 1 커넥터 소자(76a) 및 제 2 커넥터 소자(76b)를 기계적 및 전기적으로 상호 연결된다.
도 3에 도시된 바와 같이 제 2 커넥터 부재(78)는 스테인레스 강으로 제작된 제 1 및 제 2 전기적 전도성 커넥터 소자(110a 및 110b)로 구성된 복합물이다. 제 2 커넥터 부재(78)의 구조는 도 3f에 더 자세히 도시되었으며 바람직한 실시예에서 탄성 스테인레스 강 또는 스프링 강의 길이인 종방향으로 연장되는 중실 중앙 코어(112)를 포함하며 제 1 커넥터 부재(76) 특히 제 2 커넥터 소자(76b)와 제 2 커넥터 부재(78)의 블라인드 조립을 강화하기 위하여 가요성 및 강성을 가진 제 2 커넥터 부재(78)를 주로 제공하기 위한 것이다. 또한, 도 3f에 도시된 바와 같이 제 2 커넥터 부재(78)는 다수의 종방향으로 연장되는 꼬아진 전기 커넥터(114)를 포함하며 바람직한 실시예에서는 중심주(112) 주위에 싸여진 다수의 단단히 감겨진 꼬아진 구리 전도체를 포함한다. 전형적인 전도성 전도체 소자(110a)는 내부로 연장되는 블라인드 구멍(110c) 및 상기 제 1 블라인드 구멍의 내부로 연장되는 제 2 블라인드 구멍(110d)이 제공된다. 도전성 소자(110b)는 이 같은 블라인드 구멍과 유사하게 형성된다는 것이 이해될 것이다. 종방향으로 연장되는 다수의 꼬아진 전기 전도체(114)의 하단부는 블라인드 구멍(110c)에 수용되며, 꼬아진 전기 커넥터(114)의 하단부 및 중실 중심주(112)가 납땜에 의하여 전도성 커넥터 소자(110a)에 연결된 후에 중실 중심주(112)의 하단부는 블라인드 구멍(110d)에 수용된다. 꼬아진 전기 커넥터(114)의 상단부 및 중실 중심주(112)는 동일한 방식으로 전도성 커넥터 소자(110b)에 결합된다. 또한, 제 2 커넥터 부재(78)는 다수의 꼬아진 구리 전기 전도체(114)를 둘러싸는 가요성 전도성 랩(116)을 포함하며, 가요성 전도성 랩(116)은 다수의 꼬아진 구리 전기 전도체(114) 사이의 임의의 공기 간극을 제거하기 위한 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 제 1 커넥터 소자(110b)는 탄성 바나나형 커넥터, 즉 탄성 바나나형 수 잭(118)이 제공되며, 제 2 커넥터 소자(110a)는 탄성 바나나형 수 잭(120)이 제공된다. 상부 탄성 바나나형 수 잭(118)은 제 1 커넥터 소자(76a)에 형성된 구멍(105)(도 3e 참조)으로 삽입되기 위한 것이며, 전술된 바와 같이, 구멍(105)에는 바나나형 암 잭 소켓을 제공한다. 구멍(105)에 의하여 제공된 탄성 바나나형 수 잭(118) 및 바나나형 암 잭 소켓은 블라인드 조립 공정동안 각도 오정렬 상태에 대하여 동일한 장점을 제공한다. 즉, 도 2에 도시 및 전술된 제 1 반도체 웨이퍼 척 실시예에 포함된 탄성 바나나형 수 잭(62) 및 바나나형 암 잭 소켓(54)이 제공하는 것처럼 감소된 삽입 및 인출력 및 일치하는 전기적 영역 접촉을 제공한다. 도 3에 도시된 바와 같이 하부 탄성 바나나형 수 잭(120)이 기계적 및 전기적 연결을 위하여 전기 커넥터(123)에 제공된 바나나형 암 잭 소켓(120)에 수용될 수 있다. 전기 커넥터(123)는 전기 전도체(35)에 의하여 RF 바이어스 전력(30) 및 DC 척킹 전압(32)의 적당한 공급원에 연결된다.
또한 도 3에 도시된 바와 같이, 냉각판(80)은 계단형 구멍(130)이 형성되며 이 계단형 구멍(130)은 냉각판(80)을 통하여 연장된다. 탄성 절연체(83)는 제 1 커넥터 부재(76) 및 제 2 커넥터 부재(78)를 갖는 제 1 커넥터 소자(110b)를 포함하는 제 2 커넥터 부재(76b)에 단단히 결합하며 냉각판(80)과 커넥터 소자(76b 및 110b) 사이의 공기 간극을 제거한다. 제 2 커넥터 소자(76b)는 내부로 연장되는 일반적인 고리형 만입부(108)(특히 도 3e 참조)를 제공하며 절연체(83) 및 제 2 커넥터 소자(76b) 사이의 단단한 결합 고정 또는 결합 강화를 위하여 만입부(102)내에 수용되기 위하여 절연체(83)에는 외측으로 연장되는 일반적인 고리형 마루부 또는 돌출부(111)(도 3)가 제공된다. 유사하게, 탄성 절연체(84)는 둘러싸며 가요성 전도성 랩(116) 및 제 1 커넥터 소자(110b) 및 제 2 커넥터 소자(110a)의 부분에 단단하게 결합되며 이 같은 소자와 냉각판(80) 사이의 공기 간극을 실질적으로 제거한다. 이 같은 공기 간극의 제거는 부수적으로 파괴적인 RF 단락을 가진 금속 피복(metal deposition)이 발생되는 RF 아킹(arcing)을 실질적으로 제거한다.
커넥터(74)를 포함하는 도 3에 도시된 반도체 웨이퍼 척(70)이 일반적으로 유용한 반면, 고온 반도체 웨이퍼 척 및 커넥터로서 특히 유용하다. 공지된 바와 같이, 임의의 반도체 웨이퍼 공정은 반도체 웨이퍼 척이 약 200℃로부터 약 500℃에서 작동될 것이 요구되는데, 예를 들면 약 350℃이다. 도 3에 도시된 바와 같이 만약 척(70)의 척 몸체(72)가 약 350℃의 온도로 가열되며, 척 몸체의 이 같은 열이 커넥터(74)에 의하여 제 2 커넥터 부재(78)의 하단부 또는 말단부에 제공된 탄성 바나나형 수 잭(120)으로 실질적으로 전달 또는 전도된다면, 일반적으로 상업적으로 이용가능하지 않으며 통상적으로 비용이 많이 들며, 고온 전기 커넥터(123) 및 전기 전도체(35)는 탄성 바나나형 잭(120)을 RF 바이어스 전력(30) 및 DC 척킹 전압(32)의 공급원에 연결하는 것이 요구된다. 바람직한 실시예에서, 전술된 바와 같이 커넥터 부재(76)의 제 2 커넥터 소자(76b) 및 제 2 커넥터 부재(78)의 커넥터 소자(110a 및 110b) 및 중실 중심주(112)(도 3f)는 스테인레스 강으로 제작됨으로써 척 몸체(72) 및 제 1 커넥터 소자(76a)로부터 하부 탄성 바나나형 수 잭(120)으로 전달된 열을 감소시키기 위한 열 임피던스를 제공한다. 전파 공학용 참조 데이터(REFERENCE DATA FOR RADIO ENGINEERS), 제 4 판, 저작권 1943, 1946 및 1949 연방 전화 및 전파 코퍼레이션(Federal Telephone and Radio Corp.), 페이지 45에 제시된 바와 같이, 인발가공된 몰리브덴은 1.46의 열 전도 계수를 가지며 스테인레스 강[18-18 스테인레스(0.1, 18CR, 8Mi 나머지 Fe)]은 0.163의 열 전도 계수를 가지며 또는 몰리브덴의 열 전도 계수의 약 11%를 가진다. 따라서, 스테인레스 강 제 2 커넥터 소자(76b) 및 제 2 커넥터 부재(78)의 스테인레스 강 성분은 제 2 커넥터 부재(78)의 하부에 제공된 탄성 바나나형 잭(120)에 전달되는 척 몸체(72) 및 제 1 몰리브텐 커넥터 소자(76a)의 열 온도를 줄이는 열 임피던스를 제공한다.
반도체 웨이퍼 척(70) 및 커넥터(74)가 고온 척 및 커넥터일 때, 바람직한 실시예에서 도 3에 도시된 탄성 실리콘 절연체(83 및 84)는 열 전도성 첨가제를 포함하는 적당한 고온 실리콘으로 제작된다. 이 같은 고온 실리콘은, 예를 들면, 미치칸, 미드랜드의 다우 코닝 코퍼레이션(Dow Corning Corporation of Midland, Michigan)으로부터 이용가능한 다우 코징 23035-티 레드(DOW CORNING 23035-T RED) 고온 실리콘일 수 있다. 도 3에 도시 및 전술된 바와 같이, 고온 탄성 절연체(83)는 제 1 커넥터 소자(76b)를 둘러싸고 결합되며, 제 2 커넥터 부재(78)의 상부를 둘러싸고 결합되며 또한 냉각판(80)에 결합된다. 고온 탄성 절연체(84)는 제 2 커넥터 부재(78)의 일반적인 중심부 및 냉각판(80)을 둘러싸고 결합된다. 따라서, 이 같은 고온 탄성 절연체는 냉각판으로부터 제 2 커넥터 소자(76b) 및 제 2 커넥터 부재(78)의 상부를 전기적으로 절연하기 위하여 충분히 비전도적이며 이 같은 절연체는 제 2 커넥터 소자(76b) 및 제 2 커넥터 부재(78)의 일반적인 중심부 및 상부로부터 냉각판(80)으로 열을 전달하기 위하여 충분히 전열적이다. 반도체 웨이퍼 척(70)이 작동될 때, 예를 들면, 전술된 350℃의 상승된 온도에서, 제 2 커넥터 부재(78)의 하단부에 제공된 탄성 바나나형 수 잭(120)에서의 온도를 약 50℃로 감소시키기 위하여 제 2 커넥터 소자(76b)에 의하여 제공된 열 임피던스와 결합된 고온 탄성 절연체는 제 2 커넥터 소자(76b) 및 제 2 커넥터 부재(78)로부터 충분한 열을 전달하며 그럼으로써 전기 커넥터(123) 및 전기 전도체(35)는 상업적으로 이용가능하며 상대적으로 가격이 싼 부품일 수 있다.
도 3을 다시 참조하면, 본 발명의 선택적인 실시예에서, 제 1 및 제 2 도전성 커넥터 소자(110a 및 110b)는 베릴륨 구리이며 RF 전류용은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층으로 코팅된다. 또한, 이 선택적 실시예는 도 3에 도시된 동일한 구조적 소자 및 도 3에 관하여 상술된 초기 발명 실시예에 관하여 전술된 것과 실질적으로 동일한 방식의 기능을 포함한다.
또한 도 4에 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼 척(130)은 본 발명을 구체화하며 추가적인 선택적 실시예이다. 반도체 웨이퍼 척(130)은 도 3에서 도시 및 전술된 반도체 웨이퍼 척(70)을 갖춘 많은 구조적 소자를 포함하며, 참증의 편의를 위해 척(70)을 포함하는 것과 동일한 척(130)을 포함하는 소자는 동일한 도면 번호가 주어졌으며 동일한 기능을 수행하는 것으로 이해될 것이다. 따라서, 척(70)을 갖는 것과 다른 척(130)을 포함하는 소자만이 상술될 것이다. 커넥터(134)는 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 척 전극(73)으로 연결하며, 이 커넥터 발명 실시예에서 커넥터(134)는 도 3에 도시 및 전술된 제 1 커넥터 부재(136) 및 제 2 커넥터 부재(78)를 포함한다. 제 1 커넥터 부재(136)는 제 1 커넥터 소자(138) 및 제 2 커넥터 소자(139)를 포함한다. 제 1 커넥터 소자(138)는 납땜 결합에 의하여 매립된 전극(73)에 기계적 및 전기적으로 연결될 수 있으며 몰리브덴으로 제작되며 RF 전류 전도용 금, 은, 니켈 및 구리로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적당한 도금 물질로 적당히 도금될 것이다. 도 4a에 자세히 도시된 제 2 커넥터 소자(139)는 상부, 하부 중공 원통형 부재(142), 및 상방으로 연장되는 중실 원통형 중간 부재(143)를 포함하는데, 하부 원통형 부재(142)의 직경보다 작은 지경을 갖는다.제 2 커넥터 소자(139)는 도 3e에 도시 및 전술된 제 2 커넥터 소자(76b)와 동일한 방식으로 열 임피던스를 제공하기 위하여 스테인레스 강으로 제작되며, 하부 중공원통형 부재(142)는 상방으로 연장되는 블라인드 구멍(145)(도 4a)이 제공되며 이 구멍(145)은 탄성 바나나형 수 소켓(118)을 수용하기 위한 바나나형 암 잭 소켓이 제공되며, 구멍(145)은 상보적 탄성 바나나형 커넥터로서 고려된다.
도 4b에 자세히 도시된 반도체 웨이퍼 척(130)은 단열 부재(140)를 포함하며, 이 단열 부재(140)는 상부 고리형상 또는 원통형부(152), 내부 하방으로 테이퍼지며 통합적으로 형성된 하부 일반적인 사다리형상부(154)를 포함하며, 제 2 커넥터 소자(139)의 중실 원통형부(143)를 수용하기 위하여 연장되는 종방향 구멍(155)을 갖으며, 사다리형상부(154)는 제 2 커넥터 소자(139)의 중공 원통형부(142)를 수용하기 위하여 형성되며 상방으로 연장되는 구멍(156)을 갖는다. 단열 부재(140)는 예를 들면 알루미나와 같은 적당한 저 열 전도성 부재(140)로 제작되며, 냉각판(80)으로부터 제 2 커넥터 소자(139)의 중실 원통형 부재(143)를 적어도 전기적으로 절연시키기 위한 것이며 단열 부재(140)는 도 3e에 도시 및 전술된 제 2 커넥터 소자(76b)에 제공된 내부적으로 연장되는 홈(108)과 동일한 목적을 가진 내부적으로 연장되는 홈(158)이 제공될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따른 척 몸체(144)는 척 몸체의 하부로부터 척 부재의 상부를 향하여 상방으로 연장되며 매립된 전극(73)으로 개방된 일반적으로 중심에 형성된 계단형 구멍(150)이 제공된다. 계단형 구멍(150)은 직경이 연속적으로 상방으로 감소하는 2개의 상방으로 연장되는 원통형부를 포함하며 도 4로부터 제 1 커넥터 소자(138)가 구멍(150)의 상부 원통형부에 수용되며 단열 부재(140)의 상부 고리 또는 중공 원통형부(152)는 계단형 구멍(150)의 하부 원통형부에 위치하며 세라믹을 서로 접착하기 위하여 적당한 고온 접착 물질(154)의 고리형 몸체에 의하여 세라믹 척 몸체(72)에 접착된다. 이 같은 접착은 커넥터(134), 특히 제 2 커넥터 소자(39)에 향상된 강성, 및 제 2 커넥터 부재(139)와 척 몸체 사이의 RF 아크 억제기능을 제공하며, 특히 상부 제 1 커넥터 부재(138)와 매립된 전극(73) 사이의 기계적 및 전기적 상호 연결을 파괴시키거나 손상시키는데 필요하며 제 1 커넥터 부재(134)와 제 2 커넥터 부재(78)의 블라인드 조립시 오정렬에 의해 발생되는 힘의 양을 증가시킨다.
도 4를 다시 참조하면, 도 4에 도시된 실시예에 대한 선택적인 일 실시예에서, 제 1 및 제 2 도전성 커넥터 소자(110a 및 110b)는 베릴륨 구리이며 RF 전류 전도를 위하여 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층으로 코팅된다. 또한, 이 선택적 실시예에서, 도 4에 도시된 구조적 소자는 동일하며 이 선택적 실시예는 도 4에 대하여 상술된 이전의 실시예에 대하여 전술된 것과 실질적으로 동일한 기능을 한다.
도 5를 참조하면, 반도체 웨이퍼 척(220)은 본 발명을 구체화하며 다른 실시예이다. 반도체 웨이퍼 척(220)은 도 3내지 4에 도시 및 전술된 동일한 일반적 유형인 척 몸체(162), 척 몸체에 매립된 전극(73), 전극 커넥터(165), 냉각판(167)을 포함하며 또한 커넥터(230)는 본 발명을 구체화한다. 척 몸체(162)는 알루미늄 질화물일 수 있으며, 전극(73)은 몰리브덴 메쉬 전극일 수 있으며, 냉각판(167)은 알루미늄일 수 있으며, 전극 커넥터(165)는 매립된 전극(73)에 RF 바이어스 전력을 전도하기 위한 도전성 물질이 도금된 몰리브덴 전극 커넥터일 수 있으며, 도금 물질은 은, 금, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 것일 수 있으며, 선택적으로 RF 전류 전도 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다. 커넥터 전극 커넥터(165)는 납땜 결합과 같은 것에 의하여 기계적 및 전기적으로 전극(73)에 연결된다. 전극 커넥터(165)는 척 몸체(162)로 상방으로 연장되며 전극(73)에 개방되는 중심에 형성된 계단형 일반적인 원통형 구멍(168)에 수용된다. 커넥터(230)는 제 1 커넥터 부재(231)(도 6 참조), 제 2 커넥터 부재(232)(도 7 참조), 및 제 3 커넥터 부재(233)(도 8 참조)를 포함한다. 일반적으로, 도 5에도시된 바와 같이, 커넥터 부재(231)는 냉각판(167)에 척 몸체(162)의 블라인드 조립시 커넥터 부재(232)의 상부에 삽입되며 커넥터 부재(233)는 커넥터(230)를 통하여 공급원(30)으로부터 RF 바이어스 전력 및 공급원(32)으로부터 DC 척킹 전압을 매립된 전극(73)으로 연결하기 위하여 커넥터 부재(232)의 상부로 삽입되기 위한 것이다. 냉각판(167)은 상세하게 후술되는 방식으로 커넥터(230)를 결합하기 위한 고리형 결합 표면(167c)을 형성할 수 있도록 상대 구멍(counter bore;167b)이 상부에 제공되는 중심에 형성되는 일반적인 원통형 구멍(167a)이 제공된다.
특히 도 6에 도시된 커넥터 부재의 상세한 구조를 참조하면, 커넥터 부재(231)는 중실, 일반적 원통형 커넥터 부재이며, 바람직한 실시예에서, 커넥터 부재(231)를 전극 커넥터(165)로 기계적 및 전기적으로 상호 연결하여 매립된 전극(73)으로 연결하기 위하여 전극 커넥터(165)로 상방으로 연장되는 구멍(186)에 제공된 내부 나사부에 나사 결합하기 위하여 통합적으로 형성되고 상방으로 연장되며 외부에 나사가 형성된 돌출부(185)를 가진 상부에 제공되는 스테인레스 강이다.도 6에 도시된 바와 같이, 커넥터 부재(182)의 하부 또는 말단부(189)는 일반적인 원뿔형 또는 테이퍼형 수 커넥터 또는 수 커넥터 부재이며 탄성 바나나형 암 커넥터를 수용하기 위한 상보적 탄성 바나나형 커넥터인 것으로 이해될 것이다. 커넥터 부재(231)는 RF 전류 전도용 적당한 도전성 물질로 도금되며 은, 금, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 것일 수 있으며, 바람직한 실시예에서, 도금 물질은 은이다.
도 7 및 커넥터 부재(232)의 상세한 구조를 참조하면, 커넥터 부재(232)는 내부 또는 제 1 커넥터 소자(236) 및 외부 또는 제 2 커넥터 소자(238)를 포함한다. 제 1 커넥터 부재(236)는 중실 일반적인 중심부를 포함하며 탄성 바나나형 커넥터, 즉 적당한 탄성 바나나형 암 커넥터(199a 및 199b)이 각각 결합되는 통합적으로 형성된 일반적인 중공 또는 고리 원통형부(196a 및 196b)가 대응된 또는 상단부 및 하단부에 제공되며, 탄성 바나나형 암 커넥터(199a 및 199b)는 바나나형 커넥터 및 중공 원통형부를 커넥터 부재(236)와 기계적 및 전기적인 결합에서 중공 원통형부(196a 및 198b)로 적당히 가압 조립된다. 바람직한 실시예에서 제 1 커넥터 소자(136) 및 탄성 바나나형 암 커넥터(199a 및 199b)는 베릴륨 구리이며, RF 전류 전도를 강화하기 위하여 도전성 물질이 도금될 수 있으며, 도전성 물질은 은, 금 및 니켈로 구성된 그룹으로부터 선택된 것일 수 있으며, 선택적으로 RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다. 제 2 커넥터 부재(238)는 일반적인 중공 원통형 커넥터 부재이며 냉각판(167)(도 5)으로부터 커넥터 소자를 전기적으로 절연시키고 그 사이의 공기 간극 및 RF 아킹(arcing)을 제거하기 위한 절연체이다. 바람직한 실시예에서, 제 2 커넥터 부재(238)는 탄성 커넥터 소자이며 제 1 커넥터 부재(236)을 단단히 수용하기 위하여 내부에 일반적인 원통형 구멍(238a)이 제공된다. 바람직한 실시예에서 제 2 커넥터 소자(238)는 도 3에 도시된 바와 같이 탄성 실리콘 절연체(83 및 84)에 대하여 전술된 유형의 열 전도성 접착제를 포함하는 고온 실리콘의 몸체이다. 바람직한 실시예에서 제 2 실리콘 전도체 소자(238)는 내부 커넥터 소자(236)의 외표면 에 밀접하게 접촉되도록 제 1 전도체 소자(236) 주위 적소에 몰드되며 이 같은 밀접 접촉은 제 1 내부 커넥터 소자(236)와 제 2 외부 커넥터 소자(238) 사이의 RF 아킹을 방지한다.
커넥터 부재(233)의 상세한 구조는 도 8에 도시된다. 커넥터 부재(233)는 상보적 탄성 바나나형 커넥터인 테이퍼형 또는 원뿔형 수 커넥터 또는 수 커넥터 부재(207)가 상단부에 제공되는 중실 일반적인 원통형 커넥터 소자이며 커넥터 소자(236)(도 7)의 하부에 제공된 탄성 바나나형 암 커넥터(199b)내에 수용된다. 바람직한 실시예에서 커넥터 부재(233)는 구리 또는 베릴륨 구리이며, RF 전류 전도를 강화하기 위하여 커넥터 부재(233)는 은, 금 및 니켈로 구성된 그룹으로부터 선택된 도전성 물질로 도금되며, 선택적으로 RF 전류 전도용 도금 물질은 니켈, 구리, 니켈 및 금의 연속 층일 수 있다.
도 7, 7a 및 9에 도시된 바와 같이, 커넥터 부재(232)는 열 전도성 링(202)을 포함하며 바람직한 실시예에서 구리 링이며, 열 전도성 링(202)은 실리콘 제 2 커넥터 소자(238)의 일 부분에 둘러싸이거나 매립된다. 도 9에 도시된 열 전도성 링(202)은 도 5에 도시된 전형적인 나사 볼트(202d)와 같은, 열 전도성 링을 통하여 연장되는 나사 볼트를 가지는 다수의 홀 또는 구멍(202a, 202b,202c)이 제공되며, 커넥터 부재(232)를 냉각판(167)(도 5)에 기계적으로 결합하기 위한 것이다. 특히 도 5에 도시된 바와 같이, 열 전도성 링(202) 및 커넥터 부재(231)는 고리형 결합 표면(167c)으로 내부적으로 연장되는 대응 나사 구멍에 나사 결합하는 나사 볼트, 예를 들면 전형적인 나사 볼트(202d)에 의하여 고리형 결합 표면(167c)에 결합된다. 구멍(202a 내지 202d)에 수용되는 볼트를 통하여, 금속 링(202)은 커넥터 부재(232)가 냉각판(167)으로 기계적으로 안정되게 결합하며, 그러나, 금속 링(202)은 외부 탄성 실리콘 커넥터 소자(238)의 일부분에 의하여 둘러 싸이거나 매립되므로, 탄성 실리콘 커넥터 소자(238)는 커넥터 부재(232) 및 냉각판(167) 사이가 상대적으로 충분하게 이동되도록 하기 위하여 충분히 변형이 가능하거나 탄성적이 됨으로써 커넥터 부재(232)와 냉각판(167)과 함께 척 몸체(162)와 커넥터 부재(231)의 블라인드 조립시 커넥터 소자(236)의 상부에 제공된 탄성 바나나형 암 커넥터(199a)로 커넥터 부재(231)(도 6)의 단부에 제공된 수 커넥터 부재(189)의 삽입을 용이하게 한다. 도 5에 도시된 바와 같이, 실리콘 커넥터 부재(238)의 이 같은 변형성 및 가요성은 또한 커넥터 부재(232)로부터 커넥터 부재(231)의 인출 및 커넥터 부재(232) 및 냉각판(167)로부터 척 몸체(162)와 커넥터 부재(2321)의 분해를 용이하게 한다. 이 같은 조립 및 분해는 도 5에 이중 화살표(214)로서 표시된다. 유사하게, 탄성 실리콘 제 2 커넥터 소자(238)는 척 몸체(162)에 제공된 매립된 전극(73)으로 및 부터 커넥터(230)를 통하여 RF 공급원(30) 및 DC 공급원(32)의 결합 및 분리(도 5)를 위한 커넥터 부재(233)의 상부에 제공된 수 금속 커넥터 부재(207)의 삽입 및 인출을 용이하게 하기 위하여 커넥터 부재(232)의 하부내에 탄성 바나나형 암 커넥터(199b)의 적어도 약간 이동되도록 한다. 탄성 바나나형 암 커넥터(199b) 및 수 커넥터 부재(207)의 삽입 및 인출, 조립 및 분해는 도 5의 하부에 이중 화살표에 의하여 표시된다.
커넥터 부재(232)의 상부 및 하부에 제공된 탄성 바나나형 암 커넥터(199a 및 199b)로 커넥터 부재(231 및 233)에 각각 제공된 수 커넥터 부재(189 및 207)의 삽입에 의하여 이 같은 커넥터 부재들을 기계적 및 전기적으로 상호 연결되며 특히 블라인드 조립공정시 탄성 바나나형 암 커넥터(199a 및 199b)가 커넥터 부재(231, 232 및 233) 사이에 각도 오정렬 상태로 수용되며, 탄성 암 바나나형 커넥터(199a 및 199b)는 수 커넥터 부재(189 및 207)과 접촉하는 실질적으로 일치되는 기계적 및 전기적 영역 또는 표면을 제공하며 도 1에 도시 및 전술된 핀 및 콜릿 커넥터 부재 상호 연결에 비하여 낮은 삽입 및 인출력이 제공된다는 것이 이해될 것이다.
도 5의 반도체 웨이퍼 척(220) 및 커넥터(230)가 일반적으로 유용한 반면, 고온 반도체 웨이퍼 척 및 전도체로서 특히 유용하다. 전술되었듯이, 임의의 반도체 웨이퍼 공정에서, 반도체 웨이퍼 척(220)은 상승된 온도, 즉 약 200℃에서 약 500℃ 및 예를 들면 약 350℃에서 작동된다. 만약 예를 들면 도 5에 도시된 척(200)의 척 몸체(162)가 약 350℃의 온도로 가열되며, 척 몸체(162)의 열이 커넥터(230)에 의하여 도 5에 도시된 커넥터 부재(233)의 하부 또는 말단부(175)로 실질적으로 전달 또는 전도된다면, 일반적으로 상업적으로 이용가능하지 않으며, 통상적으로 비용이 많이들며, 고온 전기 커넥터(123) 및 전도체(35)는 하부 커넥터 부재(233)를 RF 바이어스 전력(30) 및 DC 척킹 전압(32)의 공급원으로 연결하는 것이 요구된다. 바람직한 실시예에서, 전술된 바와 같이, 커넥터 부재(231)(도 6)는 척 몸체(162)로부터 도 5의 커넥터 부재(233)의 하부에 제공된 수 커넥터 부재(189)로 전달된 열을 감소시키기 위한 열 임피던스를 제공할 수 있도록 스테인레스 강으로 제작된다. 전술된 바와 같이, 스테인레스 강[18-18 스테인레스(0.1℃, 18CR, 8Mi 나머지 Fe)]은 0.163의 열 전도 계수 또는 바람직한 실시예에서 몰리브덴으로 제작된 전극 커넥터(165)의 열 전도성 계수 의 약 11%를 갖는다. 또한 반도체 웨이퍼 척(220)이 예를 들면 약 350℃에서 작동될 때 및 커넥터(230)가 고온 전도체일 때, 커넥터 부재(232)(도 7)의 탄성 실리콘 커넥터 소자(238)는 도 3에 도시 및 전술된 탄성 실리콘 절연체(83 및 84)로서 열 전도성 접촉제와 동일한 고온 실리콘으로 제작된다는 것이 본 발명에 의하여 이해될 것이다. 그러므로 탄성 고온 실리콘 제 2 커넥터 소자(238)는 다음과 같은 2개의 기능을 하는 것으로 이해될 것이다. 첫째 기능은 도 5에 도시된 바와 같이, 냉각판(167)으로부터 커넥터 부재(232)의 내부 또는 제 1 구리 커넥터 소자(236)를 전기적으로 절연할 수 있도록 충분하게 전기적으로 비 전도성이라는 것이며, 둘째 기능은 내부 또는 제 1 구리 커넥터 소자(236)로부터 냉각판(167)으로 열을 전달할 수 있도록 충분하게 단열성이라는 것이다. 따라서, 커넥터 부재(231)는 스테인레스 강이며 전술된 열 임피던스가 제공될 때, 실리콘 커넥터 부재(238)가 고온 열 전도성 실리콘일 때, 및 냉각판(167)에 의하여 전달된 열을 제어하기 위하여 기술 분야에 공지된 방법으로 냉각판(167)이 작동될 때, 고온 척(160)이 약 350℃에서 작동되며 구리 커넥터 부재(233)의 말단부(175)에서 온도가 약 50℃이므로 커넥터 부재(232)의 이 같은 열 임피던스 및 고온 실리콘 커넥터 부재(238)의 열 전도성은 약 300℃의 차로 구리 커넥터 부재(233)에 전달된 열의 온도를 감소시키거나 강하시킨다. 그러므로 전기 커넥터(123) 및 전도체(35)는 그 비용이 상당히 절감됨으로써 상업적으로 이용가능한 커넥터 및 도체가 된다. 도 5 및 7 그리고 특히 도 5에 도시된 본 발명의 실시예를 다시 참조하면, 본 발명의 실시예는 커넥터 부재(232)로부터 냉각판(167)으로 강화된 열 전달을 제공하는 비대칭 형상을 포함하는 것이 이해될 것이다. 열 전도성 링(238)(도 7)은 커넥터 부재(232)의 상부 및 하부 사이의 중간에 위치하지 않는 대신, 커넥터 부재(232)의 거의 상부에 위치함으로써 커넥터 부재(232)는 비대칭형상으로 이해될 것이다. 유사하게, 도 5로부터, 고리형 결합 표면(167c)은 냉각판(167)의 상부 및 하부 사이의 중간에 위치되지 않는 대신, 냉각판의 거의 상부에 위치되며 그러므로 냉각판(167)의 결합 표면(167c)은 비대칭형상인 것으로 이해될 것이다. 이 비대칭 형상은 도 5에 도시된 바와 같이, 대향되는 커넥터 부재(232)를 포함하는 커넥터 소자(236 및 238)의 대다수의 대략적인 수직 정도 및 냉각판(167)의 대다수의 수직 정도를 발생시킨다. 따라서, 이 비대칭형상은 커넥터 부재(232)의 내부 커넥터 소자(236) 및 외부 커넥터 소자(238)로부터 냉각판(167)으로의 열의 전달을 강화시키며 그러므로 만약 열 전도성 링(238) 및 고리형 결합 표면(167c)이 각 구조의 상부 및 하부 사이의 중간에 위치될 때 전달된 열보다 더 많은 열이 이 커넥터 소자들로부터 냉각판으로 전달되는 것이 이해될 것이다.
본 발명의 커넥터(230)에 의하여 제공된 장점은 도 10에 의하여 더욱 이해된다. 도 10은 커넥터 부재(232)로 삽입된 커넥터 부재(231)가 도시되며, 특히, 커넥터 부재(231)의 하부가 도시되며, 특히 탄성 바나나형 암 커넥터(199a)와 기계적 및 전기적인 결합으로 놓이거나 삽입된 원뿔형 또는 테이퍼형 수 커넥터 부재(189)가 도시된다. 일 실시예에서, 커넥터 부재(231)는 0.198 인치의 외경을 가지며 커넥터 소자(236)와 통합적으로 형성된 고리 원통형 상부(196a)는 0.235 인치의 내경을 가진다. 따라서, 도 10으로부터 이해되는 바와 같이, 커넥터 부재(231)가 커넥터 소자(236)의 상부 고리형상부(196a)로 삽입될 때, 고리형 공기 간극은 커넥터 부재(231)의 하부 및 커넥터 소자(236)의 고리형 원통형부(196a) 사이에 존재한다. 그러나, 전술된 바와 같이, 내부로 형성된 상부 중공 원통형부(196a), 탄성 암 바나나형 커넥터(199a) 및 커넥터 부재(231)를 포함하는 커넥터 소자(236)는 도전성 물질로 제작되며, 커넥터 소자는 전술되고 도 10에 도시된 커넥터 부재 결합과 같이 전기적으로 상호 연결되므로, 커넥터 부재(231), 탄성 가요성 암 바나나형 커넥터(199a) 및 커넥터 소자(236)의 상부 중공 원통형부(196a)는 척 전극(73)에 DC 척킹 전압 및 RF 전력을 연결하는 커넥터(230)(도 5)에 동일한 전기적 퍼텐셜상에 있으며, 그러므로 커넥터 소자(236)의 상부 고리형상부(196a)에 있는 커넥터 부재(231) 사이의 RF 아칭은 실질적으로 제거될 것이다.
도 10으로 부터 커넥터 부재(231)의 외경과 커넥터 소자(238)의 하부 중공 원통형부(196a)의 내경 사이의 차이는 척 몸체(162)(도 5) 및 커넥터 부재(232)를 갖춘 커넥터 부재(231)의 블라인드 조립을 더욱 용이하게 한다.
또한 본 발명의 장점은 도 10으로부터 및 DC 척킹 전압 및 RF 전류 또는 전력을 척 전극(73)에 연결하는 커넥터(230)(도 5)에 접지된 냉각판(167) 및 커넥터 부재(231)사이에 존재하는 전기장을 도시한 화살표(242 및 244)로부터 이해될 것이다. 냉각판(167)이 통상적으로 접지되므로, 때때로 기술분야에서 접지면으로서 지칭되는 것은 열 전도성 구리 링(202) 및 접지된 냉각판(167) 사이의 수평 점선(250)에 의하여 표시된 전형적인 접지면에 의하여 도시된다. 그러나, 다시 커넥터 소자(238)의 상부 연장되며, 일반적인 중공 고리형 원통형부(1296a)에 의하여, 화살표(242 및 244)에 의하여 표시된 전기장은 중공 원통형 커넥터 소자부(196a)의 외부 상단부 상의 대기에 존재하며 그러므로 도 10에 도시된 수직 화살표(252 및 254)에 의하여 표시된 이 같은 전기장 및 접지판(250)의 수직 거리는 매우 커서 이 같은 전기장은 매우 약하게 됨으로써 중공 원통형 커넥터 소자부(196a)상의 커넥터 부재(231)의 상부와 접지된 냉각판(167) 사이의 아킹이 매우 약하게 된다. 그러므로 커넥터 부재(231) 및 접지된 냉각판(167) 사이의 RF 아킹은 실질적으로 제거될 것이다.
본 발명이 단일의 매립된 전극을 포함하는 반도체 웨이퍼 척의 내용이 도시되고 상술되는 반면, 본 발명은 제한되지 않으며 하나의 매립된 전극 이상을 포함하는 반도체 웨이퍼 척에 동등하게 적용가능하다.
비록 본 발명을 구체화하는 다양한 실시예는 본 명세서에서 상세하게 도시되고 설명되었지만, 이 기술 분야의 기술자는 본 발명을 구체화하는 많은 다른 다양한 실시예를 용이하게 안출할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 매립된 척 전극에 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 위하여 개량된 커넥터 및 전술된 커넥터 부재 오정렬 상태의 문제점을 실질적으로 회피하는 적어도 2개의 커넥터 부재를 포함하는 개량된 커넥터를 가진 척을 제공하는 효과가 있다.
또한 본 발명은 반도체 웨이퍼 척의 기술분야에는 전술된 범위의 상대적인 고온에서 작동되는 척 및 적어도 커넥터의 상부와 커넥터의 하부 사이에 전달된 열을 감소시키는 열 임피던스를 포함하는 척 전극으로 DC 척킹 전압 및 RF 바이어스 전력이 적용되는 커넥터를 포함하는 척을 제공하는 효과가 있다.

Claims (51)

  1. 반도체 웨이퍼 척 장치로서,
    척 몸체 및 상기 척 몸체내에 매립된 적어도 하나의 전극; 및
    상기 전극에 전기적 연결을 제공하는 커넥터를 포함하며,
    상기 커넥터는 적어도 제 1 커넥터 부재 및 제 2 커넥터 부재를 포함하며, 상기 제 1 커넥터 부재는 상기 전극에 전기적 및 기계적으로 연결되며, 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재중 하나는 탄성 바나나형 커넥터를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재중 나머지는 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 커넥터에 연결되는 상보적 탄성 바나나형 커넥터를 포함하는 반도체 웨이퍼 척 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공되는 탄성 바나나형 수 잭이며, 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 1 커넥터 부재에 제공되는 바나나형 암 잭 소켓이며, 상기 탄성 바나나형 수 잭이 상기 바나나형 암 잭 소켓으로 삽입될 때 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재는 기계적 및 전기적으로 상호 연결되는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공되는 탄성 바나나형 암 커넥터이며, 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 1 커넥터 부재에 제공되는 수 커넥터 부재이며, 상기 수 커넥터 부재가 상기 탄성 바나나형 암 커넥터로 삽입할 때 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재는 기계적 및 전기적으로 상호 연결되는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 커넥터는 적어도 제 3 커넥터 부재를 더 포함하며, 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 1 커넥터 부재에 제공된 제 1 수 커넥터 부재이며, 상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공된 탄성 바나나형 제 1 암 커넥터이며, 상기 제 1 수 커넥터 부재는 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 제 1 암 커넥터로 삽입되기 위한 것이며, 상기 제 3 커넥터 부재에는 제 2 암 커넥터 부재가 제공되며, 상기 제 3 커넥터 부재에는 제 2 수 커넥터 부재가 제공되며, 상기 제 2 수 커넥터 부재는 상기 제 2 및 제 3 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 제 2 암 커넥터로 삽입하기 위한 것인 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 커넥터 부재는 일반적으로 종방향으로 연장되는 도전성 물질의 제 1 몸체를 포함하며 상기 제 1 몸체는 탄성 바나나형 수 잭을 수용하는 소켓의 형상으로 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터를 제공하며 상방 연장되는 일반적으로 원통형 구멍을 내부에 형성하고 있으며, 상기 제 2 커넥터 부재는 상기 탄성 바나나형 커넥터가 탄성 바나나형 수 잭의 형상으로 제공되는 일단부를 가지는 일반적으로 종방향으로 연장되는 도전성 물질의 제 2 몸체를 포함하며, 상기 탄성 바나나형 수 잭은 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 잭을 수용하는 소켓으로 삽입되기 위한 것이며, 상기 도전성 물질의 제 1 및 제 2 몸체는 RF 바이어스 전력을 상기 전극에 전도하기 위한 도전성 물질로 도금되는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 척 몸체는 상부 및 하부를 가지며 상기 하부로부터 상기 상부를 향하여 상방으로 연장되고 상기 전극으로 개방되며 일반적으로 중심에 형성된 원통형상의 제 1 직경을 갖는 제 1 구멍도 가지며,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 원통형상이며, 상부, 하부 및 상측 부분을 갖으며, 상기 척 몸체와 상기 도전성 물질의 제 1 몸체 사이에 공기 간극을 제공하기 위하여 상기 제 1 직경 보다 작은 제 2 직경을 가지며,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체의 상측 부분은 상기 전도성 물질의 제 1 몸체에 형성되는 상기 원통형 구멍에 일반적으로 수직하며 서로 유체 소통되는 다수의 반경방향으로 배치된 가로방향 진공 구멍이 제공되며,
    상기 원통형 구멍 및 상기 가로방향 진공 구멍에 인입된 진공에 의하여 상기 공기 간극으로 인입된 접착 물질은 상기 공기 간극을 제거하며 상기 도전성 물질의 제 1 몸체 및 상기 척 몸체를 기계적으로 상호 연결하기 위하여 상기 공기 간극에 수용되며,
    상기 도전성 물질의 제 2 몸체는 일반적인 원통형상이며, 상부 및 하부를 가지며 상기 탄성 바나나형 수 잭은 상기 상부에 제공되며,
    상기 장치는 상기 도전성 물질의 상기 제 1 몸체의 상기 상부 중간에 상기 도전성 접착 물질의 몸체를 더 포함하며 상기 도전성 접촉 물질의 몸체는 상기 도전성 물질의 제 1 몸체와 상기 전극을 기계적 및 전기적으로 상호 연결하는 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 척 몸체는 알루미늄 질화물이며, 상기 제 1 커넥터 부재는 몰리브덴으로 된 적어도 일부분을 포함하며, 상기 제 2 커넥터 부재는 스테인레스 강으로 된 적어도 일부분을 포함하며, 상기 제 1 커넥터 부재 및 상기 제 2 커넥터 부재는 RF 바이어스 전력의 전도를 강화하기 위하여 도전성 물질로 도금되며, 상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 부재는 제 1 커넥터 소자 및 제 2 커넥터 소자를 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상기 전극에 기계적 및 전기적으로 연결되는 도전성 물질의 제 1 몸체를 포함하며 제 1 열 전도 계수를 갖으며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 1 커넥터 소자와 상기 제 2 커넥터 부재 사이에 끼여 있으며 상기 제 1 커넥터 소자와 상기 제 2 커넥터 부재에 기계적 및 전기적으로 연결되며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 1 열 전도 계수보다 작은 제 2 열 전도 계수를 가지는 도전성 물질의 제 2 몸체를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 탄성 바나나형 수 잭을 수용하는 소켓의 형상으로 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터에 제공되며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 종방향으로 연장되는 복합물을 포함하며 상기 복합물중 적어도 하나의 재료는 도전성 재료로 된 적어도 하나의 종방향으로 연장되는 제 3 몸체이며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상단부 및 하단부를 가지며 상기 탄성 바나나형 커넥터는 탄성 바나나형 제 1 수 커넥터의 형상으로 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 상단부에 제공되며 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 하단부는 탄성 바나나형 제 2 수 잭이 제공되며,
    상기 도전성 물질의 적어도 제 1 몸체 및 상기 도전성 물질의 제 2 몸체, 상기 탄성 바나나형 제 1 수 잭 및 상기 탄성 바나나형 제 2 수 잭은 RF 바이어스 전력을 상기 전극에 전도하기 위한 도전성 물질이 도금된 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 척 몸체는 상부 및 하부를 가지며 상기 하부로부터 상기 상부를 향하여 상방으로 연장되며 상기 전극으로 개방되는 일반적으로 중심에 형성된 계단형 구멍이 제공되며,
    상기 계단형 구멍은 직경이 연속적으로 상방으로 감소하는 다수의 원통형부를 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상단부 및 하단부를 가지며 계단형 제 1 커넥터 소자이며 직경이 연속적으로 상방으로 감소하는 다수의 일반적인 원통형부를 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 소자의 원통형부는 상기 계단형 구멍의 상기 원통형부에 수가 동일하며 크기 및 형상이 상보적이며 상기 계단형 구멍의 상기 원통형부에 수용되도록 형성되며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상단부 및 하단부를 가지며 형상이 일반적인 절두 원추형상이며 직경이 상기 상단부로부터 상기 하단부로 하방으로 감소하며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상기 하단부로부터 상기 상단부를 향하여 상방으로 연장되는 중심에 형성된 구멍을 제공하며 상기 탄성 바나나형 잭을 수용하는 소켓을 제공하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 장치는 상기 제 1 커넥터 소자의 상기 상부와 상기 전극 중간에 도전성 접착제의 몸체를 포함하며 상기 제 1 커넥터 소자와 상기 전극을 기계적 및 전기적으로 상호 연결하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 계단형 구멍의 상기 원통형부의 적어도 하나에는 제 1 나사부를 제공하며, 상기 제 1 커넥터 소자의 대응하는 원통형부에는 제 2 나사부를 제공하며, 상기 제 1 및 제 2 나사부는 상기 제 1 커넥터 소자 및 상기 척 몸체를 기계적으로 상호 연결하기 위하여 나사 결합되는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 커넥터 소자는 제 3 나사부가 제공된 상방으로 연장되는 구멍이 제공되며, 상기 제 2 커넥터 소자는 일반적으로 중심에 형성되며, 제 4 나사부가 제공된 상방으로 연장되는 원통형 부재가 제공되며 상기 제 3 및 제 4 나사부는 상기 제 1 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 소자를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 나사 결합되는 장치.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 복합물은,
    상기 복합물에 강성 및 가요성을 제공하며 상기 복합물의 일반적으로 중심으로 수용되는 도전성 물질의 종방향으로 연장되는 중실 중심주, 상기 중실 코어 주변을 둘러싸며 다수의 종방향으로 연장되는 꼬아진 전도체, 및 그 사이의 공기 간극을 실질적으로 제거하기 위하여 상기 꼬아진 전도체의 적어도 일부분을 둘러싸는 가요성 전도성 랩을 포함하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 척 몸체의 상기 하부에 결합되는 냉각판을 더 포함하며 상기 냉각판에는 냉각판을 통하여 연장되는 계단형 구멍을 가지며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상단부 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상단부와 하단부 중간에 있는 중간부를 포함하며 상기 중간부는 상기 가요성 전도성 랩의 적어도 일부분을 포함하며,
    상기 장치는 제 1 탄성 절연체 및 제 2 탄성 절연체를 포함하며,
    상기 제 1 탄성 절연체는 상기 냉각판에 형성된 상기 계단형 구멍에 수용되며 일반적으로 상기 냉각판, 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상측부 중간에 수용되며 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 상측부에 단단히 결합되며,
    상기 제 2 탄성 절연체는 상기 냉각판에 형성된 상기 계단형 구멍에 적어도 부분적으로 수용되며 일반적으로 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 중간부와 상기 냉각판의 중간에 수용되며 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 중간부에 단단히 결합되며,
    상기 제 1 탄성 절연체 및 상기 제 2 탄성 절연체는 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 중간부의 상기 상측부 및 상기 냉각판의 사이의 공기 간극을 실질적으로 제거하며,
    상기 제 1 탄성 절연체는 상기 냉각판으로부터 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 상측부를 전기적으로 절연하기 위하여 충분히 전기적으로 비 전도적이며 상기 제 1 탄성 절연체는 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상측부로부터 상기 냉각판으로 열을 전달하기 위하여 충분히 열적으로 전도적인 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 제 2 커넥터 소자는 일반적인 고리형상의 내부로 연장되는 만입부가 제공되며, 상기 제 1 탄성 절연체는 상기 제 1 탄성 절연체 및 상기 제 2 커넥터 소자 사이의 단단한 결합을 강화하기 위하여 상기 고리형 만입부내에 수용되기 위한 외부로 연장되는 일반적인 고리형상의 돌출부가 제공되며 상기 제 1 및 제 2 탄성 절연체는 실리콘으로 제작되는 장치.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 제 1 커넥터 소자는 몰리브덴이며 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 중실 중심주는 스테인레스 강이며 상기 제 1 커넥터 소자, 상기 제 2 커넥터 소자, 및 상기 중실 중심주는 상기 전극에 RF 바이어스 전력을 전도하기 위한 도전성 물질로 도금되며 상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 부재는 상측부, 바닥부 및 상기 상부 및 바닥부 중간의 중간부를 포함하는 도전성 물질의 제 1 몸체를 포함하며, 상기 상측부는 상기 전극에 기계적 및 전기적으로 연결되는 중실 원통형 부재를 포함하며, 상기 중간부는 일반적으로 종방향으로 연장되는 중실 원통형 부재를 포함하며,
    상기 하부는 탄성 바나나형 수 잭을 수용하는 소켓의 형상인 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터가 제공된 중공 원통형 부재를 포함하며, 상기 일반적으로 종방향으로 연장되는 중실 원통형 부재는 직경이 상기 중실 원통형 부재 및 상기 중공 원통형 부재보다 작으며,
    상기 장치는 상측 고리형상부 및 하방으로 직경이 감소하는 하부 절두 원추형상부를 포함하는 단열 부재를 더 포함하며, 상기 단열 부재에는 상측부 및 상기 상측부보다 직경이 큰 하측부를 포함하고 상기 상하측부를 통해 연장되는 중심에 형성된 구멍이 제공되며, 상기 구멍의 상측부는 도전성 물질의 상기 제 1 몸체의 상기 중실 원통형 부재를 수용하고 상기 구멍의 하측부는 도전성 물질의 제 1 몸체의 상기 중공 원통형 부재를 수용하기 위한 것이며, 상기 단열 부재의 상기 상부 고리형상부는 상기 도전성 물질로 제조된 제 1 몸체의 적어도 상기 중실 원통형 부재를 상기 척 몸체와 실질적으로 단열하기 위한 것인 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 척 몸체는 상부 및 하부를 가지며 상기 하부로부터 상기 상부를 향하여 상방으로 연장되며 상기 전극으로 개방되는 일반적으로 중심에 형성된 원통형상의 계단형 척 구멍이 제공되며 상기 계단형 척 구멍은 하부 원통형부 및 상부 원통형부를 포함하며 상기 상부 원통형부는 상기 하부 원통형부보다 직경이 작으며,
    도전성 물질의 상기 제 1 몸체의 상기 중실 원통형 부재는 상기 계단형 척 구멍의 상기 상부 원통형부에 수용되며,
    상기 단열 부재의 상기 고리형상부는 상기 계단형 척 구멍의 상기 제 1 원통형부에 수용되며 상기 척 몸체로부터 일정한 공간이 형성되며,
    상기 장치는 상기 고리형상부 및 상기 척 몸체의 중간의 접착 물질의 몸체를 더 포함하며 상기 고리형상부 및 상기 척 몸체를 기계적으로 상호 연결하는 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 몰리브덴으로 제작되는 장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 상기 단열 부재는 알루미나로 제작되는 장치.
  21. 제 4 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 전극에 기계적 및 전기적으로 연결되며 일반적으로 중심에 형성된 상방으로 연장되는 내부에 나사가 형성된 구멍이 제공된 도전성 전극 커넥터를 더 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 부재는 상기 제 1 커넥터 소자를 상기 전극 커넥터에 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위해 상기 나사가 형성된 내부 구멍으로 결합하기 위하여 외측으로 연장되며 외부에 나사가 형성된 돌출부가 제공된 상부를 포함하는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장된 중실 일반적으로 원통형 제 1 몸체를 포함하며, 상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 상기 제 1 수 커넥터 부재가 제공된 일반적으로 테이퍼형 하부를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 제 1 커넥터 소자 및 제 2 커넥터 소자를 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상기 탄성 바나나형 제 1 암 커넥터가 제공되는 상부 및 상기 탄성 바나나형 제 2 암 커넥터가 제공되는 하부를 가지는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 2 몸체를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 1 커넥터 소자를 수용하기 위한 연장되는 일반적으로 중심에 형성된 구멍을 가지는 절연 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 몸체를 포함하며,
    상기 제 3 커넥터 부재는 상기 제 2 수 커넥터 부재가 제공되는 일반적으로 테이퍼진 상측부를 포함하는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 중실 일반적인 원통형 제 3 몸체를 포함하는 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 스테인레스 강의 제 1 몸체이며,
    상기 도전성 물질의 제 2 몸체는 베릴륨 구리의 제 2 몸체이며,
    상기 도전성 물질의 제 3 몸체는 구리의 제 3 몸체이며,
    스테인레스 강의 적어도 상기 제 1 몸체는 상기 전극으로 RF 바이어스 전력을 전도하기 위한 도전성 물질의 도금이 제공되며,
    상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택되며,
    상기 절연 물질의 몸체는 탄성 실리콘의 몸체인 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 스테인레스 강의 제 1 몸체이며,
    상기 도전성 물질의 제 2 몸체는 베릴륨 구리의 제 2 몸체이며,
    상기 도전성 물질의 제 3 몸체는 구리 및 베릴륨 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 제 3 몸체이며,
    도전성 물질의 상기 제 1 몸체, 상기 제 2 몸체, 및 상기 제 3 몸체는 상기 전극으로 RF 바이어스 전력을 전도하기 위한 도전성 물질의 도금이 제공되며 상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택되며, 및
    상기 절연 물질의 몸체는 탄성 실리콘의 몸체인 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 스테인레스 강의 제 1 몸체이며,
    도전성 물질의 제 2 몸체는 베릴륨 구리의 제 2 몸체이며,
    상기 도전성 물질의 제 3 몸체는 구리 및 베릴륨 구리로 구성된 그룹으로부터 선택된 도전성 물질의 제 3 몸체인 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 척 몸체는 하부를 포함하며,
    상기 장치는 상기 척 몸체의 상기 바닥에 결합된 냉각판을 더 포함하며 상기 냉각판에는 연장되는 구멍이 제공되며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상기 중심 구멍에 수용되며,
    상기 절연 부재의 상기 몸체는 탄성 실리콘의 몸체이며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상기 탄성 실리콘의 몸체에 매립된 금속링을 포함하며,
    상기 금속 링 및 상기 냉각판은 상기 결합 링을 결합하기 위한 연결 수단이 제공되어 상기 제 2 커넥터 부재를 상기 냉각판에 결합하며,
    상기 탄성 실리콘의 몸체는 상기 척 몸체를 상기 냉각판에 블라인드 조립시 상기 제 1 수 커넥터 부재를 상기 탄성 바나나형 제 1 암 커넥터로의 삽입을 용이하게 하기 위한 상기 제 2 커넥터 부재와 상기 냉각판 사이에 적어도 임의의 상대적 이동을 허용하는 장치.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 냉각판은 상부 및 하부를 가지며 상기 냉각판을 통하여 연장되는 상기 구멍은 상부를 포함하며,
    상기 상부에는 일반적으로 고리형 결합 표면을 제공하도록 대응되게 구멍이 형성되며,
    상기 결합 표면은 상기 냉각판의 상부에 근접해 있으며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상부 및 하부를 가지며,
    탄성 실리콘의 상기 몸체에 매립된 상기 금속 링은 상기 제 2 커넥터 부재의 상부에 근접해 있으며,
    상기 금속 링은 상기 고리형 결합 표면에 결합되며, 상기 금속 링이 상기 고리형 결합 표면에 결합될 때 상기 제 2 커넥터 부재의 대부분이 상기 제 2 커넥터 부재로부터 상기 냉각판으로의 열 전달을 강화하기 위하여 상기 냉각판에 근접해 있는 장치.
  27. 제 25 항에 있어서, 상기 제 2 커넥터 부재는 적어도 하나의 나사형성된 볼트를 포함하며, 상기 금속 링은 상기 나사형성된 볼트를 수용하기 위하여 연장되는 적어도 하나의 구멍이 제공되며, 상기 냉각판은 상기 금속 링에 결합된 상기 나사가 형성된 볼트를 나사 결합하기 위하여 나사가 형성된 구멍이 제공되어 상기 제 2 커넥터 부재를 상기 냉각판에 결합시키는 장치.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 2 몸체는 상기 제 1 가요성 바나나형 암 커넥터가 제공되는 상부 고리형상부와 상기 제 2 가요성 바나나형 암 커넥터가 제공된 하부 고리형상부를 가지는 구리의 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 2 몸체이며,
    상기 상부 고리형상부는 상기 제 1 가요성 바나나형 암 커넥터를 넘어 외측으로 연장되며 상기 하부 고리형상부는 상기 제 2 가요성 바나나형 암 커넥터를 넘어 외측으로 연장되며,
    상기 절연 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 몸체는 구리의 상기 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 2 몸체의 주위에 몰드된 탄성 실리콘의 일반적으로 종방향으로 연장되는 장치.
  29. 반도체 웨이퍼 척 장치로서,
    척 몸체 및 상기 척 몸체에 매립된 적어도 하나의 전극을 포함하며;
    RF 바이어스 전력 및 DC 바이어스 전압을 상기 전극에 연결하기 위한 커넥터를 포함하며 상기 커넥터는 적어도 제 1 커넥터 부재 및 제 1 부분을 포함하는 제 2 커넥터 부재를 포함하며, 상기 제 1 커넥터 부재는 제 1 커넥터 소자 및 제 2 커넥터 소자를 포함하며, 상기 제 1 커넥터 소자는 상기 전극에 전기적 및 기계적으로 연결되며 상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 2 커넥터 부재에 기계적 및 전기적으로 연결되며, 상기 척 몸체는 제 1 온도로 가열되며 상기 제 1 커넥터 소자는 실질적으로 상기 척 몸체를 가열하는 열을 상기 제 2 커넥터 소자로 실질적으로 전달하며 상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 2 커넥터 소자에 의하여 상기 제 2 커넥터 부재 및 상기 말단부로 전달된 열을 상기 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 감소시키기 위한 열 임피던스가 제공되는 반도체 웨이퍼 척 장치
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 제 1 커넥터 소자는 제 1 열 전도 계수를 가지는 제 1 금속으로 제작되며 상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 1 열 전도 계수보다 낮은 제 2 열 전도 계수를 가지는 제 2 금속으로 제작되는 장치.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 제 1 금속은 약 1.46의 열 전도 계수를 가지는 몰리브덴이며, 상기 제 2 금속은 약 0.59의 열 전도 계수를 가지는 스테인레스 강이며, 적어도 상기 제 2 금속은 상기 전극으로 FR 바이어스 전력을 전도하는 도전성 물질로 도금되며 상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택되는 장치.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 도전성 물질은 은인 장치.
  33. 반도체 웨이퍼 공정 시스템에서 반도체 웨이퍼 공정동안 반도체 웨이퍼를 유지하기 위하여 척에 매립된 적어도 하나의 전극에 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 연결하기 위한 커넥터로서,
    적어도 제 1 커넥터 부재 및 제 2 커넥터 부재, 상기 전극에 전기적 및 기계적으로 연결되는 상기 제 1 커넥터 부재를 포함하며,
    상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재중 하나는 탄성 바나나형 커넥터를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재중 나머지는 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 커넥터에 연결되는 상보적 탄성 바나나형 커넥터가 제공되는 커넥터.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공된 탄성 바나나형 수 잭이며, 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 1 커네터 부재가 제공되는 바나나형 암 잭 소켓이며 상기 탄성 바나나형 수 잭은 상기 양 바나나형 잭 소켓을 삽입하며 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재는 기계적 및 전기적으로 상호 연결되는 커넥터.
  35. 제 33 항에 있어서, 상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공된 탄성 바나나형 암 커넥터이며 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 1 커넥터 부재가 제공된 암 커넥터 부재이며 상기 탄성 바나나형 암 커넥터로 상기 수 커넥터 부재를 삽입할 때 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재는 기계적 및 전기적으로 상호 연결되는 커넥터.
  36. 제 33 항에 있어서,
    상기 커넥터는 적어도 제 3 커넥터 부재를 포함하며,
    상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 1 커넥터 부재에 제공된 제 1 수 커넥터 부재이며,
    상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공된 탄성 바나나형 제 1 암 커넥터이며,
    상기 제 1 수 커넥터 부재는 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위해 상기 바나나형 제 1 암 커넥터로 삽입되기 위한 것이며,
    탄성 바나나형 제 2 암 커넥터는 상기 제 2 커넥터 부재에 제공되며,
    상기 제 2 수 커넥터 부재는 상기 제 3 커넥터 부재에 제공되며,
    상기 제 2 수 커넥터 부재는 상기 제 2 및 제 3 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 제 2 암 커넥터로 삽입되기 위한 커넥터.
  37. 제 33 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 부재는 상방으로 연장되는 일반적인 원통형 구멍을 가지며 상기 상보적 탄성 바나나형 잭 소켓이 제공되는 일반적으로 종방향으로 연장되는 도전성 물질의 제 1 몸체를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상기 탄성 바나나형 잭 커넥터가 제공되는 단부를 가지는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 2 몸체를 포함하며,
    도전성 물질의 상기 제 1 및 상기 제 2 몸체 및 상기 탄성 바나나형 잭은 상기 전극의 RF 바이어스 전력을 전도하기 위한 도전성 물질의 도금이 제공되는 커넥터.
  38. 제 37 항에 있어서,
    상기 전기 전도 물질의 제 1 몸체는 일반적인 원통형상이며, 상부, 하부 및 상측부를 가지며 상기 원통형 구멍에 일반적으로 수직하고 서로 유체 소통되는 다수의 반경방향으로 배치되는 가로 진공 구멍이 제공되며,
    상기 도전성 물질의 제 2 몸체는 일반적으로 원통형상이며, 상부 및 하부를 가지며 상기 탄성 바나나형 잭은 상기 상부에 제공되는 커넥터.
  39. 제 33 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 부재는 제 1 커넥터 소자 및 제 2 커넥터 소자를 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상기 전극에 기계적 및 전기적으로 연결되기 위한 도전성 물질의 제 1 몸체를 포함하며 제 1 열전도 계수를 가지며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 1 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 중간에 위치하며 상기 제 1 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재에 기계적 및 전기적으로 연결되며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 도전성 물질의 제 2 몸체를 포함하며 상기 제 1 열전도 계수보다 낮은 제 2 열전도 계수를 가지며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 바나나형 암 잭 소켓을 포함하는 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터가 제공되며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상기 제 1 열전도 계수 보다 낮은 제 3 열전도 계수를 가지는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 3 몸체를 포함하며,
    상기 도전성 물질의 제 3 몸체는 상단부 및 하단부를 가지며 상기 탄성 바나나형 커넥터는 상기 도전성 물질의 제 3 몸체의 상단부에 제공된 탄성 바나나형 수 잭을 포함하며 상기 도전성 물질의 제 3 몸체의 하단부에는 탄성 바나나형 제 2 잭이 제공되며,
    상기 제 1 커넥터 소자, 상기 제 2 커넥터 소자, 상기 제 2 커넥터 부재, 상기 탄성 바나나형 제 1 잭 및 상기 탄성 바나나형 제 2 잭은 RF 바이어스 전력을 상기 전극으로 전도하기 위한 도전성 물질의 도금을 하는 커넥터.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상단부 및 하단부를 가지며 계단형 제 1 커넥터 소자이며 연속적으로 상방으로 직경이 감소하는 다수의 일반적인 원통형부를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상단부 및 하단부를 가지며 형상이 일반적인 절두-원추꼴형상이며 직경이 상기 상단부로부터 상기 하단부로 하방으로 감소하며,
    상기 제 2 커넥터 소자에는 상기 하단부로부터 상기 상단부로 상방으로 연장되는 일반적으로 중심에 형성된 제 1 구멍이 제공되며 상기 탄성 바나나형 잭을 수용하는 소켓이 제공되는 커넥터.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상기 제 1 커넥터 소자의 상기 하단부로부터 상기 상단부를 향하여 상방으로 연장되는 일반적으로 중심에 형성된 제 2 구멍이 제공되며, 상기 제 2 구멍에는 제 2 나사부가 제공되며,
    상기 제 2 커넥터 소자의 상기 상단부는 제 3 나사부가 제공되며 일반적으로 중심에 형성되며, 상방으로 연장되는 원통형 부재가 제공되며 상기 제 2 및 제 3 나사부는 상기 제 1 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 소자를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 나사 결합되는 커넥터.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 제 2 커넥터 부재는 일반적으로 상기 복합물의 중심에 수용하는 도전성 물질의 종방향으로 연장되는 중실 중심주를 포함하는 종방향으로 연장되는 복합물, 상기 중실 중심주의 주변을 둘러싸는 다수의 종방향으로 연장되는 꼬아진 전도체 및 상기 꼬아진 전도체의 적어도 일부분을 둘러싸며 그 사이의 공기 간극을 실질적으로 제거하기 위하여 가요성 전도성 랩을 더 포함하며, 상기 중실 중심주는 상기 복합물에 강성 및 가요성을 제공하는 커넥터.
  43. 제 42 항에 있어서,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상기 제 2 커넥터 부재의 상측부와 상기 상단부 및 상기 하단부 중간의 중간부를 포함하며 상기 중간부는 상기 가요성 전도성 랩의 적어도 일부분을 포함하며,
    상기 커넥터는 제 1 탄성 절연체 및 제 2 탄성 절연체를 더 포함하며,
    상기 제 1 탄성 절연체는 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 상측부가 단단히 연결되며,
    상기 제 2 탄성 절연체는 상기 제 2 커넥터 부재의 상기 중간부에 단단히 연결되는 커넥터.
  44. 제 43 항에 있어서, 상기 제 2 커넥터 소자는 내부로 연장되는 일반적인 고리형 만입부가 제공되며 상기 제 1 탄성 절연체는 상기 제 1 탄성 절연체 및 상기 제 2 커넥터 소자 사이의 강한 연결을 강화하기 위한 상기 고리형 만입부에 수용되기위하여 외부로 연장되는 일반적인 고리형 돌출부가 제공되는 커넥터.
  45. 제 43 항에 있어서, 상기 제 1 커넥터 소자는 몰리브덴이며 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 중실 중심주는 스테인레스 강이며 상기 제 2 커넥터 소자 및 상기 중실 중심주는 RF 바이어스 전력을 전도하기 위한 도전성 물질이 도금되며 상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택되는 커넥터.
  46. 제 33 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터는 상측부, 하측부와 상기 상부 및 하부 중간의 중간부를 포함하며, 상기 상측부는 상기 전극에 기계적 및 전기적으로 연결되는 중실 원통형 부재를 포함하며,
    상기 중간부는 일반적으로 종방향으로 연장되는 원통형 부재를 포함하며,
    상기 하측부는 탄성 바나나형 잭을 수용하는 소켓의 형상으로 상기 상보적 탄성 바나나형 커넥터가 제공된 중공 원통형 부재를 포함하며,
    상기 일반적으로 종방향으로 연장되는 원통형 부재는 직경이 상기 중실 원통형 부재 및 상기 중공 원통형 부재보다 작으며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하기 위하여 상기 탄성 바나나형 잭을 수용하는 소켓으로 삽입되는 탄성 바나나형 수 커넥터의 형상으로 상기 탄성 바나나형 커넥터가 제공되는 커넥터.
  47. 제 42 항에 있어서,
    상기 제 1 커넥터 부재는 외측으로 연장되며 외부에 나사가 형성된 돌출부가 제공된 상측부를 포함하는 일반적으로 종방향으로 연장되는 중실 일반적으로 원통형 제 1 몸체 도전성 물질을 포함하며,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 상기 제 1 수 커넥터 부재에 제공되는 일반적인 테이퍼형 하부를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 부재는 제 1 커넥터 소자 및 제 2 커넥터 소자를 포함하며,
    상기 제 1 커넥터 소자는 상기 탄성 바나나형 제 1 암 커넥터가 제공된 상부 및 상기 탄성 바나나형 제 2 암 커넥터가 제공되는 하부를 가지는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 제 2 몸체를 포함하며,
    상기 제 2 커넥터 소자는 상기 제 1 커넥터 소자를 수용하기 위하여 연장되는 일반적으로 중심에 형성된 구멍을 가지는 절연 물질의 일반적으로 종방향으로 연장된 몸체를 포함하며,
    상기 제 3 커넥터 부재는 상기 제 2 수 커넥터 부재를 제공하는 일반적으로 테이퍼진 상측부를 포함하는 도전성 물질의 일반적으로 종방향으로 연장되는 중실 일반적인 원통형 제 3 몸체를 포함하는 커넥터.
  48. 제 47 항에 있어서,
    상기 도전성 물질의 제 1 몸체는 스테인레스 강이며,
    상기 도전성 물질의 제 2 몸체 및 상기 도전성 물질의 제 3 몸체는 구리이며,
    상기 도전성 물질의 상기 제 1 몸체는 상기 전극으로 RF 바이어스 전력을 전도하기 위하여 도전성 물질의 도금이 제공되며 상기 도전성 물질은 금, 은, 니켈 및 구리로 구성된 그룹으로부터 선택되며,
    상기 절연 물질의 몸체는 실리콘인 커넥터.
  49. 반도체 웨이퍼 척 장치로서,
    척 몸체, 상기 척 몸체에 매립된 적어도 하나의 전극, 및 냉각판을 포함하며,
    상기 척 몸체는 하부를 가지며 상기 하부로부터 상기 전극으로 상방으로 연장되는 구멍이 제공되며, 상기 냉각판은 상기 척 몸체의 하부에 결합되며 연장되며 상기 척 몸체에 형성된 상기 구멍으로 개방되는 일반적으로 중심에 형성된 구멍이 제공되며;
    상기 전극에 RF 바이어스 전력 및 DC 척킹 전압을 연결하기 위한 커넥터, 상기 커넥터는 상기 척 몸체에 형성된 상기 구멍에 수용되며 상기 전극에 기계적 및 전기적으로 연결되는 상측부를 포함하며, 상기 커넥터는 상기 냉각판을 통하여 연장된 상기 구멍에 일반적으로 수용되며 상기 냉각판으로부터 일정한 공간을 형성하는 하측부를 포함하며;
    상기 냉각판을 통하여 연장되며 상기 커넥터의 상기 하부의 적어도 일부분에 둘러싸이며 결합되는 상기 구멍에 수용되는 절연체, 상기 절연체에 의하여 둘러싸인 상기 커넥터의 상기 하측 부분의 상기 부분 중간의 상기 절연체는 상기 냉각판의 적어도 일부분 및 상기 냉각판에 결합되며, 상기 절연체는 상기 냉각판으로부터 상기 절연체에 의하여 둘러싸인 상기 커넥터의 상기 하측부의 상기 부분을 전기적으로 절연하기 위하여 충분히 전기적으로 비전도적이며 상기 절연체는 상기 절연체에 의하여 둘러싸인 상기 커넥터의 상기 하측부의 적어도 상기 부분으로부터 상기 냉각판으로 열을 전달하기 위하여 열적으로 충분히 전도적이며;
    상기 커넥터는 상기 커넥터를 통한 열의 흐름에 열 임피던스를 제공하는 커넥터 소자를 포함하며;
    상기 커넥터는 적어도 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 포함하며, 상기 제 1 커넥터 부재는 탄성 바나나형 커넥터를 포함하며 상기 제 2 커넥터 부재에는 상기 제 1 및 제 2 커넥터 부재를 기계적 및 전기적으로 상호 연결하며 상기 척 몸체와 상기 냉각판의 블라인드 조립을 용이하게 하기 위하여 상기 탄성 바나나형 커넥터에 연결되기 위한 상보적 탄성 바나나형 커넥터가 제공되는 반도체 웨이퍼 척 장치.
  50. 제 49 항에 있어서,
    상기 장치는 상기 냉각판을 통하여 연장되며 상기 커넥터의 상기 하측부의 제 2 부분이 결합되는 상기 구멍에 수용되는 제 2 절연체를 더 포함하며,
    상기 커넥터의 상기 하측부의 상기 제 2 부분 중간의 상기 제 2 절연체 및 상기 냉각판의 제 2 부분 및 상기 제 2 절연체는 상기 냉각판의 제 2 부분에 결합되며,
    상기 제 2 절연체는 상기 냉각판으로부터 상기 제 2 절연체에 의하여 둘러 싸인 상기 커넥터의 상기 하측부의 상기 제 2 부분을 전기적으로 절연하기 위하여 충분히 전기적으로 비전도적이며 상기 제 2 절연체는 상기 커넥터의 상기 하측부분의 적어도 상기 제 2 부분으로부터 상기 냉각판의 상기 제 2 부분으로 열을 전달하기 위하여 충분히 열적으로 전도적인 장치.
  51. 제 50 항에 있어서, 상기 절연체는 탄성 절연체이며 상기 냉각판으로 상기 커넥터의 상기 하측부를 기계적으로 연결하기 위한 기계적 연결 수단을 제공하며 상기 절연체는 상기 척 몸체와 상기 냉각판의 블라인드 조립 공정을 용이하게 하기 위하여 상기 커넥터의 상기 하측부와 상기 냉각판 사이의 상대적인 이동을 허용하는 장치.
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