KR20000031453A - 반도체 소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법 - Google Patents

반도체 소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 코로나 방전처리를 베이스필름 표면에 미리 실시하여, 베이스필름 표면의 물리적, 화학적인 변화를 유도하고, 이를 통해, 베이스필름 표면의 접착조건을 호전시켜, 베이스필름과 접착제층 사이의 접착력이 향상되도록 함으로써, 반도체칩들이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층이 반도체칩의 배면에 잔류하지 못하도록 한다.
이러한 본 발명이 달성되면, '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등은 미리 방지되고, 최종 완성되는 반도체 패키지의 신뢰성은 현저히 향상된다.

Description

반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법
본 발명은 반도체소자의 제조에 사용되는 베이스필름의 접착제층 부착방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 베이스필름과 접착제층 사이의 접착력을 향상시킴으로써, 반도체칩들이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층이 반도체칩의 배면에 잔류하지 못하도록 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자 제조공정은 소자형성공정, 조립공정, 검사공정 등으로 크게 분류된다. 이러한 각 공정들 중, 조립공정은 통상, 웨이퍼의 칩들을 개별적으로 분리하기 위해 웨이퍼를 쏘우잉하는 쏘우잉공정, 분리된 칩들을 리드 프레임의 다이 패드에 어태치하는 다이어태치공정, 칩들의 본딩 패드들을 리드 프레임의 리드들에 전기적으로 연결하는 와이어본딩공정, 와이어 본딩된 칩들을 성형수지로 성형하는 성형공정, 성형수지의 외부로 돌출된 리드 프레임의 리드들을 도금하는 솔더링공정, 솔더링된 리드들을 원하는 형태로 성형하는 절곡/절단공정으로 분류된다.
이러한 반도체소자의 각 조립공정들 중 특히, 쏘우잉공정과 다이어태치공정은 조립공정의 전체 플로우 중, 초기에 진행되어, 이후, 진행되는 공정에 막대한 영향을 미치는 것이 일반적이기 때문에, 쏘우잉공정과 다이어태치공정의 불량을 줄이는 작업은 전체적인 조립공정의 불량을 좌우하는데 있어, 매우 중요한 사안이다.
통상, 종래의 쏘우잉공정이 진행될 때, 웨이퍼와 진공 플레이트 사이에는 일정 두께를 갖는 베이스필름이 예컨대, 점착성의 접착제층을 접착 도포한 상태로 개재되는데, 이 경우, 베이스필름에 접착 도포된 접착제층은 쏘우잉 공정이 진행될 때, 블레이드 날에 의해 잘라진 개별 반도체칩들을 강하게 접착시킴으로써, 이들이 블레이드 날의 외압에 의해 진공 플레이트의 외부로 이탈하는 것을 방지한다.
이러한 웨이퍼의 쏘우잉공정이 모두 완료되면, 픽업콜렛은 웨이퍼의 상부로 이동한 상태로 하향하여 분리된 각 반도체칩들에 다다른 후, 각 반도체칩들을 진공흡입하여 베이스필름으로부터 분리하고, 그것들을 다이어태치 설비의 이젝션 부분으로 이송한다.
이후, 다이어태치 설비는 이송된 반도체칩들을 리드 프레임의 다이어태치할 영역에 정합하고, 그것을 열 압착하여 요구되는 다이어태치 공정을 완료한다.
그러나, 이러한 종래의 쏘우잉공정, 다이어태치공정에는 몇 가지 중대한 문제점이 있다.
상술한 바와 같이, 종래의 쏘우잉공정이 진행될 때, 베이스필름에 접착 도포된 접착제층은 블레이드 날에 의해 잘라진 개별 반도체칩들을 강하게 접착시켜, 이들이 블레이드 날의 외압에 의해 진공 플레이트의 외부로 이탈하는 것을 방지하는 역할을 수행하게 된다. 물론, 쏘우잉공정이 모두 완료되면, 상술한 바와 같이, 잘려진 각 반도체칩들은 픽업콜렛의 핸들링에 의해 다이어태치설비로 신속히 이송되게 된다.
그런데, 이때, 만약, 베이스필름에 접착 도포된 접착제층이 베이스필름 보다 반도체칩들에 더 강하게 접착되는 경우, 접착제층은 픽업콜렛의 흡입력에 의해 베이스필름으로부터 쉽게 박리되게 되며, 결국, 베이스필름에 남아 있지 못하고, 다이어태치 설비로 이송되는 반도체칩들에 붙어 그것의 배면에 잔류하게 된다.
이와 같이, 반도체칩들의 배면에 잔류하는 접착제층 잔류물은 반도체칩들의 배면을 오염시켜, 이후의 공정, 예컨대, 다이어태치공정에 악영향을 미침으로써, 완성된 반도체 패키지에 '조각분산(Delamination)현상', '에폭시보이드(Epoxy void)현상' 등을 일으키게 된다.
이러한 '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등이 야기되면, 전체적인 반도체 패키지의 신뢰성은 현저히 저하된다.
상술한 각 문제점을 해결하기 위해서는 접착제층과 베이스필름 사이의 접착력을 좀더 향상시켜, 접착제층이 베이스필름과의 접착력을 일정하게 유지하도록 하고, 이를 통해, 반도체칩들이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층이 반도체칩의 배면에 잔류하지 못하도록 하는 방법이 강구되어야 하나, 종래의 경우, 이에 대한 대처방안이 전무한 형편이다.
따라서, 본 발명의 목적은 접착제층과 베이스필름 사이의 접착력을 향상시키는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 접착제층과 베이스필름 사이의 접착력 향상을 통해, 반도체칩들이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층이 반도체칩의 배면에 잔류하지 못하도록 하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 접착제층의 잔류방지를 통해, 예컨대, '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등을 미리 방지하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등의 방지를 통해, 전체적인 반도체 패키지의 신뢰성을 향상시키는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 코로나 방전처리 과정을 도시한 예시도.
도 2는 본 발명에 따른 접착제층 전사과정을 도시한 예시도.
도 3은 본 발명의 베이스필름이 쏘우잉공정에 적용되는 예를 도시한 예시도.
도 4는 도 3의 요부단면도.
도 5는 본 발명의 베이스필름이 반도체칩들의 이송공정에 적용되는 예를 도시한 예시도.
도 6은 도 5의 요부단면도.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 유기재질, 예컨대, PVC 재질을 갖는 베이스필름을 일정 속도로 주행시킴과 아울러 베이스필름의 표면으로부터 일정 간격, 예컨대, 0.5mm~2mm 이격된 위치에서, 베이스필름의 표면 방향으로 고전압의 전기에너지를 인가한다.
이러한 본 발명이 달성되는 경우, 베이스필름의 상부에서는 예컨대, 코로나 방전이 발생되고, 이러한 코로나 방전은 베이스필름의 표면으로 물리적, 화학적인 자극을 전달하여, 베이스필름 표면의 접착조건을 호전시킴으로써, 이후, 전사되는 접착제층의 밀착성이 현저히 향상되도록 한다.
계속해서, 본 발명에서는 코로나 방전처리된 표면에 접착제층을 부착하는 과정을 진행한다. 일례로, 본 발명에서는 베이스필름을 주행시키면서 베이스필름의 표면과 접촉되도록 베이스필름의 상부로 접착제층이 코팅되어 있는 롤러를 회전시킴으로써, 롤러에 코팅되어 있던 접착제층이 베이스필름의 표면에 전사되도록 한다. 이 경우, 베이스필름의 표면은 상술한 코로나 방전처리에 의해 접착조건이 호전되어 있기 때문에, 롤러에서 전사되는 접착제층은 베이스필름의 표면에 강하게 밀착 접착될 수 있다. 이때, 베이스필름과 접착제층의 접착성은 종래에 비해 약 2배정도 증가한다.
물론, 반도체칩과 접촉하게 되는 접착제층의 표면 또한 일정한 접착성을 갖고 있지만, 그 정도는 쏘우잉 공정 중에, 반도체칩의 이탈을 방지하는 수준일 뿐, 본 발명의 실시에 의해 강화된 접착체층/베이스필름의 접착성 향상 보다는 훨씬 미약한 수준이다.
결과적으로, 이러한 본 발명이 달성되면, 접착제층/베이스필름의 접착력이 접착제층/반도체칩의 접착력 보다 우위에 있게 되고, 그 결과, 반도체칩이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층은 베이스필름에 남아 있게 된다. 결국, 반도체칩의 배면에는 접착제층이 잔류하지 않게 된다.
이러한 본 발명의 달성에 의해, '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등은 미리 방지되고, 전체적인 반도체 패키지의 신뢰성은 현저히 향상된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법을 좀더 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 먼저, 유기재질, 예컨대, PVC 재질을 갖는 베이스필름(30)을 전송롤러(22)에 감아 일정 속도로 주행시킨다.
이때, 전송롤러(22)의 상부에는 베이스필름(30)의 표면 A로부터 일정 간격, 예컨대, 0.5mm~2mm 이격됨과 아울러 고주파/고전압의 전기에너지를 방출하는 전기에너지 방출툴(10)이 배치된다. 이러한 전기에너지 방출툴(10)은 전송롤러(22)의 회동에 의해 베이스필름(30)이 앞으로 전진할 때, 베이스필름(30)의 표면 A로 전기에너지를 방출한다.
여기서, 상술한 전송롤러(22), 전기에너지 방출툴(10) 등은 모두 대기와 오픈된 상태이기 때문에, 전기에너지 방출툴(10)이 베이스필름(30)의 표면 A로 고주파/고전압의 전기에너지를 방출하는 경우, 전기에너지 방출툴(10)과 베이스필름(30)의 표면 A 사이의 빈 공간에는 코로나 방전이 야기되어 고전압의 코로나가 급속히 생성된다.
이와 같이 생성된 코로나는 베이스필름(30)의 표면 A에 물리적, 화학적인 자극을 전달하는 역할을 수행한다.
먼저, 생성된 고전압의 코로나는 베이스필름(30)의 표면 A로 가속되어 베이스필름(30)의 표면 A에 강하게 충돌하게 되는데, 이 경우, 베이스필름(30)의 표면 A는 코로나와의 충돌에 의해 물리적인 반응을 일으켜, 다수개의 기공을 생성받게 된다. 이러한 기공은 후술하는 접착제층의 전사가 이루어질 때, 접착제층이 신속하게 스며들 수 있는 투모공 역할을 수행하게 된다.
또한, 생성된 고전압의 코로나는 대기와 반응하여 오존, 산화질소 등을 생성시키게 되는데, 통상, 이러한 오존, 산화질소 등은 다량의 프리 라디칼(Free radical)을 보유하고 있는 물질로 알려져 있기 때문에, 오존, 산화질소 등이 PVC 재질의 베이스필름(30)과 접촉하여 화학적인 반응을 일으키는 경우, 베이스필름(30)의 표면 A에는 극성이 높은 카보닐기가 생성된다.
이 경우, 베이스필름(30)의 표면 A에 생성된 카보닐기는 후술하는 접착제층의 전사가 이루어질 때, 접착제층 분자를 잡아당겨, 접착제층이 베이스필름(30)의 표면에 좀더 견고하게 밀착될 수 있도록 하는 역할을 수행하게 된다.
요컨대, 본 발명의 실시에 의해, 베이스필름(30)의 상부에서 코로나 방전처리가 진행되는 경우, 베이스필름(30)은 생성된 코로나에 의해 물리적, 화학적인 자극을 받아, 상술한 기공, 카보닐기를 생성받게 되고, 결국, 베이스필름(30)은 표면 A의 접착조건이 매우 호전되는 효과를 제공받게 된다. 이에 따라, 추후에 공정에 의해 접착제층이 베이스필름(30)의 표면 A로 전사되는 경우, 접착제층은 좀더 강하게 밀착될 수 있다.
계속해서, 코로나 방전처리된 베이스필름(30)의 표면 A에 접착제층을 부착하는 과정이 진행된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에서는 예컨대, 피착롤러(40)와 전송롤러(41) 사이에 베이스필름(30)을 접촉 개재시킨 후, 전송롤러(41)를 구동시켜, 베이스필름(30)을 일정 속도로 주행시키게 된다. 이때, 피착롤러(40)와 전송롤러(41)는 베이스필름(30)의 주행이 원활히 이루어질 수 있도록 예컨대, 서로 반대방향으로 회전한다.
이 경우, 피착롤러(40)에 코팅되어 있던 예컨대, 아크릴릭 폴리머 재질의 접착제층(31)은 베이스필름(30)의 표면과 접촉되는 즉시 베이스필름(30)의 표면 A로 전사되어 베이스필름(30)의 표면 A에 견고하게 피착되게 되며, 베이스필름(30)은 자신의 전 표면에 접착제층(31)을 부착받게 된다. 이때, 피착롤러(40)와 전송롤러(41)는 베이스필름(30)의 표면 A에 피착되는 접착제층(31)의 두께가 균일하게 형성될 수 있도록 균일하게 회전한다.
여기서, 상술한 바와 같이, 베이스필름(30)의 표면 A는 상술한 코로나 방전처리에 의해 접착조건이 호전되어 있기 때문에, 피착롤러(40)에서 전사되는 접착제층(31)은 베이스필름(30)의 표면 A에 좀더 강하게 밀착 피착될 수 있다.
물론, 접착제층(31)의 표면 B 또한 자체적으로 반도체칩을 고정할 수 있을 정도의 접착성은 갖고 있지만, 그 접착도는 단지, 쏘우잉공정 중에, 반도체칩의 이탈을 방지할 수 있는 수준일 뿐, 본 발명의 실시에 의해 강화된 접착체층(31)/베이스필름(30)의 접착성 보다는 훨씬 미약한 수준이다.
결과적으로, 본 발명이 달성되면, 베이스필름(30)/접착제층(31)의 접착력이 접착제층(31)/반도체칩의 접착력 보다 우위에 있게 되고, 후술하는 과정에 의해 반도체칩이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층(31)은 베이스필름(30)에 남아 있게 된다. 결국, 반도체칩의 배면에는 접착제층이 잔류하지 않게 된다.
이와 같이, 본 발명에서는 베이스필름(30)의 표면 A를 코로나 방전처리하여, 그것의 접착조건을 호전시킴으로써, 추후에 접착제층(31)이 피착되는 경우, 베이스필름(30)과 접착제층(31)의 접착력이 현저히 향상될 수 있도록 한다. 이때, 베이스필름(30)과 접착제층(31)의 접착성은 종래에 비해 약 2배정도 증가한다.
이러한 본 발명의 효과는 후술하는 <표1>에 제시된 실험데이터 값을 통해 좀더 명확히 드러날 수 있다.
이때, 후술하는 <표 1>에서는 베이스필름을 무작위로 선정하여, 그중 어느 하나에는 종래의 경우와 같이, 코로나 방전처리를 수행하지 않고, 나머지 어느 하나에는 본 발명 특유의 코로나 방전처리를 수행한 후, 실험을 통해, 베이스필름(30)과 접착제층(31)과의 접착력을 면밀히 측정한 결과를 제시한다. 물론, 이러한 실험에 사용된 베이스필름(30)은 본 발명의 기본조건을 만족하는 예컨대, PVC 재질의 베이스필름(30)이다.
먼저, <표 1>의 실험데이터 1과 실험데이터 2에 각각 제시된 바와 같이, 코로나 방전처리를 하지 않은 베이스필름에 접착제층이 피착되는 경우, 베이스필름과 접착제층과의 접착력은 각각 700g/mm, 400g/mm의 값을 나타낸다. 이와 비교하여, 본 발명 특유의 코로나 방전처리를 한 베이스필름(30)에 접착제층(31)이 피착되는 경우, 베이스필름(30)과 접착제층(31)과의 접착력은 각각 1550g/mm, 850g/mm의 값을 나타낸다.
구분 실험데이터 1 실험데이터 2
코로나방전 미실시 코로나방전 실시 코로나방전 미실시 코로나방전 실시
베이스필름과 접착제층과의 접착력(g/25mm) 700 1550 400 850
접착제의 일레스틱 모듈러스 4.1 4.1 8.7 8.7
이러한 실험 결과에서 알 수 있듯이, 본 발명이 실시되어 베이스필름(30)에 코로나 방전처리를 한 경우, 베이스필름(30)과 접착제층(31)과의 접착력은 코로나 방전처리를 하지 않은 경우 보다 약 2배 정도가 더 견고해진다.
이는 상술한 바와 같이, 베이스필름(30)이 코로나에 의해 물리적, 화학적인 자극을 받아, 상술한 기공, 카보닐기를 생성받게 되고, 접착조건이 매우 호전됨으로써, 결국, 접착제층(31)을 자신의 표면에 좀더 견고하게 밀착시킬 수 있기 때문이다.
한편, <표 1>에 제시된 값에서 알 수 있듯이, 본 발명 특유의 코로나 방전처리가 진행되더라도, 접착제층(31)의 물성에는 별 다른 변화가 유발되지 않는다.
상술한 <표 1>에는 접착제층(31) 특유의 물성들 중의 어느 하나, 예컨대, 일레스틱 모듈러스(Elastic modulus) 값이 제시되어 있는데, 이에 제시된 바와 같이, 접착제층(31)의 일렉트릭 모듈러스 값은 코로나 방전처리의 진행 유무와 상관 없이, 각각 4.1, 8.7을 그대로 유지한다.
이와 같이, 본 발명 특유의 코로나 방전처리가 진행되더라도, 접착제층(31)은 별다른 물성변화를 일으키지 않게 되고, 결국, 접착제층(31)은 코로나 방전처리의 진행 유무와 상관 없이, 반도체칩을 고정할 수 있을 정도의 접착성을 그대로 유지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시에 의해 접착제층(31)을 부착받은 베이스필름(30)이 실제의 반도체소자 제조공정, 예컨대, 쏘우잉공정/다이어태치공정에 투입되는 예를 상세히 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 쏘우잉설비(100)에서, 쏘우잉공정을 수행받기 위한 웨이퍼(3)는 이송장치(미도시)에 의해 본체(1)의 진공 플레이트(2)로 로딩된 후, 본 발명이 실시된 베이스필름(30)의 접착제층(31)에 의해 고정된다. 이때, 베이스필름(30)의 표면 A는 접착제층(31)과 접촉되고, 접착제층(31)의 표면 B는 웨이퍼(3)와 접촉된다.
여기서, 본체(1)의 상부에는 웨이퍼(3)의 표면에 형성된 스크라이브 라인들(6)을 따라 웨이퍼(3)를 쏘우잉하여 그것을 각 반도체칩들(3a)로 분리하는 블레이드(4)가 배치되는 데, 이러한 블레이드(4)는 웨이퍼(3)로 하향하여 스크라이브 라인들(6)과 맞닿음과 아울러 회전모터(미도시)의 구동에 의해 회전함으로써, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(3)를 각각의 개별 반도체칩들(3a)로 분리한다.
이때, 베이스필름(30)에 접착 도포된 접착제층(31)은 자신의 표면 B를 반도체칩들(3a) 쪽으로 노출시켜, 블레이드(4) 날에 의해 잘라진 개별 반도체칩들(3a)을 강하게 접착시킴으로써, 이들이 블레이드(4) 날의 외압에 의해 진공 플레이트(2)의 외부로 이탈하지 못하도록 한다.
물론, 접착제층(31)의 표면 B는 본 발명 특유의 코로나 방전처리의 진행 유무와 상관 없이, 개별 반도체칩(3a)을 고정할 수 있을 정도의 접착성을 그대로 유지하고 있다.
한편, 이러한 과정을 통해, 웨이퍼(3)의 쏘우잉공정이 모두 완료되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 픽업콜렛(50)은 웨이퍼(3)의 상부로 이동한 상태로 하향하여 분리된 각 반도체칩들(3a)에 다다른 후, 도 6에 도시된 바와 같이, 각 반도체칩들(3a)을 진공흡입하여 접착제층(31)으로부터 분리하고, 그것들을 다이어태치설비(미도시)의 이젝션 부분으로 이송한다.
이때, 상술한 바와 같이, 표면 A의 접착력은 표면 B의 접착력 보다 우위에 있기 때문에, 접착제층(31)은 픽업콜렛(50)의 흡입력이 작용하더라도, 베이스필름(30)의 표면 A에 그대로 피착되어 있게 되며, 각 개별 반도체칩들(3a)은 픽업콜렛(50)의 핸들링에 의해 접착제층(31)의 표면 B에서 빠르게 박리되어 다이어태치설비로 이송되게 된다. 이때, 이송되는 각 개별 반도체칩들(3a)의 배면에 접착제층(31)이 잔류하지 않는 것은 자명하다.
이러한 과정을 통해, 접착제층(31)의 일부가 개별 반도체칩들(3a)의 배면에 잔류하지 않게 되면, 이후의 공정, 예컨대, 다이어태치공정이 진행되더라도 최종 완성되는 반도체 패키지는 잔류 접착제층에 의해 야기되던 '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등의 피해를 입지 않는다. 결국, 최종 완성되는 반도체 패키지의 신뢰성은 현저히 향상된다.
이후, 다이어태치설비는 이송된 개별 반도체칩들(3a)을 리드 프레임의 다이 어태치할 영역에 정합하고, 그것을 열 압착하여 요구되는 다이어태치공정을 완료한다.
이와 같이, 본 발명에서는 베이스필름 표면의 물리적, 화학적인 변화를 유도하여 그것의 접착조건을 호전시키고, 이를 통해, 베이스필름과 접착제층 사이의 접착력을 향상시킴으로써, 반도체칩들이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층이 반도체칩의 배면에 잔류하지 못하도록 한다.
이러한 본 발명은 단지, 상술한 쏘우잉공정/다이어태치공정에 국한되지 않으며, 베이스필름을 사용하는 다양한 반도체소자 제조공정에서 전반적으로 유용한 효과를 나타낸다.
그리고, 본 발명의 특정한 실시예가 설명되고 도시되었지만 본 발명이 당업자에 의해 다양하게 변형되어 실시될 가능성이 있는 것은 자명한 일이다.
이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 기술적사상이나 관점으로부터 개별적으로 이해되어서는 안되며 이와 같은 변형된 실시예들은 본 발명의 첨부된 특허청구의 범위안에 속한다 해야 할 것이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법에서는 코로나 방전처리를 미리 실시하여, 베이스필름 표면의 물리적, 화학적인 변화를 유도하고, 이를 통해, 베이스필름 표면의 접착조건을 호전시켜, 베이스필름과 접착제층 사이의 접착력이 향상되도록 함으로써, 반도체칩들이 다이어태치설비로 이송되더라도, 접착제층이 반도체칩의 배면에 잔류하지 못하도록 한다.
이러한 본 발명이 달성되면, '조각분산현상', '에폭시보이드현상' 등은 미리 방지되고, 최종 완성되는 반도체 패키지의 신뢰성은 현저히 향상된다.

Claims (7)

  1. 유기재질의 베이스필름을 일정 속도로 주행시킴과 아울러 상기 베이스필름의 표면으로부터 소정 간격 이격된 위치에서, 상기 표면 방향으로 고전압의 전기에너지를 인가하여 상기 표면을 코로나 방전처리하는 단계와;
    상기 코로나 방전처리된 상기 표면에 접착제층을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 베이스필름은 롤러에 감겨져 주행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 전기에너지는 상기 접착제층의 표면으로부터 0.5mm~2mm 이격된 위치에서 인가되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 코로나 방전처리는 대기와 오픈된 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 베이스필름은 PVC 재질인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 코로나 방전처리된 상기 표면에 접착제층을 부착하는 단계는
    상기 베이스필름을 주행시키면서 상기 표면과 접촉되도록 상기 베이스필름의 상부로 접착제층이 코팅되어 있는 롤러를 회전시키는 단계와;
    상기 접착제층을 상기 표면에 전사시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 접착제층은 아크릴릭 폴리머 재질인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 베이스필름의 접착제층 부착방법.
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