KR20000027659A - 웨이퍼의 디펙트 제거방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 티에이알씨 물질로 인하여 발생되는 마이크로 버블을 제거하여, 웨이퍼 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 디펙트 제거방법을 개시한다.

개시된 본 발명은, 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼 상부에 레지스트막을 도포하는 단계와, 상기 레지스트막 상부에 티에이알씨 물질을 형성하는 단계와, 상기 레지스트막의 소정 부분을 노광하는 단계와, 상기 티에이알씨 물질을 수용액으로 제거하는 단계, 및 상기 노광된 레지스트막을 현상액으로 제거하는 단계를 포함한다.

Description

웨이퍼의 디펙트 제거방법

본 발명은 웨이퍼의 디펙트 제거방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 티에이알씨(TARC : top antireflective coating) 증착으로 인하여 웨이퍼 중심에 미세 버블(bubble)성 디펙트를 제거할 수 있는 웨이퍼의 디펙트 제거방법에 관한 것이다.

일반적으로 디바이스가 고집적화되어감에 따라 패턴 사이즈도 감소되고, 공정 마진 및 안정화 확보하기가 어려워지고 있는 추세이다. 특히 동일 웨이퍼내 및 웨이퍼와 웨이퍼간의 CD(critical dimension) 균일도를 맞추는 것이 현재 반도체 제조 공정에서 해결해야할 주요한 문제점 중의 하나이다.

현재에는 이러한 CD 균일도를 맞추기 위하여, 포토레지스트막 상부에 포토레지스막의 높이 특히, 기판 결과물의 단차로 발생되는 포토레지스막의 높이를 보상하기 위하여 TARC 물질을 도포한다.

이때, TARC 물질은 수용성이고, 이 TARC 물질을 증착함에 따라, 포토레지스트막의 두께, 또는 기판 결과물의 단차 비로 인한 스윙비(swing ratio)를 줄이게되었다.

그러나, 상기와 같이 TARC 물질을 사용하게 되면, 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정시, 현상액과 TARC 물질의 반응으로 TARC 표면에 마이크로 버블이 발생된다. 특히 이 TARC 물질은 스핀 코팅(spin coating) 방식으로 형성되므로, 도1에 도시된 바와 같이, 원심력이 제일 약하게 미치는 웨이퍼(1) 중앙에 마이크로 버블이 심하게 발생되어, 디펙트를 유발한다. 여기서, "x" 부분은 웨이퍼의 중앙부분으로서 마이크로 버블이 가장 심하게 나타내어 지는 부분이다.

또한, 도 2는 도 1의 x부분을 나타낸 사진으로서, TARC 물질의 마이크로 버블로 인한 디펙트(100)를 나타낸 것이다.

이와같이 디펙트의 발생으로, 웨이퍼의 수율이 감소되는 문제점이 발생된다.

따라서, 본 발명의 목적은, TARC 물질으로 인하여 발생되는 마이크로 버블을 제거하여, 웨이퍼 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼의 디펙트 제거방법을 제공하는 것이다.

도 1은 종래의 웨이퍼를 나타낸 도면.

도 2는 도 1의 x부분을 나타낸 사진.

도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼를 나타낸 도면.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)

1, 10 - 웨이퍼 100 - 디펙트

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼 상부에 레지스트막을 도포하는 단계와, 상기 레지스트막 상부에 티에이알씨 물질을 형성하는 단계와, 상기 레지스트막의 소정 부분을 노광하는 단계와, 상기 티에이알씨 물질을 수용액으로 제거하는 단계, 및 상기 노광된 레지스트막을 현상액으로 제거하는 단계를 포함한다.

본 발명에 의하면, 레지스트 패턴의 두께 또는 웨이퍼 표면의 단차로 인한 레지스트 패턴의 두께를 보상하기 위하여, 형성되는 TARC 물질을 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정전에 DI 수용액으로 제거한다.

그러면, 현상액과 TARC 물질의 반응으로 발생되는 마이크로 버블이 제거되어, 웨이퍼 중앙에 디펙트가 발생되지 않는다.

따라서, 웨이퍼의 수율이 증가된다.

(실시예)

이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.

첨부한 도면 도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼를 나타낸 도면이다.

먼저, 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼 결과물 상부에 스핀 코팅 방식으로 포토레지스트막을 도포한다.

그리고나서, 포토레지스트막의 두께 및 웨이퍼 결과물의 단차로 인한 두께를 보상하기 위하여, 스핀 코팅방식으로 TARC 물질을 코팅한다.

그후, 포토레지스트막을 소정의 패턴 형태로 형성하기 위하여, 소정 부분 노광한다. 이때, TARC 물질에 의하여 레지스트막의 두께가 보상되어 있으므로, 원하는 형태로 노광이 이루어진다.

그리고나서, 노광된 부분을 현상하여 제거하기 전에, 현상액과 TARC 물질간의 반응으로 인한 마이크로 버블을 제거하기 위하여, 웨이퍼를 D.I(deionize) 수용액에 침지한다. 그러면, 마이크로 버블을 발생시키는 TARC 물질이 수용성인 관계로 DI 수용액에 의하여 제거된다. 이때, TARC 물질이 제거되더라도 이미 원하는 형태로 노광이 된 상태이므로, 레지스트 패턴을 형성하는데는 문제가 없다.

그후, 현상 공정을 진행하여, 원하는 형태의 레지스트 패턴을 형성한다.

이에따라, 도 3에 도시된 바와 같이 TARC 물질을 레지스트막을 현상하기 전에 조기에 DI 수용액으로 제거하므로써, 웨이퍼(10)의 전 표면에는 디펙트가 발생되지 않는다.

이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명에 의하면, 레지스트 패턴의 두께 또는 웨이퍼 표면의 단차로 인한 레지스트 패턴의 두께를 보상하기 위하여, 형성되는 TARC 물질을 레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상 공정전에 DI 수용액으로 제거한다.

그러면, 현상액과 TARC 물질의 반응으로 발생되는 마이크로 버블이 제거되어, 웨이퍼 중앙에 디펙트가 발생되지 않는다.

따라서, 웨이퍼의 수율이 증가된다.

한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는것으로 이해할 수 있다.

Claims (1)

1. 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼 상부에 레지스트막을 도포하는 단계 ;

   상기 레지스트막 상부에 티에이알씨 물질을 형성하는 단계 ;

   상기 레지스트막의 소정 부분을 노광하는 단계 ;

   상기 티에이알씨 물질을 수용액으로 제거하는 단계 ; 및

   상기 노광된 레지스트막을 현상액으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 디펙트 제거방법.