KR20000023694A - 챔버계면ｏ링 및 그 설치방법 - Google Patents

챔버계면ｏ링 및 그 설치방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20000023694A
KR20000023694A KR1019997000151A KR19997000151A KR20000023694A KR 20000023694 A KR20000023694 A KR 20000023694A KR 1019997000151 A KR1019997000151 A KR 1019997000151A KR 19997000151 A KR19997000151 A KR 19997000151A KR 20000023694 A KR20000023694 A KR 20000023694A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
ring
interface port
port
insertion plate
Prior art date
Application number
KR1019997000151A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100335392B1 (ko
Inventor
트레이스엘 보이드
리차드디 비어
에릭에이 터빅
베몬더블유 용
Original Assignee
리차드 에이치. 로브그렌
램 리서치 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리차드 에이치. 로브그렌, 램 리서치 코포레이션 filed Critical 리차드 에이치. 로브그렌
Publication of KR20000023694A publication Critical patent/KR20000023694A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100335392B1 publication Critical patent/KR100335392B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/16—Vessels
    • H01J2237/166—Sealing means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

운송챔버의 운송챔버계면포트와 다른 챔버의 계면 사이에 진공시일을 설치하는 방법이 제시된다. 운송챔버는 다른 챔버와 인접상태로 짝을 이루도록 구성된다. 이 방법은 밀봉면과 다른 챔버의 표면 사이에 제 1 O링이 끼워지도록 제 1 O링을 포함하는 밀봉면을 갖는 삽입플레이트를 운송챔버계면포트 속에 배치하는 단계를 구비한다. 그러므로, 제 1 O링에 의해 운송챔버계면포트 내에서 운송챔버와 다른 챔버 사이에 진공시일이 이루어진다.

Description

챔버계면Ｏ링 및 그 설치방법 {Chamber Interfacing O-Rings And Method For Implementing Same}
운송모듈은 일반적으로 반도체처리시스템, 재료용착시스템 및 평판넬디스플레이처리시스템을 포함할 수 있는 다양한 기판처리모듈과 함께 사용된다. 청정도 및 높은 처리정밀도에 대한 요구가 증대됨에 따라서 처리단계 사이의 사람의 작용량을 줄이려는 필요가 커지고 있다. 이 필요성으로 인해 중개처리장치로서 동작하는 운송모듈(일반적으로는 감압 하에서, 예를 들어 진공상태 하에서 유지된다)을 완성하게 되었다. 예로써, 운송모듈은 기판이 저장되는 하나이상의 청정실저장시설과 기판이 실제로 처리되는, 예를 들어 엣칭되거나 피착되는 다수의 기판처리모듈 사이에 물리적으로 위치할 수 있다.
이와 같이, 기판을 처리할 필요가 있을 때, 선택된 기판을 저장시설로부터 회수하여 다수의 처리모듈 중의 하나 속에 놓기 위해 운송모듈 내에 위치하는 로봇아암이 이용된다. 당해 기술분야의 당업자에게 잘 알려진 바와 같이, 기판을 다수의 저장시설과 처리모듈 사이에서 운송하기 위해 운송모듈을 사용하는 것을 일반적으로는 "클러스터공구구조"라고 한다.
도 1은 운송모듈(106)과 연결되는 여러 챔버를 도시하는 전형적인 클러스터공구구조(100)를 나타낸다. 운송모듈(106)은 여러 제조공정을 수행하는데 각각 최적화될 수 있는 3개의 처리모듈(108a-108c)과 연결되는 것으로 도시되어 있다. 예로써, 처리모듈(108a-108c)은 변압기결합플라즈마(TCP)기판엣칭, 층용착 및 스퍼터링을 수행하도록 이루어질 수 있다. 운송모듈(106)에는 기판을 운송모듈(106)에 제공하도록 실행되는 로드록크(104)가 연결될 수 있다.
도시한 바와 같이, 로드록크(104)는 기판이 저장될 수 있는 청정실(102)에 연결된다. 회수 및 공급기구가 되는 외에도 로드록크(104)는 또한 운송모듈(106)과 청정실(102) 사이의 압력변화계면으로서 작용한다. 그러므로, 운송모듈(106)은 일정압력(예를 들어 진공)으로 유지되는 반면, 청정실(102)은 대기압으로 유지된다. 그러나, 압력변화이행 중에 모듈사이의 누설을 방지하기 위해 다양한 형태의 O링이 제공된다.
당해 기술분야에서 잘 알려진 바와 같이, 종래의 O링들은 운송모듈(106)과 처리모듈(108a-108c) 사이의 기판의 이송 중에 진공상태가 유지되도록 챔버들 사이에 이용되며, 다양한 부식성 가스화학물질에 노출된다. 따라서, 이들 O링은 적적한 처리상태를 유지하기 위해 주기적으로 교체되어야 한다. 불행히도, 이들 종류의 O링의 교체는 시간이 많이 들고 수고스러운 일이다.
종래기술의 O링교체방법과 관련된 문제점의 설명을 용이하게 하기 위해, 도 2는 처리모듈(108)과 운송모듈(106) 사이에 위치하는 밸브체(205)를 갖는 종래의 계면구조(200)의 3차원사시도를 제공한다. 도시한 바와 같이, 밸브체(205)는 밸브체(205)의 아래에 위치하는 밸브드라이브조립체(206)를 갖는다. 또한 밸브체(205)는 처리모듈(108)의 내외로 운송될 기판의 통로를 제공하는 두 개의 계면포트(216)를 구비한다. 또한 밸브드라이브조립체(206)는 일반적으로 게이트플레이트(210)에 연결된 샤프트(208)를 승강시키기 위해 다수의 기계적 접속부, 전기적접속부 및 가스관 네트워크를 구비한다.
처리모듈(108)의 낱면(212)과 운송모듈(106) 사이에 진공밀폐시일을 설치하기 위해, 처리모듈(108)과 운송모듈(106) 사이에 끼워질 수 있다. 일반적으로 이 모듈들은 서로 볼트결합되며, 공기압(예를 들어, 공기공급라인) 및 가스라인이 연결되어 시험되며, 전기접속부가 연결되고 시험되며, 여러 가지 시험용 컴퓨터시험소프트웨어에 컴퓨터가 연결된다. 따라서, 소모된 O링(220)을 교체할 시간이 되면, 처리모듈(108)과 관련접속부가 분리된 후 재 접속되어야 한다. 분해절차는 시간이 소요될 뿐만 아니라 일반적으로 고도의 기술숙련가를 필요로 한다. 따라서, O링교체공정은 일반적으로 고비용의 경향이 있고, 장시간의 휴지시간을 필요로 하여 불행히도 전체처리량을 줄이게 된다.
전체 클러스터구조를 분해하는 긴 시간 및 고비용의 공정과 관련된 다른 불리점은 처리모듈(108)과 운송모듈(106)의 오정렬의 위험과 밸브체(205)의 뒤틀림이다. 예로써, O링을 교체하기 위해, 본닛플레이트(222)를 제거한 후 밸브체(205)와 드라이브조립체(206)의 내부에 위치하는 모든 부속의 기계접속부 및 전기접점을 분해함으로써 드라이브조립체(206)가 밸브체(205)로부터 제거되어야 한다. 이들 품목이 제거되면, 밸브체(205)의 구조적 완전성이 내부지지부 없이 약하게 되는 경향이 있다.
따라서, O링(220)이 부식성 가스화학물질과의 상호작용에 의해 자주 교체될수록, 회복불가능한 뒤틀림이 발생할 가능성이 커진다. 이와 같이 발생할 때, 기본적인 O링교체는 적절한 시일을 유지하기에는 충분하지 않을 것이기 때문에 전체 밸브체는 그 결과의 뒤틀림을 고치기 위해 교체되거나 면따기되어야 한다.
상기에 비추어, 필요한 것은 클러스터구조의 전체 부분을 분해하지 않고 계면챔버 사이의 소모성 O링을 효율적으로 교체하기 위한 방법이다. 또한 비효율적으로 처리량을 감소시키는 휴지시간의 연장 없이 소모성 O링을 신속하고 저렴하게 교체하는 것이 바람직할 것이다.
본 발명은 일반적으로 밀봉용 O링에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 운송모듈과 그 외의 계면모듈 사이에 진공밀폐시일을 만들기 위해 사용되는 소모성 O링에 관한 것이다.
도 1은 다양한 처리모듈이 어떻게 운송모듈에 연결되는 가를 도시하는 전형적인 클러스터공구구조의 개략도이다.
도 2는 처리모듈(또는 로드록크)과 운송모듈 사이에 위치하는 밸브체를 갖는 종래의 계면구조의 3차원사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 구체예에 따른 진공밀폐챔버를 형성하기 위해 조립된 챔버하우징, 버텀플레이트 및 톱플레이트를 구비하는 운송챔버의 분해도이다.
도 4A는 본 발명의 일구체예에 따라서 소모성 O링과 삽입플레이트가 설치된 계면포트주위의 내측면을 나타내는 챔버하우징의 3차원사시도이다.
도 4B는 본 발명의 일구체예에 따른 계면포트, 삽입플레이트 및 소모성 O링의 분해도이다.
도 4C는 본 발명의 일구체예에 따른 챔버하우징 및 인접처리챔버의 평단면도이다.
본 발명은 운송챔버계면포트와 처리챔버 또는 로드록크 계면포트의 계면 사이에 O링을 설치하는 방법을 제공함에 의해 상기 요구를 만족시킨다. 본 방법은 밀봉면과 처리챔버 및 로드록크챔버 중의 한 챔버의 표면 사이에 O링이 끼워지도록 제 1 O링을 포함하는 밀봉면과 제 2 O링을 포함하는 대향면을 갖는 삽입플레이트를 운송챔버계면포트 속으로 슬라이딩하는 단계를 구비한다.
유리하게는, 삽입플레이트 내에 포함된 제 2 O링은 운송챔버 내에 위치하는 게이트플레이트에 대한 수용면을 제공하며, 이 O링이 교체가 필요하다고 결정되었을 때 운송챔버의 관찰포트창이 제거되어 운송챔버의 내부로 접근할 수 있게 한다. 이와 같이, O링은 큰 분해 없이 신속하게 교체될 수 있다.
다른 구체예에 있어서, 제 1챔버계면포트와 제 2챔버계면포트의 계면 사이에 계면O링을 갖는 장치가 제시된다. 이 장치는 제 1 O링을 포함하는 밀봉면과 제 2 O링을 포함하는 대향면을 갖는 삽입플레이트를 구비하며, 이 삽입플레이트는 밀봉면과 제 2챔버의 표면사이에 제 1 O링이 끼워지도록 제 1챔버계면포트 내에 위치한다.
본 발명의 상기 및 그 외의 이점은 이후의 상세한 설명을 읽고 여러 도면을 연구하면 명백하게 될 것이다.
상술한 바와 같이, 도 1은 전형적인 클러스터공구구조와 운송모듈(106)의 상대위치를 개략적으로 나타낸다. 도 2는 소모성 O링을 교체하기 위해 클러스터구조를 분해하는데 관련된 여러 가지 비용이 많이 드는 결점을 나타내는데 사용되는 종래의 계면구조이다.
계면O링의 교체성을 향상시키기 위한 발명이 설명된다. 다음의 설명에 있어서, 본 발명의 완전한 이해를 위해 많은 구체적인 사항이 설명된다. 그러나 당업자라면 이들 구체적인 사항중의 일부 또는 전부가 없어도 본 발명을 실시할 수 있음을 명백히 알 것이다. 그 외의 경우, 본 발명을 불필요하게 애매하지 않도록 하기 위해 잘 알려진 제조단계들은 상세히 설명하지 않았다.
일 발명의 방법의 설명을 용이하게 하기 위해, 도 3은 진공밀폐챔버를 형성하도록 조립된 챔버하우징(302), 버텀플레이트(306) 및 톱플레이트(304)를 구비하는 운송챔버(300)의 분해도를 제공한다. 일 구체예에 있어서, 챔버하우징(302)은 챔버하우징(302)과 만나게 다른 챔버에 대한 표면을 제공하는 소정개수의 낱면(305)을 가질 수 있다. 이와 같이, 도 1에서 설명한 바와 같이 운송챔버(300)에 연결된 로드록크챔버와 여러 처리챔버의 사이에 진공밀폐시일이 형성될 수 있다.
운송챔버(300)와 다른 챔버 사이에 적절한 시일이 유지되도록 하기 위하여, 챔버의 낱면(305)과 인접챔버 사이에 O링이 놓인다. 이와 같이, 동작 중에 적절한 시일이 유지될 수 있다. 또한 상술한 바와 같이 청정실저장시설과 운송챔버(300) 사이에 압력계면을 제공하기 위해 적어도 하나의 낱면표면(305)이 로드록크부(예를 들어, 도 1의 로드록크(104))와 결합될 수 있다. 그 후 운송챔버(300)는 일정한 진공압력으로 유지되어, 새로운 기판이 챔버의 내외로 출입할 때마다 운송챔버(300)를 압력강하할 필요를 없앤다. 일구체예에 있어서, 처리 중에 운송챔버(300)의 내부의 압력은 약 1 내지 약 150mTorr로 유지될 수 있다.
도시한 바와 같이, 톱플레이트(304)는 챔버하우징(302)의 상부면 위에 안착되고, O링은 톱플레이트(304)가 챔버하우징(302)에 볼트결합될 때 진공밀폐시일이 만들어지도록 위치한다. 마찬가지로, 버텀플레이트(306)는 O링시일(314)이 챔버하우징(302)과 버텀플레이트(306)의 사이에 위치할 때 진공밀폐시일이 만들어지도록 챔버하우징(302)에 볼트결합될 수 있다.
일구체예에 있어서, 버텀플레이트(306)는 로봇아암드라이브(도시의 용이성을 위해 도시하지 않음)가 버텀플레이트(306)의 아래로부터 설치될 수 있도록 설계된 로봇아암접근포트(320)를 가질 수 있다. 또한 게이트구동부(도시의 용이성을 위해 도시하지 않음)의 샤프트부를 삽입하기 위한 통로를 제공하기 위해 버텀플레이트(306)의 주위에는 구멍(606)이 형성된다. 당해 기술분야에서 잘 알려진 바와 같이, 처리챔버, 로드록크 및 청정실에 이르게 되는 여러 계면포트(316)에 대하여 게이트를 기계적으로 개폐하기 위해 일반적으로 게이트구동부가 사용된다.
역시 도 3에 있어서, 톱플레이트(304)는 운송챔버(300)속을 관찰하고 그 속으로 접근할 수 있게 설계된 관찰포트(308)를 갖는 것으로 도시된다. 예로써, 관찰포트(308)는 게이트구동밸브와 운송챔버(300)의 외부의 챔버 사이에 진공시일을 제공하는 소모성 O링을 설치하고 교체하기 위한 효율적인 통로를 제공할 수 있다. 당해 기술분야에 잘 알려진 바와 같이, 이들 소모성 O링은 일반적으로는 어러가지 오염 및 부식성 가스화학물질에 노출되어 주기적인 교체를 필요로 하게 한다. 유리하게는 관찰포트(308)는 이후의 도 4B를 참조하여 설명하는 바와 같이 전체클러스터구조를 분해하지 않고 소모성 O링에 접근하여 O링을 교체하기 위한 신속한 수단을 제공한다.
관찰포트(308)는 각각의 계면포트(316)의 위에 위치하는 것으로 도시되어 있지만, 관찰포트(308)는 선택적인 것이다. 관찰포트가 구비되지 않는다면, 일구체예에 있어서 여러 가지 소모성 O링에 접근하기 위해 톱플레이트(304)가 쉽게 제거될 수 있다. 또한, 관찰포트(308)의 위치와 형상은 본 구체예의 정신과 범위를 이탈함 없이 변경될 수 있다.
일구체예에 있어서, 관찰포트창(308)은 O링에 의해 톱플레이트(304)에 대하여 밀봉될 수 있는 정확히 2인치 두께의 폴리카보네이트 플라스틱이 될 수 있다. 이와 같이, 운송챔버(300)가 진공상태로 되었을 때 진공밀폐시일이 유지될 수 있다. 본 구체예에 있어서, 미합중국, 메사츄세츠의 핏츠필드의 General Electric Plastics에서 구할 수 있는 Lexan(상표) 플라스틱이 관찰포트창(308)을 만드는데 사용될 수 있다.
도 4A는 소모성 O링과 삽입플레이트가 설치되는 계면포트(316)의 주위의 내측면을 도시하는 챔버하우징(302)의 3차원사시도이다. 본 구체예에 있어서, 상부면(406)은 챔버하우징(302)의 내주를 둘러싸는 O링시일(312)을 갖는 것으로 도시되어 있다. 또한, 버텀플레이트(306)와 챔버하우징(302) 사이에 O링시일(314)(도 3)이 끼워질 때 유리하게는 밀봉면을 제공하는 챔버하우징(302)의 표면영역아래에 있는 것으로 도시되어 있다.
도 4B는 챔버하우징(302)의 내부영역의 분해도이다. 본 구체예에 있어서, 모범 계면포트(316)는 계면포트립부(440)와, 일 구체예에서 계면포트립부(440)가 위치하는 면에 수직한 제 1표면(443) 및 제 2표면(441)을 갖는 것으로 도시되어 있다. 그러므로, 계면포트립부(440)는 삽입플레이트(428)가 챔버하우징(302)에 부착되는 표면을 제공할 수 있다. 삽입플레이트(428)는 어떤 방식으로든지 챔버하우징 (302)에 부착될 수 있지만, 일구체예에 있어서는 나사(434)가 사용될 수 있다. 또한, 삽입플레이트(428)의 외측면(445)은 제 2표면(441)에 인접하여 배치되며, 삽입플레이트(428)의 외측면(446)은 제 1표면(443)에 인접하여 배치될 수 있다. 이해를 쉽게 하기 위해, 이후의 도 4C에는 단면도가 제공될 것이다.
또한 밀봉면(442)에 형성된 삽입노치(도시하지 않음)에 부착되는 소모성 O링(432)을 포함할 수 있는 삽입플레이트(428) 상의 밀봉면(442)이 도시되어 있다. 이와 같이, 밀봉면(442)과 소모성 O링(432)은 "한 개의 단위체"로서 처리될 수 있으며, O링(432)은 계면처리모듈 또는 로드록크에 의해 압축될 수 있다.
소모성 O링(432)가 삽입플레이트(428)의 밀봉면(442)에 부착되면, 삽입플레이트(428)의 대향면(444)에 형성된 삽입노치(도시하지 않음)에 제 2의 소모성 O링(430)이 부착될 수 있다. 이와 같이, 운송챔버 측으로부터 게이트플레이트(도시의 용이성을 위해 도시하지 않음)가 삽입플레이트(428)에 의해 압축될 때, 진공밀폐시일이 형성된다. 어떤 적절한 O링시일도 사용될 수 있지만, 하나의 최적의 소모성 O링은 미합중국, 켄터기, 렉싱톤의 Parker Seal Group에서 구입할 수 있는 금속성 시일 No. 2-284이다.
상술한 바와 같이, 소모성 O링은 일반적으로 처리화학물질에의 깊은 노출에 의해 주기적으로 교체할 필요가 있기 때문에 "소모성"으로 표시된다. 예로써, 기판이 운송챔버(300)의 로봇아암에 의해 처리챔버 속에 놓이면, 게이트플레이트는 소모성 O링(430)과 삽입플레이트(428)에 의해 압축되어 밀봉된 처리환경을 구축한다. 처리(예를 들어, 플라즈마엣칭 또는 용착)가 완료되면, 게이트플레이트가 하강하여 로봇아암이 처리된 기판을 제거할 수 있게 한다. 알 수 있는 바와 같이, 계속되는 사용으로 소모성 O링(432) 및 (430)이 열화될 수 있다.
소모성 O링은 일반적으로 누설이 시작되어 처리환경에 영향을 주기 전에 교체된다. 예로써, 소모성 O링(432) 및 (430)이 운송챔버(300)와 외부의 처리챔버 또는 로드록크사이에 더 이상 진공밀폐시일을 제공하지 않을 때, 적절한 처리조건(예를 들어, 일반적으로 진공조건)을 유지하기 위해서는 O링의 교체가 필요하다. 유리하게는 전체 클러스터구조를 분해하지 않고 본 발명에 따라서 소모성 O링(432) 및 (430)의 교체가 이루어질 수 있다. 상술한 바와 같이, 관찰포트(308)의 단순한 개구는 예를 들어 일구체예에서 상술한 노치를 통하여 삽입플레이트(428)에 부착되는 소모성 O링(432) 및 (430)을 자유롭게 하는 삽입플레이트(428)를 제거할 수 있도록 접근할 수 있게 한다. 제거된 후에는 상술한 바와 같이 클러스터구조의 여러 가지 연결시설과 관련부를 손상시키지 않고 새로운 O링이 다시 삽입될 수 있다. 예를 들어, 새로운 O링이 삽입플레이트에 부착된 후 전체 삽입플레이트 및 O링부가 계면포트(316) 속에 고정되어 새로운 진공시일을 얻을 수 있다.
도 4C는 챔버하우징(302)과 인접처리챔버(420)(또는 로드록크챔버)의 평단면도이다. 이 사시도로부터, 운송챔버(300)의 내부로부터 삽입플레이트(428)를 고정하는 효율을 알 수 있다. 예로써, 삽입플레이트(428)가 예를 들어 계면포트(316)속으로 슬라이드하여 배치될 때, 삽입플레이트(428)의 밀봉면(442)과 처리챔버 (429)의 인접낱면사이에 소모성 O링(432)이 끼워질 수 있다.
본 구체예에 있어서, 삽입플레이트(428)와 그에 대응하는 O링은 나사(434)의 사용에 의해 계면포트(440)에 고정되는 삽입플레이트(428)의 제거에 의해 계면포트(316)에 설치되고 제거될 수 있다. 예를 들어, 나사(434)는 삽입플레이트 (428)를 통과하여 계면포트립부(440)에 부착될 수 있다. 또한, 삽입플레이트(428)의 내측부(445)는 제 2표면(441)에 인접하게 배치되며, 삽입플레이트(428)의 외측면(446)은 챔버하우징(302)의 제 1표면(443)에 인접하게 배치될 수 있다. 이와 같이, 삽입플레이트(428)의 외측엣지가 계면포트립부(440)에 견고히 고정될 수 있다. 도 4B 및 도 4C에 도시한 바와 같이, 계면포트는 단차홈(즉, 계면포트립부(440))을 포함하고 삽입플레이트(428)는 단차립부(즉, 외측면(446))를 포함한다. 따라서, 삽입플레이트(428)가 계면포트(316) 속에 놓여지면, 삽입플레이트(428)의 단차립부는 대체로 계면포트(316)의 단차홈 내에 포함될 수 있다.
본 구체예에 있어서, 처리챔버(420)(또는 로드록크)는 어떠한 적절한 부착기구를 사용해서 챔버하우징(302)의 낱면에 부착될 수 있다. 예로써, 처리챔버(420)를 챔버하우징(302)에 부착하기에 충분한 크기와 강도를 갖는 벤트형 금속나사인 나사가 사용될 수 있다. 챔버들 사이의 계면이 진공밀폐밀봉면을 만드는 것을 더욱 보장하기 위해, 챔버하우징(302)의 외부낱면표면 주위에 O링시일(438)이 놓일 수 있다. 이와 같이, 계면포트(316)가 외부의 대기조건으로부터 더욱 밀봉되는 한편 처리챔버(420)와 운송챔버(300)사이에 형성된 통로채널은 동작 중에 대략 진공상태로 유지된다.
O링시일(438)은 일반적으로 소모성 O링(432) 및/또는 소모성 O링(430)에 의해 부식성가스화학물질로부터 보호되며 일반적으로 교체될 필요가 없다는 것을 알아야 한다. 그러므로, 소모성 O링(430) 및 (432)을 교체하는데는 유리하게는 운송챔버(300)로부터 처리챔버(420)를 분리할 필요가 없을 것이다. 상술한 바와 같이, 교체공정이 신속하고 저렴할 뿐만 아니라, 종래의 조립단계와 관련된 오정렬 및 뒤틀림의 위험이 거의 피해진다.
상기 여러 구체예에서 설명한 O링교체법은 운송챔버와 처리챔버 사이의 계면에 직접 적용하지만, 이들 구체예들은 가스켓형 또는 O링형 밀봉계면의 교체가 필수적인 어떤 용도에도 동일하게 적용할 수 있다는 것을 기억하여야 한다. 하나의 특정 구체예에 있어서, 처리챔버 내에서 처리되는 기판은 상술한 O링밀봉법을 수행하는 클러스터구조 내에서 일반적으로 다수의 엣칭공정을 받는 평판넬디스플레이 (FPD)를 생산하는데 이용될 수 있다.
예로써, 본 발명은 상표이름 "Continuum"으로 알려져 있고 미합중국, 캘리포니아, 프레몬트의 Lam Reserch Corporation에서 구할 수 있는 클러스터구조에 응용할 수 있다. 그러나, 운송챔버(300)와 그 와 관련된 처리모듈은 다양한 제조물품을 제조하는데 사용될 수 있음을 이해하여야 한다. 예로써, 운송챔버(300)는 반도체웨이퍼, 디스크드라이브, 금속플라팅 및 엣칭을 필요로 하는 품목을 운송하는데 사용될 수 있다. 넓은 의미로 말해서, 여기서 제시한 구체예들은 또한 필름, 동결건조식품을 배치하기 위해 그리고 진공(저압도 포함)운송챔버 및 그와 관련된 처리모듈을 실행하는 그 외의 용도에도 사용될 수 있다.
상기 본 발명은 이해를 명확히 하기 위해 어느 정도 상세히 설명되었지만, 첨부하는 청구범위의 범위 내에서 어떤 변화 및 변경이 실시될 수 있음은 명백할 것이다. 또한, 최적의 소모성 O링은 금속성 시일이지만, 몰딩된 엘라스토머 시일, 압출된 엘라스토머 시일 등 같은 그 외의 적절한 밀봉재료나 가스켓으로 대체될 수 있다. 그러므로, 본 구체예들은 예시적인 것으로서 제한적인 것은 아닌 것으로 생각하여야 하며, 본 발명은 여기서 주어진 상세사항에 제한되어서는 안되며 첨부하는 청구의 범위의 범위 및 등가물 내에서 변경될 수 있다.

Claims (25)

  1. 제 1챔버가 제 2챔버와 인접한 상태로 짝을 이루도록 구성된 상기 제 1챔버의 챔버계면포트와 제 2챔버의 계면 사이에 진공시일을 설치하는 방법에 있어서,
    제 1 O링을 포함하는 밀봉면을 갖는 삽입플레이트를 제 1챔버계면포트 속에 놓음으로써 제 1 O링이 밀봉면과 제 2챔버계면포트의 표면사이에 끼워지게 하고 제 1 O링에 의해 제 1챔버계면포트 내에서 제 1챔버와 제 2챔버 사이에 진공시일이 이루어지게 하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 삽입플레이트는 또한 대향면을 포함하며, 그 대향면은 제 2 O링을 포함하며 제 1챔버 내에 위치하는 게이트플레이트에 대한 수용면을 제공하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서, 제 1 O링과 제 2 O링은 하나의 단위체로서 제거가능한 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 2항에 있어서,
    제 1 O링 및 제 2 O링 중의 하나가 교체가 필요한지를 결정하는 단계와,
    제 1챔버의 관찰포트를 통하여 삽입플레이트, 제 1 O링 및 제 2 O링을 하나의 단위체로서 제거하여 교체를 용이하게 하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서, 제 1 O링과 제 2 O링은 제 1챔버를 제 2챔버로부터 제거하지 않고 교체되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 2항에 있어서, 또한
    게이트플레이트와 결합하게 구성된 게이트구동샤프트를 제공하는 단계와,
    게이트구동샤프트를 사용하여 대향면에 대하여 게이트플레이트를 위치조정하여 게이트플레이트와 대향면 사이에 진공시일을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 제 2챔버는 평판넬디스플레이처리챔버, 용착챔버, 디스크드라이브처리챔버 및 반도체처리챔버로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 제 2챔버는 로드록크인 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 로드록크는 제 1챔버와 청정실의 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 9항에 있어서, 청정실은 대략 대기압에 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1항에 있어서, 제 1챔버 내의 압력은 처리 중에 약 1 내지 약 150mTorr로 유지되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 1항에 있어서,
    제 1챔버계면포트의 외부낱면의 주위에 제 3 O링을 부착하여 제 1챔버와 제 2챔버의 표면 사이에 제 2밀봉시일을 제공하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 제 3 O링은 제 1 O링에 의해 제 2챔버로부터의 화학물질로부터 보호되어 제 3 O링이 제 1 O링보다 덜 열화되게 하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 1챔버계면포트와 제 2챔버의 제 2챔버계면포트의 계면 사이에 계면O링을 갖는 장치에 있어서, 상기 장치는
    제 1 O링을 포함하는 밀봉면과 제 2 O링을 포함하는 대향면을 갖는 삽입플레이트로 구성되며, 상기 삽입플레이트는 밀봉면과 제 1챔버의 표면 사이에 제 1 O링이 끼워지도록 제 1챔버계면포트 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 14항에 있어서, 제 1챔버계면포트는 운송챔버계면포트인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제 15항에 있어서, 제 2챔버계면포트는 처리챔버계면포트, 로드록크계면포트 및 청정실계면포트로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 또한 운송챔버와 제 2챔버의 낱면 사이에 시일을 제공하기 위해 운송챔버계면포트의 외부낱면의 주위에 놓인 제 3 O링을 구비하는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 O링은 제 2챔버로부터의 화학물질에 대한 노출에 의해 소모되는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 16항에 있어서, 처리챔버는 평판넬디스플레이처리챔버, 용착처리챔버, 디스크드라이브처리챔버 및 반도체처리챔버로 구성된 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 1챔버가 그 챔버의 제 1표면에서 계면포트를 가지고 제 2챔버가 그 제 2챔버의 제 2표면에 배치된 제 1포트를 갖도록 구성된 제 1챔버와 제 2챔버 사이에 진공시일을 설치하는 방법에 있어서,
    제 1 O링을 제공하는 단계와,
    제 1 O링과 짝을 이루도록 구성된 밀봉면과 관통공을 갖는 삽입플레이트를 제공하는 단계와,
    관통공과 제 2포트가 제 1통로를 이루고 제 1 O링이 밀봉면과 짝을 이루어 밀봉면과 제 2챔버의 제 2표면사이에 배치되도록 삽입플레이트를 계면포트 속에 놓는 단계와,
    삽입플레이트를 상기 제 1챔버 위에 고정하여 밀봉면과 제 2챔버의 제 2표면사이에서 O링이 압축되게 하고, 따라서 제 1챔버와 제 2챔버 사이에 진공시일을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 1챔버는 그 챔버의 제 1표면에서 계면포트를 갖고 제 2챔버는 그 제 2챔버의 제 2표면에 배치된 제 1포트를 갖도록 구성된 제 1챔버와 제 2챔버 사이에 진공시일을 설치하기 위한 관통공을 갖는 삽입플레이트에 있어서,
    상기 삽입플레이트는 제 1 O링과 짝을 이루게 구성된 밀봉면으로 구성되며, 상기 삽입플레이트는 관통공과 제 2포트를 통하여 제 2통로를 이루도록 계면포트 내에 끼워지게 구성되며, O링은 삽입플레이트가 계면포트 내에 결합될 때 밀봉면과 짝을 이루고 밀봉면과 제 2챔버의 제 2표면 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 삽입플레이트.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 삽입플레이트는 또한 제 2 O링과 짝을 이루도록 구성된 대향면으로 구성되는 것을 특징으로 하는 삽입플레이트.
  23. 제 22항에 있어서, 제 1 O링과 제 2 O링은 적어도 부분적으로 각각 밀봉면과 대향면의 홈 속에 배치되는 것을 특징으로 하는 삽입플레이트.
  24. 제 22항에 있어서, 대향면은 제 1챔버 내에 위치하는 게이트플레이트와 짝을 이루기 위한 면에 상당하는 것을 특징으로 하는 삽입플레이트.
  25. 운송챔버가 다른 챔버와 인접상태로 짝을 이루도록 구성된 운송챔버의 운송챔버계면포트와 다른 챔버의 계면 사이에 진공시일을 설치하는 방법에 있어서,
    제 1 O링이 밀봉면과 다른 챔버의 표면사이에 끼워지도록 제 1 O링을 포함하는 밀봉면을 갖는 삽입플레이트를 운송챔버계면포트 속에 배치하는데, 상기 삽입플레이트가 대향면을 구비하며, 대향면은 제 2 O링을 포함하고 운송챔버 내에 위치하는 게이트플레이트에 대한 수용면을 제공하며, 제 1 O링에 의해 운송챔버계면포트 내에서 운송챔버와 다른 챔버 사이에 진공시일이 이루어지게 하는 단계와,
    제 1 O링과 제 2 O링 중의 하나가 교체를 필요로 하는지를 결정하는 단계와,
    운송챔버의 관찰포트를 통하여 삽입플레이트, 제 1 O링 및 제 2 O링을 하나의 단위체로서 제거하여 교체를 용이하게 하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
KR1019997000151A 1996-07-09 1997-07-01 챔버계면ｏ링 및 그 설치방법 KR100335392B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/675,994 1996-07-09
US8/675,994 1996-07-09
US08/675,994 US5746434A (en) 1996-07-09 1996-07-09 Chamber interfacing O-rings and method for implementing same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000023694A true KR20000023694A (ko) 2000-04-25
KR100335392B1 KR100335392B1 (ko) 2002-05-06

Family

ID=24712781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019997000151A KR100335392B1 (ko) 1996-07-09 1997-07-01 챔버계면ｏ링 및 그 설치방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5746434A (ko)
JP (1) JP4024305B2 (ko)
KR (1) KR100335392B1 (ko)
WO (1) WO1998001887A1 (ko)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6045620A (en) * 1997-07-11 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Two-piece slit valve insert for vacuum processing system
JPH11241155A (ja) * 1998-02-27 1999-09-07 Applied Materials Inc シール部材および真空装置
US6182851B1 (en) 1998-09-10 2001-02-06 Applied Materials Inc. Vacuum processing chambers and method for producing
US6800172B2 (en) * 2002-02-22 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Interfacial structure for semiconductor substrate processing chambers and substrate transfer chambers and for semiconductor substrate processing chambers and accessory attachments, and semiconductor substrate processor
US6814813B2 (en) 2002-04-24 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
US6858264B2 (en) * 2002-04-24 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods
US6838114B2 (en) 2002-05-24 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Methods for controlling gas pulsing in processes for depositing materials onto micro-device workpieces
CN100423179C (zh) * 2002-06-21 2008-10-01 应用材料股份有限公司 用于真空处理系统的传送处理室
US6821347B2 (en) 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US20040141832A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-22 Jang Geun-Ha Cluster device having dual structure
US6926775B2 (en) 2003-02-11 2005-08-09 Micron Technology, Inc. Reactors with isolated gas connectors and methods for depositing materials onto micro-device workpieces
JP4258803B2 (ja) * 2003-03-26 2009-04-30 シーワイジー技術研究所株式会社 真空チャンバ組立体
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7235138B2 (en) 2003-08-21 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for batch deposition of materials on microfeature workpieces
US7344755B2 (en) 2003-08-21 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces; methods for conditioning ALD reaction chambers
US7422635B2 (en) 2003-08-28 2008-09-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for processing microfeature workpieces, e.g., for depositing materials on microfeature workpieces
US7056806B2 (en) 2003-09-17 2006-06-06 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing apparatus and methods for controlling deposition of materials on microfeature workpieces
US7282239B2 (en) * 2003-09-18 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7323231B2 (en) 2003-10-09 2008-01-29 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for plasma vapor deposition processes
US7647886B2 (en) * 2003-10-15 2010-01-19 Micron Technology, Inc. Systems for depositing material onto workpieces in reaction chambers and methods for removing byproducts from reaction chambers
US7258892B2 (en) 2003-12-10 2007-08-21 Micron Technology, Inc. Methods and systems for controlling temperature during microfeature workpiece processing, e.g., CVD deposition
US7906393B2 (en) * 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US7584942B2 (en) * 2004-03-31 2009-09-08 Micron Technology, Inc. Ampoules for producing a reaction gas and systems for depositing materials onto microfeature workpieces in reaction chambers
US8133554B2 (en) 2004-05-06 2012-03-13 Micron Technology, Inc. Methods for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers and systems for depositing materials onto microfeature workpieces
TWI298895B (en) * 2004-06-02 2008-07-11 Applied Materials Inc Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7699932B2 (en) 2004-06-02 2010-04-20 Micron Technology, Inc. Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US20060237138A1 (en) * 2005-04-26 2006-10-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes
JP4987243B2 (ja) * 2005-04-27 2012-07-25 三菱電線工業株式会社 シール構造体
US20080019806A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Nyi Oo Myo Small footprint modular processing system
EP1953802A3 (en) * 2007-02-01 2012-05-23 Parker-Hannifin Corporation Semiconductor process chamber
JP2008192802A (ja) * 2007-02-05 2008-08-21 Spansion Llc 半導体製造装置およびその製造方法
WO2008144670A1 (en) 2007-05-18 2008-11-27 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
US10541157B2 (en) 2007-05-18 2020-01-21 Brooks Automation, Inc. Load lock fast pump vent
US9301191B2 (en) 2013-09-20 2016-03-29 Telecommunication Systems, Inc. Quality of service to over the top applications used with VPN
EP2293321A1 (en) * 2009-09-08 2011-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanical modularity chambers
US20110180097A1 (en) * 2010-01-27 2011-07-28 Axcelis Technologies, Inc. Thermal isolation assemblies for wafer transport apparatus and methods of use thereof
US9349621B2 (en) 2011-05-23 2016-05-24 Lam Research Corporation Vacuum seal arrangement useful in plasma processing chamber
JP6166137B2 (ja) * 2013-09-26 2017-07-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
CN104930191A (zh) * 2014-03-19 2015-09-23 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种晶片盒门改进结构
DE102014213942B4 (de) * 2014-07-17 2016-01-28 Christof-Herbert Diener Vakuumanlage, insbesondere Plasmaanlage, mit einem rundum geschlossenen Kammerstrangpressprofil
KR20180079342A (ko) 2015-11-11 2018-07-10 그린, 트위드 테크놀로지스, 인코포레이티드 고온 엔드 적용을 위한 밀봉링 및 밀봉링 조립체
US10036197B1 (en) * 2015-12-31 2018-07-31 Vium, Inc. Device, system and method of interconnecting doorways
US11090893B2 (en) * 2018-09-06 2021-08-17 Applied Materials, Inc. Method of reclaiming a seal
KR20200110047A (ko) * 2019-03-15 2020-09-23 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
DE102019133555A1 (de) * 2019-12-09 2021-06-10 Vat Holding Ag Vakuumventil oder Vakuumtür
JP2023516060A (ja) * 2020-03-02 2023-04-17 ラム リサーチ コーポレーション 処理モジュールにターボポンプを取付けるための取付板

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3789875A (en) * 1972-05-15 1974-02-05 Gray Tool Co Fluid pressure actuated valve operator
US4355937A (en) * 1980-12-24 1982-10-26 International Business Machines Corporation Low shock transmissive antechamber seal mechanisms for vacuum chamber type semi-conductor wafer electron beam writing apparatus
US4433951A (en) * 1981-02-13 1984-02-28 Lam Research Corporation Modular loadlock
US4340462A (en) * 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber
US4483654A (en) * 1981-02-13 1984-11-20 Lam Research Corporation Workpiece transfer mechanism
SU1093854A1 (ru) * 1983-01-11 1984-05-23 Специальное Проектно-Конструкторское И Технологическое Бюро Электротермического Оборудования Саратовского Завода Электротермического Оборудования Вакуумный шиберный затвор
US4593915A (en) * 1984-11-28 1986-06-10 Grove Valve And Regulator Co. Orifice plate seal ring
US4753417A (en) * 1985-01-28 1988-06-28 The Boc Group, Inc. Gate valve for vacuum processing apparatus
CA1331163C (en) * 1986-04-18 1994-08-02 Applied Materials, Inc. Multiple-processing and contamination-free plasma etching system
US4715921A (en) * 1986-10-24 1987-12-29 General Signal Corporation Quad processor
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4721282A (en) * 1986-12-16 1988-01-26 Lam Research Corporation Vacuum chamber gate valve
EP0273226B1 (de) * 1986-12-22 1992-01-15 Siemens Aktiengesellschaft Transportbehälter mit austauschbarem, zweiteiligem Innenbehälter
US4795299A (en) * 1987-04-15 1989-01-03 Genus, Inc. Dial deposition and processing apparatus
JP2539447B2 (ja) * 1987-08-12 1996-10-02 株式会社日立製作所 枚葉キャリアによる生産方法
US5002255A (en) * 1989-03-03 1991-03-26 Irie Koken Kabushiki Kaisha Non-sliding gate valve for high vacuum use
US5120019A (en) * 1989-08-03 1992-06-09 Brooks Automation, Inc. Valve
JP2767144B2 (ja) * 1989-10-31 1998-06-18 東京エレクトロン株式会社 処理装置
DE69103316T2 (de) * 1990-04-20 1995-04-27 Applied Materials Inc Vorrichtung und Verfahren für Schlitzventil.
JP3043848B2 (ja) * 1990-07-20 2000-05-22 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH0478377A (ja) * 1990-07-20 1992-03-12 Tokyo Electron Ltd トグル式ゲート
DE4024973C2 (de) * 1990-08-07 1994-11-03 Ibm Anordnung zum Lagern, Transportieren und Einschleusen von Substraten
US5295522A (en) * 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Gas purge system for isolation enclosure for contamination sensitive items
KR100303075B1 (ko) * 1992-11-06 2001-11-30 조셉 제이. 스위니 집적회로 웨이퍼 이송 방법 및 장치
JP3153397B2 (ja) * 1993-09-28 2001-04-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5383338A (en) * 1993-12-17 1995-01-24 Emerson Electric Co. In-line sight indicator
JP2850279B2 (ja) * 1994-02-22 1999-01-27 ティーディーケイ株式会社 クリーン搬送方法及び装置
US5722668A (en) * 1994-04-29 1998-03-03 Applied Materials, Inc. Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor
JPH0864542A (ja) * 1994-08-25 1996-03-08 Plasma Syst:Kk 半導体処理装置用真空チャンバーおよびその製造方法
US5579718A (en) * 1995-03-31 1996-12-03 Applied Materials, Inc. Slit valve door
KR19980082339A (ko) * 1997-05-06 1998-12-05 윤종용 반도체 제조설비의 도어 기밀유지장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP4024305B2 (ja) 2007-12-19
US5746434A (en) 1998-05-05
JP2000514601A (ja) 2000-10-31
WO1998001887A1 (en) 1998-01-15
US6010133A (en) 2000-01-04
KR100335392B1 (ko) 2002-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100335392B1 (ko) 챔버계면ｏ링 및 그 설치방법
US7282097B2 (en) Slit valve door seal
US7431813B2 (en) Multi-chambered substrate processing equipment having sealing structure between chambers thereof, and method of assembling such equipment
US7497414B2 (en) Curved slit valve door with flexible coupling
KR20230128248A (ko) 전면 개구 링 포드
CN109906502B (zh) 制造电子装置的装载端口设备、系统及方法
EP0898299B1 (en) Compartmentalized substrate processing chamber
US7845891B2 (en) Decoupled chamber body
KR20190060885A (ko) 가요성 장비 프론트 엔드 모듈 인터페이스들, 환경 제어형 장비 프론트 엔드 모듈들, 및 조립 방법들
US6764265B2 (en) Erosion resistant slit valve
US9383036B2 (en) Bonded slit valve door seal with thin non-metallic film gap control bumper
KR101046966B1 (ko) 튜브에 히터를 구비한 로드락 챔버
TWI790603B (zh) 用於半導體處理系統的相容元件
KR19980080903A (ko) 유지보수동안 진공을 보존하는 격리밸브를 가진 챔버
US20050274923A1 (en) Curved slit valve door
KR20010021746A (ko) 진공 처리 장치용 두 부품의 슬릿 밸브 삽입부재
WO2008019317A2 (en) Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment
US6568896B2 (en) Transfer chamber with side wall port
US7845618B2 (en) Valve door with ball coupling
JP5519099B2 (ja) ボール継手を有するバルブドア
KR20000023693A (ko) 운송챔버 및 그 제조방법
US6949173B2 (en) Continuous coating system
WO2008046048A2 (en) Slit valve door assembly
KR20090125433A (ko) 로드락 챔버

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130409

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140408

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160408

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee