KR20000023080A - ＡｒＦ엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 높은 균질성을 가지는 동시에 ArF엑시머레이저광에 대한 투과성이 높은 ArF엑시머레이저용 합성석영유리의 간편한 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 이것을 실현하기 위한 수단으로서,
높은 균질성을 가지고, 또한 Na함유량이 60ppb이하의 합성석영유리에 파장 260nm이하의 자외선을 일반식(1)
Y=(80X-1880)/Z (1)
[단, X는 Na농도(ppb), Y는 조사시간(시간), Z는 조사면에 있어서의 자외선의 조도(mW/㎠)을 표시함.]
로 표시되는 시간이상 조사하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법을 특징으로 한 것이다.
Description
본 발명은 엑시머레이저광을 광원으로 하는 석판인쇄장치의 광학계에 사용하는 합성석영유리의 제조방법, 더욱 상세하게는 ArF엑시머레이저석판인쇄장치의 렌즈, 프리즘, 빔스플리터 등의 조명계, 투영계에 사용하는 합성석영유리제조방법에 관한 것이다.
최근, LSI의 고집적화와 더불어, 웨이퍼위에 그리는 집적회로의 패턴도 미세화의 일로를 걸어가고 있으며, 쿼터미크론(0.25㎛)이하의 초미세패턴이 묘화된 초LSI의 대량생산화가 시작되고 있다. 이와 같은 초미세패턴을 얻을려면, 그것을 묘화하는 노광광원도 단파장화할 필요가 있으며, 엑시머레이저광을 광원으로 하는 스테퍼가 개발되어, 이미 KrF엑시머레이저광(파장 248nm)을 광원으로 하는 스테퍼가 실용화되고, 또 차세대이 스테퍼로서 ArF엑시머레이저광(파장 193nm)을 광원으로 하는 스테퍼가 주목을 모우고 있다. 이 KrF엑시머레이저광이나 ArF엑시머레이저광과 같은 단파장영역에 있어서도 충분한 투과성을 표시하는 초재(硝材)로서는 석영유리나 형석(螢石)등을 들 수 있으나, 그 중에서도 고순도의 규소화합물등을 화염가수분해하여, 용융유리화해서 얻은 합성석영유리는, 260nm이하의 파장영역에서도 높은 투과성을 표시하기 때문에, 엑시머레이저광을 광원으로 하는 석판인쇄용 광학재료로서 썩 알맞다.
상기 합성석영유리를 엑시머레이저광, 특히 ArF엑시머레이저광을 광원으로 하는 석판인쇄용 광학재료로서 사용하려면 일본국 특개평 10-53432호 공보에 개시한 바와 같이 파장 193nm광의 내부투과율이 약 99.8％인 동시에, 결상 특성을 좋게하기 위하여 높은 균질성을 가질 것이 필요하다. 합성석영유리의 균질성은 고순도의 규소화합물 등을 화염가수분해하여, 투명유리화해서 얻은 합성석영유리잉곳에 균질화처리를 실시하는 것이 일반적이나, 균질화처리에서는 고온에 합성석영유리잉곳을 장시간 노출하기 때문에, 노재를 구성하는 알루미나, 지르코니아, 흑연 등의 내화물로부터 발생한 불순물에 의한 오염이 일어난다. 이 오염에 의한 합성석영유리의 투과율의 저하는 ArF엑시머레이저광에 대해서 특히 현저하며, 이 오염에 의해 투과율이 저하한 합성석영유리를 ArF엑시머레이저를 광원으로 하는 스테퍼용의 광학재료로서 사용할 수 없다.
그래서 본 발명자들은, 상기 균질화처리에서 오염된 합성석영유리의 투과율을 회복하는 방법을 일본국 특허 제 2762188호 공보에 의해 제안했다. 동공보기재의 방법에서는 ArF엑시머레이저광에 대한 투과율이 회복하여, 파장 193nm광의 내부투과율이 99.8％가까이까지 회복하나, 얻게된 제품에 불균일이 있어 안정된 ArF액시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조가 곤란했다. 그 한편, 균질화처리 등의 2차가열처리에서는 Na가 수ppb혼입하기 때문에 이 2차 가열처리를 행하지 않고, 합성시에 굴절률의 균질화를 도모하는 방법에 의해 얻게된 ArF엑시머레이저석판인쇄용합성석영유리가 일본국 특개평 10-53432호 공보에 의해 제안되고 있다. 동공보의 합성석영유리는, Na함유량이 20ppb이하이고, 그 이상의 Na를 함유하는 경우에는 Al을 5∼100pb함유하는 것을 필수로 한다. 그러나, 합성석영유리는 원료실란을 화염가스분해해서 발생하는 실리카미립자를 퇴적시키면서 투명유리화해서 제조되기 때문에, 합성석영유리의 성장방향(세로방향)과 수직의 면내의 균질성을 높게하는 것은 용이하나, 이것과 평행의 방향(가로방향)의 균질성을 높게하는 것은, 합성석영유리의 성장에 따른 성장줄무늬, 소위 layer 또는 층상구조가 나타나 기술적으로 매우 곤란하다. 그 위에, 동 공보기재의 제조방법은 타겟판의 회전에 추가해서 요동, 끌어내림 등의 조작을 행하는 동시에, 합성면과 버너와의 간격을 항상 일정하게 유지하는 조작을 필요로하여 장치가 매우 복잡화해서, 제조코스트를 높은 것으로 하고 있다. 또, 석영유리속의 Al의 확산계수는 1×10-13cm2/sec로, Na의 확산계수인 7.9×10-6cm2/sec에 비해서 극히 작고(「Hand book of Glass Properties(Academic Press사 발행)참조」, 이 확산계수가 크게 다른 Al과 Na를 동시에 균일하게 도프하는 것은 기술적으로 곤란하다.
이러한 상황에 의거하여, 본 발명자들은 고균질성인 동시에, 높은 투과율을 가진 ArF엑시머석판인쇄용 합성석영유리의 개발에 대해서 예의 연구를 계속한 결과, 상기 일본국 특허 제 2762188호 공보에 의해 제안되고 있는 제조방법이 그 용이성, 저코스트성 때문에 가장 적합하다는 결론에 도달하여, 이 제조방법에 대해서 더욱더 연구를 추진하였던 바, 동공보의 방법으로 얻게된 제품의 불균일은 합성석영유리에 함유하는 Na농도에 기인하며, 이 Na의 농도범위를 특정하는 동시에, 260nm이하의 자외선을 특정의 조도로 또한 특정의 시간조사함으로써, 안정적으로 높은 균일성을 가지는 동시에, ArF엑시머레이저광에 대한 투과율이 높은 합성석영유리를 제조할 수 있는 것을 발견하여 본 발명을 완성한 것이다.
본 발명은, 높은 균질성을 가지는 동시에 ArF엑시머레이저광에 대해서 높은 투성을 가진 ArF엑시머레이저용 합성석영유리의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또, 본 발명은, ArF엑시머레지어를 광원으로 하는 스테퍼용의 광학재료로서 유용한 높은 균질성을 가지는 동시에 ArF엑시머레지어광에 대해서 높은 투과성을 가진 ArF엑시머레이저용 합성석영유리의 간편한 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 자외선 조사시간과 내부투과율의 관계를 표시한 그래프
도 2는 내부투과율 99.8％를 부여하기 위한 Na농도와 자외선조사시간과의 관계를 표시한 그래프
상기 목적을 달성하는 본 발명은, 높은 균질성을 가지고, 또한 Na함유량이 60ppb이하의 합성석영유리에 파장 260nm이하의 자외선을 일반식(1)
Y=(80X-1880)/Z (1)
[단, X는 Na농도(ppb), Y는 조사시간(시간) 및 Z는 조사면에 있어서의 자외선의 조도(mW/㎠)을 말함.]
로 표시되는 시간이상 조사하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 있어서, 「높은 균질성을 가지고」란, 고순도규소화합물을 화염가수분해하여, 용융유리화해서 얻은 합성석영유리잉곳에 균질화처리 또는 균질화처리, 성형 및 변형제거처리(이하 균질화처리등이라 함)를 실시하고, 광학면내(Clean aperture)의 굴곡률분포를 2×10-6이하, 3방향의 맥리 및 내부변형을 제거한 상태를 말한다. 또, 합성석영유리는, 고순도의 규소화합물, 예를 들면 4염화규소, 메틸트리메톡시실란, 테트라메톡시 실란 등을 화염가스분해해서 제조된 수트를 타겟에 퇴적하는 동시에 용융유리화하는 직접법, 또는 수트를 일단 타겟위에 퇴적한 후, 전기로내에서 가열용융해서 유리화하는 수트법 등에 의해 제조된다. 상기 균질화처리로서는 내화로내에서 2000℃로 장시간 가열처리하는 방법이나 합성석영유리잉곳을 대역적으로 용융하는 방법 등을 들 수 있으나, 바람직하게는 일본국 특개평 7-267662호 공보에 기재된, 잉곳을 그 긴쪽방향의 양단부를 지지부재에 의해 지지하고, 그 지지단부를 연결하는 축을 중심으로 회전시키면서, 합성석영유리잉곳을 대역용융시켜, 지지축방향으로 가압해서 용융대역에서 바깥쪽으로 돌출하는 형상으로 변형시켜, 지지축방향의 광학적균질성에 대하여 수직인 방향의 광학적균질성이 낮은 합성석영유리잉곳을 제조하고, 그 측면을 지지체에 지지한 다음, 앞서와 마찬가지의 균질화처리를 실시하는 대역적으로 용융하는 방법(이하 대역용융법이라 함)이 좋다.
상기 균질화처리 등이 실시된 합성석영유리는 이어서 자외선이 조사되나, 바람직한 합성석영유리는 균질화처리, 성형 및 변형제거처리된 합성석영유리 성형체이다. 상기 성형이란, 합성석영유리잉곳을 각형, 원반형, 4각추형 등의 광학재료로서 필요한 형상으로 형성하는 공정을 말하며, 또 변형제거처리란 합성석영유리의 내부변형을 제거하는 공정을 말한다. 이 균질화처리 등은 모두 내화로 또는 내열로 속에서 행하여지기 때문에, 노재로부터의 불순물에 의해 오염이 발생한다. 특히 Na의 오염이 심각하며, 이 Na가 합성석영유리속에 존재하면 파장 180nm근처에 흡수밴드가 발생하여, ArF엑시머레이저의 투과율이 현저하게 저하하게 된다. 본 발명자 들의 연구에 의하면 전기로내에서 온도 2000℃로 행하는 일반적인 균질화처리에서는 Na가 30ppb이상 함유하게 되고, 성형 및 변형제거처리에서는 각각 5∼10ppb정도 함유하게 된다. 그러나 대역용융법에서는 합성석영유리잉곳이 노재나 지그와 접촉하는 일이 없으므로 불순물에 의한 오염이 적고, Na함유량을 20ppb정도로 할 수 있어, 성형해도 24ppb정도로 억제할 수 있다. 그 한편, Na함유량이 60ppb를 초과하면, 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이 파장 260nm이하의 자외선에 의한 회복이 충분하지 않고, 193nm광의 내부투과율이 약 99.8％까지 회복되는 일이 없다. 그러므로, 본 발명의 자외선조사처리에 제공하는 합성석영유리속의 Na함유량은 20ppb이상 60ppb이하의 범위인 것을 필수로 한다.
상기 파장 260nm이하의 자외선으로서는 특히 연속광이 썩 알맞으나, 이 자외선의 조사시간은 일반식(2)
Y=(80X-1880)/Z (2)
[단, X는 Na함유량(ppb), Y는 조사시간(시간) 및 Z는 조사면에 있어서의 자외선의 조도(照度)(mW/㎠)를 말함]
로 표시되는 시간이상조사할 필요가 있다. 조사의 대상이 되는 합성석영유리속의 Na함유량이 20ppb이상 60ppb이하, 바람직하게는 24ppb이상 60ppb이하의 범위에 있어도, 상기 일반식(2)을 만족하는 조사시간이하에서는 도 2에서보는 바와 같이 합성석영유리의 내부투과율이 허용한계의 양 99.8％까지 회복하는 일이 없다. 또, 조사시간과 조도가 일반식(2)을 만족시켜도 합성석영유리속의 Na함유량은 20ppb이상 60ppb이하의 범위에 있지 않으면 193nm광의 내부투과율이 약 99.8％까지 회복하는 일이 없다. 상기 도 2에 있어서 Na함유량을 X(ppb), 조사시간을 Y(시간), 조사면에 있어서의 자외선의 조도를 Z(mW/㎠)로 했을 때, 이들 X,Y,Z에는 일반식(2)의 관계가 있는 것이, 동도면의 1차회귀로부터 명백하다. 또, 조사시간과 조도에는 표 3에 볼 수 있는 바와 같이 반비례관계가 있는 것이 명백하다. 상기 자외선조사에 사용하는 램프로서는, 주파장 253.7nm 및 184.9nm의 저압수은램프, 파장 172nm의 Xe엑시머램프 또는 파장 222nm의 KrCl엑시머램프 등을 들 수 있다. 또, 자외선을 조사하는 합성석영유리의 표면거칠음Rmax은 30㎛이하가 좋다. Rmax이 30㎛를 초과하면 자외선의 산란이 많아져 처리효과의 향상을 많이 바랄 수 없다. 또, 자외선의 조도는 적어도 1mW/㎠를 필요로 한다. 조사시간은 길어도 내부투과율의 회복은 바랄 수 있으나, 자외선램프의 수명이 일반적으로 짧기 때문에 램프의 사용이 많아지는 위에, 전력, 질소가스 등의 사용량도 증가하여 코스트고가되는 반면, 조사효과의 향상을 많이 바랄 수 없으므로, 조사시간은 일반식(2)의 2배까지가 채용된다.
다음에 본 발명의 실시예에 대해서 설명하나 이에 의해서 본 발명은 하등 한정되는 것은 아니다.
또한, 이하의 실시예 및 비교예의 물성치는 이하의 측정방법에 의해 구한 값이다.
ⅰ) 굴절률분포: 피조(Fizeau)형간섭계에 의한 측정법
ⅱ) 복굴절량: 직교니콜(Nicol)법에 의한 측정법
ⅲ) 맥리: 육안관찰
ⅳ) 193nm내부투과율: 193nm에 있어서의 석영유리의 이론투과율
90.86％로부터 레이레이(Rayleigh)산란에 있어서의 손실로서 알려져 있는 0.18％를 감한 90.68％를 사용해서, 두께 10mm에 있어서의 외관투과율T％에 대하여, 식(T/90.68)×100으로부터 구하는 측정법.
ⅴ) Na농도: 프레임리스원자흡광분석법에 의한 측정법.
실시예 1
고순도메틸트리메톡시실란을 산수소화염속에 도입하고, 회전하는 기체위에 용융퇴적시켜서, 외경 100mm, 길이 600mm의 합성석영유리잉곳을 작성했다. 상기 잉곳의 양단부를 석영유리가공선반의 척에 꽉 쥐어진 석영유리제의 지지봉에 용접하여, 합성석영유리잉곳을 회전시켰다. 회전하고 있는 잉곳을 버너에 의해 국부가열해서 용융대역을 형성하고, 척의 회전방향 및 회전수를 독립으로 바꾸어서, 용융대역에 응력을 발생시켜 잉곳의 맥리제거 및 균질화를 도모했다. 그후 석영유리가공을 선반의 척사이를 좁혀, 합성유리잉곳을 압압하여 볼형상의 합성석영유리로 변형하고, 볼형상 합성석영유리를 분리하여, 분리면을 상하로 해서 합성석영 유리잉곳을 지지대의 지지봉에 장착하여 회전시키면서 버너로 가열연화시켜, 재차 균질화해서 막대형상합성석영유리잉곳을 제조했다. 얻게된 잉곳에는 3방향으로 맥리가 없었다. 상기 성형에는 회분 20ppm이하의 흑연도가니를 사용하고, 도가니내를 질소분위기에 의해 치환한 후 노내온도를 1900℃로 올려, 10분간 유지하여 성형했다. 얻게된 외경 200nm, 두께 135nm의 석영유리성형체를 순도 99％이상의 알루미나를 노재로 하는 전기로내에 설치하고 1150℃에서 50시간 유지한 후, 5℃/hr의 냉각속도로 600℃까지 서냉(徐冷)하고, 이어서 자연냉각해서 변형제거조작을 행하였다. 이 합성석영유리 성형체의 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율 측정용 샘플(샘플A) 및 화학분석용 파편을 합성석영유리성형체 표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
실시예 2
실시예 1에 있어서, 성형시간을 30분으로한 이외, 실시예 1과 마찬가지의 조작으로 합성석영유리성형체를 작성하고, 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플B) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
실시예 3
실시예 1에 있어서, 합성석영유리성형체를 1150℃에서 50시간 유지한 후, 600℃까지의 서냉속도를 2℃/hr로 하는 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 조작으로 합성석영유리성형체를 작성하고, 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플C) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
실시예 4
4염화규소를 산수소화염속에 도입하고, 회전하는 기체위에 용융퇴적시켜서, 외경 100mm, 길이 600mm의 합성석영유리잉곳을 작성했다. 상기 합성석영유리잉곳에 실시예 1과 마찬가지의 균질화처리, 성형 및 변형제거처리를 행하고, 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플D) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
실시예 5
실시예 1에 있어서, 성형시에 1900℃로 승온한 후, 그 온도에서 유지하는 일없이 즉시로 5℃/hr의 냉각속도로 600℃까지 서냉한 이외, 실시예 1과 마찬가지의 조작으로 합성석영유리성형체를 작성하고, 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플E) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
비교예 1
실시예 1의 합성석영유리잉곳(샘플F)을, 실시예 1의 균질화처리를 행하는 일없이, 내경 200nm의 회분 20ppm이하의 흑연도가니내에 세트하고, 흑연도가니마다, 질소치환한 노내에서 1900℃로 10분간 유지해서 외경 200mm, 두께 135mm의 합성석영유리성형체를 작성하고, 이것을 순도 99％이상의 알루미나를 노재로 하는 전기로내에 설치하여, 1150℃에서 50시간 유지한 후, 5℃/hr이 냉각속도로 600℃까지 서냉하고, 이어서 자연냉각해서 변형제거조작을 행하였다. 얻게된 합성석영형체의 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플G) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
비교예 2
실시에 1의 성형에 있어서, 회분이 50ppb의 흑연도가니를 사용한 이외, 실시예 1과 마찬가지의 조작으로 합성석영유리성형체를 작성하고, 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플H) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
비교예 3
실시예 3에 있어서 변형제거조작의 가열로의 로재를 순도 90％의 알루미나노재로 한 이외, 실시예 3과 마찬가지의 조작으로 합성석영유리성형체를 작성하고, 광학특성을 조사한 후, 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플(샘플I) 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어 투과율측정 및 순도분석을 행하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
| 샘플 | 광학면대△n | 가로방향△n | 가로방향맥리 | 복굴절량 | 193nm내부투과율 | Na농도(ppb) | 염소농도(ppm) |
| A | 1×10-6 | 4×10-6 | 없음 | ＜1 | 99.62％ | 40 | 0 |
| B | 2×10-6 | 4×10-6 | 없음 | 1 | 99.55％ | 47 | 0 |
| C | 1×10-6 | 3×10-6 | 없음 | ＜1 | 99.48％ | 55 | 0 |
| D | 1×10-6 | 4×10-6 | 없음 | 1 | 99.36％ | 40 | 20 |
| E | 1×10-6 | 3×10-6 | 없음 | ＜1 | 99.77％ | 26 | 0 |
| F | 2×10-5 | 4×10-5 | 있음 | 20 | 99.89％ | 2 | 0 |
| G | 1×10-5 | 3×10-5 | 있음 | 1 | 99.89％ | 12 | 0 |
| H | 2×10-6 | 4×10-6 | 없음 | 1 | 99.15％ | 89 | 0 |
| I | 2×10-5 | 4×10-6 | 없음 | ＜1 | 99.08％ | 97 | 0 |
상기 샘플 A∼E, G∼I에 대해서, 파장 260nm이하의 연속자외선을 조도 20mW/㎠로 조사했을 때의 조사시간과 193nm의 내부투과율의 변화를 표 2에 표시한다.
| 샘플 | 0hrs | 24hrs | 48hrs | 72hrs |
| A | 99.62％ | 99.71％ | 99.74％ | 99.82％ |
| B | 99.55％ | 99.63％ | 99.70％ | 99.77％ |
| C | 99.48％ | 99.58％ | 99.64％ | 99.68％ |
| D | 99.36％ | 99.43％ | 99.53％ | 99.62％ |
| E | 99.77％ | 99.85％ | 99.88％ | 99.90％ |
| G | 99.89％ | 99.90％ | 99.91％ | 99.92％ |
| H | 99.15％ | 99.25％ | 99.31％ | 99.33％ |
| I | 99.08％ | 99.20％ | 99.23％ | 99.27％ |
상기 표 1, 2로부터 명백한 바와 같이 Na농도가 25ppb이상 60ppb이하의 범위에 있는 샘플 A∼E는 내부투과율이 약 99.8％까지 회복하나, 그 농도가 60ppb를 초과하는 샘플H,I에서는 72시간의 조사를 행하여도 내부투과는 99.4％이하에 그친다.
실시예 6
실시예 1의 균질화처리를 행한 합성석영유리성형체로부터 외경 60mm, 두께 10mm의 투과율측정용 샘플 및 화학분석용파편을 합성석영유리성형체표면으로부터 20mm안쪽의 부분으로부터 꺼내어, 파장 260nm이하의 연속자외선을 조도 10mW/㎠로 조사했다. 그때의 조사시간과 193nm광의 내부투과율의 변화를 표 3에 표시한다.
실시예 7
실시예 6에 있어서 조도를 7mW/㎠로한 이외는, 실시에 6과 마찬가지로 해서 조사시간과 193nm광의 내부투과율의 변화를 구했다. 그 결과를 표 3에 표시한다.
| 조도mW/㎠ | 193nm광의 내부통과율 | |||
| 0hrs | 48hrs | 96hrs | 144hrs | |
| 10 | 99.61％ | 99.71％ | 99.77％ | 99.79％ |
| 7 | 99.62％ | 99.67％ | 99.72％ | 99.74％ |
상기 표 3으로부터 명백한 바와 같이 193nm광의 내부투과율을 약 99.8％로 하는 조사시간은 조도와 반비례하고 있는 것을 알 수 있다.
본 발명에서는, 균질성에 뛰어나는 위에, 높은 투과율을 가지고, ArF엑시머레이저를 광원으로하는 스테퍼용 광학재료로서 유용한 합성석영유리를 간편하게 제조할 수 있다.
Claims (7)
- 높은 균질성을 가지고, 또한 Na함유량이 60ppb이하의 합성석영유리에 파장 260nm이하의 자외선을 일반식(1)Y=(80X-1800)/Z (1)[단, X는 Na농도(ppb), Y는 조사시간(시간), Z는 조사면에 있어서의 자외선의 조도(mW/㎠)를 표시함.]로 표시되는 시간이상 조사하는 것을 특징으로 하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 높은 균질성을 가진 합성석영유리의 Na함유량이 20ppb이상 60ppb이하인 것을 특징으로 하는 ArF엑시머레이저 석판인쇄용합성석영유리의 제조방법.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 높은 균질성을 가진 합성석영유리의 Na함유량이 24ppb이상 60ppb이하인 것을 특징으로 하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 파장 260nm이하의 자외선이, 주파장 253.7nm 및 184.9nm의 저압수은램프, 파장 172nm의 Xe엑시머램프 또는 파장 222nm의 KrCl엑시머램프의 어느 하나를 광원으로 하는 것을 특징으로 하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 높은 균질성을 가지고, 또한 Na원소함유량이 60ppb이하의 합성석영유리가 균질화처리 또는 균질화처리, 성형 및 변형제거처리의 어느하나의 처리를 실시한 합성석영유리인 것을 특징으로 하는 ArF엑시머석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 5항에 있어서, 합성석영유리가 균질화처리, 성형 및 변형제거처리를 실시한 합성석영유리 성형체인 것을 특징으로 하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용 합성석영유리의 제조방법.
- 제 6항에 있어서, 합성석영유리성형체가 원반이고, 그 표면거칠음이 Rmax30㎛이하인 것을 특징으로 하는 ArF엑시머레이저석판인쇄용합성석영 유리의 제조방법.
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