KR20000021299U - 반도체 웨이퍼 현상장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 현상장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20000021299U
KR20000021299U KR2019990008993U KR19990008993U KR20000021299U KR 20000021299 U KR20000021299 U KR 20000021299U KR 2019990008993 U KR2019990008993 U KR 2019990008993U KR 19990008993 U KR19990008993 U KR 19990008993U KR 20000021299 U KR20000021299 U KR 20000021299U
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
developer
wafer
shaft
chuck
hole
Prior art date
Application number
KR2019990008993U
Other languages
English (en)
Inventor
이동규
Original Assignee
김영환
현대반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체 주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019990008993U priority Critical patent/KR20000021299U/ko
Publication of KR20000021299U publication Critical patent/KR20000021299U/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것으로, 상면에 웨이퍼가 안착됨과 아울러 저면에는 회전축이 결합되어 회전 가능한 웨이퍼척(11)과, 이 웨이퍼척(11)의 상측에 설치되어 웨이퍼에 현상액을 분사하는 현상액 분사노즐과, 웨이퍼척(11)의 외곽에 설치되어 공정 진행시 회전하는 웨이퍼척(11)으로부터 현상액이 비산되는 것을 방지하기 위해 상기 회전축이 관통되도록 중앙에 축관통공(12a)이 형성된 캐치컵(12)과, 이 캐치컵(12)의 바닥면 외곽에 연결 설치되어 웨이퍼에 분사된 현상액을 배출하기 위한 현상액 배출라인(16)과, 상기 캐치컵(12)의 축관통공(12a) 외측에 돌출 설치되어 웨이퍼에 분사되는 미반응 현상액이 캐치컵(12)의 현상액 배출라인(16)으로 배출되는 것을 방지하기 위한 현상액 회수링(13)과, 이 현상액 회수링(13)과 축관통공(12a) 사이에 연결 설치되어 미반응 현상액을 회수하는 현상액 회수라인(17)과, 이 현상액 회수라인(17)의 하측에 설치되어 회수된 현상액을 저장하기 위한 현상액 저장탱크(18)를 포함하여 구성됨으로써, 현상공정을 진행하기 위해 필요 이상으로 과다하게 사용되는 현상액을 모두 폐기 처분하지 않고 미반응된 현상액은 현상액 저장탱크로 회수하여 재사용할 수 있도록 함으로써 공정비용을 현저히 절감하게 된다.

Description

반도체 웨이퍼 현상장치{SEMICONDUCTOR WAFER DEVELOPING APPARATUS}
본 고안은 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼에 뿌려지는 현상액 중에 미반응된 현상액을 회수하여 재사용할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 현상장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 칩을 제조하기 위해서는 적층식으로 회로를 형성시켜 나가며 각각의 적층된 레이어별로 필요한 패턴을 형성시켜야 하는데, 이때 마스크 또는 레티클에 그려진 패턴을 실제 반도체 칩을 만드는 기판 위에 이식하기 위해 진행하는 도포, 노광, 현상 공정 등의 포토공정을 진행하게 되며, 여기서 현상공정은 노광이 끝난 웨이퍼에 현상액을 분사시켜서 노광시 빛 받은 부분을 화학작용에 의해 제거하여 마스크 또는 레티클로부터 웨이퍼에 패턴을 이식하는 공정을 말한다.
이와 같은 현상공정을 진행하기 위한 종래 반도체 웨이퍼 현상장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 회전모터(미도시)에 연결된 회전축(미도시)이 소정의 속도로 회전 가능하게 설치되고, 그 회전축의 상부에는 웨이퍼(W)를 얹어 놓기 위한 웨이퍼척(1)이 고정 설치되어 구동모터의 작동시 회전축과 더불어 회전하도록 되어 있으며, 상기 웨이퍼척(1)의 상측에는 웨이퍼(W)에 현상액을 분사하기 위한 현상액 분사노즐(미도시)이 이동 가능하도록 설치되어 있다.
그리고 상기 웨이퍼척(1)의 외주면에는 현상공정시 상기 웨이퍼척(1)의 회전력에 의해 현상액이 외부로 튀는 것을 방지하기 위해 회전축을 중심으로 소정의 간격을 두고 캐치컵(2)이 설치되어 있는데, 이 캐치컵(2)의 중앙에는 상기 회전축의 외경에 대응되도록 축관통공(2a)이 형성되어 회전축이 삽입 관통된다.
또한, 상기 캐치컵(2)의 내부에는 역시 중앙에 축관통공(3a)(4a)이 형성된 디플렉터(3) 및 배플(4)이 설치되어 현상액과 공기의 흐름을 제어해 준다.
그리고 상기 캐치컵(2)의 일측 바닥면에는 웨이퍼(W)에 분사된 현상액 잔여물을 배출하기 위한 현상액 배출라인(5)이 연결 설치되어 있으며, 타측에는 공기가 배출될 수 있도록 공기 배출라인(6)이 바닥면의 상측으로 소정량 돌출되도록 연결 설치되어 있다.
이와 같이 구성된 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치는 웨이퍼 이송로봇(미도시)이 웨이퍼(W)를 파지하여 웨이퍼척(1) 위에 얹어 놓으면 회전모터에 의해 회전축 및 상기 웨이퍼척(1)이 소정의 속도로 회전하게 되고, 그 회전하고 있는 웨이퍼(W) 위에 현상액 분사노즐로부터 소정량의 현상액을 분사한다.
이와 같이 소정의 현상공정이 진행되면 현상액 잔여물은 캐치컵(2)의 저면에 연결된 현상액 배출라인(5)으로 배출된다.
그런데, 상기와 같이 회전하고 있는 웨이퍼(W)의 상면에 현상액을 분사할 때 현상액의 균일한 도포를 위해 실제 필요한 양보다 훨씬 많은 양의 현상액이 웨이퍼(W)에 분사되는데, 이와 같이 분사된 현상액은 상기 현상액 배출라인(5)을 통해 배출되어 폐기됨으로써 막대한 비용의 소비를 초래하는 문제점이 있었다.
본 고안은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼에 균일하게 도포하기 위해 필요 이상으로 과다하게 분사되는 현상액의 미반응액을 회수하여 다음 웨이퍼의 현상공정을 진행할 때 재사용할 수 있도록 한 반도체 웨이퍼 현상장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치를 개략적으로 보인 사시도.
도 2는 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치를 개략적으로 보인 사시도.
**도면의 주요부분에 대한 부호의 설명**
11 ; 웨이퍼척 12 ; 캐치컵
12a ; 축관통공 13 ; 현상액 회수링
14 ; 디플렉터 14a ; 축관통공
14b ; 현상액 배출공 15 ; 배플
15a ; 축관통공 15b ; 현상액 배출공
16 ; 현상액 배출라인 18 ; 현상액 회수라인
19 ; 현상액 저장탱크
상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은 상면에 웨이퍼가 안착됨과 아울러 저면에는 회전축이 결합되어 회전 가능한 웨이퍼척과, 이 웨이퍼척의 상측에 설치되어 웨이퍼에 현상액을 분사하는 현상액 분사노즐과, 웨이퍼척의 외곽에 설치되어 공정 진행시 회전하는 웨이퍼척으로부터 현상액이 비산되는 것을 방지하기 위해 상기 회전축이 관통되도록 중앙에 축관통공이 형성된 캐치컵과, 이 캐치컵의 바닥면 외곽에 연결 설치되어 웨이퍼에 분사된 현상액을 배출하기 위한 현상액 배출라인과, 상기 캐치컵의 축관통공 외측에 돌출 설치되어 웨이퍼에 분사되는 미반응 현상액이 캐치컵의 현상액 배출라인으로 배출되는 것을 방지하기 위한 현상액 회수링과, 이 현상액 회수링과 축관통공 사이에 연결 설치되어 미반응 현상액을 회수하는 현상액 회수라인과, 이 현상액 회수라인의 하측에 설치되어 회수된 현상액을 저장하기 위한 현상액 저장탱크를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.
본 고안에 의한 반도체 웨이퍼 현상장치는 도 2에 도시한 바와 같이, 웨이퍼척(11)에 고정 설치된 회전축(미도시)이 회전모터(미도시)의 작동에 의해 소정의 속도로 회전 가능하게 설치되고, 상기 웨이퍼척(11)의 상측에는 현상액을 분사하기 위한 현상액 분사노즐(미도시)이 설치되며, 상기 웨이퍼척(11)의 상면에 얹어진 웨이퍼(W)에 현상액을 분사시 웨이퍼척(11)의 회전력에 의해 현상액이 외부로 비산되는 것을 방지하기 위해 상기 웨이퍼척(11)의 외주면에는 회전축을 중심으로 캐치컵(12)이 소정 간격을 두고 설치된다.
이때, 상기 캐치컵(12)의 바닥면에는 상기 회전축이 관통 설치되도록 중앙에 축관통공(12a)이 형성되며, 상기 축관통공(12a)의 외곽에는 현상액 회수링(13)이 상측으로 돌출 설치된다.
그리고 상기 캐치컵(12)의 내부에는 웨이퍼에 분사되는 현상액과 펌프에 의해 흡입되는 공기의 배출을 제어하기 위한 디플렉터(14) 및 배플(15)이 설치되며, 이때 상기 디플렉터(14) 및 배플(15)의 중앙에도 상기 회전축이 관통되도록 축관통공(14a)(15a)이 형성되는데, 상기 축관통공(14a)(15a)의 외경은 현상액 회수링(13)의 외경에 대응되도록 형성하며, 상기 각 디플렉터(14) 및 배플(15)의 축관통공(14a)(15a)의 외곽에는 현상액이 유입될 수 있도록 현상액 배출공(14b)(15b)을 형성한다.
또한, 상기 캐치컵(12)의 현상액 회수링(13)의 외곽에는 현상액 잔여물을 배출하기 위한 현상액 배출라인(16) 및 공기 배출라인(17)이 연결되고, 축관통공(12a)과 현상액 회수링(13) 사이에는 현상액 회수라인(18)이 연결 설치되며, 이 현상액 회수라인(18)은 현상액을 저장할 수 있는 현상액 저장탱크(19)로 연결된다.
상기와 같이 구성된 본 고안에 의한 현상장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼척(11)을 회전시키지 않는 상태에서 그 상면에 안착된 웨이퍼(W)에 충분한 양의 현상액을 분사하는데, 이와 같이 분사되는 현상액은 디플렉터(14) 및 배플(15)의 축관통공(14a)(15a)으로 흘러내리고, 이때 웨이퍼(W)에 반응하는 현상액을 제외한 대부분의 현상액은 캐치컵(12)의 현상액 회수링(13)에 의해 차단되면서 현상액 회수라인(18)으로 유입되어 현상액 저장탱크(19)에 저장된다.
한편, 웨이퍼(W)에 반응한 현상액은 상기 웨이퍼척(11)을 소정 속도로 회전시켜 제거하게 되는데, 이때 웨이퍼척(11)의 원심력에 의해 현상액은 캐치컵(12)의 벽면에 부딪침과 동시에 디플렉터(14) 및 배플(15)의 현상액 배출공(14b)(15b)으로 흘러내려 현상액 회수링(13)에 의해 차단되어 현상액 회수라인(18)으로 유입되지 않고 현상액 배출라인(16)으로 배출되어 폐기됨으로써 상기 현상액 저장탱크(19)에 저장된 미반응 현상액과 혼합되는 것이 방지된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의하면 현상공정을 진행하기 위해 필요 이상으로 과다하게 사용되는 현상액을 모두 폐기 처분하지 않고 미반응된 현상액은 현상액 저장탱크로 회수하여 재사용할 수 있도록 함으로써 공정비용을 현저히 절감하게 된다.

Claims (1)

  1. 상면에 웨이퍼가 안착됨과 아울러 저면에는 회전축이 결합되어 회전 가능한 웨이퍼척과, 이 웨이퍼척의 상측에 설치되어 웨이퍼에 현상액을 분사하는 현상액 분사노즐과, 웨이퍼척의 외곽에 설치되어 공정 진행시 회전하는 웨이퍼척으로부터 현상액이 비산되는 것을 방지하기 위해 상기 회전축이 관통되도록 중앙에 축관통공이 형성된 캐치컵과, 이 캐치컵의 바닥면 외곽에 연결 설치되어 웨이퍼에 분사된 현상액을 배출하기 위한 현상액 배출라인과, 상기 캐치컵의 축관통공 외측에 돌출 설치되어 웨이퍼에 분사되는 미반응 현상액이 캐치컵의 현상액 배출라인으로 배출되는 것을 방지하기 위한 현상액 회수링과, 이 현상액 회수링과 축관통공 사이에 연결 설치되어 미반응 현상액을 회수하는 현상액 회수라인과, 이 현상액 회수라인의 하측에 설치되어 회수된 현상액을 저장하기 위한 현상액 저장탱크를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 현상장치.
KR2019990008993U 1999-05-25 1999-05-25 반도체 웨이퍼 현상장치 KR20000021299U (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019990008993U KR20000021299U (ko) 1999-05-25 1999-05-25 반도체 웨이퍼 현상장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019990008993U KR20000021299U (ko) 1999-05-25 1999-05-25 반도체 웨이퍼 현상장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20000021299U true KR20000021299U (ko) 2000-12-26

Family

ID=54763280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019990008993U KR20000021299U (ko) 1999-05-25 1999-05-25 반도체 웨이퍼 현상장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20000021299U (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100389509B1 (ko) * 2001-05-24 2003-06-25 주식회사 실리콘 테크 웨이퍼 코팅장치
KR100902724B1 (ko) * 2001-12-06 2009-06-15 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 현상장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100389509B1 (ko) * 2001-05-24 2003-06-25 주식회사 실리콘 테크 웨이퍼 코팅장치
KR100902724B1 (ko) * 2001-12-06 2009-06-15 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 현상장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6398879B1 (en) Method and apparatus for cleaning treatment
US5829156A (en) Spin dryer apparatus
US5001084A (en) Method for applying a treatment liquid on a semiconductor wafer
JPH0573245B2 (ko)
KR19980069633A (ko) 반도체 제조용 포토 레지스트 코팅 장치
JPH08139007A (ja) 洗浄方法および装置
JP3945569B2 (ja) 現像装置
KR20000021299U (ko) 반도체 웨이퍼 현상장치
KR20070105162A (ko) 기판 처리 장치
US4799993A (en) Rotary developer and method for its use
JPH06333899A (ja) 薬液処理方法およびその処理装置
US6070601A (en) Jet-cleaning device for developing station
KR100672928B1 (ko) 포토레지스터 코팅 설비
JP2005217138A (ja) スピン処理装置及びスピン処理方法
JPH05226242A (ja) 現像装置及び現像方法
KR100208431B1 (ko) 폴리머 제거방법
KR200300382Y1 (ko) 포토레지스트코팅캐치컵
JPH08323303A (ja) 洗浄処理装置
KR200210564Y1 (ko) 포토 레지스트 스핀 코팅장치
KR100244968B1 (ko) 웨이퍼 현상장치
JPH10270318A (ja) 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置
KR20240104750A (ko) 기판 처리 장치
KR100830394B1 (ko) 스핀 코팅 장치
KR20000020585U (ko) 반도체 코팅장비의 웨이퍼 세정장치
KR200244927Y1 (ko) 반도체웨이퍼현상장치

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid