KR20000016668A - 개질 탄소 흡착제 및 이를 사용한 흡착 방법 - Google Patents

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Abstract

하나 이상의 유기기가 부착된, 흡착물을 흡착할 수 있는 개질된 탄소질 물질 함유 흡착제 조성물이 개시되어 있다. 또한, 상기의 흡착제 조성물을 사용하여, 흡착물을 흡착할 수 있는 탄소질 물질의 흡착 용량을 증가시킬 수 있는 방법도 개시되어 있다.

Description

개질 탄소 흡착제 및 이를 사용한 흡착 방법
흡착은 많은 산업 공정에서 주요한 작업이다. 흡착제의 효능은 우선적으로 그의 표면적, 동공 구조 및 표면 화학적 성질에 따라 좌우된다. 흡착되는 흡착물의 성질은 대개 흡착제의 화학적 성질을 규정한다. 예를 들면, 탄소질 흡착제는 종종 액체, 기체 또는 증기 매질에서 유기 화합물을 선택적으로 제거하는데 사용된다. 실리카 및 알루미나 기재 흡착재는 유사한 매질로부터 물, 암모니아 등의 극성 흡착물을 선택적으로 흡착하는데 사용된다.
개개의 응용에 대한 흡착제의 효능은 해당 흡착물에 대한 흡착제의 흡착 용량 및 선택성에 의해 일반적으로 결정된다. 흡착 용량은 흡착제의 단위 질량 및 단위 부피당 측정될 수 있다. 일반적으로, 특정 흡착물에 대한 흡착제의 흡착 용량 및 선택성이 클수록 동일한 양의 흡착물 제거를 수행하는데 사용되는 흡착제의 양이 적어지기 때문에 더욱 유용하다.
활성 탄소, 카본 블랙 등의 탄소질 물질은 다른 흡착제들 가운데 분리, 정제, 폐기물 처리 등의 많은 분야에 사용되는 중요한 종류의 흡착제를 대표한다. 이들의 광범위한 용도로 인해, 특정 흡착물에 대한 탄소질 흡착제의 흡착성을 개선하려는 방법은 어떤 것이든 이 흡착제를 사용하는 공정의 효능 및 경제성에 있어서 상당한 영향을 줄 수 있다. 따라서, 탄소질 흡착제의 표면 화학적 성질을 개질하려는 시도들이 과거에 이루어졌었다. 이런 개질에 사용된 방법은 물리적 수단 및 화학적 수단으로 넓게 분류될 수 있다. 물리적 수단에 의한 표면 개질시, 탄소질 흡착제의 표면에 어떤 물질을 침착시켜 흡착제의 흡착성을 변화시키는 층을 형성한다. 그러나, 이러한 개질 방법은 침착층이 쉽게 제거되기 때문에 한계가 있었다. 화학적 수단에 의한 표면 개질에서는, 개질 물질이 화학 결합 방식으로 탄소 표면에 부착된다.
일정한 온도에서 흡착 정도 및 흡착물 농도 또는 흡착물 분압 사이의 관계를 나타내는 흡착 등온선의 특징이 중요하다. 문헌 (Sircar 등, "Activated Carbon for Gas Seperation and Storage", Carbon, Vol. 34, No. 1, pp. 1-12 (1996))에 기재되어 있는 바와 같이, 바람직한 흡착 등온선의 특징은 사용되는 분리 방법에 따라 좌우될 것이다. 예를 들면, 흡착제 재생이 압력 스윙 (pressure swing)에 의해 이루어지는 경우에, 흡착제는 흡착물에 대한 중간 정도의 친화성을 갖는 것이 바람직하다. 흡착물이 강하게 흡착되면, 즉, 흡착제에 대한 친화성이 강하면, 재생이 어렵고 에너지 집약적이 된다. 다른 한편으로는, 흡착제가 흡착물에 대한 약한 친화성을 갖는다면, 낮은 흡착물 분압에서는 흡착 용량이 작게 되고 이에 따라 흡착 덩어리 운반 구역이 너무 길어진다. 따라서, 흡착물에 대한 흡착제의 친화성을 변화시키는 방법을 이용하는 것이 유리하다.
따라서, 흡착 용량의 증가 및(또는) 흡착제의 흡착 친화성의 개질 방법은 어떠한 것이든 흡착 분야에서 그것의 유용성을 강화할 것이다. 이미 언급한 바와 같이, 화학적 개질은 탄소질 흡착제의 흡착성을 변화시키는데 사용될 수 있다. 그러나 부착될 수 있는 화합물의 종류는 제한되어 있다.
문헌 (Bansal, Donnet 및 Stoecki, Active Carbon, Ch. 5, Marcel Dekker, Inc., 1988)은 여러 탄소 표면 개질 기술을 개괄하고 있다. 물리적 함침 방법은 탄소 표면 개질을 위한 각종 물질과의 화학적 반응에 달려있는 것으로 기재되어 있다. 상기 문헌에 기재되어 있는 화학적 표면 개질 기술 몇가지는 산화, 할로겐화, 술폰화 및 암모니아화이다. 이런 기술 중 몇가지는 탄소를 승온에서 처리할 필요가 있다. 촉매가 있는 상태에서 HNO3로 탄소를 산화시키는 과정을 포함하는 다른 기술이 미국특허 제4,702,749호 (Sircar 및 Golden)에 기재되어 있다. 그러나, 이런 기술은 당업자에게는 분명한 특정 단점이 있다.
탄소질 흡착제의 표면을 개질하는 화학적 수단의 유용성이 제한되어 있기 때문에 바람직하게는 비개질 물질에 비해 흡착 용량이 개선된 개질 탄소 흡착제를 개발하려는 요구가 여전히 존재한다.
발명의 요약
이들 및 그외 이점을 달성하기 위해서 그리고 본 발명의 목적에 따라서, 본 명세서에서 구현되고 광범위하게 설명된 바와 같이, 본 발명은 흡착물을 흡착할 수 있는 개질 탄소질 물질을 함유한 흡착제 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 또다른 태양은 흡착물을 흡착하거나 흡착제에 대한 흡착물의 흡착 등온선을 변화시킬 수 있는 즉, 흡착제의 재생을 용이하게 하는 탄소질 물질의 흡착 용량을 증가시키는 방법에 관한 것이다. 이 방법에서는, 탄소질 물질의 흡착 용량을 증가시킬 수 있는 하나 이상의 유기기가 탄소질 물질에 부착된다.
또한, 본 발명은 흡착물을 흡착시키는 방법에 관한 것이며, 유기기를 부착시킴으로써 개질된 탄소질 물질과 흡착물을 접촉시키는 단계를 포함한다. 개질된 탄소질 물질은 흡착물을 흡착할 수 있으며, 하나 이상의 유기기가 탄소질 물질에 부착된다.
본 발명의 추가 특징 및 이점은 다음의 설명에서 부분적으로 기재될 것이고, 그 설명을 통해 어느 정도 분명해지거나 본 발명의 실시에 의해 습득될 수 있을 것이다. 본 발명의 목적 및 다른 이점은 명세서 및 첨부된 특허 청구의 범위에서 구체적으로 지적된 요소 및 조합을 사용하여 현실화되고 획득될 것이다.
상기한 대강의 설명 및 다음의 상세한 설명 모두는 예시와 설명만을 위한 것이며, 청구된 본 발명의 더 상세한 설명을 제공하기 위한 것임이 이해되어야 한다.
본 명세서에 도입된 첨부 도면은 본 명세서의 일부를 구성하며, 설명과 함께 본 발명의 여러 실시태양을 예시하며, 본 발명의 원리를 설명하는데 기여한다.
본 발명은 개질 탄소질 물질로 제조된 탄소 흡착제에 관한 것이며, 또한 흡착 용량의 향상 방법 및(또는) 흡착물을 흡착할 수 있는 탄소질 물질의 흡착 친화성 변화시키는 방법을 비롯한 이들 흡착제의 사용 방법에 관한 것이다.
도 1은 개질 및 비개질 카본 블랙에 대한 물 흡착량을 나타내는 그래프이다.
도 2는 개질 및 비개질 활성 탄소에 대한 물 흡착량을 나타내는 그래프이다.
도 3은 개질 및 비개질 카본 블랙에 대한 단위 표면적당 물 흡착량을 나타내는 그래프이다.
도 4는 개질 및 비개질 활성 탄소에 대한 단위 표면적당 물 흡착량을 나타내는 그래프이다.
도 5는 273 K에서 개질 및 비개질 카본 블랙에 대한 CO2흡착양을 나타내는 그래프이다.
보다 상세하게는, 본 발명의 흡착제 조성물이 1개 이상의 유기기가 탄소질 물질에 부착되는 흡착물을 흡착할 수 있는 개질 탄소질 물질을 함유한다.
흡착물을 흡착할 수 있는 탄소질 물질로는 활성탄, 카본 블랙, 또는 셀룰로스계, 연료유, 중합체계 또는 기타 전구체의 열분해에 의해 수득된 기타 탄소질 물질이 포함되지만 이들로만 한정되지는 않는다. 상기 탄소질 물질로는 폐기물 또는 부산물인 탄소질 물질이 포함된다. 바람직하게는, 탄소질 물질은 흡착물을 흡착할 수 있는 활성탄 또는 카본 블랙이다. 카본 블랙의 시판중인 예로는 모두가 캐보트 코포레이션(Cabot Corporation)으로부터 입수가능한 것인 블랙 펄스(Black Pearls)7 2000 카본 블랙, 블랙 펄스7 430 카본 블랙, 블랙 펄스7 900 카본 블랙 및 블랙 펄스7 120 카본 블랙이 포함되지만 이들로만 한정되지는 않는다. 활성탄의 시판중인 예로는 노리트(Norit)로부터 입수가능한 다르코(Darco) S51, 노리트로부터 입수가능한 소르보노리트(Sorbonorit) 3 및 캘곤(Calgon)으로부터 입수가능한 BPL이 포함된다. 본원에 기술한 전구체에 의해 개질된 탄소질 물질은 입상 형태 또는 펠렛 형태; 솜털 형태 또는 펠렛화 형태의 상이한 구조의 카본 블랙; 또는 본 발명에의 적용성이 당업계의 기술자들에게 명백한, 탄소섬유 또는 탄소 피륙과 같은 임의의 기타 탄소질 물질의 미공성 또는 메소(meso) 다공성 활성탄일 수 있다. 결국, 사용된 탄소질 물질은 목적하는 분야를 포함하는, 다양하게 상이한 인자에 따라 선택된다. 이들 형태의 탄소질 물질은 각각 1개 이상의 흡착물을 흡착할 수 있다. 다양한 BET 표면적, 세공 용적 및 총 기공 용적은 탄소질 물질의 목적하는 최종 용도에 따라 유용하다.
탄소질 물질로는 탄소가 1종 이상의 흡착물을 흡착할 수 있어 본 발명에 따라 화학적으로 개질될 수 있는 한, 소형 탄소 입자 및 미분된 형태의 기타 탄소의 압축에 의해 얻어진 물질이 포함되지만 이들로만 한정되지는 않는다.
이어서, 상기에 기술한 탄소질 물질은 유기기를 탄소질 물질에 부착시켜 개질시킨다. 유기기를 탄소질 물질에 부착시키기에 바람직한 방법은 모두가 본원에서 참조로서 그 전체를 인용되는 것인 미국 특허원 제08/356,660호, 08/572,525호, 08/356,459호 및 제08/356,653호에 상세히 기술되어 있다. 이들 방법은 바람직하게는, 본 발명의 개질 탄소 흡착물의 제조시 이용하여, 유기기를 화학 반응을 통해 탄소질 물질에 부착시킬 수 있다. 상기에 지적한 바와 같이, 탄소질 물질에 부착된 유기기는 바람직하게는, 탄소질 물질의 흡착능을 증진시킬 수 있는 유기기이다.
유기기를 탄소질 물질에 부착시키기에 바람직한 방법은 1개 이상의 디아조늄 염을 디아조늄 염을 환원시키기에 충분한 외부 인가된 전류의 부재하에 탄소질 물질과 반응시키는 것을 수반한다. 즉, 디아조늄 염과 탄소질 물질 사이의 반응은 디아조늄 염을 환원시키기에 충분한 외부 전자 원료의 부재하에 수행한다. 상이한 디아조늄 염의 혼합물을 사용할 수 있다. 이 방법은 다양한 반응 조건하에, 양성자성 및 비양성자성 용매계 또는 용매 슬러리 둘다를 포함하는 어떠한 형태의 반응 매질 중에서라도 수행할 수 있다.
또다른 바람직한 방법에서는 1종 이상의 디아조늄 염을 양성자성 반응 매질 중에서 탄소질 물질과 반응시킨다. 상이한 디아조늄 염의 혼합물을 이 방법에서 사용할 수 있다. 이 방법은 또한 다양한 반응 조건하에 수행할 수 있다.
바람직하게는, 두 방법에서 디아조늄 염이 동일반응계에서 형성된다. 경우에 따라, 개질 탄소질 물질은 둘 중 어느 방법에서도 당업계에 공지된 방법으로 단리 및 건조시킬 수 있다. 또한, 개질 탄소질 물질을 공지 기술로 처리하여 불순물을 제거할 수 있다. 이들 방법의 다양하게 바람직한 실시태양을 하기에서 논의한다.
이들 방법을 광범위하게 다양한 조건하에 수행할 수 있고, 통상 어떠한 특별 조건으로도 한정되지 않는다. 반응 조건은 특별한 디아조늄 염이 탄소질 물질과 반응하기에 충분히 안정한 것이어야 한다. 따라서, 이들 방법을 디아조늄 염의 수명이 짧은 반응 조건하에 수행할 수 있다. 디아조늄 염과 탄소질 물질 사이의 반응은 예를 들면, 광범위한 pH 및 온도에 걸쳐 수행한다. 이들 방법을 산성, 중성 및 염기성 pH에서 수행할 수 있다. 바람직하게는, pH가 약 1 내지 9이다. 반응 온도는 바람직하게는 0 내지 100℃일 수 있다.
당업계에 공지된 바와 같이, 디아조늄 염은 예를 들면, 1급 아민을 아질산 수용액과 반응시켜 형성시킬 수 있다. 디아조늄 염 및 이들의 제조 방법에 관한 개론적 논의는 문헌[참조: Morrison 및 Boyd, Organic Chemistry, 5th Ed., pp. 973-983, (Allyn and Bacon, Inc. 1987) 및 March, Advanced Organic Chemistry: Reactions, Mechanisms. and Structures, 4th Ed., (Wiley, 1992)]에 개시되어 있다. 본 발명에 따른 디아조늄 염은 1개 이상의 디아조늄기를 갖는 유기 화합물이다.
디아조늄 염은 탄소질 물질과 반응시키기 전에 제조할 수 있거나, 보다 바람직하게는 당업계에 공지된 기술을 이용하여 동일반응계에서 형성시킬 수 있다. 동일반응계 형성은 또한, 알킬 디아조늄 염과 같은 불안정 디아조늄 염의 사용을 허용하지만, 디아조늄 염의 불필요한 취급 또는 조작을 배제시킨다. 특히 바람직한 방법에서는 아질산과 디아조늄 염이 동일반응계에서 함께 형성된다.
당업계에 공지된 바와 같이, 디아조늄 염은 1급 아민, 아질산염 및 산을 반응시켜 형성시킬 수 있다. 아질산염은 어떠한 금속 아질산염일 수도 있으며, 바람직하게는 아질산리튬, 아질산나트륨, 아질산칼륨 또는 아질산아연일 수 있거나, 또는 예를 들면, 이소아밀니트라이트 또는 에틸니트라이트와 같은 유기 아질산염일 수 있다. 디아조늄 염 형성에 효과적인 상기 산은 임의의 무기산 또는 유기산일 수 있다. 바람직한 산으로는 질산, HNO3, 염산(HCl) 및 황산(H2SO4)이 포함된다.
디아조늄 염은 또한 1급 아민을 이산화질소 수용액과 반응시켜 형성시킬 수 있다. 이산화질소(NO2/H2O) 수용액은 디아조늄 염 형성에 필요한 아질산을 제공한다.
과량의 HCl 존재하에 디아조늄 염이 형성되는 것은 HCl이 스테인리스강에 대해 부식성이기 때문에 기타 별법보다 덜 바람직할 수 있다. NO2/H2O를 사용한 디아조늄 염 형성의 추가 이점은 스테인리스강 또는 통상적으로 반응 용기용으로 사용된 기타 금속에 대해 덜 부식성이라는 것이다. H2SO4/NaNO2또는 HNO3/NaNO2를 사용하는 형성은 또한 비교적 비부식성인 방법이다.
통상, 1급 아민, 아질산염 및 산으로부터 유도된 디아조늄 염 형성은 아민 사용량을 기준하여 2당량의 산을 필요로 한다. 동일반응계 방법에서 디아조늄 염은 1당량의 산을 사용하여 형성시킬 수 있다. 1급 아민이 강산 기를 함유하는 경우, 개별 산의 첨가가 불필요할 수 있다. 1급 아민의 산 기(들)는 하나 또는 둘의 산을 필요한 당량으로 공급할 수 있다. 1급 아민이 강산 기를 함유하는 경우, 1당량의 추가 산을 본 발명의 방법에 첨가하거나, 또는 추가의 산을 전혀 첨가하지 않으면서 디아조늄 염을 동일반응계에 형성시키는 것이 바람직하다. 약과량의 산을 첨가할 수 있다. 상기 1급 아민의 일례는 파라-아미노벤젠술폰산(술파닐산)이다.
통상, 디아조늄 염은 열에 불안정하다. 이들 염은 전형적으로, 용액중에서 0 내지 5℃와 같은 저온에서 제조하여 염을 단리시키지 않고 사용한다. 일부 디아조늄 염 수용액을 가열하여 질소를 유리시켜, 산성 매질 중의 대응 알코올 또는 염기성 매질 중의 유기 유리 라디칼 중 하나를 형성시킬 수 있다.
그러나, 디아조늄 염은 탄소질 물질과 반응시키기에 충분히 안정할 필요가 있다. 따라서, 본 발명의 방법을 한편으로는 불안정한 것으로서 간주된 일부의 디아조늄 염을 사용하여 수행하여 분해시킬 수 있다. 일부의 분해 방법은 탄소질 물질과 디아조늄 염 사이의 반응에 필적할 수 있으며, 또한 탄소질 물질에 부착된 유기기의 총 갯수를 저하시킬 수 있다. 또한, 상기 반응은 다수의 디아조늄 염이 분해에 대해 민감할 수 있는 승온에서 수행할 수 있다. 승온은 또한, 반응 매질 중에서의 디아조늄 염 용해도를 유리하게 상승시킬 수 있으며 공정 동안의 디아조늄 염 취급을 개선할 수 있다. 그러나, 승온이 기타 분해 방법으로 인한 일부 디아조늄 염 손실을 초래할 수 있다.
동일반응계에서 디아조늄 염을 형성시키기 위하여 시약을 반응 매질, 예를 들면 물 중의 탄소질 물질 현탁액에 첨가할 수 있다. 따라서, 사용할 탄소질 물질 현탁액은 디아조늄 염을 형성시키기 위한 1종 이상의 시약을 이미 함유할 수 있어, 본 발명의 방법은 나머지 시약을 첨가하여 수행하였다.
디아조늄 염을 형성하기 위한 반응은 통상적으로 유기 화합물 상에서 발견된 상당히 다양한 관능기에 적합하다. 따라서, 탄소질 물질와의 반응을 위한 디아조늄 염 유용성이 본 발명의 방법을 한정하지는 않는다.
본 발명의 방법은 디아조늄 염과 탄소질 물질 사이의 반응을 진행시키는 임의의 반응 매질 중에서 수행할 수 있다. 바람직하게는, 반응 매질은 용매 기재 시스템이다. 용매는 양성자성 용매, 비양성자성 용매 또는 용매 혼합물일 수 있다. 양성자성 용매는 산소 및 질소에 부착된 수소를 함유하는, 물 또는 메탄올과 같은 용매이어서, 수소 결합을 형성하기에 충분히 산성이다. 비양성자성 용매는 상기에 정의한 바와 같은 산성 수소를 함유하지 않는 용매이다. 비양성자성 용매로는 예를 들면 헥산, 테트라히드로푸란(THF), 아세토니트릴 및 벤조니트릴과 같은 용매가 포함된다. 양성자성 및 비양성자성 용매에 대한 논의를 위해서는 문헌[참조: Morrison 및 Boyd, Organic Chemistry, 5th Ed., pp. 228-231, (Allyn and Bacon, Inc. 1987)]을 참조한다.
본 발명의 방법은 바람직하게는, 양성자성 반응 매질, 즉 양성자성 용매 단독, 또는 1종 이상의 양성자성 용매를 함유하는 용매 혼합물 중에서 수행한다. 바람직한 양성자성 매질로는 물, 물을 함유하는 수성 매질 및 기타 용매, 알코올, 및 알코올을 함유하는 임의의 매질, 또는 그러한 매질의 혼합물이 포함되지만 이들로만 한정되지는 않는다.
디아조늄 염과 탄소질 물질 사이의 반응을 임의의 탄소질 물질 형태, 예를 들면 미분 상태 또는 펠렛화 형태를 사용하여 수행할 수 있다. 제조 비용을 절감하기 위해 고안된 한 실시태양에서는 반응을 탄소질 물질 펠렛의 제조 방법 동안 수행한다. 예를 들면, 본 발명의 탄소질 물질 제품을 건식 드럼(drum)에서 디아조늄 염 용액 또는 슬러리를 탄소질 물질 상으로 분무시켜 제조할 수 있다. 별법적으로는, 탄소질 물질 제품은 탄소질 물질을 디아조늄 염을 함유하는, 물과 같은 용매계, 또는 디아조늄 염을 동일반응계에서 형성시키기 위한 시약의 존재하에 펠렛화시켜 제조할 수 있다. 수성 용매계는 바람직하다. 통상, 본 발명의 방법은 염과 같은 무기 부산물을 생성시킨다. 이하에서 논의한 바와 같은 일부의 최종 용도에서는 이들 부산물이 바람직하지 않을 수 있다. 목적하지 않은 무기 부산물 또는 염이 부재하는 탄소질 물질 제품을 생성시킬 수 있는 몇몇 방법은 하기와 같다:
첫째, 디아조늄 염은 정제시킨 후 목적하지 않은 무기 부산물을 당업계에 공지된 방법을 이용하여 제거함으로써 사용할 수 있다. 둘째, 디아조늄 염은 유기 아질산염을 디아조화제로서 사용하여 무기 염보다는 오히려 상응 알코올을 수득하여 형성될 수 있다. 셋째, 디아조늄 염이 산 기 및 NO2수용액을 갖는 아민으로부터 형성되는 경우, 무기 염은 형성되지 않는다. 기타 방법은 당업계의 기술자들에게 공지되어 있을 수 있다.
무기 부산물 뿐만 아니라, 또한 본 방법은 유기 부산물을 생성할 수 있다. 이는 예를 들면 유기 용매로 추출함으로써 제거될 수 있다. 부당한 유기 부산물 없이 생성물을 얻는 기타 방법이 당업자들에게 공지되어 있고, 역삼투에 의해 이온을 세척하거나 또는 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
디아조늄염 및 탄소질 물질 사이의 반응은 탄소질 물질에 부착된 유기기를 갖는 탄소질 물질 생성물을 형성한다. 디아조늄염은 탄소질 물질에 부착하고자 하는 유기기를 함유할 수 있다. 당업자들에게 공지된 기타 수단에 의해 본 발명의 탄소질 물질 생성물을 생성할 수 있다.
유기기는 지방족기, 고리형 유기기 또는 지방족 부분 및 고리형 부분을 갖는 유기 화합물일 수 있다. 상기 논의된 바와 같이, 사용된 디아조늄염은 상기 기 중 하나를 갖고, 잠시일지라도 디아조늄염을 형성할 수 있는 일차 아민으로부터 유도될 수 있다. 유기기는 치환 또는 비치환, 분지쇄 또는 직쇄일 수 있다. 지방족기의 예로는 알칸, 알켄, 알코올, 에테르, 알데히드, 케톤, 카르복실산 및 탄수화물로부터 유도된 기를 들 수 있다. 고리형 유기기로는 지환족 탄화수소기 (예, 시클로알킬, 시클로알케닐), 헤테로고리형 탄화수소기 (예, 피롤리디닐, 피롤리닐, 피페리디닐, 모르폴리닐 등), 아릴기 (예, 페닐, 나프틸, 안트라세닐 등) 및 헤테로아릴기 (이미다졸릴, 피라졸릴, 피리디닐, 티에닐, 티아졸릴, 푸릴, 인돌릴 등)가 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 치환 유기기의 입체 장애가 증가함에 따라, 디아조늄염 및 탄소질 물질 사이 반응으로부터의 탄소질 물질에 부착된 유기기의 수는 감소될 수 있다.
유기기가 치환되는 경우에는 디아조늄염의 형성과 견줄만한 임의의 작용기를 함유할 수 있다. 작용기로는 R, OR, COR, COOR, OCOR, COOLi, COONa, COOK, COO-NR4 +와 같은 카르복실산염, 할로겐, CN, NR2, SO3H, SO3Li, SO3Na, SO3K, SO3 -NR4 +, OSO3H, OSO3 -염과 같은 술폰산염, NR(COR), CONR2, NO2, PO3H2, PO3HNa 및 PO3Na2와 같은 포스폰산염, OPO3HNa 및 OPO3Na2와 같은 인산염, N=NR, NR3 +X-, PR3 +X-, SkR, SSO3H, SSO3 -염, SO2NRR', SO2SR, SNRR', SNQ, SO2NQ, CO2NQ, S-(1,4-피페라진디일)-SR, 2-(1,3-디티아닐), 2-(1,3-디티오라닐), SOR 및 SO2R이 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 동일하거나 또는 상이할 수 있는 R 및 R'는 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 분지쇄 또는 직쇄 C1-C20, 포화 또는 불포화 탄화수소, 예를 들면 알킬, 알케닐, 알키닐, 치환 또는 비치환 아릴, 치환 또는 비치환 헤테로아릴, 치환 또는 비치환 알킬아릴 또는 치환 또는 비치환 아릴알킬이다. 정수 k는 1 내지 8이고, 바람직하게는 2 내지 4이다. 음이온 X-는 할로겐화물 또는 광물 또는 유기 산으로부터 유도된 음이온이다. Q는 (CH2)w, (CH2)xO(CH2)z, (CH2)xNR(CH2)z또는 (CH2)xS(CH2)z인데, 여기서 w는 2 내지 6의 정수이고, x 및 z는 1 내지 6의 정수이다. 상기 화학식에서, R 및 R'의 특정 예로는 NH2-C6H4-, CH2CH2-C6H4-NH2, CH2-C6H4-NH2및 C6H5가 있다.
유기기의 또다른 예는 화학식 AyArNH2의 일차 아민에 상응하는 화학식 AyAr-의 방향족기이다. 상기 화학식에서 변수는 하기 의미를 갖는다. Ar은 아릴 또는 헤테로아릴기와 같은 방향족 라디칼이다. Ar은 페닐, 나프틸, 안트라세닐, 페난트레닐, 비페닐, 피리디닐, 벤조티아디아졸릴 및 벤조티아졸릴로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. A는 상기된 바람직한 작용기로부터 독립적으로 선택된 방향족 라디칼 상의 치환기이거나, 또는 A는 하나 이상의 상기 작용기로 비치환 또는 치환된 직쇄, 분지쇄 또는 고리형 탄화수소 라디칼 (바람직하게는 탄소 원자수 1 내지 20 함유)이고, y는 방향족 라디칼에서 1 내지 CH 라디칼의 총수의 정수이다. 예를 들면, y는 Ar이 페닐인 경우에는 1 내지 5, Ar이 나프틸인 경우에는 1 내지 7, Ar이 안트라세닐, 페난트레닐 또는 비페닐인 경우에는 1 내지 9, 또는 Ar이 피리디닐인 경우에는 1 내지 4의 정수이다.
탄소질 물질에 부착될 수 있는 유기기의 또다른 세트는 작용기와 같은 이온성 또는 이온화될 수 있는 기로 치환된 유기기이다. 이온화될 수 있는 기는 사용 중에 이온성 기를 형성할 수 있는 것이다. 이온성 기는 음이온 기 또는 양이온 기일 수 있고, 이온화될 수 있는 기는 음이온 또는 양이온을 형성할 수 있다.
음이온을 형성하는 이온화될 수 있는 작용기로는 예를 들면, 산성기 또는 산성기염이 있다. 따라서, 유기기는 유기산으로부터 유도된 기를 포함한다. 바람직하게는 음이온을 형성하는 이온화될 수 있는 기를 함유하는 경우에는 이러한 유기기는 a) 방향족기 또는 C1-C12알킬기 및 b) pKa 11 미만의 하나 이상의 산성기 또는 pKa 11 미만의 하나 이상의 산성기염, 또는 pKa 11 미만의 하나 이상의 산성기 및 pKa 11 미만의 하나 이상의 산성기염의 혼합물을 갖는다. 산성기의 pKa는 단지 산성 치환기만의 것이 아니라, 유기기 전체의 pKa를 나타낸다. 보다 바람직하게는 pKa는 10 미만이고, 가장 바람직하게는 9 미만이다. 바람직하게는 유기기의 방향족기 또는 C1-C12알킬기가 탄소질 물질에 직접 부착된다. 방향족기는 예를 들면 알킬기로 추가로 치환되거나 또는 비치환될 수 있다. 유기기는 페닐 또는 나프틸기일 수 있고, 산성기는 술폰산기, 술핀산기, 포스폰산기 또는 카르복실산기이다. 산성기 및 이의 염의 예는 상기 논의되었다. 유기기는 치환 또는 비치환 술포페닐기 또는 이의 염; 치환 또는 비치환 (폴리술포)페닐기 또는 이의 염, 치환 또는 비치환 술포나프틸기 또는 이의 염, 또는 치환 또는 비치환 (폴리술포)나프틸기 또는 이의 염일 수 있다.
음이온을 형성하는 이온화될 수 있는 작용기 (및 본 발명에 따른 방법에서 사용하기 위한 상응하는 일차 아민)를 갖는 특정 유기기 는 p-술포페닐 (p-술파닐산), 4-히드록시-3-술포페닐 (2-히드록시-5-아미노-벤젠술폰산) 및 2-술포에틸 (2-아미노에탄술폰산)이다.
아민은 양이온기를 형성하는 이온화될 수 있는 작용기의 예를 나타낸다. 예를 들면, 아민은 산성 매질에서 양성자 첨가되어 암모늄기를 형성할 수 있다. 바람직하게는 아민 치환기를 갖는 유기기의 pKb는 5 미만이다. 또한, 4가 암모늄기 (NR3 +) 및 4가 포스포늄기 (-PR3 +)가 양이온기의 예를 나타낸다. 유기기는 페닐 또는 나프틸기와 같은 방향족기 및 4가 암모늄 또는 4가 포스포늄기를 함유할 수 있다. 방향족기가 바람직하게는 탄소질 물질에 직접 부착된다. 4가 고리형 아민 및 4가 방향족 아민도 또한 유기기로서 사용될 수 있다. 따라서, N-메틸-피리딜과 같은 N-치환 피리디늄 화합물이 이러한 관점에서 사용될 수 있다. 유기기의 예로는 (C5H4N)C2H5 +X-, C6H4(NC5H5)+X-, C6H4COCH2N(CH3)3 +X_, C6H4COCH2(NC5H5)+X-, (C5H4N)CH3 +X-, 및 C6H4CH2N(CH3)3 +X-이 있으나, 이에 제한되지는 않으며, 여기서, X-는 할로겐화물, 또는 무기산 또는 유기산으로부터 유도된 음이온이다.
방향족 황화물은 유기기의 또다른 기를 포함한다. 방향족 황화물은 화확식 Ar(CH2)qSk(CH2)rAr' 또는 A-(CH2)qSk(CH2)rAr"로 나타낼 수 있는데, Ar 및 Ar'는 독립적으로 치환 또는 비치환 아릴렌 또는 헤테로아릴렌기이고, Ar"는 아릴 또는 헤테로아릴기이고, k는 1 내지 8이고, q 및 r은 1 내지 4이다. 치환 아릴기는 치환 알킬아릴기를 포함할 것이다. 아릴렌기의 예로는 페닐렌기, 특히 p-페닐렌기, 또는 벤조티아졸릴렌기가 있다. 아릴기로는 페닐, 나프틸 및 벤조티아졸릴이 있다. k로 나타내는 존재하는 황의 수는 바람직하게는 2 내지 4이다. 탄소질 물질 생성물의 예로는 화학식 -(C6H4)-Sk-(C6H4)-의 부착된 방향족 황화물 유기기를 갖는 것인데, k는 1 내지 8의 정수이고, 보다 바람직하게는 k는 2 내지 4이다. 방향족 황화물기의 다른 예로는 비스-파라-(C6H4)-S2-(C6H4)- 및 파라-(C6H4)-S2-(C6H5)가 있다. 방향족 황화물기의 디아조늄염은 통상적으로 이의 상응하는 일차 아민, H2N-Ar-Sk-Ar'-NH2또는 H2N-Ar-Sk-Ar"으로부터 제조될 수 있다. 상기 기로는 디티오디-4,1-페닐렌, 테트라티오디-4,1-페닐렌, 페닐디티오페닐렌, 디티오-4,1-(3-클로로페닐렌), -(4-C6H4)-S-S-(2-C7H4NS), -(4-C6H4)-S-S-(4-C6H4)-OH, -6-(2-C7H3NS)-SH, -(4-C6H4)-CH2CH2-S-S-CH2CH2-(4-C6H4)-, -(4-C6H4)-CH2CH2-S-S-S-CH2CH2-(4-C6H4)-, -(2-C6H4)-S-S-(2-C6H4)-, -(3-C6H4)-S-S-(3-C6H4)-, -6-(C6H3N2S), RR'가 CH2CH2OCH2CH2-인 -6-(2-C7H3NS)-S-NRR', -(4-C6H4)-S-S-S-S-(4-C6H4)-, -(4-C6H4)-CH=CH2, -(4-C6H4)-S-SO3H, -(4-C6H4)-SO2NH-(4-C6H4)-S-S-(4-C6H4)-NHSO2-(4-C6H4)-, -6-(2-C7H3NS)-S-S-2-(6-C7H3NS)-, -(4-C6H4)-S-CH2-(4-C6H4)-, -(4-C6H4)-SO2-S-(4-C6H4)-, -(4-C6H4)-CH2-S-CH2-(4-C6H4)-, -(3-C6H4)-CH2-S-CH2-(3-C6H4)-, -(4-C6H4)-CH2-S-S-CH2-(4-C6H4)-, -(3-C6H4)-CH2-S-S-CH2-(3-C6H4)-, RR'가 -CH2CH2OCH2CH2-인 -(4-C6H4)-S-NRR', -(4-C6H4)-SO2NH-CH2CH2-S-S-CH2CH2-NHSO2-(4-C6H4)-, -(4-C6H4)-2-(1,3-디티아닐), 및 -(4-C6H4)-S-(1,4-피페리진디일)-S-(4-C6H4)-가 있다.
탄소질 물질에 부착될 수 있는 또다른 세트는 (C6H4)-NH2, (C6H4)-CH2-(C6H4)-NH2, (C6H4)-SO2-(C6H4)-NH2와 같은 아미노페닐을 갖는 유기기이다.
흡착시키고 바람직하게는 탄소질 물질의 흡착 용량을 증가시키는 탄소질 물질에 부착한 후, 하나 이상의 유기기가 본 발명에 사용될 수 있다.
바람직하게는 탄소질 물질에 부착된 유기기는 산성 또는 염기성, 또는 산성 또는 염기성의 염이고, 특정 예로는 술폰산 및 카르복실산과 같은 치환기를 갖는 페닐, 나프틸기가 있다. 또한, 4가 암모늄이 사용될 수 있다. 탄소질 물질에 부착되는 가장 바람직한 유기기로는 (C6H4)-SO3 -Na+, (C6H4)-SO3 -K+, (C6H4)-SO3 -Li+등이 있다. 일반적으로, 산성형 유기기 부착물은 흡수 염기성 흡착물에 사용될 수 있으며, 염기성형 유기기 부착물은 흡수 산성 흡착물에 사용될 수 있다.
상이한 유기기의 조합이 가능하다. 예를 들면, 1 초과의 유기기 유형을 동일한 탄소질 물질에 부착하거나 또는 탄소질 물질의 조합을 사용하는 것이 본 발명의 범위에 있는데, 몇몇의 탄소질 물질은 하나의 유기기로 개질되고, 탄소질 물질의 또다른 부분은 하나의 유기기로 개질되고 탄소질 물질의 또다른 부분은 상이한 유기기로 개질되었다. 또한, 저중량 백분율 또는 표면적 개질, 또는 고중량 백분율 또는 표면적 개질과 같은 가변하는 개질의 정도가 가능하다. 또한, 개질 탄소질 물질 및 비개질 탄소질 물질의 혼합물을 사용할 수 있다.
바람직하게는, 본 발명의 개질 탄소질 물질은, 특히 부착된 유기기가 술폰산, 카르복실산, 또는 4가 암모늄 또는 이의 염과 같은 치환기를 갖는 페닐 또는 나프틸기인 경우에 중합체 이온 교환 수지에 대하여 직접적으로 유사할 수 있다. 본 발명의 상기 유형의 탄소질 물질은 통상적인 중합체 이온 교환기에 비교되는 바와 같이 하나 이상의 하기 특성을 가질 수 있다.
a) 고온 안정성
b) 우수한 내팽윤성 및
c) 업테이크 (uptake) 운동력에 역효과가 없는 우수한 기계 강도
또한, 흡착제로 사용하는 것 이외에, 물 처리에서부터 금속 분리/회수, 이온 교환, 촉매 작용 등에서의 분리 과정에 본 발명의 개질된 탄소질 물질을 사용할 수 있다. 상기에 설명한 교환가능한 기를 갖는 흡착제의 추가 이점은 이것이 이온 교환 방법을 사용하면 표면을 추가로 개질할 수 있는 능력을 탄소질 물질에 제공한다는 것이다.
흡착물에 관해서는, 본 발명의 1종 이상의 개질된 탄소질 물질에 의해 흡착될 수 있는 임의의 흡착물을 본 발명의 범위 내에서 생각한다. 예로는 물, 암모니아, 메르캅탄, 이산화황, 및 황화수소와 같은 극성 물질이 있지만, 이것으로 제한되지는 않는다. "극성 물질"이란, 전자 구조가 대칭이 아닌 물질로 이해해야 한다. 이런 것들로는, 이중극자 모멘트를 갖는 분자 (예를 들면, H2O 및 NH3); 및(또는) 사중극자 모멘트를 갖는 분자 (예를 들면, CO2) 및 불포화 pi 결합 (B)을 갖는 분자 (예를 들면, 알켄, 알킨) 및 이중 결합 및 삼중 결합을 갖는 그외 유기 및 무기 화합물 등이 있다. 또한, 아르곤, 산소, 메탄 등과 같은 비극성 물질이 본 발명의 적당히 개질된 탄소질 물질에 흡착될 수 있다. 본 출원에서 제공된 설명에 비춰어 볼 때 당업자라면, 가장 효과적인 흡착 친화성을 달성하고 흡착을 증가시키기 위해서 탄소질 물질에 접착되어야 하는 유기기의 종류는 관련 흡착물 및 흡착 방법에 따라 결정할 수 있을 것이다.
흡착물을 흡착할 수 있는 개질된 탄소질 물질을 포함하는 흡착제 조성물을 개발함으로써, 특정 흡착물에 대한 선택성을 향상시킬 수 있다. 적합한 개질 탄소질 물질을 사용하면, 다성분 혼합물로부터 특정 물질을 선택적으로 흡착시킬 수 있다. 다시 말하면, 본 발명의 흡착제 조성물을 만들기 위한 탄소질 물질의 개질은 한 성분에 대한 흡착 친화성을 최대화하기 위해 다른 성분에 대한 흡착 친화성을 감소시킴으로써, 후자의 성분으로부터 전자의 성분의 분리를 최대화하게 될 것이다. 또한, 극성 물질의 흡착을 증가시킴으로써, 비극성 물질의 흡착을 비교적 감소시켜 선택성을 향상시킨다. 또한, 비극성 물질의 흡착 선택성을 증가시키기 위해서는, 탄소질 물질의 표면 상에 산소 관능성을 "무력"하게 하는 소수성기를 첨가하는 방식으로 탄소질 물질을 개질할 수 있다.
흡착물은 사용자의 필요와 요구에 따라, 액체상, 또는 기체상 또는 증기상으로 존재할 수 있다. 어떤 흡착물은 액체상보다 증기상 또는 기체상으로부터 더 효율적으로 흡착될 수 있거나, 또는 그 반대이며, 본 발명의 개질된 탄소질 물질은 어느 상에서나 흡착에 효과적이다.
본 발명의 한 가지 이점은, 구조를 손상시키거나 흡착제를 부서지기 쉽게 만들지 않으면서, 활성 탄소 또는 카본 블랙 흡착제의 표면이 넓어지도록 개질시키는 것이다. 예를 들어, 교환가능한 나트륨 양이온을 표면에 부착시킴으로써, 본 발명을 기초로 탄소질 물질을 표면 개질할 수 있다. 다른 이온을 치환시킬 수 있다는 관점에서 볼 때 이는 표면 화학적 성질을 변화시키는데 매우 유용하다.
흡착을 위해 본 발명의 개질된 탄소질 물질을 사용하는 이로운 효과는, 비개질 탄소질 흡착제에서 흡착물의 흡착 등온선과 본 발명에 따라 개질된 동일한 탄소질 흡착제를 비교함으로써 증명할 수 있다.
본 발명은 하기의 실시예로 더 명백해질 것이고, 이는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이다.
예로든 탄소질 물질의 표면 개질의 유효성이, 본 발명에 따라 개질된 탄소질 물질 상에서의 흡착 등온선과 비개질 탄소질 물질에서의 여러 흡착물의 흡착 등온선을 비교함으로써 결정되었다. 사용된 흡착물은 물 및 CO2였지만, 다른 흡착물도 사용될 수 있다.
〈실시예 1〉
블랙 피얼스 (Black Pears)7 430 카본 블랙 및 다르코 (Darco) S51 활성 탄소 (노리트 (Norit)사 제품)의 펠렛을 하기의 방법을 사용하여 표면 개질하였다.
블랙 피얼스7 430 카본 블랙의 표면 개질:
물 50 ml 중의 가수 희석용 페놀-포름알데히드 열경화성 수지 (Schenectady International 제품, 미국 뉴욕주 쉐넥타디 소재) 5 ml의 분산액을 블랙 피얼스7 430 카본 블랙 (Cabot copr. 제품, 미국 매사추세츠주 보스톤 소재) 50 g과 혼합하였다. 이 혼합물을 5000 psi의 압력에서 0.63 cm (0.25) 인치 스테인레스 강 다이를 사용하여 1 g 비율로 압축하였다. 이 펠렛을 유동 아르곤하에서 1 시간 동안 110 ℃, 1 시간 동안 135 ℃에서 가열하여 수지를 경화시켰다. 이어서, 온도가 650 ℃에 이를 때까지, 유동 아르곤하에서 온도를 20 ℃/분으로 상승시켰다. 이어서, 온도를 650 ℃에서 3 시간 동안 유지하고, 유동 아르곤하에서 냉각시켰다. 이어서, 펠렛을 약 1 mm 내지 2 mm의 조각으로 분쇄하였다.
물 약 1g 중의 아질산나트륨 0.81 g의 수용액을 84 ℃에서 교반되고 있는 카본 블랙 과립 16.8 g, 술파닐산 2.04 g 및 물 50 g의 혼합물에 첨가하였다. 2 시간 동안 교반시킨 후, 생성된 물질을 65 ℃의 오븐에서 건조시켰다.
활성 탄소의 표면 개질:
물 약 100 g 중의 아질산나트륨 30.5 g의 수용액을 다르코 S51 활성 탄소 (노리트사 제품) 130 g, 술파닐산 76.5 g 및 물 1300 g의 끓고 있는 혼합물로 첨가하였다. 15 분 동안 교반시킨 후, 가열을 중단시키고, 혼합물을 교반시키면서 실온으로 냉각시켰다. 생성된 물질을 50 ℃의 오븐에서 하룻밤 동안 건조시켰다.
이온 교환:
표면 개질된 탄소를 과량의 탈이온수로 세척하고, 건조하였다. 따라서, 얻어진 물질은 나트륨 형태였다. 칼륨 및 리튬 형태로 탄소의 추가의 개질은 각각 KOH 및 LiOH 2 M 용액을 사용하여 이온 교환에 의해 수행되었다. 이온 교환된 물질을 철저히 세척하고, 건조시켰다. 세척 건조된 물질로 흡착 실험을 수행하였다.
비개질된 탄소 물질 및 표면 개질된 탄소 물질의 표면적을 하기의 표 1에 제시하고 있다. 표면적은 BET 공식 [S. J. Gregg 및 K. S. W. sing, "Adsorption, Surface Area, and Porosity", Academic Press, 1982]을 이용하여 질소 (77 K) 흡착 데이터로부터 계산하였다. 흡착 실험은 마이크로메리틱스 코포레이션 (Micromeritics Copr.)사에 의해 제조된 ASAP 2000 자동 기기에서 수행하였다.
비개질 물질 및 표면 개질된 물질의 표면적 및 동공 부피
샘플 ID BET 표면적, m2/g 동공 부피, cm3/g
비개질된 BP 430 펠렛 99 0.518
개질된, 세척된 BP 430 92 0.49
다르코 S51 694 0.809
개질된, 세척된 다르코 S51 141.3 0.279
활성 탄소가 표면 개질 처리 후에 약간의 표면적 및 동공 부피를 잃는 반면, 카본 블랙 및 활성 탄소 모두 표면 개질의 결과로 단위 면적당 흡착력이 증가되었다. 임의의 표면적 및 동공 부피의 손실은 탄소질 물질을 헵탄과 같은 비혼화성 유기 용매로 예로 처리함으로써 완화될 수 있다. 비개질 물질 및 개질 물질 상에서 298 K에서의 수증기의 흡착 결과가 표 1 (카본 블랙) 및 표 2 (활성 탄소)에 제시되어 있다. 물 흡착 실험은 밀봉 셀에서, 일정한 상대 습도에서 수증기와 샘플의 평형을 포함하는 배치 기술에 의해 수행되었다. 포화 염 용액을 사용해서 일정한 상대 습도를 달성할 수 있고, 이는 그의 표면 위의 알려진 상대 습도를 갖는다.
활성 탄소 및 카본 블랙 모두는 표면 개질을 수행한 후에 표면 상에 Na+이온을 포함한다. Na+이온은 표준 이온 교환 방법 [Ion Exchange, F. Helfferich, McGraw-Hill, 1962 참조]을 이용하여 다른 이온으로 대체할 수 있다. Na+이온 및 이온 교환에 의해 유도된 다른 이온 형태로 표면-개질된 물질에 대한 물 흡착 등온선이 도 1 및 도 2에 제시된다. 등온 흡착선은 수증기의 상대 압력의 함수로서, 흡착제 g 당 흡착된 수증기의 양을 나타낸다. 도 3 및 도 4는 물질의 BET 표면적에 의해 표준화된 동일한 데이터를 제시하고 있다. 카본 블랙인 블랙 피얼스7 430 카본 블랙 및 다르코 S51 카본 블랙의 단위 면적당 흡착력이 본 발명에서 설명된 표면 개질에 의해 상당히 향상된다는 것이 명백하다. 또한, 물 흡착 등온선의 모양이 표면 개질의 결과로 변한다 (위쪽으로 오목한 모양에서, 위쪽으로 직선 또는 볼록한 모양으로 변함).
본 발명의 표면 개질 기술은 사중극자 모멘트를 갖는 CO2와 같은 기체의 흡착에 영향을 준다. 도 5는 273 K에서 동일한 비개질 및 개질 블랙 피얼스7 430 카본 블랙 상에 기체상으로부터의 CO2의 흡착 등온선을 제시한다. CO2의 흡착은 마이크로메리틱스 코포레이션사에 의해 제조된 ASAP 2000 자동화 흡착 시스템에서 수행되었다. 도면은 CO2압력의 함수이며, 흡착된 CO2의 양을 나타낸다. 명백하게, CO2의 흡착은 본 발명에서 설명된 탄소 표면 개질 기술에 의해 향상된다.
본 발명의 다른 실시태양은 본원에 기재된 본 발명의 명세서 및 실시를 고려할 때 당업자들에게 명백할 것이다. 명세서 및 실시예는 단지 예시의 목적이며, 본 발명의 실제 범위 및 사상은 다음의 특허 청구의 범위로 나타낸다.

Claims (27)

  1. 하나 이상의 유기기가 부착된, 흡착물을 흡착할 수 있는 개질 탄소질 물질을 함유하는 흡착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기기가 (C6H4)-SO3 -Na+, (C6H4)-SO3 -Li+또는 (C6H4)SO3 -K+인 흡착제 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기기가 p-C6H4SO2NH2또는 -C6H4NH2인 흡착제 조성물.
  4. 제1항에 있어서 상기 유기기가 친수성인 흡착제 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 개질 탄소질 물질이 활성 탄소 또는 카본 블랙인 흡착제 조성물.
  6. 흡착 용량을 증가시킬 수 있는 하나 이상의 유기기를 탄소질 물질에 부착시키는 것을 포함하는, 흡착물을 흡착할 수 있는 탄소질 물질의 흡착 용량을 증가시키는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 탄소질 물질이 활성 탄소 또는 카본 블랙인 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 유기기가 (C6H4)-SO3 -Na+, (C6H4)-SO3 -Li+또는 (C6H4)SO3 -K+인 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 유기기가 p-C6H4SO2NH2또는 -C6H4NH2인 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상이 유기기가 친수성인 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 흡착물이 극성인 방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 흡착물이 물, 암모니아, 이산화탄소, 이산화황 또는 황화수소인 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 흡착물이 물인 방법.
  14. 제6항에 있어서, 상기 흡착물이 비극성인 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 흡착물이 아르곤, 산소 또는 메탄인 방법.
  16. 제6항에 있어서, 상기 흡착물이 기체상 또는 증기상인 방법.
  17. 제6항에 있어서, 상기 흡착물이 액체상인 방법.
  18. 하나 이상의 유기기가 부착된, 흡착물을 흡착할 수 있는 개질 탄소질 물질과 상기 흡착물을 접촉시키는 것을 포함하는, 흡착물을 흡착시키는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 개질 탄소질 물질이 활성 탄소 또는 카본 블랙인 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 유기기가 (C6H4)-SO3 -Na+, (C6H4)-SO3 -Li+또는 (C6H4)SO3 -K+인 방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 유기기가 p-C6H4SO2NH2또는 -C6H4NH2인 방법.
  22. 제18항에 있어서, 상이 유기기가 친수성인 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 흡착물이 극성인 방법.
  24. 제18항에 있어서, 상기 흡착물이 물, 암모니아, 이산화탄소, 황화수소, 아르곤, 산소 또는 메탄인 방법.
  25. 제24항에 있어서, 상기 흡착물이 물인 방법.
  26. 제1항에 있어서, 상기 유기기가 교환가능한 이온을 포함하는 것인 흡착제 조성물.
  27. 제26항의 흡착제 조성물을 함유하는 이온 교환 물질.
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