KR20000007790A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법이 개시된다. 플라즈마 디스플레이 패널은 스트라이프 형태의 전극, 유전층, CaF2로 된 버퍼층 및 MgO 보호층이 순차적으로 적층된 상부기판과, 상부 기판과 소정거리 이격되어 대향설치되며 스트라이프 형태의 전극, 유전층 및 상부기판과의 이격공간을 각각의 방전셀들로 구분하는 격벽이 형성된 하부기판을 구비한다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 의하면, 제조공정상에서 버퍼층의 열충격완화에 의해 보호층의 크랙발생이 억제되어 수명향상 및 화면전체의 균일한 방전에 의해 화질을 향상시킨다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 상세하게는 기판 상에 형성된 전극을 덮고있는 유전체층을 보호할 목적으로 유전체층 위에 형성되는 보호층의 크랙발생이 억제되도록 구조된 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상적으로 플라즈마 디스플레이 패널은 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하여, CRT를 대체할 수 있는 장치로 각광을 받고 있다. 이러한 플라즈마 디스플레이 패널은 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이에 있는 가스에서 방전이 발생하고, 가스방전과정에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체가 여기되어 발광하게 된다.
플라즈마 디스플레이 패널은 방전 메카니즘에 의하여 교류형(AC형)과 직류형(DC형)으로 양분될 수 있다. 직류형은 플라즈마 표시 패널을 구성하는 각 전극들이 방전셀에 봉입되는 가스층에 직접적으로 노출되어 그에 인가되는 전압이 그대로 방전 가스층에 인가되는 것이다. 교류형은 각 전극들이 방전 가스층과 유전체층에 의하여 분리되어 방전 현상시 발생되는 하전입자들을 상기 전극들이 흡수하지 않고 벽전하를 형상하게 되며, 이와 같은 벽전하를 이용하여 다음 방전을 일으키는 것이다.
도 1에는 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 구조에 대한 개략적인 분해 사시도가 도시되어 있다.
도면을 참조하면, 상호 대향하고 있는 상부 유리 기판(11)과 하부 유리 기판(12) 각각의 대향면상에 스트라이프 형상의 제1 전극(13a)과, 제2 전극(13b)이 형성되어 있다. 상부 유리 기판(11)의 내측면에는 유전층(14)과 보호층(15)이 차례로 적층되어 있다. 하부 유리 기판(12)에는 유전층(16)의 상면 위에 격벽(17)이 형성되어 있다. 인접하는 격벽들(17) 사이의 공간이 셀(19)이 되고, 셀(19)내에는 아르곤과 같은 불활성 개스로 채워진다. 또한 각각의 셀(19)의 바닥면 즉, 격벽(17)사이의 영역에는 형광체(18)가 형성 된다.
위와 같은 구성을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널의 작동을 개략적으로 살펴보면, 전극(13a)(13b) 사이에 인가된 전압에 의한 개스방전에 의해 발생한 자외선이 방전 셀(19)의 내면에 도포되어 있는 형광체(18)를 여기시키고, 포토루미네슨스(photoluminescence)의 원리에 의해 형광체(18)에서 가시광이 방사된다. 이 때, 칼라 표시는 각 표시 셀(19)에 형성된 적색, 녹색, 청색의 형광체(18)에 의해 표시된다.
한편, 이와 같이 작동하는 플라즈마 디스플레이 패널은 도시된 상부기판(11)과 하부기판(12)을 시일재(미도시)로 도포하여 소정온도로 봉합하는 과정을 거쳐 제조가 완료되는데, 시일재에 의한 봉합과정에서 유전층(14)과 MgO로 형성된 보호층(15)간의 열팽창계수 차이에 의해 보호층(15)에 크랙이 발생되는 문제점이 있다. 제조공정과정에서 보호층(15)에 발생된 크랙부분은 개스방전시 하전입자들의 집중적인 충격에 의해 쉽게 손상되고, 결과적으로 패널의 수명을 단축시키며, 화면전체의 불균일한 방전을 야기시켜 화질을 떨어뜨린다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 유전층과 보호층 사이의 열팽창계수 차이를 완화시키는 버퍼층을 유전층과 보호층 사이에 삽입하여 제조공정상에서의 보호층의 크랙발생을 억제하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 분해 사시도이도이고,
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 분해 사시도이도이고,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 제조방법의 공정플로우도이고,
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조단계별 공정 단면도들이다.
도 5a는 유전층 위에 보호층을 형성한 비교대상체를 460℃의 소성온도에서 소성한 이후 보호층의 표면을 찍은 사진이고,
도 5b는 유전층 위에 보호층을 형성한 비교대상체를 520℃의 소성온도에서 소성한 이후 보호층의 표면을 찍은 사진이고,
도 5c는 유전층 위에 보호층을 형성한 비교대상체를 560℃의 소성온도에서 소성한 이후 보호층의 표면을 찍은 사진이고,
도 5d는 유전층 위에 보호층을 형성한 비교대상체를 560℃의 소성온도에서 소성한 이후 비교대상체의 단면을 찍은 사진이고,
도 5e는 도 5d의 확대사진이고,
도 5f는 유전층 위에 버퍼층 및 보호층을 순차적으로 적층한 이후, 560℃의 소성온도에서 소성한 이후 보호층의 표면을 찍은 사진이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
11, 21: 하부기판 12, 22: 상부기판
13a, 23a: 제1전극 13b, 23b: 제2전극
14, 16, 24, 26: 유전층 15, 25: 보호층
17, 27: 격벽 18, 28: 형광체
19, 29: 셀(cell) 30: 버퍼층
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법은 전극을 가진 기판의 표면에 유전층을 형성하는 단계, 상기 유전층의 표면에 CaF2로 버퍼층을 형성하는 단계, 상기 버퍼층 위에 MgO로 보호층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 유전층 재료는 이산화 규소를 주성분으로 하는 실리케이트를 이용하여 형성되고, 상기 버퍼층의 두께는 50 나노 미터 이상으로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면, 스트라이프 형태의 전극, 유전층 및 보호층이 순차적으로 적층된 상부기판과, 상기 상부 기판과 소정거리 이격되어 대향설치되며 스트라이프 형태의 전극, 유전층 및 상기 상부기판과의 이격공간을 각각의 방전셀들로 구분하는 격벽이 형성된 하부기판을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 상부기판상에 형성되는 상기 유전층과 상기 보호층 사이에 CaF2로된 형성된 버퍼층을 더 구비한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법을 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 분해 사시도이도이다.
도면을 참조하면, 상호 대향하고 있는 상부 유리 기판(21)과 하부 유리 기판(22) 각각의 대향면상에 스트라이프 형상의 제1 전극(23a)과, 제2 전극(23b)이 형성되어 있다. 상부 유리 기판(21)의 내측면에는 유전층(24)과, 버퍼층(30) 및 보호층(25)이 차례로 적층되어 있다. 하부 유리 기판(22)에는 유전층(26)의 상면 위에 격벽(27)이 형성되어 있다. 인접하는 격벽들(27) 사이의 공간이 셀(29)이 된다. 셀(29)내에는 아르곤과 같은 불활성 개스로 채워진다. 또한 각각의 셀(29)의 바닥면 즉, 격벽(27)사이의 영역에는 형광체(28)가 형성 된다.
상부 유리기판(21)상에 형성된 유전층(24) 재료는 종래 기술에서 사용되었던 것과 동일한 재료를 이용할 수 있으며, 예를 들면 통상의 이산화규소를 주성분으로 하는 실리케이트를 이용하여 형성될 수 있다.
버퍼층(30)은 CaF2로 50 나노미터(nano meter) 이상 바람직하게는 100나노미터의 두께로 형성된다. 또한, 상기 CaF2로 버퍼층(30)은 결정화 온도 이하에서 비정질상태로 형성된다. CaF2는 큰 열팽창계수(26×10e-6cm/℃)를 갖고, 광투과도가 우수하며(광투과 허용두께가 0.2-12μm 정도됨), 박막간 계면특성이 좋은 특성을 갖고 있다.
보호층(25)은 MgO로 500 나노미터 정도의 두께로 형성된다.
이와 같은 구조를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널은 마무리 공정 즉, 상부기판(21)과 하부기판(22)을 시일재(미도시)로 도포하여 소정온도로 봉합하는 과정에서 비정질상의 CaF2로 형성된 버퍼층(30)의 큰 열팽창계수(26×10e-6cm/℃)로 인해 유전층(24)으로부터 발생되는 열충격을 충분히 완화시켜 MgO로 형성된 보호층(25)으로 전달하게 되어, 보호층(25)의 크랙발생이 감소된다.
다음은 이와 같은 구조의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 도 3에 도시된 공정플로우도와 도 4a 내지 도 4d에 도시된 제조단계별 공정 단면도들을 함께 참조하여 설명한다.
먼저, 유리 기판(21)에 소정거리 이격된 다수의 스프라이트상의 전극(23a)을 도 4a에서와 같이 형성한다(단계 100). 다음은 전극(23a)이 형성된 기판(21)위에 유전층(24)을 소정두께로 전면에 걸쳐 형성한다(단계 110; 도 4b참조). 이때 유전층(24)은 앞서 설명된 바와 같이 이산화규소를 주성분으로 하는 실리케이트를 재료로 하여 통상적인 스핀 코팅법이나 또는 전면 인쇄 방법에 의해 형성시킨다.
단계 110을 거쳐 형성된 유리기판(21)의 유전층(24) 위에 도 4c에 도시된 바와 같이, CaF2를 재료로하여 인쇄기법에 의해 50 나노미터 내지 100나노미터의 두께로 버퍼층(30)을 형성한다(단계 120).
단계 130에서는 MgO를 스퍼터링, 전자-빔 증착(e-beam evaporation)방법에 의해 500 나노미터정도의 두께로 증착하여 보호층(25)을 형성한다(도 4d참조). 단계 130까지를 거치게 되면 상부기판(21)의 제조공정이 완료된다.
단계 130 이후에는 후속 공정(단계 140) 예컨데, 유기기판(도 2참조; 22) 위에 전극, 유전층, 격벽, 형광체를 차례로 형성시켜 하부기판 제조를 완료시킨 다음 또는 하부기판 제조가 상부기판(21) 제조공정전 또는 병행되어 준비된 상태이면, 준비된 상부기판(21)과 하부기판을 시일재로 봉합하는 공정을 수행한다.
<실험예>
버퍼층(30)의 삽입에 의한 보호층(25)의 크랙발생억제를 입증하기 위해 다음과 같은 조건으로 실험하였다.
유전층을 20μm의 두께로 형성하고, 그 위에 MgO보호층을 500 나노미터정도의 두께로 형성한 비교대상체를 460℃에서 소성한 후의 보호층의 표면을 찍은 사진이 도시된 도 5a에서 처럼, 보호층에서 발생된 크랙을 발견하지 못했다. 그러나, 상기 비교대상체에 대한 소성 온도를 상승시켜 그 소성온도를 520℃ 로 한 후에는 도 5b에 도시된 것과 같이 크랙라인이 발생하였고, 소성온도를 더 높여 560℃에서 소성한 후의 비교대상체의 보호층에는 도 5c에 도시된 바와 같이 폭이 더욱 넓혀진 크랙라인을 발견하였다. 특히, 560℃에서 소성한 후의 비교대상체의 단면사진이 도시된 도 5c 및 그 확대도인 도 5e를 보면 크랙라인이 유전층부근까지 깊게 형성됨을 알 수 있다.
이에 반하여, 유전층을 20μm의 두께로 형성하고, 그 위에 CaF2를 약 50나노미터정도의 두께로 형성하고, MgO보호층을 비교대상과 동일한 두께로 형성한 다음, 560℃에서 소성한 이후, 보호층의 표면을 찍은 사진 도 5f를 보면, 크랙라인이 발견되지 않고 있다.
실험예를 통해서 알수 있는 바와 같이 버퍼층(30)의 삽입에 의해 동일한 온도조건에서 보호층(25)의 크랙발생이 보다 억제됨을 알수 있다.
지금까지 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 의하면, 제조공정상에서 보호층의 크랙발생이 억제되어 수명향상 및 화면전체의 균일한 방전에 의해 화질을 향상시킨다.

Claims (10)

  1. 전극을 가진 기판의 표면에 유전층을 형성하는 단계:
    상기 유전층의 표면에 CaF2로 버퍼층을 형성하는 단계;
    상기 버퍼층 위에 MgO로 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전층 재료는 이산화 규소를 주성분으로 하는 실리케이트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 50 나노 미터 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 500 나노 미터 정도로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 결정화 온도 이하에서 비정질상으로 형성시키튼 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
  6. 스트라이프 형태의 전극, 유전층 및 보호층이 순차적으로 적층된 상부기판과, 상기 상부 기판과 소정거리 이격되어 대향설치되며 스트라이프 형태의 전극, 유전층 및 상기 상부기판과의 이격공간을 각각의 방전셀들로 구분하는 격벽이 형성된 하부기판을 구비하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,
    상기 상부기판상에 형성된 상기 유전층과 상기 보호층 사이에 CaF2로된 형성된 버퍼층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제6항에 있어서, 상기 보호층은 MgO로 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제7항에 있어서, 상기 유전층 재료는 이산화 규소를 주성분으로 하는 실리케이트를 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 버퍼층의 두께는 50 나노 미터 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 보호층의 두께는 500 나노 미터 정도로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
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