JP2002150946A - プラズマディスプレーパネル - Google Patents
プラズマディスプレーパネルInfo
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電体層の絶縁破壊を低減化することによ
り、プラズマディスプレーパネルの製造時の歩留まりが
向上され、かつ不良発生率が改善されて低コスト化が図
られ、なおかつ寿命が延長されたプラズマディスプレー
パネルを提供する。 【解決手段】 所定間隔をおいて互いに対向するように
配置される背面基板２１及び前面基板２２と、背面基板
２１及び前面基板２２の対向面上に複数の第１電極２３
ａ及び第２電極２３ｂが設けられ、第１電極２３ａ及び
背面基板２１上には第１誘電体層２４が形成され、第１
電極間２３ａ上の第１誘電体層２４上には所定高さの隔
壁２５が形成され、隔壁２５の外側部及び第１誘電体層
２４の上側部には蛍光体層２６が形成され、第２電極２
３ｂ及び前面基板２２上にはエネルギーバンドギャップ
が６ｅＶ以上、かつ誘電定数が１０以下である誘電材料
から構成される第２誘電体層２７が形成されたプラズマ
ディスプレーパネルとする。
り、プラズマディスプレーパネルの製造時の歩留まりが
向上され、かつ不良発生率が改善されて低コスト化が図
られ、なおかつ寿命が延長されたプラズマディスプレー
パネルを提供する。 【解決手段】 所定間隔をおいて互いに対向するように
配置される背面基板２１及び前面基板２２と、背面基板
２１及び前面基板２２の対向面上に複数の第１電極２３
ａ及び第２電極２３ｂが設けられ、第１電極２３ａ及び
背面基板２１上には第１誘電体層２４が形成され、第１
電極間２３ａ上の第１誘電体層２４上には所定高さの隔
壁２５が形成され、隔壁２５の外側部及び第１誘電体層
２４の上側部には蛍光体層２６が形成され、第２電極２
３ｂ及び前面基板２２上にはエネルギーバンドギャップ
が６ｅＶ以上、かつ誘電定数が１０以下である誘電材料
から構成される第２誘電体層２７が形成されたプラズマ
ディスプレーパネルとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レーパネルに係り、特に、前面基板上の誘電体層が改善
されたプラズマディスプレーパネルに関する。
レーパネルに係り、特に、前面基板上の誘電体層が改善
されたプラズマディスプレーパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレーパネルは、一般
に、ガス放電現象を利用して画像を表示するものであっ
て、表示容量、輝度、コントラスト、残像、視野角など
の各種の表示能力に優れている。このため、プラズマデ
ィスプレーパネルは、従来のＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ−
ｒａｙ ｔｕｂｅ；陰極線管）に代わり得る表示装置と
して脚光を浴びている。
に、ガス放電現象を利用して画像を表示するものであっ
て、表示容量、輝度、コントラスト、残像、視野角など
の各種の表示能力に優れている。このため、プラズマデ
ィスプレーパネルは、従来のＣＲＴ（ｃａｔｈｏｄｅ−
ｒａｙ ｔｕｂｅ；陰極線管）に代わり得る表示装置と
して脚光を浴びている。
【０００３】このようなプラズマディスプレーパネル
は、電極に印加される直流または交流電圧によって電極
間に封入された所定ガスの放電が誘起され、この放電過
程で紫外線を含む光が放射されることにより、蛍光体物
質が励起されて発光するものである。このようなプラズ
マディスプレーパネルは、駆動電圧の形態や放電の形態
などによってタイプが異なり、例えば、放電形態によっ
て直流（ＤＣ）型と交流（ＡＣ）型とに大別される。そ
のうち、直流型のプラズマディスプレーパネルは、全て
の電極が放電空間に露出された構造を有し、対応する電
極間で電荷の移動が直接的に行なわれるようになってい
る。その一方で、交流型のプラズマディスプレーパネル
は、少なくとも一つの電極が誘電体層で被覆され、対応
する電極間で直接的な電荷の移動が行なわれず、その代
わりに、壁電荷によって放電が行なわれるようになって
いる。
は、電極に印加される直流または交流電圧によって電極
間に封入された所定ガスの放電が誘起され、この放電過
程で紫外線を含む光が放射されることにより、蛍光体物
質が励起されて発光するものである。このようなプラズ
マディスプレーパネルは、駆動電圧の形態や放電の形態
などによってタイプが異なり、例えば、放電形態によっ
て直流（ＤＣ）型と交流（ＡＣ）型とに大別される。そ
のうち、直流型のプラズマディスプレーパネルは、全て
の電極が放電空間に露出された構造を有し、対応する電
極間で電荷の移動が直接的に行なわれるようになってい
る。その一方で、交流型のプラズマディスプレーパネル
は、少なくとも一つの電極が誘電体層で被覆され、対応
する電極間で直接的な電荷の移動が行なわれず、その代
わりに、壁電荷によって放電が行なわれるようになって
いる。
【０００４】このようなプラズマディスプレーパネルの
うち、従来の交流型プラズマディスプレーパネルの一例
を図１に示す。図１を参照すると、従来の一例の交流型
プラズマディスプレーパネルは、背面基板１１の内側部
にはストライプ状の第１電極１３ａが平行に形成され、
第１電極１３ａの形成された背面基板１１の上側部には
第１誘電体層１４が第１電極１３ａを被覆するように形
成されている。そして、第１電極１３ａの間に配置され
る第１誘電体層１４の上には放電距離を保持させ、かつ
放電セル１９間のクロストーク現象を防止する隔壁１５
が形成されている。
うち、従来の交流型プラズマディスプレーパネルの一例
を図１に示す。図１を参照すると、従来の一例の交流型
プラズマディスプレーパネルは、背面基板１１の内側部
にはストライプ状の第１電極１３ａが平行に形成され、
第１電極１３ａの形成された背面基板１１の上側部には
第１誘電体層１４が第１電極１３ａを被覆するように形
成されている。そして、第１電極１３ａの間に配置され
る第１誘電体層１４の上には放電距離を保持させ、かつ
放電セル１９間のクロストーク現象を防止する隔壁１５
が形成されている。
【０００５】図１に示すように、前面基板１２は隔壁１
５が設けられた背面基板１１に結合されているが、その
対向面には第１電極１３ａと直交するストライプ状の第
２電極１３ｂが形成されている。また、第２電極１３ｂ
が形成された前面基板１２の下側部には、第２電極１３
ｂを被覆するように、第２誘電体層１７が形成されてい
る。さらに、誘電体層１４及び１７は、その誘電体層の
表面に帯電された壁電荷の電子なだれ降伏領域での放電
現象を繰り返し発生させることによって、高い放電強度
及びメモリ効果が得られるように形成される。そして、
第２誘電体層１７の下側部には、保護膜１８が形成され
ているが、この保護膜１８は、プラズマ粒子のスパッタ
リングによる損傷から誘電体層１７の損傷を防止すると
共に、２次電子放出によって放電電圧及び維持電圧を下
げる役割を果たすものであり、一般に、蒸着によって成
膜されたＭｇＯ薄膜が用いられている。
５が設けられた背面基板１１に結合されているが、その
対向面には第１電極１３ａと直交するストライプ状の第
２電極１３ｂが形成されている。また、第２電極１３ｂ
が形成された前面基板１２の下側部には、第２電極１３
ｂを被覆するように、第２誘電体層１７が形成されてい
る。さらに、誘電体層１４及び１７は、その誘電体層の
表面に帯電された壁電荷の電子なだれ降伏領域での放電
現象を繰り返し発生させることによって、高い放電強度
及びメモリ効果が得られるように形成される。そして、
第２誘電体層１７の下側部には、保護膜１８が形成され
ているが、この保護膜１８は、プラズマ粒子のスパッタ
リングによる損傷から誘電体層１７の損傷を防止すると
共に、２次電子放出によって放電電圧及び維持電圧を下
げる役割を果たすものであり、一般に、蒸着によって成
膜されたＭｇＯ薄膜が用いられている。
【０００６】一方、隔壁１５によって区画された放電セ
ル１９の内部にある隔壁１５の側部及び第１誘電体層１
４の上側部には蛍光体層１６が形成され、放電セル１９
の内部にはアルゴンなどの不活性ガスが充填されてい
る。このような構造を有するプラズマディスプレーパネ
ルの作動状況を観察すると、電極１３ａ、１３ｂ間に印
加された電圧によって生じた紫外線が、放電セル１９の
内側部に形成された蛍光体層１６を励起させ、フォトル
ミネスンス（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）の
原理により、蛍光体層１６から可視光が放射されるとい
う現象が観測される。このとき、各放電セル１９の内部
に形成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各
色を発色する蛍光物質によってカラー表示が行なわれ
る。
ル１９の内部にある隔壁１５の側部及び第１誘電体層１
４の上側部には蛍光体層１６が形成され、放電セル１９
の内部にはアルゴンなどの不活性ガスが充填されてい
る。このような構造を有するプラズマディスプレーパネ
ルの作動状況を観察すると、電極１３ａ、１３ｂ間に印
加された電圧によって生じた紫外線が、放電セル１９の
内側部に形成された蛍光体層１６を励起させ、フォトル
ミネスンス（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）の
原理により、蛍光体層１６から可視光が放射されるとい
う現象が観測される。このとき、各放電セル１９の内部
に形成された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各
色を発色する蛍光物質によってカラー表示が行なわれ
る。
【０００７】ここで、図１に示す第２誘電体層１７は、
前述したように、高い放電強度及びメモリ効果を得るた
めに用いられるものであって、一般にＰｂＯ系の誘電体
層が用いられている。しかしながら、このような誘電体
層は、表面にピンホールが形成され易く、そのため、絶
縁特性が悪くなり易い。その結果として、プラズマディ
スプレーパネルの製造時の不良発生率が増加して、製品
の歩留まりが低下し易いという問題があった。
前述したように、高い放電強度及びメモリ効果を得るた
めに用いられるものであって、一般にＰｂＯ系の誘電体
層が用いられている。しかしながら、このような誘電体
層は、表面にピンホールが形成され易く、そのため、絶
縁特性が悪くなり易い。その結果として、プラズマディ
スプレーパネルの製造時の不良発生率が増加して、製品
の歩留まりが低下し易いという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、プラズマ
ディスプレーパネルの前面基板上に光透過性に優れ、か
つ界面特性の良い第２誘電体層を形成することにより、
既存の工程における製造時の不良発生の問題を解決し、
均一な放電を誘起でき、画質が向上されたプラズマディ
スプレーパネルを提供することにある。
鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、プラズマ
ディスプレーパネルの前面基板上に光透過性に優れ、か
つ界面特性の良い第２誘電体層を形成することにより、
既存の工程における製造時の不良発生の問題を解決し、
均一な放電を誘起でき、画質が向上されたプラズマディ
スプレーパネルを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の請求項１に係るプラズマディスプレーパネ
ルは、背面基板と、前記背面基板の内側部に形成される
複数の第１電極と、前記第１電極及び前記第１電極間の
前記背面基板上に形成される第１誘電体層と、前記背面
基板の内側部において、前記第１電極間に形成される所
定高さの隔壁と、前記第１誘電体層の上側部及び隔壁の
外側部に形成される蛍光体層と、前記背面基板と結合し
て前記隔壁により区画された放電空間を形成する前面基
板と、前記前面基板の内側部に前記第１電極と対応する
ように形成される複数の第２電極と、前記第２電極及び
前記第２電極間の前記前面基板の上側部に形成され、エ
ネルギーバンドギャップが６ｅＶ以上、かつ誘電定数が
１０以下である誘電材料から構成される第２誘電体層と
を含むことを特徴とする。
に、本発明の請求項１に係るプラズマディスプレーパネ
ルは、背面基板と、前記背面基板の内側部に形成される
複数の第１電極と、前記第１電極及び前記第１電極間の
前記背面基板上に形成される第１誘電体層と、前記背面
基板の内側部において、前記第１電極間に形成される所
定高さの隔壁と、前記第１誘電体層の上側部及び隔壁の
外側部に形成される蛍光体層と、前記背面基板と結合し
て前記隔壁により区画された放電空間を形成する前面基
板と、前記前面基板の内側部に前記第１電極と対応する
ように形成される複数の第２電極と、前記第２電極及び
前記第２電極間の前記前面基板の上側部に形成され、エ
ネルギーバンドギャップが６ｅＶ以上、かつ誘電定数が
１０以下である誘電材料から構成される第２誘電体層と
を含むことを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項２に係るプラズマディスプ
レーパネルは、前記請求項１において、第２誘電体層
が、ＣａＦ2、ＬｉＦ、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2、Ａ
ｌ2Ｏ3及びＺｎＯよりなる群から選ばれた一種の材料か
ら構成されることが望ましい。また、本発明の請求項３
に係るプラズマディスプレーパネルは、前記請求項１に
おいて、第２誘電体層の厚さが５μｍ以上であることが
望ましい。
レーパネルは、前記請求項１において、第２誘電体層
が、ＣａＦ2、ＬｉＦ、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2、Ａ
ｌ2Ｏ3及びＺｎＯよりなる群から選ばれた一種の材料か
ら構成されることが望ましい。また、本発明の請求項３
に係るプラズマディスプレーパネルは、前記請求項１に
おいて、第２誘電体層の厚さが５μｍ以上であることが
望ましい。
【００１１】さらに、本発明の請求項４に係るプラズマ
ディスプレーパネルは、前記請求項１から請求項３のい
ずれか１項において、第２誘電体層の下側部に保護膜が
形成されることが望ましい。そして、本発明の請求項５
に係るプラズマディスプレーパネルは、前記請求項４に
おいて、保護膜がＭｇＯから形成されることが望まし
い。そしてまた、本発明の請求項６に係るプラズマディ
スプレーパネルは、前記請求項４において、保護膜が５
００ｎｍ以上の厚さで形成されることが望ましい。
ディスプレーパネルは、前記請求項１から請求項３のい
ずれか１項において、第２誘電体層の下側部に保護膜が
形成されることが望ましい。そして、本発明の請求項５
に係るプラズマディスプレーパネルは、前記請求項４に
おいて、保護膜がＭｇＯから形成されることが望まし
い。そしてまた、本発明の請求項６に係るプラズマディ
スプレーパネルは、前記請求項４において、保護膜が５
００ｎｍ以上の厚さで形成されることが望ましい。
【００１２】このように構成すれば、前面基板上に絶縁
破壊強度が大きく、界面特性が良い誘電体層を形成する
ことにより、誘電体層の絶縁破壊を低減化することがで
き、その結果、プラズマディスプレーパネルの歩留まり
の向上及び不良発生率の改善が実現され、製造コストの
低減化が図られ、長寿命化されたプラズマディスプレー
パネルが具現化される。
破壊強度が大きく、界面特性が良い誘電体層を形成する
ことにより、誘電体層の絶縁破壊を低減化することがで
き、その結果、プラズマディスプレーパネルの歩留まり
の向上及び不良発生率の改善が実現され、製造コストの
低減化が図られ、長寿命化されたプラズマディスプレー
パネルが具現化される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明に係るプラズマディスプレーパネルの望ましい実施
形態について詳細に説明する。図２は、本発明に係るプ
ラズマディスプレーパネルの一実施形態を模式的に示す
図であって、前面基板上に形成された第２誘電体層がＣ
ａＦ2薄膜よりなるプラズマディスプレーパネルを示す
ものである。
発明に係るプラズマディスプレーパネルの望ましい実施
形態について詳細に説明する。図２は、本発明に係るプ
ラズマディスプレーパネルの一実施形態を模式的に示す
図であって、前面基板上に形成された第２誘電体層がＣ
ａＦ2薄膜よりなるプラズマディスプレーパネルを示す
ものである。
【００１４】図２を参照すると、相互に対向している背
面基板２１及び前面基板２２の各々の対向面上にストラ
イプ状の複数の第１電極２３ａ及び第２電極２３ｂが形
成されている。背面基板２１の上側部には、第１電極２
３ａを被覆するように、第１誘電体層２４が形成されて
おり、第１誘電体層２４の上側部には、第１電極２３ａ
間の位置に隔壁２５が形成されている。また、隔壁２５
の側部及び第１誘電体層２４の上側部には、蛍光体層２
６が形成されている。さらに、隔壁２５により区画され
た放電セル２９内にはアルゴンなどの不活性ガスが充填
されている。以上に述べた本発明に係るプラズマディス
プレーパネルに含まれる第１電極２３ａ、第２電極２３
ｂ、第１誘電体層２４、隔壁２５及び蛍光体層２６の各
々が有する機能は、前記の従来のプラズマディスプレー
パネルにおいて説明した通りである。
面基板２１及び前面基板２２の各々の対向面上にストラ
イプ状の複数の第１電極２３ａ及び第２電極２３ｂが形
成されている。背面基板２１の上側部には、第１電極２
３ａを被覆するように、第１誘電体層２４が形成されて
おり、第１誘電体層２４の上側部には、第１電極２３ａ
間の位置に隔壁２５が形成されている。また、隔壁２５
の側部及び第１誘電体層２４の上側部には、蛍光体層２
６が形成されている。さらに、隔壁２５により区画され
た放電セル２９内にはアルゴンなどの不活性ガスが充填
されている。以上に述べた本発明に係るプラズマディス
プレーパネルに含まれる第１電極２３ａ、第２電極２３
ｂ、第１誘電体層２４、隔壁２５及び蛍光体層２６の各
々が有する機能は、前記の従来のプラズマディスプレー
パネルにおいて説明した通りである。
【００１５】一方、前記の本発明に係るプラズマディス
プレーパネルの一実施形態にあっては、前面基板２２の
内側部に、ＣａＦ2薄膜よりなる第２誘電体層２７及び
ＭｇＯ薄膜よりなる保護膜２８が順次積層されている。
前面基板２２上に形成される第２誘電層２７の材料は、
従来のプラズマディスプレーパネルのものとは異なり、
ＣａＦ2薄膜を用い、その厚さは５μｍ以上に形成され
る。このＣａＦ2薄膜は、比較的大きな熱膨張係数（２
６×１０-8ｍ／Ｋ（２６×１０-6ｃｍ／Ｋ））を有し、
光透過性に優れ（光を透過させる許容厚さが０．２〜１
２μｍ）、なおかつ薄膜間の界面特性が良いという特徴
を有している。また、このようなＣａＦ2薄膜よりなる
第２誘電体層２７の下側部には、ＭｇＯ薄膜よりなる保
護膜２８が、スパッタリングまたは電子ビーム蒸着法等
の成膜法により、５００ｎｍ以上の厚さに蒸着される。
プレーパネルの一実施形態にあっては、前面基板２２の
内側部に、ＣａＦ2薄膜よりなる第２誘電体層２７及び
ＭｇＯ薄膜よりなる保護膜２８が順次積層されている。
前面基板２２上に形成される第２誘電層２７の材料は、
従来のプラズマディスプレーパネルのものとは異なり、
ＣａＦ2薄膜を用い、その厚さは５μｍ以上に形成され
る。このＣａＦ2薄膜は、比較的大きな熱膨張係数（２
６×１０-8ｍ／Ｋ（２６×１０-6ｃｍ／Ｋ））を有し、
光透過性に優れ（光を透過させる許容厚さが０．２〜１
２μｍ）、なおかつ薄膜間の界面特性が良いという特徴
を有している。また、このようなＣａＦ2薄膜よりなる
第２誘電体層２７の下側部には、ＭｇＯ薄膜よりなる保
護膜２８が、スパッタリングまたは電子ビーム蒸着法等
の成膜法により、５００ｎｍ以上の厚さに蒸着される。
【００１６】本発明者は、前記ＣａＦ2誘電体層の特性
を調べるために、図３に示すような実験を行なった。図
３は、本発明に係るＣａＦ2誘電体層の特性を調べるた
めの実験条件を示す断面図である。すなわち、電極５１
の表面及び断面に、ＣａＦ2薄膜５２を電子ビーム蒸着
法で成膜して、その絶縁特性について調べた。図３に示
すように、まずガラス基板５０上にＡｇ電極５１を印刷
した後、ＣａＦ2薄膜５２を、電子ビームを用いて蒸着
し、さらにＣａＦ2薄膜５２の上にＣｒ電極５３を蒸着
した。このようにして形成したＣａＦ2薄膜５２の絶縁
特性は降伏電圧を測定することによって調べた。また、
このＣａＦ2薄膜５２の表面特性を、既存の誘電体層よ
りなる透明誘電体のものと比較した。このような表面観
察を通じて既存の誘電体で観測されるピンホールなどの
欠陥の密度や大きさといった表面特性を調査することに
より、このプラズマディスプレーパネルの寿命や画面の
均一性を予測することが可能である。また、断面特性と
しては、厚さ分布の測定を行なった。
を調べるために、図３に示すような実験を行なった。図
３は、本発明に係るＣａＦ2誘電体層の特性を調べるた
めの実験条件を示す断面図である。すなわち、電極５１
の表面及び断面に、ＣａＦ2薄膜５２を電子ビーム蒸着
法で成膜して、その絶縁特性について調べた。図３に示
すように、まずガラス基板５０上にＡｇ電極５１を印刷
した後、ＣａＦ2薄膜５２を、電子ビームを用いて蒸着
し、さらにＣａＦ2薄膜５２の上にＣｒ電極５３を蒸着
した。このようにして形成したＣａＦ2薄膜５２の絶縁
特性は降伏電圧を測定することによって調べた。また、
このＣａＦ2薄膜５２の表面特性を、既存の誘電体層よ
りなる透明誘電体のものと比較した。このような表面観
察を通じて既存の誘電体で観測されるピンホールなどの
欠陥の密度や大きさといった表面特性を調査することに
より、このプラズマディスプレーパネルの寿命や画面の
均一性を予測することが可能である。また、断面特性と
しては、厚さ分布の測定を行なった。
【００１７】すなわち、前記のＣａＦ2を蒸着した後、
その絶縁破壊強度の測定を行なった結果、９０Ｖ／μｍ
程度の絶縁破壊強度が得られ、従来のプラズマディスプ
レーパネルに含まれる既存の誘電体の絶縁破壊強度（３
０Ｖ／μｍ程度）よりも約３倍高くなっているというこ
とが明らかとなった。
その絶縁破壊強度の測定を行なった結果、９０Ｖ／μｍ
程度の絶縁破壊強度が得られ、従来のプラズマディスプ
レーパネルに含まれる既存の誘電体の絶縁破壊強度（３
０Ｖ／μｍ程度）よりも約３倍高くなっているというこ
とが明らかとなった。
【００１８】また、印刷法などにより作製した従来の透
明誘電体では、電圧降下を比較的速く生じさせるピンホ
ールなどの欠陥が生成され易く、このピンホールなどの
欠陥に電界が集中して絶縁特性が悪くなる。それに対
し、本発明に係るプラズマディスプレーパネルに含まれ
るＣａＦ2薄膜を蒸着する際には、ピンホールなどの欠
陥が現れず、その結果、製造時の不良発生率を低減化す
ることができ、その結果、本発明に係るプラズマディス
プレーパネルは寿命がより延長されたものとなる。
明誘電体では、電圧降下を比較的速く生じさせるピンホ
ールなどの欠陥が生成され易く、このピンホールなどの
欠陥に電界が集中して絶縁特性が悪くなる。それに対
し、本発明に係るプラズマディスプレーパネルに含まれ
るＣａＦ2薄膜を蒸着する際には、ピンホールなどの欠
陥が現れず、その結果、製造時の不良発生率を低減化す
ることができ、その結果、本発明に係るプラズマディス
プレーパネルは寿命がより延長されたものとなる。
【００１９】そして、プラズマディスプレーパネルの断
面特性として、誘電体の厚さが厚くなるにつれて光の透
過率が減少するが、絶縁破壊を充分に克服できる誘電体
の厚さは５μｍ〜１０μｍであり、このような誘電体の
厚さであればプラズマディスプレーパネルの光の透過率
を、実用上、阻害しないという結果が得られた。
面特性として、誘電体の厚さが厚くなるにつれて光の透
過率が減少するが、絶縁破壊を充分に克服できる誘電体
の厚さは５μｍ〜１０μｍであり、このような誘電体の
厚さであればプラズマディスプレーパネルの光の透過率
を、実用上、阻害しないという結果が得られた。
【００２０】本発明に係るプラズマディスプレーパネル
の一実施形態では、前面基板上に形成される第２誘電体
層として、代表的にＣａＦ2薄膜からなる誘電体層を例
示して説明したが、本発明で用いられる誘電体層はこの
ＣａＦ2薄膜のみに限定されるものではない。すなわ
ち、本発明では、ＣａＦ2薄膜からなる誘電体層のよう
に、比較的大きなエネルギーバンドギャップ（エネルギ
ーバンドギャップ：Ｅｇ＞６ｅＶ）と、比較的低い誘電
定数（誘電定数：ε＜１０）を有するものであれば、他
の薄膜からなる誘電体層を用いてもよい。本発明で、他
の薄膜からなる誘電体層を用いた場合でも、ＣａＦ2薄
膜からなる誘電体層を用いた場合と同様の効果が得られ
る。このような誘電体層の薄膜材料としては、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｎＯなどの酸化物系の材料が挙げられ、またフ
ッ化物系の材料としてＬｉＦ、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、Ｍｇ
Ｆ2などが挙げられる
の一実施形態では、前面基板上に形成される第２誘電体
層として、代表的にＣａＦ2薄膜からなる誘電体層を例
示して説明したが、本発明で用いられる誘電体層はこの
ＣａＦ2薄膜のみに限定されるものではない。すなわ
ち、本発明では、ＣａＦ2薄膜からなる誘電体層のよう
に、比較的大きなエネルギーバンドギャップ（エネルギ
ーバンドギャップ：Ｅｇ＞６ｅＶ）と、比較的低い誘電
定数（誘電定数：ε＜１０）を有するものであれば、他
の薄膜からなる誘電体層を用いてもよい。本発明で、他
の薄膜からなる誘電体層を用いた場合でも、ＣａＦ2薄
膜からなる誘電体層を用いた場合と同様の効果が得られ
る。このような誘電体層の薄膜材料としては、Ａｌ
2Ｏ3、ＺｎＯなどの酸化物系の材料が挙げられ、またフ
ッ化物系の材料としてＬｉＦ、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、Ｍｇ
Ｆ2などが挙げられる
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように構成される本発明に
よれば、前面基板上に光透過性に優れ、かつ界面特性が
良い誘電体層が形成されてプラズマディスプレーパネル
が構成されるので、誘電体層の絶縁破壊強度が従来のも
のに比べて大きくなり、誘電体層の絶縁破壊が抑えら
れ、表面におけるピンホールなどの欠陥の形成が抑制さ
れたプラズマディスプレーパネルが提供される。
よれば、前面基板上に光透過性に優れ、かつ界面特性が
良い誘電体層が形成されてプラズマディスプレーパネル
が構成されるので、誘電体層の絶縁破壊強度が従来のも
のに比べて大きくなり、誘電体層の絶縁破壊が抑えら
れ、表面におけるピンホールなどの欠陥の形成が抑制さ
れたプラズマディスプレーパネルが提供される。
【００２２】このため、本発明に係るプラズマディスプ
レーパネルにあっては、製造時の不良発生率が低減化さ
れると共に、寿命が延長され、なおかつ均一な欠陥のな
い誘電体薄膜層及び下地層（保護膜）が確保されたもの
となる。
レーパネルにあっては、製造時の不良発生率が低減化さ
れると共に、寿命が延長され、なおかつ均一な欠陥のな
い誘電体薄膜層及び下地層（保護膜）が確保されたもの
となる。
【００２３】また、本発明に係るプラズマディスプレー
パネルにあっては、従来のプラズマディスプレーパネル
で用いられていた既存の誘電体層を形成する過程の印
刷、乾燥、焼成などの工程が省略され、製造工程が単純
化されるので、製造コストの低減化を図ることができ
る。
パネルにあっては、従来のプラズマディスプレーパネル
で用いられていた既存の誘電体層を形成する過程の印
刷、乾燥、焼成などの工程が省略され、製造工程が単純
化されるので、製造コストの低減化を図ることができ
る。
【図１】従来のプラズマディスプレーパネルの部分的な
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明に係るプラズマディスプレーパネルの一
実施形態の部分的な斜視図である。
実施形態の部分的な斜視図である。
【図３】本発明に係るプラズマディスプレーパネルの一
実施形態におけるＣａＦ2誘電体層の特性を調べるため
の実験を説明するための模式的な断面図である。
実施形態におけるＣａＦ2誘電体層の特性を調べるため
の実験を説明するための模式的な断面図である。
２１ 背面基板 ２２ 前面基板 ２３ａ 第１電極 ２３ｂ 第２電極 ２４ 第１誘電体層 ２５ 隔壁 ２６ 蛍光体層 ２７ 第２誘電体層 ２８ ＭｇＯ保護膜 ２９ 放電セル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 朴 永 洙 大韓民国 京畿道 水原市 八達区 靈通 洞 1053−２番地 凰谷マウル 豊林アパ ート 231棟 304号 (72)発明者 金 起 永 大韓民国 京畿道 水原市 勧善区 勧善 洞 1238番地 三千里アパート 105棟 809号 (72)発明者 畑中 秀和 大韓民国 京畿道 城南市 盆唐区 九美 洞 63番地 カチマウル ロッテ 鮮京ア パート 410棟 1504号 (72)発明者 鄭 在 娟 大韓民国 仁川広域市 南区 朱安４洞 1550−11番地 Ｆターム(参考） 5C040 FA01 FA04 GD01 GD07 GE01 GE07 KA04 KB19 LA14 MA10 MA26
Claims (6)
- 【請求項１】 背面基板と、 前記背面基板の内側部に形成される複数の第１電極と、 前記第１電極及び前記第１電極間の前記背面基板上に形
成される第１誘電体層と、 前記背面基板の内側部において、前記第１電極間に形成
される所定高さの隔壁と、 前記第１誘電体層の上側部及び隔壁の外側部に形成され
る蛍光体層と、 前記背面基板と結合して前記隔壁により区画された放電
空間を形成する前面基板と、 前記前面基板の内側部に前記第１電極と対応するように
形成される複数の第２電極と、 前記第２電極及び前記第２電極間の前記前面基板の上側
部に形成され、エネルギーバンドギャップが６ｅＶ以
上、かつ誘電定数が１０以下である誘電材料から構成さ
れる第２誘電体層と、を含むことを特徴とするプラズマ
ディスプレーパネル。 - 【請求項２】 前記第２誘電体層は、ＣａＦ2、Ｌｉ
Ｆ、ＢａＦ2、ＳｒＦ2、ＭｇＦ2、Ａｌ2Ｏ3及びＺｎＯ
よりなる群から選ばれた一種の材料から構成されること
を特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレーパ
ネル。 - 【請求項３】 前記第２誘電体層の厚さは、５μｍ以上
であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディ
スプレーパネル。 - 【請求項４】 前記第２誘電体層の下側部に形成される
保護膜をさらに含んで構成されることを特徴とする請求
項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマディ
スプレーパネル。 - 【請求項５】 前記保護膜は、ＭｇＯから形成されるこ
とを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレー
パネル。 - 【請求項６】 前記保護膜の厚さは、５００ｎｍ以上で
あることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディス
プレーパネル。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2000-64216 | 2000-10-31 | ||
| KR1020000064216A KR20020033951A (ko) | 2000-10-31 | 2000-10-31 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002150946A true JP2002150946A (ja) | 2002-05-24 |
Family
ID=19696325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001263860A Pending JP2002150946A (ja) | 2000-10-31 | 2001-08-31 | プラズマディスプレーパネル |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020050791A1 (ja) |
| EP (1) | EP1202318A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002150946A (ja) |
| KR (1) | KR20020033951A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761254B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2007-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판 구조 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4048533A (en) * | 1971-10-12 | 1977-09-13 | Owens-Illinois, Inc. | Phosphor overcoat |
| JPS5263663A (en) * | 1975-11-19 | 1977-05-26 | Fujitsu Ltd | Gas electric discharge panel |
| JPS53112056A (en) * | 1977-03-11 | 1978-09-30 | Fujitsu Ltd | Gas discharging panel of self shift type |
| JPS6023457B2 (ja) * | 1980-02-29 | 1985-06-07 | 富士通株式会社 | 表示パネル用電極の製造方法 |
| JP3163563B2 (ja) * | 1995-08-25 | 2001-05-08 | 富士通株式会社 | 面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネル及びその製造方法 |
| US5980347A (en) * | 1996-07-25 | 1999-11-09 | Jsr Corporation | Process for manufacturing plasma display panel |
| JP3119240B2 (ja) * | 1998-06-24 | 2000-12-18 | 日本電気株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP3428446B2 (ja) * | 1998-07-09 | 2003-07-22 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| KR100662061B1 (ko) * | 1998-09-29 | 2006-12-27 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 기판 구조체의 제조 방법 |
-
2000
- 2000-10-31 KR KR1020000064216A patent/KR20020033951A/ko not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-02-23 EP EP01301641A patent/EP1202318A3/en not_active Withdrawn
- 2001-02-28 US US09/794,095 patent/US20020050791A1/en not_active Abandoned
- 2001-08-31 JP JP2001263860A patent/JP2002150946A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100761254B1 (ko) * | 2001-03-07 | 2007-09-28 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 소자의 상판 구조 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1202318A2 (en) | 2002-05-02 |
| EP1202318A3 (en) | 2002-07-17 |
| US20020050791A1 (en) | 2002-05-02 |
| KR20020033951A (ko) | 2002-05-08 |
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