KR20000001512A - 반도체소자 제조용 가스공급장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 공정챔버로 공급되는 가스의 오염도를 감지할 수 있는 반도체소자 제조용 가스공급장치에 관한 것이다.
본 발명의 가스공급장치는, 반도체소자를 제조할 수 있는 공정챔버에 가스를 공급할 수 있도록 구비되는 라인 즉, 상기 가스가 공정챔버로 공급되기 직전에 위치하는 공정챔버의 입구단의 라인 상에 상기 가스의 오염도를 감지할 수 있는 오염감지수단이 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 공정챔버로 공급되는 가스의 오염도를 관리하여 이에 따른 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체소자 제조용 가스공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정챔버(Process Chamber)로 공급되는 가스(Gas)의 오염도를 감지할 수 있는 반도체소자 제조용 가스공급장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 다양한 단위공정을 수행함으로써 제조되고, 상기와 같은 단위공정 중에서 상기 반도체소자로 제조할 수 있는 웨이퍼(Wafer) 즉, 반도체기판 상에 소정의 막을 형성시키거나 또는 패턴(Pattern) 등을 형성시키는 공정 등의 수행에서는 여러종류의 가스를 이용하여 공정을 수행하기도 한다.
이러한 단위공정에 이용되는 가스는 상기 단위공정의 특성 등에 따라 부식성가스 또는 인체 및 환경에 유해한 독성가스 등이 사용되어지기도 한다.
여기서 상기와 같은 가스를 공급하는 종래의 가스공급장치는 도1에 도시된 바와 같이 반도체소자를 제조할 수 있는 공정챔버(10)(주로 단위공정이 수행되는 반응실을 일컫는다.)에 가스를 공급할 수 있도록 라인(12)(Line)이 구비된다.
그리고 상기 라인(12) 상에는 상기 가스의 흐름을 조절할 수 있는 유량조절기(14)(MFC : Mass Flow Controller) 및 밸브(16)(Valve) 등이 구비된다.
여기서 상기와 같은 가스를 이용한 공정의 수행에서는 상기 가스의 사용방법 또는 사용주기 등에 영향을 받는다.
이러한 관점에서 살펴볼 때, 상기 가스의 오염 등은 최근의 고집적화되어 가는 반도체소자의 제조에서는 치명적인 결함으로 작용할 수 있다.
그러나 상기와 같은 구성으로 이루어지는 종래의 가스공급장치에는 상기 공정챔버(10)로 공급되는 가스의 오염도 등을 감지할 수 있는 별도의 수단 등이 구비되어 있지 않았다.
이에 따라 종래에는 상기 가스의 오염도의 관리가 별도로 이루어지지 않아 상기 가스가 불량의 소스(Source)로 작용하기도 하였다.
따라서 종래의 공정챔버로 공급되는 가스의 오염도 등과 같은 관리가 이루어지지 않아 이로 인한 불량의 발생으로 반도체소자의 신뢰도가 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 공정챔버로 공급되는 가스의 오염도를 관리하여 이에 따른 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도를 향상시키기 위한 반도체소자 제조용 가스공급장치를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체소자 제조용 가스공급장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 가스공급장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 20 : 공정챔버 12, 22, 30 : 라인
14, 24 : 유량조절기 16, 26 : 밸브
28 : 오염감지수단
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 가스공급장치는, 반도체소자를 제조할 수 있는 공정챔버에 가스를 공급할 수 있도록 구비되는 라인 상에 상기 가스의 오염도를 감지할 수 있는 오염감지수단이 더 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 오염감지수단은 상기 가스가 공정챔버로 공급되기 직전에 상기 가스의 오염도를 감지할 수 있도록 상기 공정챔버의 입구단에 위치하는 라인 상에 구비시키는 것이 바람직하다.
상기 라인의 특정 위치의 가스와 공정챔버에 공급되기 직전의 가스를 비교할 수 있도록 상기 특정 위치의 가스를 공급받을 수 라인을 상기 오염감지수단에 더 연결하여 구비시키는 것이 바람직하다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2 및 도3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 가스공급장치의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
먼저, 도2는 반도체소자를 제조할 수 있는 공급챔버(20)에 가스를 공급할 수 있도록 구비되는 라인(22) 상에 상기 가스의 흐름을 제어하는 유량조절기(24) 및 밸브(26) 등이 구비되어 있는 상태를 나타내고 있다.
그리고 본 발명은 상기 공정챔버(20)로 공급되는 가스의 오염도를 감지할 수 있도록 상기 라인(22) 상에 오염감지수단(28)을 더 구비시킬 수 있다.
여기서 상기 오염감지수단(28)은 상기 가스가 공정챔버(20)로 공급되기 직전에 상기 가스의 오염도를 감지할 수 있도록 도2에 도시된 바와 같이 상기 공정챔버(20)의 입구단에 위치하는 라인(22) 상에 구비시키거나, 또는 도3에 도시된 바와 같이 상기 라인(22)의 특정 위치의 가스와 공정챔버(20)에 공급되기 직전의 가스를 비교할 수 있도록 상기 특정 위치의 가스를 공급받아 감지할 수 라인(30)을 상기 오염감지수단에 더 연결, 구비시킬 수도 있다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명은 상기 공정챔버(20)로 공급되는 가스의 오염도를 감지할 수 있도록 함으로써 상기 가스로 인한 불량의 최소화시킬 수 있고, 또한 전단 즉, 특정 위치의 가스와 비교함으로써 상기 가스를 공급하는 라인(22) 등과 같은 부속장치의 관리도 원할하게 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 공정챔버로 공급되는 가스의 오염도를 관리하여 이에 따른 불량을 최소화시킴으로써 반도체소자의 신뢰도가 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (3)
- 반도체소자를 제조할 수 있는 공정챔버에 가스를 공급할 수 있도록 구비되는 라인 상에 상기 가스의 오염도를 감지할 수 있는 오염감지수단이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조용 가스공급장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 오염감지수단은 상기 공정챔버의 입구단에 위치하는 라인 상에 구비시키는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 가스공급장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 라인의 특정 위치의 가스와 공정챔버에 공급되기 직전의 가스를 비교할 수 있도록 상기 특정 위치의 가스를 공급받을 수 라인을 상기 오염감지수단에 더 연결하여 구비시키는 것을 특징으로 하는 상기 반도체소자 제조용 가스공급장치.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019980021811A KR20000001512A (ko) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 반도체소자 제조용 가스공급장치 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000001512A true KR20000001512A (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=19539106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980021811A KR20000001512A (ko) | 1998-06-11 | 1998-06-11 | 반도체소자 제조용 가스공급장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20000001512A (ko) |
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1998
- 1998-06-11 KR KR1019980021811A patent/KR20000001512A/ko not_active Application Discontinuation
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