KR19990083095A - 박막 형성용 용액 및 형성 방법 - Google Patents
박막 형성용 용액 및 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990083095A KR19990083095A KR1019990012558A KR19990012558A KR19990083095A KR 19990083095 A KR19990083095 A KR 19990083095A KR 1019990012558 A KR1019990012558 A KR 1019990012558A KR 19990012558 A KR19990012558 A KR 19990012558A KR 19990083095 A KR19990083095 A KR 19990083095A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- compound
- solution
- thin film
- composition
- thf
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 34
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 16
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- OXMIDRBAFOEOQT-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyloxolane Chemical compound CC1CCC(C)O1 OXMIDRBAFOEOQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical group CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LJPCNSSTRWGCMZ-UHFFFAOYSA-N 3-methyloxolane Chemical compound CC1CCOC1 LJPCNSSTRWGCMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 2
- ZHXAZZQXWJJBHA-UHFFFAOYSA-N triphenylbismuthane Chemical compound C1=CC=CC=C1[Bi](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZHXAZZQXWJJBHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DPWYUDXLMNQOOU-UHFFFAOYSA-N strontium;2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound [Sr].CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C DPWYUDXLMNQOOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 7
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-tetramethylheptane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(C)(C)C YRAJNWYBUCUFBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N propan-1-olate Chemical compound CCC[O-] IKNCGYCHMGNBCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
목적
원하는 조성 및 양호한 스텝 커버리지를 갖는 박막을 형성할 수 있는 용액 및 상기 용액을 사용하여 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것.
해결수단
BiPh3, Bi(o-tol)3, Sr(DPM)2·TEG 및 Sr(DPM)2·TET 가 시클릭 에테르 유도체 (예컨대, 2-메틸-THF)에 용해된 박막 형성용 용액 및 상기 용액을 사용하여 MOCVD 법으로 박막을 형성하는 방법을 제공하는 것.
Description
본 발명은 금속산화물 증착법 (이하 MOCVD 법)에 의해 유전체(dielectrics), 반도체, 광학, 표면 강화 물질 및 촉매 등으로 유용한 박막을 형성하는 용액 및 상기 용액을 사용한 상기 박막 형성법에 관한 것이다.
유전체 박막을 형성하기 위해, 원료로 금속 알콕사이드를 사용하여 스핀 코팅에 의해 기판상에 필름을 형성하는 졸-겔(sol-gel)법이 종래 심도있게 연구되었다. 그러나, 최근 우수한 스텝 커버리지 (스텝을 갖는 복잡한 모양의 표면에 부착되는 특성)를 갖는 MOCVD 법에 의한 유전체 박막 형성이 소자의 고집적을 목표로 활발하게 연구되고 있다. 원료로서 Sr(DPM)2Ln (Ln 은 리간드), Ti(O-i-Pr)4, Bi(o-tol)3, Bi(Ph)3및 Ta(OEt)5로 구성된 유기금속 화합물, 및 용매로서 테트라하이드로퓨란 (이하 THF)를 함유하는 용액이 원료 용액으로 사용된다. 상기 용액은 증착실 앞에 설치된 특수 증발기에서 증발되고, 생성된 증기는 증착실로 이송되어, 일본 공개특허 제 249616/1995 호에 언급된 바와 같이, 박막을 형성한다.
용매로서 THF 를 사용한 상기 용액 2 종류 이상을 사용하여 복합 산화물 박막을 형성하는 경우, 각 용액의 안정성이 상이하기 때문에, 원하는 조성의 박막을 형성하는 것이 매우 힘들다. 특히, THF 중에 유기비스무트 화합물이 용해된 용액은 안정성이 낮아, 실온에서 쉽게 분해되어 검은 색조를 띤다.
본 발명의 목적은 원하는 조성의 박막을 제조하고 안정성이 높은 유용한 용액을 제공하는 것이다. 다른 목적은 상기 용액을 사용한 박막 형성법을 제공하는 것이다.
본 발명의 박막 형성용 용액은 유기비스무트 화합물, 유기스트론튬 화합물, 유기티타늄 화합물 및 유기탄탈 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 유기금속 화합물이 시클릭 에테르 유도체에 용해된 것이다.
본 발명의 박막 형성법은 하나 이상의 상기 용액을 사용하여 화학증착에 의해 박막을 형성하는 것이다.
본 발명에 사용되는 시클릭 에테르 유도체로 구성된 유기 용매는 전자 공여 능력이 크고, 배위화학 이론으로부터, THF 보다 유기비스무트 화합물 또는 유기스트론튬 화합물에 더 쉽게 배위한다. 따라서, 이들 유기금속 화합물은 상기 용액에서 안정화되고, 상기 용액에서 많은 수의 분자의 접근에 의한 착체 효과에 의해 유도된 분자 이질성이 조절되어, 결과적으로 상기 용액은 박막 형성시 매우 안정하게 된다. 따라서, 이러한 안정한 유기금속 용액을 사용하여, 각 유기금속 화합물을 원하는 조성비로 반응실에 공급하는 것이 가능하고, 따라서, 원하는 조성 및 양호한 스텝 커버리지를 갖는 박막 형성이 가능해진다.
이하, 본 발명의 상세한 설명을 기술한다.
본 발명에 의해 사용되는 유기비스무트 화합물로서, 트리페닐비스무트 (이하 BiPh3) 또는 트리오르토톨릴비스무트 (이하 Bi(o-tol)3)가 바람직하다. 유기스트론튬 화합물로서, 스트론튬-디피발로일메타네이트-테트라글라임 (이하 Sr(DPM)2·TEG) 또는 스트론튬-디피발로일메타네이트-트리에틸렌테트라민 (이하 Sr(DPM)2·TET) 이 바람직하다. 유기티타늄 또는 유기탄탈 화합물로서, 알콕사이드, 예컨대 프로폭사이드 및 에톡사이드, 및 β-디케톤 화합물 (예컨대 디피발로일메탄) 등이 바람직하다.
이들 유기금속 화합물을 용해하는 유기 용매로서, 시클릭 에테르 유도체가 사용된다. 시클릭 에테르 유도체로서, 2-메틸테트라하이드로퓨란, 3-메틸테트라하이드로퓨란 또는 2,5-디메틸테트라하이드로퓨란이 바람직하다.
상기 용액 중 이들 유기금속 화합물의 몰농도는 바람직하게는 0.01 내지 2 몰/리터, 더 바람직하게는 0.5 내지 1 몰/리터 범위이다.
본 발명에서, 상기 유기 용매 중 하나를 사용할 수 있고, 상기 용매 둘 이상으로 이루어진 혼합 용매 또한 사용 가능하다. 후자의 경우, 혼합비는 임의적이다.
본 발명에서, 상기 유기금속 화합물 중 하나 만을 상기 용매에 용해시킬 수도 있고, 여러개의 화합물 또한 용해 가능하다. 둘 이상의 화합물, 예컨대 유기스트론튬 화합물 또는 유기비스무트 화합물 및 유기티타늄 화합물 또는 유기탄탈 화합물 또한 용매에 용해할 수 있다.
본 발명에서, 이러한 상기 유기금속 화합물을 사용한 MOCVD 법에 의해 박막을 형성한다. MOCVD 장치는 통상의 것일 수 있다. 예를 들면, 우선, 각 유기금속 화합물의 혼합 용액을 제조하거나, 각 유기금속 화합물의 개별 용액을 용기로부터 소정량 취출하여 서로 혼합한다. 이어, 상기 혼합 용액을 주입펌프를 사용하여 증발기에 주입하고, 증기를 캐리어 가스와 함께 증착실로 공급한다. 동시에, 증착실에 산소도 공급한다. 캐리어 가스로서, Ar 과 같은 불활성 가스가 바람직하다. 원료 및 캐리어 가스 공급속도는 장치의 규모 등에 따라 임의로 결정한다. 증발 온도는 바람직하게는 200 내지 250℃ 이다. 증착실 중의 기판으로서, Pt 가 용착된 SiO2기판이 바람직하나, Pt 가 용착된 MgO 기판 또한 사용할 수 있다. 증착 조건에서 바람직한 기판 온도는 350 내지 800℃, 더 바람직하게는 400 내지 750℃, 가장 바람직하게는 400 내지 700℃ 이다. 증착 압력은 바람직하게는 1 내지 100 Torr, 더 바람직하게는 5 내지 50 Torr 이다.
본 발명에 따라서, 원하는 목표 조성으로서, Bi-Ti 복합 산화물, Bi-Sr-Ta 복합 산화물, Sr-Ti 복합 산화물 또는 Ta-Sr 복합 산화물 등과 같은 복합 산화물 박막 형성이 가능하다. 또, Bi, Sr, Ti 및 Ta 외의 금속의 유기 화합물도 더 포함될 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 구체적으로 설명한다.
실시예 1 (실험번호 1 ~ 6)
BiPh3및 Ti(t-BuO)2(DPM)2이 2-메틸-THF 중에 표 1 의 필름조성 Bi/Ti 원자비로 용해된 혼합 용액을 사용하여 MOCVD 법에 의해 하기 조건에 따라 Bi-Ti 복합 산화물 박막을 증착한다.
기판: Pt/SiO2(크기 2.5×2.5cm)
기판 온도: 표 1 에 표시 (단위 ℃)
증착 시간: 30 분
증착 압력: 10 Torr
원료 농도: 0.1 몰/리터
용액 원료 공급: 0.05 cc/분
캐리어 가스: Ar 200 cc/분
각 원료의 증발 온도: 225℃
반응 가스: O2가스, 500 cc/분
화학 분석에 의한 박막 조성의 측정 결과, 표 1 의 원하는 조성의 박막 (두께 약 0.2 ㎛)이 기판상에 형성된다. 또, 원료 농도 0.05 몰/리터의 더 묽은 원료 용액을 사용하여 필름 두께를 약 20 nm 로 조절하기 위해 짧은 반응 시간에 증착한 시료에 대하여, 기판의 한 부분을 SEM 으로 관찰한다. 이어, 상기 기판 일부의 SEM 사진에서, 기판의 1 ㎛ 입방형 오목한 자리(cubic recess) (기판 표면)의 주변 및 오목한 자리 몇 군데에서 유전체 박막의 두께를 측정하고, 측정치를 평균하여 오목한 자리 주변의 두께 a 및 오목한 자리의 두께 b 를 결정한다. b/a 비를 스텝 커버리지로서 결정한다. 이들의 결과를 또한 표 1 에 나타낸다.
실시예 1 (실험번호 7 ~ 12)
유기비스무트 화합물로 Bi(o-tol)3을 사용하는 것 외에는, 실시예 1 의 번호 1 ~ 6 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 1 에 나타낸다.
비교예 1
용매로 THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 1 의 번호 1 ~ 12 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 1 에 나타낸다.
또, 비교예 번호 1 에 사용된 혼합 용액의 조성은 실시예의 번호 1 과 같고, 비교예 번호 2 에 사용된 혼합 용액의 조성은 실시예 1 의 번호 2 와 같다. 이하, 실시예 1 의 번호 12 까지 각각 동일한 조성의 혼합 용액을 비교예 1 의 번호 12 까지 사용한다.
표 1 로부터, 본 발명에 따라, 원하는 조성의 박막을 형성하는 것이 가능하다. 한 편, 비교예에서, 박막의 조성은 원하는 값과 현저히 달라졌으며 스텝 커버리지 또한 불량하였다.
실시예 2
유기 용매로서 3-메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 1 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 2 에 나타낸다.
실시예 3
유기 용매로서 2,5-디메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 1 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 3 에 나타낸다.
실시예 4
유기티타늄 화합물로서 Ti(i-BuO)2(DPM)2를 사용하는 것 외에는, 실시예 1 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 박막의 조성을 표 4 에 나타낸다.
실시예 5
유기 용매로서 3-메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 4 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 5 에 나타낸다.
실시예 6
유기 용매로서 2,5-디메틸-THF 를 사용하는 것 외에는 실시예 4 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 6 에 나타낸다.
실시예 7
유기티타늄 화합물로서 Ti(O-i-Pr)4를 사용하는 것 외에는, 실시예 1 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 7 에 나타낸다.
실시예 8 (실험번호 1 ~ 6)
BiPh3, Sr(DPM)2·TEG 및 탄탈-펜톡사이드(Ta(OEt)5) 가 표 8 의 필름 조성 Bi/Sr/Ta 원자비로 2-메틸-THF 에 용해된 혼합 용액을 사용하는 것 외에는, 실시예 1 의 실험번호 1 ~ 6 과 같은 방법으로 Sr-Bi-Ta 복합 산화물의 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지는 표 8 에서의 목적치와 같다.
실시예 8 (실험번호 7 ~ 12)
BiPh3대신 Bi(o-tol)3를 사용하는 것 외에는, 실시예 1 의 실험번호 1 ~ 6 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지는 표 8 의 목적치와 같다.
비교예 2
용매로서 THF 를 사용하는 것 외에는 실시예 8 의 실험번호 1 ~ 12 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성은 표 8 에 나타나며, 목적치와 현저히 다르다.
실시예 9
유기 용매로서 3-메틸-THF 를 사용하는 것 외에는 실시예 8 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 9 에 나타낸다.
실시예 10
유기 용매로서 2,5-디메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 8 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지를 표 10 에 나타낸다.
실시예 11
Sr(DPM)2·TEG 대신 Sr(DPM)2·TET 를 사용하는 것 외에는, 실시예 8 과 같은 방법으로 Sr-Bi-Ta 복합 산화물의 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지가 표 11 에 나타나며, 목적치와 동일하다.
비교예 3
유기 용매로서 THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 11 과 같은 벙법으로 박막을 형성한다. 표 15 에 나타난 바와 같이, 박막의 조성은 목적치와 현저히 다르며, 스텝 커버리지 또한 불량하다.
실시예 12
유기 용매로서 3-메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 11 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 박막의 조성 및 스텝 커버리지를 표 12 에 나타낸다.
실시예 13
유기 용매로서 2,5-디메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 11 과 같은 방법으로 박막을 형성한다. 박막의 조성 및 스텝 커버리지를 표 13 에 나타낸다.
실시예 14
Sr(DPM)2·TET 대신 Sr(DPM)2를 사용하는 것 외에는, 실시예 11 과 같은 방법으로 Sr-Bi-Ta 복합 산화물의 박막을 형성한다. 필름의 조성 및 스텝 커버리지는 표 14 의 목적치와 동일하다.
실시예 15
유기 용매로서 3-메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 12 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 박막의 조성 및 스텝 커버리지를 표 15 에 나타낸다.
실시예 16
유기 용매로서 2,5-디메틸-THF 를 사용하는 것 외에는, 실시예 15 와 같은 방법으로 박막을 형성한다. 박막의 조성 및 스텝 커버리지를 표 16 에 나타낸다.
또, 유기스트론튬 화합물이 Sr(DPM)2·2-메틸-THF, Sr(DPM)2·3-메틸-THF 또는 Sr(DPM)2·2,5-디메틸-THF 가 되고, 유기 용매가 2-메틸-THF, 3-메틸-THF 또는 2,5-디메틸-THF 가 될 때, 이들 화합물 및 용매의 임의의 조합물에서, 원하는 조성치 및 양호한 스텝 커버리지를 갖는 Bi-Sr-Ta 복합 산화물의 박막을 수득할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에서, 원하는 조성 및 양호한 스텝 커버리지 특성을 갖는 박막을 형성할 수 있다.
Claims (13)
- 유기 용매로서 시클릭 에테르 유도체 중에 용해된, 유기비스무트 화합물, 유기스트론튬 화합물, 유기티타늄 화합물 및 유기탄탈 화합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 유기금속 화합물을 함유하는, 화학증착에 의한 박막 형성에 적합한 용액.
- 제 1 항에 있어서, 유기비스무트 화합물이 트리페닐비스무트 또는 트리오르토톨릴비스무트인 용액.
- 제 1 항에 있어서, 유기스트론튬 화합물이 스트론튬-디피발로일메타네이트-테트라글라임, 스트론튬-디피발로일메타네이트-트리에틸렌테트라민 또는 스트론튬-디피발로일메탄인 용액.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기금속 화합물 중 하나의 화합물만이 상기 용매에 용해된 용액.
- 제 4 항에 있어서, 상기 화합물이 유기비스무트 화합물 또는 유기스트론튬 화합물인 용액.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유기금속 화합물 중 둘 이상이 상기 용매에 용해된 용액.
- 제 6 항에 있어서, 상기 화합물이 유기비스무트 화합물 및 유기티타늄 화합물인 용액.
- 제 6 항에 있어서, 상기 화합물이 유기스트론튬 화합물 및 유기탄탈 화합물인 용액.
- 제 6 항에 있어서, 상기 화합물이 유기스트론튬 화합물 및 유기티타늄 화합물인 용액.
- 제 6 항에 있어서, 상기 화합물이 유기비스무트 화합물 및 유기티타늄 화합물인 용액.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 시클릭 에테르 유도체가 2-메틸테트라하이드로퓨란, 3-메틸테트라하이드로퓨란 또는 2,5-디메틸테트라하이드로퓨란인 용액.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 용액을 사용하여 화학증착에 의해 박막을 증착하는 방법.
- 제 12 항에 있어서, 박막이 유전체(dielectric) 물질인 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10098655A JPH11297680A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法 |
JP98-098655 | 1998-04-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990083095A true KR19990083095A (ko) | 1999-11-25 |
KR100613632B1 KR100613632B1 (ko) | 2006-08-17 |
Family
ID=14225535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019990012558A KR100613632B1 (ko) | 1998-04-10 | 1999-04-09 | 박막 형성용 용액 및 형성 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11297680A (ko) |
KR (1) | KR100613632B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020088128A (ko) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | 학교법인 포항공과대학교 | 유기금속 화학증착법에 의한 산화비스무스 박막의 제조방법 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
US5453494A (en) * | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
JPH0718076A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-20 | Tdk Corp | 気相重合膜および情報媒体 |
JPH08176826A (ja) * | 1994-12-28 | 1996-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | Cvd法による薄膜の堆積装置及び堆積方法並びに該堆積装置又は該堆積方法で用いられるcvd原料及び液体原料容器 |
JP3680542B2 (ja) * | 1998-02-09 | 2005-08-10 | 三菱マテリアル株式会社 | Mocvdに適した有機チタン化合物 |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP10098655A patent/JPH11297680A/ja active Pending
-
1999
- 1999-04-09 KR KR1019990012558A patent/KR100613632B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100613632B1 (ko) | 2006-08-17 |
JPH11297680A (ja) | 1999-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6238734B1 (en) | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials | |
KR100530480B1 (ko) | 액체 전달식 cvd용 알칸/폴리아민 용매 조성물 | |
KR100543360B1 (ko) | 루테늄 및 산화루테늄의 화학 증착용 전구체 화합물 | |
Condorelli et al. | Engineering of molecular architectures of β-diketonate precursors toward new advanced materials | |
EP1146141A2 (en) | Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials | |
US6589457B1 (en) | Polymer-assisted aqueous deposition of metal oxide films | |
US6444264B2 (en) | Method for liquid delivery CVD utilizing alkane and polyamine solvent compositions | |
US6214105B1 (en) | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition | |
KR19990022418A (ko) | 화학 증착용 금속 착물 공급원 시약 | |
EP1068214B1 (en) | Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(beta-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same | |
US6504015B2 (en) | Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition | |
US6344079B1 (en) | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition | |
KR100398495B1 (ko) | 무용제 전구체 액체 혼합물을 사용한 다중 성분ZrSnTi 및 HfSnTi 산화물의 증착 및 어닐링처리 방법 | |
KR100441549B1 (ko) | 혼합 용매를 사용한 mocvd 강유전성 및 유전성 박막퇴적방법 | |
KR100613632B1 (ko) | 박막 형성용 용액 및 형성 방법 | |
Bijou et al. | Study of titanium amino-alkoxide derivatives as TiO2 Chemical Beam Vapour Deposition precursor | |
WO2004076712A1 (en) | Bismuth precursor solution for use in a cvd process and deposition process of a bismuth containing thin film using thereof | |
KR100480501B1 (ko) | 유기금속 화학증착법에 의한 pzt 박막의 제조방법 | |
KR100298129B1 (ko) | (바륨,스트론튬)삼산화티탄박막의제조방법 | |
KR102562274B1 (ko) | 유기 금속 전구체 화합물 | |
US20030059536A1 (en) | Lanthanum complex and process for the preparation of a BLT layer using same | |
JP3484947B2 (ja) | Bi含有薄膜形成用溶液およびこれを用いた薄膜形成方法 | |
US8119187B2 (en) | Chemical vapor deposition process using novel precursors | |
KR100399606B1 (ko) | 유기금속 화학증착법에 의한 피젯티 박막의 제조방법 | |
EP1961755A1 (en) | Strontium silylamides, adducts thereof with Lewis bases, preparation thereof and deposition of strontium thin films |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120803 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130802 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140801 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160729 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170728 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Expiration of term |