KR19990040680U - 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 제어회로 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 제어회로에 관한 것으로, 워드라인 구동전압 검출부와 셀프 리프레쉬 제어부를 포함하여 이루어진다. 워드라인 구동전압 검출부는 워드라인 구동전압의 레벨을 검출한다. 셀프 리프레쉬 제어부는 리프레쉬 신호에 의해 활성화되고, 워드라인 구동전압 검출부로부터 워드라인 구동전압에 대한 정보를 제공되며, 워드라인 구동전압의 레벨을 반영하여 리프레쉬 주기를 결정한다.
이와 같은 본 고안은 워드라인 구동전압의 레벨에 따라 리프레쉬 주기를 적절히 제어함으로써 워드라인 구동전압(VCH)의 레벨에 무관하게 리프레쉬가 이루어져서 발생하는 오동작을 방지할 수 있다.
Description
본 고안은 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 제어회로에 관한 것으로, 특히 셀프 리프레쉬 주기를 제어하는 회로에 관한 것이다.
반도체 메모리에서는 리프레쉬 동기신호로 사용되던 로우 어드레스 스트로브 신호마저도 저전력 소모 또는 배터리 백업(battery back up) 등의 목적을 위해 디램 내부에서 발생시키는 동작 모드가 사용되고 있으며, 이를 셀프 리프레쉬 모드라고 한다.
즉, 디램 제어신호들이 어떤 특정 타이밍 조건을 만족시킬 때에 한해 외부로부터 제어신호 없이도 내부에서 생성된 리프레쉬 타이머에 의해 자동적으로 리프레쉬 요구신호가 발생되어 소자 내부에서 자동적으로 'RAS 계열'의 제어신호들이 발생되고, 내부에서 생성된 어드레스에 의해 리프레쉬 동작이 실행된다. 셀프 리프레쉬로부터 정상 모드로 되돌아오기 위해서는 tRPS이상의 /RAS 프리차지 기간을 유지하면 된다.
따라서 디램의 전원전압이 계속 유지되는 한 내부적으로 주기적인 리프레쉬가 실행되고 데이타가 계속 보존되기 때문에 일부 에스램(SRAM)에서는 슬립 모드라고도 불리운다. 또한 배터리를 인가한 것만으로 데이타의 백업이 이루어지므로 배터리 백업모드라고도 한다.
디램의 배터리 백업이 실용적인 모드로 되기 위해서는 스탠바이 전류는 물론이고 리프레쉬 전류도 작은 값이어야 한다. 전술한 바와 같이 4M 디램의 표준 리프레쉬 주기는 16㎳이기 때문에 원칙적으로 스탠바이 상태가 이 시간을 넘기면 데이타를 잃어버린다.
하지만 이 배터리 백업 모드를 갖고있는 디램에서는 컬럼 어드레스 스트로브 신호가 로우레벨로 유지된 때부터 로우 어드레스 스트로브 신호가 로우레벨인 기간이 100㎲를 넘어서면 자동적으로 배터리 백업 모드에 들어가며 이후 로우 어드레스 스트로브 신호가 하이레벨로 천이할 때까지 내부 타이머의 동작에 맞추어 일정한 시간마다 리프레쉬 사이클이 계속 진행된다.
배터리 백업 모드에서는 1사이클에 동작하는 메모리 어레이를 정상동작시보다 줄여주며, 기타 전원회로(예를 들어 VBB회로) 등도 필요에 따라서만 간헐적으로 동작시켜 소비전류를 대폭 감소시켜 배터리 소모를 최소화한다.
도 1은 종래의 셀프 리프레쉬 제어회로를 나타낸 도면이다. 도 1에서 셀프 리프레쉬 제어부(10)에는 리프레쉬 신호가 입력되는데, 이 리프레쉬 신호가 활성화되면 리프레쉬 주기를 결정하는 리프레쉬 주기 제어신호를 발생시킨다. 메모리 셀의 리프레쉬는 이 리프레쉬 주기 제어신호에 의해 결정되는 리프레쉬 주기에 따라 리프레쉬된다.
그러나 이와 같은 종래의 셀프 리프레쉬 동작은 워드라인 구동전압(VCH)의 레벨에 무관하게 이루어지기 때문에, 워드라인 구동전압(VCH)이 미처 충분한 레벨에 도달하지 않은 상태에서 리프레쉬가 이루어지는 경우가 있어 오동작의 원인이 되었다.
따라서 본 고안은 워드라인 구동전압의 레벨에 따라 리프레쉬 주기를 적절히 제어함으로써 워드라인 구동전압(VCH)의 레벨에 무관하게 리프레쉬가 이루어져서 발생하는 오동작을 방지하는 셀프 리프레쉬 제어회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적의 본 고안은 워드라인 구동전압 검출부와 셀프 리프레쉬 제어부를 포함하여 이루어진다.
워드라인 구동전압 검출부는 워드라인 구동전압의 레벨을 검출한다. 셀프 리프레쉬 제어부는 리프레쉬 신호에 의해 활성화되고, 워드라인 구동전압 검출부로부터 워드라인 구동전압에 대한 정보를 제공되며, 워드라인 구동전압의 레벨을 반영하여 리프레쉬 주기를 결정한다.
도 1은 종래의 셀프 리프레쉬 제어회로를 나타낸 도면.
도 2는 본 고안에 따른 셀프 리프레쉬 제어회로를 나타낸 도면.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10, 20 : 셀프 리프레쉬 제어부
21 : 워드라인 전압 검출부
VCH: 워드라인 구동전압
이와 같이 이루어지는 본 고안의 바람직한 실시예를 도 2를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2에서 셀프 리프레쉬 제어부(20)에는 리프레쉬 신호가 입력되는데, 이 리프레쉬 신호가 활성화되면 리프레쉬 주기를 결정하는 리프레쉬 주기 제어신호를 발생시킨다. 메모리 셀의 리프레쉬는 이 리프레쉬 주기 제어신호에 의해 결정되는 리프레쉬 주기에 따라 리프레쉬된다.
셀프 리프레쉬 제어부(20)에는 리프레쉬 신호와 함께 워드라인 구동전압 검출부(21)에서 제공되는 워드라인 구동전압(VCH)에 대한 정보도 입력된다. 워드라인 구동전압 검출부(21)에서는 워드라인 구동전압(VCH)의 레벨에 대한 정보를 발생시켜서 셀프 리프레쉬 제어부(20)에 제공하는 것이다.
따라서 셀프 리프레쉬 제어부(20)는 기존의 리프레쉬 주기가 고정된 값을 갖던 것과 달리 현재 공급되는 워드라인 구동전압(VCH)의 레벨에 대응하는 적절한 리프레쉬 주기를 결정하는 것이다.
이로써 워드라인 구동전압(VCH)이 충분히 상승한 경우에는 리프레쉬 주기를 감소시키고, 워드라인 구동전압(VCH)이 충분히 상승하지 않은 상태에서는 리프레쉬 주기를 상대적으로 증가시킨다.
따라서 본 고안은 워드라인 구동전압의 레벨에 따라 리프레쉬 주기를 적절히 제어함으로써 워드라인 구동전압(VCH)의 레벨에 무관하게 리프레쉬가 이루어져서 발생하는 오동작을 방지할 수 있다.
Claims (1)
- 리프레쉬 신호가 입력되고, 상기 리프레쉬 신호가 활성화되면 소정의 리프레쉬 주기 제어신호를 발생시키는 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 주기 제어회로에 있어서,워드라인 구동전압의 레벨을 검출하는 워드라인 구동전압 검출부와;상기 리프레쉬 신호에 의해 활성화되고, 상기 워드라인 구동전압 검출부로부터 워드라인 구동전압에 대한 정보를 제공되며, 상기 워드라인 구동전압의 레벨을 반영하여 리프레쉬 주기를 결정하는 셀프 리프레쉬 제어부를 포함하는 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 주기 제어회로.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980007236U KR19990040680U (ko) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 제어회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019980007236U KR19990040680U (ko) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 제어회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990040680U true KR19990040680U (ko) | 1999-12-06 |
Family
ID=69505613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019980007236U KR19990040680U (ko) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 반도체 메모리의 셀프 리프레쉬 제어회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990040680U (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100800145B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2008-02-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀프 리프레쉬 주기 제어 회로 및 그 방법 |
-
1998
- 1998-05-06 KR KR2019980007236U patent/KR19990040680U/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100800145B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2008-02-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 셀프 리프레쉬 주기 제어 회로 및 그 방법 |
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