KR19990039681A - 반도체장치 제조용 습식식각설비 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 습식식각공정이 진행된 웨이퍼를 용이하게 세정할 수 있는 반도체장치 제조용 습식식각설비에 관한 것이다.
본 발명은, 탈이온수 공급원에서 방출된 탈이온수가 세정공정의 진행을 위해서 소정압력으로 습식식각설비 내부로 공급되도록 구성된 반도체장치 제조용 습식식각설비에 있어서, 상기 탈이온수 공급원과 습식식각설비 사이에 상기 습식식각설비 내부로 공급되는 상기 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 한다.
따라서, 습식식각설비를 용이하게 세정할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 습식식각설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 습식식각공정이 진행된 웨이퍼를 용이하게 세정할 수 있는 반도체장치 제조용 습식식각설비에 관한 것이다.
통상, 반도체장치 제조공정에서는 케미컬(Chemical)이 많이 사용되고 있으며, 대표적인 경우가 습식식각공정에서의 사용이다.
상기 습식식각공정은 120 ℃ ∼ 150 ℃ 정도의 과산화수소(H2O2)와 황산(H2SO4) 등의 케미컬이 담긴 케미컬 저장조 내부에 소정의 반도체장치 제조공정이 진행된 웨이퍼를 소정시간 투입함으로서 이루어진다.
그리고, 상기 습식식각공정을 진행한 후, 케미컬 저장조 내부에 담긴 케미컬을 외부로 방출한다. 그리고, 상기 케미컬 저장조 내부에 일정량의 탈이온수(Deionized water)를 공급함으로서 상기 식각공정이 진행된 웨이퍼 상에 흡착된 케미컬을 제거하는 세정공정을 진행한다.
상기 세정공정은 탈이온수 공급원에서 약 1.2 Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수을 방출함에 따라 상기 탈이온수가 탈이온수 공급라인을 통해서 상기 습식식각설비 내부로 공급된 후, 습식식각설비 내부의 탈이온수 공급라인을 통해서 웨이퍼 상에 공급됨으로서 이루어진다.
그러나, 상기 탈이온수 공급원에서 방출되는 탈이온수의 압력이 1.2 Kg/㎠ 정도로 낮아서 식각공정이 진행된 웨이퍼가 용이하게 세정되지 않아 세정효과가 떨어지는 문제점이 있었다.
그리고, 상기 세정공정이 진행되지 않을 때, 케미컬 저장조 내부로 공급되는 탈이온수는 탈이온수 공급라인 내부에 정체되어 있음으로 인해서 박테리아가 발생되고, 상기 박테리아의 발생에 의해서 형성된 불순물이 탈이온수에 혼합되어 다시 후속되는 세정공정을 진행할 때, 습식식각공정이 진행된 웨이퍼를 역오염시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 습식식각공정이 진행된 웨이퍼를 용이하게 세정할 수 있는 반도체장치 제조용 습식식각설비를 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 습식식각설비의 일 실시예를 나타내는 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 탈이온수 공급원 12 : 탈이온수 탱크
14 : 제 1 탈이온수 공급라인 16 : 제 1 배출라인
18 : 제 2 배출라인 20 : 제 2 탈이온수 공급라인
22 : 펌프 24 : 필터
26 : 바이 패스 라인 28 : 습식식각설비
30 : 제 3 방출라인 32 : 제 1 에어밸브
34 : 제 2 에어밸브 36 : 제 3 에어밸브
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 습식식각설비는, 탈이온수 공급원에서 방출된 탈이온수가 세정공정의 진행을 위해서 소정압력으로 습식식각설비 내부로 공급되도록 구성된 반도체장치 제조용 습식식각설비에 있어서, 상기 탈이온수 공급원과 습식식각설비 사이에 상기 습식식각설비 내부로 공급되는 상기 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 한다.
상기 압력조절수단은 펌프로 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 다른 반도체장치 제조용 습식식각설비는, 소정압력으로 소정량의 탈이온수를 방출할 수 있는 탈이온수 공급원, 상기 탈이온수 공급원과 제 1 탈이온수 공급라인에 의해서 연결된 탈이온수 탱크 및 상기 탈이온수 탱크와 습식식각설비를 연결하고, 펌프가 설치된 제 2 탈이온수 공급라인이 구비되는 것을 특징으로 한다.
상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단의 제 2 탈이온수 공급라인에서 제 1 배출라인이 분기되고, 상기 탈이온수 탱크에서 분기되어 상기 제 1 배출라인과 연결되는 제 2 배출라인이 형성될 수 있다.
그리고, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단에서 분기되어 상기 펌프 후단에서 합쳐지는 바이 패스 라인이 형성되고, 상기 탈이온수 탱크 내부에는 상기 탈이온수의 양을 감지할 수 있는 레벨센서가 설치될 수 있다. 상기 레벨센서는 상기 탈이온수 공급원에서 공급되는 탈이온수의 공급을 차단할 수 있는 인터로크장치와 연결됨이 바람직하다.
또한, 상기 제 1 탈이온수 공급라인 상에는 제 1 에어밸브가 설치되고, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 상기 제 1 배출라인과 제 2 배출라인이 합쳐지는 지점 전단에 제 2 에어밸브가 설치되고, 상기 펌프 전단 또는 후단에 통과되는 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터가 설치될 수 있다.
그리고, 상기 바이 패스 라인 상에 제 3 에어밸브가 설치되고, 상기 습식식각설비의 일측에 제 3 배출라인이 형성될 수 있다.
또한, 상기 펌프는 상기 습식식각설비 내부로 3 내지 5 Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수가 공급되도록 조절할 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도1을 참조하면, 1.2 Kg/㎠의 압력으로 소정양의 탈이이온수를 방출할 수 있는 탈이온수 공급원(10)과 탈이온수 탱크(12)가 제 1 탈이온수 공급라인(14)에 의해서 연결되어 있다. 상기 제 1 탈이온수 공급라인(14) 상에는 제 1 에어밸브(32)가 설치되어 있고, 상기 탈이온수 탱크(12) 내부 일측에는 상기 탈이온수 탱크(12) 내부에 일정량 이상의 탈이온수가 축적되면, 상기 탈이온수 공급원(10)에서 방출되는 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 인터로크 장치(Interlock apparatus :도시되지 않음)와 연결되어 있는 레벨센서(Level sencer : 도시되지 않음)가 설치되어 있다.
그리고, 상기 탈이온수 탱크(12)의 일측과 습식식각설비(28)가 펌프(22)가 설치된 제 2 탈이온수 공급라인(20)에 의해서 연결되어 있다. 상기 습식식각설비(28) 내부에는 상기 제 2 탈이온수 공급라인(20)과 연결되고 제 3 배출라인(30)과 연결된 탈이온수 공급라인(도시되지 않음)이 설치되어 있다.
또한, 탈이온수의 흐름을 기준으로 펌프(22) 전단의 제 2 탈이온수 공급라인(20)에서 제 1 배출라인(16)이 분기되어 있다. 상기 제 1 배출라인(16) 상에는 제 2 에어밸브(34)가 설치되어 있다.
그리고, 상기 탈이온수 탱크(12)의 다른 일측에서 제 2 배출라인(18)이 형성되어 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 제 2 에어밸브(34) 후단의 제 1 배출라인(16)과 연결되어 있다.
또한, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 펌프(22) 전단에서 분기되어 펌프(22) 후단에서 합쳐지고, 제 3 에어밸브(36)가 설치된 바이 패스 라인(By pass line : 26)이 형성되어 있다,
그리고, 상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 펌프(22) 후단에 통과되는 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터(24)가 설치되어 있다.
제작자에 따라 상기 필터(24)는 펌프(22) 전단에 설치할 수도 있다.
따라서, 탈이온수 공급원(10)에서 1.2 Kg/㎠ 정도의 압력으로 방출된 탈이온수는 제 1 탈이온수 공급라인(14) 상에 설치된 제 1 에어밸브(32)를 통과하여 탈이온수 탱크(12)로 공급되어 축적된다.
그리고, 탈이온수 탱크(12)에 축적된 탈이온수는 제 2 탈이온수 공급라인(20) 상에 설치된 펌프(22)의 펌핑동작에 의해서 2 내지 5 Kg/㎠의 압력으로 상승된 후, 필터(24)를 통과하며 탈이온수에 포함된 불순물이 제거되는 필터링공정이 진행된다.
또한, 상기 필터(24)를 통과한 탈이온수는 습식식각설비(28) 내부로 3 내지 5 Kg/㎠ 정도의 압력으로 공급되어 습식식각설비 내부의 탈이온수 방출라인(도시되지 않음)을 통해서 습식식각공정이 진행된 웨이퍼 상에 방출됨에 따라 웨이퍼 상에 흡착된 케미컬은 제거된다. 그리고, 상기 세정공정이 진행된 후 탈이온수는 제 3 배출라인(30)을 통해서 외부로 방출된다.
그리고, 공정과정에 시간경과에 따라 탈이온수 탱크(12) 저면에 이물질이 축적되면, 제 1 배출라인(16) 상에 설치된 제 2 에어밸브(34)를 개방함으로서 탈이온수 탱크(12) 내부에 축적된 탈이온수를 외부로 방출한 후, 세정공정을 진행한다.
그리고, 탈이온수 공급원(10)에서 방출된 탈이온수가 탈이온수 탱크(12)에 일정량 이상 축적되면, 탈이온수 탱크(12)에 설치된 레벨센서(도시되지 않음)는 이를 감지하여 탈이온수 공급원(10)에서 방출되는 탈이온수의 흐름을 차단할 수 있는 인터로크장치(도시되지 않음)에 센싱신호를 인가한다. 이에 따라, 탈이온수 탱크로의 탈이온수의 유입은 차단된다.
또한, 상기 레벨센서(도시되지 않음)에 이상이 발생되면, 탈이온수 탱크(12)에 축적된 탈이온수는 제 2 배출라인(18) 및 제 1 배출라인(16)을 통해서 외부로 방출된다.
그리고, 습식식각설비(28)에서 습식식각공정이 진행된 웨이퍼에 대한 세정공정이 진행되지 않으면, 탈이온수 탱크(12)에서 방출된 탈이온수는 제 2 탈이온수 공급라인(20) 상에 형성된 바이 패스 라인(26)을 통과한 후, 습식식각설비(28) 내부에 구비되는 탈이온수 공급라인(도시되지 않음)를 통과하여 제 3 배출라인(30)으로 방출된다. 이에 따라, 탈이온수의 정체에 의해서 탈이온수가 공급되는 라인 내부에 박테리아가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 펌프의 구동에 의해서 조절된 높은 압력의 탈이온수를 사용하여 습식식각공정이 진행된 웨이퍼를 용이하게 세정할 수 있고, 탈이온수가 탈이온수 공급라인 상에 정체되어 박테리아가 발생되고, 박테리아의 발생에 의해서 형성된 불순물이 습식식각공정이 진행된 웨이퍼를 세정할 때, 웨이퍼를 역오염시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (14)
- 탈이온수 공급원에서 방출된 탈이온수가 세정공정의 진행을 위해서 소정압력으로 습식식각설비 내부로 공급되도록 구성된 반도체장치 제조용 습식식각설비에 있어서,상기 탈이온수 공급원과 습식식각설비 사이에 상기 습식식각설비 내부로 공급되는 상기 탈이온수의 압력을 조절할 수 있는 압력조절수단이 구비됨을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 압력조절수단은 펌프로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 소정압력으로 소정량의 탈이온수를 방출할 수 있는 탈이온수 공급원;상기 탈이온수 공급원과 제 1 탈이온수 공급라인에 의해서 연결된 탈이온수 탱크; 및상기 탈이온수 탱크와 습식식각설비를 연결하고, 펌프가 설치된 제 2 탈이온수 공급라인;이 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 3 항에 있어서,상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단의 제 2 탈이온수 공급라인에서 제 1 배출라인이 분기되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 4 항에 있어서,상기 탈이온수 탱크에서 분기되어 상기 제 1 배출라인과 연결되는 제 2 배출라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 5 항에 있어서,상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 펌프 전단에서 분기되어 상기 펌프 후단에서 합쳐지는 바이 패스 라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 6 항에 있어서,상기 탈이온수 탱크 내부에는 상기 탈이온수의 양을 감지할 수 있는 레벨센서가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 7 항에 있어서,상기 레벨센서는 상기 탈이온수 공급원에서 공급되는 탈이온수의 공급을 차단할 수 있는 인터로크장치와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 탈이온수 공급라인 상에는 제 1 에어밸브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 9 항에 있어서,상기 탈이온수의 흐름을 기준으로 상기 상기 제 1 배출라인과 제 2 배출라인이 합쳐지는 지점 전단에 제 2 에어밸브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 10 항에 있어서,상기 펌프 전단 또는 후단에 통과되는 탈이온수에 포함된 불순물을 제거하는 필터가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 11 항에 있어서,상기 바이 패스 라인 상에 제 3 에어밸브가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 12 항에 있어서,상기 습식식각설비의 일측에 제 3 배출라인이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 펌프는 상기 습식식각설비 내부로 3 내지 5 Kg/㎠ 정도의 압력으로 탈이온수가 공급되도록 조절하는 것을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 습식식각설비.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970059850A KR19990039681A (ko) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970059850A KR19990039681A (ko) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990039681A true KR19990039681A (ko) | 1999-06-05 |
Family
ID=66086828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970059850A KR19990039681A (ko) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | 반도체장치 제조용 습식식각설비 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR19990039681A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100816213B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체기판 과식각 방지장치 및 그 식각방법 |
-
1997
- 1997-11-13 KR KR1019970059850A patent/KR19990039681A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100816213B1 (ko) * | 2006-11-24 | 2008-03-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체기판 과식각 방지장치 및 그 식각방법 |
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