KR19990003542A - 초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법 - Google Patents

초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화소전극과 화소전극의 크기의 50~60%의 크기를 갖는 스토리지 캐패시터의 하부전극으로 2층구조의 ITO를 사용하고 유전체막으로 저유전상수를 갖는 물질을 사용함으로써, 스토리지 캐패시터의 용량을 증가시킴과 동시에 초고개구율을 얻을 수 있는 액정표시소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 투명한 절연기판과, 상기 절연기판상에 크로스되어 형성되는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 형성된 공간에 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 일정한 간격을 두고 형성된 제1투명전극과, 상기 제1투명전극과 제1콘택을 통해 접촉되어 상기 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터의 신호전극과, 상기 제1투명전극상부에 형성되고, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 오버랩되며, 상기 박막 트랜지스터와 제2콘택을 통해 접촉되는 제2투명전극을 포함한다.

Description

초고개구율 액정 표시 소자 및 그의 제조방법
본 발명은 평판표시소자중 하나인 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 2층의 ITO 구조를 채택하여 축적용량을 감소시킴없이 고개구율을 얻을 수 이는 초고개구율 액정표시소자에 관한 것이다.
TFT-LCD에 있어서, 용량이 증가함에 따라 배터리의 효율이 점점 둔화되고 있는데, 이러한 배터리 효율의 저하를 해결하기 위한 하나의 방법으로 액정패널의 투과도를 향상시키는 방법이 있다.
액정패널의 투과도를 향상시키는 방법으로는, 크게 액정패널의 개구율을 향상시키는 방법, 고투과 편광판의 개발 및 고투과 칼라필터의 사용등이 있다. 이러한 방법중 액정패널의 개구율을 향상시키는 방법이 최근 활발히 연구되고 있다.
도 1은 종래의 TFT-LCD의 평면구조를 도시한 것이다.
도 1을 참조하여 종래의 액정표시소자의 평면구조를 살펴보면, 유리기판과 같은 투명한 절연기판(1)상에 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 크로스되어 형성되고, 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 교차하는 부분에 상기 게이트 라인(10) 및 데이터 라인(20)이 연결된 박막 트랜지스터(30)가 배열된다.
그리고, 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)에 의해 형성된 공간에 상기 게이트 라인(10) 및 데이터 라인(20)과 일정한 간격을 두고, 화소전극(40)이 상기 박막 트랜지스터(30)에 연결되어 배열되며, 스토리지 캐패시터(50)의 하부전극인 스토리지 전극(31b)이 상기 게이트 라인(10)과 나란하게 배열된 평면구조를 갖는다.
도 2는 도 1의 1A-1A'에 따른 단면구조도를 도시한 것으로서, 액정표시소자중 박막 트랜지스터의 단면도를 도시한 것이다. 도 2를 참조하여 박막 트랜지스터(30)의 단면 구조를 살펴보면, 상기 절연기판(1)상에 절연막(2)이 형성되고, 그위에는 게이트 라인(10)으로부터 연장 형성된 게이트전극(31a)이 형성되며, 게이트전극(31a)이 형성된 절연막(2)상에는 게이트 절연막(32)이 형성된다.
또한, 상기 게이트전극(31a)에 대응하는 게이트 절연막(32)상에는 비정질 실리콘등으로 된 반도체층(33)이 형성되고, 상기 게이트(31a)에 대응하는 반도체층(33)상에는 에치스톱퍼(34)가 형성되며, 상기 에치 스톱퍼(34)의 상면이 노출되도록 소오스/드레인 전극(36, 37)이 형성되며, 소오스/드레인 전극(36, 37)과 반도체층(34)간에는 불순물이 도핑된 비정질 실리콘등으로 된 오믹층(35)이 형성된 구조를 갖는다.
도 3은 도 1의 1B-1B'선에 따른 단면구조를 도시한 것으로서, 스토리지 캐패시터(50)의 단면 구조를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 스토리지 캐패시터(50)는 상기 절연기판(1)상에 절연막(2)이 형성되고, 그위에는 게이트 전극(31a)과 동일한 물질로 된 하부전극인 스토리지 전극(31b)이 형성되며, 상기 스토리지전극(31b)을 포함한 상기 절연막(2)상에 스토리지 캐패시터의 유전체막으로 작용하는 게이트 절연막(32)이 형성되고, 유전체막인 게이트 절연막(32)상에는 상부전극으로 작용하는 화소전극(40)이 형성된 구조를 갖는다.
도 1 내지 도 3에 도시된 바와같은 종래의 액정표시소자는 화소전극(14)이 신호선인 데이터 라인(20)과 일정거리, 수 ㎛ 정도의 거리를 두고 분리시켜 형성하였는데, 이는 점선으로 표시한 바와같이 화소전극(40)과 데이터라인(20)이 오버립되어 형성되는 경우에는 화소전극(40)과 데이터라인(20)간에 기생용량이 존재하여 수직크로스 토크(cross-talk)가 발생되기 때문이다.
화소전극(40)과 데이터 라인(20)의 오버랩시 발생된 크로스 토크는 플리커(flicker) 현상을 야기시켜 화질이 저하되는 문제점이 있었다.
크로스 토크의 발생없이 화소전극(40)과 데이터 라인(20)을 오버랩시켜 개구율을 향상시키기 위한 방법으로, 스토리지 캐패시터(50)의 상부 전극인 화소전극(40)과 하부전극(31b)사이에 형성된 게이트 절연막(32)으로 자유전상수를 갖는 유전체막을 사용하는 방법이 제시되었다.
상기 자유전상수를 갖는 유전체막을 사용하는 방법은, 화소전극(40)이 데이터라인(20)과 오버랩시켜 형성하는 것이 가능하기 때문에 80% 이상의 초고구율을 얻을 수는 있었다. 그러나, 상기의 방법은 초고개구율을 얻기 위하여 유전체막으로 자유전상수를 갖는 물질을 사용하기 때문에 스토리지 캐패시터의 용량을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 화소전극과 스토리지 캐패시터의 신호전극에 연결된 ITO를 스토리지 캐패시터 하부전극으로 하는 2층구조의 ITO를 사용하고 유전체막으로 자유전상수를 갖는 물질을 사용함으로써, 스토리지 캐패시터의 용량을 증가시킴과 동시에 초고개구율을 얻을 수 있는 액정표시소자 및 그의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 TFT-LCD의 평면구조도,
도 2는 도 1의 1A-1A'선에 따른 TFT-LCD의 단면 구조도,
도 3은 도 1의 1B-1B'선에 따른 TFT-LCD의 단면 구조도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 2층 ITO 구조를 갖는 초고개구율 액정표시 소자의 평면 구조도,
도 5는 도 4의 4A-4A'선에 따른 액정표시소자의 단면 구조도,
도 6은 도 4의 4B-4B'선에 따른 액정표시소자의 단면 구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
200 : 절연기판 201 : 절연막
60 : 게이트 라인 70 : 데이터 라인
80 : 박막 트랜지스터 90 : ITO 전극(하부전극)
91 : 저유전상수의 유전체막 92 : ITO 전극(화소전극 및 상부전극)
100 : 스토리지 캐패시터 81a : 게이트 전극
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 고개구율 액정표시소자는 투명한 절연기판과, 상기 절연기판상에 크로스되어 형성되는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 형성된 공간에 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 일정한 간격을 두고 형성된 제1투명전극과, 상기 제1투명전극과 제1콘택을 통해 접촉되어 상기 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터의 신호하부전극과, 상기 제1투명전극상부에 형성되고, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 오버랩되며, 상기 박막 트랜지스터와 제2콘택을 통해 접촉되는 제2투명전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 초고개구율 액정표시소자에 있어서, 제1투명전극은 제2투명전극과 모두 ITO막으로 이루어져서, 제1투명전극은 스토리지 캐패시터의 하부전극으로, 제2투명전극은 스토리지 캐패시터의 상부전극과 동시에 화소전극으로 작용하며, 상기 스토리지 전극과 게이트 라인은 동일한 물질로 이루어진다.
또한, 본 발명의 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 투명한 절연기판과, 상기 투명한 절연기판에 형성된 게이트전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 상기 절연기판상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막상에 형성된 반도체층과, 상기 게이트 전극에 대응하는 반도체층상에 형성된 에치 스톱퍼와, 상기 에치 스톱퍼의 상면이 노출되도록 상기 반도체층 및 게이트 절연막상부에 걸쳐 형성된 소오스/드레인과, 상기 소오스/드레인 전극과 일정간격을 두고 형성된 투명전극과, 기판 전면에 걸쳐 형성된 콘택을 구비한 절연막과, 상기 콘택을 통해 상기 소오스/드레인 전극중 하나에 콘택을 통해 접촉됨과 동시에 오버랩되는 상기 절연막상에 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 초고개구율 액정표시소자에 있어서, 상기 절연막은 유전상수가 2.5 내지 3.6인 자유전상수를 갖는 감광상 보호막으로서, 1~3㎛의 두께를 갖는다.
또한, 본 발명은 절연기판상에 서로 교차하여 배열된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 상기 절연기판상에 형성된 스토리지 캐패시터의 하부전극인 스토리지전극과, 콘택을 구비한, 상기 스토리지 전극을 포함한 기판상에 형성된 제1절연막과, 상기 콘택을 통해 상기 스토리지 전극과 접촉되며, 상기 제1절연막상에 상기 데이터 라인과 일정간격을 두고 형성된 스토리지 캐패시터의 상부전극과, 기판 전면에 걸쳐 형성된 제2절연막과, 상기 제2절연막상에 상기 스토리지 전극 및 상기 데이터 라인과 오버랩되어 형성된 화소전극을 포함한다.
또한, 본 발명의 절연기판상에 서로 교차하여 배열된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인이 교차하는 부분에 배열된 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 상기 절연기판상에 게이트 라인, 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 스토리지 캐패시터의 신호전극을 형성하는 공정과, 기판 전면에 걸쳐 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극에 대응하는 제1절연막상에 박막 트랜지스터의 반도체층, 에치스톱퍼, 오믹층을 형성하는 공정과, 상기 스토리지 캐패시터의 신호전극상부의 제1절연막을 식각하여 제1콘택을 형성하는 공정과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩되지 않도록 제1콘택을 통해 신호전극과 접촉되는 스토리지 캐패시터의 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 에치스톱퍼의 상면이 노출되도록 상기 오믹층 및 제1절연막상에 걸쳐 소오스/드레인 전극을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인을 형성하는 공정과, 기판 전면에 걸쳐 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 소오스/드레이전극중 어느 하나의 상부의 제2절연막을 식각하여 제2콘택을 형성하는 공정과, 상기 제2콘택을 통해 소오스/드레인 전극과 접촉되고 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 오버랩되는 화소전극을 제2절연막상에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자의 제조방법을 제공한다.
[실시예]
이하 본 발명의 실시예를 첨부도면에 의거하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 초고개구율 액정표시소자의 단면도를 도시한 것이다.
도 4를 참조하여 본 발명의 초고개구율 액정표시소자의 평면구조를 살펴보면, 유리기판과 같은 투명한 절연기판(200)상에 게이트 라인(60)과 데이터 라인(70)이 크로스되어 형성되고, 이들이 크로스되는 부분에 상기 게이트 라인(60) 및 데이터 라인(70)이 연결된 박막 트랜지스터(80)가 배열된다.
그리고, 게이트 라인(60)과 데이터 라인(70)에 의해 형성된 공간에 상기 데이터 라인(70)과 일정한 간격을 두고 제1투명전극(90)이 배열된다. 상기 제1투명전극(90) 상부에는 상기 데이터 라인(70)과 오버랩되어 제2투명전극(92)이 상기 박막 트랜지스터(80)와 콘택(C2)을 통해 콘택되도록 배열된다.
스토리지 캐패시터(100)의 신호전극인 스토리지전극(81b)이 콘택(C1)을 통해 제1투명전극(90)과 콘택되어 상기 게이트 라인(60)과 나란하게 배열된 평면구조를 갖는다.
여기서, 제1투명전극(90)은 제2투명전극(920의 크기의 50~60% 정도의 크기를 갖는다.
도 5는 도 4의 4A-4A'에 따른 단면구조도를 도시한 것으로서, 액정표시소자중 박막 트랜지스터의 단면도를 도시한 것이다. 도 5를 참조하여 박막 트랜지스터(80)의 단면 구조를 살펴보면, 상기 절연기판(200)상에 절연막(201)이 형성되고, 그위에는 게이트 라인(60)으로부터 연장 형성된 게이트전극(81a)이 형성되며, 게이트(81a)이 형성된 절연막(202)상에는 게이트 절연막(82)이 형성된다.
또한, 상기 게이트전극(81a)에 대응하는 게이트 절연막(82)상에는 비정질 실리콘등으로 된 반도체층(83)이 형성되고, 상기 게이트전극(81a)에 대응하는 반도체층(83)상에는 에치스톱퍼(84)가 형성된다.
상기 에치 스톱퍼(84)의 상면에 노출되도록 상기 반도체층(83)가 게이트 절연막(83)상에 걸쳐 소오스/드레인 전극(86, 87)이 형성되며, 반도체층(83)과 소오스/드레인 전극(86, 87) 사이에는 도핑된 비정질 실리콘층등으로 된 오믹층(85)이 형성되는데, 소오스 전극(86)은 상기 데이터 라인(70)으로부터 연장형성된다.
또한, 게이트 절연막(82)상에 상기 드레인 전극(87)과 일정거리를 두고 스토리지 캐패시터(100)의 하부전극으로 작용하는 제1투명전극(90)이 형성되며, 콘택(C2)을 갖는 저유전율의 절연막(91)이 기판 전면에 형성되고, 절연막(91)상에 상기 콘택(C2)을 통해 상기 드레인 전극(87)과 콘택되는 제2투명전극(92)이 형성된다.
여기서, 유전상수를 갖는 절연막(91)으로 유전상수가 2.5 내지 3.6인 감광성 보호막을 1~3㎛ 두께로 형성한다.
도 6은 도 4의 4B-4B'선에 따른 단면구조를 도시한 것으로서, 스토리지 캐패시터(100)의 단면 구조를 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 상기 절연기판(200)상에 절연막(201)이 형성되고, 그 위에는 게이트 전극물질과 동일한 물질로 된 신호전극(81b)이 형성되며, 상기 신호전극(81b)을 포함한 상기 절연막(201)상에는 유전체막으로 작용하는, 콘택(C1)을 갖는 고유전상수를 갖는 게이트 절연막(82)이 형성되고, 상기 게이트 절연막(82)상에는 하부전극으로 작용하는 제1투명전극(91)이 게이트 라인(60)과 일정거리를 두고 형성된 구조를 갖는다.
그리고, 제1투명전극(91)를 포함한 게이트 절연막(82)상에는 저유전상수의 절연막(91)이 형성되고, 저유전상수의 절연막(91)상에는 화소전극과 스토리지 캐패시터의 상부전극으로 동시에 작용하는 제2투명전극(92)이 형성된 구조를 갖는다.
상기한 바와같은 구조를 갖는 본 발명의 액정표시소자는 스토리지 캐패시터(35)의 하부전극으로 작용하는 제1투명전극(90)은 데이터 라인(70)과 오버랩되지 않아 크로스토크의 방지함과 동시에 제2투명전극(92)과 스토리지 캐패시터를 형성하여 스토리지 캐패시터의 축적용량을 감소시키지 않게 된다.
또한, 화소전극으로 작용하는 제2투명전극(92)은 데이터 라인과 오버랩되게 형성되어 개구율을 향상시킴과 동시에 그 하부의 유전체막으로 작용하는 절연막을 저유전상수를 갖는 물질을 사용함으로써 오버랩시 발생되는 크로스토크를 방지할 수 있게 된다.
즉, 본 발명의 액정표시소자는 투명전극인 ITO 전극을 2층구조로 사용하여, 스토리지 신호전극(81b)과 결된 제1투명전극(90)과 저유전상수의 유전체막(91) 및 제2투명전극(92)으로 스토리지 캐패시터(100)를 형성함으로써, 축적용량의 감소없이 고개구율을 얻는 것이 가능하다.
상기한 바와같은 구조를 갖는 액정표시소자의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 상부에 절연막(201)이 형성된 투명한 절연기판(200)사에 게이트 금속물질을 증착하고 패터닝하여 게이트 라인(60)과, 박막 트랜지스터(80)의 게이트(81a) 및 스토리지 캐패시터(100)의 신호전극인 스토리지전극(81b)을 형성한다. 이어서, 기판 전면에 고유전율을 갖는 물질로 된 게이트 절연막(82)을 형성한다.
이어서, 통상의 방법으로 비정질 실리콘막등으로 된 반도체층(83), 에치 스톱퍼(84) 및 도핑된 비정질 실리콘막으로 된 오믹층(85)을 형성한다. 이어서, 스토리지 캐패시터(100)의 신호전극(81b)의 상면이 노출되도록 게이트 절연막(82)을 식각하여 제1콘택(C1)을 형성한다. 상기 제1콘택(C1)을 통해 ITO막을 1차로 기판전면에 증착한 후 패터닝하여 상기 제1콘택(C1)을 통해 신호전극(81b)과 접촉되는 제1투명전극(90)으로된 하부전극을 형성한다.
다음, 소오스/드레인 전극용 금속을 증착한 후 패터닝하여 스토리지 캐패시터(100)의 상기 하부전극(90)과 일정간격을 두고 데이터 라인(70)과, 데이터 라인으로 부터 연장된 소오스전극(86) 및 드레인 전극(87)을 형성한다.
기판전면에 2.5 내지 3.6의 저유전상수를 갖는 감광성 보호막으로된 유전체막(91)을 스핀코팅하고, 상기 드레인 전극(87)이 노출되도록 패터닝하여 제2콘택(C2)을 형성한다. ITO막을 2차로 기판 전면에 증착한 후 상기 제2콘택(C2)을 통해 상기 드레인 전극(87)과 접촉되도록 제2투명전극으로 된 화소전극(92)을 형성한다. 이때, 화소전극(92)은 상기 데이터 라인(70) 및 게이트 라인(60)과 오버랩되도록 형성하며 상기 스토리지 하부전극(90)과 스토리지 캐패시터(100)를 형성하게 된다.
상기한 바와같은 본 발명에 따르면, 스토리지 캐패시터의 하부전극으로 ITO막을 데이터 라인과 오버랩되지 않도록 형성하고, ITO 면적을 화소전극의 50~60% 정도의 크기로 유지함으로써 캐패시터의 축적용량을 감소시키지 않을 뿐만 아니라 크로스 토크의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 화소전극으로 ITO막을 데이터 라인과 오버랩되도록 형성하여 개구율을 향상시킴과 동시에 유전체막으로 저유전상수를 갖는 절연막을 사용함으로써 크로스 토크의 발생을 방지할 수 있다.
따라서, 고화질의 초고개구율을 갖는 액정표시소자를 제공할 수 있다.

Claims (33)

  1. 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 투명한 절연기판과, 상기 절연기판상에 크로스되어 형성되는 게이트 라인 및 데이터 라인과, 상기 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 부분에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 데이터 라인에 의해 형성된 공간에 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 일정한 간격을 두고 형성된 제1투명전극과, 상기 제1투명전극과 제1콘택을 통해 접촉되어 상기 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터의 신호전극과, 상기 제1투명전극상부에 형성되고, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 오버랩되며, 상기 박막 트랜지스터와 제2콘택을 통해 접촉되는 제2투명전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  2. 제 1항에 있어서, 제1투명전극은 제2투명전극과 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  3. 제 2항에 있어서, 제1투명전극과 제2투명전극은 ITo막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  4. 제 1항에 있어서, 제1투명전극은 스토리지 캐패시터의 하부전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  5. 제 1항에 있어서, 제2투명전극은 스토리지 캐패시터의 상부전극 및 화소전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 절연기판은 그의 상면에 절연막이 형성된 유리기판인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 스토리지 신호전극과 게이트 라인은 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  8. 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 투명한 절연기판과, 상기 투명한 절연기판상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포한한 상기 절연기판상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극에 대응하는 게이트 절연막상에 형성된 반도체층과, 상기 게이트 전극에 대응하는 반도체층상에 형성된 에치 스톱퍼와, 상기 에치 스톱퍼의 상면이 노출되도록 상기 반도체층 및 게이트 절연막상부에 걸쳐 형성된 소오스/드레인과, 상기 소오스/드레인 전극과 일정간격을 두고 형성된 투명전극과, 기판 전면에 걸쳐 형성된 콘택을 구비한 절연막과, 상기 콘택을 통해 상기 소오스/드레인 전극중 하나에 콘택을 통해 접촉됨과 동시에 오버랩되는 상기 절연막상에 형성된 화소전극을 포한하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 투명전극과 화소전극은 서로 동일한 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 투명전극과 화소전극은 ITO막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  11. 제 8항에 있어서, 상기 투명전극은 스토리지 캐패시터의 하부전극으로 작용하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  12. 제 8항에 있어서, 상기 절연막은 유전상수가 2.5 내지 3.6인 저유전상수를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 절연막은 감광상 보호막인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 절연막인 감광상 보호막은 1 내지 3㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  15. 제 8항에 있어서, 상기 절연기판은 그의 상면에 절연막이 형성된 유리기판인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  16. 제 8항에 있어서, 게이트 절연막은 고유전상수를 갖는 유전체막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  17. 절연기판상에 서로 교차하여 배열된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 상기 절연기판상에 형성된 스토리지 신호전극과, 콘택을 구비한, 상기 스토리지 신호전극을 포함한 기판상에 형성된 제1절연막과, 상기 콘택을 통해 상기 스토리지 신호전극과 접촉되며, 상기 제1절연막상에 상기 데이터 라인과 일정간격을 두고 형성된 스토리지 캐패시터의 하부전극과, 기판 전면에 걸쳐 형성된 제2절연막과, 상기 제2절연막상에 상기 스토리지 신호전극 및 상기 데이터 라인과 오버랩되어 형성된 화소전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  18. 제 17항에 있어서, 상기 게이트 라인과 스토리지 신호전극은 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  19. 제 17항에 있어서, 상기 제1절연막은 고유전상수를 갖는 유전체막인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  20. 제 17항에 있어서, 상기 제2절연막을 유전상수가 2.5 내지 3.6인 저유전상수를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 제2절연막은 감광상 보호막인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 절연막인 감광상 보호막은 1 내지 3㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  23. 제 17항에 있어서, 상기 절연기판은 그의 상면에 절연막이 형성된 유리기판인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  24. 제 17항에 있어서, 상기 스토리지 하부전극과 화소전극은 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  25. 제 9항에 있어서, 상기 스토리지 하부전극과 화소전극은 ITO막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  26. 절연기판상에 서로 교차하여 배열된 데이터 라인 및 게이트 라인과, 상기 데이터 라인 및 게이트 라인이 교차하는 부분에 배열된 박막 트랜지스터와, 상기 게이트 라인과 나란하게 배열된 스토리지 캐패시터를 구비한 액정표시소자에 있어서, 상기 절연기판상에 게이트 라인, 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 스토리지 캐패시터의 신호전극을 형성하는 공정과, 기판 전면에 걸쳐 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극에 대응하는 제1절연막상에 박막 트랜지스터의 반도체층, 에치스톱퍼, 오믹층을 형성하는 공정과, 상기 스토리지 캐패시터의 신호전극상부의 제1절연막을 식각하여 제1콘택을 형성하는 공정과, 상기 게이트 라인 및 데이터 라인과 오버랩되지 않도록 제1콘택을 통해 신호전극과 접촉되는 스토리지 캐패시터의 하부전극을 형성하는 공정과, 상기 에치스톱퍼의 상면이 노출되도록 상기 오믹층 및 제1절연막상에 걸쳐 소오스/드레인 전극을 형성함과 동시에 상기 데이터 라인을 형성하는 공정과, 기판 전면에 걸쳐 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 소오스/드레인전극중 어느 하나의 상부의 제2절연막을 식각하여 제2콘택을 형성하는 공정과, 상기 제2콘택을 통해 소오스/드레인 전극과 접촉되고 상기 데이터 라인 및 게이트 라인과 오버랩되는 화소전극을 제2절연막상에 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자의 제조방법.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 제1절연막을 고유전상수를 갖는 유전체막으로서, 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 및 스토리지 캐패시터의 유전체막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  28. 제 26항에 있어서, 상기 제2절연막은 유전상수가 2.5 내지 3.6인 저유전상수를 갖는 물질로서, 스토리지 캐패시터의 하부전극과 화소전극사이의 유전체막으로 작용하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  29. 제 28항에 있어서, 상기 절연막은 감광상 보호막을 스핀코팅하여 1~3㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  30. 제 26항에 있어서, 상기 절연기판은 그의 상면에 절연막이 형성된 유리기판인 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  31. 제 26항에 있어서, 상기 스토리지 캐패시터의 하부전극과 화소전극은 동일물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  32. 제 31항에 있어서, 상기 하부전극과 화소전극은 ITO막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
  33. 제 26항에 있어서, 상기 스토리지 캐패시터의 하부전극은 상기 화소전극의 크기의 50~60% 정도의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 초고개구율 액정표시소자.
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