KR19990003107A - 반도체 장치의 습식 식각 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다중 습식 식각 공정으로 식각 경사를 증가시키는 반도체 장치의 습식 식각 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 형성된 소정의 막을 습식 식각 하는 방법에 있어서, 상기 소정의 막상에 식각 부위가 노출되도록 마스크 패턴을 형성하는 공정과, 상기 식각 부위의 소정의 막을 습식 식각 하여 제거하되, 다중 식각 하는 공정을 포함한다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 다중 습식 식각을 사용하여 식각면의 경사를 증가시킴으로써 이방성 식각화 할 수 있고, 이로써 미세 패턴을 형성시킬 수 있고, 소자의 집적도를 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 장치의 습식 식각 방법(A Method of Wet Etching of Semiconductor Device)

본 발명은 반도체 장치의 습식 식각 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 다중 습식 식각(multiple wet etch) 공정을 사용하여 식각면을 버티컬(vertical)하게 형성할 수 있는 반도체 장치의 습식 식각 방법에 관한 것이다.

일반적으로 케미컬(chemical)을 이용하여 습식 식각 하는 공정에 있어서, 식각부위의 경사(slope)는 식각 되는 막질의 특성과 상기 케미컬의 고유 특성에 의해 고정(fix) 되고, 등방성 식각(isotropic etch)으로 완만한(gentle) 경사를 갖도록 형성된다.

도 1은 종래의 반도체 장치의 습식 식각 방법을 사용하여 산화막(12)을 식각한 결과를 나타낸 도면이다.

종래의 반도체 장치의 습식 식각 방법을 사용하여 산화막(12)을 식각 하는 방법은 먼저, 반도체 기판(10)상에 형성된 산화막(12)상에 식각 부위가 노출되도록 마스크 패턴(mask pattern)(도면에 미도시)을 형성한다.

상기 마스크 패턴(도면에 미도시)을 포함하여 상기 반도체 기판(10)을 베이크(bake) 한다.

이어서, 상기 노출된 산화막(12)을 단일 습식 식각 즉, 일정시간 동안 한 번의 식각으로 제거한 후 상기 마스크 패턴(도면에 미도시)을 제거하면 도 1에 도시된 바와 같이, 완만한 식각 경사면(14)을 갖는 식각된 산화막(12)이 형성된다.

이 때, 상기 산화막(12)의 완만한 식각 경사면(14)은 상기 반도체 기판(10)에 대해 소정의 경사각(16)을 이룬다.

상술한 바와 같은 상기 종래 습식 식각 방법은 완만한 식각 경사면(14)이 형성되도록 하여 패턴의 폭을 증대시킴으로써, 고집적 소자의 미세 패턴 형성에 대해서는 적용하기 어려운 문제점이 발생된다.

본 발명은 상술한 제반 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 다중 습식 식각으로 버티컬한 경사를 갖도록 할 수 있는 반도체 장치의 습식 식각 방법을 제공함에 그 목적이 있다.

도 1은 종래의 반도체 장치의 습식 식각 방법을 사용하여 산화막을 식각한 결과를 나타낸 도면;

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 습식 식각 방법을 사용하여 산화막을 식각한 결과를 나타낸 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10, 20 : 반도체 기판12, 22 : 산화막

14, 24 : 식각 경사면16, 26 : 경사각

(구성)

상술한 목적을 달성하기 위해 제안된 본 발명의 특징에 의하면, 반도체 장치의 습식 식각 방법은, 반도체 기판상에 형성된 소정의 막을 습식 식각 하는 방법에 있어서, 상기 소정의 막상에 식각 부위가 노출되도록 마스크 패턴을 형성하는 공정과; 상기 식각 부위의 소정의 막을 습식 식각 하여 제거하되, 다중 식각 하여 상기 소정의 막의 식각면의 경사를 증가시키는 공정을 포함한다.

이 방법이 바람직한 실시예에 있어서, 상기 소정의 막은 산화막이다.

이 방법이 바람직한 실시예에 있어서, 상기 습식 식각은 10 : 1 BHF 를 사용한다.

이 방법이 바람직한 실시예에 있어서, 상기 다중 식각은, 상기 식각 부위의 소정의 막의 일부를 제거하는 제 1 습식 식각 공정과; 상기 제 1 식각 공정 후 상기 반도체 기판을 세정하는 공정과; 상기 식각 부위의 소정의 막의 잔류막을 제거하는 제 2 습식 식각 공정을 포함한다.

(작용)

본 발명에 의한 반도체 장치의 습식 식각 방법은 산화막을 다중 습식 식각 하여 식각면의 경사를 증가시킬 수 있고, 따라서 습식 식각으로 이방성(anisotropic) 식각 효과를 얻을 수 있다.

(실시예)

이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 습식 식각 방법을 사용하여 산화막(22)을 식각한 결과를 나타낸 도면이다.

본 발명의 실시예에 따른 습식 식각 방법을 사용하여 산화막(22)을 식각하는 방법은 먼저, 반도체 기판(20)상에 산화막(22)을 형성한다.

이 때, 상기 산화막(22)을 약 13,000 Å 두께로 형성하였다.

다음, 상기 산화막(22)상에 식각 부위가 노출되도록 마스크 패턴으로 포토레지스트(photoresist) 패턴(도면에 미도시)을 형성한다.

그리고, 상기 포토레지스트 패턴(도면에 미도시)을 포함하여 상기 반도체 기판(20)을 베이크 한 후, 상기 식각 부위 산화막(22)의 일부분을 제거한다.

이 때, 상기 산화막(22)의 식각은 10 : 1 BHF 용액을 사용한다.

상기 반도체 기판(20)을 세정(cleaning)하고, 다시 베이크 한 후 상기 식각 부위의 잔류 산화막(22)을 상기 식각 용액으로 제거한다. 이어서, 상기 포토레지스트 패턴(도면에 미도시)을 제거하고, 세정하면 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 기판(20)의 일부가 노출되도록 상기 산화막(22)이 형성된다.

이 때, 상기 산화막(22)의 식각 경사면(24)은 종래의 완만한 경사가 아닌 버티컬한 경사를 갖도록 형성되었음을 알 수 있다.

즉, 상기 산화막(22)의 식각 경사면(24)이 상기 반도체 기판(20)과 이루는 경사각(26)은 종래 경사각(16) 보다 훨씬 더 큼을 알 수 있다.

본 발명은 산화막을 다중 습식 식각하여 식각 경사를 증가시킴으로써 이방성 식각화 할 수 있고, 이로써 미세 패턴을 형성시킬 수 있고, 반도체 소자의 집적도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims (4)

1. 반도체 기판(20)상에 형성된 소정의 막(22)을 습식 식각 하는 방법에 있어서,

   상기 소정의 막(22)상에 식각 부위가 노출되도록 마스크 패턴을 형성하는 공정과;

   상기 식각 부위의 소정의 막(22)을 습식식각 하여 제거하되, 다중 식각 하여 상기 소정의 막(22)의 식각면의 경사를 증가시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식 식각 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 소정의 막(22)은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식 식각 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 습식 식각은 10 : 1 BHF 를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식 식각 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 다중 식각은, 상기 식각 부위의 소정의 막(22)의 일부를 제거하는 제 1 습식 식각 공정과;

   상기 제 1 식각 공정 후 상기 반도체 기판(20)을 세정하는 공정과;

   상기 식각 부위의 소정의 막(22)의 잔류막을 제거하는 제 2 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 습식 식각 방법.