KR19980082338A - 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자 - Google Patents

배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR19980082338A
KR19980082338A KR1019970017210A KR19970017210A KR19980082338A KR 19980082338 A KR19980082338 A KR 19980082338A KR 1019970017210 A KR1019970017210 A KR 1019970017210A KR 19970017210 A KR19970017210 A KR 19970017210A KR 19980082338 A KR19980082338 A KR 19980082338A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
platinum thin
oxygen
nitrogen
substrate
Prior art date
Application number
KR1019970017210A
Other languages
English (en)
Inventor
박동연
이동수
우현정
전동일
윤의준
Original Assignee
이재복
동양시멘트 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이재복, 동양시멘트 주식회사 filed Critical 이재복
Priority to KR1019970017210A priority Critical patent/KR19980082338A/ko
Priority to US09/003,059 priority patent/US6025205A/en
Priority to DE69805865T priority patent/DE69805865T2/de
Priority to JP10031940A priority patent/JP3094382B2/ja
Priority to KR1019980000183A priority patent/KR100262909B1/ko
Priority to EP98400019A priority patent/EP0853336B1/en
Publication of KR19980082338A publication Critical patent/KR19980082338A/ko

Links

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

기판 상에 백금 박막을 형성함에 있어서, 불활성 가스인 아르곤에 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 분위기에서 백금 박막을 단일 단계로 증착하여 질소와 산소 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 형성하고 이를 열처리하여 질소와 산소 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하거나, 다단계 특히 2단계로 증착하되 1단계에서는 불활성 가스인 아르곤 분위기에서 백금 박막을 증착하고 2단계에서 아르곤에 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 분위기에서 백금 박막을 형성하여 질소와 산소 성분이 포함된 백금 박막을 형성하고 이를 열처리하여 순수한 백금 박막을 형성하는 백금 박막 제조 방법 및 이런 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법이 개시된다. 백금 박막의 형성시 아르곤과 질소와 산소의 혼합성분을 포함하는 전체 가스에 대한 질소와 산소의 혼합 성분의 압력비, 백금 박막의 증착시의 온도, 후속 열처리 조건 및 전체 두께에 대한 제 1단계의 증착에 의해 형성되는 백금 박막의 두께 중의 어느 하나를 바꿈으로써 백금 박막의 배향성이 제어된다.

Description

배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자
본 발명은 디램셀이나 불휘발성 메모리 셀의 캐패시터에 사용되는 하부 전극 물질인 백금 박막과 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 질소와 산소의 혼합 가스 분위기에서 백금 박막을 증착함으로써 배향성이 조절되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자 및 그들의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 메모리 장치가 고집적화됨에 따라 디램셀의 캐패시터는 그의 용량을 증가시키기 위해, 캐패시터를 형성하는 유전체막의 두께를 줄이는 방법, 캐패시터의 유효 면적을 증가시키는 방법 및 유전체막으로 유전 상수가 큰 물질을 사용하는 방법이 제안되고 있다. 이중 첫 번째는 유전체막의 두께를 100Å이하로 하는 경우에는 파울러 노드하임(Fowler-Nordheim) 전류에 의해 소자의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있으며, 두 번째 방법은 공정이 복잡하여 단가가 증가하는 문제점과 특히 적층형 캐패시터에서는 단차가 심하고 트렌치형 캐패시터에서는 트렌치간의 누설전류가 발생한다. 따라서 1Gbit이상의 고집적 메모리에는 위의 두 방법의 적용에 한계가 있다. 이에, 세 번째 방법을 사용하여 디램셀의 캐패시터를 형성하는 방법이 연구되고 있으며, 이런 고유전 물질로서 BST(Ba1-XSrXTiO3), ST(SrTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3) 등이 있다. 그런데 이런 고유전 물질을 형성하기 위해서는 산소를 포함하여 반응성이 높은 물질을 사용해야 하며 형성온도 또한 400℃이상으로 높아야 한다. 한편, 캐패시터의 하부 전극으로 통상 알루미늄이 사용되는데, 유전물질로서 위에 언급한 고유전 물질을 사용한다면, 고유전 물질의 형성 과정 중에, 알루미늄 전극이 400℃이상의 고온에서 안정되지 못할 뿐만 아니라 산화되므로 전극으로서의 역할을 수행하지 못하게 된다. 따라서, 고유전 물질을 사용하는 디램셀에 있어서 전극 물질로서 알루미늄 대신에 고온에 안정한 백금이 사용되고 있다.
한편 디램셀 외에 비휘발성 강유전 메모리 소자와 강유전 센서 및 액츄에이터 소자 등에 BT(BaTiO3), PT(PbTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3) 또는 SBTO(SrBi2Ta2O9) 등의 강유전체 물질이 사용되는데, 이 강유전체 물질의 하부 전극으로 백금이 가장 각광을 받고 있다. 이런 강유전체 산화물 박막은 c축으로 배향되었을 때 각 소자에서 요구되는 특성이 가장 우수한 것으로 알려져 있으며, 이를 위해서는 하부 전극인 백금 박막이 (200) 우선 배향성을 가지는 것이 유리하다. 즉, 강유전체 산화물 박막의 특성을 제어하기 위해서는 하부 전극인 백금 박막의 배향성이 제어 되야 한다.
한편, 종래의 방법에 의해 형성된 백금 박막의 우선 배향성은 (111)이다. (111) 배향성을 (200) 우선 배향성을 가지는 백금 박막으로 형성하기 위한 종래의 방법으로는, 백금과 비숫한 격자 상수를 가지는 MgO, NaCl, KBr, SrTiO3, LaAlO3와 같은 물질의 (200) 단결정 기판 위에 백금 박막을 형성시키는 방법이 있다. 그러나, 이 방법은 공정이 복잡하고, 여기에 사용되는 단결정 기판의 가격이 비싸며 현재까지 연구 사용되온 실리콘 집적 회로 제조 기술과의 적합성이 떨어지고, 불휘발성 강유전체 메모리 소자나 센서 및 액츄에이터 소자의 제조에 적용하기 어렵다는 단점이 있다.
또한 종래의 방법에 의해 형성된 백금 박막은 기판과의 접착력이 좋지 못하고, 막이 치밀하지 못하여 핀홀 또는 기공이 있거나 힐록이 생기는 경우가 많다. 위의 문제점들은 본 출원의 출원인에 의해 기출원된 특허 출원 94-31618(1994. 11. 26)와 특허 출원 95-40450호(1995. 11.8)에서 제안된 산소가 포함된 분위기 하에서의 백금 박막의 증착이라는 개념에 의해 대부분 해소되었다. 본 건의 출원인은 또한 특허 출원 96-7663호(1996. 3. 21)에서 산소가 포함된 분위기 하에서 백금 박막을 증착함으로써 (200) 우선 배향성을 가지는 백금 박막을 형성하는 방법을 제안하였다. 이에 더 나아가 본 발명의 출원인은 본 출원에서 산소와 질소의 혼합 성분이 포함된 분위기 하에서 백금 박막을 증착함으로써 백금 박막의 우선 배향성을 자유롭게 조절할 수 있는 방법을 발명하게 되었다.
본 발명의 목적은 배향성이 조절될 수 있는 백금 박막의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 배향성이 조절될 수 있는 백금 박막을 구비하는 전자 소자의 제조 방법 및 그에 의해 형성된 전자 소자를 제공함에 있다.
도1a 내지 도1c는 본 발명의 일 견지에 따라 질소와 산소의 혼합 분위기에서 증착된 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 단계를 나타낸다.
도2는 도1a 내지 도1c의 변형예이다.
도3a 내지 도3d는 본 발명에 다른 견지에 따라 질소와 산소의 혼합 분위기에서 2단계로 증착된 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 단계를 나타낸다.
도4는 도3a 내지 도3d의 변형예이다.
도5a 내지 도5f는 본 발명의 제 1실시예 내지 제 6실시예에 따른 XRD패턴을 나타낸다.
본 발명의 목적을 달성하기 위한 일견지에 따른 기판(백금 박막이 형성되는 표면 물질을 의미한다.) 상에 백금 박막을 형성하는 방법은, 상기 기판 상면에 불활성 가스인 아르곤에 산소와 질소 혼합 성분이 포함된 분위기에서 백금을 증착하여 산소와 질소 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 형성하는 단계, 및 상기 산소와 질소 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 산소와 질소 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계를 구비하여, 백금 박막의 배향성을 조절한다. 여기서, 백금 박막의 배향성은 상기 불활성 가스와 질소 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소 혼합 가스의 분압비, 증착시의 상기 기판의 온도 및 상기 열처리 조건 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어된다. 나아가 위의 백금 박막의 표면 상에 고유전성 박막을 형성하여 전자 소자를 완성한다.
한편 백금 박막을 포함하는 전자 소자와 기판과의 절연이 요구되는 경우에는 백금 박막의 증착 이전에 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계를 더 구비할 수 있다.
또한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 견지에 따른 기판(백금 박막이 형성되는 표면 물질을 의미한다.) 상에 백금 박막을 형성하는 방법은, 기판 상면에 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 3이상의 다단계로 증착하되, 제 1단계는 불활성 가스 분위기에서 제 1두께의 막을 증착하고 제 2단계에서 불활성 가스와 함께 질소와 산소의 혼합 성분을 사용하여 제 2두께의 막을 증착하고 나머지 각 단계들에서 불활성 가스 또는 불활성 가스와 산소와 질소의 혼합 성분을 사용하여 제3두께의 백금 박막을 증착하는 단계, 및 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하여 백금 박막의 배향성을 조절한다. 여기서, 백금 박막의 배향성은 상기 불활성 가스와 산소와 질소 혼합 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소 혼합 가스의 분압비, 증착시의 상기 기판의 온도, 상기 열처리 조건 및 제 1증착 두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어된다. 나아가 위의 백금 박막의 표면 상에 고유전성 박막을 형성하여 전자 소자를 완성한다.
한편, 상기 제 1두께는 상기 백금 박막 형성 이후의 후속 공정시 산소 성분이 확산되는 것을 막을 수 있는 두께로 상기 제 1두께 내지 제3두께를 합한 전체 두께의 약 5 내지 50%임이 바람직하다.
본 발명의 다른 견지에 따라, 백금 박막을 2단계로 증착할 수 있으며, 제 1단계는 불활성 가스 분위기에서 제 1두께의 막을 증착하고 제 2단계에서 불활성 가스와 함께 질소와 산소의 혼합 성분을 사용하여 제 2두께의 막을 증착한다. 3단계 이상의 증착의 경우와 같이, 제 1두께는 상기 백금 박막 형성 이후의 후속 공정시 산소 성분이 확산되는 것을 막을 수 있는 두께로 상기 제 1두께와 제2두께를 합한 전체 두께의 약 5 내지 50%임이 바람직하다.
한편 백금 박막을 포함하는 전자 소자와 기판과의 절연이 요구되는 경우에는 백금 박막의 증착 이전에 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계를 더 구비할 수 있으며, 기판 물질과 백금 박막 사이에 도전층이 형성될 수도 있으며, 통상 도전층으로는 Ti, Ta, TiN, TiW등이 사용된다. 또한 바람직하게는 상기 다단계가 2단계이다.
이런 백금 박막의 증착 방법은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF마그네트론 스퍼터링, 유기금속화학증착법, 이온 빔 스퍼터링, 진공 증착법, 레이저 증착법으로 구성된 군 중의 어느 하나가 사용된다.
여기서, 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, KBr, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 단결정 및 이들의 다결정으로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나, 이들의 비정질 중의 어느 하나, Ti, Au, Ag, Al, Ta, Ir, Pt, Cu, Pd, Ru, W의 금속으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나, 또는 RuO2, IrO2, ITO, ZnO, LSCO, YBCO, TiN, TiW의 도전성 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나를 사용한다. 고유전성 박막은 BST(Ba1-XSrXTiO3), ST(SrTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3), BT(BaTiO3), PT(PbTiO3)로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나가 사용될 수 있다.
또한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 백금 박막 및 백금 박막을 구비한 전자 소자는 위에서 설명된 방법에 의해 획득되어, 특정 성질이 요구되는 백금 박막을 구비한 전자 소자의 설계를 용이하게 한다.
이하 본 발명을 첨부된 도면 및 실시예를 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.
도1a내지 도1c는 본 발명의 방법에 따라 증착된 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 단계를 나타낸다. 도1a에서, 기판(100) 상면에 백금 박막(104)이 증착되는데, 이때의 증착 조건은 불활성 가스(Ar, Xe, Kr등)로서 아르곤가스와 산소 및 질소 성분이 추가된 분위기 및 증착시의 기판 온도는 상온 에서 700℃이다. 따라서 백금 박막(104)에는 산소와 질소 혼합 성분이 포함된다. 여기서 기판은 백금 박막이 형성될 표면을 의미한다. 도1b에서, 기판(100) 상에 형성된 백금 박막(104)은 400 에서 1000℃로열처리되어, 산소와 질소 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막(108)이 된다. 이런 순수한 백금 박막은 디램셀이나 불휘발성 강유전 메모리 셀에서 하부 전극으로 사용되기 위해서, 도1c에서 나타난 바와 같이, 순수한 백금 박막(108) 상에 고유전체 또는 강유전체 산화막(112)이 형성된다. 이후 도시되지 않았지만 상기 고유전체 또는 강유전체 산화막(112) 상면에 하부 전극과 동일한 물질 또는 다른 도전 물질로 구성된 상부 전극을 형성하여 캐패시터 등과 같은 전자 소자를 형성한다.
위의 방법으로 형성된 백금 박막의 배향성은, 아르곤 가스와 산소와 질소 혼합 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 산소와 질소 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판의 온도 및 열처리 온도 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어된다.
도2는 도1a 내지 도1c의 제조 단계의 변형예이다. 도2는 기판(100)과 기판(100) 상에 형성될 전자 소자와의 절연을 위해 이들 사이에 SiO2, Si3N4와 같은 절연층(124)이 형성되는 경우를 나타낸다. 상기 절연층(124) 상면에 형성된 백금 박막(108)은 도1a의 산소와 질소 혼합 성분 분위기에서 증착되고 열처리된다. 이 경우에도 백금 박막의 배향성은 아르곤 가스와 산소와 질소의 혼합 성분을 포함하는 전체 가스에 대한 산소와 질소 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판의 온도 및 열처리 온도 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어되고, 기판 물질, 강유전체 산화막 물질 및 증착 방법은 도1a 내지 도1c의 것과 동일한 것이 사용된다.
도3a 내지 도3d는 다른 견지에 따라 산소 분위기하에서 2단계로 증착된 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 단계를 나타낸다. 도3a에서, 불활성 가스인 아르곤만을 사용하여 제 1백금 박막(304)을 기판(300) 상면에 소정 두께로 증착한다. 다음, 도3b에 나타난 바와 같이 아르곤 가스와 산소와 질소의 혼합 성분 분위기에서 제 2백금 박막(308)이 증착된다. 제 2백금 박막(308)은 산소와 질소 혼합 성분이 포함되어 있다. 상기 산소와 질소 혼합 성분은 도3c 의 열처리에 의해 제거되어 제 2백금 박막(308)은 순수한 백금 박막(312)으로 변한다. 다음, 도1c와 같이 백금 박막(312) 상면에 고유전성 또는 강유전성 산화물이 형성되고, 이후 도전성 물질이 증착되어 캐패시터와 같은 전자 소자가 완성된다.
도4는 도3a 내지 도3d의 변형예로서, 도2와 같이 기판(300)과 기판(300) 상에 형성될 전자 소자와의 절연을 위해 이들 사이에 SiO2, Si3N4와 같은 절연층(320)이 형성되는 경우를 나타낸다. 기판 물질, 강유전체 산화막 물질 및 증착 방법은 도3a 내지 도3d의 것과 동일한 것이 사용된다. 도3a 내지 도3d 및 도4에서는 백금 박막을 2단계로 증착하는 것만을 한정하여 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 3이상의 단계로 증착할 수 있다. 3이상의 다단계로 증착할시, 제 1단계에서는 불활성 가스인 아르곤만을 사용하여 제 1두께의 백금 박막을 형성하고 제 2단계에서는 아르곤 가스와 질소와 산소 성분을 함께 사용하여 제 2두께 백금 박막을 증착하고 나머지 각 단계들에서 불활성 가스 또는 불활성 가스와 산소와 질소의 혼합 성분을 사용하여 제 3두께의 백금 박막을 증착할 수 있다.
위의 방법으로 형성된 백금 박막의 배향성은, 아르곤 가스와 산소 성분을 포함하는 전체 가스에 대한 산소 성분의 분압비, 증착시의 기판의 온도 및 열처리 조건 및 제 1 백금 박막의 두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어된다.
여기서, 백금 박막은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF 마그네트론 스퍼터링, 유기금속화학증착법, 이온 빔 스퍼터링, 진공 증착법, 레이저 증착법(laser ablation) 중의 어느 하나를 채용하여 증착된다. 기판(100)은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, KBr, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 단결정 및 이들의 다결정으로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나, 위에 언급된 물질의 단결정 및 이들의 다결정의 비정질로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나, Ti, Au, Ag, Al, Ta, Ir, Pt, Cu, Pd, Ru, W의 금속으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나, 또는 RuO2, IrO2, ITO, ZnO, LSCO, YBCO, TiN, TiW의 도전성 화합물로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나가 사용될 수 있다. 또한, 고유전성 또는 강유전성 박막은 BST(Ba1-XSrXTiO3), ST(SrTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3), BT(BaTiO3), PT(Pb1-XLaXTiO3)로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나가 사용될 수 있다.
특히 다단계에 의해 백금 박막을 증착할 때, 기판으로 Ti, Ta, TiN, TiW 중의 어느 하나가 사용될 경우에, 특허 출원 94-31618(1994. 11. 26), 특허 출원 95-40450호(1995. 11.8) 및 96-7663(1996. 3. 21)에서 제안된 산소 분위기 하에서의 백금 박막의 증착시에 발생할 수 있는 문제인 Ti, Ta, TiN, TiW로 된 기판과 백금 박막 사이에 산화 절연층이 형성되는 일이 발생되지 않는다.
본 발명의 이점 및 효과를 입증하기 위해 구체적인 실시예를 가지고 본 발명을 설명한다.
실시예 1
실리콘 기판 상에 SiO2의 절연층을 형성하고 상기 절연층 상면에 산소와 질소 혼합 성분 분위기에서 2000Å의 백금 박막을 증착한다.
증착 방법:DC 마그네트론 스퍼터링 법
분위기 가스:전체{아르곤+(질소+산소)}에 대한 산소+질소 가스 분압비: 10%(5%+5%)
증착시의 기판 온도: 300℃
열처리시의 기판 온도 및 시간: 공기중 600℃, 1시간
실시예 1의 조건에 따른 백금 박막은 도5a에 나타난 바와 같이 (200) 배향성을 가진다.
실시예 2
기판 온도를 500℃로 바꾼 것을 제외하고 나머지 조건은 제 1실시예와 동일하다.
도5b에 나타난 바와 같이 백금 박막은 (111) 우선 배향성을 가진다.
실시예 3
기판 온도를 상온으로 바꾼 것을 제외하고는 실시예 1의 조건과 동일하다.
백금 박막은 도5c에 도시된 것과 같이 (111)과 (200) 배향성이 혼재한다.
실시예 4
실리콘 웨이퍼 위에 폴리실리콘 및 TiN층을 순차적으로 형성한 후 백금 박막을 2단계로 2000Å형성하였다.
증착 방법:DC 마그네트론 스퍼터링 법
1단계- 증착 분위기: Ar
기판 온도:200℃
제 1증착 두께:150Å(150/2000×100%=7.5%)
2단계-증착 분위기 :Ar+N2+O2(N2및 O2의 분압비:각각 5%)
기판 온도: 250℃
제 2증착 두께:1850Å(1850/2000×100%=92.5%)
열처리 조건:5×10-5Torr 진공상태로 600℃에서 1시간
위의 조건하에 증착된 백금 박막은 도5d에 도시된 바와 같이 (200) 우선 배향성을 가진다.
실시예 5
제 1단계 증착시의 기판 온도를 300℃, 증착 두께를 600Å(600/2000×100%=30%), 제 2단계 증착에서 N2및 O2의 분압비를 각각 3%로 변경한 것 및 증착 두께가 1400Å인 것을 제외하고 실시예 4 조건과 동일하다.
위의 조건하에 증착된 백금 박막은 도5e에 도시되어 있다. 백금 박막은 (111) 배향성을 나타낸다.
실시예 6
제 1단계에서 기판 온도를 300℃, 두께를 200Å(200/2000×100%=10%), 제 2단계 증착에서 N2및 O2의 분압비를 각각 6%로 변경한 것과 기판온도가 300℃이며 제 2두께가 1800Å인 것을 제외하고 제 4실시예의 조건과 같다. 위의 조건하에 증착된 백금 박막은 도5f에 도시된 것과 같이, 백금 박막은 (111)과(200) 배향성이 혼재되어 있다.
이상의 실시예로부터, 본 발명에 따라 백금 박막을 단일 단계 또는 다단계로 증착할 때 기판 물질로 실리콘을 사용하고 절연층을 매개로 하여 백금 박막을 형성할 때 또는 백금 박막 하부의 기판 물질이 TiN인 경우 절연층을 매개로 하지 않고 기판 물질 상에 백금 박막을 형성할 때, 산소와 질소 압력비, 증착시의 기판 온도, 후열처리 조건 및 다단계의 제 1증착 두께 중의 적어도 어느 하나를 조절하여 백금 박막의 배향성을 조절할 수 있음을 알 수 있다.
특히, 다단계 증착시에는 종래의 방법을 사용할 때 TiN층 위에 생성되는 산화 절연층이 생기지 않는다. 이는 백금 박막 증착시 마스크를 사용하여 박막을 증착하고 열처리한 후 백금 박막의 접촉 저항을 측정하거나, 백금 박막의 단면도를 봄으로써 알 수 있다. 또한, TiN의 산화 중에 발생하는 N2에 의한 버클링 현상도 발생하지 않는다.
기판 상에 형성되는 백금 박막의 배향성이 백금 박막의 증착시에 사용되는 불활성 가스와 산소와 질소 혼합 가스의 합인 전체 가스에 대한 산소와 질소의 분압비, 증착 온도, 후열 처리 조건 및 제 1증착 두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 조절될 수 있으므로, 백금 박막을 특정 전자 소자에서 요구되는 특정 특성을 가지도록 형성할 수 있다. 또한, Ti, Ta, TiN, TiW의 막위에 본 발명에 따라 다단계로 백금 박막을 증착하고, 추후 산소를 사용하는 공정을 실시하더라도, 상기 Ti, Ta, TiN 또는 TiW의 막과 백금 박막 사이에 산화층이 생기지 않는다.

Claims (70)

  1. 기판 상에 백금 박막을 제조하는 방법에 있어서,
    상기 기판 상면에 불활성 가스에 질소와 산소 성분이 포함된 분위기에서 백금을 증착하여 상기 질소와 산소 성분이 포함된 백금 박막을 증착하는 단계, 및
    상기 질소와 산소 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 백금 박막의 배향성은 상기 불활성 가스와 질소와 산소 성분을 포함하는 전체 가스에 대한 상기 질소와 산소 성분의 분압비, 증착시의 상기 기판의 온도 및 상기 열처리 조건 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어됨을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 백금 박막의 증착 이전에 상기 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 백금 박막의 증착 이전에 상기 기판 상면에 절연층을 형성하는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 백금 박막 증착 조건이, 상기 전체 가스에 대한 상기 질소와 산소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 상기 기판의 온도 및 열처리 조건이 각각 약 10%, 약 상온 내지 500℃, 약 600℃에서의 1시간임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 백금 박막 증착 방법은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF마그네트론 스퍼터링, 유기금속화학증착법, 이온 빔 스퍼터링, 진공 증착법, 레이저 증착법으로 구성된 군 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중의 어느 하나의 방법에 의해 제조된 백금 박막.
  10. 기판을 제공하는 단계,
    상기 기판 상면에 불활성 가스에 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 분위기에서 백금을 증착하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 증착하는 단계,
    상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계, 및
    상기 백금 박막 상면에 고유전성 또는 강유전성 박막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 상기 백금 박막의 배향성은 상기 불활성 가스와 상기 질소와 산소의 혼합 성분을 포함하는 전체 가스에 대한 상기 질소와 산소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 상기 기판의 온도 및 열처리 조건 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어됨을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, KBr, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 단결정 및 이들의 다결정으로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  15. 제 10항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, KBr, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 비정질로 구성된 군 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  16. 제 10항에 있어서, 상기 기판은 Ti, Au, Ag, Al, Ta, Ir, Pt, Cu, Pd, Ru, W로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  17. 제 10항에 있어서, 상기 기판은 RuO2, IrO2, ITO, ZnO, LSCO, YBCO, TiN, TiW의 도전성 화합물로 구성된 군으로 부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  18. 제 10항에 있어서, 상기 고유전성 박막은 BST(Ba1-XSrXTiO3), ST(SrTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3), BT(BaTiO3), PT(PbTiO3)로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  19. 제 10항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 절연층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  20. 제 13항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 절연층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 백금 박막 증착 조건이, 상기 전체 가스에 대한 상기 질소와 산소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 상기 기판의 온도 및 열처리 조건이 각각 약 10%, 약 상온 내지 500℃, 약 600℃에서 1시간임을 특징으로 하는 백금 박막을 구비한 전자 소자 제조 방법.
  22. 제 10항 내지 제 21항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 백금 박막 증착 방법은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF마그네트론 스퍼터링, 유기금속화학증착법, 이온 빔 스퍼터링, 진공 증착법, 레이저 증착법으로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 형성 방법.
  23. 제 10항 내지 제 22항 중의 어느 한 항에 의해 제조된 전자 소자.
  24. 기판 상면에 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 3이상의 다단계로 증착하되, 제 1단계는 불활성 가스 분위기에서 제 1두께의 막을 증착하고 제 2단계에서는 불활성 가스와 함께 질소와 산소의 혼합 성분을 사용하여 제 2두께의 막을 증착하고 나머지 각 단계에서는 불활성 가스 또는 불활성 가스와 산소와 질소의 혼합 성분을 사용하여 제 3두께의 백금 박막을 증착하는 단계, 및
    상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  25. 기판 상면에 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 다단계로 증착하되, 제 1단계는 불활성 가스 분위기에서 제 1두께의 막을 증착하고 제 2단계에서는 불활성 가스와 함께 질소와 산소의 혼합 성분을 사용하여 제 2두께의 막을 증착하는 단계, 및
    상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  26. 제 24항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 백금 박막 형성 이후의 후속 공정시 산소 성분이 확산되는 것을 막을 수 있는 두께임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  27. 제 25항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 백금 박막 형성 이후의 후속 공정시 산소 성분이 확산되는 것을 막을 수 있는 두께임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  28. 제 26항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 제 1두께 내지 상기 제3두께를 합한 전체 두께의 약 5 내지 50%임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  29. 제 27항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 제 1두께와 상기 제 2두께를 합한 전체 두께의 약 5 내지 50%임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  30. 제 24항에 있어서, 상기 백금 박막의 배향성은 상기 산소와 질소의 혼합 성분과 상기 불활성 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판 온도, 열처리 조건 및 상기 제 1두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어됨을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  31. 제 25항에 있어서, 상기 백금 박막의 배향성은 상기 산소와 질소의 혼합 성분 상기 불활성 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판 온도, 열처리 조건 및 상기 제 1두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어됨을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  32. 제 24항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  33. 제 25항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  34. 제 30항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  35. 제 31항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  36. 제 35항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 도전층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  37. 제 36항에 있어서, 상기 도전층은 Ti, Ta, TiN, TiW로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  38. 제 37항에 있어서, 상기 도전층은 TiN이고, 상기 아르곤 가스와 상기 산소와 질소의 혼합 성분을 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판 온도, 열처리 조건 및 상기 전체 두께에 대한 상기 제 1두께가 각각 약 6 내지 12%, 약 200 내지 300℃, 약 600℃에서 1시간 및 약 7 내지 30%임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  39. 제 24항 내지 제 38항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 백금 박막의 상기 제 1단계 및 제 2단계의 증착 방법은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF마그네트론 스퍼터링, 유기금속화학증착법, 이온 빔 스퍼터링, 진공 증착법, 레이저 증착법으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  40. 제 24항 내지 제 39항 중의 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 백금 박막.
  41. 기판을 제공하는 단계,
    상기 기판 상면에 불순물이 포함된 백금 박막을 3이상의 다단계로 증착하되, 제 1단계는 불활성 가스 분위기에서 제 1두께의 막을 증착하고 제 2단계에서는 불활성 가스와 함께 질소와 산소의 혼합 성분을 사용하여 제 2두께의 막을 증착하고 나머지 각 단계들에서는 불활성 가스 또는 불활성 가스와 산소와 질소의 혼합 성분을 사용하여 제 3두께의 백금 박막을 증착하는 단계,
    상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계, 및
    상기 백금 박막 상면에 고유전성 또는 강유전성 박막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  42. 기판을 제공하는 단계,
    상기 기판 상면에 불순물이 포함된 백금 박막을 3이상의 다단계로 증착하되, 제 1단계는 불활성 가스 분위기에서 제 1두께의 막을 증착하고 제 2단계에서는 불활성 가스와 함께 질소와 산소의 혼합 성분을 사용하여 제 2두께의 막을 증착하는 단계,
    상기 질소와 산소의 혼합 성분이 포함된 백금 박막을 열처리하여 상기 질소와 산소의 혼합 성분이 제거된 순수한 백금 박막을 형성하는 단계, 및
    상기 백금 박막 상면에 고유전성 또는 강유전성 박막을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  43. 제 41항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 백금 박막 형성 이후의 후속 공정시 산소 성분이 확산되는 것을 막을 수 있는 두께임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  44. 제 42항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 백금 박막 형성 이후의 후속 공정시 산소 성분이 확산되는 것을 막을 수 있는 두께임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  45. 제 43항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 제 1두께 내지 상기 제 3두께를 합한 전체 두께의 약 5 내지 50%임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  46. 제 44항에 있어서, 상기 제 1두께는 상기 제 1두께와 상기 제 2두께를 합한 전체 두께의 약 5 내지 50%임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  47. 제 41항에 있어서, 상기 백금 박막의 배향성은 상기 산소와 질소의 혼합 성분과 상기 불활성 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판 온도, 열처리 조건 및 상기 제 1두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어됨을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  48. 제 42항에 있어서, 상기 백금 박막의 배향성은 상기 산소와 질소의 혼합 성분과 상기 불활성 가스를 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판 온도, 열처리 조건 및 상기 제 1두께 중의 적어도 어느 하나에 의해 제어됨을 특징으로 전자 소자의 제조 방법.
  49. 제 41항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  50. 제 42항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  51. 제 47항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  52. 제 48항에 있어서, 상기 불활성 가스가 아르곤임을 특징으로 하는 백금 박막 제조 방법.
  53. 제 41항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 절연층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  54. 제 52항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 절연층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  55. 제 41항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 단결정 및 이들의 다결정으로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  56. 제 54항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 단결정 및 이들의 다결정으로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  57. 제 41항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 비정질로 구성된 군 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  58. 제 54항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 다이아몬드, MgO, SrTiO3, NaCl, Al2O3, ZrO2, Si3N4, TiO2, Ta2O5, AlN 의 비정질로 구성된 군 중의 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  59. 제 41항에 있어서, 상기 기판은 Ti, Au, Ag, Al, Ta, Ir, Pt, Cu, Pd, Ru, W로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  60. 제 54항에 있어서, 상기 기판은 Ti, Au, Ag, Al, Ta, Ir, Pt, Cu, Pd, Ru, W로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  61. 제 41항에 있어서, 상기 기판은 RuO2, IrO2, ITO, ZnO, LSCO, YBCO, TiN, TiW 로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  62. 제 54항에 있어서, 상기 기판은 RuO2, IrO2, ITO, ZnO, LSCO, YBCO, TiN, TiW로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  63. 제 41항에 있어서, 상기 고유전성 또는 강유전성 박막은 BST(Ba1-XSrXTiO3), ST(SrTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3), BT(BaTiO3), PT(PbTiO3)로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  64. 제 54항에 있어서, 상기 고유전성 또는 강유전성 박막은 BST(Ba1-XSrXTiO3), ST(SrTiO3), PZT(PbZr1-XTiXO3), PLT(Pb1-XLaXTiO3), PLZT(Pb1-XLaXZr1-YTiYO3), BT(BaTiO3), PT(PbTiO3)로 구성된 군 중에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  65. 제 41항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 도전층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  66. 제 54항에 있어서, 상기 기판과 상기 백금 박막 사이에 도전층이 형성되는 단계를 더 구비함을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  67. 제 66항에 있어서, 상기 도전층은 TiN, Ti, Ta, TiW로 구성된 군으로부터 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법.
  68. 제 67항에 있어서, 상기 도전층은 TiN이고, 상기 아르곤 가스와 상기 산소와 질소의 혼합 성분을 포함하는 전체 가스에 대한 상기 산소와 질소의 혼합 성분의 분압비, 증착시의 기판 온도, 열처리 조건 및 상기 전체 두께에 대한 상기 제 1두께가 각각 약 6 내지 12%, 약 200 내지 300℃, 약 600℃에서 1시간 및 약 7 내지 30%임을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법.
  69. 제 41항 내지 제 68항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 백금 박막 형성 방법은 DC 마그네트론 스퍼터링, RF마그네트론 스퍼터링, 유기금속화학증착법, 이온 빔 스퍼터링, 진공 증착법, 레이저 증착법으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나임을 특징으로 하는 전자 소자 제조 방법.
  70. 제 41항 내지 제 69항 중의 어느 한 항의 방법에 의해 제조된 전자 소자.
KR1019970017210A 1997-01-07 1997-05-06 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자 KR19980082338A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970017210A KR19980082338A (ko) 1997-05-06 1997-05-06 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자
US09/003,059 US6025205A (en) 1997-01-07 1998-01-05 Apparatus and methods of forming preferred orientation-controlled platinum films using nitrogen
DE69805865T DE69805865T2 (de) 1997-01-07 1998-01-07 Herstellungsverfahren von Platinschichten mit gesteuerter bevorzugter Orientierung unter Verwendung von Stickstoff
JP10031940A JP3094382B2 (ja) 1997-01-07 1998-01-07 窒素を使用して優先配向された白金薄膜を形成する方法と、その形成方法により製造された装置
KR1019980000183A KR100262909B1 (ko) 1997-01-07 1998-01-07 질소를 사용하여 우선 배향성이 조절된 백금 박막을 형성하는방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막을 구비하는 전자소자
EP98400019A EP0853336B1 (en) 1997-01-07 1998-01-07 Method forming preferred orientation-controlled platinum films using nitrogen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970017210A KR19980082338A (ko) 1997-05-06 1997-05-06 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980082338A true KR19980082338A (ko) 1998-12-05

Family

ID=65990152

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970017210A KR19980082338A (ko) 1997-01-07 1997-05-06 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980082338A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030073773A (ko) * 2002-03-13 2003-09-19 주식회사 엘지이아이 정보 저장용 매체 및 그의 제조방법
KR100422333B1 (ko) * 2000-07-31 2004-03-10 이노스텍 (주) 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100422333B1 (ko) * 2000-07-31 2004-03-10 이노스텍 (주) 단결정 거대 입자로 구성된 금속 박막 제조 방법 및 그 금속 박막
KR20030073773A (ko) * 2002-03-13 2003-09-19 주식회사 엘지이아이 정보 저장용 매체 및 그의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100292288B1 (ko) 산소를사용하여우선배향성이조절된백금박막을형성하는방법및장치
KR100244933B1 (ko) 전극의 제조방법
US5978207A (en) Thin film capacitor
US5572052A (en) Electronic device using zirconate titanate and barium titanate ferroelectrics in insulating layer
US6025205A (en) Apparatus and methods of forming preferred orientation-controlled platinum films using nitrogen
KR100386539B1 (ko) 산화된 내열 금속 동반 장벽을 갖는 복합체 이리듐 장벽구조 및 그의 제조방법
KR0174594B1 (ko) 실리콘 웨이퍼상에 백금 박막을 형성하는 방법, 그 방법에 의하여 제조된 실리콘 기판 및 그 기판을 이용한 반도체 소자
KR100373079B1 (ko) 다층 전극을 갖는 납 게르마네이트 강유전성 구조 및 그의퇴적 방법
US6162293A (en) Method for manufacturing ferroelectric thin film, substrate covered with ferroelectric thin film, and capacitor
US6392265B2 (en) Semiconductor device
KR20010020870A (ko) 내열 금속 동반 장벽을 갖는 복합체 이리듐-금속-산소장벽 구조 및 그의 제조방법
US6340621B1 (en) Thin film capacitor and method of manufacture
US20080123243A1 (en) Ferroelectric capacitor
JP3087672B2 (ja) 薄膜キャパシタ
JP3889224B2 (ja) マイクロエレクトロニック構造の製造方法
KR20010085328A (ko) 금속산화물유전체막의 기상성장방법 및 금속산화물유전체재료의 기상성장을 위한 장치
KR100214765B1 (ko) 기판상에 (200)방향으로 우선 배향된 백금 박막 형성방법, 그 방법에 의하여 형성된 백금박막을 구비한 기판 및 전자소자
KR100421506B1 (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
US6312567B1 (en) Method of forming a (200)-oriented platinum layer
US5976946A (en) Thin film formation method for ferroelectric materials
KR19980082338A (ko) 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자
KR20000029860A (ko) 반도체장치및그제조방법
KR19980069763A (ko) 배향성이 제어되는 백금 박막과 그러한 백금 박막을 구비한 전자 소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 형성된 백금 박막과 백금 박막이 구비된 전자 소자
JPH0657411A (ja) 誘電体薄膜の製造方法および装置
KR100325458B1 (ko) 반도체메모리소자의제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination