KR19980058504A - 반도체 소자의 테스트 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 다수개의 입출력을 갖는 반도체 소자의 테스트를 동시에 실시하기 위한 반도체 소자의 테스트 장치에 관한 것으로서, 반도체 소자의 입출력간의 간섭을 확인하기 위해 반도체 소자의 데이타 입출력 방향을 스위칭하는 스위칭 수단과, 반도체 소자로부터 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 스위칭 수단을 통하여 연결된 반도체 소자의 데이터를 출력시키기 위한 데이타 출력 수단과, 데이타 출력 수단으로부터 전달된 신호들을 비교하여 반도체 소자의 패일상태를 판별하기 위한 패일 판별 수단과, 패일 판별 수단으로부터 출력된 신호가 패일 신호이면 통과시키지 않고, 패스 신호이면 통과시키는 비교기와, 비교기로부터 출력된 신호를 입력하여 출력하기 위한 드라이버와, 반도체 소자로부터 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 드라이버로부터 전달 데이타를 스위칭 수단을 통하여 반도체 소자로 입력하기 위한 데이타 입력 수단을 포함한다.

Description

반도체 소자의 테스트 장치

본 발명은 반도체 소자의 테스트 장치에 관한 것으로서, 특히 다수개의 입출력을 갖는 반도체 소자의 테스트를 하나의 드라이버/비교기를 이용하여 동시에 시행할 수 있을 뿐만아니라 각 입출력간의 간섭현상도 파악할 수 있는 반도체 소자의 테스트 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자의 테스트 장치는 입출력마다 한 쌍의 비교기와 드라이버를 사용하고, 비교기는 소자로부터 입력되는 데이타가 동일하면 정상임을 인정하여 패스(pass) 시키고 동일하지 않으면 패일로 인정하여 패스시키지 않으며, 드라이버는 테스트 시스템으로부터 입력되는 데이타를 소자에 기입할 수 있도록 한다.

이러한, 반도체 소자의 테스트 장치는 일시에 다수개의 반도체 소자들을 테스트할 경우에, 병렬로 연결하여 테스트를 실시한다.

그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 소자의 테스트 장치는 병렬 테스트를 하는 경우 소자의 입출력 갯수만큼 비교기 및 드라이브가 사용되므로써, 병렬로 연결하여 테스트를 실시하기 위한 반도체 소자의 갯수가 한정되었으며, 또한 입출력 데이터들간에 발생되는 간섭을 확인할 수 없는 문제점이 존재하였다.

따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체 소자의 다수개의 입출력을 공통으로 연결하여 테스트를 실시하므로써, 병렬로 연결하여 테스트를 실시할 수 있는 반도체 소자의 갯수를 증가시킬 수 있으며, 또한 소자의 입출력 간에 발생되는 간섭을 확인할 수 있는 반도체 소자의 테스트 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 테스트 장치의 회로도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

10 : 반도체 소자, 20 : 스위칭 수단, 30 : 데이타 출력 수단, 40 : 패일 판별 수단, 50 : 드라이버, 60 : 비교기, 70 : 데이타 입력 수단

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 테스트 장치는 테스트를 하기 위한 반도체 소지와; 반도체 소자의 입출력간의 간섭을 확인하기 위해 반도체 소자의 데이타 입출력 방향을 스위칭하는 스위칭 수단과; 반도체 소자로부터 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 스위칭 수단을 통하여 연결된 반도체 소자의 데이터를 출력시키기위한 데이타 출력 수단과; 데이타 출력 수단으로부터 전달된 신호들을 비교하여 반도체 소자의 패일상태를 판별하기 위한 패일 판별 수단과; 패일 판별 수단으로부터 출력된 신호가 패일 신호이면 통과시키지 않고, 패스 신호이면 통과시키는 비교기와; 입력단이 비교기의 출력단에 연결되고, 출력단이 비교기의 입력단에 연결되어 비교기로부터 출력된 신호를 입력하여 출력하기 위한 드라이버와; 반도체 소자로부터 인가되는/WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 드라이버로부터 전달된 데이타를 스위칭 수단을 통하여 반도체 소자로 입력하기 위한 데이타 입력 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

[실시예]

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 테스트 장치는 반도체 소자(10)의 입출력간의 간섭을 확인하기 위해 반도체 소자(10)의 데이타 입출력 방향을 스위칭하는 스위칭 수단(20)과, 반도체 소자(10)로부터 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 스위칭 수단(20)을 통하여 인가된 반도체 소자(10)의 데이터를 출력시키기 위한 데이타 출력 수단(30)과, 데이타 출력 수단(30)으로부터 전달된 신호들을 비교하여 반도체 소자(10)의 패일상태를 판별하기 위한 패일 판별 수단(40)과, 반도체 소자(10)를 통해 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 드라이버(50)를 통해 전달된 데이타를 스위칭 수단(20)을 통하여 반도에 소자(10)로 입력하기 위한 데이타 입력 수단(70)을 포함한다.

스위칭 수단(20)은 반도체 (10)와 데이타 출력 수단(30) 및 데이타 입력 수단(70)간의 데이터들의 인가방향을 스위칭하기 위한 다수개의 스위치(SW1~SWn)를 구비한다.

데이타 출력 수단(30)은 스위칭 수단(20)의 다수개의 스위치(SW1~SWn)에 각각 연결되며, 게이트에 인가되는 기업인에이블신호(/WE)에 의해 구동되어 스위칭 수단(20)을 통하여 반도체 소자(10)로부터 데이타를 패일 판별 수단(40)으로 인가하는 다수의 NMOS 트랜지스터(NMT1~NMTn)와, 각 반도체 메모리(10)의 각 출력으로부터의 간섭을 확인하기 위하여 반도체 메모리(10)로부터의 데이타를 반전시켜 상기 각 NMOS 트랜지스터(NMT1~NMTn)를 통해 패일 판별 수단(40)으로 인가하기 위한 다수의 인버터(IV1~IVn)를 구비한다.

패일 판별 수단(40)은 데이타 출력 수단(30)으로부터 입력된 데이타들이 모두 같으면 반도체 소자(10)가 정상인것으로 판달하여 패스신호를 출력하여 비교기(60)를 통해 테스트 시스템으로 이가하며, 또한 입력된 데이타들중 같지않은 데이타가 있다면 반도체소자(10)가 패일인것으로 판단하여 패일실호를 비교기(60)를 통해 테스트 시트템으로 인가하기 위한 익스클루시브오아 게이트(XOR)를 구비한다.

데이타 입력 수단(70)은 게이트에 인가되는 기업인에이블신호(/WE)에 의해 턴온되어 드라이버(50)로부터 전달되는 데이타를, 스위칭 수단(20)을 통해 반도체 소자(10)로 전달하기 위한 다수의 PMOS 트랜지스터(PMT1~PMTn)와, 반도체 소자(10)의 각 입력의 상호간섭을 확인하기 위하여 드라이버(70)를 통해 전달되는 데이타를 반전시켜 반도체 소자(10)로 인가하기 위한 다수의 인버터(IV1~IVn)를 구비한다.

먼저, 반도체 소자(10)로부터 데이타를 독출하여 테스트하고자는 경우 반도체 소자(10)로부터 기입인에이블신호(/WE)가 디스에이블되어 데이타 출력 수단(30)의 NMOS 트랜지스터(NMT1~NMTn)가 턴온되어 반도체 소자(10)로부터 출력되는 데이타는 스위칭 수단(20)의 각 스위치(SW1~SWn) 을 통해 패일 판별 수단(40)의 익스클루시브 오아 게이브(XOR)를 인가된다.

패일 판별 수단(40)은 입력된 데이타들이 모두 하이거나 또는 로우로 같으면 반도체 소자(10)가 정상인것으로 판단하여 패스신호를 비교기(60)를 통해 테스트 시스템으로 출력하며, 또는 입력된 데이타들 중 하나라도 하이 및 로우가 있으면 반도체 소자(10)에 패일이 발생된 것으로 판단하여 패일 신호를 비교기(60)를 통해 출력한다.

비교기(60)는 입력된 신호가 패스신호이면 통과시키고, 패일 신호이면 통과시키지 않으므로써, 반도체 소자(10)의 정상여부를 확인할 수 있도록 한다.

이어, 반도체 소자(10)의 각 출력의 간섭 현상을 확인하고자 하는 경우는 스위칭 수단(20)을 전환시켜 데이타 출력 수단(30)의 다수개의 인버터(IV1~IVn)를 통해 입력된 데이타들을 반전시켜 패일 판별 수단(40)으로 전달한다. 따라서, 데이타 출력 수단(30)의 인버터(IV1~IVn)를 통해 반전되어 인가된 데이타로부터 패일 판별수단(40)은 각 출력의 간섭현상을 확인할 수 있다.

한편, 반도체 소자로부터 기입인에이블신호(/WE)가 인에이블되면, 데이터 입력 수단(20)의 PMOS 트랜지스터(PMT1~PMTn)를 통해 드라이버(50)로부터 인가된 데이타를 수위칭 수단(20)을 통해 반도체 소자(10)로 입력시킨다.

이때, 상기의 경우가 마찬가지로 반도체 소자(10)의 각 입력을 간섭을 확인하고자하는 경우는 스위칭 수단(20)을 제 1 및 제 2 인버터(IV71~IV7n)방향으로 스위칭시키고, 이에 따라 데이타 입력수단(70)은 인가된 데이타들을 반전시켜 반도체 소자(10)로 입력시켜 입력의 간섭현상을 확인하게 된다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 반도체 소자의 테스트 장치는, 반도체 소자의 다수개의 입출력을 공통으로 연결하여 테스트를 실시하고, 다수개의 입출력을 갖는 반도체 소자를 병렬로 연결하여 테스트를 실시하므로써, 일시에 테스트를 실시할 수 있는 반도체 소자의 갯수를 증가시킬 수 있으며, 또한 특정 입출력 데이타들을 반대로 전환시켜 테스트를 하여 반도체 소자의 입출력 데이타들 사이에 발생되는 간섭을 확인할 수 있는 탁월한 효과를 제공한다.

Claims (7)

1. 테스트를 하기 위한 반도체 소자와; 상기 반도체 소자의 데이타 입출력 방향을 스위칭하는 수단과; 상기 반도체 소자로부터 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 상기 스위칭 수단을 통하여 연결된 상기 반도체 소자의 테이터를 출력시키기 위한 데이타 출력 수단과; 상기 데이타 출력 수단으로부터 전달된 신호들을 비교하여 상기 반도체 소자의 패일상태를 판별하기 위한 패일 판별 수단과; 상기 반도체 소자를 통해 인가되는 /WE 신호에 의거하여 동작이 제어되며, 상기 드라이버로부터 전달된 데이타를 상기 스위칭 수단을 통하여 상기 반도체 소자로 입력하기 위한 데이타 입력 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.
2. 제 1항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 상기 반도체 소자의 데이터들의 입출력방향을 스위칭하기 위한 다수개의 스위치를 구비하는 반도체 소자의 테스트 장치.
3. 제 1항에 있어서, 상기 데이타 출력 수단은 상기 스위칭 수단의 각각 연결되며, 게이트에 인가되는 /WE 신호에 의해 구동되어 스위칭 수단을 통한 상기 반도체 소자의 데이타를 패일 판별 수단으로 인가하기 위한 다수개의 인버터에 의해 반전된 신호를 전달하기 위한 다수개의 NMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.
4. 제 3항에 있어서, 상기 데이타 출력 수단은 반도체 소자의 출력의 간섭을 확인하기 위하여 상기 스위칭 수단을 통한 상기 반도체 소자의 데이타를 반전시켜 상기 패일 판별 수단으로 인가하기 위한 다수의 인버터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.
5. 제 1항에 있어서, 상기 패일 판별 수단은 상기 데이타 출력 수단으로부터 입렵된 데이타들이 모두 같으면 상기 반도체 소자가 정상인것으로 판단하여 패스신호를 출력하며, 또한 입력된 데이타들중 같지않은 데이타가 있다면 상기 반도체 소자가 패일인것으로 판단하여 패일신호를 출력하기 위한 익스클루시브 오아 게이트를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.
6. 제 1항에 있어서, 상기 데이타 입력 수단은 상기 스위칭 수단에 연결되며, 게이트에 인가되는 /WE신호에 의해 상기 드라이버로부터 전달되는 데이타를 상기 스위칭 수단을 통해 상기 반도체 소자로 그대로 전달하기 위한 다수의 PMOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.
7. 제 6항에 있어서, 상기 데이타 입력 수단은 상기 반도체 소자의 입력의 간섭을 확인하기 위해 상기 드라이버로부터 데이타를 반저시켜 상기 스위칭 수단을 통해 상기 반도체 소자로 전달하기 위한 다수의 인버터를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 테스트 장치.