KR19980052466A - 반도체 소자의 배선 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 매몰층 실리사이드가 배선 역할을 하는 반도체 소자의 배선 형성방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 반도체 소자의 배선 형성방법은 기판에 배선이 형성될 영역을 정의하여 기판내에 복수개의 제 1 매몰 금속층을 형성하는 공정과, 상기 기판에 소자 격리층으로 이용되는 필드 산화막을 형성하는 공정과, 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극을 마스크로 통해 불순물 이온주입하여 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 기판에 소오스/드레인 영역과 상기 제 1 매몰 금속층을 전기적으로 연결하도록 상기 소오스/드레인 영역과 제 1 매몰 금속층 사이에 제 2 매몰 금속층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 배선 형성방법
본 발명은 반도체 소자의 배선 형성방법에 관한 것으로, 특히 매몰층 실리사이드가 배선 역할을 하는 반도체 소자의 배선 형성방법에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래의 반도체 소자의 배선 형성방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 반도체 소자의 형성방법을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 1a에 도시한 바와같이 반도체 기판(1)에 활성영역을 정의하여 상기 활성영역 이외의 특정영역에 소자 격리층으로 이용되는 필드 산화막(2)을 형성한다. 그리고 상기 활성영역상에 복수개의 게이트 전극(3)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(3)을 마스크로 하여 불순물 이온을 주입하여 기판(1)에 소오스/드레인 영역(4)을 형성한다.
이때, 상기 게이트 전극(3) 하부에는 게이트 절연막을 형성한다.
이어, 도 1b에 도시한 바와같이 게이트 전극(3)을 포함한 기판(1) 전면에 절연층(5)을 형성한 후, 상기 절연층(5)상에 포토레지스트(6)를 증착하고 콘택영역을 정의하여 노광 및 현상공정을 통해 상기 포토레지스트(6)을 패터닝한다.
그리고 상기 패터닝된 포토레지스트(6)를 마스크로 하여 상기 소오스/드레인 영역(4)이 소정부분 노출되도록 상기 절연층(5)을 식각하여 복수개의 콘택홀(7)을 형성한다.
이어서, 도 1c에 도시한 바와같이 포토레지스트(6)를 제거하고, 콘택홀(7)을 포함한 절연층(5)상에 전도성이 높은 도전층(8)을 형성하여 각각의 고립된 소자를 전기적으로 연결한다. 이때, 소자를 연결하기 위한 배선은 절연층(5)과 도전층(8)은 소자의 상부에 형성되어 있다.
그러나, 상기와 같은 종래의 반도체 소자 배선 형성방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 형성된 소자의 상부에 배선이 형성되므로 소자가 고집적화됨에 따라 배선이 다층화되어 이로인해 공정상의 어려움이 발생한다.
둘째, 콘택에서의 스텝 커버리지가 과도할 경우 이를 도전층으로 채우는데 어려움이 있다.
셋째, 소자 혹은 기판의 반도체가 소자 배선을 위한 도전층과 서로 접하게 될 때 상호간의 확산을 막기 위한 확산방지막을 형성해야한다.
넷째, 반도체 기판에 단차가 존재할 경우 이들간의 배선을 위해서는 평탄화 공정을 실시하여야 한다.
본 발명은 이와같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 반도체 기판에 금속 이온주입하여 기판내에 매몰된 전도층에 의해 소자를 전기적으로 연결하는 반도체 소자의 배선 형성방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1a 내지 도 1c는 종래의 반도체 소자의 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 반도체 소자의 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
20 : 기판21 : 제 1 포토레지스트 패턴
22 : 제 1 매몰 금속층23 : 필드 산화막
24 : 게이트 전극25 : 소오스/드레인영역
26 : 제 2 포토레지스트 패턴27 : 제 2 금속 매몰층
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 배선 형성방법은 기판에 배선이 형성될 영역을 정의하여 기판내에 복수개의 제 1 매몰 금속층을 형성하는 공정과, 상기 기판에 소자 격리층으로 이용되는 필드 산화막을 형성하는 공정과, 상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극을 마스크로 통해 불순물 이온주입하여 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과, 상기 기판에 소오스/드레인 영역과 상기 제 1 매몰 금속층을 전기적으로 연결하도록 상기 소오스/드레인 영역과 제 1 매몰 금속층 사이에 제 2 매몰 금속층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 소자의 배선 형성방법에 대하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 반도체 소자의 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도이다.
도 2a에 도시한 바와같이 반도체 기판(20)상에 포토레지스트를 증착하고, 배선이 형성될 영역을 정의한 후, 노광 및 현상하여 제 1 포토레지스트 패턴(21)을 형성한다. 그리고 상기 포토레지스트 패턴(21)을 마스크로 하여 금속을 이온주입하여 기판(20)에 제 1 매몰층(22)을 형성한다.
이때, 상기 제 1 매몰층(22)은 Co, Ti, Ni등 4∼6족의 금속을 높은 에너지로 이온주입하고 열처리한 금속-실리콘 화합물이며, 상기 제 1 매몰층(22)의 깊이는 기판(20) 표면으로부터 3000Å, 두께는 1000Å이다. 여기서 Co+의 경우 400KeV의 2e17/㎠로 이온주입하고, 750℃에서 30초로 열처리 한다.
이어, 도 2b에 도시한 바와같이 제 1 포토레지스트 패턴(21)을 제거하고, 상기 기판(20)에 활성영역을 정의하여 상기 활성영역 이외의 특정영역에 소자 격리층으로 이용되는 필드 산화막(23)을 형성한다. 이때, 소자 격리층으로 트랜치를 형성하여도 된다.
그리고 상기 활성영역상에 복수개의 게이트 전극(24)을 형성한 후, 상기 게이트 전극(24)을 마스크로 하여 불순물 이온을 주입하여 기판(20)에 소오스/드레인 영역(25)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 전극(24) 하부에는 게이트 절연막을 형성한다.
이어서, 도 2c에 도시한 바와같이 게이트 전극(24)을 포함한 기판(20) 전면에 포토레지스트를 증착하고, 소오스/드레인 영역(25)의 소정부분인 노출되도록 상기 포토레지스트를 노광 및 현상하여 제 2 포토레지스트 패턴(26)을 형성한다.
이어, 도 2d에 도시한 바와같이 제 2 포토레지스트 패턴(26)을 마스크로 하여 금속이온을 주입하여 각각의 고립된 소자를 전기적으로 연결하도록 수직한 제 2 매몰층(27)을 형성한 후, 상기 제 2 포토레지스트 패턴(26)을 제거한다. 이때, 상기 제 2 매몰층(27)은 특정한 전하량을 가지는 이온만을 주입하지 않고 여러가지 전하량을 가지는 이온을 주입하여 각각의 다른 전하량을 가지는 이온이 기판(20)내에 주입되는 깊이를 달리하도록 한다. 예를들어 Co의 경우 Co+, Co2+, Co3+에서 Co+만 분리하여 주입하지 않고 여러가지 전하량을 가지는 이온을 주입하며, 주입되는 이온의 에너지를 달리하여 복합이온을 주입한 후 열처리한다.
이상에서 설명한 바와같이 본 발명의 반도체 소자의 배선 형성방법은 다음과 같은 효과가 있다.
기판내에 선택적으로 형성된 매몰층이 배선 역할을 하므로 소자의 상부에 절연층과 금속을 이용한 배선을 비해 공정이 간단하고, 기판이나 소자간의 단차을 없애기 위한 평탄화 공정이 필요없다.
또한 금속과 기판간의 확산 방지막의 형성이 불필요하다.

Claims (6)

  1. 기판에 배선이 형성될 영역을 정의하여 기판내에 복수개의 제 1 매몰층을 형성하는 공정과;
    상기 기판에 소자 격리층으로 이용되는 필드 산화막을 형성하는 공정과;
    상기 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 게이트 전극을 마스크로 통해 불순물 이온주입하여 기판에 소오스/드레인 영역을 형성하는 공정과;
    상기 기판에 소오스/드레인 영역과 상기 제 1 매몰 금속층을 전기적으로 연결하도록 상기 소오스/드레인 영역과 제 1 매몰 금속층 사이에 제 2 매몰 금속층을 형성하는 공정을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 매몰 금속층은 Co, Ti, Ni등의 4∼6족 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 매몰 금속층에 Co+를 사용하는 경우, 400KeV와 2e17/㎠로 이온주입하고 750℃에서 30초로 열처리 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 매몰 금속층의 깊이는 3000Å, 두께는 1000Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소자 격리영역으로 이용되는 필드 산화막 대신 트랜치를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 매몰 금속층은 각각의 다른 전하량을 가지는 복합이온이 기판내에 깊이를 달리하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
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