KR19980042294A - 전사시트 및 패턴형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마디스플레이패널, 화상표시장치, 서멀헤드, 집적회로 등의 제조공정에 있어서의 전극층이나 유전체층, 장벽층 등의 고정밀도 패턴을 형성하는데 적절하고 제작시간을 단축시킬 수 있음과 더불어 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있고 표면평활성이 뛰어나며 또한 막두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 전사시트 및 패턴형성방법에 관한 것으로서, 본 발명의 전사시트는 베이스필름 상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 열가소성수지를 함유한 잉크층을 가진 전사시트에 있어서, 상기 잉크층이 무기입자 100중량%에 대하여 열가소성수지를 3중량%∼50중량%의 비율로 함유하는 것이고, 또 패턴형성방법은 전자시트를 사용하여 패턴을 기판상에 전사형성한 후 소성하여 전극층이나 유전체층, 장벽층 등의 고정밀도의 패턴을 형성하는 것이다.

Description

전사시트 및 패턴형성방법

본 발명은 플라즈마디스플레이패널(이하 PDP라 한다), 필드에미션디스플레이(FED), 액정표시장치(LCD), 형광표시장치, 혼성집적회로 등에 있어서의 전극층이나 유전체층, 장벽층등 고정밀도 패턴을 형성하는데 적합한 전사시트 및 패턴형성방법에 관한 것이다.

이러한 종류의 패턴형성방법으로서는 종래로부터 유리나 세라믹스 등의 기판상에 도체 혹은 절연체용 잉크를 스크린인쇄에 의해 패턴형상으로 도포한 후, 소성공정을 거쳐 기판에 밀착된 두꺼운 막 패턴을 형성하는 방법이 알려져 있다. 이 방법은 예를 들면 선폭 100㎛, 높이 100㎛의 가는 선을 형성하기 위해서 겹침인쇄를 여러번 계속 반복하고 있다.

그러나, 스크린인쇄에 의한 여러번의 패턴인쇄로 패턴을 형성하는 방법에는 다음과 같은 문제점이 있다.

첫째, 인쇄에 사용하는 스크린판의 신축이 불가피하고 실제로는 각종 패턴을 겹쳐서 형성하는 경우가 대부분이기 때문에 다른 패턴과의 위치어긋남이 발생하기 쉽다.

둘째, 판에 스크린을 사용하고 있기 때문에 패턴이 일그러지기 쉽고 미세패턴화가 곤란하다.

셋째, 패턴형성재료가 스크린판으로 역회전을 일으키기 때문에 매회 닦는 세정과정이 필요하여 자동화가 곤란하다.

넷째, 스크린인쇄법에 의해 형성가능한 패턴치수는 폭 100㎛정도가 한계이고 또 형상도 반치폭과 바닥부폭과의 비(반치폭/바닥부폭, 반치폭이란 패턴형성층 높이의 1/2의 위치에 있어서의 패턴형성층의 폭을 말함)가 0.5정도이다. 따라서 예를 들어 건조상태에서 150∼200㎛정도의 두께로 도포할 필요가 있는 PDP에 있어서의 장벽층인 경우 바닥면적도 크게 하지 않으면 안되어 정밀하고 미세한 패턴을 형성할수 없다.

다섯째, 한번에 형성할 수는 없으므로 순차적으로 위치를 맞추면서 적층하고 있으나 그 위치정밀도를 높이는 것이 곤란하다는 문제가 있다.

여섯째, 잉크가 갖는 유동성으로 인해 아랫부분이 넓어져서 높은 애스팩트비(aspect ratio)의 두꺼운 막 패턴을 형성할 수 없고 또한 개방계이기 때문에 이물 혼입방지 등의 조건관리가 어렵고, 제작에 있어서도 막대한 시간을 요하는 것이 현실이다.

또한 다른 방법으로는 기판상에 스크린인쇄의 여러번 베터인쇄로 패턴형성층을 형성한 후, 그 패턴형성층상에 감광성레지스트로 샌드블라스트용 마스크를 형성하고 이어서 연마재를 분사해서 패턴형성층의 패터닝을 행하는 이른바 샌드블라스트법이 알려져 있다(일본국 간행물, 전자재료, 1983년, No.11, p138). 이 서브트랙티브가공법을 사용하면, 벽면이 수직으로 세워지고 폭이 좁고 높이가 높은 바람직한 형상으로 장벽층을 가공하는 것이 가능해진다. 또 레지스트의 패터닝에 포토리소그래피법을 채용하므로써 패턴정밀도를 높일 수 있고 패널의 대형화에도 적용할 수 있다.

최근에 글래스페이스트를 베이스필름상에 형성한 전사시트를 사용한 장벽층의 형성방법이 제안되었다(일본국 특개평8-273536호 공보).

이 방법은, 글래스페이스트층을 형성한 전사시트를 사용하는 방법으로서, PDP패널의 장벽제작공정을 간소화할 수 있는 점에서 효과적이기는 하지만, 장벽형성층에 있어서의 휘발성 물질을 제2공정인 전사된 장벽형성층의 상면에 레지스트패턴을 형성한 후 제거하므로 그 때문에 휘발성 물질인 브리드(bleed)에 의하여 레지스트패턴이 박리되기 쉽고, 형성되는 두꺼운 막 패턴의 형상에 문제가 생기는 경우가 있는 것으로 판명되었다.

본 발명의 제1목적은 PDP, 액정 등의 화상표시장치, 서멀헤드, 집적회로 등에 있어서의 전극, 저항체, 장벽 등의 미세한 패턴형성에 적합한 전사시트를 제공하는 데 있다.

본 발명의 제2목적은 제작시간을 단축할 수 있고 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 표면평활성이 뛰어나고 또 막두께가 균일하여 분포정밀도가 양호한 패턴 형성방법의 제공에 있다.

본 발명의 제3목적은 샌드블라스트가공법을 사용한 두꺼운 막 패턴형성방법의 개량에 관한 것으로, 형성되는 두꺼운 막 패턴의 형상성에 뛰어난 두꺼운 막 패턴형성방법의 제공에 있다.

본 발명의 제4목적은 전사시트를 구부리거나 감거나 할 때에 두꺼운 막 패턴형성층이 박리되거나 쪼개지는 일이 없는 두꺼운 막 패턴형성방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 제5목적은 PDP 유리기판상에 PDP구성층, 특히 전극형성층을 패턴형상으로 전사형성하는 데 적합한 패턴형성방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 제6목적은 PDP유리기판상에 구성층, 특히 전극형성층을 패턴형상으로 형성함에 있어서, 비용이 적게들고 제작시간을 단축할 수 있으며, 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 표면평활성에 뛰어나고 또한 막두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 적층구조의 형성을 가능하게 하는 패턴형성방법의 제공에 있다.

본 발명의 제7목적은 PDP나 다층전극판에 있어서 볼록형상인 전극패턴형상도 포함하여 기판상에 전사누락이 없는 유전체층을 형성할수 있고 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있는 패턴형성방법의 제공에 있다.

도 1은 본 발명 제1전사시트의 그 단면도

도 2는 본 발명 제1전사시트에 있어서의 다른 태양의 단면도

도 3은 본 발명 제1전사시트에 있어서의 다른 태양의 단면도

도 4는 본 발명 제1전사시트에 있어서의 다른 태양의 단면도

도 5는 본 발명 제1전사시트에 있어서의 다른 태양의 단면도

도 6은 본 발명 제2전사시트의 단면도

도 7은 본 발명 제3전사시트의 단면도

도 8은 본 발명 제3전사시트에 있어서의 다른 태양의 단면도

도 9는 본 발명 제3전사시트에 있어서의 다른 태양의 단면도

도 10은 오목판을 사용한 패턴형상 박리층의 형성방법을 설명하기 위한 도면

도 11은 오목판을 사용한 패턴형상 접착층의 형성방법을 설명하기 위한 도면

도 12는 본 발명 제4전사시트의 단면도

도 13은 본 발명 제5전사시트의 단면도

도 14는 본 발명 제6전사시트의 단면도

도 15는 본 발명 제7전사시트의 단면도

도 16은 본 발명 제8전사시트의 단면도

도 17은 본 발명 제9전사시트의 단면도

도 18은 본 발명 제10전사시트의 단면도

도 19는 본 발명 제11전사시트의 단면도

도 20은 본 발명 제12전사시트의 단면도

도 21은 본 발명 제13전사시트의 단면도

도 22는 오목판을 사용한 패턴형상 전극형성층의 형성방법을 설명하기 위한 도면

도 23은 오목판롤을 사용한 패턴형상 전극형성층의 형성방법을 설명하기 위한 도면

도 24는 본 발명의 제1패턴 형성방법을 연속된 공정도에 의하여 설명하기 위한 도면

도 25는 본 발명의 제1패턴 형성방법을 연속된 공정도에 의하여 설명하기 위한 도면

도 26은 본 발명의 제2패턴 형성방법을 설명하기 위한 도면

도 27은 본 발명의 제3패턴 형성방법에서 사용하는 전사시트의 단면도

도 28은 볼록전극패턴을 가진 기판을 설명하기 위한 도면

도 29는 본 발명의 제3패턴 형성방법을 설명하기 위한 도면

도 30은 본 발명 제3패턴 형성방법에 있어서, 볼록패턴에 잉크층을 적층한 상태를 설명하기 위한 도면

도 31은 AC형 플라즈마디스플레이패널을 설명하기 위한 도면

도 32는 AC형 플라즈마디스플레이패널의 다른예를 설명하기 위한 도면이다.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1,2 : 유리기판 3 : 셀장벽

4 : 투명전극 5 : 금속전극

6,6' : 유전체층 8 : 어드레스전극

9 : 형광체면 10 : 하지층

11 : 베이스필름 12 : 잉크층

13 : 보호필름 14 : 박리층

14' : 박리층형성재료 15 : 접착층

16 : 내열층 18 : 샌드블라스트용 마스크층

21 : 백업로라 22 : 오목판

22a : 오목부 23 : 전사용 기판

24 : 박리층 12b : 패턴형상의 전극형성층

12c : 유전체층의 형성층

12d : 장벽형성층 17 : 내(耐)샌드블라스트감광성층

32 : 누름롤 33 : 롤오목판

34 : 오목부 35 : 수지공급장치

36 : 경화성의 전극형성층 형성용 페이스트

37 : 경화장치 39 : 박리롤

40 : 도공부 44 : 급지감기롤

45 : 급지측보내기 47 : 컨벤세이터롤

48 : 배지감기롤 49 : 전사용 기판

S : 장벽형성층 형성용 전사시트

111 : 베이스필름 112 : 장벽형성층

113 : 전극 114 : 유리기판

115 : 포토레지스트 116 : 패턴마스크

117 : 레지스트패턴 118 : 장벽

119 : 유전체층 S : 전사시트

211 : 베이스필름 212 : 잉크층

213 : 새마헤드 또는 레이저광원

214 : PDP부재 S : 전사시트

311 : 베이스필름 312 : 잉크층

K : 전극패턴을 가진 PDP기판

313 : 전극층, 오목상패턴, 오목상 전극패턴

314 : PDP판넬에 있어서의 유기기판

R : 열(熱)라미네이터

본 발명의 제1전사시트는 베이스필름상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 열가소성수지를 함유한 잉크층을 가진 전사시트에 있어서, 그 잉크층이 무기입자 100중량%에 대하여 열가소성수지를 3중량%∼50중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 한다.

또 상기한 제1전사시트에 있어서, 잉크층 위에 보호필름이 박리가능하게 적층된 것을 특징으로 한다.

상기한 제1전사시트에 있어서, 베이스필름과 잉크층이 박리층을 사이에 두고 적층된 것을 특징으로 한다.

상기한 제1전사시트에 있어서, 잉크층과 보호필름이 접착층을 사이에 두고 적층되어 보호필름이 박리가능하게 된 것을 특징으로 한다.

상기한 제1전사시트에 있어서, 베이스필름 잉크층이 형성된 면과 반대면에 내열층이 형성된 것을 특징으로 한다.

또 본 발명의 제1전사시트가 플라즈마디스플레이패널의 하지층, 유전체층을 형성하기 위한 전사시트인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제1전사시트는 PDP에 있어서의 하지층, 유전체층 등을 제작하는 데에 적합하여 구부리거나 감아도 잉크층이 박리되거나 쪼개지는 일이 없고 제작시간을 단축할 수 있으며 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 전사에 의하여 형성하기 때문에 표면평활성이 뛰어나고 또한 막의 두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 것으로 된다.

본 발명의 제2전사시트는 베이스필름상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 소성에 의하여 제거되는 수지를 함유하는 잉크층을 가진 전사시트에 있어서, 그 잉크층이 무기입자 100중량%에 대하여 소성에 의하여 제거되는 수지를 2중량%∼70중량%의 비율로 함유함과 더불어 그 잉크층의 건조막 두께보다 입자의 직경이 큰 무기입자가 전체무기입자중 30중량%이하의 비율로 함유된 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제2전사시트가 플라즈마디스플레이패널 제작용 전사시트인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제2전사시트는 PDP에 있어서의 하지층, 유전체층, 전극층을 제작하는데 적합하고 그 잉크층 표면은 평활하고 또 기포등이 혼입되지 않으므로 전사누락 등이 없어 전사성이 뛰어난 전사시트가 된다. 또한 제작시간을 단축 할수 있고 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있다. 또 전사에 의하여 형성되는 PDP구성층은 베이스필름의 표면에 대응하는 것이기 때문에 표면평활성이 뛰어나고 막두께가 균일하며 분포정밀도가 양호한 것으로 된다.

본 발명의 제3전사시트는 베이스필름상에 패턴형상의 박리층을 통하여 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 잉크층이 형성된 것을 특징으로 한다.

본 발명 제3전사시트의 다른 태양은 베이스필름상에 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 잉크층이 형성되고, 다시 그 잉크층상에 패턴형상의 접착층이 형성된 것임을 특징으로 한다.

본 발명 제3전사시트의 다른 태양은 베이스필름상에 패턴형상의 박리층을 통하여 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 잉크층이 형성되고, 다시 그 잉크층상에 상기한 박리층과 동일 패턴형상의 접착층이 형성된 것을 특징으로 한다.

상기한 제3전사시트에 있어서의 패턴이 플라즈마디스플레이패널에 있어서의 하지형성층패턴, 유전체층형성층패턴, 전극형성층패턴, 장벽형성층패턴인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제3전사시트는 예를 들면 PDP유리기판 위에 하지형성층, 유전체층형성층, 전극형성층, 장벽형성층을 각각 패턴형상으로 전사형성하는 데에 적합한 전사시트이고, 제작시간을 단축할수 있고 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 베이스필름의 표면에 대응하는 것이기 때문에 표면평활성이 뛰어나고 또한 막두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 것으로 된다.

본 발명의 제4전사시트는 베이스필름상에 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층하되, 그 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제5전사시트는 베이스필름상에 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되, 그 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제6전사시트는 베이스필름상에 장벽형성층, 유전체층형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제7전사시트는 베이스필름상에 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되, 그 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제8전사시트는 베이스필름상에 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제9전사시트는 베이스필름상에 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제10전사시트는 베이스필름상에 내(耐)샌드블라스트감광성층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제11전사시트는 베이스필름상에 샌드블라스트용 마스크층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층 형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제12전사시트는 베이스필름상에 내(耐)샌드블라스트 감광성층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제13전사시트는 베이스필름상에 샌드블라스트용 마스크층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되,그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거되는 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제4전사시트 내지 제13전사시트는 PDP에 있어서의 하지층, 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽층을 별도로 준비한 전사시트에 의하여 형성되는 시스템에 사용하는 데에 적합하고, 비용이 적게들고 제작시간을 단축할 수 있으며 또 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 전사에 의하여 형성하기 때문에 PDP부재상에 형성된 각층의 표면평활성이 뛰어나고 또한 막두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 PDP부재로 된다.

본 발명의 제1패턴형성방법은

(a) 베이스필름상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자, 열가소성수지 및 150℃∼400℃의 비등점을 가진 고비등점 용제로 이루어지는 두꺼운 막 패턴형성층을 가진 전사시트로부터 그 두꺼운 막 패턴형성층을 기판상에 전사한 후 베이스필름을 박리하는 제1공정;

(b) 전사된 두꺼운 막 패턴형성층에 있어서의 상기 고비등점 용제를 휘발시켜 제거하는 제2공정;

(c) 고비등점용제를 휘발시켜 제거한 두꺼운 막 패턴형성층상에 레지스트패턴을 형성하는 제3공정;

(d) 그 레지스트패턴의 열린 곳의 두꺼운 막 패턴형성층을 샌드블라스트가공에 의하여 제거하는 제4공정;

(e) 두꺼운 막 패턴형성층상의 레지스트패턴을 제거하는 제5공정;

(f) 소성에 의하여 두꺼운 막 패턴형성층을 소결하는 제6공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또 상기한 제1패턴형성방법에 있어서, 베이스필름상에 형성된 두꺼운 막 패턴형성층이 무기입자 100중량%에 대하여 열가소성수지를 3중량%∼30중량%의 비율로 함유함과 더불어 고비등점용제를 2중량%∼30중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 한다.

또 상기한 제1패턴형성방법에 있어서, 두꺼운 막 패턴이 플라즈마디스플레이패널에 있어서는 장벽형성층, 전극형성층인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제1패턴형성방법은 사용하는 전사시트에 있어서의 두꺼운 막 패턴형성층의 보유성이 높고 감긴 상태에서 보존성, 취급성이 뛰어나고, 또 유리기판에의 전사성이 뛰어남과 더불어 전사시트를 적당한 형상으로 절단하는 경우에도 무기입자이 먼지나 쓰레기로 되는 일이 없어 표면평활성이 뛰어나고 또한 막두께가 균일하며 분포정밀도가 양호한 두꺼운 막 패턴의 형성이 가능한 것이다. 또 레지스트가 약한 경우에도 장벽형성층중에 휘발성 물질을 남기지 않기 때문에 레지스트패턴에 악영향이 미치는 것을 피할 수 있고 레지스트패턴의 박리 등이 생기는 일 없이 두꺼운 막 패턴을 원료에 대한 제품의 비율을 좋게 형성할 수 있다.

본 발명의 제2패턴형성방법은 베이스필름상에 적어도 무기입자과 열용융성유기물로 된 잉크층이 형성된 전사시트를 그 잉크층쪽으로부터 플라즈마디스플레이패널 부재상에 라미네이트한 후, 상기 전사시트의 배면으로부터 플라즈마디스플레이패널 구성층의 패턴형상에 서멀헤드에 의한 가열 또는 레이저광을 조사하여 그 가열된 부위에 있어서의 상기 잉크층을 플라즈마디스플레이패널 부재상에 전사하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제2패턴형성방법은 기판상에 두꺼운 막 패턴을 형성하는데에 적합하고 특히 정밀도가 높고 섬세한 패터닝이 요구되는 전극형성층의 형성에 적합한 것이다. 또 전사시트를 사용해서 형성하는 것이기 때문에 제작시간을 단축할 수 있고 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 표면평활성이 뛰어나고 또한 막두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 두꺼운 막 패턴을 형성할 수 있다.

본 발명의 제3패턴형성방법은, 볼록형상패턴에의 잉크층 형성방법에 있어서 스트라이프형상의 볼록형상패턴을 가진 기판위의 베이스필름상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 소성에 의하여 제거되는 수지를 함유하는 잉크층을 가진 전사시트를 그 잉크층쪽으로부터 라미네이트하고 그 잉크층을 볼록형상패턴을 가진 기판상에 전사할 때에 상기 전사시트를 볼록형상패턴의 스트라이프 방향과 평행한 방향으로 라미네이트해서 잉크층을 전사하는 것을 특징으로 한다.

상기 제3패턴형성방법에 있어서, 볼록형상패턴이 플라즈마디스플레이패널에 있어서의 전극패턴이고, 잉크층이 유전체층형성용 잉크층이며, 그 잉크층이 전극패턴을 가진 기판상에 전사되는 것을 특징으로 한다.

상기 제3패턴 형성방법에 있어서, 기판이 유리기판상에 하지층을 통하여 전극패턴을 갖는 것이고, 잉크층이 전극패턴을 구비한 하지층상에 전사되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 제3패턴형성방법은 볼록형상전극패턴 위도 포함하여 기판상에 전사누락이 없는 유전체층을 형성할 수 있고 원료에 대한 제품의 비율을 향상할 수 있음과 더불어 제작시간을 단축할 수 있고, 또 전사에 의하여 형성되는 유전체층 표면은 베이스필름의 표면에 대응하는 것이기 때문에 표면평활성이 뛰어나고 또한 막두께가 균일하며, 분포정밀도가 양호한 것으로 된다.

이하, 본 발명의 전사시트 및 패턴형성방법이 적용되는 전극, 유전체, 장벽 등의 미세한 패턴을 PDP제작을 예로들어 설명한다.

AC형 PDP는, 예컨대 도 31에 나타낸 바와 같이 2장의 유리기판(1),(2)이 서로 평행하게 마주보도록 배치되어 형성되어 있고, 양자는 배면판이 되는 유리기판(2)상에 서로 평행하게 형성된 셀장벽(3)에 의해 일정한 간격으로 유지되어 있다. 전면판이 되는 유리기판(1)의 배면측에는 방전유지전극인 투명전극(4)과 버스전극인 금속전극(5)으로 구성되는 복합전극이 서로 평행하게 형성되고, 이것을 덮어서 유전체층(6)이 형성되어 있고, 또한 그 위에 보호층인 산화마그네슘(Mg0)층이 형성되어 있다.

또 배면판이 되는 유리기판(2)의 전면측에는 어드레스전극(8)이 상기 복합전극과 직교하도록 셀장벽(3)의 사이에 위치하여 서로 평행으로 형성되어 있고 셀장벽(3)의 벽면과 셀바닥면을 덮도록 형광체면(9)이 형성되어 있다.

또 도 32에 나타낸 바와 같이 하지층(10)을 배면판이 되는 유리기판(2)에 형성한 후 어드레스전극(8), 유전체층(6'), 셀장벽(3), 형광체면(9)을 순차적으로 형성한 구조로 하는 경우도 있다.

이 AC형 PDP는 면방전형(面放電型)으로서 전면판상의 복합전극사이에 교류전압을 인가해서 공간에 누설된 전계로 방전시키는 구조이다. 이 경우 교류가 걸려있기 때문에 전계의 방향은 주파수에 대응해서 변화한다. 그리고 이 방전에 의해 생기는 자외선이 형광체(9)을 발광시키므로 전면판을 투과하는 광을 관찰자가 눈으로 보아 확인할 수 있는 것이다. 또 DC형 PDP에 있어서 전극은 유전체층으로 피복되어 있지 않은 구조를 갖는 점에 있어서는 상위하나 그 방전현상은 동일하다.

본 발명의 제1전사시트에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.

도 1 내지 도 5는 본 발명 제1전사시트의 단면도이며, 도면중 11은 베이스필름, 12는 잉크층, 13은 보호필름, 14는 박리층, 15는 접착층, 16은 내열층을 나타낸다.

본 발명의 제1전사시트에 대하여 도 1에 의거하여 설명한다. 본 발명의 전사시트는 도 1에 나타낸 것과 같은 평판형상뿐 아니라 롤형상이어도 된다.

베이스필름(11)은 잉크층(12)에 있어서의 용제에 침해하지 않고 공정중에 있어서의 가열처리에 의해 수축연신하지 않을 필요가 있으며, 고분자재료로서는 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 1, 4-폴리시클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리페닐렌설파이드, 폴리스틸렌, 폴리프로필렌, 폴리설폰, 아미드, 폴리카보네이트, 폴리비닐알콜, 셀로판, 초산셀룰로오스 등의 셀룰로오스유도체, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 나일론, 폴리이미드, 이오노머 등의 각 필름, 시트등을 예로 들 수 있다. 알루미늄, 동, 인버재료(36Ni-Fe합금, 42Ni-Fe합금)등의 금속이나 합금시트, 또한 유리나 무기재료로 이루어지는 세라믹시트 혹은 이들의 복합시트를 예로 들 수 있다. 특히 복합시트로서 고분자필름과 세라믹시트 또는 열변형이 작은 금속시트와의 적층시트를 사용하면 유연하고 기계적 강도가 강하며 열변형이 작은 시트를 얻을 수 있으므로 바람직하다.

이것은 베이스필름에는 실리콘처리, 멜라민처리, 코로나처리 등에 의하여 표면의 젖는 성질을 바꾸는 처리를 해도 된다. 베이스필름의 막두께는 4㎛∼400㎛로 하며, 5㎛∼200㎛로 하는 것이 보다 바람직하다.

잉크층(12)의 용도가 PDP 등의 하지형성층, 유전체형성층과 같은 유전체인 경우에는 그 잉크재료는 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자과 소성에 의해 제거되는 수지성분으로 이루어진다.

글래스플릿으로는 그 연화점이 350℃∼650℃이고, 열팽창계수 α₃₀₀이 60×10^-7/℃∼100×10^-7/℃인 것을 들 수 있다. 글래스플릿의 연화점이 650℃를 넘으면 소성온도를 높일 필요가 있고, 그 적층대상에 따라서는 열변형하기도 하므로 바람직하지 않다. 또 350℃보다 낮으면 수지 등이 분해, 휘발하기 전에 글래스플릿이 융착하고 층중에 빈간격등이 발생하게 되므로 바람직하지 않다. 또 열팽창계수가 60×10^-7/℃∼100×10^-7/℃의 범위외이면 유리기판 열팽창계수의 차이가 커서 찌그러지므로 바람직하지 않다.

또 무기입자으로서는 글래스플릿의 다른 무기분체, 무기안료를 각각 2종류 이상 혼합해서 사용해도 된다. 무기분체는 골재로서 필요에 따라 첨가된다. 무기분체는 소성할 때의 유연방지, 치밀성향상을 목적으로 하는 것으로 글래스플릿보다 연화점이 높은 것이어야 한다. 예를 들면 산화알루미늄, 산화붕소, 실리카, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화칼슘, 산화스트론튬, 산화발륨, 탄산칼슘 등의 각 무기분체를 무기분체로 사용할 수 있고, 평균입자 직경 0.1㎛∼20㎛의 것이 예시되어 있고, 무기분체의 사용비율은 글래스플릿 100중량%에 대해서 무기분체 0중량%∼30중량%로 하면 된다.

또한 무기안료는 외광반사를 저감시키고 실용상의 콘트라스트를 향상시키기 위하여 필요에 따라 첨가하는 것으로서, 암색(暗色)으로 할 경우에는 내화성의 암색안료로서 Co-Cr-Fe, Co-Mn-Fe, Co-Fe-Mn-Al, Co-Ni-Cr-Fe, Co-Ni-Mn-Cr-Fe, Co-Ni-Al-Cr-Fe, Co-Mn-Al-Cr-Fe-Si등을 사용할 수 있다. 또, 내화성의 백색안료로서는 산화티탄, 산화알루미늄, 실리카, 탄산칼슘 등을 사용할 수 있다. 무기안료는 글래스플릿 100중량%에 대해서 0중량%∼30중량% 함유시키면 된다.

다음에 열가소성수지는 예를 들면 PDP나 다층전극판을 제작할 때에 소성에 의하여 제거되는 성분으로서, 소성할 때 휘발·분해하여 패턴속에 탄화물을 잔존시키지 않는 것이고, 무기입자의 바인더로서 전사성의 향상을 목적으로 함유시키는 것이다. 예컨대 메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, n-프로필아크릴레이트, n-프로필메타크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소프로필메타크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, n-부틸메타크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소부틸메타크릴레이트, tert-부틸아크릴레이트, tert-부틸메타크릴레이트, n-펜틸아크릴레이트, n-펜틸메타크릴레이트, n-헥실아크릴레이트, n-헥실메타크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-에틸헥실메타릴레이트, n-옥틸아크릴레이트, n-옥틸메타크릴레이트, n-데실아크릴레이트, n-데실메타크릴레이트, 2-히도록시에틸아크릴레이트, 2-히도록시에틸메타크릴레이트, 2-히도록시프로필아크릴레이트, 2-히도록시프로필메타크릴레이트, 스틸렌, α-메틸스틸렌, n-비닐-2-피로리돈 등의 1종 이상으로 구성되는 폴리마 또는 코폴리마, 에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스유도체 등을 들 수 있다.

무기입자과 열가소성수지와의 사용비율은 무기입자 100중량%에 대해서 열가소성수지 3중량%∼50중량%, 바람직하게는 5중량%∼30중량%의 비율로 한다. 잉크층에 있어서 열가소성수지가 3중량%보다 적으면, 잉크층의 보유성이 낮고 특히 감긴 상태에서의 보존성 및 취급성에 문제가 생기고 또 전사시트를 적절한 형상으로 절단하는 경우에는 무기입자이 쓰레기로 되어 PDP제작에 지장을 주는 문제가 발생한다. 또 50중량%보다 많아지면, 소성후의 막중에 탄소가 남고 품질이 저하되므로 바람직하지 않다.

또한 잉크층(12)에는 필요에 따라 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등이 첨가된다.

가소성은, 전사성, 잉크의 유동성을 향상시키는 것을 목적으로 하여 첨가된다. 예를 들면 디메틸프탈레이트, 디부틸프랄레이트, 디-n-옥틸프탈레이트 등의 노말알킬프탈레이트류(類), 디-2-에틸헥실프탈레이트, 디이소데실프탈레이트, 부틸벤질프탈레이트, 디이소노닐프탈레이트, 에틸프탈에틸글리코레이트, 부틸프탈릴부틸글리코레이트 등의 프탈산(酸)에스테르류(類), 트리-2-에틸헥실트리멜리테이트, 트리-n-알킬트리멜리테이트, 트리이소노닐멜리테이트, 트리이소디실트리멜리테이트 등의 트리메릿트산(酸)에스테르, 디메틸아디페이트, 디부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디이소디실아디페이트, 디부틸디글리콜아디페이트, 디-2-에틸헥실아세테이트, 디메틸세버케이트, 디부틸세버케이트, 디-2-에틸헥실세버케이트, 디-2-에틸헥실마레이트, 아세틸-트리(2-에틸헥실)시트레이트, 아세틸-트리-n-부틸시트레이트, 아세틸트리부틸시트레이트 등의 지방족이 염기산 에스테르류(類), 폴리에틸렌글리콜벤조에이트, 트리에틸렌글리콜-디-(2-에틸헥소에이트), 폴리글리콜에테르 등의 글리콜유도체(誘導體), 글리세롤트리아세테이트, 글리세롤디아세틸모노라우레이트 등의 글리세린유도체, 세버신산(酸), 아디핀산(酸), 아세라인산(酸), 프탈산(酸) 등으로 되는 폴리에스테르계(系), 분자량 300∼3,000의 저(低)분자량 폴리에테르, 같은 저분자량 폴리-α-스틸렌, 같은 저분자량 폴리스틸렌, 트리메틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리-2-에틸헥실포스페이트, 드리프트키시에틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 트리크레딜포스페이트, 트리키시레놀포스페이트, 크레딜디페놀포스페이트, 키시레놀디페놀포스페이트, 2-에틸헥실디페닐포스페이트 등의 정(正)린(酸)에스테르류(類), 메틸아세틸리시놀레이트 등의 리시놀산(酸)에스테르류(類), 폴리-1, 3-부탄디올아디페이트, 에폭시화(化)대두류(大豆類) 등의 폴리에스테르·에폭시(化)에스테르류(類), 글리세린트리아세테이트, 2-에틸헥실아세테이트 등의 초산(醋酸)에스테르류(類)가 예시되어 있다.

분산제, 침강방지제로서는 무기입자의 분산성, 침강방지성의 향상을 목적으로 하는 것이고, 예를들면 인산(燐酸)에스테르계(系), 실리콘계, 피마자유(油)에스테르계, 각종 계면활성제 등이 예시되어 있다. 소포제(消泡劑)로서는 예를들면 실리콘계, 아크릴계, 각종 계면활성제 등이 예시되어 있다. 박리제(剝離劑)로서는 예컨대 실리콘계, 불소유(油)계, 파라핀계, 지방산계, 지방산에스테르계, 피마자유계, 왁스계, 콤파운드타잎계가 예시되어 있다. 레벨링제(劑)로서는 예컨대 불소계, 실리콘계, 각종 계면활성제 등이 예시되어 있고, 각각 적당한 양이 첨가된다.

상기한 재료는 메탄올, 에탄올, 이소프로탄올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 키시렌, 시크로헥사논 등의 아논류(類), 염화메틸렌, 3-메톡시부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류(類), 에틸렌글리콜알킬에테르아세테이트류(類), 디에틸렌글리콜모노알킬에테르류(類), 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류(類), 프로필렌글리콜모노알킬에테르류(類), 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류(類), 디프로필렌 글리콜모노알킬에테르류(類), 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류(類), α-또는 β-텔피오넬 등의 텔펜류(類), N-메틸-2-피로리돈 등에 용해 또는 분산시켜서 베이스필름 상에 다이코드, 브레드코드, 콤마코드, 롤코드, 글라비어리버스코드법(法), 글라비어다이렉트법(法), 슬릿리버스법(法)등에 의하여 도포하고, 건조시키면 소정의 막두께로 되게 된다.

다음에, 본 발명 제1전사시트의 다른 태양은 도 2에 나타낸 것과 같이 잉크층(12)상에 보호필름(13)을 필요에 따라서 적층한 것이다.

보호필름(13)은 잉크층의 표면에 손상방지, 쓰레기혼입방지, 브록킹방지 등을 목적으로 하여 필요에 따라서 맞게 붙여지는 것이다. 예를들면 폴리에틸렌테레프탈레이트필름, 1,4-폴리시크로헥시렌디메틸렌테레프탈레이트필름, 폴리에틸렌나프타레이트필름, 폴리페닐렌설파이드필름, 폴리스틸렌필름, 폴리프로필렌필름, 폴리살폰필름, 아라미드필름, 폴리카보네이트필름, 폴리비닐알콜필름, 셀로판, 초산룰로우즈 등의 셀룰로우즈유도체(誘導體)필름, 폴리에틸렌필름, 폴리염화비닐필름, 나이론필름, 폴리이미드필름, 아이오노마필름 등으로서 적층면이 실리콘처리, 아크릴멜라닌처리, 왁스처리 등에 의하여 박리처리된 막두께 1㎛∼400㎛, 바람직하기는 4.5㎛∼200㎛의 것이다.

본 발명 제1전사시트의 다른 태양은 도 3에 나타낸 바와같이 잉크층(12)을 베이스필름(11) 상에 필요에 따라서 박리층(14)을 통하여 적층한 것이다. 박리층(14)은 전사할때에 잉크층의 박리성을 향상시키는 것을 목적으로 하여 필요에 따라서 형성되는 것이다. 폴리에틸렌왁스, 아미드왁스, 테프론파우다, 실리콘왁스, 칼나바왁스, 아크릴왁스, 파라핀왁스 등의 왁스류(類), 불소계수지, 멜라민계수지, 폴리오레핀수지, 전리(電離)방사선 경화형의 다관능(多官能)아크릴레이트수지, 폴리에스텔수지, 에폭시수지, 아미노 변성(變性), 에폭시변성, OH변성, COOH변성, 촉매경화형, 광경화형, 열경화형의 실리콘오일, 또는 폴리디메틸실리콘고무, 페닐변성 실리콘고무, 에폭시변성 실리콘고무, 우레탄변성 실리콘고무 등의 실리콘수지가 예시되어 있다.

본 발명 제1전사시트의 다른 태양은 도 4에 나타낸 바와같이 보호층(13)이 박리가능하게 접착층(15)을 통하여 잉크층(12)상에 적층된 것이다.

접착층(15)은 피전사체에의 전사성을 향상시킨 것을 목적으로하여 필요에 따라서 형성되는 것이고, 잉크층을 구성하는 열가소성수지 등의 유기성분용액을 도포해도 좋고 또 점착제층으로 해도 된다.

본 발명 제1전사시트의 다른 태양은 도 5에 나타낸 바와같이 베이스필름(11)의 잉크층(12)을 형성한 면과는 반대측의 면에 필요에 따라서 내열층(16)을 형성한 것이다. 내열층(16)은 열전사를 할 때의 내열활성성(耐熱滑性性)을 부여하기 위하여 필요에 따라서 형성하는 것으로서, 예를들면 서멀헤드 등을 사용해서 전사하는 경우에 적합하고, 실리콘수지, 에폭시수지, 멜라민수지, 페놀수지, 불소수지, 폴리이미드수지, 히드록시셀룰로오스 등의 1종 또는 2종 이상으로 되고, 필요에 따라서 이소시아네이트 등에 의하여 열경화되도록 해도 좋다.

또 내열층(16)은 도시하지 아니하였으나 도2∼도4의 전사시트에 있어서도 그와같이 형성해도 좋고, 또 본 발명의 제1전사시트는 도1∼도5에 나타낸 각층을 모두 조합한 구조의 것으로 해도 좋다.

본 발명의 제1전사시트는, 예컨대 PDP의 층구성을 적층할 때, 그 잉크층을 열롤, 레이저광, 서멀헤드, 열프레스 등의 방법에 의하여 전사할 수 있다. 그리고 전사된 잉크층은 350℃∼650℃의 소성온도에서 잉크층에 있어서의 유기성분을 기화, 분해, 휘발시킴으로써 용융한 글래스플릿에 의하여 무기분체가 치밀하게 결합한 것으로 된다.

다음에 본 발명의 제2전사시트에 대하여 설명한다.

도 6은 본 발명 제2전사시트의 단면도이고, 도면중 11은 베이스필름, 12는 잉크층이다.

먼저, 잉크층(12)이 예를들면 PDP에 있어서의 하지형성층이나 유전체층형성층인 경우에 대하여 설명한다.

베이스필름(11)은 제1전사시트와 동일하다. 또 잉크층(12)은 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자와 소성에 의하여 제거되는 수지로 이루어진다. 글래스플릿 및 무기입자는 제1전자시트와 동일하다. 소성에 의하여 제거되는 수지로는 PDP나 다층(多層)전극판을 제작할때에 소성제거되는 것이고, 열가소성수지, 경화성수지 등이 사용된다. 열가소성수지는 제1전사시트와 동일하다. 경화성수지로서는 경화후 소성할 때에 분해·제거되는 것이고, 공지의 전리(電離)방사선경화성수지나 열경화성수지를 사용할 수 있다. 전리방사선경화성수지로서는 자외선 또는 전자선 경화성수지 등이 사용될 수 있고, 분자 중에 중합성(重合性) 불포화(不飽和)결합 또는 에폭시기(基)를 가진 프레폴리머, 올리코머 및 또는 단량체(單量體)를 적절하게 혼합한 조성물을 사용할 수 있다. 프레폴리머, 올리고머로서는 불포화 디카르본산(酸)과 다가(多價)알콜의 축합물(縮合物) 등의 불포화폴리에스테르류(類), 에폭시수지, 폴리에스테르메타크릴레이트, 폴리에테르메타크릴레이트, 폴리올메타크릴레이트 등의 메타크릴레이트류(類), 폴리에스테르아크릴레이트, 폴리에테르 아크릴레이트, 폴리올아크릴레이트 등의 아크릴레이트류(類)등을 들수 있다. 단량체로서는 적어도 하나의 중합가능한 탄소-탄소불포화결합을 가진 화합물(化合物)을 들수 있다.

예를들면 아릴아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 프톡시 에틸아크릴레이트, 프톡시에틸렌글리콜아크릴레이트, 시크로헥실아크릴레이트, 디시크로펜탈올아크릴레이트, 디시크로펜탄올아크릴리시딜아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 글리세롤아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 이소보닐아크릴레이트, 이소덱실아크릴레이트, 이소옥틸아크릴레이트, 라우릴아크릴레이트, 2-메톡시에틸 아크릴레이트, 메톡시 에틸렌 글리콜 아크릴레이트, 페녹시에틸 아크릴레이트, 스테아릴아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,4-부탄디올디아크릴레이트, 1,5-프펜탄디올디아크릴레이트, 1,6-헥산디올아크릴레이트, 1,3-프로판디올디아크릴레이트, 1,4-시크로헥산디올디아크릴레이트, 2,2-디메탄올프로판디아크릴레이트, 글리세롤디아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트, 글리세롤트리아크릴레이트, 트리메틸롤프로판트리아크릴레이트, 폴리옥시에틸화(化)트리메틸롤프로판트리 아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리옥실프로필트리메틸롤프로판트리아크릴레이트, 부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,2,4-부탄트리올트리아크릴레이트, 2,2,4-트리메틸-1, 3-펜탄디올디아크릴레이트, 디아릴푸마레이트, 1,10-데칸디올디메틸아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트 및 상기한 아크릴레이트체(體)를 메타크릴레이트체(體)로 바꾼 것, γ-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 1-비닐-2-피롤리돈 등의 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 들수 있다.

특히 자외선경화형의 경우에는 상기 조성물에 광개시제(光開始劑)로서, 벤조페놀, o-벤조일 안식향산(安息香酸)메틸, 4,4-비스(디메틸아미노) 벤조페논, 4,4-비스(디에틸아미노), 벤조페논, α-아미노 아세토페논, 4,4-디클로로벤조페논, 4-벤조일-4-메틸디페닐케톤, 디벤질케논, 플루오레논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-히드록시-2-메틸프로피오페논, p-tert-부틸디클로로아세토페논, 2-메틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-인프로필티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, 벤질메톡시에틸아세탈, 벤조인메틸에테르, 벤조인부틸에테르, 안트라퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 2-아밀안트라퀴논, β-클로로안트라퀴논, 안트론, 벤즈안트론, 디벤즈스베론, 메틸렌안트론, 4-아지드벤질아세토페논, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)시클로헥산, 2,6-비스(p-아지드벤질리덴)-4-메틸시클로헥사논,2-페닐-1,2-부타디온-2-(o-메톡시카르보닐)옥심, 1-페닐프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, 1-페닐-3-에톡시프로판트리온-2-(o-벤조일)옥심, 미힐러케톤, 2-메틸-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1, 나프탈렌술포닐클로라이트, 퀴놀린술포닐클로라이드, 페닐티오아크리돈, 4,4-아조비스이소부티로니토릴, 디페닐디술피드, 벤조티아졸디술피드, 트리페닐포스핀, 캄파퀴논, 사취소화탄소(四臭素花炭素), 트리브로모페닐술폰, 과산화(過酸化) 벤조일, 에오신, 메틸렌블루등의 광환원성(光還元性)의 색소와 아스코르빈산(酸), 트리에탄올아민 등의 환원제(還元劑)의 조합(組合)등을 들수 있고, 또 이들 광개시제의 1종 또는 2종 이상을 조합해서 사용해도 좋다. 경화성수지로서 감광성수지를 사용하는 경우에는 마스크를 통하여 전극형성층 등의 패터닝이 가능하게된다. 무기입자와 열가소성수지 또는 경화성수지의 사용비률은 무기입자 100중량%에 대하여 수지 2중량%∼70중량%, 바람직하기로는 5중량%∼50중량%의 비율로 된다. 잉크층에 있어서 수지가 2중량%보다 적으면 잉크층의 유지성이 낮고, 특히 감은 상태에서의 보존성, 취급성에 문제를 발생하고 또 70중량%보다 많아지면 소성후의 막 안에 카본이 남고 품질이 저하하기 때문에 바람직하지 못하다. 또 잉크층에는 필요에 따라서 가소제(可塑劑), 분산제(分散劑), 침강방지제(沈降防止制), 소포제(消泡劑), 박리제(剝離制), 레베닝제(制)등이 제1전사시트와 동일하게 첨가되어 잉크층은 제1전사시트와 마찬가지로 도포형성된다.

다음에 잉크층(12)이 예컨대 PDP에 있어서의 전극 형성층인 경우에 대하여 설명한다. 전극형성층은 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자, 소성에 의하여 제거될 수지, 도전성입자, 필에 따라서 증점제(增粘劑)로 이루어진다.

소성에 의해 제거될 수지가 열가소성수지인 경우에 대하여 설명한다. 무기입자로서는 위에서 설명한 글래스플릿, 무기골재, 무기안료와 같은 것을 사용할 수 있고, 무기골재는 글래스플릿 100중량%에 대하여 0중량%∼10중량%로 하면 좋다. 또 열가소성수지로서는 제1전사시트와 같은 것이 사용되고, 수지성분의 전극형성층 형성용 도액(塗液)중의 함량은 2∼70중량%, 바람직하기로는 5∼50중량%이다.

전도성입자로서는 금, 은, 동, 닛켈, 알루미늄 등의 구형(球形)금속입자를 들 수 있고, 전도성입자 100중량%에 대하여 글래스플릿을 2중량%∼20중량%로 하면 좋다. 증점제(增粘劑)는 점도를 증대시키는 것이고 공지의 것을 사용할 수 있는데, 예를들면 히도록시에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 알긴산(酸)소다, 카제인, 카제인산(酸)소다, 크산탄검, 폴리비닐알콜, 폴리에테르우렌변성물( 性物), 폴리아크릴산(酸)에스테르, 폴리메타크릴산(酸)에스테르, 몬모타로나이트, 스테아린산(酸)알루미늄, 스테아린산(酸)아연, 옥틸산(酸)알루미늄, 물첨가 피마자유(油), 피마자유에스테르, 지방산(脂肪酸)아마이드, 산화(酸化)폴리에틸렌, 덱스트린지방산에스테르, 디벤질리덴솔비톨, 식물유계 중합유(重合油), 표면처리 탄산칼슘, 유기벤토나이트, 실리카, 티타니아, 지르코니아, 알루미나 등의 미분말(微粉末)등을 들 수 있다. 증점제의 함유량은 도전성 분말 100중량%에 대하여 0.1중량%∼20중량%, 바람직하기로는 1중량%∼10중량%이고, 0.1중량%미만이면 증점효과가 없고, 20중량%보다 많으면 전극으로서의 특성에 단선(斷線)등의 악영향을 야기한다.

또 전극형성층에는 그 도포성 등을 개선하기 위하여 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레베링제를 첨가해도 좋다. 어느 것이나 위에서 설명한 제1전사시트와 같은 것이 사용되고, 같은 용제(溶劑)와 혼합되어 롤밀에 의하여 혼련(混練)해서 페이스트상(狀)의 도액(塗液)으로 되게 하거나 또는 폴밀 등에 의하여 혼련해서 스랄리상(狀)의 도액으로 하게 된다.

다음에 소성에 의하여 제거될 수지가 경화성 수지인 경우에 대하여 설명한다. 경화성의 전극형성층 형성용 페이스트는 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자, 경화성수지, 전도성 입자로 구성된다.

무기입자로서는 제1전사시트와 동일하게 글래스플릿, 무기골재, 무기안료와 같은 것이 사용된다. 또 경화성수지로서는 위에서 설명한 경화성수지가 같이 사용된다. 경화성 수지의 전극형성층 형성용 페이스트 중의 함량은 5중량%∼95중량%, 바람직하기는 10∼50중량%이다. 또 도전성 입자에 대하여는 위에서 설명한 바와 같으며, 전극형성층 형성용 페이스트 중의 도전성 분말의 함량은 95중량%∼30중량%, 바람직하기는 95중량%∼60중량%이다. 또 전극형성층 형성용 도액에는 필요에 따라서 제1전사시트와 동일하게 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레베링제를 첨가해도 좋고, 제1전사시트와 동일하게 용제(溶劑)와 혼합하여 롤밀로 혼련해서 페이스트상(狀)의 도액으로 되게 하거나 또는 폴밀 등으로 혼련해서 슬러리상(狀)의 도액으로 하게 된다.

전극형성층 형성용 도액은 도 22에 나타낸 것과 같은 오목판 옵셋인쇄에 의한 방법 , 또 도 23에 나타낸 오목판롤을 사용하는 방법으로 도포되어 전극형성층을 베이스필름 상에 패턴형상으로 형성할 수 있다. 오목판롤을 사용하는 방법에 있어서는 소성에 의하여 제거될 수지로서 바람직하게는 감광성 경화성 수지를 사용하면 좋다.

또, 소성에 의하여 제거될 수지가 열가소성수지인 경우에는 도액을 베터도포한 후, 포토리소그래피법(法)에 의하여 전극패턴형상으로 패터닝처리해도 된다. 또 소성에 의하여 제거될 수지가 감광성 수지인 경우에는 마스크를 통하여 패턴노광하여 전극패턴형상으로 해도 된다. 또한 베이스필름 상에 감광성수지 도액을 베터도포하여 기판에 전사한 후, 전극형성층을 포토리소그래피법에 의하여 전극패턴형상으로 해도 좋다. 잉크층(12)이 하지형성층인 경우에는 건조 막두께로서는 10㎛∼50㎛, 바람직하게는 15㎛∼30㎛로 된다. 또 유전체층형성층인 경우에는 건조 막두께로서는 10㎛∼25㎛, 바람직하기는 15㎛∼40㎛로 된다. 전극형성층인 경우에는 건조 막두께로서는 3㎛∼30㎛, 바람직하기는 7㎛∼25㎛로 된다.

본 발명의 제2전사시트는 소망하는 잉크층(12)의 건조막두께에 대하여 그 잉크층 성분 중에 있어서의 글래스플릿, 필요에 따라 첨가되는 무기골재, 무기안료 등의 무기입자의 입자직경이 큰 무기입자분이 전 무기입자 중 30중량%이하, 바람직하기는 0중량%로 하는 것을 특징으로 한다.

잉크층(12)의 건조막두께보다 입자직경이 큰 무기입자가 무기입자 중에 30중량%보다 많이 포함되어 있으면, 전사층 표면이 매트상(狀)으로 되어 전사하기 어렵게 되는 문제나 또 전사할 때에 기포가 혼입되어 전사불량으로 되는 문제가 발생한다. 그렇기 때문에 무기입자는 글래스플릿, 무기골재, 무기안료 각각의 입자직경의 분포에 있어서, 소망하는 건조 막두께보다 큰 입자의 비율이 30중량% 이하인 것을 선택해서 사용하면 좋다. 또 매쉬 등에 의한 선별작업에 의하여 소망하는 건조막두께보다 큰 입자직경의 입자를 제거해서 사용하면 좋다.

본 발명의 제2전사시트에 있어서도 제1전사시트와 동일하게 잉크층(12)상에는 보호필름이 필요에 따라서 적층되어도 좋으며 또 보호필름이 잉크층(12) 상에 필요에 따라서 접착층을 통하여 적층되어도 된다. 또 전사성을 향상시키는 것을 목적으로 하여 잉크층(12)과 베이스필름(11)과의 사이에 필요에 따라서 박리층을 형성해도 좋다. 또한 베이스필름(11)에 있어서 잉크층(12)을 형성한 면과는 반대측의 면에 필요에 따라서 내열층이 형성되어도 된다.

본 발명의 제2전사시트는 PDP의 층구성을 위하여 적층할 때, 그 잉크층(12)을 열롤, 레이저광(光), 서멀헤드, 열프레스 등의 방법에 의하여 PDP기판 상에 전사하는 데에 사용되고, 그 잉크층 표면은 평활(平滑)하고, 전사성이 뛰어난 것이며, 또 기포 등이 휩쓸려 들어가지 않게 한 것으로 될 수 있다.

PDP기판 상에 전사된 각각의 잉크층은 350℃∼650℃의 소성온도에서 잉크층에 있어서의 수지 등의 유기성분을 기화, 분해, 휘발시키고, 또 용융한 글래스플릿에 의하여 무기골재가 치밀하게 결합한 것으로 되는 것이고, 전사된 잉크층의 표면도 베이스 필름의 평활성에 대응한 평활면으로 된다.

다음에, 본 발명의 제3전사시트를 도면에 의하여 설명한다.

도 7∼도9는 본 발명의 제3전사시트의 단면도이고, 도면 중 11은 베이스필름, 14는 박리층, 12는 잉크층, 15는 접착층이다.

베이스필름(11)은 제1전사시트와 동일하다. 박리층(14)은 베이스필름(11)상에 예를 들면 PDP에 있어서의 하지형성층패턴, 유전체층형성층패턴, 전극형성층패턴, 장벽형성층패턴형상으로 형성되어 잉크층(12)이 다시 적층된 것이다. 본 발명에 있어서의 제3전사시트는, PDP기판을 중합시켜서 열(熱)라미네이트할 때에 패턴형상의 박리층(14)이 형성되어 있는 부분의 잉크층(12)과 박리층(14)이 형성되어 있지 아니한 부분의 잉크층(12) 각각의 베이스필름(11)에 대한 접착성의 차이를 이용해서 패턴형상의 박리층(14)이 형성되어 있는 부분의 잉크층(12)만을 예를 들면 PDP기판 상에 전사시키는 것이다.

패턴형상의 박리층(14)은 베이스필름(11)상에 오목판옵셋 인쇄 등의 옵셋인쇄, 오목판롤, 그라비어인쇄, 다이코트 등에 의해 형성되면 좋다.

오목판옵셋인쇄에 의하여 형성하는 방법을 도10에 의해 설명한다.

도면중 21은 백업롤러, 22는 오목판, 22a는 오목부, 11은 베이스필름이다. 이 방법은 평판상의 오목판을 사용하는 것이지만 평오목판옵셋, 볼록판 옵셋이라도 좋고, 또 실린더상의 오목판 옵셋이어도 된다. 도10에 나타낸 바와같이 베이스필름(11)을 백업롤(21)에서 박리층 패턴형상의 오목판(22)상에 누루고, 백업롤(21)을 화살표 A방향으로 이동시킴으로써 오목판(22)의 오목부(22a)에 계속지니고 있는 박리층형성재료(14')를 베이스필름(11)상에 전이시켜서 패턴형상의 박리층(14)을 형성하면 된다. 오목판에서의 오목부(22a)의 깊이 (판의깊이)는 패턴형상의 박리층(14)의 막두께에 대응하지만 3μm-50μm의 판깊이로 하면 된다.

박리층형성재료(14')는 제 1 전사시트와 동일하다. 또 패턴형상의 박리층(14)상에 형성되어 있는 잉크층(12)으로서는 잉크층이 하지형성층, 유전체층형성층, 장벽형성층인 경우에 잉크층은 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자과 열가소성수지로 이루어지고, 그 상세한 것은 제 1 전사시트와 같다.

또, 잉크층은 필요에 따라서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제등이 첨가되고, 그 상세한 것은 제 1전사시트와 같으며, 마찬가지로 패턴형상의 박리층(14)상에 도포형성된다.

잉크층이 전극형성층인 경우에는 적어도 글래스플릿으로 된 무기입자, 열가소성수지, 도전성분말로 구성된다. 적어도 글래스플릿으로 된 무기입자은 제 2 전사시트에서의 전극형성층과 같은 재료를 사용할 수 있고, 글래스플릿으로서는 그 평균입자의 직경이 0.3μ∼5μm의 것을 사용하면 좋고, 또 무기입자는 글래스플릿100중량%에 대해서 0 중량%- 10중량%의 것으로 하면 된다.

또 열가소성수지로서는 제 2 전사시트에서의 전극형성층과 같은 것을 사용할 수 있고, 열가소성수지의 전극형성층은 잉크층에서의 함유량이 3중량%-50중량%, 바람직하게는 5중량%∼30중량%이다.

도전성분말로서는 제 2 전사시트에서의 전극형성층과 같은 것을 사용할 수 있고, 평균 입자 직경이 0.1μm∼5μm의 구형금속분체가 바람직하다. 도전성분말과 글래스플릿의 사용함량은 도전성분말 100중량%에 대해서 글래스플릿 함량은 2중량%∼20중량%이다.

또, 그 도포성 등을 개선하기 위해서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제 , 박리제, 레벨링제를 제 2전사시트에서의 전극형성층과 같은 것을 사용할 수 있고, 같은 용제에 용해 또는 분산시켜 롤밀로 혼연해서 페이스트상의 도액으로 하든지, 또는 폴밀 등으로 혼련해서 슬러리상의 도액으로 하여 같은 방법으로 도포, 건조시켜 전극형성층으로 해도 된다.

본발명 제 3전사시트의 다른 모양은 베이스필름(11)상에 잉크층(12), 패턴형상의 접착층(15)을 차례로 형성한 것이다.

베이스필름(11)은 제 1전사시트와 같은 재료가 사용된다. 본발명은 제 3전사시트의 다른 태양에 있어서 잉크층(12)은 베이스필름(11)상에 직접, 도포형성된다.

접착층(15)은 잉크층(13)상에 예를들면 PDP에서의 하지형성층패턴, 유전체층형성층패턴, 전극형성층패턴, 장벽형성층패턴형상에 형성된다. 그리고 PDP기판을 중합시켜 열라미네이트한 때에 패턴형상의 접착층(15)이 형성되어 있는 부분의 잉크층(15)과 형성되어 있지 않은 부분의 잉크층(12) 각각의 PDP기판에 대한 접착성의 차이를 이용해서 패턴형상의 접착층(15)이 형성되어 있는 부분의 잉크층(12)만을 PDP기판상에 전사시키는 것이다.

패턴형상의 접착층(15)을 잉크층(12)상에 형성함에는 도11에 나타낸 바와 같이 일단 다른 전사용 기판(23)상에 패턴형상의 접착층을 형성한 후 전사에 의하여 잉크층형상으로 형성하면 된다. 또한 패턴형상의 접착층(15)을 직접 잉크층(12)상에 형성해도 된다. 전사기판(23)또는 잉크층상에 패턴형상의 접착층을 형성하는 방법으로서는 오목판 옵셋인쇄 등의 옵셋인쇄, 오목판롤, 그라비어 인쇄, 다이코트 등에 의하여 형성된다.

전사기판(23)상에 오목판 옵셋인쇄에 의하여 패턴형상의 접착부(15)를 형성하는 방법을 도11에 의하여 설명한다. 도면중 21은 백업롤, 22는 오목판, 22a는 오목부, 23은 전사용기판, 24는 박리층이다.

전사용기판(23)으로는 상술한 베이스필름과 같은 열신축율이 작은 수지필름, 알루미늄, 철 등의 금속박을 열거할 수 있고, 그 두께는 10∼50μm, 바람직하게는 10∼300μm의 것이다. 또 전사용기판(23)상에는 박리층(24)이 형성된다. 박리층(24)으로서는 폴리디메틸 실리콘고무, 패닐변성 실리콘고무, 에폭시변성 실리콘고무, 우레탄변성 실리콘고무 등을 이용해서 형성되는 것으로 막의 두께가 0.1∼30μm인 것이다. 또 전사용 기판(23)을 실리콘 등을 이용해서 박리처리한 것도 괜찮다.

도11에 나타낸 바와 같이 전사용기판(23)의 한쪽 면에 박리층(24)을 갖는 필름을 기판측으로 백얼롤(21)에서 접착층패턴형상의 오목판(22)상에 눌러 붙이고, 백업롤(21)를 화살표 A방향으로 이동시킴으로써 오목판(22)의 오목부(22a)에 보유되어 있는 접착층형성재료(15')를 전사용기판(23)상에 전이시킨다. 오목판에서의 오목부(22a)의 깊이(판깊이)는 패턴형상 접착층(15)의 막두께에 대응하지만 3μm∼100μm의 판깊이로 되면 좋다.

접착층형성재료(15')로서는 제 1 전사시트의 항에서 설명한 열가소성 수지를 용제로 용해시키고, 필요에 따라서 가소제, 레벨링제, 소포제를 첨가한 것을 사용하면 된다.

잉크층(12)상에 패턴형상의 접착층(15)를 형성함에는 전사용기판(23)을 잉크층(12)상에 백업롤등을 사용해서 압착하고, 패턴형상의 접착층(15)을 전사하면 된다.

또 본발명 제 3 전사시트는 도9에 나타난 바와같이 패턴형상의 박리층(14), 패턴형상의 접착층(15)을 함께 형성한 것이어도 된다. 박리층(14)의 패턴과 접착층(15)의 패턴을 각각 동일패턴으로서 대응하는 위치에 형성함으로써 잉크층(12)의 전사를 보다 확실하게 할 수 있는 것이다. 패턴형상의 박리층(14), 패턴형상의 접착층(15) 형성방법은 상술한 형성방법과 같다.

제 3 전사시트에 있어서는 필요에 따라서 보호 필름이 제 1 전사시트와 같이 박리가능하게 형성되고, 롤상, 하나의 나뭇잎형상으로 하여 유지되어도 된다.

또 도8, 도9에 도시한 전사시트에 있어서는 전사기판(23)을 사용하는 대신에 직접 필름상에 패턴형상으로 접착층을 형성한 것과, 한편 베이스필름에 잉크층 또는 패턴형상의 박리층을 통하여 잉크층을 각각 형성한 것을 각각의 접착층과 박리층이 대응하도록 위치 맞춤시켜 펴붙여서 제작하는 것도 가능하다.

본발명 제 3 전사시트는 PDP부재상에 필요에 따라서 펴붙여진 보호필름을 박리한후 열롤, 레이저광, 서멀헤드, 열프레스 등의 방법에 의해 가열압착하여, 잉크층을 패턴형상에 전사할 수 있다. 전사된 각각의 잉크층은 350℃∼650℃의 소성(燒成)온도로 소성하고, 유기성분을 기화, 분해, 휘발시킴으로써 용융한 글래스플릿에 의해 무기분체를 치밀하게 결합시키는 것도 가능하다. 본 발명 제 3 전사시트는 PDP유리기판 상에 하지형성층, 유전체형성층, 전극형성층, 장벽형성층을 각각의 패턴형상으로 전사형성하는데 적합한 전사시트이고, PDP의 제작시간을 단축할 수 있고, 가공했을 때의 원료에 대한 제품의 비율을 향상시키는 것이 가능함과 더불어 표면 평활성이 뛰어나고 또한 막 두께가 균일하여 분포정밀도가 양호한 패턴형상의 PDP각층을 직접 형성할 수 있다.

다음으로 본발명 제 4∼제13 전사시트에 대해서 설명한다. 제 4∼제 13전사시트는 PDP제작용 전사시트이고, 도12 ∼도21은 각각 그 단면도이다.

도면중 11은 베이스필름, 12a는 하지형성층, 13은 필요에 따라서 형성된 보호필름, 12b는 패턴형상의 전극형성층, 12c는 유전체층형성층, 12d는 장벽형성층, 17은 내샌드블라스트 감광성층, 18은 샌드블라스트용 마스크층이다

본발명 제 4 전사시트에 대해서 도12에 의거 설명한다.

베이스필름(11)은 제 1 전사시트와 동일하다. 유전체층형성층(12c) 은 적어도 글래스플릿을 갖춘 무기입자과 열가소성수지로 이루어 진다. 글래스플릿을 갖춘 무기입자과 열가소성수지에 관해서는 제 1 전사시트와 같다. 또 유전체층형성층에는 필요에 따라서 제 1 전사시트와 같이 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등이 첨가되고 같은 모양으로 도포액으로 되어 유전체층형성층이 도포형성된다.

다음으로 패턴형상의 전극형성층(12b)은 유전체층형성층상에 전극패턴을 전사에 의하여 형성하면 된다. 전극 패턴을 갖춘 전사용 필름의 형성방법으로서는 오목판 옵셋인쇄에 의한 방법, 또는 오목판 롤을 사용하는 방법이 바람직하다.

오목판 옵셋인쇄에 의하여 전사용 필름을 형성하는 방법을 도22에 나타냈다.

또 전사용 기판(23), 박리층(24)은 제 3전사시트 항에서 기재한 것과 같다.

도22에 나타낸 바와같이 전사용 기판(23)의 한쪽 면에 박리층(24)을 구비한 필름을 기판측 백업롤(21)에서 전극패턴형상의 오목판(22)상에 눌러붙이고, 백업롤(21)을 화살표A방향으로 이동시킴으로써 오목판(22)의 오목부(22a)에 유지되어 있는 전극형성층 형성용도포액(12b')를 박리층(24)상으로 이동시켜서 패턴형상의 전극형성층(12b)을 형성하고 전사용 필름으로 하는 것이다.

이와같이 해서 형성한 전사용 필름을 상술한 유전체층형층(12c)상에 전극형성층측으로 백업롤 등을 사용해서 압착시킴으로써 유전체형성층(12c)상에 전극형성층(12b)을 패턴형상으로 형성하는 것이 가능하다. 오목부(22a)의 깊이 (판깊이)는 소망으로 하는 전극형성층의 막 두께로 설정되면 좋고, 통상 5μm∼60μm의 판깊이로 하는 것이 좋다.

이러한 전극형성층 형성방법에 적용한 전극형성층 형성용 도포액은 적어도 글래스플릿으로 이루어진 무기입자, 열가소성수지, 도전성분말, 필요에 따라서 증점제로 구성되고, 그 상세한 것은 제 2 전사시트에서 설명한 것과 같다.

또 전극형성층형성용 도포액으로는 그 도포성 등을 개선하기 위해서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제를 첨가하여도 좋고, 어느것도 그 상세는 제2전사시트에서 설명한 것과 동일하고, 동일한 용제와 혼합되어 롤밀에 의해 혼련하여 페이스트형상의 도포액으로 하거나 또는 폴밀등에 의해 혼련하여 슬러리상의 도포액으로 된다. 전극형성층형성용도포액으로서는 그 동적 점성율이 500∼7000포이즈이고, 손실정접 tanδ가 5∼12의 범위로 된다. 동적점성율이 7000포이즈를 넘으면 오목판에서의 전사가 곤란하여 바람직하지 않다. 또한 손실정접 tanδ가 12를 넘으면 전사에 의해 형성된 패턴에 크랙이 생기므로 바람직하지 않다. 동적 펴붙임성율 및 손실정접 tanδ가 캐리맷드사제 CS레오메터에 의해 온도 23℃, 주파수 10Hz 찌그러짐 3%로 측정된다.

다음에 오목판롤을 사용하여 전사용 필름을 제작하는 장치를 도23을 사용하여 설명한다. 도면중 12b는 패턴형상의 전극형성층, 33은 롤오목판, 34는 오목부, 35는 수지공급장치, 36은 경화성의 전극형성층 형성용 페이스트, 37은 경화장치, 39는 박리롤, 40은 도공부, 44는 급지권취롤, 45는 급지측 공급롤, 47은 컨벤세터롤 48은 배지권취롤, 49는 전사용 기판이다.

전사용 필름 제작장치는 전사용 기판(49)을 공급하는 급지권취롤(44), 급지측 공급롤(45) 컨벤세터롤(47) 및 배지권취롤(48)로 구성되어 있다. 상기한 도공부(40)는 전사용 기판(49)을 누르는 누름롤(32), 오목부(34)가 각설되어 있는 롤오목판(33), 경화성의 전극형성층 형성용 페이스트(36; 이시점에서는 미경화된 액상이다)를 롤오목판(33)에 도공하기 위한 수지공급장치(35), 롤오목판의 오목부(34)에 충전된 액상의 경화성 수지(36)를 경화시켜 고화시키는 경화장치(37) 및 박리롤(39)로 구성된다.

도공부(40)에는 누름롤(32)에 의하여 전사용 기판(39)이 눌리어져, 전사용 기판(39)이 누름롤(32)와 박리롤(39) 사이의 위치에서 수지공급장치에 의하여 도공된 경화성의 전극형성층 형성용 페이스트(36)를 통하여 롤오목판(33)의 판면에 밀착된다. 그리고 롤오목판(33)은 전동기 등에서 구동되는 구동장치(도시하지 않음)에 의해 전사용기판(39)의 공급속도와 롤오목판(33)의 주(周)속도가 동주하도록 회전구동되어지고, 롤오목판(33)과 그 롤오목판(33)에 밀착된 전사용 기판(49)과의 사이에서 롤오목판(34)에 충전된 경화성의 전극형성층 형성용 페이스트(36)가 그대로의 상태에서 경화장치(37)에 의하여 경화시켜 고화됨으로써 전사용 기판 위에 접착시키고, 그 후 박리롤(39)에 의하여 전사용 기판(49)이 롤오목판(33)으로부터 박리되어 전사용 기판(49)위에 전극패턴형상의 전극형성층(12b)이 형성된 전사용 필름이 제작된다.

상기 누름롤(32)은 전사용 기판(49)을 롤오목판의 판면에 누를 수 있으면 좋겠지만, 통상 직경이 50∼300mm정도이고, 금속제 축심의 주위에 실리콘고무, 천연고무 등을 피복한 것이다.

경화장치(37)는 경화성 수지의 종류에 따라서 적의 선택할 수 있지만, 전자파 또는 하전입자선 가운데 경화성 수지를 가교·중합시키는 에너지양자를 갖는 방 사선을 조사하는 장치를 들 수 있다. 이와같은 방사선으로서 공업적으로 이용할 수 있는 것은 적외선, 가시광, 자외선 또는 전자선 등이 있고, 그밖에 마이크로파나 X선 등의 전자파도 이용할 수 있다.

또한 오목판 중에서 자외선 등에 의하여 경화시킬 때에 가교밀도를 콘트롤하고 완전히 경화시키지 않고 두며, 패턴전사에 즈음하여 전사시트와 기판과는 적층한 상태에서 자외선 등에 의하여 경화시키면 패턴과 기판과의 밀착성을 향상시키는 것으로서도 된다. 그때 자외선조사면은 필름면, 기판면의 어느쪽이라도 좋다. 더욱이 도면중(38)은 선원으로부터 발하는 방사선을 효율높게 롤오목판에 조사하기 위한 반사경이다. 또한 경화장치(37)는 1기의 롤오목판에 대하여 2기가 형성되어 있고, 또 이들 2기의 경화장치 선원(S₁)과 경화장치선원(S₂)은 롤오목판의 중심0를 연결한 각 S₁,OS₂가 70∼110°의 각도범위, 90°의 각도로 설정되는 것이 바람직하다.

롤오목판(33)은 전자조각, 엣칭, 밀누르기, 전주 등의 방법으로 소정의 오목부(34)를 장치한 것으로 좋고, 이 롤오목판의 재질은 크롬을 표면에 도금한 동,쇠등의 금속, 유리, 석영 등의 세라믹스, 아크릴, 실리콘수지 등의 합성수지 등이 이용된다. 또한 시트 위에 전리방사선 경화성수지, 열경화성수지 등에 의하여 패턴을 형성한 시트를 패턴면을 외면으로서 롤에 권회(卷回)한 것이라도 좋다. 롤오목판의 크기는 특히 한정되어 있지 않지만 통상 직경이 150∼1000mm,선폭이 300∼2000mm정도이다. 롤오목판에 형성되는 오목부(34)의 크기형상은 PDP에 있어서의 전극 패턴이며, 오목부의 깊이는 0.1∼1,000㎛로 할 수 있다.

전사용 기판으로서는 상술한 베이스필름과 동일하지만, 방사선의 경화성 수지로의 도달을 저해하지 않는 것이 바람직하고, 막두께는 일반적으로 10∼200㎛, 또는 10∼100㎛이며, 또한 경화수지가 전사되는 면에는 오목판 옵셋의 항에서 상술한 박리층을 마찬가지로 형성하여도 된다.

경화성 전극형성층형성용 도액(36)은 적어도 글래스플릿으로 이루어지는 무기입자, 경화성수지, 전도성분말로 구성된다.

무기입자으로서는 제2의 전사시트에 있어서의 무기입자에서 기재한 글래스플릿, 무기분체 무기안료가 사용될 수 있지만, 글래스플릿으로서는 그 평균입자 직경이 0.3㎛∼5㎛의 것을 사용하여도 좋고, 또한 무기분체는 글래스플릿 100중량%에 대하여 0중량%∼10중량%의 것으로 하여도 된다.

또 경화성수지로서는 경화 후 소성 때에 분해·제거되는 것이며, 공지의 전리방사선경화성수지나 열경화성수지를 이용할 수 있다. 전리 방사선경화성수지로는 제의 전사시트에서 기재한 수지가 사용될 수 있다. 경화성수지의 전극형성층 형성용 도포액 중의 함량은 5중량%∼95중량%, 바람직하게는 10중량%∼50중량%이다.

또한 도전성 분말로서는 제2의 전사시트에서 기재한 것이 사용되고, 도전성 분말의 전극형성층 형성용 도포 중의 함량은 95중량%∼30중량%, 바람직하게는 95중량%∼60중량%이다.

또한 전극형성층 형성용 도포액에는 필요에 따라서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제를 첨가하여도 되고, 모두 제2전사시트의 항에서 기재한 용제와 혼합되어 롤밀에 의해 혼련하여 페이스트형상인 도포액으로 하거나 또는 폴밀등에 의해 혼련하여 슬러리현상의 도포액으로 된다.

또 도 23에 나타낸 롤오목판에서 사용되는 전극형성재료로서 도22에 나타낸 오목한 옵셋의 항에서 설명한 열가소성 수지를 사용하여도 되고, 이 경우에는 경화장치가 불필요하다.

오목판롤을 사용하여 형성한 전극형성층을 패턴형상에 적층한 전사용 필름은 상술한 바와같이 경화도를 조정한 상태로 하거나, 또는 소성에 의해 분해하여 접착제등을 통해서 유전체층형성층 상에 라미네이트함으로써 유전체층형성층 상에 전극형성층을 전사할 수 있다.

또한 이와같이 오목판옵셋인쇄나 롤오목판에 의해 전극형성층을 형성함으로써 제작시간을 단축할 수 있고, 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 표면평활성이 우수하고 또 막 두께가 균일하면서도 분포정밀도가 양호한 패턴형상의 전극형성층으로 할 수 있다. 또 보호필름(13)은 제1전사시트와 동일한 것이 사용된다.

이상은 베이스필름 상에 유전체층형성층, 전극형성층을 차례로 형성할 경우를 설명한 것이지만 보호필름 상에 전극형성층, 유전체층형성층을 차례로 형성하는 것도 가능하다. 이 경우 보호필름에는 상술한 베이스필름으로서 조건도 동시에 구비한 것으로 할 필요가 있다. 또한 이와같은 전사시트는 권취상태에서 보존하여도 되고 적절한 형상을 제단하여 보존하여도 된다. 또 보호필름은 필요에 따라서 형성되는 것이다. 이들은 후술하는 제5∼제13의 전사시트에 관해서도 마찬가지이다.

이 제4의 전사시트를 사용하여 PDP를 제작하면 필요에 따라서 하지층을 갖는 유리기판 상에 보호필름(13)을 박리하여 가열압착한 후 소성하여 유전체층 및 패턴형상의 전극층을 동시에 형성할 수 있다.

더구나 도 12는 전극형성층(14)을 보호필름(13) 중에 매립한 상태로 도시되어 있지만 유전체층형성층(12c) 상에 전극형성층(14)을 형성할 경우 유전체층형성층(12c)이 딱딱한 상태의 경우에는 전극형성층(14)이 떠오르는 것 같은 상태로서 모식적으로 도시한 것이다. 또 역으로 유전체층형성층(12c)이 부드러운 상태의 경우라든가 보호필름(13) 상에 전극형성층(14)을 적층하고, 이어서 유전체층형성층(12c)을 형성하도록 한 경우에는 전극형성층(14)이 유전체층형성층(12c)중에 매립되는 상태로 되는 것이고, 본 발명의 적층상태는 이 표시방법 어느것이어도 좋은 것이며, 도시한 상태에 한정되지는 않는다. 이 표시방법은 후술하는 제5∼제13전사시트를 설명하는 경우에도 마찬가지이다.

다음으로 본 발명의 제5전사시트에 관해서 도13에 의해 설명한다. 이 전사시트는 베이스필름(11) 상에 패턴형상의 전극형성층(12b), 하지형성층(12a), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다. 베이스필름(11)은 상술한 제4전사시트와 동일하며, 패턴형상의 전극형성층(12b)은 상술한 제4전사시트에서 상술한 형성방법에 의해 베이스필름(11)상에 형성된다.

하지형성층(12a)은 PDP에 있어서의 유리기판중에 함유되는 알칼리성분에 의해 전극층이 용출하여 전극의 단선을 방지하기 위해 형성되는 것이며, 그 패턴형상의 전극형성층상에 제 4전사시트의 항에서 기재한 유전체층형성층과 동일한 잉크조성으로 동일하게 형성하여도 된다.

또한 보호필름(13)도 제 4전사시트의 항에서 기재한 것과 마찬가지로 필요에 따라서 형성된다. 제 5전사시트는 PDP제작에 있어서, 보호필름(13)을 박리하여 유리기판상에 가열압착시킨 후 소성하여 하지층 및 패턴형상의 전극층을 동시에 형성할 수 있다.

다음에 본 발명의 제6전사시트에 관해서 도 14에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다.

베이스필름(11)은 상술한 제 4의 전사시트와 동일하다. 장벽형성층(12d)은 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자과 열가소성수지로 구성된다. 무기입자으로서는 상술한 유전체층형성층에서 기재한 것과 동일한 재료를 사용할 수 있지만, 장벽형성층에 있어서의 무기분체의 사용비율은 글래스플릿 100중량%에 대하여 무기분체 5중량%∼50중량%로 하는 것이 바람직하다.

또한 열가소성수지로서는 상술한 유전체층형성층에서 기재한 것과 동일한 재료를 사용할 수 있지만, 열가소성수지는 무기입자 100중량%에 대하여 1중량%∼30중량%, 바람직하게는 1중량%∼15중량%의 비율로 하는 것이 좋다. 열가소성수지의 비율이 1중량%보다 적으면 전사시트에 있어서의 장벽형성층의 보유성이 낮고, 또 전사성이 저하한다. 또한 30중량%보다 많으면, 후술하는 바와같이 샌드플라즈마 가공에 있어서 샌드플라즈마성이 낮아져 작업효율이 나빠지게 된다.

또 장벽형성층에는 전사시트에 있어서의 장벽형성층의 보유성, 전사성을 향상시키기 위해 가소제를 첨가하는 것이 바람직하다. 가소제로서는 상술한 유전체층형성층에서 기재한 것과 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그리고 장벽형성층으로는 상술한 유전체층형성층에서 기재한 것과 동일한 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등이 필요에 따라서 첨가되어도 좋다.

장벽형성층형성재료는 상술한 유전체층형성층에서 기재한 것과 동일한 도포방법에 의해 베이스필름상에 도포건조하여 장벽형성층으로 된다. 장벽형성층은 1회의 도포로 소정의 막두께를 얻는 것이 곤란한 경우에는 여러번 도포와 건조를 반복하여도 된다. 이 장벽형성층상에 유전체층형성층이 상술한 유전체층형성층과 마찬가지로 형성되지만 유전체층형성층에 있어서의 열가소성 수지의 함유비율을 장벽형성층에 있어서의 열가소성수지의 함유비율보다 많게 하면 좋고, 유전체층형성층과 장벽형성의 샌드블라스트성을 서로 다르게 할 수 있다. 그에 따라 내(耐)샌드블라스트성을 갖는 레지스트패턴 개구부의 장벽형성층만을 제거하고, 그 하층인 유전체층형성층을 남기는 것을 가능하게 한 것이다. 유전체층형성층에 있어서의 열가소성수지의 함유비율은 장벽형성층에 있어서의 열가소성수지의 함유비율보다 많게 하면 좋지만 바람직하게는 무기입자 100중량%에 대한 함유비율로 하여 3중량%이상 보다 바람직하게는 5중량% 이상 많도록 하여도 된다. 또 유전체층형성층에 있어서의 열가소성수지와, 장벽형성층에 있어서의 열가소성수지는 샌드블라스트성이 서로 다르게 하는 것이어도 좋은 것이며, 이 경우에는 상기 함유비율만 한정되지 않는다. 유전체층형성층상에 보호필름(13)이 첩합(貼合)된다.

제 6전사시트는 보호필름(13)을 박리하고, 하지층, 전극층을 갖는 유리기판상에 가열압착시켜 베이스필름을 박리한다. 다음으로 150℃∼350℃의 가열조건에서 장벽형성층에 잔존시킨 가소제를 제거한 후 장벽형성층상에 레지스트패턴을 형성하고, 레지스트패턴 개구부의 장벽형성층을 샌드블라스트 가공으로 제거한다. 샌드블라스트가공은 압축기체와 혼합된 연마제 미립자를 고속으로 분사하여 물리적으로 에칭을 하는 가공방법이지만 연마제미립자로서는 창색용융(槍色溶融) 알루미나 #800을 사용하고 토출압력 1Kg/㎠에서 분사하여 블라스트처리한다.

장벽형성층상의 레지스트패턴을 제거한 후 유전체층형성층과 장벽형성층은 피크온도 570℃ 정도의 조건에서 동시에 소성되고, 유전체층과 장벽층이 동시에 PDP판넬상에 형성된다.

다음에 본 발명 제 7의 전사시트에 대하여 도 15에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 패턴형상의 전극형성층(12b), 유전체층 형성층(12c), 하지형성층(12a), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다.

베이스필름(11)은 상술한 제 4의 전사시트와 동일하다. 베이스필름(11)상에 유전체층형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b)을 순차형성하면 상술한 제 4전사시트와 마찬가지이다. 그 패턴형상의 전극형성층(12b)상에 제5전사시트에서 기재한 하지형성층(12a)을 동일하게 적층시킨다.

더구나 보호필름(13)을 첩합시키면 제 7전사시트로 된다.

제 7전사시트는 보호필름(13)이 박리되어 유리기판상에 가열압착된 후 소성된다. PDP판넬에 있어서, 하지층, 패턴형상의 전극층, 유전체층을 동시에 형성할 수 있다.

다음에 본 발명의 제 8전사시트에 대하여 도 16에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 장벽형성층(12d), 유전체층형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다.

베이스필름(11)은 상술한 제4의 전사시트와 동일하다. 베이스필름(11)상에 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c)을 순차형성하는 것은 제 6전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하며, 또 유전체층형성층(12c)상에 패턴형상의 전극형성층(12b)을 형성하면, 제4전사시트와 동일하며, 더구나 보호필름(13)을 첩함시켜 제 8전사시트로 된다.

제 8전사시트는 보호필름(13)이 박리되어 필요에 의해 하지층을 갖는 유리기판상에 가열압착시킨 후, 장벽형성층을 제 6전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하게 패터닝하고, 소성한다. PDP판넬에 있어서, 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽을 동시에 형성할 수 있다.

다음에 본 발명의 제 9의 전사시트에 대하여 도 17에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b) 하지형성층(12a), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다. 베이스필름(11)은 상술한 제 4전사시트와 마찬가지이다. 베이스필름(11)상에 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b)을 순차형성하는 것은 제8전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하며, 또한 패턴형상의 전극형성층(12b)상에 하지형성층(12a)을 형성하는 것은 상술한 제 5전사시트와 동일하고, 또 보호필름(13)을 첩합(貼合)시켜 제 9전사시트로 된다.

제 9전사시트는 보호필름(13)이 박리되어 필요에 의해 하지층을 갖는 유리기판상에 가열압착시킨 후, 장벽형성층을 제 6전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하게 패터닝하고, 소성한다. PDP판넬에 있어서, 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽을 동시에 형성할 수 있다.

다음에 본 발명 제10의 전사시트에 대하여 도18에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 내(耐)샌드블라스트 감광성층(17), 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다.

베이스필름(11)은 상술한 제 4전사시트와 동일하다. 베이스필름(11)상에 내샌드블라스트감광성층(17)을 적층하는 경우에 관해서 설명한다.

내샌드블라스트감광성층(17)으로서는 포토레지스트나 감광성 흑색장벽 형성재료로 형성된다. 샌드블라스트가공은 상술한 바와같이 압축기체와 혼합시킨 연마제미립자를 고속으로 분사하여 물리적으로 에칭을 하는 가공방법이지만, 내샌드블라스트감광성층(17)은 샌드블라스트 가공되는 장벽형성층(12d)에 대하여 장벽패턴마스크로서 기능시키는 것이다.

포토레지스트층으로서는 네거티브로 노광후 약알칼리 현상하여 샌드블라스트용 마스크를 형성할 수 있고, 마스크형성 후 샌드블라스트 가공처리하여 장벽형성층을 형성하고, 그후 강알칼리에 의해 박리제거 시킨 포토레지스트재료가 바람직하여 사용된다.

액상의 것 또는 드라이필름타입을 들수 있다. 무기입자을 함유하는 장벽형성층에 비해서 유기성분만으로 이루어지는 포토레지스트층은 내샌드블라스트성이 우수한 것이다.

또한 감광성 흑색장벽형성재료로서는 전극형성층의 항에서 설명한 것으로 글래스플릿과 흑색안료로 이루어진 무기입자, 방사선경화성수지, 단량체, 광개시제로 구성되는 도포액이며, 경화에 의해 가교구조로 되게 함으로써 내샌드블라스트성이 우수한 것으로 되는 것이다. 무기입자 100중량%에 대하여 유기성분을 5중량%∼70중량% 바람직하게는 10중량%∼40중량%로 함으로써 장벽형성층에 비하여 내샌드블라스트성이 우수한 것으로 된다.

다음으로 이와 같은 내샌드블라스트 감광성층(17)상에 장벽형성층(12d), 유전체층형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b)을 순차형성하는 것은 제 8전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하며, 보호필름(13)을 첩합시켜 전사시트로 한다.

전사시트는 보호필름(13)이 박리되어 필요에 따라서 유리기판상에 하지형성층을 통해서 가열압착시킨 후 베이스필름(11) 측에서 장벽층패턴을 노광하고, 포토리소그라피법에 의해 장벽형성용 마스크를 형성하고, 이어서 베이스필름(11)을 박리한 후 제 6전사시트의 항에서 기재한 것과 마찬가지로 샌드브라스트가공에 의해 장벽형성층이 패터닝되어 필요에 따라서 마스크가 제거된 후 소성된다. PDP패널에 있어서 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽을 동시에 형성할 수 있고, 흑색장벽형성층을 제거하지 않은 상태에서 소성함으로써 장벽층상에 흑색장벽층을 적층한 장벽층으로 된다.

다음에 본 발명 제11전사시트에 대해서 도19에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 샌드블라스트용 마스크층(18), 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 전극 패턴형상의 전극형성층(12b), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다. 베이스필름(11)은 상술한 제4전사시트와 마찬가지이다. 베이스필름(11)상에 샌드블라스트용 마스크층(18)을 적층하면, 상술한 제10전사시트의 항에서 설명한 액상의 포토레지스트나 감광성흑색장벽형성용 페이스트를 사용하여 슬릿인쇄등에 의해 장벽패턴형상에 인쇄 형성하면 된다.

다음에 샌드블라스트용 마스크층(18)상에 제8전사시트와 마찬가지로 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b)을 순차적으로 형성하면 제11전사시트로 된다. 이 전사시트는 보호필름을 박리한 후 유리기판상에 필요에 따라서 하지형성층을 통해서 가열압착시킨 후 베이스필름(11)을 박리하고, 이어서 제6전사시트의 항에서 기재한 바와 마찬가지로 샌드블라스트가공에 의해 장벽형성층을 패터닝하여 필요에 따라서 마스크(18)를 제거한 후 소성한다. PDP패널에 있어서 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽을 동시에 형성할 수 있다. 또 흑색장벽형성층을 제거하지 않고 소성하면, 장벽층상에 흑색장벽층이 적층된 장벽으로 된다.

다음에 본 발명 제12전사시트에 대하여 도20에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 내샌드블라스트감광성층(17), 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 패턴형상의 전극형성층(12b), 하지형성층(12a), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다. 이 전사시트는 상술한 제10전사시트 패턴형상의 전극형성층(12b)상에 제5전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하게 하지형성층(12a)을 형성한 것이다.

이 전사시트는 보호필름(13)이 박리되어 유리기판상에 가열압착시킨 후 상술한 제10전사시트의 항에서 설명한 바와 마찬가지로 포토리소그라피법으로 장벽형성용 마스크를 형성하고 동일하게 소성한다. PDP패널에 있어서 하지층, 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽을 동시에 형성할 수 있고, 흑색장벽형성층을 제거하지 않은 상태에서 소성하면 장벽층상에 흑색장벽층이 적층된 장벽층으로 된다.

다음에 본 발명의 제13전사시트에 대하여 도21에 의해 설명한다.

이 전사시트는 베이스필름(11)상에 샌드블라스트용 마스크층(18) 장벽형성층(12d), 유전체형성층(12c), 전극 패턴형상의 전극형성층(12b), 하지형성층(12a), 보호필름(13)을 순차적층한 것이다. 이 전사시트는 상술한 제11전사시트 패턴형상의 전극형성층(12b)상에 제5전사시트의 항에서 기재한 것과 동일하게 하지형성층(12a)을 형성한 것이다.

이 전사시트는 보호필름(13)이 박리되어 유리기판상에 가열압착시킨 후 상술한 제11전사시트의 항에서 설명한 것과 마찬가지로 샌드블라스트 가공에 의해 장벽형성층을 패터닝하여 동일한 모양으로 소성한다. PDP패널에 있어서, 하지층, 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽을 동시에 형성할 수 있고, 흑색장벽형성층을 제거하지 않은 상태에서 소성하면 장벽층상에 흑색장벽층이 적층된 장벽층으로 된다. 상술한 본 발명 제4∼제13의 전사시트에 있어서, 베이스필름(11)상에는 필요에 따라서 제1전사시트와 동일한 박리층을 통해서 각층을 적층하여도 된다. 또한 보호필름(13)을 필요에 따라서 제1전사시트와 동일한 접착층을 통해서 적층하여도 된다. 더욱이 베이스필름(11)에 있어서의 하지형성층등 적층측과는 반대측의 면에 필요에 따라서 제1전사시트와 동일한 내열층을 형성하여도 된다.

또한 베이스필름과 보호필름의 각각에 상술한 하지형성층, 전극형성층, 유전체형성층, 장벽형성층의 적어도 1층이상의 적층체를 각각 형성한 전사시트로서 각각 펴붙이고, 제4∼제13의 전사시트를 제작하여도 된다.

본 발명 제4∼제13의 전사시트는 PDP의 층구성을 가열압착에 의해 PDP기판상에 전사하는 것이지만 그 가열압착방법으로서는 열광, 레이저광, 서멀헤드, 열프레스등의 방법을 들 수 있다. 전사시킨 각각의 잉크층은 350℃∼650℃의 소성온도에서 잉크층에 있어서의 유기성분을 기화분해, 휘발시킴으로써 용융한 글래스플릿에 의해 무기분체가 치밀하게 결합한 것으로 된다.

다음에 본 발명 제1패턴 형성방법에 대하여 설명한다.

도24, 도25는 제1패턴형성방법에 연속한 공정도로서, 두꺼운 막패턴으로서 PDP의 장벽층형성방법을 예로서 나타낸 것이다. 도면중 S는 장벽형성층형성용전사시트, 111은 베이스필름, 112는 장벽형성층, 113은 전극, 114는 유리기판, 115는 포토레지스트, 116은 패턴마스크, 117은 레지스트패턴, 118은 장벽, 119는 유전체층이다.

도 24(a)에 나타낸 전사시트(S)에 대하여 설명한다. 전사시트(S)에 있어서의 베이스필름(111)은 형성용 도포액에 있어서의 용제에 침투하지 않고, 또 용제의 건조공정, 전사공정에서의 가열처리에 의해 수축연신하지 않는 것이 필요하여, 제1전사시트의 항에서 기재한 베이스필름이 사용된다.

다음에 장벽형성층(112)는 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자과 열가소성수지로 이루어진다. 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자과 열가소성 수지는 제1전사시트의 항에서 기재한 것이 사용되지만 무기입자과 열가소성 수지와의 사용비율은 무기입자 100중량%에 대하여 열가소성수지 3중량%∼50중량%, 바람직하게는 3중량%∼15중량%의 비율이다. 장벽형성층에 있어서, 열가소성수지가 3중량%보다 적으면, 장벽형성층의 보유성이 낮고, 특히 감은 상태에서의 보존성, 취급시에 문제가 생기고, 또 전사시트를 적합한 형상으로 절단(슬리트)할 경우에 무기입자가 쓰레기 로 되어 PDP제작에 지장을 초래한다고 하는 문제가 발생한다. 또한 50중량%보다 많으면, 후술하는 샌드블라스트 가공에 있어서의 샌드블라스트성이 낮아지고, 작업효율이 나쁘게되며, 또한 두꺼운 막패턴을 소성하여도 카본이 남아 품질이 낮아지므로 바람직하지 않다.

다음에 장벽형성층(112)에 첨가되는 고비점용제에 대하여 설명한다. 고비점용제는 장벽형성층의 전사성을 향상시키는 것을 목적으로 하여 첨가한다. 그러나 고비점용제는 내샌드블라스트성을 갖는 것이므로 샌드블라스트공정 전에 제거할 필요가 있다. 또한 고비점용제는 비점(1기압)이 150℃∼400℃의 범위에 있는 것이 필요하다. 비점이 150℃보다 낮으면 전사성을 양호한 것으로 할수 없고, 또 400℃를 넘으면, 휘발제거 시킬 때 문제가 있어 효율적이지 못하다.

이와같은 고비점용제로서는 예컨대 디에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르류, 디프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, α-혹은 β테르피네올 등의 테르펜류 디메틸프탈레이트 디부틸프탈레이트, 디-n-옥틸프탈레이트등의 노말알킬프탈레이트류, 디-2-에틸헥실프탈레이트, 디이소데실프탈레이트, 부틸벤질프탈레이트, 디이소노닐프탈레이트, 에틸프탈에틸글리콜레이트, 부틸프타릴부틸글리콜레이트등의 프탈산 에스테르류 트리-2-에틸헥실트리메리테이트, 트리-n-알킬트리메리테이트, 트리이소노닐트리메리테이트, 트리이소데실트리메리테이트등의 트리메리트산 에스테르, 디메틸아디페이트 디부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디이소데실아디페이트, 디부틸글리콜아디페이트, 디-2-에틸헥실아세테이트, 디메틸세바테이트, 디부틸세바테이트, 디-2-에틸헥실세바테이트, 디-2-에틸헥실말레이트, 아세틸-트리-(2-에틸헥실)시트레이트아세틸-트리-n-부틸시트레이트, 아세틸트리부틸시트레이트등 지방 2염기산 에스테르류 폴리에틸렌글리콜벤조에이트, 트리에틸렌글리콜-디-(2-에틸헥소테이트, 폴리글리콜에테르등의 글리콜유도체, 글리세롤트리아세테이트, 글리세롤디아세틸모노라우레이트등의 글리세린 세바스산 아디핀, 아젤라인산, 프탈산등으로 이루어지는 폴리에스테르계 분자량300∼3,000인 저분자량 폴리에테르, 동저분자량 폴리-α-시틸렌 동저분자량 폴리시틸렌, 트리에틸포스페이트, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 트리-2-에틸헥실포스페이트, 트리부톡실에틸포스페이트, 트리페닐포스페이트, 트리크레딜포스페이트, 트리크실레닐포스페이트, 크레딜디페닐포스페이트, 크실레닐디포스페이트, 2-에틸헥실디페닐포스페이트등의 전인산 에스테르류, 메틸아세틸리시노레이트등의 리시놀레산 에스테르류 폴리-1, 3-부탄디올아디페이트,에폭시화 대두유등의 폴리에스테르 에폭시화 에스테르류, 글리세린트리아세테이트, 2-에틸헥실아세테이트등의 초산에스테르류가 예시된다.

고비점용제는 무기입자 100중량%에 대하여 2중량%∼30중량%, 바람직하게는 2중량%∼25중량%로 하면 좋다. 2중량%보다 적으면 전사성이 나쁘고, 또 25중량%보다 많으면 휘발제거시에 시간이 걸려서 작업성이 나쁘다.

또한 장벽형성층에는 필요에 따라서 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제등이 제1전사시트와 마찬가지로 첨가된다. 상기 장벽형성층형성재료는 바람직하게 50℃∼150℃의 비점범위를 갖는 메탄올 에탄올이소프로판올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 톨루엔, 크실렌, 시클로헥산올등의 아논산류, 염화메틸렌, 3-메톡시부틸아세테이트, 에틸렌글리콜모노알킬에테르류, 에틸렌글리콜디알킬에테르류등의 저비점용제에 용해 또는 분산시켜 베이스필름상에 다이코드, 블레이드코드, 콤마코드, 롤코드, 브라비아코드법에 의해 도포된다. 저비점용제는 전사시트를 형성할때의 코딩적성을 조정하기 위해 첨가시키는 것이며, 베이스필름상에 장벽형성층을 도포후 건조하여제거 시킨다.

장벽형성층형성재료는 도포시킨 후 고비점용제는 남기고, 저비점용제만을 제거하는 가열조건에서 건조시켜 저비점용제를 제거하면 소정의 막두께로 된다.

일회의 도포에서 소정의 막두께를 얻는 것이 곤란한 경우에는 여러번 도포와 건조를 반복하는 것도 가능하다. 또 장벽형성층상에는 제1전사시트와 동일한 보호필름을 펴붙여도 된다. 또한 장벽형성층을 제1전사시트와 동일한 박리층을 통해서 베이스필름상에 적층하게 되면, 보다 전사성이 우수한 것으로 된다. 더구나 장벽형성층의 전사성을 향상시키기 위해 접착층을 제1전사시트와 동일하게 장벽형성층상에 형성하면 좋다. 접착제층으로서는 소성공정에서 저온연소하고, 탄화물을 잔존시켜 두는 것이 적합하게 사용되고, 구체적으로는 장벽형성층을 구성하는 고비점용제를 첨가한 열가소성 수지용액을 도포형성한 것, 또는 접착제를 도포형성한 것을 들수 있다. 이들 접착제는 가열에 의해 연화하고, 장벽형성층을 유리기판이나 유전체층상에 용이하게 접착시킬 수 있고, 건조후 막두께가 0.1㎛∼5㎛이 되도록 도포하여 형성시키면 좋다.

다음에 PDP패널의 장벽형성방법에 있어서 제a공정을 도24(b)∼(d)에 의해 설명한다.

도 24(b)는 유리기판상에 하지층(도시하지 않음), 전극(113), 유전체층(119)을 순차적층한 기판의 상태를 도시한 것이고, 도 24(a)에 나타낸 전사시트(S)와 도24(c)에 나타낸 바와 같이 중첩시켜 열롤, 열프레스, 레이저, 서멀헤드 등을 사용하여 장벽형성층을 가열전사시킨다. 전사시트에 있어서의 장벽형성층을 직접 가열압착시키는 것이 가능하지만 제1전사시트와 마찬가지로 접착제층을 통해서 적층하여도 된다.

다음으로 도24(d)에 나타낸 바와 같이 베이스필름을 박리한후 제b공정으로서 장벽형성층에 남긴 고비점용제를 제거한다. 고비점용제를 제거하면 150℃∼350℃로 장벽형성층을 보유한다. 이 제b공정은 장벽형성층에서의 플릿에 의한 레지스트패턴의 박리등을 방지하는 것을 목적으로 하는 것이다. 또 이때 열가소성수지의 일부가 분해하여도 상관없다.

제c공정은 고비점용제를 휘발제거한 장벽형성층상에 레지스트패턴을 형성하는 공정이며, 도24(e), 도 25(a),(b)에 의해 설명한다.

장벽형성층상에 레지스트패턴을 형성하면 스크린인쇄에 의해 직접패터닝하여도 되지만, 대면적에서 아주세밀한 가공을 하는 경우에는 액형상 또는 드라이필름 형상의 포토레지스트를 사용하여 포토리소그라피법으로 형성하는 것이 바람직하다. 포토레지스트층(115)의 패터닝은 도25(a)에 나타낸 바와 같이 예컨대 라인형상 마스크패턴(116)을 통하여 자외선, 전자선등의 조사(화살표)에 의해 노광하고, 이어서 도 25(b)에 나타낸 바와 같이 미노광부의 포토레지스트층을 약알카리에 의해 현상제거하여 패터닝한다.

제d공정은 도25(c)에 나타낸 바와 같이 레지스트패턴을 마스크로 하여 장벽형성층을 샌드블라스트 가공하는 공정이다. 또 화살표는 샌드블라스트를 나타낸 것이다. 제e공정은 도25(d)에 나타낸 바와 같이 장벽형성층상의 레지스트패턴을 알카리성액에서 박리하는 공정이다. 레지스트패턴(117)을 제거한 후에는 장벽형성층(112)은 소성되지만 소성에 의해 용융한 글래스플릿에 의해 무기분체가 치밀하게 결합한 PDP에 있어서의 장벽층(118)으로 된다.

상술한 방법에 있어서는 기판으로서 유리기판상에 전극층, 유전체층의 각층을 순차소성하여 적층한 것이지만, 유리기판상에 후술하는 전극형성층, 유전체층형성층을 순차적층한 것으로 하고, 또 유전체층형성층에 있어서의 열가소성수지의 함유량을 장벽형성층중의 열가소성함유량 보다도 많게하여 장벽형성층에 비해서 내샌드블라스트성으로 하여 두면, 유전체층형성층은 샌드블라스트되지 않고, 장벽형성층 만을 샌드블라스트 하는 것이 가능하다. 이 방법에 의하면, 전극층, 유전체층, 장벽층을 동시에 소성할 수 있어 PDP의 제작을 용이하게 할 수 있다.

이상 본 발명 제 1패턴 형성방법에 대하여 PDP에 있어서의 장벽형성층의 형성방법을 예로서 설명하였지만 유전체층형성층이나 전극형성층에 대해서도 동일하게 형성할 수 있다.

유전체층형성층(119)은 전극형성층(113)상에 형성되어 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자와 열가소성수지로 이루어진다. 무기입자으로서는 상술한 장벽형성층에서 기재한 것과 동일한 재료를 사용할 수 있지만, 무기분체의 사용비율은 글래스플릿 100중량%에 대하여 무기분체 0중량%∼30중량%로 하면 된다.

또한 열가소성수지로서는 상술한 장벽형성층에서 기재한 것과 동일한 재료를 사용할 수 있지만, 열가소성수지로서는 똑같이 무기입자 100중량%에 대하여 3중량%∼50중량%, 바람직하게는 5중량%∼30중량%의 비율로 하면 된다.

또한 유전체층형성층에는 전사시트에 있어서의 유전체층형성층의 보유성, 전사성을 향상시키기 위해 장벽형성층에서 기재한 고비점용제를 동일하게 첨가하고, 또 동일한 분산제 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등이 필요에 따라서 첨가되어도 좋다. 이들 성분은 장벽형성층과 동일하게 저비점용제에 용해 또는 분산되어 동일한 방법으로 베이스필름(111)상에 도로, 건조시키면 소정 막두께의 유전체층형성층이 된다

얻어진 전사시트는 전극(113)상에 중첩되어 유전체층형성층을 가열전사 시킨후 베이스필름을 박리하고, 제 6공정으로서 유전체층형성층에 남긴 고비점용제를 제거하고, 유전체층형성층에서의 고비점용제의 플릿에 의한 레지스트패턴의 박리 등을 방지한다. 다음으로 제c공정으로서 유전체층형성층상에 레지스트패턴을 형성한다. 이 레지스트패턴은 PDP에 있어서의 2장의 유리기판단부에 형성되는 계지부에 대응하는 것이다. 이어서 미노광부의 포토레지스트층을 현상하여 패터닝시킨다. 제d공정으로서 레지스트패턴을 마스크로서 유전체층형성층을 샌드블라스트 가공하고, 다음으로 레지스트패턴을 박리함으로써 패턴형상의 유전체층형성층을 형성한다.

유전체층형성층은 소성하여 용융한 글래스플릿에 의해 무기분체가 치밀하게 결합한 PDP에 있어서의 유전체층으로 된다.

또한 전극형성층(113)은 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자, 열가소성수지, 고비점용체 전도성분말로 구성된다.

무기입자으로서는 상술한 장벽형성층에 있어서의 무기입자에서 기재한 글래스플릿, 무기분체, 무기안료가 사용될 수 있지만 글래스플릿으로서는 그 평균입자 직경이 0.3㎛∼5㎛인 것을 사용하면 된다. 또한 무기분체는 글래스플릿 100중량%에 대해서 0중량%∼10중량%의 것으로 하면 된다.

또한 수지성분으로서는 무기입자의 바인더로서 또 전사성의 향상을 목적으로 하여 함유시킨 것이며 장벽형성층에 있어서의 열가소성수지와 마찬가지로 소성에 의하여 휘발·분해하고, 패턴 중에 탄화물을 남기지 않는 것이며, 상술한 장벽형성층에서 설명한 것이 사용된다. 특히 에틸셀룰로오스, 메틸셀룰로오스, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스아세테이트, 셀룰로오스프로피오네이트, 셀룰로오스부틸레이트 등 셀룰로오스계 수지, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, n-부틸아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트 또는 이들 메타크릴레이트체의 중합체 또는 공중합체인 폴리아크릴산에스테르 또는 폴리메타크릴산에스테르류, 폴리-α-스틸렌, 폴리비닐알콜 콜리부텐계 수지가 바람직하고, 특히 폴리부텐계 수지가 좋다. 수지성분의 전극형성층중의 함량은 3중량% - 50중량%, 바람직하게는 5중량% - 30중량%이다.

도전성분말로서는 금, 은, 동, 니켈, 알루미늄 등의 금속분말을 들수 있고, 평균입자 직경이 0.1㎛∼5㎛인 구형금속분체가 바람직하다. 도전성 분말과 글래스 플릿의 사용비율은 도전성분말 100중량%에 대하여 글래스플릿은 2중량%∼20중량%이다.

또한 전사시트에 있어서는 전극형성층의 보유성, 전사성을 향상시키기 위해 장벽형성층에서 기재한 것과 동일한 고비점용제가 첨가된다. 또한 전극형성층에는 증첩제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제를 첨가하여도 되고, 어느것에서나 상술한 장벽형성층에서 기재한 것이 동일하게 사용된다.

이들 각 성분은 장벽형성층의 항에서 기재한 것과 동일한 저비점용제와 혼합시켜 롤밀로 혼련하여 페이스트형상의 도포액으로 하거나 또는 폴밀등으로 혼련하여 슬러리형상의 도포액으로 되고, 동일한 방법으로 베이스필름(111)상에 도포, 건조시켜 소정의 막두께를 갖는 전극형성층이 된다.

얻어진 전사시트는 글래스기판(114)상, 혹은 하지형성층상에 중첩시켜 전극형성층을 가열전사시킨 후, 베이스필름을 박리하고 제b공정으로서 전극형성층 전극형성층에 남긴 고비점용제를 제거하고, 전극형성층에서의 고비점용제의 플릿에 의한 레지스트패턴의 박리 등을 방지한다. 다음으로 제c공정으로서 전극형성층상에 레지스트패턴을 형성한다. 이 레지스트패턴은 PDP에 있어서의 전극패턴에 대응하는 것이다. 이어서 미노광부의 포토레지스트층을 현상하여 패터닝한다. 제d공정으로서 레지스트패턴을 마스크로하여 전극형성층을 샌드블라스트 가공하고 레지스트패턴을 박리함으로써 패턴형상의 전극형성층을 형성한다. 전극형성층은 소성되고 용융한 글래스플릿에 의해 도전성분말 등의 무기분체가 치밀하게 결합한 PDP에 있어서의 전극층으로 된다.

다음에 본 발명 제2패턴 형성방법에 대하여 설명한다. 도26(a),(b)는 본 발명 제2패턴 형성방법을 설명하기 위한 도면이다. 도면중 S는 전사시트, 211은 베이스필름, 212는 잉크층, 213은 서멀헤드 또는 레이저광원, 214는 PDP부재이다.

전사시트(S)에 있어서의 베이스필름(211)은 잉크층형성용 도포액에 있어서의 용제에 침투하지 않고, 또 용제의 건조공정, 전사공정에서의 가열처리에 의해 수축연신하지 않는 것이 필요하며, 제4전사시트와 동일하다.

다음에 잉크층(212)은 무기입자과 열용융성유기물로 이루어지며, 이하 잉크층이 전극형성층인 경우 또한 잉크층이 유전체층형성층인 경우에 대하여 설명한다.

잉크층이 전극형성층인 경우에는 무기입자과 열용융성 유기물로 구성되고, 무기입자는 적어도 도전성분말로 구성되며, 더구나 필요에 의해서 글래스플릿이나 무기분체, 무기안료를 함유하여도 된다.

도전성분말로서는 금, 은, 동, 니켈, 알루미늄 등이 사용되고, 평균입자직경이 0.1㎛∼5㎛인 것이 바람직하다.

글래스플릿으로서는 제4전사시트와 동일한 것을 사용할 수 있지만, 그 평균입자직경이 0.3㎛∼5㎛인 것을 사용하면 좋다.

무기분체 무기안료로서는 제4전사시트와 동일한 것이 예시 된다.

다음에 열용융성 유기물로서는 열가소성 수지나 왁스류를 들수있고 소성때의 휘발·분해되어 패턴 중에 탄화물을 남기지 않는 것이고, 무기입자의 바인더로서 또 전사성의 향상을 목적으로 함유시킨 것이다. 열가소성 수지로서는 제4전사시트와 동일한 것이 예시되어 있다.

또한 왁스류로서는 폴리에틸렌왁스, 아미드왁스, 테프론파우더, 실리콘왁스, 카루노바왁스, 아크릴왁스, 파라핀왁스 등의 왁스류가 예시되어 있고 융점이 30℃ ∼120℃, 바람직하게는 60℃∼100℃이다. 융점이 30℃보다 낮으면, 전사시트상에서의 잉크층의 보유성이 낮게 되며, 또 120℃보다 높으면 전사할 때에 충분히 유동화 하지 않고, 전사할 때에 공포(空泡) 등의 문제가 생긴다.

무기입자와 열용융성 유기물의 사용비율은 무기입자 100중량%에 대하여 열용융성 유기물을 3중량%∼50중량% 바람직하게는 5중량%∼30중량%의 비율로 된다. 잉크층에 있어서 열용융성 유기물이 3중량% 보다 적으면 잉크층의 보유성이 낮고, 또 50중량%보다 많게 되면, 소성후의 막 중에 카본이 남아 품질이 낮아지므로 바람직하지 않다.

또한 잉크층으로는 필요에 따라서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등이 첨가된다.

상기 잉크층형성용 재료는 제4전사시트에 있어서의 전극형성층용 잉크와 동일한 도포액으로 되어 베이스필름(211) 상에 다이코드, 블레드코드, 콤마코드, 롤코드, 그라비어리버스코드법, 글라비어다이렉트법, 슬릿리버스법 등에 의해 도포하고 건조시킨다.

잉크층이 전극형성층인 경우 건조후 막두께는 3㎛∼30㎛, 바람직하게는 7㎛∼25㎛로 하면 된다.

다음에 잉크층이 유전체층형성층인 경우에는 무기입자와 열용융성 유기물로 이루어지고, 무기입자으로서는 적어도 글래스플릿으로 구성되며, 필요에 따라서 무기분체(골재)나 무기안료가 함유된다.

글래스플릿, 무기분체, 무기안료, 열용융성 유기물은 상술한 전극형성재료와 동일한 것이 사용될 수 있지만 무기분체의 사용비율은 글래스플릿 100중량%에 대하여 무기분체 0중량%∼30중량%로 할 수 있고, 또 무기입자과 열용융성 유기물의 사용비율은 상승한 전극형성재료와 동일하게 할 수 있다.

또한 상술한 전극형성재료와 동일하게 필요에 따라서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등을 첨가하여 동일한 용제를 사용하고, 동일한방법으로 베이스필름(211)에 도포형성된다.

잉크층이 유전체층형성층인 경우 건조후 막두께는 10㎛∼50㎛, 바람직하게는 15㎛∼30㎛로 하면 된다.

또 동일한 재료에 의해 하지형성층이나 장벽형성층을 형성할 수도 있다. 장벽형성층을 형성할 경우에는 여러번 반복하여 형성하면 좋다. 이와 같은 잉크층(212)이 형성된 베이스필름(211)의 반대면에는 필요에 따라서 내열층을 형성하면 되고 내열층은 전사수단(213)으로서 서멀헤드를 사용할 경우에 형성하여 내열활성을 부여하는 것이며, 제1전사시트의 항에서 기재한 내열층이 적용될 수 있고, 예컨대 실리콘수지 에폭시수지, 멜라민수지, 페놀수지, 불소수지, 폴리이미드수지, 히드록시셀롤로오스 등 1종 또는 2종 이상을 들 수 있다. 또한 이들 수지는 필요에 따라서 이소시아네이트 등에 의해 열경화시킨 것으로 써도 된다.

또한 잉크층의 전사성향상을 목적으로 하고, 잉크층은 박리층을 통하여 베이스필름 상에 적층되어도 된다. 박리층은 제1전사시트의 항에서 기재한 박리층이 적용된다.

또 전사시트에 있어서의 잉크층 상에는 필요에 따라서 보호필름을 박리가능하도록 형성하여도 되고, 전사시트는 롤형상, 한 장의 나뭇잎형상으로 하여 보존하고 사용할 때에는 보호필름을 박리하여 전사시트로서 사용한다.

보호필림으로서는 제1전사시트의 항에서 기재한 필름이 적용된다.

다음에 본 발명 제2패턴 형성방법은 도 26(a)에 나타낸 바와 같이 전사시트(S)를 그 잉크층(212)으로 부터 PDP부재(214) 상에 중첩하고 서멀헤드 또는 레이저광(213)을 사용하여 PDP구성층 패턴형상에 가열인가하고, 도26(b)에 나타낸 바와 같이 잉크롤(212)을 PDP부재(214) 상에 전사하는 것이다.

PDP부재(214)로서는 전사하는 PDP구성층패턴이 하지층 패턴인 경우에는 유리기판, 전극패턴인 경우에는 유리기판 또는 유리기판상에 하지층을 갖는 것, 유전체패턴인 경우에는 전극에 부착되는 유리판 등이다.

본 발명은 PDP부재에 있어서의 전극패턴을 아주 세밀하게 전사하는 것이 특히 적당하다.

서멀헤드로서는 감열용융전사방식용 서멀헤드나 비디오프린터에 이용되는 감열승화전사방식용 서멀헤드, 또 전사시트의 배면 측에 통전발열층을 형성하여 통전가열형용융전사방식용 통전헤드를 이용하여도 된다. 또한 서멀헤드에 대해서 반도체레이저, YAG레이저, CO₂레이저, 글래스레이저, 루비레이저 등을 광원으로 하여 레이저를 조사하여도 되고, 조사시간, 출력 등을 제어하여 잉크층을 전사하여도 된다

PDP부재상에 전사된 잉크층은 350℃∼650℃의 소성온도에서 소성되고, 열용융성 유기물 등 유기입자를 기화, 분해, 휘발시켜 용융한 글래스플릿에 의해 무기분체가 치밀하게 결합한 PDP구성층으로 된다.

본 발명 PDP작성방법은 PDP부재 상에 PDP구성층을 패턴형상으로 형성하기에 적합하게 해 두고 특히 아주 세밀한 패터닝이 요구되는 전극형성층의 형성에 적합한 것이다. 또 전사시트를 사용하여 형성한 것이므로 PDP의 제작시간을 단축시킬 수 있고, 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있음과 더불어 표면평활성이 우수하고, 또 막두께가 균일하여 분포정밀도가 양호한 패턴형상의 PDP구성층을 PDP부재 상에 직접 형성된다.

다음에 본 발명 제3패턴의 형성방법에 대하여 설명한다.

도 27은 전사시트의 단면도이다. 도면 중 S는 전사시트, 311은 베이스필름, 312는 잉크층이다.

베이스필름(111)은 도포액에 있어서의 용제에 침투하지 않고, 또 용제의 건조공정, 전사공정에서의 가열처리에 의해 수축연신하지 않는 것이 필요하며, 제1전사시트와 동일한 베이스필름이 사용된다.

다음에 잉크층(312)이 유전체형성층인 경우에 대하여 설명한다. 잉크층(312)은 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자와 소성에 의해 제거되는 수지로 구성된다 적어도 글래스플릿을 갖는 무기입자로서는 제2전사시트의 항에서 설명한 것이 동일하게 사용되어, 글래스플릿의 다른 제2전사시트의 항에서 설명한 무기골재, 무기안료를 각각 2종 이상 혼합하여 사용하여도 된다.

소성에 의하여 제거되는 수지로서는 PDP나 다층전극판 제작을 할 때 소성제거되는 것이고, 열가소성 수지, 경화성 수지 등이 제2전사시트항에서 설명한 것과 똑같이 사용된다.

무기입자와 수지의 사용비율은 무기입자 100중량%에 대하여 수지 3중량%∼70중량% 바람직하게는 10중량%∼50중량%의 비율로 된다. 잉크층에 있어서, 수지가 3중량% 보다 적으면 잉크층의 보유성이 낮고, 특히 권취한 상태에서의 보존성 취급성에 문제가 발생함과 더불어 전사성이 악화하고, 또 70중량%보다 많으면, 소성 후 막중에 카본이 남아 품질이 낮아지게 되므로 바람직하지 않다.

또한 잉크층에는 필요에 따라서 가소제, 분산제, 침강방지제, 소포제, 박리제, 레벨링제 등이 제2전사시트의 경우와 동일하게 첨가되고, 동일한 용제에 융해 또는 분산시켜 베이스필름 상에 다이 코드, 블레이드코드, 콤마코드, 롤코드, 글라비어리버스코드법, 글라비어다이렉트법, 슬릿버즈법등에 의해 도포하고 건조시켜 소정의 막두께로 된다.

전사시트에 있어서는 잉크층(312) 상에는 제1전사시트와 동일하게 보호필름이 필요에 따라서 적층되어도 되고, 또 보호필름은 잉크층(312) 상에 필요에 따라서 제1전사시트와 동일하게 접착층을 통해서 적충되어도 된다. 또한 전사성을 향상시키는 것을 목적으로 하여 잉크층(312)을 베이스필름(311)에 필요에 따라서 제1전사시트와 동일하게 박리층을 통해서 적층하여도 되고, 더욱이 베이스필름(311)에 있어서의 잉크층(312)을 형성한 면과는 반대측의 면에 필요에 따라서 제 1전사시트와 마찬가지로 내열층을 형성하여도 된다. 또 전사시트는 한 장의 나뭇잎 형상이어도 되고, 롤형상이어도 된다.

도 28(a)는 전극패턴을 갖는 PDP기판 평면도이며, 또한 동도(b)는 동도(a)의 XY방향에서의 단면도이고, 도면중, K는 전극패턴을 갖는 PDP기판, 313은 전극층, 314는 PDP패턴에 있어서의 유리기판이다. 또한 도면층 화살표방향은 전사시트의 라미네이트 방향을 나타낸다.

도28(a),(b)에 표시한 바와 같이 PDP패널은 본 발명에 있어서의 잉크층의 피전사체이며, 유리기판(314) 상에 전극층(313)이 적층되어 있다.

전극층(313)은 적어도 글래스플릿으로 이루어지는 무기입자, 소성에 의해 제거되는 수지, 도전성 입자로 이루어지는 잉크를 사용하여 형성되는 것이다.

그래서 전극층의 형성방법으로서는

(1) 패턴형상에 스크린인쇄, 오목판옵셋인쇄에 의해 패턴형상으로 형성시킨 것,

(2) 감광성전극페이스트를 스크린인쇄, 다이코드 등에 의해 베터(better)도포한 후 전극패턴 형상으로 노광, 현상하여 형성된 것.

(3) 감광성전극 페이스트를 상술한 전사시트와 동일한 베이스 필름 상에 도포하여 전사시트로 하고, 이어서 유리기판 상에 중첩해서 전극형성층을 전사한 후 포토리 소법에 의해 패턴형상으로 노광, 현상하여 형성한 것,

(4) 베이스필름 상에 패턴형상으로 전극형성층을 형성한 전사시트를 사용하여 패턴형상의 전극형성층을 유리기판 상에 전사형성한 것,

(5) 전극층이 유리기판 상에 전극재료를 직접, 증착이나 스파터법 등에 의해 적층한 박막전극층 등을 들수 있다.

또 상술한 현상때에는 웨트처리에 의한 현상 또는 박리현상 등을 들수 있다.

본 발명 제3패턴 형성방법에 있어서는 전극형성층을 소성하여 전극층으로 한 후에 적용시켜도 좋지만 소성 전의 볼록형상의 전극형성층 상에 패턴형성한 후 소성하고 전극층, 유전체층을 동시에 형성하여도 된다.

도 29는 본 발명 제3패턴 형성방법을 설명하기 위한 도면이다.

도면 중 R은 열라미네이트이며, 도27∼도28과 동일한 부호는 동일 내용을 나타낸다.

본 발명 제3패턴 형성방법은 도29에 나타낸 바와같이 스트라이프 형상의 볼록형상 패턴을 갖는 기판(K) 상에, 베이스필름 상에 잉크층(312)을 갖는 전사시트(S)를 그 잉크층 측에서 라미네이트하고, 그 잉크층(312)을 볼록형상패턴을 갖는 기판(S) 상에 전사할 때 상기 전사시트(S)를 도28(a)에 있어서 화살표로 나타낸 방향 즉, 볼록형상패턴(313)의 스트라이프방향과 평행한 방향으로 열라미네이터(R)에 의해 라미네이트하여 잉크층(312)을 전사하는 것이다. 도 30은 잉크층(312)이 전사된 상태를 나타낸다.

잉크층(312)은 열라미네이터(R)에 의해 가열연화한 상태에서 볼록형상전극패턴(313) 상에 전사되지만, 볼록형상전극패턴(313)의 스트라이트방향과 평행한 방향으로 라미네이트되는 것으로 볼록형상전극패턴의 길이방향에 있어서의 전극과 유리기판의 계면에 기포를 끌어넣지 않고, 잉크층을 전사하는 것을 가능하게 하는 것이다. 전사형성된 유전체층형성층은 소성되어 유전체층으로 되지만, 빠짐없이 유전체층을 권사형성할 수 있고, 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있다. 또한 유리기판 상에 하지층을 형성하고 그 하지층 상에 전극을 형성한 것을 기판으로 하고, 그 기판상에 유전체층형성층을 전극스트라이프와 평행한 방향으로 전사하여 형성해도 된다.

상기에서는 전극층(313)을 갖는 유리기판 상에 유전체층형성층(312)을 전사형성하였지만, 유리기판 상에 소성 전의 하지형성층, 전극형성층을 순차형성한 후 본 발명 볼록형상패턴으로의 잉크층형성방법에 의해 유전체층형성층을 피복형성하고, 하지형성층, 전극형성층, 유전체층형성층을 동시에 소성하여도 되고, PDP패널부재를 효율높게 작성할 수 있다.

또한 장벽형성층을 형성할 때에는 전극스트라이프방향에 대하여 평행한 방향으로 라미네이트하여도 좋지만 수직방향으로 라미네이트하여도 특별한 문제는 없다.

이하 본 발명 제1전사시트에 대하여 실시예 1∼2에 의해 설명한다.

(실시예 1)···(PDP유전체층형성용 전사시트)

조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, Zn_O, B₂O₃(무알카리) 평균입자직경 3㎛}

········ 70중량%

·Ti O₂········ 3중량%

·A1₂O₃········ 7중량%

(상기한 무기입자 혼합체의 연화점 570℃, Tg485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸헥실메타크릴레이트 공중합체(8/2, 중량비) ········ 10중량%

·벤질부틸프탈레이트 ········ 7중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·에틸에틸케톤 ········ 5중량%

를 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름상에 콤마코드 도포하여 100℃에서 건조하고, 막두께 20±2㎛인 잉크층을 형성한 후, 실리콘처리 PET필름(도세로(주)03-25-C)을 라미네이트하고, 본 발명 전사시트를 제작했다.

얻어진 전사시트를 굽힘시험(JIS K5400 6.16 내굴곡성 시험)하였더니 10mm로 견디어 잉크층은 박리되지 않고 양호하게 보존유지되어 있었다.

다음으로 실리콘처리 PET필름을 박리하고 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)을 사용하고, 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 전극부착 유리기판 상에 라미네이트하였다.

폴리에틸렌테레프탈레이트필름을 박리하고, 피크온도 570℃에서 소성하고, 유전체층을 형성하였다. 소성후의 막두께는 10±1㎛이며, 표면평활성이 우수한 유전체층을 형성할 수 있었다.

(실시예 2)···(PDP하지층 형성용 전사시트)

조성

·글래스플릿{주성분; PbO, SiO₂, B₂O₃(무알카리)}

(글래스플릿의 연화점 570℃, Tg480℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 83×10^-7/℃ 평균입자직경 1㎛) ········ 65중량%

·A1₂O₃········ 11중량%

·CuO········ 4중량%

·폴리메틸메타크릴레이트 ········ 10중량%

·디부틸프탈레이트 ········ 10중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·에틸에틸케톤 ········ 10중량%

를 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름 상에 롤코트 도포하여, 100℃에서 건조하고, 막두께 18±2㎛의 잉크층을 형성한후, 실리콘처리 PET필름(도세로(주)03-25-C)을 라미네이트하고, 본 발명의 전사시트를 제작했다.

얻어진 전사시트를 굽힘시험(JIS K5400 6. 16 내굴곡성시험)하였더니 10mm에 견디고, 잉크층은 박리되지 않고, 양호하게 보존유지 되었다.

다음으로 실리콘처리 PET필름을 박리하고 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)을 사용하고, 기판프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 유리기판상에 라미네이트하였다.

폴리에틸렌테레프탈레이트필름을 박리하고, 피크온도 600℃에서 소성하고, 하지층을 형성하였다. 소성 후의 막두께는 9±1㎛이며, 표면평활성이 우수한 하지층을 형성할 수 있었다.

다음에 본 발명의 제2전사시트에 대하여 실시예 3∼5, 비교예 1에 의해 설명한다.

(실시예 3)···(유전체층 형성용 전사시트)

조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, ZnO, B₂O₃(무알카리) 평균입자직경 3㎛, 입자직경이 20㎛이상의 입자가 5중량%} ········ 70중량%

·TiO₂(평균입자직경 4㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 5중량%)

········ 3중량%

·A1₂O₃(평균입자직경 4㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 5중량%)

········ 7중량%

(상기한 무기입자 혼합체의 연화점 570℃, Tg485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸텍실메타크릴레이트 공중합체(8/2) ········ 10중량%

·벤질부틸프타레이트 ········ 7중량%

·프로필렌글리콜모노메틸에테르 ········ 20중량%

를 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌테레프타레이트필름 상에 콤마코트 도포하여, 100℃에서 건조하여 막두께 20±2㎛의 잉크층을 형성하였다. 형성된 잉크층표면은 평활성이 우수한 것이었다. 그 잉크층표면 상에 실리콘처리 PET필름(도세로(주)03-25-C)를 라미네이트하고, 본 발명 전사시트를 제작했다.

얻어진 전사시트를 굽힘시험(JIS K5400 6.16 내굴곡성시험)하였더니 10mm에 견디고, 잉크층은 박리되지 않고 양호하게 보존유지 되었다.

다음으로 실리콘처리 PET필름을 박리하고 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)을 사용하고, 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 전극부착 유리기판 상에 라미네이트하였다.

폴리에틸렌테레프탈레이트필름을 박리하고, 전사성에 대하여 살펴보면, 광학현미경 및 전자현미경에 의해 확인한 바, 빠짐없이 깨끗하게 전사된다.

다음에 피크온도 570℃에서 소성하고, 유전체층을 형성하였다. 소성 후의 막두께는 10±1㎛이며, 표면평활성이 우수한 유전체층을 형성할 수 있었다.

(실시예 4)···(하지층 형성용 전사시트)

조성

·글래스플릿{주성분; PbO, SiO₂, B₂O₃(무알카리)}

(글래스플릿의 연화점 570℃, Tg480℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 83×10^-7/℃ 평균입자직경 1㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 5중량%)···· 65중량%

·A1₂O₃(평균입자직경 1㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 0중량%)

········ 11중량%

·CuO (평균입자직경 1㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 0중량%)

········ 4중량%

·폴리-2-에틸-헥실메타크릴레이트 ········ 14중량%

·디부틸프탈레이트 ········ 10중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케톤 ········ 10중량%

를 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름 상에 롤코트 도포하여, 100℃에서 건조하고, 막두께 20±2㎛의 잉크층을 형성했다. 형성된 잉크층표면은 평활성이 우수한 것이었다. 그 잉크층 표면상에 실리콘처리 PET필름(도세로(주)03-25-C)을 라미네이트하여 본 발명의 전사시트를 제작했다.

얻어진 전사시트를 굽힘시험(JIS K5400 6. 16 내굴곡성시험)하였더니 10mm에 견디고, 잉크층은 박리되지 않아, 양호하게 보존유지 되었다.

다음으로 실리콘처리 PET필름을 박리하고 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)을 사용하고, 기판프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 유리기판 상에 라미네이트하였다.

폴리에틸렌테레프탈레이트필름을 박리하고, 전사성에 대하여 살펴보면, 광학현미경 및 전자현미경에 의해 확인한 바, 기포를 끌어들임이 없어 결함이 없는 전사성이 우수한 것이었다.

이어서 피크온도 600℃에서 소성하고 유리기판 상에 하지층을 형성하였다. 소성 후의 막두께는 9±1㎛이고 표면평활성이 우수한 하지층을 형성할 수 있었다.

(실시예 5)···(전극형성층 형성용 전사시트)

하기조성

·감광성수지(하기조성) ········ 20중량%

·은분(평균입자직경 1㎛, 입자직경이 15㎛이상인 입자가 0중량%)

········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃(무알카리)

평균입자직경 1㎛, 입자직경이 15㎛이상인 입자가 0중량%, 연화점 500℃}

········ 5중량%

·프로필렌스리콜 모노메틸에테르 ········ 20중량%

(감광성 수지내역

·알칼리현상형바인더폴리마(n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산공중합체에 글리시딜아크릴레이트를 7mol% 첨가한 것 산가(酸價)100mg KOH/g) ········ 100중량%

·펜타에리트릴레이트/테트라아크릴레이트 ····· 60중량%

·광개시제(치비가이기사제「이르가큐아 369」)

········ 10중량%)

의 전극형성층 형성용 도포액을 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 상에 슬릿리버스콧법에 의하여 도포하고, 건조막두께 15㎛의 전극형성층을 갖는 전극형성용 전사시트를 제작하였다. 형성된 전극형성층 표면은 평활성(平滑性)이 뛰어난 것이었다.

실시예4에 있어서, 유리기판 위에 전사형성된 하지형성층 위에 앞서 제작한 전극형성용 전자시트를 전극형성층 측으로부터 90℃의 열롤을 사용하여 레미네이트하고 폴리에틸렌테레프탈레이트필름을 박리하였다. 계속하여, PDP의 어드레스 전극의 네거패턴마스크를 통하여 적외선 700mJ/㎠조사한 뒤, 폴리에틸렌테레프탈레이트필름을 박리하고, 0.5%탄산나트륨 수용액 현상액을 사용하여 미로광부를 박리하며 현상하였다.

얻어진 것에 대하여 어드레스전극을 목시하고, 광학현미경 및 전자현미경에 의하여 확인한 바, 누락도 없이 전사성이 뛰어난 것이었다.

다음으로 기판전체를 600℃로 소성하고, 막두께 9㎛인 지하층과 막두께 6㎛, 폭 70㎛의 PDP용 어드레스전극패턴을 형성 할 수 있었다.

(비교예 1)

조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, ZnO, B₂O₃(무알카리) 평균입자 5㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 35중량%} ········ 70중량%

·TiO₂(평균입자직경 7㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 35중량%)

········ 3중량%

·A1₂O₃(평균입자직경 7㎛, 입자직경이 20㎛이상인 입자가 35중량%)

········ 7중량%

(상기한 무기입자 혼합체의 연화점 570℃, Tg485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드로키시에틸헤키실메타크 릴레이트 공중합체(8/2) ········ 10중량%

·벤질부틸프타레이트 ········ 7중량%

·이소프로필알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케톤 ········ 5중량%

를 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌텔리프타레이트필름상에 콘마코트 도포하여, 100℃에서 건조하여 막두께 20±2㎛의 잉크층은 매트모양이었다. 이어, 오토컷래미네이터 (아사히카세히(주)제, 형식 ACL-9100)를 사용하고, 기판프리히트온도 80℃, 래미롤온도 100℃의 전사조건으로 전극이 붙어있는 글래스기판상에 라미네이트하였다. 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 전사성에 대하여 목시하고, 광학현미경 및 전자현미경에 의하여 확인한 바 전사면에 누락이 발생하여 전사시트로서는 사용할 수 없는 것이었다.

이어 본 발명 제3의 전사시트에 대하여 실시예 6∼10에 의거하여 설명한다.

(실시예 6)

도 10에 나타낸 오목판(22)에서 하지패턴모양으로 각설한 오목부(22a)안에 닥터를 이용하여

(조성)

·카르바나 왁스 ········ 30중량%

·이소프로필알콜/물(1/1,중량비) ········ 70중량%

로 된 박리성 재료를 충전한 후, 도10에 나타낸 바와같이, 이 오목판에 폴리에틸렌테레프탈레이트필름(이하, PET필름;11)을 래미네이트하고, 백업롤(21)을 이용하여 하지패턴 모양의 박리층(12)을 PET필름상에 전사하였다. 사용한 오목판은 실린더판에 5㎛의 깊이인 오목판을 엣칭에 의하여 형성한 것이다.

얻어진 하지패턴 모양의 박리층(12)을 갖는 PET필름 상에

조성

·글래스플릿{주성분; PbO, SiO₂, B₂O₃(무알카리)}

(글래스플릿의 연화점 570℃, Tg480℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 83×10^-7/℃ 평균입자직경 1㎛) ········ 65중량%

·A1₂O₃········ 11중량%

·CuO········ 4중량%

·폴리-n-부틸메타크릴레이트 ········ 10중량%

·디부틸프탈레이트 ········ 10중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케톤 ········ 10중량%

을 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 롤콧 도포하고, 100℃로 건조하여 막두께 18±2㎛의 하지형성층을 형성하고 보호필름을 펴붙이기하여 본 발명 제1의 전사시트를 제작하였다. 전사시트에 있어서 보호필름을 박리한 후, 오토라미네이터(아시히카세이(주)제, 형식 ACL- 7100)를 사용하여 기판프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 70℃의 전사조건에서 전극부착의 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하였더니 하지형성층이 패턴형상으로 깨끗하게 전사되었다. 피크온도 570℃에서 소성하고, 하지층을 형성하였다. 소성후의 막두께는 하지층이 9±1㎛이고, 또한 표면평활성이 뛰어난 것이었다.

(실시예 7)

도 10에 나타낸 오목판(22)에서 어드레스전극패턴 모양으로 각설한 오목부(22a)안에 실시예 6과 마찬가지로 박리성재료를 충전한 후, 똑같이 PET필름(11)위에 전극패턴 모양의 박리층(12)을 전사하였다. 사용한 오목판은 실린더판에 5㎛의 깊이인 오목부를 엣칭에 의하여 형성한 것이다.

얻어진 전극패턴 모양의 박리층(12)을 갖는 PET 필름상의

조성

·은분체(평균입자직경 1㎛, 구형) ········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃계, 연화점 580℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 75×10^-7/℃) ········ 5중량%

········ 18중량%

유기성분

(내역;

·폴리-n-부틸아크릴레이트 ········ 100중량%

·폴리에스테르계 가소제(아사히덴까(주)제, RS-107)

·프로필렌글리콜모노메틸에테르 ········ 15중량%

의 잉크를 삼본(三本)롤을 이용하여 혼합분산처리하고, 전극형성층 형성용 페이스트를 조제하여, 삼본롤 리바이스법에 의하여 도포하고, 100℃에서 건조하여 막두께 15㎛의 전극형성층을 형성, 보호필름을 박리한 후, 오토컷래미네이터(아시히카세이(주)제, 형식 ACL- 7100)를 사용하여 기판프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 70℃의 전사조건에서 전극부착의 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하였더니 하지형성층이 패턴형상으로 깨끗하게 전사되었다. 이 적제층의 피크온도 570℃에서 소성하고, 패턴모양의 전극층을 형성하였다. 소성후의 전극층 막두께는 6±1㎛였다.

(실시예 8)

도 10에 나타낸 오목판(22)에 있어서 유전체층 패턴모양으로 각설한 오목부(22a)안에 실시예 6과 마찬가지로 박리성 재료를 충전한 후, 똑같이 PET필름(11)위에 유전체층 패턴모양의 박리층(12)을 PET필름 위에 전사하였다. 사용한 오목판은 실린더판에 5㎛깊이의 오목부를 엣칭에 의하여 형성한 것이다.

얻어진 유전체층 패턴형상의 박리층(12)을 가진 PET필름 상에 조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, ZnO, B₂O₃(무알카리) 평균입자직경 ㎛}

········ 70중량%

·Ti O₂········ 3중량%

·A1₂O₃········ 7중량%

(상기의 무기입자 혼합체의 연화점 570℃, Tg485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸헥실메타크릴레이트 공중합체(8/2, 중량비) ········ 15중량%

·벤딜부틸프타레이트 ········ 10중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케튼 ········ 5중량%

를 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 콘마코트 도포하여, 100℃에서 건조하여 막두께 20 ±2㎛의 유전체층형성층을 형성하여 보호필름을 펴붙여서 본 발명의 제1전사시트를 제작하였다.

보호필름을 박리한 후, 오토컷라미네이터(아시히카세이(주)제, 형식 ACL- 7100)를 사용하여 기판프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 60℃의 전사조건에서 전극부착의 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하였더니 유전체층형성층이 패턴형상으로 깨끗하게 전사되었다.

이 적층체를 피크온도 570℃에서 소성하여 유전체층을 형성하였다. 소성후의 유전체층의 막두께는 10±1㎛이고 유전체층의 표면은 평활성에 뛰어난 것이었다.

(실시예 9)

PET 필름상의 조성

·은분체(평균입자직경 1㎛, 구형) ········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃계, 연화점 580℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 75×10^-7/℃) ········ 5중량%

·경화성수지 ········ 15중량%

(내역;

·폴리부틸아크릴레이트 ········ 100중량%

·폴리오키시에틸화 트리메티롤프로판트리 아크릴레이트

········ 60중량%

·광개시제(치바가이기사제「이르가큐아 369」)

········ 10중량%

의 잉크를 삼본(三本)롤을 사용해서 혼합분산처리하여 전극형성층 형성용 페이스트를 조제하여, 삼본롤 리바이스법에 의하여 도포하고, 100℃에서 건조하여 막두께 15㎛의 전극형성층을 형성하였다.

한편, 도11에 나타낸 바와같이, 실린더판에 깊이 20㎛의 오목부를 어드레스전극패턴형상으로 새겨만든 후, 그 오목부 내에 독터를 사용하여

(조성)

·폴리-n-부틸라우릴레이트 ········ 20중량%

·메틸에틸케튼/톨엔(1/1,중량비) ········ 80중량%

의 접착성 재료를 충진한 후, 상기에서 제작한 전극형성층부착의 PET필름 상에 전극패턴형상의 접착층(14)을 전사형성하고 보호필름을 라미네이트하여 본 발명의 제2전사시트를 얻었다.

전사필름에 있어서 보호필름을 박리한 후, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-7100)를 사용하여 기판프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 60℃의 전사조건에서 하지층부착의 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하였더니 전극형성층이 어드레스전극 패턴형상으로 깨끗하게 전사되었다.

이 적층체를 피크온도 570℃에서 소성하여 패턴형상의 전극층을 형성하였다. 소성후의 전극층의 막두께는 6±1㎛이었다.

(실시예 10)

도 11에 나타낸 바와같이, 실린더판에 깊이 20㎛의 오목부를 어드레스전극패턴형상으로 새겨만든 후, 그 오목부 내에 독터를 사용하여

(조성)

·폴리-n-부틸라우릴레이트 ········ 20중량%

·메틸에틸케튼/톨엔(1/1,중량비) ········ 80중량%

의 접착성 재료를 충진한 후, 보호필름(박리성을 가진 PET필름)상에 전극패턴형상으로 접착층을 전사하였다.

얻어진 보호필름을 접착층 측으로부터 실시예 7에서 제작한 베이스필름/전극패턴형상의 박리층/전극형성층으로되는 전극형성층전사시트에 있어서 전극형성층 상에 박리층의 패턴과 접착층의 패턴을 일치시켜서 라미네이트하여 본 발명의 제3전사시트를 얻었다.

보호필름을 박리한 후, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL- 7100)를 사용하여 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 하지층부착의 유리기판상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하였더니 전극형성층이 어드레스전극 패턴형상으로 깨끗하게 전사되었다.

이 적체층을 피크온도 570℃에서 소성하여 패턴형상의 전극층을 형성하였다. 소성후의 전극층의 막두께는 6±1㎛이었다.

본 발명의 제4∼제13의 전사시트에 대하여 실시예 11∼22에 의하여 설명한다.

(실시예 11)···(도 12에 나타낸 제4전사시트의 제작)

(유전체층형성층의 형성)

조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, ZnO, B₂O₃(무알카리)

평균입자직경 ㎛} ········ 70중량%

·Ti O₂········ 3중량%

·A1₂O₃········ 7중량%

(상기의 무기입자 혼합체의 연화점 570℃, Tg485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸헥실메타크릴레이트 공중합체(8/2)

········ 15중량%

·벤질부틸프타레이트 ········ 7중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케튼 ········ 5중량%

을 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌텔리프타레이트필름(이하, PET필름) 상에 콘마코트 도포하여, 100℃에서 건조하여 막두께 20 ±2㎛의 유전체층형성층을 형성하였다.

(패턴형상의 전극형성층의 형성)

조성

·은분체(평균입자직경 1㎛, 구형) ········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃계, 연화점 500℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 75×10^-7/℃) ········ 5중량%

·경화성수지 ········ 15중량%

(내역:

·폴리부틸아크릴레이트 ········ 100중량%

·폴리옥시에틸화 트리메티롤프로판트리 아크릴레이트

········ 60중량%

·광개시제(치바가이기사제「이르가큐아 369」)

········ 10중량%

의 잉크를 삼본(三本)롤을 사용해서 혼합분산처리하여 전극형성층 형성용 페이스트를 조제하여, 도 22에 나타낸 오목판(22) 상에 독터를 사용하여 전극패턴형상으로 새겨만든 오목부(22a)에 전극형성층 형성용 페이스트를 충진한 후, 박리성을 가진 PET필름을 그 이형면으로부터 라미네이트하여 백업롤(21)을 사용해서 패턴형상의 전극형성층(12b)을 전사하여 전사용 필름을 제작하였다. 사용한 오목판은 소다라임유리판에 깊이 20㎛의 오목부를 엣칭에 의하여 형성한 것이다.

얻어진 전사용 필름을 전기에서 형성한 유전체층형성층 상에 전극형성층 측으로부터 라미네이트하고, PET필름을 박리해서 유전체층형성층 상에 선폭 50㎛, 핏치 200㎛의 전극형성층을 형성하여 폴리에틸렌필름(이하, PE필름)을 라미네이트하여 본 발명의 제4전사시트를 제작하였다.

PE필름을 박리하여 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형성 ACL-9100)를 사용하여 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 하지층부착의 유리기판 상에 라미네이트하여 PET필름을 박리하였다.

이 적층체를 피크온도 570℃에서 소성하여 패턴형상의 전극층, 유전체층을 동시에 형성하였다. 소성후의 전극층의 막두께는 6±1㎛이고, 또 유전체층의 막두께는 10±1㎛이었다. 또 유전체층의 표면은 평활성에 뛰어난 것이었다.

(실시예 12) ·····(도 12에 나타낸 제4전사시트의 제작)

실시예 11에서 기재한 조성의 전극형성층 형성재료를 롤밀을 사용하여 혼합분산처리하여 전극형성층 형성용 페이스트를 조제하고, 도 23에 나타낸 장치에 장진하여 전사용 기판으로서 박리성을 가진 PET필름을 사용하고 또 선원(線源)으로서 자외선조사(600mJ/㎠)해서 PET필름상에 선폭 70㎛, 핏치 220㎛의 전극패턴을 가진 전사용 필름을 얻었다. 롤 오목판은 철심의 표면에 동(銅)으로 오목형상 패턴을 형성하고 크롬을 피복하여 실리콘층을 형성한 것이다.

얻어진 전사용 필름을 실시예 11에서 형성한 유전체층형성층(막두께 20±2㎛) 상에 전극패턴 측으로부터 라미네이트하고, 유전체층형성층 상에 선폭 70㎛, 핏치 220㎛의 전극형성층을 형성하여, 다시 PE필름을 라미네이트하여 본 발명의 제4전사시트를 제작하였다.

이 전사시트에 있어서의 PE필름을 박리하여 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 하지층부착의 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하여 피크온도 570℃에서 소성하여 패턴형상의 전극층, 유전체층을 동시에 형성하였다. 소성후의 전극층의 막두께는 7±1㎛, 유전체층의 막두께는 10±1㎛이었다. 또 유전체층의 표면은 평활성에 뛰어난 것이었다.

(실시예 13)···(도 13에 나타낸 제5전사시트의 제작)

(패턴형상의 전극형성층의 형성)

실시예 11에서 기재한 조성의 전극형성층 형성재료를 롤밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 실시예 11과 같이 오목판을 사용하여 PET필름 상에 인쇄하여, 선폭 50㎛, 핏치 200㎛, 막두께 10±㎛의 패턴형상의 전극형성층을 형성하였다.

(하지형성층의 형성)

조성

·글래스플릿{주성분; PbO, SiO₂, B₂O₃(무알카리)}

(글래스플릿의 연화점 570℃, Tg480℃, 열팽창계수 α₃₀₀=83×10^-7/℃,평균입자직경 1㎛) ········ 65중량%

·A1₂O₃········ 11중량%

·CuO ········ 4중량%

·폴리메틸메타크릴레이트 ········ 10중량%

·디부틸프타레이트 ········ 10중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케튼 ········ 10중량%

을 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 전기에서 형성한 패턴형상의 전극형성층 상에 롤코트 도포하여, 100℃에서 건조하여 막두께 18±2㎛의 하지형성층을 형성한 후, PE필름을 라미네이트하여 본 발명의 제5전사시트를 제작하였다.

이어서, PE필름을 박리하고, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 기판프레히트온도 60℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하고, 피크온도 600℃에서 소성하여 하지층, 패턴형상의 전극층을 동시에 형성하였다. 소성 후의 막두께는 하지층이 9±1㎛, 패턴형상의 전극층이 6±1㎛이었다.

(실시예 14)···(도 14에 나타낸 제6전사시트의 제작)

(장벽형성층의 형성)

조성

·글래스플릿{MB-008, 마쯔나미가라스코오교오(주)제}

········ 65중량%

·α-아루미나 RA-40(이와타니카가꾸고오교오)

········ 10중량%

·다이피로키사이드블랙 #9510(다이니찌세이카코오교오(주)제)

········ 10중량%

·에틸셀룰로오스 ········ 4중량%

·프탈산비스(2-에틸헤기실) ········ 4중량%

·프탈산디메틸 ········ 8.5중량%

·프로필렌글리콜모노메틸에테르 ······· 5중량%

·이소프로필 알콜 ······· 20중량%

을 세라믹비즈를 사용한 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 이형(離型)처리한 PET필름에 다이코트에 의하여 도포하고, 120℃에서 건조시켜 막두께 180㎛의 장벽형성층을 형성하였다.

(유전체층형성층의 형성)

상기에서 얻은 장벽형성층상에 조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, ZnO, B₂O₃(무알카리)

평균입자직경 3㎛) ········ 70중량%

·TiO₂········ 3중량%

·A1₂O₃········ 7중량%

(상기 무기입자혼합체의 연화점 570℃, Tg 485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸헥실메타크릴레이트 공중합체(8/2) ········ 10중량%

·벤질부틸프타레이트 ········ 7중량%

·프로필렌글리콜모노메틸에테르 ········ 20중량%

을 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 콘마코트 도포하고, 100℃에서 건조하여 막두께 20±2㎛의 유전체층형성층을 형성하였다. 그리고 PE필름을 라미네이트하여 본 발명의 제6전사시트를 제작하였다.

유리기판 상에 하지층, 전극층을 가진 PDP패널 부재에 상기에서 제작한 PDP제작용 전자시트를 PE필름을 박리하고 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 120℃로서 열롤을 사용하여 라미네이트하였다.

이와같이 하여 얻어진 PDP패널부재를 PET필름을 박리한 후 200℃의 오븐속에서 20분간 유지하고 가소제를 제거한 후, 장벽형성층 상에 보호막을 가진 네가형 드라이필름레지스트(닛뽄고오세이카가구코오교오(주)제, NCP225, 25㎛)를 120℃의 열롤로 라미네이트하였다.

이어서 보호막을 가진 레지스트층 상에 선폭 80㎛, 핏치 220㎛의 라인패턴마스크를 위치를 맞추어 배치하고, 자외선조사(364㎚, 강도 200㎼/㎠, 조사량 120mJ/㎠)한 후, 포토레지스트층 상의 보호막을 박리하고, 액온(液溫) 30℃의 탄산나트륨 1중량% 수용액을 사용하여 스프레이현상하였더니. 라인패턴마스크에 대응한 레지스트패턴이 얻어졌다.

다음으로, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 샌드블라스트 가공장치를 사용하여 레지스트패턴 개구부의 장벽형성층을 샌드블라스트처리하였다. 샌드블라스트 가공후 유전체층 형성층을 관찰하였으나 유전체층형성층은 샌드블라스트에 의하여 거의 깍이지 아니하고 전극의 노출도 없이 막두께를 가지는 것이었다.

이어서 레지스트패턴을 액온 30℃의 수산화나트륨 2중량% 수용액을 사용하여 스프레이 박리하고, 수세후 80℃의 오븐속에서 15분간 건조시켰다. 그리고 최후에 PDP패널부재를 피크온도 570℃에서 소성하여 유전체층, 장벽층을 동시에 형성하였다.

얻어진 유전체층의 막두께는 20㎛, 장벽층은 선폭이 50㎛로서 높이가 120㎛이었다. 장벽층의 높이는 균일하며 표면은 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 15)···(도 15에 나타낸 제7전사시트의 제작)

실시예 11에 있어서 형성한 유전체층형성층(막두께 20±2㎛), 패턴형상의 전극형성층(막두께 10㎛) 상에 실시예 13에 있어서의 하지형성층(막두께 18±2㎛)을 동일하게 형성하고, PE필름을 펴붙여 본 발명의 제7전사시트를 제작하였다.

이어서, 이 전사시트의 PE필름을 박리하고, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 유리기판 상에 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하고, 피크온도 570℃에서 소성하여 하지층, 패턴형상의 전극층, 유전체층을 형성하였다. 소성후 하지층의 막두께는 9±1㎛, 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 10±1㎛이었다. 유전체층의 표면은 평활성이 뛰어난 것이었다.

(실시예 16)···(도 16에 나타낸 제8전사시트의 제작)

실시예 14에 있어서의 전사시트의 제작에서 형성한 장벽형성층(막두께 180㎛), 유전체층형성층(막두께 20±2㎛) 상에 실시예 11과 동일하게, 패턴형상의 전극형성층(막두께 10㎛)을 동일하게 형성하고, PE필름을 펴붙여 본 발명의 제8전사시트를 제작하였다.

이어서 이 전사시트의 PE필름을 박리하고, 하지층을 가진 유기기판으로 된 PDP부재 상에 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하고, 실시예 14와 같이 장벽형성층을 패터닝한 후, 피크온도 570℃에서 소성하여 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽층을 형성하였다. 소성후의 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 10±1㎛이었다. 장벽층의 선폭은 50㎛이고 높이가 120㎛이었다. 얻어진 장벽층의 높이는 균일하고 표면은 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 17)···(도 17에 나타낸 제9전사시트의 제작)

실시예 16에 있어서 형성한 장벽형성층(막두께 180㎛), 유전체층형성층(막두께 20±2㎛), 패턴형상의 전극형성층(막두께 10㎛) 상에 실시예 13에 있어서의 하지형성층(막두께 18±2㎛)을 동일하게 형성하고, PE필름을 펴붙여 본 발명의 제9전사시트를 제작하였다.

이어서 이 전사시트의 PE필름을 박리하고, PDP부재인 유리기판 상에 오토컷라미네이터(아사히가세이(주), 형식 ACL-9100)에 의하여 기판프레히트 온도 80℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건에서 라미네이트하였다.

PET필름을 박리하고, 실시예 14와 동일하게 장벽형성층을 패터닝한 후, 피크온도 570℃로 소성하여 하지층, 패턴형상의 전극층, 유전체층, 장벽층을 형성하였다. 소성후의 하지층의 막두께는 9±1㎛, 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 10±1㎛, 장벽층의 선폭은 50㎛, 높이가 120㎛이었다. 장벽층의 높이는 균일하고, 표면은 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 18)···(도 18에 나타낸 제10전사시트의 제작)

(패턴형상의 전극형성층의 형성)

실시예 11에서 기재한 조성의 전극형성층 형성재료를 롤밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 실시예 11과 동일하게 오목판을 사용하여 PET필름 상에 인쇄하여 선폭 50㎛, 핏치 200㎛, 막두께 10±1㎛의 패턴형상의 전극형성층을 형성하였다.

이 전극형성층 상에 실시예 14에 기재한 유전체형성층과 동일하게 유전체형성층을 형성하였다.

(장벽형성층의 형성)

이 유전체형성층 상에 조성

·글래스플릿｛MB-008, 마쯔나미가라스고오교오(주)제｝····· 65중량%

·α-알루미나RA-40(이와타니가가쿠고오교오) ····· 10중량%

·다이피록사이드블랙#9510(다이니찌세이카고오교오(주)제)

·····10중량%

·에틸셀룰로오스 ····· 3중량%

·플로필렌글리콜모노메틸에테르 ····· 5중량%

·이소프로필알콜 ····· 20중량%

를 세라믹비즈를 사용한 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 이형처리한 PET필름에 다이코드로 도포하고, 120℃ 에서 건조시켜 막두께 180mm의 장벽형성층을 형성하였다.

또한 그 장벽형성층 상에 PET필름 상에 적층된 네가형 드라이필름레지스트(닛뽄고오세이가가쿠고오교오(주)제, NCP225, 25㎛)를 120℃의 열롤로 레지스트 측으로부터 라미네이트하고, PET필름 상에 포토레지스트층, 장벽형성층(막두께 180㎛), 유전체층형성층(막두께 20±2㎛), 패턴형상의 전극형성층(막두께 10㎛), PET필름이 순차적으로 적층된 본 발명의 제10전사시트를 제작하였다.

이 전사시트를 패턴형상의 전극형성층 측의 PET필름을 박리하고, 유기기판 상에 하지층을 가진 PDP패널 부재 상에 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 120℃으로 하여 열롤을 사용 라미네이트하였다.

이와같이 하여 얻어진 PDP패널 부재를 실시예 14와 동일하게 하여 레지스트패턴을 얻고 이어서 동일하게 장벽형성층을 샌드블라스트처리하였다.

레지스트패턴을 동일하게 제거한 후, PDP패널부재를 피크온도 570℃에서 소성하여 전극층, 유전체층, 장벽층을 동시에 형성하였다. 얻어진 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 20㎛, 또 장벽층의 선폭은 50㎛, 높이가 120㎛이었다. 장벽층의 높이는 균일하고, 표면은 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 19)···(도 18에 나타낸 제10전사시트의 제작)

실시예 18에서 제작한 PET필름/패턴형상의 전극형성층/유전체층형성층/장벽형성층의 적층체에 있어서의 장벽형성층 상에, 조성

·글래스플릿｛MB-010, 마쯔나미가라스고오교오(주)제｝····· 65중량%

·α-알루미나RA-40(이와타니가가쿠고오교오) ····· 10중량%

·다이피록사이드블랙#9510(다이니찌세이카고오교오(주)제)

····· 10중량%

·플로필렌글리콜모노메틸에테르 ····· 20중량%

·감광성수지 ····· 20중량%

(내역:

·메틸메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체, 산가(酸價) 100㎎KOH/g)

····· 100중량%

·폴리옥시에틸화 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 ····· 70중량%

·광개시제(치바가이기사제「이르가큐아 907」) ····· 10중량%

를 삼본(삼본(三本)롤을 사용해서 혼련분산(混練分散)한 후, 콤마코드도포하고, 100℃에서 건조하여 막두께 30㎛의 감광성 흑색 장벽형성층을 형성하고, 다시 PET필름을 펴붙여 본 발명 제10전사시트를 제작하였다.

이 전사시트는 PET필름 상에 감광성 흑색 장벽형성층(막두께 30㎛), 장벽형성층(막두께 180㎛), 유전체층형성층(막두께 20±2㎛), 패턴형상의 전극형성층(막두께 10㎛), PET필름을 순차적으로 적층한 것이다.

이 전사시트에 있어서의 패턴형상의 전극형성층측의 PET필름을 박리하고, 유리기판 상에 하지층을 가진 PDP패널 부재 상에 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)에 의하여 프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 120℃로 하여 열롤을 사용하여 라미네이트하였다.

이어서 감광성 흑색 장벽형성층 상에 PET필름을 통하여 선폭 80㎛, 핏치 220㎛의 라인패턴마스크를 위치를 맞추어 배치하고, 자외선조사(365㎚, 조사량 500mJ/㎠)한 후, 탄산나트륨 1중량% 수용액을 사용하여 스프레이 현상하였다.

라인패턴마스크에 대응한 감광성 흑색 장벽형성층의 패턴을 얻었다. 이어서 이 패턴을 마스크로 하여 장벽형성층을 샌드블라스트처리하였다. 감광성 흑색 장벽층 및 유전체층 형성층을 관찰하였으나 샌드블라스트에 의한 영향은 찾아볼 수 없었다. 이어서 얻어진 PDP패널 부재를 피크온도 570℃에서 소성하여 전극층, 유전체층, 장벽층을 동시에 형성하였다. 얻어진 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 20㎛, 또 장벽층의 선폭은 60㎛이며 높이가 130㎛이고, 그 중 흑색 장벽을 15㎛ 가진 것을 얻을 수 있었다.

얻어진 장벽층은 높이가 균일하고, 표면은 활성이 뛰어 나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 20)····(도 19에 나타낸 제11전사시트의 제작)

실시예 18에서 제작한 PET필름/패턴형상의 전극형성층/ 유전체층형성층/ 장벽형성층의 적층체에 있어서의 장벽 형성층상에, 조성

·글래스플릿 ｛MB-008, 마쯔나미가라스고요교오(주)제｝···· 60중량%

·α-알루미나 RA-40 (이와타니가가쿠고오교오) ····· 10중량%

·다이피록사이드블랙#9510(다이니찌세이카고오교오(주)제)

····· 10중량%

·폴리부텐 (닛뽄유시(주)제, 200N) ····· 25중량%

·폴리부텐 (닛뽄유시(주)제, 5N) ····· 10중량%

를 도 22에 나타낸 오목판 옵셋에 의하여 선폭 80㎛, 핏치 220㎛의 장벽패턴형상으로 인쇄한후, 100℃에서 건조하여 막두께 20㎛의 샌드블라스트용 마스크(18)를 형성하고, PET필름을 펴붙여 본 발명의 제11전사시트를 제작하였다.

이 전사시트를 그 패턴형상의 전극형성층 측으로부터 PET필름을 박리하고, 하지층을 가진 유리기판으로된 PDP패널부재 상에 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식ACL-900)에 의하여 프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 120℃로 해서 열롤을 사용 라미네이트 하였다.

이어서 PET필름을 박리하고, 샌드블라스트용 마스크를 통하여 장벽형성층을 샌드블라스트 처리하였다. 샌드블라스트용 마스크 및 유전체층 형성층을 관찰하였으나 샌드블라스트에 의한 영향은 찾아볼 수 없었다.

이어서 얻어진 PDP패널부재를 피크온도 570℃에서 소성하여 전극층, 유전체층, 장벽층을 동시에 형성하였다. 얻어진 전극층의 두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 20㎛, 또 장벽층의 선폭은 60㎛, 높이가 130㎛이고, 그 중 샌드블라스트용 마스크에 의하여 형성된 흑색 장벽을 15㎛ 가진 것을 얻을 수 있었다. 장벽층의 높이는 균일하고, 또 표면은 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 21)·····(제12전사시트의 제작)

실시예 18에서 제작한 제10전사시트를 그 패턴형상의 전극형성층 측의 PET필름을 박리해서 실시예 13에 기재한 하지형성층 형성용 페이스트를 롤코드 도포하고, 100℃에서 건조하여 막두께 18±2㎛의 하지형성층을 형성하고 PE필름을 라미네이트하여 본 발명의 제12전사시트를 제작하였다.

PDP패널부재로 되는 유리기판 상에 상기에서 제작한 PDP제작용 전사시트의 PE필름을 박리하고, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식ACL-900)에 의하여 프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 120℃로 하여 열롤을 사용하여 라미네이트 하였다.

이와같이 하여 얻어진 PDP패널부재를 사용하여 실시예 18과 같이 하여 장벽형성층을 패터닝한 후, PDP패널부재를 피크온도 570℃에서 소성하여 하지층, 전극층, 유전체층, 장벽층을 동시에 형성하였다.

얻어진 하지층의 막두께는 9±1㎛, 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 20㎛, 또 장벽층의 선폭은 50㎛이고 높이가 120㎛이었다. 장벽층의 높이는 균일하고, 표면은 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 22)·····(제13전사시트의 제작)

실시예 20에서 제작한 제11전사시트를 그 패턴형상의 전극형성층 측의 PET필름을 박리한 후, 실시예 13에 기재한 하지형성층 형성용 페이스트를 롤코드도포하여 100℃에서 건조하고 막두께 18±2㎛의 하지형성층을 형성한 후, PE필름을 라미네이트하여 본 발명의 제13전사시트를 제작하였다.

이 전사시트의 PE필름을 박리하고, PDP패널부재로 되는 유리기판 상에 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식ACL-900)에 의하여 플레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 120℃로 하여 열롤을 사용하여 라미네이트하였다.

이와 같이 해서 얻어진 PDP패널부재를 사용하여 실시예 20과 같이하여 장벽형성층을 패터닝 한 후, PDP패널부재를 피크온도 570℃에서 소성하여 하지층, 전극층, 유전체층, 장벽층을 동시에 형성하였다.

얻어진 하지층의 막두께는 9±1㎛, 전극층의 막두께는 6±1㎛, 유전체층의 막두께는 20㎛, 또 장벽층의 선폭은 60㎛, 높이가 130㎛이고, 그중 흑색장벽을 15㎛가진 것을 얻을 수 있었다. 장벽층의 높이는 균일하고, 표면의 평활성이 뛰어나고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

이하, 본 발명의 제1패턴 형성방법에 대하여 실시예 23∼25에 의하여 설명한다.

(실시예 23)

(장벽형성층용 전사시트의 제작)

조성

·글래스플릿｛MB-008, 마쯔나미가라스고오교오(주)제｝····· 65중량%

·α-알루미나RA-40(이와타니가가쿠고오교오) ····· 10중량%

·다이피록사이드블랙#9510(다이니찌세이카고오교오(주)제)

·····10중량%

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸헥실메타크릴레이트 공중합체

····· 4중량%

·비스-2-에틸헥실프탈레이트(비등점390℃) ····· 5중량%

·디부틸프탈레이트(비등점 282℃) ····· 3 중량%

·이소프로필알콜(비등점 82℃) ····· 10중량%

·메틸에틸케튼 (비등점 80℃) ····· 5중량%

를 세라믹비즈를 사용한 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(토레이(주)제,T 타잎) 상에 다이코드에 의하여 도포하고, 120℃에서 건조시켜 막두께 180㎛의 장벽형성층을 형성하여 전사시트를 제작하였다. 이 전사시트를 PDP패널 폭으로 슬릿하여 롤형상으로 감았다. 이 때 전사시트의 무기분체 등의 박리에 의한 쓰레기는 거의 찾아볼 수 없었다.

(장벽층의 형성)

유리기판 상에 하지층, 전극층, 유전체층을 순차적으로 형성한 PDP패널부재를 준비하였다.

이 PDP패널부재와 상기에서 제작한 전사시트를 겹쳐 맞추어서 100℃의 열롤로 라미네이트한 후, 전사시트에 있어서의 장벽형성층을 남기고 베이스필름을 박리하여 도24(d)에 나타낸 상태로 하였다.

이어서 장벽형성층을 적층한 PDP 패널부재를 300℃의 오븐 속에서 40분간 유지하고 고비등점용제를 제거한 후, 장벽형성층 상에 보호막을 가진 네가형 드라이필름레지스트(닛뽄고오세이가가쿠고오교오(주)제, NCP225)를 120℃의 열롤로 라미네이트하엿다.

도 25(a)에 나타낸 바와 같이, 이 포트레지스트층(115) 상에 선폭 80㎛m, 핏치 220㎛의 라인패턴 마스크(116)을 위치맞춤하여 배치하고, 자외선조사(364nm, 강도 200㎼/㎠, 조사량 120mJ/㎠)하여 노광한 후, 포트레지스트층 상의 보호막을 박리하고, 액온 30℃의 탄산나트륨 1중량% 수용액을 사용하여 스프레이현상 하였다. 도 25(b)에 나타낸 바와 같이 라인패턴 마스크에 응한 레지스트패턴(117)을 얻게 되었다.

이어서, 이 레지스트패턴을 마스크로 하여 갈색용융 알루미나 #800을 연마제로서 준사압력 Kg/cm²로 샌드브라스트처리하였다.

샌드브라스트처리후, 레지스트패턴(117)을 액온 30℃의 수산화(水酸化) 나트륨 2중량% 수용액을 사용하여 스프레이 박리하고 수세(水洗)후, 80℃의 오븐 속에서 15분간 건조시켜, 마지막에 피크온도 550℃에서 소성하여 PDP 패널의 장벽층을 형성하였다.

얻어진 장벽층의 선폭은 50㎛, 높이가 120㎛이고, 높이가 균일하고, 표면은 매끄러운 상태이고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 24)

(전사시트의 제작)

조성

·글래스플릿｛MB-008, 마쯔나미가라스코오교오(주)제｝····· 65중량%

·α-알루미나RA-40(이와타니카가꾸코오교오) ····· 10중량%

·다이피로키사이드블랙#9510(다이니찌세이카코오교오(주)제)

·····10중량%

·에틸셀룰로오스 ····· 4중량%

·비스-2-에틸헥실프탈레이트(비등점 390℃) ····· 4중량%

·디메틸프탈레이트(비등점 282℃) ····· 8중량%

·프로필렌글리콜모노메틸에테르(비등점 120℃) ····· 30중량%

를 세라믹비즈를 사용한 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름(토레이(주)제,T타잎) 상에 다이코트에 의하여 도포하고, 120℃에서 건조시켜 막두께 180㎛의 장벽형성층을 형성하여 전사시트를 제작하였다.

이 전사시트를 사용하여 실시예 23과 같이 전사하고 얻어진 PDP패널부재를 200℃의 오븐 속에서 20분간 유지하고, 고비등점용제를 제거한 이외는 실시예 23과 같이하여 장벽층(118)을 형성하였다.

얻어진 장벽층의 선폭은 50㎛, 높이가 120㎛이고, 높이가 균일하고 표면은 매끄러운 상태이고 또한 어느 장벽층에도 결함은 찾아볼 수 없었다.

(실시예 25)

(전극형성층용 전사시트의 제작)

조성

·은분체(평균입자직경 2㎛) ········ 95중량%

·글래스플릿(비스마스계) ········ 5중량%

·열가소성수지(n-부틸메타크릴레이트/2-히드록실에틸헥실메타크릴레이트= 70/30, 평균분자량 100,000) ······· 10중량%

·비스-2-에틸헥실프탈레이트(비등점 390℃) ··· 4중량%

·디부틸프탈레이트(비등점 282℃) ······ 4중량%

·n-메틸-2-필로리돈 ········ 10중량%

를 세라믹비즈를 사용한 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(50㎛) 상에 다이코트에 의하여 도포하고, 120℃에서 건조시켜, 막두께 20㎛의 전극형성층을 형성하여 전사시트를 제작하였다.

이 전사시트를 PDP패널 폭으로 슬릿해서 롤형상으로 감았다. 이때 전사시트의 무기분체 등의 박리에 의한 쓰레기는 거의 찾아볼 수 없었다.

(전극형성층의 형성)

70℃로 프레히트한 유리기판 상에 전기에서 제작한 전사시트를 겹치게 맞추어 라미네이터롤 온도 100℃, 압력 4㎏/㎠에서 라미네이트한 후, 베이스필름을 박리하였다. 이어서, 전극형성층을 적층한 유리기판을 30℃의 오븐 속에서 40분간 유지하여 고비등점용제를 제거하였다.

그후, 전극형성층 상에 보호막을 가진 네가형 드라이필름레지스트(닛뽄고세이카가꾸코오교오(주)제, NCP225)를 120℃의 열롤로 라미네이트한 후, 소정의 전극패턴을 자외선조사(364㎚, 강도 200㎼/㎠, 조사량 120mJ/㎠)하고 노광한 후, 포토레지스트층 상의 보호막을 박리하고, 액온 30℃의 탄산나트륨 1중량% 수용액을 사용하여 스프레이현상하였다.

이어서, 이 레지스트패턴을 마스크로 하고, 브라스트분체로서 탄산칼슘 (#600)을 연마제로서 분사압력 1.5㎏/㎠, 분사량 40g/min.의 조건으로 샌드브라스트 가공하였다. 이 조건에 의하여, 샌드브라스트에 의하여 유리기판이 불투명유리형상으로 되는 것을 방지할 수 있다.

샌드 브라스트처리 후, 레지스트패턴을 액온 30℃의 수산화나트륨 2중량%수용액을 사용하여 스프레이박리하고 수세후, 80℃의 오븐 속에서 15분간 건조시켜서 마지막으로 피크온도 550℃에서 소성하여 PDP패널의 전극층을 형성하였다.

얻어진 전극층은 저변이 80㎛, 천정변이 75㎛, 높이가 5㎛의 단면형상이 대형(臺形)의 은전극(銀電極) 패턴이 얻어지고, 그 대형형상은 천정부, 측부가 공히 평탄(平坦)하고 형상이 뛰어난 것이고 또 유리기판에의 밀착성에 뛰어나서 신뢰성이 높은 것이었다.

이하, 본 발명의 제2패턴 형성방법에 대하여 실시예 26∼28에 의하여 설명한다.

(실시예 26)

PET필름 상에

조성

·은분체(평균입자직경 1㎛, 구형) ········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃계, 연화점 500℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 75×10^-7/℃) ········ 5중량%

·경화성수지 ········ 15중량%

(내역:

·폴리부틸아크릴레이트 ········ 100중량%

·폴리옥시에틸화(化) 트리메티롤프로판트리아크릴레이트

········ 60중량%

·광개시제(치바가이기사제「일가큐아 369」)

········ 10중량%

·톨루엔 ········ 20중량%

의 잉크를 삼본(三本)롤을 사용해서 혼합분산처리하여 전극형성층 형성용 페이스트를 조제하고, 콘마코트 도포하여 100℃에서 건조하고, 막두께 20㎛의 전극형성층을 형성하여 전극형성층용의 전사시트를 제작하였다.

전극형성층용의 전사시트를 하지층부착 유리기판 상에 겹치고, 전사시트의 배면으로부터 서멀헤드를 사용하여 예를들면 0.15mJ/dot, 인자속도 10mm/s의 인자(印字) 조건에서 어드레스전극패턴형상으로 가열한 후, 전사시트를 박리하고 어드레스전극패턴형상의 전극형성층을 하지층부착 유리기판 상에 전사하였다.

전극형성층을 형성한 하지층부착 유리기판을 피크온도 570℃에서 소성하였다. 소성후, 막두께가 6±1㎛, 폭70㎛의 전극층이 얻어졌다.

(실시예 27)

실시예 26의 전사수단으로서, 서멀헤드에 대신해서 YAG레이저(1065nm, 출력 300mJ/㎠)를 사용한 이외는 실시예 26과 동일하게하여 어드레스전극패턴형상의 전극형성층을 하지층부착 유리기판 상에 전사하였다.

전극형성층을 형성한 하지층부착 유리기판을 피크온도 570℃에서 소성하였다. 소성 후, 막두께가 6±1㎛, 폭 70㎛의 전극층이 얻어졌다.

(실시예 28)

실시예 26에 있어서의 잉크를 하기와 같이 조성

·은분체(평균입자직경 1㎛, 구형) ········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃계, 연화점 500℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 75×10^-7/℃) ········ 5중량%

·카르나우바왁스(Carnauba Wax) ········ 15중량%

·벤질부틸프탈레이트 ········ 5중량%

·톨루엔 ········ 15중량%

·메틸에틸케톤 ········ 5중량%

으로 바꾼 이외는 실시예 26과 동일하게 해서 어드레스 전극패턴형상의 전극형성층을 하지층부착 유리기판 상에 전사하였다.

전극형성층을 형성한 하지층부착 유리기판을 피크온도 570℃에서 소성하였다. 소성 후, 막두께가 6±1㎛, 폭 70㎛의 전극층이 얻어졌다.

이하, 본 발명의 제3패턴 형성방법에 대하여 실시예 29, 비교예 2에 의하여 설명한다.

(실시예 29)

(하지형성층의 형성)

조성

·글래스플릿{주성분; PbO, SiO₂, B₂O₃(무알카리)}

(글래스플릿의 연화점 570℃, Tg 480℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 83×10^-7/℃,

평균입자직경 1㎛, 입자직경이 20㎛이상의 입자가 5중량%)

········ 65중량%

·A1₂O₃(평균입자직경 4㎛, 입자직경이 20㎛ 이상의 입자가 5중량%)

········ 11중량%

·CuO (평균입자직경 3㎛, 입자직경이 20㎛ 이상의 입자가 5중량%)

········ 4중량%

·폴리-n-부틸메타크릴레이트 ········ 14중량%

·디부틸프탈레이트 ········ 10중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케튼 ········ 10중량%

을 비즈밀을 사용하여 혼합분산처리한 후, PET필름 상에 롤코트 도포하고 100℃에서 건조하여 막두께 20±2㎛의 잉크층을 형성하였다. 형성된 잉크층 표면은 평활성에 뛰어난 것이었다. 그 잉크층의 표면 상에 폴리에티렌 필름을 라미네이트하여 전사시트를 제작하였다.

폴리에티렌 필름을 박리하고, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식 ACL-9100)를 사용하여 기판 프레히트 온도 60℃, 라미롤 온도 100℃의 전사조건으로 유리기판 상에 라미네이트하여 하지형성층을 형성하였다.

(전극형성층의 형성)

하기조성

·감광성수지(하기조성) ········ 20중량%

·은분(평균입자 직경 1㎛, 입자직경이 15㎛ 이상의 입자가 5중량%)

········ 70중량%

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, SiO₂, B₂O₃(무알카리) 평균입자직경 1㎛, 입자직경이 15㎛ 이상의 입자가 1중량%, 연화점 600℃}

········ 5중량%

·프로필렌글리콜모노메틸에테르········ 20중량%

(감광성수지 내역

·알칼리현상형(現像型)바인더 폴리마(메틸메타크릴레이트/메타크릴 산(酸)공중합체에 글리시딜아크릴레이트를 7mol %첨가한 것, 산가(酸價)100mgKOH/g)

········ 100중량%

·폴리옥시에틸화(化) 트리메티롤프로판 트리아크릴레이트

········ 60중량%

·광개시제(치바가이기사제「일가큐아 369」)···· 5중량%

의 전극형성층 형성용 도포액을 PET필름 상에 슬릿리버스코트법에 의하여 도포하고 건조 막두께 15㎛의 전극형성층을 갖는 전극형성용 전자시트를 제작하였다.

이어서, 상기에서 얻은 하지형성층 상에, 이 전극형성용 전사시트를 전극형성층 측으로부터 90℃의 열롤을 사용하여 라미네이트하였다. PET필름 위로부터 PDP의 어드레스전극의 네가패턴마스크를 통하여 자외선을 100mJ/㎠ 조사(照射)한 후, PET필름을 박리하고, 0.5% 탄산나트륨수용액 현상액을 사용해서 미노광부를 박리, 현상하여 전극형성층을 형성하였다.

얻어진 기판 전체를 600℃에서 소성하여 막두께 9㎛의 하지층과 막두께 6㎛, 폭 70㎛의 스트라이프형상의 어드레스전극패턴을 형성하였다.

(볼록현상 패턴에의 잉크층 형성방법)

조성

·글래스플릿{주성분; Bi₂O₃, ZnO₂, B₂O₃(무알카리) 평균입자직경 3㎛, 입자직경이 20㎛ 이상의 입자가 5중량%}

········ 70중량%

·Ti O₂(평균입자직경 4㎛, 입자직경이 20㎛ 이상의 입자가 5중량%)

········ 3중량%

·A1₂O₃(평균입자직경 4㎛, 입자직경이 20㎛ 이상의 입자가 5중량%)

········ 7중량%

(상기의 무기입자혼합체의 연화점 570℃, Tg485℃, 열팽창계수 α₃₀₀= 80×10^-7/℃)

·n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸헥실메타크릴레이트 공중합체(8/2)

········ 10중량%

·벤질부틸프탈레이트 ········ 7중량%

·이소프로필 알콜 ········ 15중량%

·메틸에틸케튼 ········ 5중량%

를 비즈밀을 사용해서 혼합분산처리한 후, PET필름 상에 콘마코트 도포하고, 100℃에서 건조하여 막두께 20±2㎛의 잉크층을 형성하여 폴리에틸렌 필름을 적층하였다.

이어서, 폴리에틸렌 필름을 박리하고, 오토컷라미네이터(아사히가세이(주)제, 형식ACL-9100)을사용하여 기판프레히트 온도 80℃, 리미롤 온도 100℃의 전사조건으로 전기에서 작성한 PDP기판 상에 도28(a)에 나타낸 화살표 방향으로, 도29에 나타낸 것과 같이 라미네이트하여 도30에 나타낸 바와같이 유전체층형성층(312)을 전사하였다.

다음에, 피크온도 570℃에서 소성하고, 소성 후의 막두께는 10±1㎛의 유전체층을 얻었다. 결점이 없고 균일한 유전체층이 형성되었다.

(비교예 2)

상기한 실시예 29에 있어서, 유전체층 형성용 전사시트의 라미네이트 방향을 도28(a)에 있어서의 화살방향과는 직교(直交)하는 방향으로 변경하여 라미네이트하여 유전체층형성층을 동일하게 전사형성하였다. 전사 후의 외관에는 기포(氣泡) 혼입에 의한 얼룩이 나타났다.

실시예 29와 동일하게 피크온도 570℃에서 소성한 결과, 소성 후의 막두께는 5∼10㎛로 되고 소성 후의 외관에도 얼룩이 남았다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이패널, 화상표시장치, 서멀헤드, 직접회로 등의 제조공정에 있어서의 전극층이나 유전체층, 장벽층 등의 고정밀도 패턴을 형성하는 데 적절하고 제작시간을 단축시킬 수 있음과 더불어 원료에 대한 제품의 비율을 향상시킬 수 있고 또 표면평활성이 뛰어나고 또한 막두께가 균일하고 분포정밀도가 양호한 전사시트 및 패턴형성방법을 제공할 수 있는 것이다.

Claims (30)

1. 베이스필름 상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 열가소성수지를 함유하는 잉크층을 가진 전사시트에 있어서, 그 잉크층이 무기입자 100 중량%에 대하여 열가소성수지를 3중량%∼50중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 전사시트.
2. 제 1항에 있어서, 잉크층 상에 보호필름이 박리가능하게 적층된 것을 특징으로 하는 전사시트.
3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 베이스필름과 잉크층이 박리층을 사이에 두고 적층된 것을 특징으로 하는 전사시트.
4. 제 3항에 있어서, 잉크층과 보호필름이 박리층을 사이에 두고 적층되어, 보호필름이 박리가능하게 된 것을 특징으로 하는 전사시트.
5. 제4항에 있어서, 베이스필름에 있어서의 잉크층을 형성한 면과는 반대면에 내열층이 형성된 것을 특징으로 하는 전사시트.
6. 제 5항에 있어서, 전사시트가 플라즈마 디스플레이 패널의 하지층, 유전체층을 형성하기 위한 것임을 특징으로 하는 전사시트.
7. 베이스필름 상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 소성에 의하여 제거될 수지를 함유하는 잉크층을 가진 전사시트에 있어서, 그 잉크층이 무기입자 100중량%에 대하여 소성에 의하여 제거될 수지를 2중량%∼70중량% 비율로 함유함과 더불어, 그 잉크층의 건조막두께보다 입자직경이 큰 무기입자가 전 무기입자 중 30중량% 이하의 비율인 것을 특징으로 하는 전사시트.
8. 제 7항에 있어서, 전사시트가 플라즈마 디스플레이 패널 제작용인 것을 특징으로 한는 전사시트.
9. 베이스필름 상에 패턴형상의 박리층을 통하여 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 열가소성수지로 이루어지는 잉크층이 형성된 것을 특징으로 하는 전사시트.
10. 베이스필름 상에 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 열가소성수지로 이루어지는 잉크층이 형성되고, 다시 그 잉크층상에 패턴형상의 접착층이 형성된 것을 특징으로 하는 전사시트.
11. 베이스필름 상에 패턴형상의 박리층을 통하여 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 열가소성수지로 이루어지는 잉크층이 형성되고, 다시 그 잉크층 상에 상기 박리층과 동일한 패턴형상의 접착층이 형성된 것을 특징으로 하는 전사시트.
12. 제 9항 내지 제 11항중 어느 한 항에 있어서, 패턴이 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서의 하지형성층 패턴, 유전체층형성층 패턴, 전극형성층 패턴, 장벽형성층 패턴인 것을 특징으로 하는 전사시트.
13. 베이스필름 상에 유전체층형성층, 패턴형상의 전극 형성층을 순차적으로 적층하되, 그 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
14. 베이스필름 상에 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하여 그 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
15. 베이스필름 상에 장벽형성층, 유전체층형성층을 순차적으로 적층하여 그 장벽형성 유전체층형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지 성분으로 이루어지는 것을 특징으로 한는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
16. 베이스필름 상에 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층 하되, 그 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
17. 베이스필름 상에 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층 하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스 플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
18. 베이스필름 상에 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
19. 베이스필름 상에 내(耐)샌드블라스트 감광성층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
20. 베이스필름 상에 샌드블라스트용 마스크층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
21. 베이스필름 상에 내(耐)샌드블라스트 감광성층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
22. 베이스필름 상에 샌드블라스트용 마스크층, 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층을 순차적으로 적층하되, 그 장벽형성층, 유전체층형성층, 패턴형상의 전극형성층, 하지형성층이 적어도 글래스플릿으로 되는 무기입자과 소성에 의하여 제거될 수지성분으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널 제작용 전사시트.
23. (a) 베이스필름 상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자, 열가소성수지 및 150℃ - 400℃의 비등점을 가진 고비등점 용제로 되는 두꺼운 막 패턴형성을 가진 전사시트로 부터 그 두꺼운 막 패턴형성층을 기판 상에 전사한후 베이스필름을 박리하는 제 1공정,

    (b) 전사된 두꺼운 막 패턴형성층에 있어서 상기 고비등점용제를 휘발 제거하는 제 2공정,

    (c) 고비등점용제를 휘발제거한 두꺼운 막 패턴 형성층 상에 레지스트패턴을 형성하는 제 3공정,

    (d) 그 레지스트패턴 개구부의 두꺼운 막 패턴형성층을 샌드블라스트 가공에 의하여 제거하는 제 4공정,

    (e) 두꺼운 막 패턴형성층 상의 레지스트패턴을 제거하는 제 5공정,

    (f) 소성에 의하여 두꺼운 막 패턴형성층을 소결하는 제 6공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 두꺼운 막패턴형성방법.
24. 제 23항에 있어서, 베이스필름 상에 형성된 두꺼운 막 패턴형성층이 무기입자 100중량%에 대하여 열가소성수지를 3중량%∼30중량%의 비율로 함유함과 더불어 고비등점용제를 2중량%∼30중량%의 비율로 함유하는 것을 특징으로 하는 두꺼운 막 패턴형성방법.
25. 제 23항 또는 제 24항에 있어서, 두꺼운 막 패턴이 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서의 장벽형성층, 전극형성층인 것을 특징으로 하는 두꺼운 막 패턴형성방법.
26. 베이스필름 상에 적어도 무기입자과 열용융성 유기물로 되는 잉크층이 형성된 전사시트를 그 잉크층 측으로부터 플라즈마 디스플레이 패널부재 상에 라미네이트한 후, 상기 전사시트의 배면으로부터 써멀헤드에 의한 가열, 또는 레이저광조사를 플라즈마 디스플레이 패널구성층의 패턴형상으로 행하고, 그 가열된 부위에 있어서 상기 잉크층을 플라즈마 디스플레이 패널부재 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 패턴형성방법.
27. 제 26항에 있어서, 플라즈마 디스플레이 패널 구성층의 패턴이 전극패턴인 것을 특징으로하는 패턴형성방법.
28. 스트라이프형상(狀)의 볼록형상 패턴을 가진 기판상에 베이스필름 상에 적어도 글래스플릿을 가진 무기입자 및 소성에 의하여 제거될 수지를 함유하는 잉크층을 가진 전사시트를 그 잉크층 측으로부터 라미네이트하고, 그 잉크층을 볼록형상 패턴을 가진 기판 상에 전사할 때에 상기 전사시트를 볼록형상 패턴의 스트라이프 방향과 평행인 방향으로 라미네이트해서 잉크층을 전사하는 것을 특징으로 하는 볼록형상 패턴에의 잉크층 형성방법.
29. 제 28항에 있어서, 볼록형상 패턴이 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서의 전극패턴이고, 또 잉크층이 유전체층 형성용 잉크층이고, 그 잉크층이 전극패턴을 가진 기판 상에 전사되는 것을 특징으로 하는 볼록형상 패턴의 잉크층 형성방법.
30. 제 29항에 있어서, 유리기판 상에 하지층을 통하여 전극패턴을 구비한 것이고, 잉크층이 전극패턴을 가진 하지층 상에 전사되는 것을 특징으로 하는 볼록형상 패턴의 잉크층 형성방법.