JPH10144206A

JPH10144206A - プラズマディスプレイパネルの形成方法

Info

Publication number: JPH10144206A
Application number: JP30041496A
Authority: JP
Inventors: Yozo Kosaka; 陽三小坂; Kounosuke Tanaka; 浩之介田中; Katsuhiko Mizuno; 克彦水野; Takeshi Nakamura; 中村　　剛
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1996-11-12
Filing date: 1996-11-12
Publication date: 1998-05-29
Anticipated expiration: 2016-11-12
Also published as: JP3649309B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】誘電体層と障壁層とを同時に形成して作製時
間を短縮する。【解決手段】ガラスフリットからなる無機成分及び熱
可塑性樹脂からなり、熱可塑性樹脂を無機成分１００重
量部に対して３〜５０重量部の割合で含有する誘電体層
形成層１２を基板１４上に形成する第１工程、誘電体形
成層上にガラスフリットからなる無機成分及び熱可塑性
樹脂からなり、熱可塑性樹脂を無機成分１００重量部に
対して１〜３０重量部の割合で含有し、その含有量を誘
電体層形成層における熱可塑性樹脂の含有量より少なく
した障壁形成層を形成する第２工程、障壁形成層上にレ
ジストパターンを形成する第３工程、レジストパターン
の開口部の障壁形成層をサンドブラスト加工により除去
する第４工程、障壁形成層上のレジストパターンを除去
する第５工程、焼成により誘電体層形成層と障壁形成層
を同時に焼結する第６工程からなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気体放電を用いた
自発光形式の平板ディスプレイであるプラズマディスプ
レイパネル（以下、ＰＤＰ）の形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４にＡＣ型ＰＤＰの一構成例によりＰ
ＤＰの構造を説明する。この図は前面板と背面板を離し
た状態で示したもので、２枚のガラス基板１、２が互い
に平行に且つ対向して配設されており、両者は背面板と
なるガラス基板２上に互いに平行に設けられたセル障壁
３により一定の間隔に保持されている。前面板となるガ
ラス基板１の背面側には、放電維持電極である透明電極
４とバス電極である金属電極５とで構成される複合電極
が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層６が形
成されており、さらにその上に保護層（ＭｇＯ層）が形
成されている。また、背面板となるガラス基板２の前面
側には介して前記複合電極と直交するようにセル障壁３
の間に位置してアドレス電極８が互いに平行に形成され
ており、さらにセル障壁３の壁面とセル底面を覆うよう
にして蛍光面９が設けられている。また、図５に示すよ
うに、背面板となるガラス基板２に下地層１０を形成し
た後、アドレス電極８を設け、更にその上に誘電体層
６′を積層した後、セル障壁３、蛍光体面９を設けた構
造としたものもある。このＡＣ型ＰＤＰは面放電型であ
って、前面板上の複合電極間に交流電圧を印加し、空間
に漏れた電界で放電させる構造である。この場合、交流
をかけているために電界の向きは周波数に対応して変化
する。そして、この放電により生じる紫外線により蛍光
体９を発光させ、前面板を透過する光を観察者が視認で
きるものである。

【０００３】なお、ＤＣ型ＰＤＰにあっては、電極は誘
電体層で被覆されていない構造を有する点で相違する
が、その放電現象は同一である。

【０００４】このようなＡＣ型ＰＤＰやＤＣ型ＰＤＰ
は、微小セル毎に放電して発光するか、或いは生じた紫
外線により蛍光体を発光させるものである。セル障壁
（障壁ともいう）はこれらの微小セルの間に、セル間の
干渉を防ぐため、また両基板の間隔を一定に保つために
設けられるものであるが、放電空間をできるだけ大きく
して高輝度の発光を得るため、壁面が垂直に切り立ち、
幅が狭く高さの高い隔壁が要求される。特に、高精細の
ディスプレーでは高さ１２０μｍに対して幅３０〜５０
μｍといった高アスペクト比の障壁が望ましい。

【０００５】ところで、障壁の形成にはスクリーン印刷
によりパターン形成する方法が一般的に行なわれている
が、スクリーン印刷では一回の印刷で形成できる膜厚が
せいぜい数１０μｍであるため、印刷と乾燥を多数回、
一般には１０回程度も繰り返すことで目的の膜厚を得て
いるのが現状である。しかしながら、スクリーン印刷で
形成される塗膜は周辺部が窪んで凸状になるために、多
数回の重ね刷りを行なうと、ダレが蓄積されて底部が広
がってしまうという問題があり、障壁のファインピッチ
化には限界がある。また、スクリーン印刷では、印刷版
の歪みのためピッチ精度に限界があり、パネルの大型化
にも問題があった。

【０００６】このような問題を解決し得る方法として、
サブトラクティブ法を用いた障壁形成方法が提案されて
いる（電子材料、１９８３年、Ｎｏ．１１、ｐ１３
８）。このサブトラクティブ法を用いれば、壁面が垂直
に切り立ち、幅が狭く高さの高い望ましい形状に障壁層
を加工することが可能である。また、レジストのパター
ニングにフォトリソグラフィー法を採用することにより
パターン精度を高くでき、パネルの大型化にも適用でき
る。

【０００７】しかしながら、ＰＤＰの作製にあたって、
ガラス基板上に下地層、電極層を順次積層したＰＤＰパ
ネル部材に更に誘電体層、障壁層を順次設けるには、ま
ず、誘電体層をスクリーン印刷により形成した後、焼成
し、更に、その誘電体層上に上述した方法で障壁が設け
られているのが現状であり、その作製に多大な時間を要
している。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＰＤＰパネ
ル部材において誘電体層、障壁層を順次設けるにあた
り、誘電体層と障壁層とを同時に焼成形成することを可
能とすることにより、ＰＤＰ作製時間を短縮でき、歩留
りを向上させることを可能とするＰＤＰパネル形成方法
の提供にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のＰＤＰパネル形
成方法は、少なくともガラスフリットからなる無機成分
及び熱可塑性樹脂からなり、且つ熱可塑性樹脂を無機成
分１００重量部に対して３重量部〜５０重量部の割合で
含有する誘電体層形成層を基板上に形成する第１工程、
該誘電体層形成層上に、少なくともガラスフリットから
なる無機成分及び熱可塑性樹脂からなり、且つ熱可塑性
樹脂を無機成分１００重量部に対して１重量部〜３０重
量部の割合で含有すると共に、その熱可塑性樹脂の含有
量を前記誘電体層形成層における熱可塑性樹脂の含有量
より少なくした障壁形成層を形成する第２工程、該障壁
形成層上にレジストパターンを形成する第３工程、該レ
ジストパターンの開口部の障壁形成層をサンドブラスト
加工により除去する第４工程、障壁形成層上のレジスト
パターンを除去する第５工程、焼成により誘電体層形成
層と障壁形成層を同時に焼結する第６工程からなる。

【００１０】また、上位の誘電体層形成層が、予めベー
スフイルム上に誘電体層形成層を形成した誘電体層形成
層作製用転写シートを使用して転写形成されるものてあ
ることを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】図１〜図３は、本発明に係るＰＤ
Ｐパネル形成方法の連続した工程図を示すものであり、
図１は誘電体層形成工程、図２〜図３は障壁形成層形成
工程であり、図中、Ｓは誘電体層形成用転写シート、１
１はベースフイルム、１２は誘電体層形成層、１３は電
極、１４はガラス基板、Ｓ′は障壁形成層形成用転写シ
ート、１５は障壁形成層、１６はフォトレジスト、１７
はパターンマスク、１８はレジストパターンである。

【００１２】まず、図１（ａ）に示す転写シートＳにつ
いて説明する。ベースフイルム１１は、塗液における溶
剤に侵されず、また、溶剤の乾燥工程、転写工程での加
熱処理により収縮延伸しないことが必要であり、好まし
くは、ポリエチレンテレフタレート、１，４−ポリシク
ロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン
ナフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチ
レン、ポリプロピレン、ポリサルホン、アラミド、ポリ
カーボネート、ポリビニルアルコール、セロハン、酢酸
セルロース等のセルロース誘導体、ポリエチレン、ポリ
塩化ビニル、ナイロン、ポリイミド、アイオノマー等の
各フイルム、シート、更にアルミニウム、銅等の金属箔
が例示され、膜厚４μｍ〜４００μｍ、好ましくは４．
５μｍ〜２００μｍのものである。

【００１３】次に、誘電体層形成層１２は、少なくとも
ガラスフリットを有する無機成分と熱可塑性樹脂とから
なる。

【００１４】ガラスフリットとしては、その軟化点が３
５０℃〜６５０℃で、熱膨張係数α₃₀₀が６０×１０^-7
／℃〜１００×１０^-7／℃のものが挙げられる。ガラス
フリットの軟化点が６５０℃を越えると焼成温度を高く
する必要があり、その積層対象によっては熱変形したり
するので好ましくなく、また、３５０℃より低いと熱可
塑性樹脂等が分解、揮発する前にガラスフリットが融着
し、層中に空隙等の発生が生じるので好ましくない。ま
た、熱膨張係数が６０×１０^-7／℃〜１００×１０^-7／
℃の範囲外であると、ガラス基板の熱膨張係数との差が
大きく、歪み等を生じるので好ましくない。

【００１５】また、無機成分として、ガラスフリットの
他に無機粉体、無機顔料をそれぞれ２種以上を混合して
使用してもよい。

【００１６】無機粉体としては、骨材であって、必要に
応じて添加される。無機粉体は、焼成に際しての流延防
止、緻密性向上を目的とするものであり、ガラスフリッ
トより軟化点が高いものであり、例えば酸化アルミニウ
ム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウ
ム、炭酸カルシウム等の各無機粉体が利用でき、平均粒
径０．１μｍ〜２０μｍのものが例示される。

【００１７】無機粉体の使用割合は、ガラスフリット１
００重量部に対して無機粉体０重量部〜３０重量部とす
るとよい。

【００１８】また、無機顔料としては、例えばＰＤＰの
外光反射を低減し、実用上のコントラストを向上させる
ために必要に応じて添加されるものであり、暗色にする
場合には、耐火性の黒色顔料として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｆ
ｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ａｌ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｆｅ、
Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ−Ｃｒ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ａｌ−Ｃ
ｒ−Ｆｅ−Ｓｉ等が挙げられる。また、耐火性の白色顔
料としては、酸化チタン、酸化アルミニウム、シリカ、
炭酸カルシウム等が挙げられる。

【００１９】次に、熱可塑性樹脂は、無機成分のバイン
ダーとして、また、転写性の向上を目的として必要に応
じて含有させるものであり、例えばメチルアクリレー
ト、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチ
ルメタクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プ
ロピルメタクリレート、イソプロピルアクリレート、イ
ソプロピルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレー
ト、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリ
レート、イソブチルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル
アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、ｎ−
ペンチルアクリレート、ｎ−ペンチルメタクリレート、
ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−ヘキシルメタクリレー
ト、２−エチルヘキシルアクリレート、２−エチルヘキ
シルメタクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−
オクチルメタクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ｎ
−デシルメタクリレート、ヒドロキシエチルアクリレー
ト、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロキプロピ
ルアクリレート、ヒドロキプロピルメタクリレート、ス
チレン、α−メチルスチレン、Ｎ−ビニル−２−ピロリ
ドン等の１種以上からなるポリマーまたはコポリマー、
エチルセルロース等のセルロース誘導体等が挙げられ
る。

【００２０】特に、メチルアクリレート、メチルメタク
リレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、ｓｅｃ−ブチルアクリレート、ｓｅｃ−ブ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、
ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルア
クリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロ
キプロピルアクリレート、ヒドロキプロピルメタクリレ
ート等の１種以上からなるポリマーまたはコポリマー、
エチルセルロースが好ましい。

【００２１】熱可塑性樹脂の含有割合は、無機成分１０
０重量部に対して３重量部〜５０重量部、好ましくは５
重量部〜３０重量部の割合からなる。インキ層におい
て、熱可塑性樹脂が３重量部より少ないと、後述するサ
ンドブラスト加工に際して損傷を受けるので好ましくな
い。また、５０重量部より多くなると、焼成後の膜中に
カーボンが残り、品質が低下するので好ましくない。

【００２２】また、誘電体層形成層には、必要に応じて
可塑剤、分散剤、沈降防止剤、消泡剤、剥離剤、レベリ
ング剤等が添加される。

【００２３】可塑剤は、転写性、インキの流動性を向上
させることを目的として添加されるものであり、例えば
ジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−ｎ−オ
クチルフタレート等のノルマルアルキルフタレート類、
ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジイソデシルフタ
レート、ブチルベンジルフタレート、ジイソノニルフタ
レート、エチルフタルエチルグリコレート、ブチルフタ
リルブチルグリコレート等のフタル酸エステル類、トリ
−２−エチルヘキシルトリメリテート、トリ−ｎ−アル
キルトリメリテート、トリイソノニルトリメリテート、
トリイソデシルトリメリテート等のトリメリット酸エス
テル、ジメチルアジペート、ジブチルアジペート、ジー
２−エチルヘキシルアジペート、ジイソデシルアジペー
ト、ジブチルジグリコールアジペート、ジー２−エチル
ヘキシルアゼテート、ジメチルセバケート、ジブチルセ
バケート、ジー２−エチルヘキシルセバケート、ジー２
−エチルヘキシルマレート、アセチル−トリ−（２−エ
チルヘキシル）シトレート、アセチル−トリ−ｎ−ブチ
ルシトレート、アセチルトリブチルシトレート等の脂肪
族二塩基酸エステル類、ポリエチレングリコールベンゾ
エート、トリエチレングリコール−ジ−（２−エチルヘ
キソエート）、ポリグリコールエーテル等のグリコール
誘導体、グリセロールトリアセテート、グリセロールジ
アセチルモノラウレート等のグリセリン誘導体、セバシ
ン酸、アジピン酸、アゼライン酸、フタル酸などからな
るポリエステル系、分子量３００〜３，０００の低分子
量ポリエーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低
分子量ポリスチレン、トリメチルホスフェート、トリエ
チルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリ−２
−エチルヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホ
スフェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジル
ホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジル
ジフェニルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフ
ェート、２−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等
の正リン酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等
のリシノール酸エステル類、ポリ−１，３−ブタンジオ
ールアジペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・
エポキシ化エステル類、グリセリントリアセテート、２
−エチルヘキシルアセテート等の酢酸エステル類が例示
される。

【００２４】分散剤、沈降防止剤としては、無機成分の
分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであり、例
えば燐酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステル
系、各種界面滑性剤等が例示され、消泡剤としては、例
えばシリコーン系、アクリル系、各種界面滑性剤等が例
示され、剥離剤としては、例えばシリコーン系、フッ素
油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、ひ
まし油系、ワックス系、コンパウンドタイプが例示さ
れ、レベリング剤としては、例えばフッ素系、シリコー
ン系、各種界面滑性剤等が例示され、それぞれ適宜量添
加される。

【００２５】上記の誘電体層形成用材料は、メタノー
ル、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチル
エチルケトン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン
等のアノン類、塩化メチレン、３−メトキシブチルアセ
テート、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、
エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジ
エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレ
ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレン
グリコールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレ
ングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、α−
若しくはβ−テルピオネール等のテルペン類に溶解、ま
たは分散させ、ベースフイルム上にダイコート、ブレー
ドコート、コンマコート、ロールコート、グラビアコー
ト法により塗布し、乾燥させ、所定の膜厚とされる。

【００２６】本発明におけるＰＤＰパネル形成方法にお
ける第１工程を、図１（ｂ）〜（ｄ）により説明する。

【００２７】図１（ｂ）は、ガラス基板１４上に電極層
１３を有する場合を図示するものであるが、電極層１３
は下地層（図示せず）を介してガラス基板上に積層され
ていてもよい。

【００２８】第１工程においては、上記で作製した誘電
体層形成層形成用転写シートと、図１（ｂ）に示すガラ
ス基板とを、図１（ｃ）の如くラミネートする。

【００２９】ラミネートに際しては、誘電体層形成層上
か、或いは電極層や下地層上のいずれかに必要に応じて
接着剤層を設けてもよい。接着剤層としては、焼成工程
で低温燃焼し、炭化物を残存させにくいものが好適に使
用され、具体的には誘電体層形成層を構成する可塑剤を
添加した熱可塑性樹脂溶液を塗布形成したもの、また、
粘着剤を塗布形成したものが挙げられる。これらの接着
剤は、加熱により軟化し、誘電体層形成層をガラス基板
や誘電体層上に容易に接着させることができるもので、
乾燥後膜厚０．１μｍ〜５μｍに塗布形成されるとよ
い。

【００３０】また、図示しないが、誘電体層形成層形成
用転写シートにおいて、誘電体層形成層を剥離層を介し
てベースフイルム上に積層してもよく、転写性に優れる
ものとできる。剥離層としては、ポリエチレンワック
ス、アミドワックス、テフロンパウダー、シリコーンワ
ックス、カルナバワックス、アクリルワックス、パラフ
ィンワックス等のワックス類、フッ素系樹脂、メラミン
系樹脂、ポリオレフィン樹脂、電離放射線硬化型の多官
能アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹
脂、アミノ変性、エポキシ変性、ＯＨ変性、ＣＯＯＨ変
性、触媒硬化型、光硬化型、熱硬化型のシリコーンオイ
ル、またはシリコーン樹脂が例示される。

【００３１】誘電体層形成層の転写は、図１（ｃ）に示
す如く、転写シートとガラス基板とを重ね合わせた後、
熱ロールを使用して加熱圧着させ、次いで、図１（ｄ）
に示す如くベースフイルム１１を剥離して誘電体層形成
層の転写工程を終了する。

【００３２】なお、上記では、誘電体層形成層の形成
を、誘電体層形成層形成用転写シートを用いて形成する
場合を例として説明したが、誘電体層形成層形成用塗液
を用いて図１（ｂ）に示すガラス基板上に、スクリーン
印刷、ダイコート、ロールコート、ブレードコート等に
より直接塗布形成してもよい。

【００３３】次に、第２工程は、誘電体層形成層上に障
壁形成層を形成する工程である。障壁形成層は、スクリ
ーン印刷、ダイコート、ロールコート、ブレードコート
等により厚膜形成してもよいが、上述した誘電体層形成
層の形成同様に、障壁形成層を転写により形成すると、
作製時間を短縮でき、歩留りのよい作製ができる。以
下、転写シートを使用して形成する場合について説明す
る。

【００３４】障壁形成層形成用転写シートＳ′は、図２
（ａ）に示すように、ベースフイルム１１上に障壁形成
層１５を設けたものである。

【００３５】ベースフイルム１１は、上述した誘電体層
用転写シートＳで記載したと同様の材料を使用できる。
また、障壁形成層１５は、少なくともガラスフリットを
有する無機成分と熱可塑性樹脂とからなる。

【００３６】無機成分としては、上述した誘電体層用転
写シートＳで記載したと同一の材料を使用できるが、障
壁形成層における無機粉体の使用割合は、ガラスフリッ
ト１００重量部に対して無機粉体５重量部〜５０重量部
とするとよい。

【００３７】また、熱可塑性樹脂としては、上述した誘
電体層用転写シートＳで記載したと同一の材料を使用で
きるが、熱可塑性樹脂は、無機成分１００重量部に対し
て１重量部〜３０重量部、好ましくは１重量部〜１５重
量部の割合とするとよい。熱可塑性樹脂の割合が１重量
部より少ないと転写シートにおける障壁形成層の保持性
が低く、また、転写性が低下し、また、３０重量部より
多いと、後述するようにサンドブラスト加工においてサ
ンドブラスト性が低下し、作業効率が悪いなる。

【００３８】また、障壁形成層には、転写シートにおけ
る障壁形成層の保持性、転写性を向上させるために、可
塑剤を添加するのが好ましい。可塑剤としては、上述し
た誘電体層用転写シートＳで記載したと同一の材料を使
用できる。また、障壁形成層には、上述した誘電体層用
転写シートＳで記載したと同一の分散剤、沈降防止剤、
消泡剤、剥離剤、レベリング剤等が必要に応じて添加さ
れてもよい。

【００３９】障壁形成層形成材料は、上述した誘電体層
用転写シートＳで記載したと同様の塗布方法によりベー
スフイルム上に塗布乾燥し、障壁形成層とする。可塑剤
を残存させることにより転写シートにおける障壁形成層
の保持性や転写性を良好なものとできる。障壁形成層
は、一回の塗布で所定の膜厚を得ることが困難な場合に
は複数回の塗布と乾燥を繰り返して行なうとよい。

【００４０】障壁形成層形成用転写シートＳ′は、図２
（ｂ）に示すように、図１で作製したＰＤＰパネルにお
ける誘電体層形成層上に重ね合わせ、熱ロールを使用し
て加熱圧着させ、その後、ベースフイルムを剥離する。

【００４１】次いで、後述するサンドブラスト加工に際
しての作業性や可塑剤のブリードによるレジストパター
ンへの影響を防止し、障壁形成層の形状を良好なものと
するために、１５０℃〜３５０℃の加熱条件で障壁形成
層に残存させた可塑剤を除去される。

【００４２】次に、第３工程は、障壁形成層上にレジス
トパターンを形成する工程である。図２（ｃ）、
（ｄ）、図３（ｅ）により説明する。障壁形成層上にレ
ジストパターンを形成するには、スクリーン印刷により
直接パターニングすることも可能であるが、大面積で高
精細な加工を行なう場合には、レジスト材料としてフォ
トレジストを使用し、フォトリソグラフィー法で形成す
るのが好ましい。

【００４３】フォトレジストとしては、ドライフイルム
レジストや液状レジストのいずれの形態でもよい。ま
た、現像時に障壁形成層がダメージを受けないために
は、水現像型レジストかアルカリ水溶液現像型レジスト
とするとよい。

【００４４】フォトレジスト層のパターニングは、ま
ず、図２（ｄ）に示すようにパターンマスク１７を介
し、紫外線照射により露光を行なう。次いで、図３
（ｅ）に示すように未露光部のフォトレジスト層は、剥
離液を使用して除去されるが、量産安定性の観点から、
剥離液をスプレー塗布するのが好ましい。

【００４５】第４工程は、図３（ｆ）に示すようにレジ
ストパターン１８の開口部の障壁形成層をサンドブラス
ト加工により除去する工程である。サンドブラスト加工
は、圧縮気体と混合された研磨剤微粒子を高速で噴射し
て物理的にエッチングを行なう加工方法である。

【００４６】本発明は、誘電体層形成層における熱可塑
性樹脂の含有割合を、障壁形成層における熱可塑性樹脂
の含有割合より多くして、誘電体層形成層と障壁形成の
サンドブラスト性を相違させ、サンドブラスト加工に際
してレジストパターンの開口部の障壁形成層のみを除去
し、その下層である誘電体層形成層を残存させることを
可能とするものである。誘電体層形成層における熱可塑
性樹脂の含有割合は、障壁形成層における熱可塑性樹脂
の含有割合より多くすればよいが、好ましくは無機成分
１００重量部に対する含有割合にして、３重量部以上、
より好ましくは５重量部以上相違させておくとよい。な
お、誘電体層形成層における熱可塑性樹脂と、障壁形成
層における熱可塑性樹脂とをサンドブラスト性の相違す
るものとしておいてもよいものであり、この場合には上
記含有割合には限定されない。

【００４７】第５工程は、図３（ｇ）に示すように、障
壁形成層上のレジストパターンを除去する工程である
が、剥離液をスプレー塗布して除去するとよい。

【００４８】レジストパターンを除去した後、誘電体層
形成層と障壁形成層は、ピーク温度５７０℃程度の条件
で同時に焼成され、誘電体層と障壁層とが同時にＰＤＰ
パネル上に形成される。以下、実施例により本発明を詳
細に説明する。

【００４９】

【実施例】

（実施例１）（誘電体層形成用転写シート）組成・ガラスフリット｛主成分；Ｂｉ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃（無アルカリ）平均粒径３μｍ｝・・・・７０重量部・ＴｉＯ₂ ・・・・３重量部・Ａｌ₂Ｏ₃ ・・・・７重量部（上記の無機成分混合体の軟化点５７０℃、Ｔｇ４８５℃、熱膨張係数α₃₀₀ ＝８０×１０^-7／℃）・ｎ−ブチルメタクリレート／ヒドロキシエチルヘキシルメタクリレート共重合体（８／２）・・・・１０重量部・ベンジルブチルフタレート・・・・７重量部・プロピレングリコールモノメチルエーテル・・・・２０重量部をビーズミルを使用して混合分散処理した後、ポリエチ
レンテレフタレートフイルム上にコンマコート塗布し、
１００℃で乾燥し、膜厚２０±２μｍのインキ層を形成
した後、ポリエチレンフイルムをラミネートし、誘電体
層形成層形成用転写シートを作製した。

【００５０】（障壁形成層形成用転写シートの作製）組成・ガラスフリット｛ＭＢ−００８、松浪硝子工業（株）製）・・・・６５重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・１０重量部・ダイピロキサイドブラック＃９５１０（大日精化工業（株）製）・・・・１０重量部・エチルセルロース・・・・４重量部・フタル酸ビス（２−エチルヘキシル）・・・・４重量部・フタル酸ジメチル・・・・８．５重量部・イソプロピルアルコール・・・・２５重量部・メチルエチルケトン・・・・５重量部をセラミックビーズを使用したビーズミルを使用して混
合分散処理した後、離型処理したポリエチレンテレフタ
レートフイルムにダイコートにより塗布し、１２０℃に
て乾燥させ、膜厚１８０μｍの障壁形成層を形成し、更
にポリエチレンフイルムを積層し、障壁形成層形成用転
写シートを作製した。

【００５１】（ＰＤＰパネル部材への誘電体層形成層の
形成）ガラス基板上に電極層を有するＰＤＰパネル部材
に、上記で作製した誘電体層形成層形成用転写シート
を、ポリエチレンフイルムを剥離し、オートカットラミ
ネーター（旭化成（株）製、型式ＡＣＬ−９００）を使
用し、ＰＤＰパネル部材の電極層面に、プレヒート温度
６０℃、ラミロール温度１２０℃として熱ロールを使用
してラミネートした。

【００５２】（ＰＤＰパネル部材への障壁形成層の形
成）ラミネート後、誘電体層形成層上のポリエチレンテ
レフタレートフイルムを剥離し、誘電体層形成層上に上
記で作製した障壁形成層形成用転写シートをポリエチレ
ンフイルムを剥離して重ね合わせ、１００℃の熱ロール
でラミネートし、障壁形成層上のポリエチレンテレフタ
レートフイルムを剥離した。

【００５３】このようにして得られたガラス基板上に電
極層を有し、更に誘電体層形成層、障壁形成層を順次設
けたＰＤＰパネル部材を２００℃のオーブン中で２０分
間保持し、可塑剤を除去した。

【００５４】次いで、その障壁形成層上に、保護膜を有
するネガ型ドライフイルムレジスト（日本合成化学工業
（株）製、ＮＣＰ２２５、２５μｍ）を１００℃の熱ロ
ールでラミネートした後、レジスト層上に、線幅８０μ
ｍ、ピッチ２２０μｍのラインパターンマスクを位置合
わせして配置し、紫外線照射（３６４ｎｍ、強度２００
μＷ／ｃｍ²、照射量１２０ｍＪ／ｃｍ²）し、露光し
た後フォトレジスト層上の保護膜を剥離し、液温３０℃
の炭酸ナトリウム１重量％水溶液を使用しスプレー現像
した。ラインパターンマスクに応じたレジストパターン
が得られた。

【００５５】次いで、このレジストパターンをマスクと
して、サンドブラスト加工装置を使用し、レジストパタ
ーン開口部の障壁形成層をサンドブラスト処理した。サ
ンドブラスト加工後、誘電体層形成層を観察したが、誘
電体層形成層はサンドブラストにより殆ど削られず、電
極の露出もなく、膜厚を有するものであった。

【００５６】そして、レジストパターンを液温３０℃の
水酸化ナトリウム２重量％水溶液を使用し、スプレー剥
離し、水洗後、８０℃のオーブン中で１５分間乾燥させ
た。最後に、ＰＤＰパネル部材をピーク温度５７０℃で
焼成し、誘電体層、障壁層を同時に形成した。

【００５７】得られた障壁層の線幅は５０μｍ、高さが
１２０μｍであり、高さが均一で、且つ表面の滑らかで
あり、かつ、どの障壁層にも欠陥は認められなかった。

【００５８】（実施例２）実施例１と同様にして形成し
た誘電体層形成層上に、下記組成・ガラスフリット｛ＭＢ−００８、松浪硝子工業（株）製）・・・・６５重量部・α−アルミナＲＡ−４０（岩谷化学工業）・・・・１０重量部・ダイピロキサイドブラック＃９５１０（大日精化工業（株）製）・・・・１０重量部・エチルセルロース・・・・２重量部・ターピネオール・・・・１０重量部・ブチルセロソルブアセテート・・・・１０重量部の障壁形成用塗布液をダイコート法により塗布し、１４
０℃にて乾燥させ、膜厚１７０μｍの障壁形成層を形成
した。

【００５９】この障壁形成層上に、実施例１同様にネガ
型ドライフイルムレジストをラミネート、パターニング
し、同様のサンドブラスト工程を行ない、同時焼成し
て、誘電体層と障壁層を同時に形成した。

【００６０】（実施例３）電極付きガラス基板上に、組成・ガラスフリット｛主成分；Ｂｉ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃（無アルカリ）平均粒径３μｍ｝・・・・７０重量部・ＴｉＯ₂ ・・・・３重量部・Ａｌ₂Ｏ₃ ・・・・７重量部（上記の無機成分混合体の軟化点５７０℃、Ｔｇ４８５℃、熱膨張係数α₃₀₀ ＝８０×１０^-7／℃）・エチルセルロース・・・・７重量部・テルピネオール・・・・１０重量部・ブチルセロソルブアセテート・・・・１０重量部を三本ロールを使用して分散処理した後、電極付きガラ
ス基板上にロールコート法により塗布して乾燥膜厚２０
μｍの誘電体層形成層を形成した。

【００６１】この誘電体層形成層上に、実施例２と同様
に障壁形成層を形成し、同様にサンドブラスト加工を行
ない、焼成して誘電体層、障壁層を同時に形成した。

【００６２】得られた障壁層の線幅は５０μｍ、高さが
１２０μｍであり、高さが均一で、且つ表面の滑らかで
あり、かつ、どの障壁層にも欠陥は認められなかった。

【００６３】（実施例４）組成・ガラスフリット｛主成分；Ｂｉ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｂ₂Ｏ₃（無アルカリ）平均粒径３μｍ｝・・・・７０重量部・ＴｉＯ₂ ・・・・３重量部・Ａｌ₂Ｏ₃ ・・・・７重量部（上記の無機成分混合体の軟化点５７０℃、Ｔｇ４８５℃、熱膨張係数α₃₀₀ ＝８０×１０^-7／℃）・ｎ−ブチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体（８／２）・・・・７重量部・エチルセロソルブアセテート・・・・２０重量部を三本ロールを使用して分散し、電極付きガラス基板上
にダイコート法により塗布して乾燥膜厚２０μｍの誘電
体層形成層を形成した。

【００６４】この誘電体層形成層上に、実施例１と同じ
障壁形成用転写シートを使用して障壁形成層を形成し、
実施例１と同様に２００℃、２０分間オーブン中で可塑
剤を除去し、障壁形成工程を経て、誘電体層形成層と障
壁形成層とを同時に焼成した。

【００６５】得られた障壁はの線幅は５０μｍ、高さが
１２０μｍであり、高さが均一で、且つ表面の滑らかで
あり、またどの障壁層にも欠陥は認められなかった。

【００６６】

【発明の効果】本発明のＰＤＰパネル形成方法は、ＰＤ
Ｐパネル部材において誘電体層、障壁層を順次設けるに
あたり、誘電体層と障壁層とを同時に形成することがで
き、ＰＤＰ作製時間を短縮でき、また、転写シートを使
用して層形成するため、ＰＤＰ作製に際しての歩留りを
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るＰＤＰパネル形成方法を、連続
した工程図により説明するための図である。

【図２】本発明に係るＰＤＰパネル形成方法を、連続
した工程図により説明するための図である。

【図３】本発明に係るＰＤＰパネル形成方法を、連続
した工程図により説明するための図である。

【図４】ＡＣ型ＰＤＰパネルを説明するための図であ
る。

【図５】ＡＣ型ＰＤＰパネルの他の例を説明するため
の図である。

【符号の説明】

１、２はガラス基板、３はセル障壁、４は透明電極、５
は金属電極、６、６′は誘電体層、７は保護層、８はア
ドレス電極、９は蛍光面、１０は下地層、Ｓは誘電体層
形成用転写シート、１１はベースフイルム、１２は誘電
体層形成層、１３は電極、１４はガラス基板、Ｓ′は障
壁形成層形成用転写シート、１５は障壁形成層、１６は
フォトレジスト、１７はパターンマスク、１８はレジス
トパターンである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者中村剛東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号大日本印刷株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともガラスフリットからなる無機
成分及び熱可塑性樹脂からなり、且つ熱可塑性樹脂を無
機成分１００重量部に対して３重量部〜５０重量部の割
合で含有する誘電体層形成層を基板上に形成する第１工
程、該誘電体形成層上に、少なくともガラスフリットか
らなる無機成分及び熱可塑性樹脂からなり、且つ熱可塑
性樹脂を無機成分１００重量部に対して１重量部〜３０
重量部の割合で含有すると共に、その熱可塑性樹脂の含
有量を前記誘電体層形成層における熱可塑性樹脂の含有
量より少なくした障壁形成層を形成する第２工程、該障
壁形成層上にレジストパターンを形成する第３工程、該
レジストパターンの開口部の障壁形成層をサンドブラス
ト加工により除去する第４工程、障壁形成層上のレジス
トパターンを除去する第５工程、焼成により誘電体層形
成層と障壁形成層を同時に焼結する第６工程からなるこ
とを特徴とするプラズマディスプレイパネルの形成方
法。
【請求項２】前記誘電体層形成層が、予めベースフイ
ルム上に誘電体層形成層を形成した誘電体層形成層作製
用転写シートを使用して転写形成されるものてある請求
項１記載のプラズマディスプレイパネルの形成方法。