KR19980041864A - 시스템 및 배터리 전력을 조절하는 저전력 실시간 클록 회로 - Google Patents

시스템 및 배터리 전력을 조절하는 저전력 실시간 클록 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR19980041864A
KR19980041864A KR1019970044694A KR19970044694A KR19980041864A KR 19980041864 A KR19980041864 A KR 19980041864A KR 1019970044694 A KR1019970044694 A KR 1019970044694A KR 19970044694 A KR19970044694 A KR 19970044694A KR 19980041864 A KR19980041864 A KR 19980041864A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
output
signal
battery
circuit
Prior art date
Application number
KR1019970044694A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100300210B1 (ko
Inventor
데이비스티모시돈
Original Assignee
클라크３세존엠
내셔널세미컨덕터코오포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 클라크３세존엠, 내셔널세미컨덕터코오포레이션 filed Critical 클라크３세존엠
Publication of KR19980041864A publication Critical patent/KR19980041864A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100300210B1 publication Critical patent/KR100300210B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/28—Supervision thereof, e.g. detecting power-supply failure by out of limits supervision
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16533—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
    • G01R19/16538—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
    • G05F3/242—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage
    • G05F3/245—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only with compensation for device parameters, e.g. channel width modulation, threshold voltage, processing, or external variations, e.g. temperature, loading, supply voltage producing a voltage or current as a predetermined function of the temperature
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • G01R19/16533—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application
    • G01R19/16538—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies
    • G01R19/16542—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values characterised by the application in AC or DC supplies for batteries
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/40—Testing power supplies

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Abstract

전력 조절, 저배터리 전압 검출 및 시스템 전원 전압 범위가 배터리 전원의 범위와 겹치는 시스템에 대한 배터리 지원 회로의 구동을 위한 회로에 관한 것이다. 전압 레귤레이터는 배터리 전원의 전압 범위가 시스템 전원의 전압 범위 미만이 되도록 배터리 전압을 레귤레이트하는데 이용된다. 레귤레이터는 배터리 수명이 영향 받는 것을 감지할 없는 정도의 전류량을 소비한다. 또한, 레귤레이터는 배터리 전압의 출력 전압 변화가 더 적다. 온도 및 전압 보상된 전원 전압은 서브문턱 전원, 기생 바이폴라 장치 및 전압 버퍼퍼링에 의해서 생성되고, 시스템의 배터리 지원 회로에 대해 전압원을 제공하는데 이용된다. 레귤레이트된 전압은 시스템 전원보다 적은 값으로 설정되고 전력 조절 회로에 대해 배터리 전원으로서 공급한다. 레귤레이트된 전압은 본 발명의 내부 전력 조절 설계가 배터리 및 시스템 전원 전압 범위가 겹치더라도 등가로 조절회로를 지속시킨다.

Description

시스템 및 배터리 전력을 조절하는 저전력 실시간 클록 회로
본 발명은 저전력 레벨에서 동작하도록 설계되고, 백업 전원으로서 배터리를 이용하는 시스템에관한 것으로, 특히, 시스템 전원의 전압 범위가 배터리의 전압 범위를 겹치는 경우에 시스템 전원과 배터리 전원사이의 절환을 위한 전력 조절 회로에 관한 것이다.
포터블 및 연속 연산 전자 시스템은 저전력 레벨에서 동작하도록 설계된 회로를 포함한다. 통상적으로, 배터리는 시스템 전원에 의해서 제공된 보충을 위한 백업 전원으로서 포함된다. 또한, 두 개의 전원사이를 조절하는 회로를 포함하고, 전력이 시스템 전원 또는 배터리에 의해서 제공되는 지를 선택하고, 적절한 전원을 선택하기 위해 스위칭 매카니즘을 제공한다.
뙤한, 전형적인 시스템은 배터리 전압이 임계 레벨이하로 저하되는 경우 경고 신호를 제공하기 위한 배터리 전압을 감시하는 회로를 포함하고 또한 전원으로서 배터리를 이용하여 저전력 상태로 머신이 동작하는 것이 가능하도록 하는 저전력 및 저전압 발진기를 포함할 수도 있다. 시스템 전원을 위한 통상적인 전압 범위는 5 볼트 (± 10%) 이고 배터리 전원에 대한 통상적인 전압 범위는 3 볼트 (± 20%) 이다.
도 1a 내지 1c 는 (1a) 전력 조절을 표시한 블록도, (1b) 배터리 저전압 검출, 및 (1c) 종래 포터블 또는 연속 연산 시스템을 위한 저전력 발진 회로를 도시한 블록도이다. 도 1a 에 도시한 바와 같이, 전력 조절 회로 (20) 는 입력으로서 시스템 전원 (VSys) (22) 및 배터리 전원 전압 (VBatt) (24) 를 갖는다.
전력 소오스 (22 및 24) 는 입력이 더 높은 것을 지시하는 출력 신호를 생성하도록 구성된 비교기 (26) 에 입력된다. 비교기 (26) 으로부터 출력 신호는 인버터 (28) 에 공급되고 제어 신호로서 트랜지스터 (32) 의 게이트에 공급된다.
인버터 (30) 의 출력은 제어 신호로서 트랜지스터 (30) 의 게이트에 공급된다. 조절 회로 (20) 는 시스템 내부 전력 버스에 대한 전원 전압 (VPP) 으로서 VSys(22) 또는 VBatt(24) 중 더 높은 하나를 선택하는 기능이 있다. 시스템 전원 (22) 은 시스템이 전력 공급되는 경우 선택되고 배터리 소오스 (24) 는 시스템이 전력이 다운된 상태에 있는 경우 선택된다. 고전압 이하로 저하된 다른 전원 전압이 수 밀리볼트내에 있는 경우 내부 버스 (34) 는 더 높은 전원에 접속된다. 이런한 방법으로, 고정 전력이 내부 버스상에서 유지된다.
도 1b 의 저배터리 전압 검출 회로 (36) 은 배터 전압 (VBatt) 소정의 레벨 Vref(40) 이하로 저하된다. 도 1b 의 예에서, Vref(40) 는 비교기 (42) 내에 포함된 MOS 트랜지스터의 턴온 전압 (VT) 의 거의 두배로 설정된다. 도명에 도시한 바와 같이, VBatt(24) 및 Vref(40) 은 입력으로서 VBatt(24) 가 Vref(40) 이하로 저하되는 경우 저배터리 검출 경고 신호 (38) 를 출력하는 비교기 (42) 에 공급한다.
도 1c 의 저전력 발진기 회로 (44) 는 상태 머신 또는 카운터 (48) 와 같은 장치의 동작을 위해서 발진기 (46) 의 형태로 실시간 클록 신호를 제공하는 기능이 있다. (시스템 전압 도는 배터리 전압중 어느하나와 동일한) 내부 버스 VPP(34) 상에 인가된 전압은 발진기 (46) 및 임의의 다른 배터리 지지 회로에 대해 전원으로서 공급한다.
도 1a 의 전력 조절 회로는 시즈템 전원 전압이 배터리 전원 전압에 겹치지 않때 신뢰성있는 전원을 제공한다. 이것은 조절 회로가 더 높은 전압과 확실하게 일치시킬 수 있기 때문이다. 그러나, 조절의 이런 더 높은 전원 형태는 전압 범위와 배터리 전원 전압 범위가 겹치는 경우 신뢰성이 없고, 예를 들어, 3.3 볼트 (±10%) 의 시스템 전원 및 3 볼트 (±20%) 의 배터리 전압을 갖는 시스템에서 발생할 수도 있다. 저전압 시스템의 이런 형태가 더욱 공통이 되는 것으로서, 전압 조절 및 저배터리 검출의 다른 방법이 개발되어야 한다.
도 1a 내지 1c 의 회로의 다른 예는 대부분의 적용을 위해서 회로가 고속 논리 장치로 집적되어야 하기 때문에, 회로 소자는 고속 디지털 프로세스에서 유용한 소자에 한정되는 것을 나타낸다. 이 것은 회로를 형성하는데 이용될수 있는 사용가능한 구조 및 방법상에 제약을 두고 회로설계에 영향을 미친다.
희망하는 것은 전력 조절, 저배터리 전력 검출, 및 시스템 전원 전압 범위가 배터리 소오스의 범위와 겹치는 시스템에 대해 배터리 지원 회로 동작을 위한 회로이다. 본 발명의 이들 및 다른 이점은 첨부된 도면을 참조로 상세할 설명을 숙독함으로서 당해 분야에서 숙력된자에게 명백해질 것이다.
도 1a 내지 1c 는 (1a) 전력 조절, (1b) 저배터리 전압 검출, 및 (1c) 종래 포터블 또는 연속 동작 시스템에 대한 저전력 발진 회로를 도시한 블록도.
도 2a 내지 2d 는 (2a) 전력 조절기, (2b) 저배터리 전압 검출, (2c) 저전력 발진기, (2d) 저전력 실시간 클록의 형태내에 일체됨으로서 본 발명의 전원 감시회로를 도신한 블록도.
도 3 은 본 발명의 실시간 클록 신호로의 주요 성분을 도시한 블록도.
도 4 는 본 발명의 실시간 클록 회로의 전압 레귤레이터에 관한 개략도.
도 5 는 도 4 의 레귤레이터에 포함된 스타트업 회로의 개략도.
도 6 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 전력 비교 모둘에 관한 개략도.
도 7 은 도 6 의 전력 절환 회로에 관한 개략도.
도 8 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 서브문턱 전류원에 관한 개략도.
도 9 는 도 8 의 전류원 내에 포함된 스타트업 회로에 관한 개략도.
도 10 은 본 발명의 실시간 클록 회로 저전력 발진기 회로에 관한 개략도.
도 11 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 저배터리 검출 회로에 관한 개략도.
도 12 는 본 발명의 실시간 클록 회로의 Valid RAM and Tim (VRT) 에 관한 개략도.
*도면의주요부분에대한부호의설명*
22 : 시스템 전원 (SYSVDD)
24 : 배터리 전원 (VBAT)
152 : 전력 비교기 모듈
154 : 서브임계 전류원
156 : 저전력 발진기
158 : 저배터리 검출 회로
160 : VRT 제어 회로
본 발명은 전력 조절, 저배터리 전압 검출 및 시스템 전원 전압 범위가 배터리 전원의 전압 범위와 겹치는 시스템에 대한 배터리 지원 회로 동작에 관한 것이다. 본 발명은 실 시간 클록의 인가를 참조로하여 설명하지만, 원리는 저전력에 동작하는 다른 시스템적용될 수도 있고 전력 의 백업 배터리 전원을 포함한다. 본 발명은 배터리 전원의 전압 범위가 시스템 전원의 전압 범위 미만이 되도록 배터리 전압을 레귤레이트 하도록 동작하는 전압 레귤레이터를 이용한다. 레귤레이터는 실리콘 밴드갭 참조 방법에 기초하고 배터리 수명이 거의 영향을 받지 않는 전류양을 소모한다. 또한, 레귤레이터는 배터리보다 출력 전압이 변화가 더적다. 온도 및 전압 보상된 전원 전압은 서브문턱 전류원, 기생 바이폴라 장치 및 전압 버퍼링의 조합에 의해서 생성되고, 시스템의 배터리 지원 회로에 대해 전압원을 제공하는데 이용된다. 레귤레이트된 전압은 시스템 전원보다 더 낮은 값으로 설정되고 전력 조절 회로에 대해 배터리 전원 입력으로서 제공한다. 레귤레이트된 전압은 본 발명의 내부 전력 조절 설계가 배터리 및 시스템 전원 전압 범위가 겹치더라도 조절 회로를 등가로 직속시킨다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 첨부된 도면을 참조로하여 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
비록 본 바라명을 저전력 실시간 클록의 콘텍스트내에서 설명하더라도, 본 발명의 취지 원리는 시스템과 배터리가 전압 범위가 겹치는 경우 시스템 전원과 배터리 전원사이의 구별 수단을 요구는 다른 형태의 시스템에 적용될 수 있는 것으로 이해되어져야 한다.
공지된 바와 같이, 본 발명의 저전력 실시간 크록 회로는 시스템 전원과 배터리 전원의 전압 범위가 겹치는 환경에 동작하도록 설계된다. 이런 조건에서, 통상적인 더 높은 전원 조절 방법은 적절하게 동작하지 않는다. 이 전위 문제는 배터리 소오스의 전압 범위가 시스트메 전원의 전압 범위 이하인 배터리 전압을 레귤레이팅 함으로서 극복된다. 표준 레귤레이터는 본 발명의 적용으로 희망했던 것 보다 더큰 비율로 전류를 없앤다. 이것은 배터리의 수명을 현저하게 감소시키며 본 발명의 목적을 회손하는 효과를 갖기 때문이다. 이 문제를 해결하기 위해서 분수 (거의 1/1000) 통상적인 비로 전류를 없애는 전압 레귤레이터를 설계할 필요성이 있다. 게다가, 전압 레귤레이터는 본 발명에 의해서 실현되는 요구물인며 코어 COMS 프로세스와 양립할 수 있는 방식으로 단일 기판상에 고속 디지털 회로 집적되는 것이 가능할 필요가 있다.
본 발명의 중요한 실시예는 그의 제조능력에 관한 것이다. 공지된 바와 같이, 본 발명에 의해서 충족되는 제약은 코어 고속 디지털 CMOS 프로세스에서 알려진 단계를 초과하는 부가적인 공정 단계가 요구되지 않는 방법으로 단일 기판상에 고성능이며 고전력인 디지털 회로를 갖는 저전력 실시간 클록 회로로 집적된다. 이 실시예는 다수의 고성능 디지털 프로세스가 단일 트랜스컨덕턴스에 대해 높은 값, 매우 낮은 저항 재료, 및 플라스틱만, 최적되지 않은 바이폴러 장치를 장치를 수용하도록 설계된다. 이러한 프로세그는 전력 소비를 고려할 때 속도에 있어서 우수한 경향이 있다.
대조하여, 효과적이되도록 하기 위해서, 본 발명의 저전력 실시간 클록 회로는 고성능 디지털 프로세싱 방법에 근초하는 등가 회로와 비교되는 4 개 또는 5 개의 크기에 의해서 전력 소비가 감소하도록 설계된 기술을 요구하며 이용한다. 이 목표를 달성하기 위해서 이용된 설계 기술은 저전력 실시간 클록 회로를 설명하는 형태에 반영되고, 매칭된 단위 장치 (즉, 도 4 의 레지스터 RGB) 의 레이아웃, 도 8 의 네지스터 네트워크, 및 도 8 의 p 채널 전류 분배 네트워크를 포함한다. 설계 방법론은 더욱 예측할수 있는 방법 (랜덤 VT또는 저항의 변화에 덜 민감하다) 으로 동작하는 로우 바이어스 회로를 생성한다. 본 발명에서 이용되는 다른 설계 기술은 매치 트랜지스터 기술 (즉, 도 9 의 p 채널 장치의 채인) 이다. 이것은 기생 저항을 더 바람직하게 제어함으로서 고임피던스 동작의 범위를 확장하는데 보조한다.
도 2a 내지 2d 는 (2a) 전력 조절, (2b) 저배터리 전압 검출, (2c) 저전력 발진기, (2d) 저전력 실시간 클록의 형태내에 일체됨으로서 본 발명의 전원 감시회로를 도시한 블록도이다. 도 2a 에 나타낸 바와 같이, 전력 조절 회로 (100) 는 시스템 전원 전압 (VSys) (22) 및 VRef가 전압 레귤레이터 (102) 의 출력인 기준 전압 (VRef) (104) 을 출력으로서 갖는다. 레귤레이터 (102) 는 VRef가 시스템 전원 전압 범위의 최저한계보다 낮도록 구성된다. 레귤레이터 (102) 에 대한 입력은 배터리 전원 전압 VBatt(24) 이다. 전압 (22 및 104) 는 입력이 높은 것을 지시하는 출력 신호를 생성하도록 구성된 비교기 (26) 에 입력된다. 비교기 (26) 로부터 출력 신호는 인버터 (28) 에 공급되고, 제어 신호로서 트랜지스터 (32) 의 게이트에 공급된다. 인버터 (30) 의 출력은 제어 신호로서 트래지스터 (30) 의 게이트에 공급된다. 조절 회로 (100) 는 시스템 내부 전력 버스에 대한 전원 전압 (VPP) (34) 으로서 VSys(22) 또는 VRef(104) 중 더 높은 어느하나를 선택하는 기능이 있다.
도 2b 의 저 배터리 전압 검출 회로 (110) 는 전우너 전압 (112) 가 레귤레이터 (102) 에 의해서 생성된 기준 전압 VRef(104) 이하로 저하되는 경우 경고 신호 (38) 를 제공하도록 동작한다. 전원 전압 VPower(112) 은 도 2b 에 도시한 타입의 회로 (110) 을 갖지며 배터리 전압 VBatt(24) 또는 시스템 전원 전압 VSys(22) 중 어느하나를 나타낸다. 도면에 나타낸바와 같이, VPower(112) 및 VRef(104) 는 비교기 (42) 에 대한 입력으로서 제공하고, 비교기는 VPower(112) 가 VRef보다 이하로 저하되는 경우 저배터리 검출 경고 신호 (38) 를 출력한다. 전압 소오스 (114) 는 VPower입력에 전압 저하를 제공함으로서 저하 전원의 초기 검출을 제공하도록 동작하는 Voffset을 제공한다.
도 2c 의 저전력 발진기 회로 (120) 는 상태 머신 또는 카운터 (48) 과 같은 장치의 동작을 위해 발진기 (46) 의 형태로 실시간 클록 신호를 제공하는 기능을 제공한다. 이런 경우에 내부 버스상에 공급된 (시스템 전압 또는 기준 전압중 임의의 하나와 같은) 전압 VPP(34) 은 발진기 (46) 및 임의의 다른 배터리 지원 회로에 대한 전원으로서 공급한다.
도 2d 의 연속 퍼머넌트 전원 감시 회로는 퍼머넌트 전력 고장 검출 설계내에 회로 2b 의 전 전력 검출 회로를 이용한다. 저장 소자 (132) 는 저배터리 및 저시스템 전원 검출회로의 출력을 감시한다. 퍼머넌트 전력으로부터 동작되는 파워업 리세트회로는 시스템 및 배터리 전력 양측 모두의 총 손실을 기록하고, 조건과 같은 신호 (134) 를 생성한다. 이것은 시스템 동작 동안 배터리 전원의 상태를 단지 샘플하는 대부분의 종래 시스템과는 대조적으로 전력 시스템의 연속하는 감시를 제공한다. 퍼머넌트 전원의 연속 감시는 시스템 또는 배터리 지원 동작 동장동안 데이터의 보전을 확인하고 총 전력 손실동안 데이터 충돌의 가능성을 사용자에게 경고한다. 이런 형태의 회로 적용 가능성은 데이터 보전이 임계인 포터블 보호 장치를 포함한다. 도 2d 의 전원 감시 회로 (130)에서, 퍼머넌드 파워 업 리세트 신호 (134) 는 OR 게이트 (136) 에 하나의 입력을 제공한다. OR 게이트 (136) 에 대한 제 2 입력은 저배터리 검출 신호 (140) 및 저시스템 전원 검출회로 (142) 을 입력으로서 갖는 AND 게이트 (138) 의 출력으로부터 제공된다. 신호 (140 및 142) 는 도 2b 에 도시한 저배터리 검출 및 저시스템 전원 검출 회로 (110) 의 출력으로서 제공된다. OR 게이트 (136) 의 출력이 높은 경우, 저배터리 및 저시스템 전원 전압 양측 모두의 조건 또는 시스템 및 배터리 전력 양측 모두의 총 손실중 어느하나를 지시한다. 이것은 저장 소자 (132) 를 리셋시킨다. 저장 소자 (132) 의 통상적인 출력은 Valid RAM and Time 조건을 지시하는 상태신호이다.
도 3 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 기본 구성을 도시한 블록도이다. 도면에 도시한 바와 같이, 전력 비교기 모듈 (152) 은 2 개의 기본 입력, 즉, (도면에서는 SYSVDD 로 명명되어 있고 비교기 (152) 의 노드 RTCVDD 에 입력하는) 시스템 전원 전압 (22) 및 (도면에서는 RTCVREE 로 명명되어 있고 비교기 (152) 의 노드 VATT 에 입력하는) 기준 전압 (104) 을 갖는다. 레지스터 (162) 에 의한 배터리 전원 전압 조절로부터의 결과 신호를 갖지고, 기준 전압 (104) 은 입력 전압 VBATINT 으로서 갖는 전압 레귤레이터 (150) 의 출력에 생성된다. RBAT (162) 는 배터리 소오스 (24) 및 회로의 리세트사이의 백차지 한계를 제공한다. 레귤레이터 (150) 는 절대 온도에 비례하는 전류를 제공하는 서브임계 전류원 (154) 에 의해서 생성된 전류를 다른 입력으로서 갖는다. 이 전류는 시스템의 배터리 지원 회로를 위한 충분한 전력을 공급하도록 버퍼되는 전압이 보상된 전압을 공급하고 온도를 생성하기 위한 전압 레귤레이터 (150) 소자와 상호 간섭한다.
레귤레이터 (150) 의 이용은 저배터리 전압 상태에 대해 시스템에 경고하기 위한 종래 수단을 제공한다. 이 저배터리 검출은 저배터리 검출 회로 (158) 에 의해서 실행된다. 회로 (158) 에 대한 입력은 (도면에 RTCVREE 로 명명되고 저배터리 검출 회로 (158) 의 노드 VREFIN 에 입력하는) 레귤러 (150) 에 의해서 생성된 기준 전압 (104) 및 (도면에 VBATINT 로 명명되고 저배터리 검출 회로 (158) 의 노드 VBATT 에 입력하는) 조절된 배터리 전압 (24) 이다. 저전력 발진기 (158) 는 배터리 전압이 기준 전압과 거의 같은 전압으로 저하된 경우 감지하여 이런 경우에 (도면에 LBD 로 명명되는) 경고 신호를 출력한다.
저전력 발진기 (156) 는 (도면에서 VOSC 로 명명되고 발진기 (156) 의 노드 VDDLPO 에 입력하는) 서브 임계 전류원 (154) 에 의해서 생성된 발진 전압 신호를 입력으로서 갖는다. 발진기 (156) 의 출력은 상태 머신 또는 카운터와 같은 다른 회로의 동작을 제어하는데 이용되는 (도면에서 RTCCLK 로 명명된) 실싯간 클록 신호이다.
Valid RAM and Time (VRT) 제어 회로 (160) 는 시스템 전원 전압이 레귤레이트 전원 전압의 소정의 양 내로 시스템 전원 전압이 저하된 경우 검출되는데 이용된다. 저배터리전압 검출 신호 (회로 158 로부터) 와 저시스템 전원 전압의 조합은 VRT 제어 회로 (160) 의 저장 소자가 백업 전원으로서 관련 배터리 전원의 손실을 지시하도록 한다. (도면에서 RUNNING 로 명명된) 서브임계 전류원 (154) 로부터의 신호는 저장 소자를 위한 파워 업 초기화로서 동작한다.
도 4 는 본 발명의 실시간 클록 회로의 전압 레귤레이터 (150) 를 개략적으로 도시한 도면이다. 레귤레이터 (150) 는 도 3 의 서브임계 저류원 (154) 에 의해서 생성된 절대 온도에 비례하는 (노드 IBIASBG 로 명명된) 전류를 입력으로서 갖는 단계를 포함한다. 레귤레이터 (150) 의 이 단계는 2 개의 전압 성분, 즉, (1) 양의 온도 계수를 갖는 제 1 전압 성분, 및 (2) 음의 온도 계수를 갖는 제 2 전압 성분을 생성한다. 2 개의 전압 성분이 적절한 비로 합산되면, 합산된 성분의 각 온도 변환는 거의 없을 수 있다. 전류원이 전원 전압에 (제 1 순위로) 무감각해지도록 설계되기 때문에, 노드 IBIASBG 에서 생성된 전압은 전원 및 온도의 양측 모두에 무관하다.
또한, 레귤러 (150) 는 희망하는 동작 범위에 대해 2 개의 전압 성분 합을 버퍼하고 스케일하고, 레귤레이터에 전압 입력이 기중 전원으로부터 회로 동작에 의해서 로드되는 것을 방지한다. 레귤러 (150) 는 시스템 전원 전압 범위보다 낮은 전압으로 배터리 전압을 레귤레이트하는 밴드갭 기준 기술을 이용한다. 레귤러 (150) 는 배터리 생명이 영향 받지 않도록 감지하지 못할 정도의 전류 양을 소비한다. (도 5 에 더 상세하게 설명한) 서브임계 전류 (154) 에 의해서 생성된 (도면에서 IBIASBG 로 명명된) 전류는 온도를 제공하고 전압 보상된 전압을 인가하기 위해 레지스터 RBG (200) 및 인접 PNP 트랜지스터 (204) 와 상호작용한다. 그후, 배터지 지원 회로에 대해 충분한 전력을 공급하기 위해서 레지스터 디바이더에 의해서 버퍼되고 스케일된다.
상술한 바와 같이, 레귤러는 실리콘 밴드갭 기준 기술에 기초한다. 밴드갭은 레귤레이트되지 않은 배터리에서 나타나는 전압의 범위보다 매우 협소한 전압 범위로 배터리 전압 변화를 레귤레이트한다. 또한, 이것은 시스템 전원 (예를 들어, 3.3 볼트 ± 10%) 으로부터 배터리 전원을 구별하는 것을 가능하게 하는 범위로 배터리 전압을 변환시키기 위해 공급한다. 출력 기준 전압 (104) 은 통상적으로 2.3 볼트이다.
레귤레이터 (150) 에 포함된 것과 같은 밴드갭 기준은 양의 온도계수를 갖는 성분 및 음의 온도계수를 갖는 성분을 포한한 전압을 제공한다. 온도에 거의 영향을 받지 않는 전압을 획득하기 위해 적절한 비로 성분은 함께 합산된다.
레귤레이터 (150) 에서, 기생하는 인접 PNP 트랜지스터 (204) 의 베이스 에미터 전압은 음의 온도계수 성분을 공급한다. 상술한 서브임계 전류원은 트랜지스터 (204) 및 밴드갭 레지스터 (200) 에 대한 노드 (IBIASBG) 에서 절대 온도에 대해 비례 (PTAT) 하는 전류를 공급한다. 서브임계 전류원과 밴드갭 레지스터 (200) 의 비는 온도에 대한 기준 전압의 변화를 최소화 하기 위한 타당한 비로 2 개의 전압 성분을 가산하는 방식으로 선택된다. 서브 임계 전류원, 레지스터 (200), 및 트랜지스터 (204) 의 동작에 의해서 생성된 전압은 노드 IBIASBG 에서 발생한 1.2 내지 1.2 볼트 에 거의 2 배인 기준 전압 (104) 값을 결정한다.
레귤레이터 (150) 내에 포함된 전압 팔로워 단계는 노드 IBIASBG 에 발생한 전압을 버퍼하고 스케일하도록 동작한다. 전안 팔로워 단계는 (예를 기준 전압 104 으로서 거의 2.3 볼트를 발생하는) 노드 IBIASBG 에서 입력 기준 전압에 거의 2 배인 구동 전압을 출력하는 전류 제한 동작 증폭기이다. 2 배 전압 승산은 각 쌍에 대해 제로값을 갖는 Vbs 로 매치된 p 채널 트랜지스터 세트에 의해서 성취된다. 이것은 전형 적인 저항 재료의 전류 로딩 없이 전압 감지를 가능하게 한다. 전압 팔로워 단계에 의해서 이용된 스케일링 방법은 도 4 에 나타낸 RIDV 장치 (206) 를 이용한다. 고성능 코어 CMOS 프로세스에서, (10 Meg 보다 매우 큰 값을 갖는) 매우 큰 저항은 경제적이거나 또는 신뢰성 있는 형태로 제조되는 것이 어렵다. 기준 전압의 스케일링을 위해서 , 저항은 출력 전압을 감지하는데 이용되고 출력 전압을 안정화하기 위한 피드백 제어 매카니즘을 제공한다. 배터리 기준에 대해서, 매우 큰 저항은 전력 소비를 방지하고 배터리 수명을 연장하는데 필요하다. 도 4 회로에서, 전압 스케일링은 각 싸에 대해 Vdg=0 이고 Vbs=0 을 갖는 매치된 large-L P 채널 트랜지스터에 의해서 실행된다. 장치가 직렬로 접속되어 있기 때문에, 동일한 전류는 이들을 통해 흐른다. 교차 결합되어 매칭된 단위 장치를 이용하는 매칭 레이아웃으로, 각 쌍은 매칭된 전압 저하를 갖는다. 이것은 종래 2 로 나누어지는 전압 함수를 제공한다. 도 4 에 도시한 개념은 물론 n 으로 나누어지는 전압 함수로 확장될 수도 있다 (n 은 정수).
또한, 레귤레이터 (150) 는 시스템 전원 전압이 없는 경우에 발생할 수 있는 제로 전압 출력 및 제로 전류 입력의 부트스트랩 상태를 방지하는데 이용되는 스타트업 회로 (210) 를 포함한다. 이것은 스브임계 전류원 전원이 일부 조건에서 밴드갭의 출력이 될 수 있기 때문에 이용된다.
도 5 는 도 4 의 레귤레이터 (150) 에 포함된 스타트업 회로 (210) 의 개략적인 도면이다. 스타트업 회로 (210) 는 임계문턱 전류원이 시작되었는지를 감지한다. 밴드갭이 초기화되지 않으면 소오스가 개시되지 않을 수 있는 않을 수 있기 때문에 중요하다. 전류원이 개시되지 않은 것을 스타트업 회로 (210) 가 감지하면, 밴드갭 출력은 배터리 전압 레벨로 직접 구동된다. 전류원이 초기화되는 경우, 밴드갭 출력은 레귤레이트된다.
도 6 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 전력 비교 모듈 (152) 의 개략적인 도면이다. 전력 비교기 (152) 는 (도면에 RTCVDD 로 명명된) 시스템 전원 전압과 기준 전압 (104) 로서 레귤레이터 (150) 에 의해서 생성된 (도면에서 VBATT 로 명명된) 레귤레이트 배터리 전원 전압사이를 조절한다.
전력 비교기 (152) 는 시스템 전원 전압 또는 레귤레이트 배터리 전압중 어느하나에 (도면에서 VPP 로 명명된) 내부 전원 레일에 접속시키기 위해서 전류 제한 비교기를 이용한다. RTCVD=VATT 인 경우 비교기는 RTCVD 또는 VATT 중 또는 높은 전압에 VPP 를 접속한다. 추가 비교기는 (도면에서 활성화된 칩에 대해 CE 로 명명된) 고장 전력에 대한 초기 검출을 제공하는 저항 디바이더를 이용한다. CE 신호는 RTCVDD 가 레귤레이트된 전압의 거의 1.2 배인 경우 낮게 전환된다. 전력 비교기 (152) 는 전력 비교기 (152) 의 비교 단계로부터 (도면에 RHBL 로 명명된) 제어 신호의 수신상에서 VPP 를 시스템 전원 또는 레귤레이트된 배터리 전원에 접속시키는 전력 전환 회로 (220) 를 포함한다. 도 7 은 도 6 의 전력 전환 회로 (220) 의 개략적인 도면이다.
도 8 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 서브임계 전류원 (154) 에 대한 개략도이다. 상술한 바와 같이 전류 소오스 (154) 는 레귤레이터에 대해 (도면에 IODTBG 로 명명된, PTAT) 절대온도에 대한 비로 전류가 생성된다. 또한, 전류 소오스 (154) 는 실시간 클록 회로의 많은 아날로그부로 분배되어 (도면에서 IODT_ 로 명명된) 제어가 잘되고 낮은 바이어스 전류를 제공한다. 이것은 저전력 회로 모듈의 설계를 용이하게 한다.
도 8 에 도시한 회로에서, 이하 표시되는, RDT 로 명명된 노드를 통해 출력 전류 (Iout) 가 흐른다.
Iout= kT/q * ln ((100/4)/(25/4))/(1.1 Meg)에서,
k = 볼쯔만 상수
q = 전하
T = 절대 온도이다
실내 온도에서, Iout은 거의 36 나노암페어이다. 도 8 의 레지스터 네트워크가 거의 1.1 Meg 를 갖기 때문에 젯수인 1.1 Meg 텀은 상승한다. 또한, 전류 소오스 (154) 는 조건에 제공하여 출력 전류를 분배하는 전류 미러 및 바이패스 커패시터를 포함한다. (도면에서 명명된 성분 (232 및 234) 인) 전류 생성 단계에서의 N 채널 장치는 서브문턱 영역내에서 동작한다. 전류 미러내의 잔여 P 채널 장치는 생성된 전류의 다양한 비를 잔여 회로에 대해 분배하도록 동작한다. P 채널 장치는 서브문턱 영역내에서 동작하지 않도록 설계된다. 이 것은 생성된 기준 전류를 더 정확게 스케일 하고 매칭하도록 제공한다. 또한, 통상적으로 부트스트랩 회로로 알려진 스타트업 회로 (230) 이다. 서브문턱 전류 회로 (154) 는 (도 3 에서 VPP 로 명명된) 조절 전력 소오스에 의해서 전원이 인가되고, (제 1 순위로) VPP 값의 변화에 무관하게 설계된다.
도 9 는 도 8 의 전류 소오스 (154) 내에 포함된 스타트업 회로 (230) 의 개략적인 도면이다. 이 전류는 도 5 를 참조하여 설명된 스타트업 회로와 동작이 유사하고 또한 (도면에서 RUNNING 으로 명명된) 디지털 신호를 생성한다.
도 10 은 본 발명의 실시간 클록 회로의 저전력 발진기 회로 (156) 의 개략적인 블록도이다. 발진기 (156) 는 전류 제하되는 3 단계의 발진기로서 실행된다. 회로는 미국 특허 제 5,528,201 호에 집적회로에 대해 신뢰성 있는 스타트업을 갖는 관통 크리스탈 발진기 의 제목으로 개시되는 방식과 유사한 방식으로 병렬 커패시터 (240) 에 의해서 보상이되며, 이하에서 참조된다.
발진기 (156) 의 저전력 실시예는 (본 발명에서는 거의 32 KHz 로) 반진기 증폭 대역폭을 제한하고, 멀티플렉서 (250) 는 테스트를 목적으로 병렬 경로를 제공한다. 테스터는 (도면에서 RTCCLK 로 명명된) 발진 클록 신호 출력을 출력하고 실시간 클록 카운터 정확도를 검증하기 위해 (예를 들면 5 MHz 로) 노드 (X1) 을 통해 더 빠른 외부 클록을 구동하는데 이용될 수 있다.
도 11 은 본 발명의 실시간 회로 회로의 저배터리 검출 회로 (158) 에 대한 개략적인 도면이다. 알려진 바와 같이, 배터리 전압 레벨 검사는 임의의 배터리 지원 시스템의 중요한 형태이다. 저배터리 검출 회로 (158) 는 2 개의 비교기를 포함한다. 제 1 비교기는 (도면에서 VBATT 로 명명된) 배터리 전압이 (도면에서 VREFIN 으로 명명된) 레귤레이트 배터리 전압의 약 100 밀리 볼트내로 저하되는 것을 검출한다. 이것은 전압 소오스로서 시스템 전원을 이용하는 정상적인 동작동안 저배터리 조건을 이용자에게 알리는데 이용된다. 제 2 비교기는 (도면에서 VSYSS 로 명명된) 시스템 전압이 레귤레이트 배터리 전압 (VREFIN) 의 약 100 밀리 볼트내로 저하되는 경우를 검출한다. 저배터리 및 시스템 전압 양측 모두를 검출한 경우, (도 12 에서 상세하게 설명된) Valid RAM and Time (VRT) 제어 회로 (160) 의 저장 성분은 신뢰성 있는 배터리 지원 전원의 손실과 같은 이 조건을 반영한다.
도 12 는 본 발명의 실시간 클록 회로의 Valid RAM and Time (VRT) 제어 회로 (160) 으 개략적인 도면이다. 알려진 바와 같이, 도 11 의 비교기는 저배터리 및 시스템 전압 양측 모두를 검출는 경우, VRT 제어 회로 (160) 의 저장 성분은 이 조건을 반영한다. 도 8 의 전류 소오스 (154) 로부터 신호는 저장 성분 (260) 에 대해 파워업 초기화로서 동작한다.
본 발명의 저전력 실시간 클록 회로는 시스템 전원 및 배터리 전원이 겹치는 전압 범위를 갖는 환경내에서 동작되도록 설계된다. 이것은 통상적인 고속 고전력 CMOS 설계 방법을 이용하여 실행된 표준 레귤레이터에 비교되어 감소하는 속도로 전류를 없애는 특별하게 설계된 전압 레귤레이터를 이용하여 시스템 전원 전압 범위의 레벨 이하의 레벨로 배터리 전압을 레귤레이팅 함으로서 성취된다. 표준 CMOS 프로세스를 갖는 저전력 소비와 호완성의 조합은 고성능 디지털 회로를 포함하는 저전력 배터리 지원 장치내에 이용하기 위해 본 발명을 실현시킨다.
여기에서 사용된 단어와 표현은 설명을 위해서 이용될 것이지만 이에 제한된 것은 아니고, 이러한 단어 및 표현은 상술한 형태 및 그의 부분을 포함하는 것을 의도로 하고, 청구된 발명의 범주내에서 다양한 변경이 가능한 것으로 이해되어져야 한다.
이상에 따르면, 본 발명은 저전력 레벨에서 동작하도록 설계되고, 백업 전원으로서 배터리를 이용하고, 시스템 전원의 전압 범위가 배터리의 전압 범위를 겹치는 경우에 시스템 전원과 배터리 전원사이의 절환하는 전력 조절 회로가 가능하다.

Claims (13)

  1. 출력 전압원으로서 제공되는 제 1 및 제 2 전압원 중 하나를 결정하는 전력 조절 회로에 있어서, 제 1 및 제 2 전압원은 전압 범위가 겹치는 제 1 및 제 2 전압 신호를 각각 생성하고, 상기 전력 조절 회로는,
    온도에 비례하는 크기를 갖는 전류를 생성하고
    상기 트랜지스터의 서브문턱 영역내에서 동작하는 트래지스터를 포함한 전류 생성 단계를 더 구비한 전류원,
    입력으로서 제 1 전압 신호를 수신하고 출력으로서 전압 범위를 갖는 기준 전압 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 기준 전압 신호의 전압 범위가 상기 제 2 기준 전압 신호 전압 범위와 겹치지 않고
    상기 전류원에 의해서 생성된 전류를 입력으로서 갖고 출력으로서 양의 온도 계수를 갖는 전압을 생성하는 제 1 전압 강하 성분, 및
    상기 전류원에 의해서 생성된 전류를 입력으로서 가지며 출력으로서 음의 온도 계수를 갖는 전압을 생성하는 제 2 전압 강하 성분으로 이루어지는 레귤레이터,
    상기 레귤레이터 및 상기 제 2 전압 신호에 의해서 기준 전압 신호 출력을 입력으로서 가지며, 두 개의 입력중 더 큰 것을 지시하는 제어 신호를 출력으로서 생성하는 비교기, 및
    입력으로서 제어 신호를 가지며, 상기 출력 전압원으로서 상기 비교기 입력중 지시된 하나를 제공함으로서 제어 신호에 응답하는 스위치로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전력 조절 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전압 신호는 배터리에 의해서 제공되는 것을 특징으로 하는 전력 조절 회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 레귤레이터는
    상기 전류원이 출력이 없는 조건에서 상기 레귤레이터의 출력으로서 상기 제 1 전압 신호를 제공하는 스타트업 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 전력 조절 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전압 강하 성분은 제 1 값을 가지고 제 2 전압 강하 성분은 제 2 값을 가지며, 제 1 및 제 2 전압 강하 성분의 출력 합은 온도에 거의 무관한제 1 및 제 2 값이 선택되는 것을 특징으로 하는 전력 조절 회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 기준 전압 신호의 상기 전압 범위는 상기 제 2 전압 신호의 상기 범위 미만인 것을 특징으로 하는 전력 조절 회로.
  6. 출력 전압원으로서 제공되는 제 1 및 제 2 전압원 중 하나를 결정하고, 상기 제 1 및 제 2 전압원은 전압 범위가 겹치는 제 1 및 제 2 전압 신호를 각각 생성하고, 상기 제 2 전압 신호와 상기 제 1 전압 신호로부터 유도된 기준 신호 중 더 큰 것을 출력으로 생성하고, 상기 기준 신호는 상기 제 2 전압 신호의 범위와 겹치지 않는 범위를 갖는 저전력 클록 회로, 및
    입력으로서 상기 저전력 조절 회로의 출력을 가지도록 구성되며 출력으로서 클록 신호를 생성하는 발진기로 이루어지는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 기준 신호 및 상기 제 1 전압 신호를 입력으로 가지며, 상기 제 1 전압 신호가 상기 기준 신호 미만인 경우 출력으로서 저전원 검출 신호를 생성하는 제 1 저전력 전원 검출 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 기준 신호 및 상기 제 2 전압 신호를 입력으로서 가지며, 상기 제 2 전압 신호가 상기 기준 신호 미만인 경우 출력으로서 저전원 검출 신호를 생성하는 제 2 저전원 검출 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 전력 조절 회로는,
    입력으로서 상기 제 1 전압 신호를 수신하고 출력으로서 기준 전압 신호를 생성하도록 구성되며, 상기 기준 전압 신호의 범위가 상기 제 2 전압 신호 범위와겹치지 않는 레귤레이터,
    상기 레귤레이터에 의해서 출력하는 상기 기준 전압 신호 및 상기 제 2 전압 신호를 입력으로서 가지며, 두 개의 입력중 더 큰 것을 지시하는 제어 신호를 출력으로서 생성하는 비교기, 및
    입력으로서 상기 제어 신호를 가지며, 상기 출력 전압원으로서 상기 비교기 입력 중 지시된 하나를 제공함으로서 제어 신호에 응답하는 스위치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 전력 조절 회로는,
    온도에 비례하는 크기의 전류를 생성하고, 서브문턱 영역내에서 동작하는 트랜지스터를 포함하는 전류 생성 단계를 더 구비한 전류원을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 레귤레이터는,
    상기 전류원에 의해서 생성된 상기 전류를 입력으로 가지며 출력으로서 양의 온도 계수를 갖는 전압을 생성하는 제 1 전압 강하 성분, 및
    상기 전류원에 의해서 생성된 전류를 입력으로서 가지며 출력으로서 음의 온도 계수를 가지는 전압을 생성하는 제 2 전압 강하 성분을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 레귤레이터는,
    상기 전류원이 출력이 없는 조건에서 상기 레귤레이터의 출력으로서 상기 제 1 전압 신호를 제공하는 스타트업 회로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전압 강하 성분은 제 1 값을 가지며 제 2 전압 강하 성분은 제 2 값을 가지고, 상기 제 1 및 제 2 전압 강하 성분이 온도에 거의 무관하도록 상기 제 1 및 제 2 값이 선택되는 것을 특징으로 하는 저전력 클록 회로.
KR1019970044694A 1996-11-22 1997-08-30 시스템 및 배터리 전력을 중재하는 저전력 실시간 클록 회로 KR100300210B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/755,279 US5838171A (en) 1996-11-22 1996-11-22 Low power real-time clock circuit having system and battery power arbitration
US8/755,279 1996-11-22
US08/755,279 1996-11-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980041864A true KR19980041864A (ko) 1998-08-17
KR100300210B1 KR100300210B1 (ko) 2001-09-03

Family

ID=25038486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970044694A KR100300210B1 (ko) 1996-11-22 1997-08-30 시스템 및 배터리 전력을 중재하는 저전력 실시간 클록 회로

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5838171A (ko)
KR (1) KR100300210B1 (ko)
DE (1) DE19737777C2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150037891A (ko) * 2012-06-26 2015-04-08 노르딕 세미컨덕터 에이에스에이 반도체 장치의 제어

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6611918B1 (en) 1999-12-21 2003-08-26 Intel Corporation Method and apparatus for changing bias levels to reduce CMOS leakage of a real time clock when switching to a battery mode of operation
US7253589B1 (en) 2004-07-09 2007-08-07 National Semiconductor Corporation Dual-source CMOS battery charger
US7370214B2 (en) * 2005-03-24 2008-05-06 Silicon Laboratories Inc. Automatically switching power supply sources for a clock circuit
US7516339B2 (en) * 2005-05-05 2009-04-07 Irvine Sensors Corp. Low power electronic circuit incorporating real time clock
CN100426195C (zh) * 2005-05-13 2008-10-15 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电池失效报警控制电路
US7586377B2 (en) * 2005-08-12 2009-09-08 Continental Automotive Systems Us, Inc. Real time clock
WO2007099163A1 (de) * 2006-03-02 2007-09-07 Zentrum Mikroelektronik Dresden Ag Verfahren zur automatischen betriebsspannungsdetektion
US8519673B2 (en) * 2006-06-30 2013-08-27 Seagate Technology Llc Arbitrating battery power calibration in a device that selects a battery power unit from a purality of selectable battery power units
CN101295975B (zh) * 2007-04-24 2010-05-19 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Cmos驱动电路
DE102008007410A1 (de) * 2008-02-04 2009-08-06 Continental Automotive Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben einer Schaltungsanordnung
US9594099B2 (en) * 2011-10-12 2017-03-14 Semiconductor Components Industries, Llc Method of and circuit for brown-out detection
US9287792B2 (en) 2012-08-13 2016-03-15 Flextronics Ap, Llc Control method to reduce switching loss on MOSFET
US9312775B2 (en) 2012-08-15 2016-04-12 Flextronics Ap, Llc Reconstruction pulse shape integrity in feedback control environment
US8643410B1 (en) 2012-09-02 2014-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. System for compensating for variations in clock signal frequency
US9660540B2 (en) 2012-11-05 2017-05-23 Flextronics Ap, Llc Digital error signal comparator
US9323267B2 (en) 2013-03-14 2016-04-26 Flextronics Ap, Llc Method and implementation for eliminating random pulse during power up of digital signal controller
US9494658B2 (en) * 2013-03-14 2016-11-15 Flextronics Ap, Llc Approach for generation of power failure warning signal to maximize useable hold-up time with AC/DC rectifiers
US9490651B2 (en) 2013-03-15 2016-11-08 Flextronics Ap, Llc Sweep frequency mode for magnetic resonant power transmission
CN103246339A (zh) * 2013-04-16 2013-08-14 大唐移动通信设备有限公司 一种电池的预警方法和系统
TWI495980B (zh) * 2013-10-15 2015-08-11 緯創資通股份有限公司 實時時鐘電池的檢測電路、配置狀態檢測方法及電子裝置
CN103631319A (zh) * 2013-11-28 2014-03-12 苏州贝克微电子有限公司 一种具有系统及电池电量仲裁的低功率实时时钟电路
US9621053B1 (en) 2014-08-05 2017-04-11 Flextronics Ap, Llc Peak power control technique for primary side controller operation in continuous conduction mode
US9515560B1 (en) 2014-08-08 2016-12-06 Flextronics Ap, Llc Current controlled resonant tank circuit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5272393A (en) * 1987-11-24 1993-12-21 Hitachi, Ltd. Voltage converter of semiconductor device
US4945267A (en) * 1989-01-10 1990-07-31 Actel Corporation Integrated circuit bus switching circuit
GB2260833A (en) * 1991-10-22 1993-04-28 Burr Brown Corp Reference voltage circuit allowing fast power-up
KR950008453B1 (ko) * 1992-03-31 1995-07-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로
US5457414A (en) * 1992-12-22 1995-10-10 At&T Ipm Corp. Power supply loss sensor
JP2925422B2 (ja) * 1993-03-12 1999-07-28 株式会社東芝 半導体集積回路
FI97262C (fi) * 1994-10-03 1996-11-11 Nokia Mobile Phones Ltd Tulosignaalin kynnysarvon ylityksen virtaa säästävä ilmaisu
US5510735A (en) * 1994-12-29 1996-04-23 Motorola, Inc. Comparator circuit for generating a control signal corresponding to a difference voltage between a battery voltage and a power supply voltage
US5528201A (en) * 1995-03-31 1996-06-18 National Semiconductor Corporation Pierce crystal oscillator having reliable startup for integrated circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150037891A (ko) * 2012-06-26 2015-04-08 노르딕 세미컨덕터 에이에스에이 반도체 장치의 제어

Also Published As

Publication number Publication date
DE19737777A1 (de) 1998-07-16
DE19737777C2 (de) 2000-01-13
US5838171A (en) 1998-11-17
KR100300210B1 (ko) 2001-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100300210B1 (ko) 시스템 및 배터리 전력을 중재하는 저전력 실시간 클록 회로
US5814995A (en) Voltage detector for battery operated device
US7135842B2 (en) Voltage regulator having improved IR drop
US7652863B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US7119526B2 (en) Processor based integrated circuit with a supply voltage monitor using bandgap device without feedback
EP0627817B1 (en) Voltage comparator with bandgap based direct current summing and power supply switch using it
US20030123522A1 (en) Low-power band-gap reference and temperature sensor circuit
US5280198A (en) Power supply level detector
US6570367B2 (en) Voltage generator with standby operating mode
US7598807B2 (en) Differential amplifier circuit, voltage regulator using the differential amplifier circuit, and method for controlling the differential amplifier circuit
KR970008141B1 (ko) 반도체장치의 번인회로
EP1124170B1 (en) Reference voltage generation circuit including a start-up circuit
US5530395A (en) Supply voltage level control using reference voltage generator and comparator circuits
US5744990A (en) Enhanced power-on-reset/low voltage detection circuit
US6566931B2 (en) Semiconductor integrated circuit device with level shift circuit
JP2003263232A (ja) バンドギャップリファレンス回路
JP2008048298A (ja) 半導体集積回路装置
JP2001306163A (ja) アナログｍｏｓによる過電流保護機能付きレギュレータ回路
US6841980B2 (en) Apparatus for controlling voltage sequencing for a power supply having multiple switching regulators
US6337598B1 (en) Reference voltage generating device and generating method of the same
JP2007517298A (ja) 電圧制御システム
US6377074B1 (en) Semiconductor device having a constant-current source circuit
KR100554840B1 (ko) 파워 업 신호 발생 회로
JPH05259833A (ja) コンパレ−タ始動回路
KR0158486B1 (ko) 외부 전원 전압 레벨 감지기에서의 기준 전압 발생회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130531

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140529

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160330

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170330

Year of fee payment: 17