KR19980025945A - 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치 - Google Patents

반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정시, 웨이퍼에 분사하는 점착촉진제인 HMDS액 운반용 기포가 미세한 크기로 형성되어 도포된 감광막의 점착력이 향상될 수 있도록 한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 HMDS액 공급관(1)을 통해 공급되는 HMDS액(2)을 저장하는 HMDS액 저장조(3)와, 상기 HMDS액 저장조(3) 하부에 수평 방향으로 설치되며 외주면을 따라 복수개의 통공(4)이 형성된 질소가스 버블러(5)와, 상기 질소가스 버블러(5) 상부에 설치되며 복수개의 미세공(6)이 형성된 원판형의 홀 플레이트(7)와, 상기 HMDS액 저장조(3) 내에서 발생된 HMDS 기포(8)가 배출되도록 HMDS액 저장조(3) 상부 일측에 설치되는 기포배출관(9)으로 구성된 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치이다.

Description

반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치
본 발명은 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정시 웨이퍼에 분사하는 점착촉진제인 HMDS액 운반용 기포를 미세한 크기로 형성하여 도포된 감광막의 점착력이 향상될 수 있도록 한 것이다.
일반적으로, HMDS(Hexamethyldisilazane)(이하, HMDS라고 한다.)는 반도체소자 제조 공정시 감광막이 점착촉진제로서 가장 널리 사용되는 물질로서, 감광막 도포 시스템 내에 설치된 감광제 분사노즐과는 별도로 설치된 노즐을 통해 웨이퍼 위로 공급된다.
한편, 종래의 감광막 도포 공정시에는 HMDS를 웨이퍼 상면에 공습시, 도 1 내지 도 3에 나타낸 바와 같이, HMDS액 공급관(1)을 통해 공급되어 HMDS액 저장조(3) 내에 채워진 HMDS액(2) 내부로 질소가스를 주입하여 질소가스 버블러(5a)(Bubber)에 의해 기포가 형성되도록 하므로써 HMDS액(2)이 기포 상태로 운반 되도록 하였다.
즉, 기포상태로 된 HMDS는 기포배출관(9)을 통해 HMDS액 저장조(3)를 빠져나간 다음 웨이퍼 상부에 설치된 노즐(도시는 생략함)을 통해 웨이퍼 위로 뿌려지게 된다.
그러나, 이와 같은 종래에는 HMDS액 저장조(3)에 채워진 HMDS액(2) 내에서 질소 가스 버블러(5a)를 통해 나오는 질소가스에 의해 형성되는 HMDS 기포(8)의 사이즈가 매우 커 노즐을 통해 웨이퍼 상면으로 뿌려질 경우, 국부적인 버블링(bulling) 효과를 유발하여 감광막의 점착 불량(adhesion failure)을 일으키며, 이에 따라 노광시 패턴 불량 또한 야기하게 되는 문제점이 있었다.
즉, 웨이퍼 상면에 직경이 큰 기포가 형성될 경우, 그 위로 도포된 감광막은 점착이 제대로 되지 않아 노광시 패턴 불량을 야기할 뿐만 아니라, 경화된 감광막이 들떠 파티클을 발생시키므로써 반도체소자의 소자 불량을 유발하게 되는 등 많은 문제점이 있었다.
본 발명은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정 수행시, 감광막의 분사전에 웨이퍼에 분사하는 점착촉진제인 HMDS액 운반용 기포가 미세한 크기로 형성되어 감광막 도포 공정이 원활하게 이루어질 수 있도록 한 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 HMDS액 공급관을 통해 공급되는 HMDS액을 저장하는 HMDS액 저장조와, 상기 HMDS액 저장조 하부에 수평 방향으로 설치되며 외주면을 따라 복수개의 통공이 형성된 질소가스 버블러와, 상기 질소가스 버블러 상부에 설치되며 복수개의 미세공이 형성된 원판형의 홀 플레이트와, 상기 HMDS액 저장조 내에서 발생된 HMDS 기포가 배출되도록 HMDS액 저장조 상부 일측에 설치되는 기포배출관으로 구성된 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치이다.
도 1은 종래의 기포발생 시스템을 나타낸 구성도
도 2는 도 1의 HMDS액 저장조를 일부 절개하여 나타낸 사시도
도 3은 도 2의 HMDS액 저장조를 나타낸 종단면도
도 4는 본 발명에 따른 기포 발생기를 나타낸 종단면도
도 5는 도 4의 질소가스 버블러를 나타낸 사시도
도 6은 도 4의 홀 플레이프를 나타낸 사시도
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1; HMDS액 공급관2; HMDS액
3; HMDS액 저장조4; 통공
5; 질소가스 버블러6; 미세공
7; 홀 플레이트8; HMDS 기포
9; 기포배출관
이하, 본 발명의 일실시예를 첨부도면 도 4 내지 도 6을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4는 본 발명에 따른 기포 발생기를 나타낸 종단면도이고, 도 5는 도 4의 질소가스 버블러를 나타낸 사시도이며, 도 6은 도 4의 홀 플레이트를 나타낸 사시도로서, 본 발명은 위해, HMDS액 공급관(1)을 통해 공급되는 HMDS액(2)을 저장하는 HMDS액 저장조(3)와, 상기 HMDS액 저장조(3) 하부에 수평 방향으로 설치되며 외주면을 따라 복수개의 통공(4)이 형성된 질소가스 버블러(5)와, 상기 질소가스 버블러(5) 상부에 설치되며 복수개의 미세공(6)이 형성된 원판형의 홀 플레이트(7)와, 상기 HMDS액 저장조(3) 내에서 발생된 HMDS 기포(8)가 배출되도록 HMDS액 저장조(3) 상부 일측에 설치되는 기포배출관(9)으로 구성된다.
이 때, 상기 질소가스 버블러(5)에 형성되는 통공(4)의 직경은 입구에서 선단부로 갈수록 증가하는 수두 손실을 보상할 수 있도록 버블러(5) 입구에서 선단으로 갈수록 크게 형성되어 구성된다.
이와 같이 구성된 본 발명의 작용은 다음과 같다.
먼저, HMDS액 저장조(3) 내에 채워진 HMDS액(2) 내부로 질소가스를 주입하면 질소가스 버블러(5)에 의해 기포가 형성된다.
이 때, 상기 질소가스 버블러(5)는 HMDS액 저장조(3)의 직경 크기와 비슷한 길이를 가지도록 수평 방향으로 설치되며, 질소가스 버블러(5)의 외주면 상에는 복수개의 통공(4)이 형성되어 있으므로 버블러(5)의 통공(4)을 빠져 나오는 질소가스는 큰 직경을 가진 HMDS 기포(8)를 형성하게 된다.
또한, 상기 질소가스 버블러(5)에 형성되는 통공(4)의 직경은 입구에서 선단부로 갈수록 증가하는 수두 손실을 보상할 수 있도록 버블러(5) 입구에서 선단으로 갈수록 크게 형성된다.
한편, 상기한 바와 같이 질소가스 버블러(5)의 통공(4)을 빠져나온 HMDS 기포(8)는 HMDS액 조장조(3)의 액면 상부로 올라가기 위해, 질소가스 버블러(5) 상부에 설치된 홀 플레이트(7)의 미세공(6)들을 지나가야 한다.
이에 따라, 상기 홀 플레이트(7)의 미세공(6)을 지나는 큰 직경의 HMDS 기포(8)는 분쇄되어 미세한 직경을 가진 HMDS 기포(8)로 바뀌게 되며, HMDS액 저장조(3)의 액면 상부로 올라간 HMDS 기포(8)는 HMDS액 저장조(3) 일측에 설치된 기포배출관(9)을 통해 HMDS액 저장조(3)을 빠져나간 다음 웨이퍼 상부에 설치된 노즐(도시는 생략함)을 통해 웨이퍼 위로 뿌려지게 된다.
따라서, 본 발명은 HMDS액 저장조(3)에 채워진 HMDS액(2) 내에서 질소가스 버블러(2)를 통해 나오는 질소가스에 의해 형성되는 HMDS 기포(8)의 사이즈가 매우 미세하므로 HMDS 기포(8)의 분사시 웨이퍼 상면에 국부적으로 발생하는 버블링 현상을 방지할 수 있게 되므로써, 감광막의 점착 불량을 현저히 저감시켜 노광시 발생하는 패턴 불량 또한 줄일 수 있게 된다.

Claims (2)

  1. HMDS액 공급관을 통해 공급되는 HMDS액을 저장하는 HMDS액 저장조와,
    상기 HMDS액 저장조 하부에 수평 방향으로 설치되며 외주면을 따라 복수개의 통공이 형성된 질소가스 버블러와,
    상기 질소가스 버블러 상부에 설치되며 복수개의 미세공이 형성된 원판형의 홀 플레이트와,
    상기 HMDS액 저장조 내에서 발생된 HMDS 기포가 배출되도록 HMDS액 저장조 상부 일측에 설치되는 기포배출관으로 구성된 것을 특지으로 하는 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 질소가스 버블러에 형성되는 통공의 직경이 버블러 입구에서 선단으로 갈수록 크게 형성되어 선단부로 갈수록 증가하는 수두 손실을 보상할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조를 위한 감광막 도포 공정용 기포 발생장치.
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