KR19980025055A - 광흡수체 및 이것을 이용한 광학기기 - Google Patents

광흡수체 및 이것을 이용한 광학기기 Download PDF

Info

Publication number
KR19980025055A
KR19980025055A KR1019970049257A KR19970049257A KR19980025055A KR 19980025055 A KR19980025055 A KR 19980025055A KR 1019970049257 A KR1019970049257 A KR 1019970049257A KR 19970049257 A KR19970049257 A KR 19970049257A KR 19980025055 A KR19980025055 A KR 19980025055A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
layer
film
thickness
absorber
Prior art date
Application number
KR1019970049257A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100275917B1 (ko
Inventor
신지 우치다
츠구히로 고렌가
히로키요 츠지
쇼고 나스
노리모토 노우치
도시오 후카자와
도시히로 구리야마
유지 마츠다
Original Assignee
모리시타 요이치
마츠시타덴키산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시타 요이치, 마츠시타덴키산교 가부시키가이샤 filed Critical 모리시타 요이치
Publication of KR19980025055A publication Critical patent/KR19980025055A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100275917B1 publication Critical patent/KR100275917B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1356—Double or multiple prisms, i.e. having two or more prisms in cooperation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1362—Mirrors

Abstract

본 발명은 충분한 차광성을 가짐과 동시에, 종래의 것에 비해 반사율을 저감할 수 있는 광 흡수체를 제공하는 것으로써, 광학 유리기판(BSC7 (HOYA(주)제, 상품명))(11)의 표면에 두께 40㎚의 크롬막(12), 두께 113㎚인 이산화규소막(13), 두께 5㎚의 크롬막(14), 두께 113㎚의 이산화규소막(15)을 이 순서로 적층한다. 크롬막(12)이 외부에서 기판(11)으로 입사하려는 광을 차단하고, 크롬막(14)이 크롬막(12)에서 반사한 광을 흡수하여 적층구조막(광 흡수체)의 외부로 나가는 것을 억제한다. 적층구조막(광 흡수체)안에서는 각 막을 투과하는 광 및 인접막 사이의 경계면에서 반사하는 광에 의한 다중간접이 일어나고, 적층구조막(광 흡수체)의 외부로 나가는 광이 더 저감되어진다.

Description

광 흡수체 및 이것을 이용한 광학기기
본 발명은 기판상에 설치되고, 기판을 향하는 광을 차폐하면서 기판에서의 반사광을 저감하는 광 흡수체로써 광 디스크, 카메라, 비디오 무비, 현미경, 내시경, 덴탈스코우프, 각종 광 통신기기, 각종 화상 표시장치, 레이저 프린터등의 광학기기에 유용한 광 흡수체에 관한 것이고, 또한 이 광 흡수체를 이용한 각종 광학기기에 관한 것이다.
종래, 투명기판상에 차광을 위해 형성되는 막으로써는 예를들면 일본국 특개평 6-222354호 공보에 기재된 것이 알려져 있다. 도16은 이 차광막의 구성을 도시하는 단면도이다. 도16에 도시하는 바와같이, 이 차광막은 기판(613)의 주면상에 가시광영역에서 실질적으로 투명한 산화 크롬막(612)과 가시광 영역에서 실절적으로 불투명한 크롬막(161)을 이 순서로 적층 형성하고, 산화 크롬막(162)의 막두께를 50~75㎚으로 하여 각막(산화 크롬막(162), 크롬막(161))에서의 반사광이 간섭하도록 한 것으로, 이에따라 차광과 저광 반사화가 양립할 수 있도로고 되어 있다.
그런데, 일본국 특개평 6-222354호 공보에 기재되어 있는 차광막에 의하면, 저반사화에 대한 일정 효과는 얻어지지만, 잔존 반사율이 약 6.5% 존재한다. 이 정도의 광반사율은 광디스크용 광 픽 업, 비디오 무비용 색분해 프리즘, 이미지 센서, 렌즈등의 상기 각종 광학기기에 이용되는 광 디바이스로의 응용을 생각한 경우에 충분하지 않아, 보다 낮은 광반사율(이하, 단순히 「반사율」이라고 칭한다)을 가지는 광 흡수체가 요망된다.
본 발명은 이와같은 과제에 감안되어 이루어진 것으로써, 차광성을 가짐과 동시에, 종래에 비해 반사율을 저감시킨 광 흡수체 및 이 광 흡수체를 이용한 광학기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 광 흡수체의 구성의 예를 도시하는 단면도,
도 2는 실시예1에서 제작한 광 흡수체의 투과율의 파장 의존 특성을 도시하는 도면,
도 3은 실시예1에서 제작한 광 흡수체의 반사율의 파장 의존 특성을 도시하는 도면,
도 4는 실시예1에서 제작한 광 흡수체의 투과율의 입사각 의존 특성을 도시하는 도면,
도 5는 실시예1에서 제작한 광 흡수체의 반사율의 입사각 의존 특성을 도시하는 도면,
도 6은 본 발명의 광 흡수체의 구성의 별도의 예를 도시하는 단면도,
도 7은 실시예2에서 제작한 광 흡수체의 다층막측에서의 입사광에 대한 투과율의 파장 의존 특성을 도시하는 도면,
도 8은 실시예2에서 제작한 광 흡수체의 다층막측에서의 입사광에 대한 반사율의 파장 의존 특성을 도시하는 도면,
도 9는 실시예2에서 제작한 광 흡수체의 기판측에서의 입사광에 대한 투과율의 파장 의존 특성을 도시하는 도면,
도 10은 실시예2에서 제작한 광 흡수체의 기판측에서의 입사광에 대한 반사율의 파장 의존 특성을 도시하는 도면,
도 11은 본 발명의 광 흡수체를 구비한 광 디스크장치의 예의 개요를 도시하는 도면,
도 12는 본 발명의 광 흡수체를 구비한 CCD의 예의 개요를 도시하는 단면도,
도 13은 본 발명의 광 흡수체를 구비한 CCD의 별도의 예의 개요를 도시하는 단면도,
도 14는 본 발명의 광 흡수체를 구비한 CCD의 다른 별도의 예의 개요를 도시하는 단면도,
도 15는 본 발명의 광 흡수체를 구비한 칼라 필터가 붙은 기판의 예의 단면도,
도 16은 종래의 광 흡수체의 구성의 예를 도시하는 단면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
11 , 61 : 기판12, 65 : 차광막
14, 63, 67 : 광흡수막13, 15, 62, 64, 66, 68 : 투명막
111 : 반도체 레이저112 : 광 빔 스프리터(splitter)
113 : 반사소자114 : 렌즈
115 : 광디스크116 : 광 검출기
117, 118, 125 : 광 흡수체121 : 포트 디텍터
122 : 폴리실리콘123 : 금속막
124 : SiN막126 : 화상 정보광
161 : 크롬막162 : 산화 크롬막
163 : 기판
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 광 흡수체는, 입사광을 차폐하기 위한 차광층과, 이 차광층보다도 상기 입사광의 입사측에 형성된 광 흡수층과, 이 광 흡수층과 상기 차광층과의 사이에 형성된 투명층을 포함하는 다층막을 기판상에 형성한 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 차광층에 의한 반사광은 광 흡수층에 의해 흡수되어 감쇠되게 되어, 차광성을 가지고, 반사율이 저감된 광 흡수체로 할 수 있다.
본 발명의 광 흡수체에 있어서는, 상기 광 흡수층이 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 광 흡수층 자체에 의한 반사를 억제하면서 차광층으로 부터의 반사광을 효과적으로 흡수할 수 있기 때문이다.
일반적으로 굴절율 n0의 매체에서 굴절율 n1, 흡수계수k1의 흡수매체에 광이 입사할 경우의 반사R는 하기식에 의해 주어진다.
R = ((n0-n1)×(n0-n1)+k1×k1) / ( (n0+n1)×(n0+n1)+k1×k1)
이 식에 의하면, 반사를 작게 하기 위해서는 예를 들면 흡수계수k1는 작은 쪽이 바람직하지만, 본 발명의 광 흡수체에 있어서는 막 구성재로의 흡수성도 이용하여 무반사효과를 발현시키기 때문에, 흡수계수k1를 너무 작게 하는 것은 바람직하지 않다. 굴절율n1에 대해서도 마찬가지로 너무 크거나 너무 작아도 바람직하지 않다. 본 발명자는 상기 광 흡수층을 구성하는 물질에 바람직한 굴절율n, 흡수계수k를 다양하게 실험함으로써 검토한 결과, 굴절율n과, 흡수계수k와의 곱(이하 단순히 「nk치」라고도 칭한다.)이 2이상인 것이 바람직한 것을 발견했다.
예를 들면 n = 0.12(파장 0.56㎛), k = 3.45인 Ag(nk치 = 0.4)에 의해 상기 광 흡수층을 구성하면, 흡수효과는 크지만 굴절율이 낮고 반사가 너무 높아져 바람직한 결과를 얻을 수 없었다. 또한, n = 4.04, k = 0.03의 결정 Si(nk치 = 0.12)에 의해 상기 광 흡수층을 구성하면, 반사율은 저하하지만, 흡수효과가 너무 작아져 바람직한 결과를 얻을 없었다. 그러나, n = 0.826, k = 2.6의 결정 Cu(nk치 = 2.1)에 의해 상기 광 흡수층을 구성하면, 반사율이 5%이하까지 저감한 광 흡수체를 구성하는 것이 가능했다.
nk치가 2이상이 되는 재료로써는 구체적으로 Cu, Cr, Mo, Fe, Ni, 무정형 Si, SiC, Ge, WSi2, Ti, TiN, Ta, TiW, Co, SiGe, TiSi2, CrSi2, MoSi2, FeSi2, CoSi2, NiSi2, CrN 및 Mo2N등을 들 수 있다. 따라서, 상기 광 흡수층은 상기에 예시한 물질에서 선택되는 적어도 1개의 물질로 구성되는 것이 바람직하다. nk치는 더 높은 것이 바람직하다. 구체적으로 nk치는 5이상인 것이 바람직하고, 이와 같은 재료로써는 Cr 및 Ni를 들 수 있다. Ni(n = 1.8, k = 3.33, nk치 = 6)을 상기 광 흡수층에 이용함으로써, 반사율이 3%이하의 광 흡수체로 할 수 있고, Cr(n = 3.18(파장 0.56㎛), k = 4.41, nk치 = 14)를 제2의 광 흡수체로써 이용한 경우에 이르러서는 반사율이 1%이하의 광 흡수체로 하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 광 흡수체에 있어서는, 상기 광 흡수층의 두께가 3㎚~20㎚인 것이 바람직하다. 3㎚이상으로 함으로써, 차광층에서의 반사광의 흡수를 확보할 수 있다. 이러한 관점에서는 두께를 4㎚이상으로 하는 것이 더 바람직하다. 한편, 20㎚이하로 함으로써, 광 흡수층 자체의 반사광이 강해지는 것을 방지할 수 있다. 이러한 관점에서는 두께를 10㎚이하로 하는 것이 더 바람직하다. 이와 같이, 광 흡수층은 차광층에서의 반사광을 흡수하는데 충분할 정도로 두껍고, 또한 광 흡수층 자체에서의 반사를 실질적으로는 방지할 수 있을 정도로 얇은 것이 바람직하다.
또한, 상기 광 흡수체에 있어서는 상기 투명층의 굴절율이 2.0이하의 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 투명층은 예를 들면 Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2등으로 구성되어도 되지만, 광 흡수체의 반사를 저감시키기 위해서는 굴절율이 1.5이하인 것이 더욱 바람직하고, 이러한 관점에서는 SiO2및 MgF2에서 선택되는 적어도 1개의 물질에 의해 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 투명층은 두께가 68㎚~147㎚인 것이 바람직하다. 이와 같이, 투명층을 적절하게 선택함으로써 적층체안에서의 광의 간섭을 이용하여 반사율을 더욱 저감시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 광 흡수체에 있어서는 상기 다층막을 투과하는 투과광과 상기 다층막안의 각층 경계면에서의 반사광이 관여하는 광 간섭효과에 의해, 상기 입사광의 반사를 더욱 감쇠시키는 것이 바람직하다.
또한, 상기 차광층은 실질적으로 입사광을 차폐하는 층인 것이 바람직하고, 구체적으로는 Cu, Cr, Mo, Fe, Ni, 무정형 Si, SiC, Ge, WSi, Ti, TiN, Ta, TiW, Co, SiGe, TiSi2, CrSi2, MoSi2, FeSi2, CoSi2, NiSi2, CrN 및 Mo2N에서 선택되는 적어도 1개의 물질로 구성되는 것이 바람직하다. 또한, 차광층의 두께는 40㎚~200㎚인 것이 바람직하다. 40㎚이상으로 함으로써 차광성을 충분히 확보할 수 있고, 200㎚이하로 함으로써 광 흡수체 전체의 두께의 불필요한 증대에 의한 제조의 비효율화를 방지할 수 있기 때문이다.
또한, 상기 광 흡수체에 있어서는 상기 다층막이 상기 입사측의 최외층에도 투명층을 포함하는 것이 바람직하다. 반사율의 저감에 효과가 있기 때문이다. 이 투명층도 상술의 투명층에 바람직하게 이용할 수 있는 물질에 의해 구성하고, 상술의 투명층에 바람직한 두께로 하는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 광 흡수체는 입사광의 반사율을 가시광 반사율에 의해 표시하고, 5%이하, 더욱 바람직하게는 3%이하, 가장 바람직하게는 1%이하로까지 저감시킬 수 있다. 이 저감된 가시광 반사율을 얻기위해서는, 차광층의 광 입사측에 투명층과 광 흡수층을 배치해 둘 필요가 있다. 차광층의 양측에 투명층과 광 흡수층을 배치하면 광 흡수체의 양측에서 입사하는 광선에 대해 반사율을 저감시키는 것이 가능해진다. 또한, 가시광 투과율에 대해서도 주로 차광층에 의한 차폐에 의해 실질적으로 투명한 기판을 이용해도 1%이하, 더욱 실질적으로 0%로 할 수도 있다. 본 발명의 광 흡수체는 광학기기에 있어서의 불필요한 광을 저감시키는데 충분히 낮은 반사율 및 투과율을 가질 수 있다. 또한, 본 발명의 광 흡수체는 가시광역에 한정되지 않고 다른 영역에 있어서도 사용할 수 있고, 예를들면 파장 0.7㎛~12㎛의 적외영역에 있어서도 유용하다.
본 발명의 광 흡수체의 별도의 구성은 투명층과 광 흡수층을 번갈아 각 2층이상 적층하고, 상기 광 흡수층에 의해 입사광을 실질적으로 차폐함과 동시에, 상기 광 흡수층에 의한 입사광의 반사를, 이 광 흡수층보다도 상기 입사광의 입사측에 있는 광 흡수층에 의한 흡수에 의해 저감시키고, 상기 입사측에 가장 가까운 광 흡수층을, 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상인 물질에 의해 구성한 두께 3~20㎚의 층으로 하는 다층막을 기판상에 형성한 것이다. 이와 같은 구성에 의해서도 차광성을 가지고 반사율이 저감된 광 흡수체로 할 수 있다.
본 발명의 광 흡수체의 다른 별도의 구성은 입사광을 차폐하기 위한 차광층과, 이 차광층보다도 상기 입사광의 입사측에 배치된 투명층과 광 흡수층을 이 순서로(2n+1)층 (n은 1이상의 정수; 바람직하게는 n은 1~5의 정수; 더욱 바람직하게는 n=1 또는 2)만큼 적층한 적층막을 포함하고, 상기 차광층에 의한 입사광의 반사를 상기 광 흡수층에서의 흡수와 상기 적층막안에 있어서의 광간섭효과에 의해 감쇠시킴으로써 상기 입사광의 반사율을 감쇠시키게 한다. 이와같은 구성에 의해서도 차광성을 가지고, 반사율이 저감된 광 흡수체로 할 수 있다.
이들 별도의 구성에 있어서도, 상기에 설명한 예에 의해, 더욱 바람직한 광 흡수체로 할 수 있다.
본 발명의 광학기기는 이상에 설명한 광 흡수체를 구비한 것으로써, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 광 디스크, 카메라, 비디오 무비, 현미경, 내시경, 덴탈스코우프, 각종 광 통신 기기, 각종 화상 표시 장치, 레이저 프린트 등이다. 이들 장치에 구비되는 광 디스크용 광 픽 업, 비디오 무비용 색분해 프리즘, CCD, 이미지 센서, 각종 렌즈, 각종 광 통신 디바이스, 칼라 필터등의 광 디바이스의 성능향상에 본 발명의 광 흡수체는 유용하다. 즉, 상기 광학기기에 있어서는 광이 투과 또는 반사하는 광부품을 구비하고, 이 광 부품에 도달하는 불필요한 광을 상기 광 흡수체에 의해 저감하는 것이 바람직하고, 또한, 상기 광 흡수체와 상기 광 부품이 기판을 동일하게 하는 콤팩트한 구성으로 하는 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 광 흡수체의 양태로써는 예를 들면, 기판상에 차광층을 형성하고, 이 차광층상에 투명층과 광 흡수층과의 적층막을 형성한 양태를 들 수 있다. 또한, 별도의 양태로써는 기판상에 투명층과 광 흡수층과의 적층막을 형성하고, 이 적층막상에 차광층을 형성하여 이 차광층상에 투명층과 광 흡수층체와의 적층막을 형성한 양태를 들 수 있다. 후자는 양태는 기판측에서 기판을 투과하여 막안으로 입사하는 광에 대해서도 저반사효과를 얻을 수 있도록 한 것이다. 이하에 본 발명의 광 흡수체의 실시양태의 예를 도면을 참조하면서 설명한다.
제1 실시형태
본 발명의 광 흡수체의 구성예를, 도1을 참조하면서 설명한다. 이 광 흡수체는 기판(11)상에 실질적으로 입사광을 차폐하는 제1 광 흡수층(차광층)(12), 두께가 68㎚~147㎚의 투명층(13), 두께가 3~20㎚이고 굴절율과 흡수계와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 제2 광 흡수층(부분 흡광층)(14) 및 두께가 68㎚~147㎚의 투명층(15)을, 이 순서로 형성한 구성을 가진다. 차광층(12)은 바람직하게는 두께 40㎚~200㎚의 Cr등으로 이루어지는 층이다. 투명층(13), (15)은 바람직하게는 굴절율이 2.0이하, 더욱 바람직하게는 굴절율이 1.5이하의 층이고, 구체적으로 SiO2및 MgF2에서 선택되는 적어도 1개의 물질로 이루어지는 층인것이 바람직하다. 부분 흡수층(14)은 상술한 바와 같이 가장 바람직하게는 Cr로 이루어지는 층이다.
바람직한 구성은 굴절율이 다른 물질간에 있어서의 광의 거동(반사, 굴절, 흡수)에 의거한 계산과 실험의 결과에 의해 얻어진 것이다. 이 구성예에 있어서 차광층(12)의 두께가 40㎚보다 작을 경우에는 차광층(12)의 외측에서 기판으로 입사하려하는 광을 차단하는 효과가 저하하여 광 흡수체 전체의 차광성이 저하하는 경향을 나타낸다. 또한, 부분흡광층(14)의 두께가 20㎚보다 클 경우에는 그 자체의 표면에서 반사하는 광의 반사율이 증대하여 광 흡수체 전체의 반사율이 증대한다. 한편, 이 층의 두께가 3㎚보다 작을 경우에는 차광층(12)에서의 반사광을 충분히 흡수할 수 없게 되어 광 흡수체 전체의 반사율이 증대하는 경향을 나타내게 된다. 또한, 투명층(13), (15)의 두께가 68㎚~147㎚의 범위에서 벗어나 작게 또는 크게되면, 각층 경게면에서 반사하는 다중 반사광의 위상의 고르지 못한 정도가 커져, 적층 구조막안에서의 광의 다중간섭에 의한 반사율 저감효과가 감소하고, 광 흡수체 전체의 반사율이 증대하는 경향을 나타내게 된다.
제2 실시형태
본 발명의 광 흡수체의 구성의 별도의 예를, 도6을 참조하면서 설명한다. 이 광 흡수체는 기판(61)상에, 두께가 68㎚~147㎚의 투명층(62), 두께가 3~20㎚이고 굴절율과 흡수계와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 제1 광 흡수층(부분 흡광층)(63), 두께가 68㎚~147㎚의 투명층(64), 실질적으로 입사광을 차폐하는 제2 광 흡수체(차광층)(65), 두께가 68㎚~147㎚의 투명층(66), 두께가 3~20㎚이고 굴절율과 흡수계와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 제3 광 흡수층(부분 흡광층)(67) 및 두께가 68㎚~147㎚의 투명층(68)을, 이 순서로 형성한 구성을 가진다. 이 구성예에 있어서도, 차광층(65)은 바람직하게는 두께 40㎚~200㎚의 Cr등으로 이루어지는 층이다. 투명층(62), (64), (66), (68)은 바람직하게는 굴절율이 2.0이하, 더욱 바람직하게는 굴절율이 1.5이하의 층이고, 구체적으로는 SiO2및 MgF2에서 선택되는 적어도 1개의 물질로 이루어지는 층인것이 바람직하다. 부분 흡광층(63), (67)은 가장 바람직하게는 Cr로 이루어지는 층이다. 이 구성에 있어서의 각층의 작용이나 두께 한정의 이유는 상술한 구성예와 마찬가지인데, 이 구성예에 있어서는 투명기판(61)과 차광층(65)과의 사이에 형성된 투명층(62)/ 부분 흡광층(63)/ 투명층(64)으로 이루어지는 적층막에 의해 투명기판(61)측에서는 입사광에 대해서도 충분한 차광성과 작은 반사율이 나타나게 된다.
또한, 상기 실시형태에 도시한 상기 광 흡수체에 있어서는 각 투명막의 두께가 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 이 바람직한 예에 의하면, 다수의 실질적으로 투명한 막을 상호 동일 성막조건에 의해 성막할 수 있으므로, 제조시의 공정관리가 용이해진다.
또한, 상술한 어느 구성에 의한 광 흡수체에 있어서도, 최상층(최외측층)으로써 반사방지막을 더 부가해도 상관없다. 반사방지막으로써는 종래부터 공지된 것을 사용하는 것이 가능한데, Al2O3막, TiO2막, MgF2막 및 SiO2막에서 선택되는 어느 막 또는 2이상의 막으로 이루어지는 적층막이 바람직하다.
또한, 상기 광 흡수체를 구성하는 각층은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를들면 각종 증착법, CVD법, 스팩터링법등의 종래부터 공지된 성막방법에 의해 제작할 수 있다. 또한, 상기 기판으로써도, 특별히 한정되지 않고, 각종 유리, 세라믹, 금속, 플라스틱등으로 이루어지는 기판을 이용할 수 있다.
제3 실시형태
도11은 본 발명의 광 흡수체를 이용한 광 디스크장치의 개략을 도시하는 도면이다. 반도체 레이저(111)에서 출사한 광은 빔 스프리터(112)를 통과하고, 반사소자(113)로 반사되며, 렌즈(114)를 통과하여 광 디스크 기판(115)상에 집광한다. 집광한 광은 반사하여 다시 렌즈(114), 반사소자(113)를 통하여 빔 스프리터(112)에 도달하고, 광 검출기(116)로 인도되어 신호가 검출된다.
그러나, 반도체 레이저(111)에서 출사한 광은 도11에도 도시되는 바와 같이 발산하면서 출사하기 때문에, 광의 일부는 빔 스프리터(112)의 표면에서 반사하여 광 검출기에 도달하여 신호검출에 커다란 영향을 미친다.
또한, 반사소자(113)에 도달한 광의 일부는 표면을 통과하고, 이면에 도달하여 일부 반사하는데, 반사한 광은 표면을 통과하여 최종적으로 광 검출기에 도달한다. 이것도 상기와 같은 광 검출기(116)로 검출하는 신호의 S/N을 나쁘게하는 원인이 되고, 이와 같은 노이즈광은 제로가 요구된다.
노이즈광은 없애기 위해서는 반사방지막을 빔 스프리터(112)의 표면이나 반사소자(113)의 이면에 코트하여 반사광을 억제하는 방법이 생각되어지는데, 종래의 반사방지막에는 반사광은 억제되지만, 잔존하는 반사광이 광 디스크장치내에 존재하는 그 이외의 광학소자나 그 이외의 기계부품에 조사되어 미광(迷光)등이 되어 다시 광 검출기에서 노이즈로써 검출되어 버린다.
본 발명의 광 흡수체를 빔 스프리터(112)상의 피막(117)이나 반사소자상의 피막(118)으로써 설치함으로써, 미광이 억제된 매우 유용한 광 디스크 장치를 실현할 수 있다.
제4 실시형태
도12에 본 발명의 광 흡수체를 구비한 CCD의 개략도를 도시한다.
121이 화상정보광(126)의 광량을 검출하는 포토 디텍터, 122가 검출한 신호를 전송하기 위한 폴리실리콘, 123이 폴리실리콘에 화상정보광(126)이 조사되지 않도록 광을 차단하기 위한 금속막, 124가 포토 디텍터등을 보호하기 위한 SiN으로 이루어지는 보호막, 125가 광 흡수체이다.
광 흡수체(125)가 없는 경우 화상정보광(126)의 대부분은 포토디텍터(121)에 도달하지만, 일부는 금속막(123)에 도달한다. 일반적으로 금속막(123)은 알루미늄등의 고반사율 물질로 실현되기 때문에, 금속막(123)에 도달한 광의 대부분은 반사한다. 반사한 광은 미광이 되어 그 일부는 다른 화소의 포토 디텍터등에 도달한다. 이 노이즈광은 화상에 문제가 될 수 있는 만큼 적게하는 것이 요구되어진다.
그래서, 보호막(124)상에 본 발명의 광 흡수체(125)를 구비한 CCD의 구조로 한다. 보호막상에 형성하므로, 기존의 프로세스를 그대로 유용할 수 있는 제조상의 메리트도 발생한다. 이와 같은 구성으로 하면, 광 흡수체에 의해 반사광량이 현저하게 저감할 수 있기 때문에, 노이즈광이 적은 고품위의 CCD를 실현할 수 있다.
또한, 도13에 도시하는 바와 같이, 광 흡수체(125)를 형성하는 대신에, 도12의 금속막(123)을 본 발명의 광 흡수체에 치환해도 된다. 즉 금속막(123)을 차광층(131), 투명층(132), 광 흡수층(133) 및 투명층(134)을 이루어지는 적층막으로 치환된다. 이와 같은 구조를 이용함으로써, 폴리실리콘에의 차광성을 만족함과 동시에 입사한 광을 거의 흡수하고, 반사광을 거의 발생하지 않는 본 발명의 광 흡수체의 특징이 활용된다. 이 실시양태에 있어서는, 133은 재로로써는 Mo, Ti, Ta등의 실리사이드 또는 질화물 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이들 물질은 예를 들면 스팩터링법에 의해 형성된다. 또한, 132, 134의 투명층은 상술한 투명층에 바람직한 물질 이외, 예를 들면 SiON, SiN을 이용하는 것도 바람직하다. 이들 물질은 예를 들면 CVD법으로 형성된다.
또한, 도14에 도시한 바와 같이, 도12의 금속막(123)을 제2 실시형태와 같은 막 구조(투명층(140), 광 흡수층(141), 투명층(412), 차광층(143), 투명층(144), 광 흡수층(145), 투명층(146))으로 해도 광 흡수체의 상하 양방향에서 입사하는 광을 흡수하여 불필요한 반사광을 억제하는 효과가 발생한다. 도13의 구조에 비해 투명층(140)이 전달된 광 흡수체의 하측방향에서 입사하는 광도 본 구조에서는 흡수할 수 있기 때문에, 더욱 성능을 향상시킬 수 있다.
제5 실시형태
도15에 본 발명의 광 흡수체를 구비한 예를 들면 액정표시장치등의 표시장치에 응용될 수 있는 컬러 필터가 붙은 기판의 단면도를 도시한다. 이것은 액정 셀에서 나온 광에 컬러 필터의 흡수성을 이용하여 컬러화를 행하는 소자인데, 액정 셀에서 출사한 광중, 컬러 필터를 통하지 않는 여분의 광을 컷트하거나, 또 조명광등의 외부광이 반사하여 콘트라스트가 저하하지 않도록 컬러 필터의 경계부분에 이용하는 것이다.
도15에 있어서, 151이 기판, 152~154가 적색, 녹색, 청색의 컬러 필터, 155가 보호막, 156이 액정 구동 전극용의 투명 도전막, 157이 광 흡수체이다.
본 발명의 광 흡수체(157)는 기판(151)상에 형성했는데, 컬러 필터(152), (153), (154)상이어도 상관없다.
본 발명의 광 흡수체를 이용함으로써, 액정 셀에서의 광을 차단할 수 있음과 동시에, 예를 들면 방의 조명광이 광 흡수체에서 반사하여 표시장치의 감각자의 눈에 들어가는 것을 막기 때문에 유용하다. 본 발명의 광 흡수체는 액정표시장치에 한정되지 않고, 화상 표시장치 전반에 유용하다.
실시예 1
도1과 같은 단면구성을 가지는 광 흡수체를 제작했다. 본 실시예에서는 기판(11)으로써 광학 유리인 BSC(HOYA (주)제 ; 상품명)을 차광층(12) 및 광 흡수층(14)로써 크롬막, 투명층(13), (15)으로써 이산화 규소막을 사용했다. 표1에 이 광 흡수체를 구성하는 각 층의 물질과 막두께(광학적 막 두께)를 실제로 적층순으로 도시한다. 또한, 크롬막 및 이산화규소막은 모두 EB(Electron Beam)증착법을 이용하여 성막했다.
제1층의 크롬막(12)은 주로 기판 상방의 외부공간에서 기판으로 입사하려는 광을 차단하는 기능을 가지는 막이고, 두께를 40㎚으로 함으로써, 외부공간에서 기판으로 입사하려는 광을 실질적으로 거의 차폐한다(기판에 도달하는 광을 실질적으로 0으로 한다). 또한, 제3층의 크롬막(14)은 주로 제1층의 크롬막(12)에서 반사한 반사광이 차광막의 외부로 나가는 것을 억제하는 기능을 가지는 막이고, 두께를 5㎚으로 함으로써, 그 자체는 광을 그다지 반사하지 않고 막안으로의 흡수가 커지도록 하고, 제1막의 크롬막의 표면에서 반사된 광이 이에 효과적으로 흡수되도록 한다. 그리고, 크롬막사이의 층(13) 및 최외측층(15)으로써 실질적으로 투명한 두께 113㎚의 아산화규소막을 설치함으로써, 각층을 투과하는 투과광과 인접하는 층 경계면에 있어서의 반사광이 다중 간섭하여 막 전체에서의 반사광이 충분히 저감되도록 한다. 또한 2층의 이산화규소를 동일 막두께로 한 것은 광 흡수체의 제조공정에 있어서, 이산화규소막의 성막조건을 동일하게 하여 광 흡수체의 제조시에 공정관리등을 용이하게 하기 위함이다.
도2 및 도3은 이 광 흡수체의 각각 광선 투과율의 파장특성과 반사율의 파장특성을 도시한 도면이다. 또한, 이들 특성은 도1에 있어서의 최외층인 투명층(15)의 상방에서 이 투명층(15)표면에 입사각도가 0°로 입사하는 광에 대해 측정된 것이다.
도2 및 도3에 의해 본 실시예에서 제작한 광 흡수체는 투과율 및 반사율(가시광 투과율 및 가시광 반사율)이 모두 1%이하이고, 종래 알려진 광 흡수체에 비해 매우 양호한 광학특성을 도시하는 것을 알 수 있다.
도4 및 도5는 이 광 흡수체의 광의 입사각도에 대한 투과율 특성과 반사율 특성을 각각 도시한 것이다(가시광 투과율 및 가시광 반사율). 이들 도면에서 이러한 광 흡수체는 특정의 입사각도로 입사하는 광에 대해서만 양호한 광학특성을 나타낼뿐만 아니라 다양한 입사각도로 입사하는 광에 대해서도 양호한 광학특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 이 광 흡수체는 도5에 도시한 바와 같이, 0°~60°라는 광범위의 입사각의 범위에 대해 반사율이 약5%이하로 되어 있다. 이와 같은 성질은 각종 광 디바이스에 있어서의 광 흡수체로써 사용하는데 있어 매우 유용한 특징이다.
제1층의 크롬막(12)의 막 두께를 다른층의 두께를 상기와 같은 두께로 고정한 상태이고, 40㎚이상으로 해도 같은 결과를 얻을 수 있었다. 한편, 제1층의 크롬막(12)의 두께를 40㎚보다 작게하면 광 흡수체 전체에 있어서의 광의 투과율이 상승하는 경향을 나타냈다. 이로부터 제1층의 크롬막(12)의 막 두께는 40㎚이상이 바람직하고, 광 흡수체 전체의 두께 및 제조 코스트등을 고려하면, 제1층의 크롬막(12)의 막 두께는 40~200㎚가 더욱 바람직한 것이 확인되었다.
제3층의 크롬막(14)의 막 두께를 다른층의 두께를 상기와 같은 두께로 고정한 상태에서 4~10㎚의 범위로 해도 같은 효과를 얻을 수 있었다. 한편, 제3층의 크롬막(14)의 두께를 10㎚보다 크게 하면, 이에 따른 광 흡수체에 입사하는 광에 대한 반사율이 상승하여 광 흡수체 전체에 있어서의 반사율이 증대하는 경향을 나타내고, 4㎚보다 작게하면 제1층의 크롬막(12)에서의 반사광을 흡수하는 효과가 저하하여 광 흡수체 전체에 있어서의 광의 반사율이 증대하는 경향을 나타냈다. 이로부터 제3층의 크롬막(14)의 막 두께는 4~10㎚으로 하는 것이 바람직하다는 것이 확인되었다.
또한, 제2층의 이산화규소막(13) 및 제4층의 이산화규소막(15)의 두께를, 다른층의 두께를 상기와 같은 두께로 고정하여 이들 제2층의 이산화규소막(13) 및 제4층의 이산화규소막(15)의 두께를 68~147㎚의 범위내로 변경해도 같은 결과를 얻을 수 있었다. 한편, 이들 이산화규소막(13), (15)의 두께를 147㎚보다 크게한 경우, 또는 68㎚보다 작게한 경우는 모두 반사율이 커지는 결과가 되었다. 이로부터 제2층의 이산화규소막(13) 및 제4층의 이산화규소막(15)의 두께를 68~147㎚의 범위로 하는 것이 바람직하다는 것이 확인되었다.
또한, 이산화규소막(13), (15)을 불화 마그네슘막으로 변경하고, 그 막 두께를 68~147㎚의 범위내에서 변경한 바, 상기와 같은 바람직한 결과를 얻을 수 있었다. 또한, 불화 마그네슘막 이외에 알루미나등의 다른 투명 유전체 물질로 이루어지는 막에 대해서도 검토한 바, 그 결과의 정도는 이산화규소막이나 불화마그네슘을 이용한 광 흡수체의 경우보다 작지만, 상술한 종래의 광 흡수체보다 양호한 광학특성을 얻을 수 있었다.
실시예 2
도6과 같은 단면구성을 가지는 광 흡수체를 제작했다. 본 실시예에서는 실시예1과 같고, 기판(61)으로써 광학 유리인 BSC7(HOYA (주)製, 상품명)를 차광막(65) 및 광흡수막(62), (67)으로 하여 크롬막을, 투명막(62), (64), (66), (68)으로써 이산화규소막을 사용하고, 크롬막 및 이산화규소막은 모두 EB 증착법을 이용하여 성막했다.
실시예1에 의한 광 흡수체는 도1에 있어서의 기판상방의 공간에서 기판으로 입사하려는 광, 즉 기판의 광 흡수체를 설치한 측의 공간에서 기판으로 입사하려는 광을 차광하고, 또한, 광 흡수체에 의한 광의 반사율을 저감화하는 광 흡수체인데, 실시예2에 의한 광 흡수체는 또한 기판하방의 공간에서 기판으로 입사하려는 광, 즉 기판의 광 흡수체를 설치하지 않은 측의 공간에서 기판을 투과하여 광 흡수체로 입사하는 광을 차광하고, 기판의 하방으로 반사하는 광의 반사율을 저감화하는 광 흡수체이다. 각층의 막 두께(광학 막 두께)를 표2에 도시한다.
이 광 흡수체에서는 제4층의 크롬막(65), 제5층의 이산화규소막(66), 제6층의 크롬막(67) 및 제7층의 이산화규소막(68)으로 이루어지는 적층막이 실시예1의 적층막과 실질적으로 동일의 적층구성을 가지고, 이 적층막에 의해 기판(61)의 상방에서 기판으로 입사하려는 광이 차광되고, 또한, 광 흡수체의 의한 기판(61)의 상방으로의 광의 반사율이 저감된다. 또한, 제4층의 크롬막(65), 제3층의 이산화규소막(64), 제2층의 크롬막(63) 및 제1층의 이산화규소막(62)으로 이루어지는 제4층보다 아래의 적층막도 실시예1의 적층막과 실질적으로 동일의 적층구성을 가지고, 이 적층막에 의해 기판(61)의 하방에서 입사하는 광이 차광되고, 또한 광 흡수체에 의한 기판(61)의 하방으로의 광의 반사율이 저감된다.
도7, 도8은 이 광 흡수체의 기판의 상방에서 기판으로 입사하는 광에 대한 투과율의 파장특성과 반사율의 파장특성을 도시한 도면이다. 또한, 이들 특성은 도6에서의 제8층의 이산화규소막(68)표면에 입사각도가 0°로 입사하는 광에 대해 측정된 것이다. 이들 도면에서 이러한 광 흡수체는 기판의 상방에서의 광에 대한 그 투과율 및 반사율이 모두 1%이하라는 매우 양호한 광학특성을 나타내는 것을 알 수 있다. 또한, 도9, 도10은 이 광 흡수체의 기판의 하방에서 기판으로 입사하는 광에 대한 투과율의 파장특성과 반사율의 파장특성을 도시한 도면이다.
또한, 이들 특성은 기판(61)표면에 입사각도 0°로 입사하는 광에 대해 측정된 것이다. 이들 도면에서 이러한 광 흡수체는 기판의 하방에서의 광에 대해서도 그 투과율 및 반사율이 충분히 작은 양호한 광학특성을 나타내는 것을 알 수 있다.
또한, 본 실시예에 의한 광 흡수체에 대해서도 실시예1의 의한 광 흡수체와 마찬가지로 각층의 두께를 변경하여 그 광학특성을 조사했는데, 실시예1에 의한 광 흡수체의 그것과 같은 결과가 얻어졌다. 즉, 어느 이산화규소막(62), (64), (66), (68)에 대해서도 바람직한 두께는 68~147㎚이고, 제4층의 크롬막(65)의 바람직한 두께는 40~200㎚이며, 제2층 및 제6층의 크롬막(63), (67)의 바람직한 이산화규소막을 불화 마그네슘막으로 치환해도 양호한 결과가 얻어지고, 알루미나등의 다른 투명 유전체 물질로 이루어지는 막으로 치환한 경우는 그 효과의 정도는 이산화규소막나 불화 마그네슘막을 이용한 광 흡수체의 경우보다 작은데, 상기한 종래의 광 흡수체보다 양호한 광학특성이 얻어졌다.
또한, 상기 실시예에서는 4층 구성의 광 흡수체와 7층 구성의 광 흡수체에 대해 설명했는데, 본 발명의 기술사상을 일탈하지 않는 범위에서 다른 층수의 광 흡수체를 구성할 수 있는 것은 말할 것도 없다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 입사광을 차폐하기 위한 차광층과, 이 차광층보다 상기 입사광의 입사측에 형성된 광 흡수층과, 이 광 흡수층과 상기 차광층과의 사이에 형성된 투명층을 포함하는 다층막을 기판상에 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체로 함으로써, 차광성을 가지고, 반사율이 저감된 광 흡수체로 할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 투명층과 광 흡수층을 번갈아 각 2층 이상 적층하고, 상기 광 흡수층에 의해 입사광을 실질적으로 차폐함과 동시에, 상기 광 흡수층에 의한 입사광의 반사를, 이 광 흡수층보다도 상기 입사광의 입사측에 있는 광 흡수층에 의한 흡수에 의해 저감시키고, 또한, 상기 입사측에 가장 가까운 광 흡수층을, 굴절율과 흡수계수의 곱이 2이상인 물질에 의해 구성한 두께 3~20㎚의 층으로 하는 다층막을 기판상에 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체로 함으로써, 차광성을 가지고, 반사율이 저감된 광 흡수체로 할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 입사광을 차폐하기 위한 차광층과, 이 차광층보다도 상기 입사광의 입사측에 배치된 투명층과 광 흡수층을 이 순서로 (2n+1)층(n은 1이상의 정수)만큼 적층한 적층막을 포함하고, 상기 차광층에 의한 입사광의 반사를 상기 광 흡수층에 있어서의 흡수와 상기 적층막안에서의 광 간섭효과에 의해 감쇠시킴으로서 상기 입사광의 반사율을 저감한 것을 특징으로 하는 광 흡수체로 하여, 차광성을 가지고, 반사율이 저감된 광 흡수체로 할 수 있다.
또한, 예를들면, 입사광과 반사광의 다중 간섭효과를 이용하는 본 발명의 광 흡수체의 바람직한 양태에 의하면 더욱 광학특성을 양호하게 하는 것이 가능해진다.
본 발명의 광 흡수체는 각종 광 디바이스의 광 흡수체로써 유효하게 이용할 수 있는 것으로써, 각종 광학기기의 성능향상에 유리하다. 본 발명의 광 흡수체는 기본적으로 넓은 범위의 입사각도로 입사하는 광에 대해서도 양호한 광학특성을 나타내므로, 각종 광 디바이스의 광 흡수체로써 광범위하고 유효하게 이용할 수 있다.

Claims (20)

  1. 입사광을 차폐하기 위한 차광층과, 이 차광층보다도 상기 입사광의 입사측에 형성된 광흡수층과, 이 광흡수층과 상기 차광층과의 사이에 형성된 투명층을 포함하는 다층막을 기판상에 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광흡수층의 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 광 흡수층이 Cu, Cr, Mo, Fe, Ni, 무정형 Si, SiC, Ge, WSi2, Ti, TiN, Ta, TiW, Co, SiGe, TiSi2, CrSi2, MoSi2, FeSi2, CoSi2, NiSi2, CrN 및 Mo2N에서 선택되는 적어도 1개의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광흡수층의 두께가 3㎚~20㎚인 것을 특징으로 하는 광흡수체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 투명층이 굴절율이 2.0이하의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  6. 제5항에 있어서, 상기 투명층이 SiO2및 MgF2에서 선택되는 적어도 1개의 물질에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 투명층의 두께가 68㎚~147㎚인 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 다층막을 투과하는 투과광과, 상기 다층막안의 각층 경계면에서의 반사광이 관여하는 광 간섭효과에 의해 상기 입사광의 반사를 더욱 감쇠시키는 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 차광층이 Cu, Cr, Mo, Fe, Ni, 무정형 Si, SiC, Ge, WSi, Ti, TiN, Ta, TiW, Co, SiGe, TiSi2, CrSi2, MoSi2, FeSi2, CoSi2, NiSi2, CrN 및 Mo2N에서 선택되는 적어도 1개의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 차광층의 두께가 40㎚이상인 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  11. 제1항에 있어서, 상기 다층막이 상기 입사측의 최외층에도 투명층을 구비한 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  12. 제1항에 있어서, 상기 입사광에 대한 반사율이 가시광역에 있어서 5%이하인 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  13. 제1항에 있어서, 상기 입사광에 대한 투과율이 가시광역에 있어서 1%이하인 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  14. 투명층과 광 흡수층을 번갈아 각 2층 이상 적층하고, 상기 광 흡수층에 의해 입사광을 실질적으로 차폐함과 동시에, 상기 광 흡수층에 의한 입사광의 반사를, 이 광 흡수층보다도 상기 입사광의 입사측에 있는 광 흡수층에 의한 흡수에 의해 저감시키고, 상기 입사측에 가장 가까운 광 흡수층을, 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상인 물질에 의해 구성한 두께 3~20㎚의 층으로 하는 다층막을 기판상에 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  15. 입사광을 차폐하기위한 차광층과, 이 차광층보다도 상기 입사광의 입사측에 배치된 투명층과 광 흡수층을 이 순서로 (2n+1)층만큼 적층한 적층막으로써, 상기 차광층에 의한 입사광의 반사를 상기 광 흡수층에서의 흡수와 상기 적층막안에 있어서의 광 간섭효과에 의해 감쇠시키는 적층막을 기판상에 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체. 다만 n은 1이상의 정수이다.
  16. 기판상에, 입사광을 차폐하기 위한 차광층, 두께가 68㎚~147㎚의 투명층, 두께가 3~20㎚이고 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 광 흡수층, 및 두께가 68㎚~147㎚의 투명층을 이 순서로 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  17. 투명 기판상에 두께가 68㎚~147㎚인 투명층, 두께가 3~20㎚이고 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상이 되는 물질에 의해 구성되는 광 흡수층, 두께가 68㎚~147㎚인 투명층, 입사광을 차폐하기 위한 차광층, 두께가 68㎚~147㎚인 투명층, 두께가 3~20㎚이고 굴절율과 흡수계수와의 곱이 2이상이 되는 물질로 구성되는 흡수층 및 두께가 68㎚~147㎚인 투명층을, 이 순서로 형성한 것을 특징으로 하는 광 흡수체.
  18. 제1항에 있어서 제17항 중 어느 한항에 있어서, 광 흡수체를 구비한 것을 특징으로 하는 광학기기.
  19. 제18항에 있어서, 광이 투과 또는 반사하는 광 부품을 구비하고, 이 광 부품에 도달하는 불필요한 광을 상기 광 흡수체에 의해 저감하는 것을 특징으로 하는 광학기기.
  20. 제19항에 있어서, 상기 광 흡수체와 상기 광 부품이 기판을 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 광학기기.
KR1019970049257A 1996-09-26 1997-09-26 광흡수체 및 이것을 이용한 광학기기 KR100275917B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25472796 1996-09-26
JP96-254727 1996-09-26

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980025055A true KR19980025055A (ko) 1998-07-06
KR100275917B1 KR100275917B1 (ko) 2001-02-01

Family

ID=17269020

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970049257A KR100275917B1 (ko) 1996-09-26 1997-09-26 광흡수체 및 이것을 이용한 광학기기

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6076932A (ko)
EP (1) EP0833172B1 (ko)
KR (1) KR100275917B1 (ko)
DE (1) DE69726374T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160059517A (ko) * 2014-11-18 2016-05-27 삼성디스플레이 주식회사 포토 마스크 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6452652B1 (en) * 1998-06-12 2002-09-17 National Semiconductor Corporation Light absorbing thin film stack in a light valve structure
TW442675B (en) * 2000-07-06 2001-06-23 Acer Comm & Amp Multimedia Inc Back light plate module
JP2002253500A (ja) * 2001-03-05 2002-09-10 Olympus Optical Co Ltd 内視鏡用光源装置
GB2383644A (en) * 2001-12-27 2003-07-02 Bookham Technology Plc Integrated optical device with non-crystalline light absorbent regions
US6741377B2 (en) * 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
KR100587368B1 (ko) * 2003-06-30 2006-06-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｓｌｓ 결정화 장치
US7226116B2 (en) 2004-11-24 2007-06-05 Fleetwood Enterprises, Inc. Recreational vehicle full wall slide-out
WO2007095172A2 (en) * 2006-02-14 2007-08-23 Massachusetts Institute Of Technology Light-absorbing structure and methods of making
US8081368B2 (en) 2007-03-29 2011-12-20 Bose Corporation Selective absorbing
US20080254256A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 Sumitomo Meta Mining Co., Ltd. Heat-resistant light-shading film and production method thereof, and diaphragm or light intensity adjusting device using the same
WO2009016656A1 (en) * 2007-07-27 2009-02-05 Galileo Avionica S.P.A. Thin-film multilayer treatment for bidirectional attenuation of stray light
US20100040849A1 (en) * 2008-08-16 2010-02-18 Southwell William H Absorbing anti-reflection coatings for lenses
EP2435867A1 (en) 2009-05-29 2012-04-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US8513587B2 (en) * 2011-01-24 2013-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor with anti-reflection layer and method of manufacturing the same
JP5687606B2 (ja) 2011-11-14 2015-03-18 トヨタ自動車株式会社 太陽光−熱変換部材、太陽光−熱変換装置、及び太陽熱発電装置
BE1020719A3 (fr) 2012-06-26 2014-04-01 Agc Glass Europe Panneau reflechissant.
CA2828687C (en) * 2013-10-01 2021-03-23 Iridian Spectral Technologies Ltd. Laser protective device with reflecting filter on non-absorbing and absorbing substrates
WO2016012325A1 (fr) 2014-07-25 2016-01-28 Agc Glass Europe Panneau de verre décoratif
JP6197833B2 (ja) * 2015-06-30 2017-09-20 株式会社豊田自動織機 太陽熱集熱管及び太陽熱発電装置
KR20210061045A (ko) * 2019-11-19 2021-05-27 삼성전자주식회사 광필터 및 이를 포함하는 분광기
CN113093317B (zh) * 2019-12-23 2023-04-18 株式会社Lms 近红外线吸收基板及包括其的光学装置
CN111479209B (zh) * 2020-03-16 2021-06-25 东莞市古川胶带有限公司 一种扬声器振膜复合材料
KR20220149614A (ko) * 2020-03-26 2022-11-08 토카이 옵티칼 주식회사 차광 부재
WO2021214567A1 (en) * 2020-04-21 2021-10-28 3M Innovative Properties Company Optical construction and optical system
US20230333289A1 (en) * 2020-09-18 2023-10-19 3M Innovative Properties Company Optical Construction and Optical System Including Light Absorbing Optical Cavity

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3698928A (en) * 1967-11-14 1972-10-17 Fairchild Camera Instr Co Multilayer antireflective absorption film
US3936579A (en) * 1970-02-25 1976-02-03 Nippon Kogaku K.K. Absorbent film produced by vacuum evaporation
CH595458A5 (ko) * 1975-03-07 1978-02-15 Balzers Patent Beteilig Ag
JPS5323277A (en) * 1976-08-14 1978-03-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photomasking material and photomask
GB2027925B (en) * 1978-08-03 1983-01-19 Marconi Co Ltd Optical filters
JPH02113202A (ja) * 1988-10-21 1990-04-25 Nippon Shinku Kogaku Kk 中性濃度フィルター
SG47839A1 (en) * 1990-07-05 1998-04-17 Asahi Glass Co Ltd A low emissivity film
US5179469A (en) * 1992-03-24 1993-01-12 Rockwell International Corporation Broad band light absorbing film
DE69320113T2 (de) * 1992-05-22 1999-03-11 Matsushita Electronics Corp Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH06222354A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 A G Technol Kk 表示装置用遮光膜
US5521759A (en) * 1993-06-07 1996-05-28 National Research Council Of Canada Optical filters for suppressing unwanted reflections
US5566011A (en) * 1994-12-08 1996-10-15 Luncent Technologies Inc. Antiflector black matrix having successively a chromium oxide layer, a molybdenum layer and a second chromium oxide layer
US5691044A (en) * 1994-12-13 1997-11-25 Asahi Glass Company, Ltd. Light absorptive antireflector

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160059517A (ko) * 2014-11-18 2016-05-27 삼성디스플레이 주식회사 포토 마스크 및 이의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0833172A2 (en) 1998-04-01
DE69726374D1 (de) 2004-01-08
US6076932A (en) 2000-06-20
KR100275917B1 (ko) 2001-02-01
DE69726374T2 (de) 2004-10-14
EP0833172A3 (en) 1999-09-08
EP0833172B1 (en) 2003-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100275917B1 (ko) 광흡수체 및 이것을 이용한 광학기기
KR101815823B1 (ko) 광학 필터 및 촬상 장치
KR101374755B1 (ko) 적외선 차단 필터
JP6222413B2 (ja) 光学フィルタおよび撮像装置
KR102061477B1 (ko) 근적외선 커트 필터
TWI574056B (zh) 紅外線截止濾光片及攝影裝置
JP6003895B2 (ja) 近赤外線カットフィルター
TWI575261B (zh) Optical filter
JP6119747B2 (ja) 近赤外線カットフィルタ
JP2021140177A (ja) 光学フィルタおよび撮像装置
WO2014103921A1 (ja) Ｉｒカットフィルターおよびそれを備えた撮像装置
TWI526767B (zh) Optical filter module and optical filter system
JP7215476B2 (ja) 光学フィルタ
JP2004354735A (ja) 光線カットフィルタ
JP3917261B2 (ja) 光吸収体およびこれを用いた光学機器
JP2003029027A (ja) 近赤外線カットフィルタ
JP2010032867A (ja) Ｉｒカットフィルタ
JP4981456B2 (ja) Ｎｄフィルタ
JP5287362B2 (ja) 光学フィルタおよび撮像システム
JP2004258494A (ja) Ｎｄフィルタ
JP6706700B2 (ja) 赤外線カットフィルタ、撮像装置および赤外線カットフィルタの製造方法
JP2007225735A (ja) Ｎｄフィルタ、該ｎｄフィルタによる光量絞り装置及び撮像装置
JP2006201697A (ja) 光吸収部材及びそれを有する光学素子
JP6895001B2 (ja) 赤外線カットフィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060908

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee