JPH06222354A - 表示装置用遮光膜 - Google Patents
表示装置用遮光膜Info
- Publication number
- JPH06222354A JPH06222354A JP50A JP3124893A JPH06222354A JP H06222354 A JPH06222354 A JP H06222354A JP 50 A JP50 A JP 50A JP 3124893 A JP3124893 A JP 3124893A JP H06222354 A JPH06222354 A JP H06222354A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- chromium
- chromium oxide
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】遮光性が高くかつ実用上十分に低い反射率を有
する遮光膜を提供する。 【構成】基板１側から可視光領域で実質的に透明な酸化
クロム膜２および可視光領域で実質的に不透明なクロム
膜３が形成されてなり、かつ酸化クロム膜２の膜厚を５
０ｎｍ〜７５ｎｍとして各膜からの反射光を干渉させる
ことにより低反射率化されてなる。
する遮光膜を提供する。 【構成】基板１側から可視光領域で実質的に透明な酸化
クロム膜２および可視光領域で実質的に不透明なクロム
膜３が形成されてなり、かつ酸化クロム膜２の膜厚を５
０ｎｍ〜７５ｎｍとして各膜からの反射光を干渉させる
ことにより低反射率化されてなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示装置用遮光膜、特に
カラー液晶表示（ＬＣＤ）用遮光膜に関するものであ
る。
カラー液晶表示（ＬＣＤ）用遮光膜に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】高いコントラスト比を得るために、ＬＣ
Ｄの画素枠として設けられる遮光膜として、遮光性の高
いメタル膜、特にクロム膜が従来利用されている。しか
し、クロム膜は遮光性は高いが、可視光反射率が約５０
％あり、さらに表示コントラスト比を高めるためにはこ
の反射を小さくする必要がある。
Ｄの画素枠として設けられる遮光膜として、遮光性の高
いメタル膜、特にクロム膜が従来利用されている。しか
し、クロム膜は遮光性は高いが、可視光反射率が約５０
％あり、さらに表示コントラスト比を高めるためにはこ
の反射を小さくする必要がある。
【０００３】このため、従来、反射率を低くする手段と
してクロム膜のかわりに酸化クロム膜を使用することが
提案されていた。
してクロム膜のかわりに酸化クロム膜を使用することが
提案されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、それらの提案
は、単に酸化クロムの低反射率性を利用し、酸化クロム
を光の吸収体として使用しただけであって、反射防止性
能は不十分であり、また酸化クロムが酸に侵されにくい
ためパターニングのための良好なエッチング性が得にく
いなどの問題があった。
は、単に酸化クロムの低反射率性を利用し、酸化クロム
を光の吸収体として使用しただけであって、反射防止性
能は不十分であり、また酸化クロムが酸に侵されにくい
ためパターニングのための良好なエッチング性が得にく
いなどの問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためのものであり、その手段として所定の膜厚を有
する酸化クロム膜と可視光領域で不透明なクロム膜の２
層構造から成る遮光膜を用いる。
するためのものであり、その手段として所定の膜厚を有
する酸化クロム膜と可視光領域で不透明なクロム膜の２
層構造から成る遮光膜を用いる。
【０００６】すなわち、可視光領域で実質的に透明な透
過型表示装置用基板の上に設けられた遮光膜であって、
該基板側から可視光領域で実質的に透明な酸化クロム膜
および可視光領域で実質的に不透明なクロム膜が形成さ
れてなり、かつ該酸化クロム膜の膜厚を５０ｎｍ〜７５
ｎｍとして各膜からの反射光を干渉させることにより低
反射率化されてなることを特徴とする表示装置用遮光膜
を提供する。
過型表示装置用基板の上に設けられた遮光膜であって、
該基板側から可視光領域で実質的に透明な酸化クロム膜
および可視光領域で実質的に不透明なクロム膜が形成さ
れてなり、かつ該酸化クロム膜の膜厚を５０ｎｍ〜７５
ｎｍとして各膜からの反射光を干渉させることにより低
反射率化されてなることを特徴とする表示装置用遮光膜
を提供する。
【０００７】本発明の透過型表示装置とは、光の透過不
透過を制御して表示を行なう表示装置であればよく、代
表的には、液晶表示装置が挙げられる。このような表示
装置においては、少なくとも可視光領域において実質的
に透明な一対の基板間に液晶等の電気光学媒体を挟み、
電圧の印加、非印加に応じた光の透過率を制御して、表
示を行なう。
透過を制御して表示を行なう表示装置であればよく、代
表的には、液晶表示装置が挙げられる。このような表示
装置においては、少なくとも可視光領域において実質的
に透明な一対の基板間に液晶等の電気光学媒体を挟み、
電圧の印加、非印加に応じた光の透過率を制御して、表
示を行なう。
【０００８】遮光膜のパターンは、通常、コントラスト
比を向上するため、表示用画素枠を形成するようにに設
けられる。例えばストライプ状であり、また格子状のこ
ともある。本発明の遮光膜は、カラーフィルターと併用
されることが好ましい。すなわち、基板に本発明の遮光
膜を所定のパターンで形成するとともに、Ｒ，Ｇ，Ｂの
カラーフィルターを表示画素に相当する部分に形成す
る。カラーフィルターは、通常用いられる染色法、印刷
法、電着法、フォトリソ法などで形成されればよい。こ
のように形成されたカラーフィルターおよび遮光膜の上
に、必要に応じて無機酸化物、有機樹脂などの保護膜を
介して、表示駆動用の透明電極を形成することにより、
表示装置用の電極付基板が形成される。
比を向上するため、表示用画素枠を形成するようにに設
けられる。例えばストライプ状であり、また格子状のこ
ともある。本発明の遮光膜は、カラーフィルターと併用
されることが好ましい。すなわち、基板に本発明の遮光
膜を所定のパターンで形成するとともに、Ｒ，Ｇ，Ｂの
カラーフィルターを表示画素に相当する部分に形成す
る。カラーフィルターは、通常用いられる染色法、印刷
法、電着法、フォトリソ法などで形成されればよい。こ
のように形成されたカラーフィルターおよび遮光膜の上
に、必要に応じて無機酸化物、有機樹脂などの保護膜を
介して、表示駆動用の透明電極を形成することにより、
表示装置用の電極付基板が形成される。
【０００９】遮光膜の遮光度は、仕様、用途に応じて決
定されればよく、この遮光度を得るため、本発明のクロ
ム膜は光透過率を低くして、可視光領域で実質的に不透
明とする。実質的に不透明にするためには、通常、光透
過率で、０．０１％〜１％とされれば良い。具体的に
は、厚みを４０ｎｍ〜２００ｎｍとして、このような遮
光性を得ることが好ましい。
定されればよく、この遮光度を得るため、本発明のクロ
ム膜は光透過率を低くして、可視光領域で実質的に不透
明とする。実質的に不透明にするためには、通常、光透
過率で、０．０１％〜１％とされれば良い。具体的に
は、厚みを４０ｎｍ〜２００ｎｍとして、このような遮
光性を得ることが好ましい。
【００１０】本発明においては、酸化クロム膜の厚み
は、５０ｎｍ〜７５ｎｍであることを特徴とする。この
範囲からはずれると、反射光の干渉を利用して反射率を
低下することが困難になるため好ましくない。厚みは、
上記範囲で、膜の屈折率、消衰係数などから、適宜調整
されればよい。
は、５０ｎｍ〜７５ｎｍであることを特徴とする。この
範囲からはずれると、反射光の干渉を利用して反射率を
低下することが困難になるため好ましくない。厚みは、
上記範囲で、膜の屈折率、消衰係数などから、適宜調整
されればよい。
【００１１】また、酸化クロム膜については、実質的に
透明であり、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９〜２．
４であることが好ましい。この範囲を外れると、酸化ク
ロム膜からとクロム膜からとの反射光を干渉させて、反
射光を低減することが困難になる。実質的に透明である
とは、消衰係数が０．７以下程度であることをいい、こ
れにより、十分な光の干渉を生じさせることができるよ
うになる。
透明であり、波長５５０ｎｍでの屈折率が１．９〜２．
４であることが好ましい。この範囲を外れると、酸化ク
ロム膜からとクロム膜からとの反射光を干渉させて、反
射光を低減することが困難になる。実質的に透明である
とは、消衰係数が０．７以下程度であることをいい、こ
れにより、十分な光の干渉を生じさせることができるよ
うになる。
【００１２】本発明のクロム膜、酸化クロム膜を製膜す
るためには、通常のスパッタリングや蒸着法によって行
なえる。スパッタリングにより、クロム膜を製膜するた
めには、クロムターゲットを用い、アルゴン等の不活性
雰囲気下で、スパッタリングを行なえばよい。また、酸
化クロム膜を製膜するためには、クロムターゲットを用
い、酸素雰囲気下でスパッタリングを行なう方法のほ
か、酸化クロムターゲットを用いることも可能である。
るためには、通常のスパッタリングや蒸着法によって行
なえる。スパッタリングにより、クロム膜を製膜するた
めには、クロムターゲットを用い、アルゴン等の不活性
雰囲気下で、スパッタリングを行なえばよい。また、酸
化クロム膜を製膜するためには、クロムターゲットを用
い、酸素雰囲気下でスパッタリングを行なう方法のほ
か、酸化クロムターゲットを用いることも可能である。
【００１３】本発明による遮光膜によれば、必要な遮光
性を可視光領域で不透明なクロム膜で実現できるととも
に、所定の膜厚を有する酸化クロム膜を用いることによ
り可視光領域での反射を下げることができる。また、本
発明の遮光膜は同時にパターニングのためのエッチング
性も良好である。上記のような、波長５５０ｎｍでの屈
折率が１．９〜２．４で、消衰係数が０．７以下である
ような光学特性を持つ酸化クロムは化学量論的に完全な
酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ3 ）になっていないためと考えら
れる。
性を可視光領域で不透明なクロム膜で実現できるととも
に、所定の膜厚を有する酸化クロム膜を用いることによ
り可視光領域での反射を下げることができる。また、本
発明の遮光膜は同時にパターニングのためのエッチング
性も良好である。上記のような、波長５５０ｎｍでの屈
折率が１．９〜２．４で、消衰係数が０．７以下である
ような光学特性を持つ酸化クロムは化学量論的に完全な
酸化クロム（Ｃｒ2 Ｏ3 ）になっていないためと考えら
れる。
【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は本発明による遮光膜の構造を示すものであ
り、１はガラス基板、２は酸化クロム膜、３はクロム膜
である。
る。図１は本発明による遮光膜の構造を示すものであ
り、１はガラス基板、２は酸化クロム膜、３はクロム膜
である。
【００１５】このような構成の遮光膜を形成するため、
可視光領域で実質的に透明なガラス基板に屈折率が２．
２、消衰係数が０．３０のの酸化クロム膜を酸素とアル
ゴンの混合ガスをスパッタリングガスとし、クロムをタ
ーゲットとするスパッタリング法により表１に示した種
々の厚みに成膜し、ついでクロム膜をアルゴンのみをス
パッタリングガスとしクロムをターゲットとするスパッ
タリング法により１００ｎｍ成膜した。
可視光領域で実質的に透明なガラス基板に屈折率が２．
２、消衰係数が０．３０のの酸化クロム膜を酸素とアル
ゴンの混合ガスをスパッタリングガスとし、クロムをタ
ーゲットとするスパッタリング法により表１に示した種
々の厚みに成膜し、ついでクロム膜をアルゴンのみをス
パッタリングガスとしクロムをターゲットとするスパッ
タリング法により１００ｎｍ成膜した。
【００１６】なお、酸化クロムの組成、光学定数はスパ
ッタリング成膜時の酸素とアルゴンの混合ガス比、およ
びスパッタリング電力の組合せで制御される。本実施例
で、酸化クロム製膜は電力７ｋＷで、スパッタリング圧
３×１０-3Torr（酸素１００％）で行ない、その組成
は、ＣｒＯ1.3 であった。また、クロム製膜は電力５ｋ
Ｗで、スパッタリング圧３×１０-3Torr（アルゴン１０
０％）で行なった。
ッタリング成膜時の酸素とアルゴンの混合ガス比、およ
びスパッタリング電力の組合せで制御される。本実施例
で、酸化クロム製膜は電力７ｋＷで、スパッタリング圧
３×１０-3Torr（酸素１００％）で行ない、その組成
は、ＣｒＯ1.3 であった。また、クロム製膜は電力５ｋ
Ｗで、スパッタリング圧３×１０-3Torr（アルゴン１０
０％）で行なった。
【００１７】上記のようにスパッタリング法で成膜した
２層構造の膜上に、光レジストをパターニングし、それ
を硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を混合
して調整したエッチング液で格子状にエッチングした。
エッチング性は良好であった。表１に酸化クロムの各厚
みでの波長５５０ｎｍでの光反射率を併記する。
２層構造の膜上に、光レジストをパターニングし、それ
を硝酸第二セリウムアンモニウムおよび過塩素酸を混合
して調整したエッチング液で格子状にエッチングした。
エッチング性は良好であった。表１に酸化クロムの各厚
みでの波長５５０ｎｍでの光反射率を併記する。
【００１８】
【表１】
【００１９】図２は表１の遮光膜のうち、酸化クロム厚
が６０ｎｍとなるものについての、図１に示した本発明
による遮光膜のガラス基板側から測定した分光反射率で
あり、比較のためクロム単膜も示した。比視感度が最大
となる５５０ｎｍから５６０ｎｍの波長で極小値となり
その値は５５０ｎｍで６．５％である。しかし、これに
はガラス面の反射率約４％が含まれており、実質的なガ
ラス基板と遮光膜界面の反射率は約２．５％であり実用
上十分に低い。なお、反射率を極小にすべき波長は酸化
クロム膜の光学定数、膜厚により変えることができる
が、人間の視感度の高い５５０ｎｍ付近に設定するのが
効果的である。なお、図３は図１に示した本発明による
遮光膜の分光透過率である。
が６０ｎｍとなるものについての、図１に示した本発明
による遮光膜のガラス基板側から測定した分光反射率で
あり、比較のためクロム単膜も示した。比視感度が最大
となる５５０ｎｍから５６０ｎｍの波長で極小値となり
その値は５５０ｎｍで６．５％である。しかし、これに
はガラス面の反射率約４％が含まれており、実質的なガ
ラス基板と遮光膜界面の反射率は約２．５％であり実用
上十分に低い。なお、反射率を極小にすべき波長は酸化
クロム膜の光学定数、膜厚により変えることができる
が、人間の視感度の高い５５０ｎｍ付近に設定するのが
効果的である。なお、図３は図１に示した本発明による
遮光膜の分光透過率である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による遮光
膜は遮光性が高くかつ実用上十分に低い反射率を有し、
また良好なエッチングプロファイルが実現でき、本遮光
膜を使用することでより高いコントラスト比が得られ
る。
膜は遮光性が高くかつ実用上十分に低い反射率を有し、
また良好なエッチングプロファイルが実現でき、本遮光
膜を使用することでより高いコントラスト比が得られ
る。
【図１】本発明による遮光膜の構造を示す断面図
【図２】実施例における分光反射率を示すグラフ
【図３】本発明による遮光膜の分光透過率を示すグラフ
１：ガラス基板 ２：酸化クロム膜 ３：クロム膜
Claims (1)
- 【請求項１】可視光領域で実質的に透明な透過型表示装
置用基板の上に設けられた遮光膜であって、該基板側か
ら可視光領域で実質的に透明な酸化クロム膜および可視
光領域で実質的に不透明なクロム膜が形成されてなり、
かつ該酸化クロム膜の膜厚を５０ｎｍ〜７５ｎｍとして
各膜からの反射光を干渉させることにより低反射率化さ
れてなることを特徴とする表示装置用遮光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06222354A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 表示装置用遮光膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50A JPH06222354A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 表示装置用遮光膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06222354A true JPH06222354A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=12326075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50A Pending JPH06222354A (ja) | 1993-01-27 | 1993-01-27 | 表示装置用遮光膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06222354A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0833172A2 (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Light absorber and optical equipment |
| US6366332B1 (en) | 1996-03-08 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and process for production thereof |
| JP2017102475A (ja) * | 2017-02-06 | 2017-06-08 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
| JP2018106183A (ja) * | 2018-02-07 | 2018-07-05 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP50A patent/JPH06222354A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366332B1 (en) | 1996-03-08 | 2002-04-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and process for production thereof |
| EP0833172A2 (en) * | 1996-09-26 | 1998-04-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Light absorber and optical equipment |
| EP0833172A3 (en) * | 1996-09-26 | 1999-09-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Light absorber and optical equipment |
| US6076932A (en) * | 1996-09-26 | 2000-06-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light absorber and optical equipment |
| JP2017102475A (ja) * | 2017-02-06 | 2017-06-08 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
| JP2018106183A (ja) * | 2018-02-07 | 2018-07-05 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク |
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