KR19980020084A - 손상방지를 위한 발진회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 손상방지를 위한 발진회로에 관한 것으로서, 저전압원에 연결되고, 입력기준전류에 상응하는 출력전류를 발생하는 제 1 전류원; 고전압원에 연결되고, 상기 제 1 전류원의 출력전류에 상응하여 충전동작시 제 1 출력단자를 통해 충전전류를 출력하고, 방전동작시 상기 제 2 출력단자를 통해 상기 충전전류를 출력하는 제 2 전류원; 상기 제 1 출력단자와 접지 사이에 연결되어 상기 제 1 출력단자의 출력충전전류에 의해 충전되고, 소정의 충전전압에서 방전하는 커패시터; 상기 저전압원에 연결되고, 상기 커패시터의 방전동작시 방전전류를 결정하는 제 3 전류원; 및 방전동작시 상기 커패시터의 충전전압에 따라 구동하여 상기 제 2 출력단자와 상기 제 3 전류원 사이에 전류통로를 형성하여 상기 충전전류를 바이패스 시키는 바이패스수단으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 방전동작시 순수 충전전류가 흐를 수 있는 전류통로를 제공함으로써, 충전전류와 방전전류의 순간적인 돌입으로 인해서 제 3 전류원에 포함되어 있는 방전용 트랜지스터가 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 손상방지를 위한 발진회로에 관한 것으로서, 특히, 방전전류와 충전전류의 돌입전류에 의한 방전용 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있는 발진회로에 관한 것이다.
발진(Oscillation) 회로는 현재 VCR용 해드드럼 구동모터로 사용되는 소형 정밀 모터인 세미 센서리스 BLDC모터 회로에 디지털 블록의 클럭신호를 제공한다.
도 1 은 종래의 발진회로도로서, 발진 회로는 저전압원(VDD)에 연결되고, 입력기준전류(IREF)에 상응하는 출력전류(I)를 발생하는 제 1 전류원(10)과, 고전압원(VCC)에 연결되고, 제 1 전류원(10)의 출력전류(I)에 상응하여 충/방전동작시 충전전류(Ic)를 출력하는 제 2 전류원(20)과, 상기 제 2 전류원(20)의 출력단자와 접지 사이에 연결되어 소정의 충전전압에서 방전하는 커패시터(C)와, 저전압원(VDD)에 연결되고, 커패시터(C)의 방전동작시 방전전류를 결정하는 제 3 전류원(40)과, 제 2 전류원(20)의 출력단과 제 3 전류원(40) 사이에 연결된 전류제한저항(R5)으로 구성된다.
상기와 같이 구성된 발진회로는 다음과 같이 동작한다.
제 1 전류원(10)에서 트랜지스터(Q1,Q2)에 의해서 기준전류에 상응하는 출력전류(I)가 발생되면, 제 2 전류원(20)에서는 트랜지스터(Q3,Q4)를 의해서 출력전류(I)에 상응하는 충전전류(Ic)가 생성되고, 이 충전전류(Ic)는 트랜지스터(Q2)를 통해서 출력된다.
이때, 초기의 커패시터(C)는 충전이 되지 않은 0V의 상태에 있고, 제 3 전류원에 포함되어 있는 방전용 트랜지스터(Q6)의 베이스에는 하이 상태인 VDD전압이 인가되어 방전용 트랜지스터(Q6)는 턴오프 상태가 된다.
이와 같은 상태에서 커패시터(C)가 충전되기 시작하여 커패시터(C)의 충전전압이 증가하고, 이 충전전압이 방전용 트랜지스터(Q6)의 베이스 전압보다 0.7V 큰 즉,(VDD + 0.7)V 이상이 되면 트랜지스터(Q6)가 턴온되어 커패시터(C)가 방전하기 시작한다.
이어서, 트랜지스터(Q7,Q8)가 동시에 턴온되어 트랜지스터(Q6)의 베이스 전압은 로우 즉, 트랜지스터(Q7)의 포화전압인 0.2V가 되어 트랜지스터(Q6)는 커패시터(C)와 트랜지스터(Q5)로부터 더욱더 많은 충전전류와 방전전류를 빼내게 된다.
이로 인하여, 커패시터(C)의 충전전압은 순간적으로 감소하게 되며 트랜지스터(Q8)의 포화전압 0.2V과 트랜지스터(Q6)의 턴온전압 0.7V의 합전압인 0.9V에서 트랜지스터(Q6)가 턴오프되어, 커패시터(C)가 다시 충전되기 시작한다. 이와 같은 충/방전 동작이 커패시터의 충전전압과 방전용 트랜지스터(Q6)의 베이스 구동전압의 변화에 따라 반복적으로 수행된다.
도 2 의 파형도를 참조하여 설명하면, 도면에 도시된 바와 같이, 방전동작시 순간적으로 트랜지스터(Q6)에 흐르는 전류가 급상승하고, 지수함수적으로 전류가 감쇠한다. 이는 커패시터(C)의 방전전류와 제 2 전류원(20)에서 공급되는 충전전류(Ic)가 방전용 트랜지스터(Q6)에 순간적으로 공급되기 때문이다. 비록 전류제한저항(R5)이 방전용 트랜지스터(Q6)에 연결되어 이러한 갑작스런 돌입전류를 어느정도 차단할지라도 방전용 트랜지스터(Q6)가 커다란 돌입전류에 의해서 손상될 가능성을 배제하지는 못한다.
따라서, 상술한 바와 같이 종래의 회로는 방전동작시 전류제한저항을 통해 방전용 트랜지스터로 커다란 충전전류와 방전전류가 순간적으로 흐름으로써, 방전용 트랜지스터에 손상이 가해질 수 있는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 방전전류와 충전전류의 순간적인 돌입전류에 의한 방전용 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있는 발진회로를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 회로는 저전압원에 연결되고, 입력기준전류에 상응하는 출력전류를 발생하는 제 1 전류원; 고전압원에 연결되고, 상기 제 1 전류원의 출력전류에 상응하여 충전동작시 제 1 출력단자를 통해 충전전류를 출력하고, 방전동작시 상기 제 2 출력단자를 통해 상기 충전전류를 출력하는 제 2 전류원; 상기 제 1 출력단자와 접지 사이에 연결되어 상기 제 1 출력단자의 출력충전전류에 의해 충전되고, 소정의 충전전압에서 방전하는 커패시터; 상기 저전압원에 연결되고, 상기 커패시터의 방전동작시 방전전류를 결정하는 제 3 전류원; 및 방전동작시 상기 커패시터의 충전전압에 따라 구동하여 상기 제 2 출력단자와 상기 제 3 전류원 사이에 전류통로를 형성하여 상기 충전전류를 바이패스 시키는 바이패스수단으로 구성되는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 종래의 발진회로를 설명하기위한 회로도.
도 2 는 종래 발진회로의 방전동작시 방전전류의 파형도.
도 3 은 본 발명에 의한 바람작한 발진회로를 설명하기 위한 회로도.
도 4 는 본 발명에 의한 발진회로의 방전동작시 방전전류의 파형도.
도 3 은 본 발명에 의한 바람작한 발진회로를 설명하기 위한 회로도이다.
상기 발진회로는 저전압원(VDD)에 연결되고, 입력기준전류(IREF)에 상응하는 출력전류(I)를 발생하는 제 1 전류원(10)과, 고전압원(VCC)에 연결되고, 상기 제 1 전류원(10)의 출력전류(I)에 상응하여 충전동작시 제 1 출력단자를 통해 충전전류(Ic)를 출력하고, 방전동작시 상기 제 2 출력단자를 통해 충전전류를 출력하는 제 2 전류원(20)과, 상기 제 1 출력단자와 접지 사이에 연결되어 상기 제 1 출력단자(a)의 출력충전전류에 의해 충전되고, 소정의 충전전압에서 방전하는 커패시터(C)와, 상기 저전압원(VDD)에 연결되고, 상기 커패시터(C)의 방전동작시 방전전류를 결정하는 제 3 전류원(40)과, 방전동작시 상기 커패시터(C)의 충전전압에 따라 구동하여 제 2 출력단자(b)와 제 3 전류원(40) 사이에 전류통로를 형성하여 충전전류(Ic)를 바이패스 시키는 바이패스부(60)로 구성된다.
상기 바이패스부(60)은 상기 제 2 출력단자(b)에 에미터가 연결되고 제 1 출력단자(a)에 베이스가 연결되고, 제 3 전류원(40)에 콜렉터가 연결되어 충전전류(Ic)의 바이패스를 제공하는 엔형 트랜지스터로 구성된다.
상기와 같이 구성된 발진회로는 다음과 같이 동작한다.
제 1 전류원(10)에서 트랜지스터(Q1,Q2)에 의해서 기준전류에 상응하는 출력전류(I)가 발생되면, 제 2 전류원(20)에서는 트랜지스터(Q3,Q4)를 의해서 출력전류(I)에 상응하는 충전전류(Ic)가 생성되고, 이 충전전류(Ic)는 트랜지스터(Q2)를 통해서 출력된다.
이때, 초기의 커패시터(C)는 충전이 되지 않은 0V의 상태에 있고, 제 3 전류원에 포함되어 있는 방전용 트랜지스터(Q6)의 베이스에는 하이 상태인 VDD전압이 인가되어 방전용 트랜지스터(Q6)는 턴오프된 상태에 있는다.
이러한 상태에서 커패시터(C)는 충전되기 시작하고, 충전이 진행될수록 커패시터(C)의 충전전압이 상승하고, 이 충전전압이 트랜지스터(Q6)의 베이스전압 보다 0.7V 이상이 되면 방전용 트랜지스터(Q6)와, 바이패스 트랜지스터(Q7)가 동시에 턴온되어 커패시터(C)는 방전하기 시작한다. 이때, 제 2 전류원(40)의 제 2 출력단자(b)를 통해서 충전전류(Ic)는 바이패스 트랜지스터(Q7)로 흐르고, 방전용 트랜지스터(Q6)에는 커패시터(C)의 방전전류만이 흐르게 된다.
그리고, 방전용 트랜지스터(Q6)가 턴온되면서 트랜지스터(Q8,Q9)로 형성된 전류미러가 동작하여 트랜지스터(Q6)의 베이스는 로우 즉, 트랜지스터(Q9)의 포화전압인 0.2V가 되어 트랜지스터(Q6)는 더욱더 많은 전류를 빼내게 된다.
따라서, 커패시터(C)의 충전전압은 순간적으로 감소하게 되며 트랜지스터(Q9)의 포화전압과 트랜지스터(Q8)의 턴온전압의 합인 0.9V에서 트랜지스터(Q6)가 턴오프됨으로 커패시터(C)가 다시 충전되기 시작한다.
도 4 는 방전전류의 파형도로서, 방전동작시 방전용 트랜지스터(Q6)을 통해서 커패시터(C)의 순수 방전전류만이 흐름으로 인해서 순간돌입전류가 제거된 것을 나타낸다.
따라서, 상술한 바와 같이, 본 발명에서는 방전동작시 순수 충전전류가 흐를 수 있는 전류통로를 제공함으로써, 충전전류와 방전전류의 순간적인 돌입으로 인해서 제 3 전류원에 포함되어 있는 방전용 트랜지스터가 손상되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 저전압원에 연결되고, 입력기준전류에 상응하는 출력전류를 발생하는 제 1 전류원; 고 전압원에 연결되고, 상기 제 1 전류원의 출력전류에 상응하여 충전동작시 제 1 출력단자를 통해 충전전류를 출력하고, 방전동작시 상기 제 2 출력단자를 통해 상기 충전전류를 출력하는 제 2 전류원; 상기 제 1 출력단자와 접지 사이에 연결되어 상기 제 1 출력단자의 출력충전전류에 의해 충전되고, 소정의 충전전압에서 방전하는 커패시터; 상기 저전압원에 연결되고, 상기 커패시터의 방전동작시 방전전류를 결정하는 제 3 전류원; 및 방전동작시 상기 커패시터의 충전전압에 따라 구동하여 상기 제 2 단자와 상기 제 3 전류원 사이에 전류통로를 형성하여 상기 충전전류를 바이패스 시키는 바이패스수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 손상방지를 위한 발진회로.
- 제 1 항에 있어서, 상기 바이패스수단은 상기 제 2 출력단자에 에미터가 연결되고 제 1 출력단자에 베이스가 연결되고, 상기 제 3 전류원에 콜렉터가 연결되어 상기 충전전류의 바이패스를 제공하는 엔형 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는손상방지를 위한 발진회로.
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| KR1019960038434A KR19980020084A (ko) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 손상방지를 위한 발진회로 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100431334B1 (ko) * | 1996-09-23 | 2004-09-04 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 단일전압원발진회로 |
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| US4346351A (en) * | 1980-02-28 | 1982-08-24 | National Semiconductor Corporation | High frequency voltage-controlled oscillator |
| JPS60201703A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Toshiba Corp | 発振器 |
| JPH0779136A (ja) * | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Fujitsu Ltd | 電圧制御発振器 |
| KR970060667A (ko) * | 1996-01-31 | 1997-08-12 | 김광호 | 발진회로(oscillation circuit) |
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1996
- 1996-09-05 KR KR1019960038434A patent/KR19980020084A/ko not_active Application Discontinuation
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