JPS60201703A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
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- JPS60201703A JPS60201703A JP5729084A JP5729084A JPS60201703A JP S60201703 A JPS60201703 A JP S60201703A JP 5729084 A JP5729084 A JP 5729084A JP 5729084 A JP5729084 A JP 5729084A JP S60201703 A JPS60201703 A JP S60201703A
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- circuit
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- feedback
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- oscillation
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Links
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 14
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/326—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator the resonator being an acoustic wave device, e.g. SAW or BAW device
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は１周波数変換に用いられる局部発振器等の発
振器に係り、特にＧａＡｓ（ガリウムする。
振器に係り、特にＧａＡｓ（ガリウムする。
一般に、ＣＡＴＶ等に用いられる広帯域の受る。このダ
ブルス−パーヘテロダイン方式として、第１の混合器で
信号周波数を一担、所定の周波数に上げ、第２の混合器
で所要の中間周波数に下げる方式がある。この方式は９
通常アップダウンチューナと呼ばれ、広帯域の受信回路
。
ブルス−パーヘテロダイン方式として、第１の混合器で
信号周波数を一担、所定の周波数に上げ、第２の混合器
で所要の中間周波数に下げる方式がある。この方式は９
通常アップダウンチューナと呼ばれ、広帯域の受信回路
。
例えばテレビ信号の様にＶＨＦ帯からＵＨＦ帯までを帯
域の切換なしで全バンドを一つの同調回路で受信する場
合に用いられる。このようなアップダウンチューナでは
９局部発振器としては高周波で安定な発振器が、信号周
波数を変換する上で必要となる。
域の切換なしで全バンドを一つの同調回路で受信する場
合に用いられる。このようなアップダウンチューナでは
９局部発振器としては高周波で安定な発振器が、信号周
波数を変換する上で必要となる。
帰還発振器は、出力の一部が帰還路を通じて入力側に帰
還したとき、このループの位相が同相で利得が１以上で
あれば発振回路が形成される。第１図は、帰還発振器の
原理を示すｕ路図であり、１は帰還信号を増幅する増幅
回路、２得るための帰還回路であり９発振信号は端子３
に得る。この帰還発振回路は、増幅器１．帰還回路２を
夫々ｙパラメータで表わすと第２図のようになる。そし
て、この場合、全体のＹパラメータは次式で示される。
還したとき、このループの位相が同相で利得が１以上で
あれば発振回路が形成される。第１図は、帰還発振器の
原理を示すｕ路図であり、１は帰還信号を増幅する増幅
回路、２得るための帰還回路であり９発振信号は端子３
に得る。この帰還発振回路は、増幅器１．帰還回路２を
夫々ｙパラメータで表わすと第２図のようになる。そし
て、この場合、全体のＹパラメータは次式で示される。
Ｙｎ＝ｙｉ＋ｙｔ１・・・・・・・・・・・・・・・（
１）ＹＩ２ ＝ｙｒ＋ ｙ１２・・・・・・・・・・・
・・・・（２）Ｙ２１ ＝ｙｆ＋ｙｚｓ・・・・・・・
・・・・・・・・（３）Ｙ２２ ＝ ｙｏ十ｙ２２・・
・・・・・・・・・・・・・（４）また、第２図で電流
ｉ＋、ｉ２ に着目すると。
１）ＹＩ２ ＝ｙｒ＋ ｙ１２・・・・・・・・・・・
・・・・（２）Ｙ２１ ＝ｙｆ＋ｙｚｓ・・・・・・・
・・・・・・・・（３）Ｙ２２ ＝ ｙｏ十ｙ２２・・
・・・・・・・・・・・・・（４）また、第２図で電流
ｉ＋、ｉ２ に着目すると。
これらの電流は次式で示すことができる。
ｉ １ ＝Ｙ１ｆｆｌ＋Ｙ１２ｖ２−・−・・・・・（
５１ｉ ２ ＝ Ｙ２１Ｖｌ＋Ｙ２２Ｖ２−−−−・・
−・−（５）回路が発振するということは、入力端子１
Ｋ が零にも拘らず、電圧ｖ ＋、 Ｖ ２が発生する
ことであ上記第（７）式において分母が零となるとｖ２
は無限大どなり、この回路は発振する。即ち Ａ ＝ ＹｌＩＹ２２− Ｙ１２Ｙ２１・・・・・・・
・・・・・・・・（８）が零となれば回路はその周波数
で発振する。第（８）式を実数部と丸数部に分けて考え
。
５１ｉ ２ ＝ Ｙ２１Ｖｌ＋Ｙ２２Ｖ２−−−−・・
−・−（５）回路が発振するということは、入力端子１
Ｋ が零にも拘らず、電圧ｖ ＋、 Ｖ ２が発生する
ことであ上記第（７）式において分母が零となるとｖ２
は無限大どなり、この回路は発振する。即ち Ａ ＝ ＹｌＩＹ２２− Ｙ１２Ｙ２１・・・・・・・
・・・・・・・・（８）が零となれば回路はその周波数
で発振する。第（８）式を実数部と丸数部に分けて考え
。
Ｉｍ（ＹｔｔＹｚｚ −Ｙ１２Ｙ２１ ）＝ ０・−・
・・・、、−・・・（Ｘ））の２式が満足されると回路
は発振する。上記第９式で、ｒは発振のしやすさを表わ
す定数で。
・・・、、−・・・（Ｘ））の２式が満足されると回路
は発振する。上記第９式で、ｒは発振のしやすさを表わ
す定数で。
１より大きいと発振し、その値が大きいほど発振しやす
い。このｒは通常２〜１０程度に選定される。
い。このｒは通常２〜１０程度に選定される。
従来、上記帰還回路は、ＬＣ共振回路、セラミック共振
素子を用いた共振回路等が用いられていたが、ＬＣ共振
回路にあっては回路のＱが周波数によって変化し、更に
は寄生素子等が問題となり高周波域において安定した発
振が望めん ない。また、セラミック共振素子を用いれ回路にあって
は、共振特性と安定性に問題がある。
素子を用いた共振回路等が用いられていたが、ＬＣ共振
回路にあっては回路のＱが周波数によって変化し、更に
は寄生素子等が問題となり高周波域において安定した発
振が望めん ない。また、セラミック共振素子を用いれ回路にあって
は、共振特性と安定性に問題がある。
更に、上述した発振器は、温度変化に対する安定性の点
に関しても問題を有する。
に関しても問題を有する。
〔発明の目的Ｊ
この発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、高
周波の追随性及び温度変化に対し発振周波数を安定にす
る観点から、ＡａＧｓＦＥＴを用いて発振回路を構成し
安定した発振動作を行なう発振回路を提供することを目
的とする。
周波の追随性及び温度変化に対し発振周波数を安定にす
る観点から、ＡａＧｓＦＥＴを用いて発振回路を構成し
安定した発振動作を行なう発振回路を提供することを目
的とする。
この発明では、帰還増幅回路にＧａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ
を用い、この帰還増幅回路のバイアスを高周波成分によ
る影響を安定化して、高周波的にも温度変化に対しても
安定した高周波発信信号を得る。
を用い、この帰還増幅回路のバイアスを高周波成分によ
る影響を安定化して、高周波的にも温度変化に対しても
安定した高周波発信信号を得る。
第３図は、この発明に係る発振器の一実施例であり、帰
還増幅器の能動素子としてＧａ Ａｓ ＸＩＴを用い、
帰還回路に弾性表面波フィルりを用いである。
還増幅器の能動素子としてＧａ Ａｓ ＸＩＴを用い、
帰還回路に弾性表面波フィルりを用いである。
第３図は２例えば、ＣＡＴＶ等でテレビジョン信号を扱
う場合に広帯域の信号を帯域の切換なしに受信を可能と
する。２つの混合器を用いたアップダウンチューナにこ
の発明に係る発振器を適用した例を示す。この第３図に
示した発ン 振回路は、アップダウンチューナのダウンコナバータの
発振器として用いられる。第３図中。
う場合に広帯域の信号を帯域の切換なしに受信を可能と
する。２つの混合器を用いたアップダウンチューナにこ
の発明に係る発振器を適用した例を示す。この第３図に
示した発ン 振回路は、アップダウンチューナのダウンコナバータの
発振器として用いられる。第３図中。
１０は帰還増幅器をなすＧａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔであり
、第１のゲー）Ｇｌ、第２のゲー）Ｇ２ を有する。ま
た１１は帰還経路を構成する表面波共振子で１表面波共
振子は伝播関数、を設定しやすい点や温度変化による影
響が小さいという特徴を有する。
、第１のゲー）Ｇｌ、第２のゲー）Ｇ２ を有する。ま
た１１は帰還経路を構成する表面波共振子で１表面波共
振子は伝播関数、を設定しやすい点や温度変化による影
響が小さいという特徴を有する。
表面波共振子１１の入力端は、整合用インダクタンスＬ
１ で入力インピーダンスが低下するのを防ぎ、帰還信
号の減衰を防ぐ。また上記表面波共振子１１の出力側の
損失は、インダクタンスＬ２によって防ぎ出力インピー
ダンスの整合作用をなす。また９表面波共振子１１の出
力側のコンデンサＣ１は直流分を遮断するものであり、
更に・抵抗Ｒ１は電源投入時等において過渡的な電圧か
ら上記表面波共振子１１が破損するのを防止するための
リーク抵抗である。また、抵抗Ｒ２コンデンサＣ２は、
上記Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ ＴＩＯのソースに対するバイ
アス回路をなす。更に、抵抗Ｒａ。
１ で入力インピーダンスが低下するのを防ぎ、帰還信
号の減衰を防ぐ。また上記表面波共振子１１の出力側の
損失は、インダクタンスＬ２によって防ぎ出力インピー
ダンスの整合作用をなす。また９表面波共振子１１の出
力側のコンデンサＣ１は直流分を遮断するものであり、
更に・抵抗Ｒ１は電源投入時等において過渡的な電圧か
ら上記表面波共振子１１が破損するのを防止するための
リーク抵抗である。また、抵抗Ｒ２コンデンサＣ２は、
上記Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ ＴＩＯのソースに対するバイ
アス回路をなす。更に、抵抗Ｒａ。
Ｒ４，−ｙ ンｆ ン−ｆｃ３ はＧａＡｓＦＥＴ１０
のゲートＧ２ に対するバイアス回路を構成する。端子
ｌは発振器に対するバイアス電圧を供給するバイアス電
源であり、抵抗Ｒ５は帰還率に関与する抵抗である。
のゲートＧ２ に対するバイアス回路を構成する。端子
ｌは発振器に対するバイアス電圧を供給するバイアス電
源であり、抵抗Ｒ５は帰還率に関与する抵抗である。
上記実施例では２発振周波数は帰還回路を構成する表面
波共振子１１の周波数特性によって発振周波数が主とし
て決められる。そして帰還増幅回路は、デュアルゲート
のＣ１１Ａｓ ＦＥＴを用いている。Ｃ１Ａｓを用いた
デュアルゲートのＦＥＴは、ゲートがショットキー構造
となっているが、ゲートの電気的性質はＰＮ接合に非常
に似ている。また材料としてＧ１５Ａｓ を用いること
で、移動度非常に太き（することができ例えば、５．０
０（１）ｍ２／■・Ｓ の値が実現される。また。
波共振子１１の周波数特性によって発振周波数が主とし
て決められる。そして帰還増幅回路は、デュアルゲート
のＣ１１Ａｓ ＦＥＴを用いている。Ｃ１Ａｓを用いた
デュアルゲートのＦＥＴは、ゲートがショットキー構造
となっているが、ゲートの電気的性質はＰＮ接合に非常
に似ている。また材料としてＧ１５Ａｓ を用いること
で、移動度非常に太き（することができ例えば、５．０
０（１）ｍ２／■・Ｓ の値が実現される。また。
これ以上電界をかけても電子速度が一定となる飽和速度
電界も、シリコンを用いたものが１２．５ｋｖ ／ ｍ
である＋７）ｉｃ対しＧａ Ａ、 ０）場合には３．９
ｋＶ ／ ｃｍ程度となる。このためＧａ Ａｓを用い
たＦＥＴの特性として高周波においてゲートコンダクタ
ンスが小さく、かつ順伝達アドミッタンスが大きいため
、利得が大きく、、 ＮＦ （ノイズフィギュア）が小
さい点があげられる。このようなＧａ Ａｓの特質を本
実施では、コンバータの発振器として利用しているので
安定した発振周波数信号を、コンデンサＣ６を介して端
子１３に得ることができる。
電界も、シリコンを用いたものが１２．５ｋｖ ／ ｍ
である＋７）ｉｃ対しＧａ Ａ、 ０）場合には３．９
ｋＶ ／ ｃｍ程度となる。このためＧａ Ａｓを用い
たＦＥＴの特性として高周波においてゲートコンダクタ
ンスが小さく、かつ順伝達アドミッタンスが大きいため
、利得が大きく、、 ＮＦ （ノイズフィギュア）が小
さい点があげられる。このようなＧａ Ａｓの特質を本
実施では、コンバータの発振器として利用しているので
安定した発振周波数信号を、コンデンサＣ６を介して端
子１３に得ることができる。
このように、ＧａＡｓを帰還増幅回路として用 ・いた
この実施例では、高域周波数特性に優れた発振器が提供
されるが、高周波特性に優れているが故に９例えばテレ
ビジョン信号のＶＨＦ帯アップダウンチューナに好適な
発振器を得ることができる。高周波特性に優れたこの発
明に係る上記実施例では、高周波に対する利得が大きい
ことから９回路基板に素子を実装するにあたっては、Ｇ
ａＡｓＦＥＴ１０−の入力側で不要高周波信号が十分側
路する必要がある。この点に関しでは、第４図に示すよ
うにＧａ ｈ Ｆ Ｅ ＴのゲートＧ１ 側の交流的な
アース点ＥＡｔと０２ 側のアース点ＥＡ２とを近接し
である。これは、ゲートＧｌ 側のアース点とゲートＧ
２ 側のアース点との間に高周波電流が分布し、これら
２つのアース電位間に電位差が生じ、雑音成分がＧａ
Ａｓ ＦＥＴのゲートＧ２ 側に印加され、高利得で増
幅されてＮＦ （雑音指数）が悪化するのを防ぐためで
ある。
この実施例では、高域周波数特性に優れた発振器が提供
されるが、高周波特性に優れているが故に９例えばテレ
ビジョン信号のＶＨＦ帯アップダウンチューナに好適な
発振器を得ることができる。高周波特性に優れたこの発
明に係る上記実施例では、高周波に対する利得が大きい
ことから９回路基板に素子を実装するにあたっては、Ｇ
ａＡｓＦＥＴ１０−の入力側で不要高周波信号が十分側
路する必要がある。この点に関しでは、第４図に示すよ
うにＧａ ｈ Ｆ Ｅ ＴのゲートＧ１ 側の交流的な
アース点ＥＡｔと０２ 側のアース点ＥＡ２とを近接し
である。これは、ゲートＧｌ 側のアース点とゲートＧ
２ 側のアース点との間に高周波電流が分布し、これら
２つのアース電位間に電位差が生じ、雑音成分がＧａ
Ａｓ ＦＥＴのゲートＧ２ 側に印加され、高利得で増
幅されてＮＦ （雑音指数）が悪化するのを防ぐためで
ある。
第５図は、この発明に係る発振器の他の実施例を示す回
路図であり、第３図に示す実施例とは、コンデンサＣ７
をゲートＧ２ と電源端子３間に接続した点にある。第
３図に示した回路に巧 対応する部分については同−付号を得しその説明を省略
する。
路図であり、第３図に示す実施例とは、コンデンサＣ７
をゲートＧ２ と電源端子３間に接続した点にある。第
３図に示した回路に巧 対応する部分については同−付号を得しその説明を省略
する。
ＱＩＡｓ Ｆ Ｅ Ｔは上述したように、そのキャリア
の移動度はＳｉ （シリコン）を用いたＦＢＴの場合に
比し非常に大きい。この移動度が大きいことにより９通
常は、電源端子１２には１２Ｖの電圧が印加されるが、
電源電圧が１２Ｖよりも高（なると、ＦＥＴｌ０の利得
が増加する。このため９抵抗Ｒ３での電圧降下が太き（
なりゲー）Ｇ２の電位がさがる。また、：ｐ（イアス抵
抗Ｒ２の端θ 子電圧が上昇し、Ｖ７２ｓ、即ち、ゲートＧ２ とソー
スＳ間の電位差が減少しループ利得も低下する。この結
果、全体としてのＮＦ（ｆｉｔ音指数）が劣化する。第
６図は、このことを示す特性図であり９通常のバイアス
電圧である１２Ｖを越えｌこ ると、ＮＦが劣化することを示す。これｌ対処するため
上記実施例ではＧａＡｓＦＥＴ１０のゲー）Ｇ２ 側に
おける抵抗Ｒｓ、コンデンサＣ４を介した接地点ＥＡＩ
とドレイン側のインダクタンスＬ２．コンデンザＣ５を
介した接地点ＥＡ２とを近接している。即ち第７図に示
す接地点ＥＡ１、ＥＡ２を第７図に示すように近接する
よう印刷配線板の接地パターンを設ける。
の移動度はＳｉ （シリコン）を用いたＦＢＴの場合に
比し非常に大きい。この移動度が大きいことにより９通
常は、電源端子１２には１２Ｖの電圧が印加されるが、
電源電圧が１２Ｖよりも高（なると、ＦＥＴｌ０の利得
が増加する。このため９抵抗Ｒ３での電圧降下が太き（
なりゲー）Ｇ２の電位がさがる。また、：ｐ（イアス抵
抗Ｒ２の端θ 子電圧が上昇し、Ｖ７２ｓ、即ち、ゲートＧ２ とソー
スＳ間の電位差が減少しループ利得も低下する。この結
果、全体としてのＮＦ（ｆｉｔ音指数）が劣化する。第
６図は、このことを示す特性図であり９通常のバイアス
電圧である１２Ｖを越えｌこ ると、ＮＦが劣化することを示す。これｌ対処するため
上記実施例ではＧａＡｓＦＥＴ１０のゲー）Ｇ２ 側に
おける抵抗Ｒｓ、コンデンサＣ４を介した接地点ＥＡＩ
とドレイン側のインダクタンスＬ２．コンデンザＣ５を
介した接地点ＥＡ２とを近接している。即ち第７図に示
す接地点ＥＡ１、ＥＡ２を第７図に示すように近接する
よう印刷配線板の接地パターンを設ける。
上記のように、この実施例によれば、コンデンサＣ７を
帰還増幅器を構成するＧａ Ａｓ Ｆ’ Ｅ ＴｌＯの
入力端に設けることで、不要高域信号成分をアースに側
路される。このためキャリアの移動度が大きく高周波域
に対する１３号利得が大きいというＧａ’ Ａｓ Ｆ
Ｅ Ｔの特質を利点として利用し、不要信号が帰還され
て雑音指数が劣化するを防止する。また、この実施例で
追加したコンデンサＣ７は１発ｊ辰パワーが増加して、
ゲートＧ２ に不要電流がｉノ（されるのを防ぎ、ゲー
トＧ２と怜≠＋≠伊セドレインＤとを不要高周波に対し
実質的に短絡する。これにより、ゲートＧ２とソースＳ
間のバイアスが高周波雑音によって下がることを防ぐこ
とができ、高周波雑音によ゛′ル’ｆ−トＧ２ とソー
スＳ間のバイアス電圧の低下が阻止できる。即ち、コン
デンサＣ７を設けない第３図に示した実施例ではゲー）
Ｇ２ とソースＳ間のバイアス電圧ＶＧ ２Ｓ は第８
図中の点線Ａに示す特性を示すのに対し、この実施例に
防止される。
帰還増幅器を構成するＧａ Ａｓ Ｆ’ Ｅ ＴｌＯの
入力端に設けることで、不要高域信号成分をアースに側
路される。このためキャリアの移動度が大きく高周波域
に対する１３号利得が大きいというＧａ’ Ａｓ Ｆ
Ｅ Ｔの特質を利点として利用し、不要信号が帰還され
て雑音指数が劣化するを防止する。また、この実施例で
追加したコンデンサＣ７は１発ｊ辰パワーが増加して、
ゲートＧ２ に不要電流がｉノ（されるのを防ぎ、ゲー
トＧ２と怜≠＋≠伊セドレインＤとを不要高周波に対し
実質的に短絡する。これにより、ゲートＧ２とソースＳ
間のバイアスが高周波雑音によって下がることを防ぐこ
とができ、高周波雑音によ゛′ル’ｆ−トＧ２ とソー
スＳ間のバイアス電圧の低下が阻止できる。即ち、コン
デンサＣ７を設けない第３図に示した実施例ではゲー）
Ｇ２ とソースＳ間のバイアス電圧ＶＧ ２Ｓ は第８
図中の点線Ａに示す特性を示すのに対し、この実施例に
防止される。
以上、述べたように、帰還増幅回路にＧａ ＡｓＦＥＴ
を用い、かつＧａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔの高周波に対する
高利得特性を高周波雑音に対する対策を施すことにより
安定発振に寄与されるよう利用した発振回路をこの発明
によれば提供し得る。このため、この発明による発振器
は、広帯域の受信回路９例えばテレビ信号の様にＶＨＦ
帯から−ナに用いて好適である。
を用い、かつＧａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔの高周波に対する
高利得特性を高周波雑音に対する対策を施すことにより
安定発振に寄与されるよう利用した発振回路をこの発明
によれば提供し得る。このため、この発明による発振器
は、広帯域の受信回路９例えばテレビ信号の様にＶＨＦ
帯から−ナに用いて好適である。
また、キャリアの移動度の高いＧａ Ａｓ Ｅ Ｆ Ｔ
を安定なバイアスのもとに発振動作を行なわせているの
で、温度変化に対しても安定に発振動作が持続する発振
回路を、この発明は提供するものである。
を安定なバイアスのもとに発振動作を行なわせているの
で、温度変化に対しても安定に発振動作が持続する発振
回路を、この発明は提供するものである。
第１図、第２図は一般的な帰還形発振器の発振原理を説
明するに供する回路図、第３図及び第５図はこの発明に
係る発振器の実施例を示す回路図、第４図は第３図の実
施例を説明するための回路図、第６図及び第８図はこの
発明に係る発振ｄ：９の動作を説明するに供する特性図
、第７図はこの発明に係る発振回路に適用される印刷配
線板の回路パターン図である。 １０・・・・・・・・・Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ１１・
・・・・・・・・ＳＡＷ共振子 Ｒ３，Ｒ４，Ｃ４、Ｃ５、Ｃ７・・・・・・高周波信号
側路手段代理人弁理士 則 近 憲 佑 （ばか１名）
第 １ 図 ｔＪ ３ 図 第 ５ 図 １ 第 ４ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
明するに供する回路図、第３図及び第５図はこの発明に
係る発振器の実施例を示す回路図、第４図は第３図の実
施例を説明するための回路図、第６図及び第８図はこの
発明に係る発振ｄ：９の動作を説明するに供する特性図
、第７図はこの発明に係る発振回路に適用される印刷配
線板の回路パターン図である。 １０・・・・・・・・・Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ１１・
・・・・・・・・ＳＡＷ共振子 Ｒ３，Ｒ４，Ｃ４、Ｃ５、Ｃ７・・・・・・高周波信号
側路手段代理人弁理士 則 近 憲 佑 （ばか１名）
第 １ 図 ｔＪ ３ 図 第 ５ 図 １ 第 ４ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 出力端子側からの帰還信号を発振能動素子の入力側に導
出する帰還回路と。 この帰還回路からの人力信号を入力とし、前記発振能動
素子としＧａＡｓ（ガリウムヒ素）ＦＥＴを用いた帰還
増幅回路と。 この帰還増幅回路を構成する前記Ｇａ Ａｓ Ｆ ＥＴ
のゲートバイアス手段に設けた不用高周波帯成 域信号を側路する高周派信号側路手段とを少な（とも具
備したことを特徴とする発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5729084A JPS60201703A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5729084A JPS60201703A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201703A true JPS60201703A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13051417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5729084A Pending JPS60201703A (ja) | 1984-03-27 | 1984-03-27 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980020084A (ko) * | 1996-09-05 | 1998-06-25 | 김광호 | 손상방지를 위한 발진회로 |
-
1984
- 1984-03-27 JP JP5729084A patent/JPS60201703A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980020084A (ko) * | 1996-09-05 | 1998-06-25 | 김광호 | 손상방지를 위한 발진회로 |
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