KR102674086B1 - 구리 소결 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 구리 소결 페이스트 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 종래의 땜납 및 무연납을 대체할 수 있는 접합물질을 제공하며, 우수한 내열성, 방열성, 열전도도 및 접합강도를 갖는 특징이 있다.

Description

구리 소결 페이스트 조성물 및 이의 제조방법 {Copper sintering paste composition and its manufacturing method}
본 발명은 구리 소결 접합을 형성하기 위한 구리 소결 페이스트 조성물 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 이로부터 형성된 구리 소결 접합을 제공한다.
종래, 반도체 소자를 지지 부재에 접합시키기 위해 다양한 접합재를 이용하고 있다. 이러한 접합재로는 납(Pb) 성분을 포함하는 유연납과 납 성분을 제거한 무연납을 사용하고 있으며, 땜납 내의 납 성분의 유해함으로 인해 무연납의 사용 비중이 계속해서 증가하는 추세에 있다.
그러나 대부분의 무연납에는 주석이 필수적으로 포함되며, 일반적으로 주석에는 소량의 납이 반드시 포함된다. 또한, 주석 자체가 유연납에 비해 가격이 비싸며, 녹는점이 200 ℃ 이상으로 높으며, 접합 부분의 형태와 크기를 제어하기가 어려운 등의 문제가 있다. 나아가, 이러한 문제를 해결하기 위해 첨가되는 비스무트나 인듐은 희소한 원소로 가격이 비싸다는 문제가 있다.
이에 본 발명에서는 구리 입자를 소결하여 접합을 형성함으로써, 종래 땜납 소재보다 유해성이 낮고, 가격이 낮으면서도 전단 강도가 높은 소결 접합을 형성할 수 있는 구리 소결 페이스트를 제공하고자 한다.
(0001) 일본 공개특허 특개2021-073639 (2021. 05. 13.) (0002) 일본 공개특허 특개2021-064612 (2021. 04. 22.) (0003) 일본 공개특허 특개2021-048396 (2021. 03. 25.)
(0001) R. Khazaka, L. Mendizabal, D. Henry, Characterization of Nano-silver Dry films for High Temperature Applications, J. ElecTron. Mater. 43(7), 2014, 2459-2466.
본 발명은 구리 소결 접합을 형성하기 위한 구리 소결 페이스트 조성물에 관한 것으로, 구리 나노입자를 화학적으로 보호하기 위한 고분자 캡핑이 수행된 구리 나노 입자를 제공하며, 상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자가 포함된 구리 소결 페이스트 조성물을 제조함으로써, 종래의 땜납 및 무연납을 대체할 수 있는 접합물질을 제공하는 한 편, 우수한 내열성, 방열성, 열전도도 및 접합강도를 갖는 접합 소재를 제공하고자 한다.
본 발명은 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 포함하는 구리 소결 페이스트 조성물에 관한 것이다.
상기 구리 소결 페이스트 조성물은 고분자로 캡핑된 구리 나노입자, 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제를 포함하는 것일 수 있다.
상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 구리 나노입자의 산화막을 제거한 다음, 구리 나노입자의 표면을 고분자로 캡핑한 것을 지칭하는 것일 수 있다. 이때, 상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자의 평균 입경은 0.5 내지 5 ㎛일 수 있다.
상기 고분자는 폴리비닐피롤리돈, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리아마이드, 폴리메타크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 폴리에스터 및 폴리우레탄 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합이거나 이들의 공중합체일 수 있다.
상기 구리 나노입자의 산화막은 산화막 제거제를 통해 제거되는 것일 수 있다. 이때, 상기 산화막 제거제는 구리 산화막(CuO)와 반응하여 구리 염을 형성할 수 있는 물질일 수 있다. 산화막이 제거된 구리 나노입자 표면에 중합 개시제를 결합하고, 고분자를 형성시킴으로써 상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 제조할 수 있다.
상기 산화막 제거제는 NH4Cl, NH4NO3 및 (NH4)2SO4 중 선택되는 1종 이상이 포함된 수용액일 수 있다.
상기 중합 개시제는 이황화물일 수 있다.
상기 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제는 200 내지 300℃의 온도 범위에 노출 시 기화 또는 분해되는 것일 수 있다.
상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 고형분으로 60 내지 70 중량%를 포함하고 있는 것일 수 있다.
상기 용매는 메틸 카르비톨, 부틸 카르비톨, 디메틸 숙시네이트, 디프로필렌 글리콜, 2-(2-헥실옥시에톡시)에탄올, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다.
상기 환원제는 옥살산, 말론산, 올레산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 푸마르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 글루타르산, 말레산, 아젤라인산, 아비에트산, 아디프산, 아스코르빈산, 아크릴산 및 시트르산으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것일 수 있다.
상기 탈포제는 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명에서 제공하는 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법은 산화막 제거제로 구리 나노입자 표면의 산화막을 제거하는 단계; 상기 산화막이 제거된 구리 나노입자 표면에 중합 개시제를 결합하는 단계; 상기 중합 개시제가 결합된 구리 나노입자 표면에 고분자 단량체를 중합하여 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 제조하는 단계; 상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 혼합용액에 혼합하는 단계;를 포함하는 것일 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 산화막 제거제는 NH4Cl, NH4NO3 및 (NH4)2SO4 중 선택되는 1종 이상이 포함된 수용액, 중합 개시제는 이황화물일 수 있다.
또한, 상기 혼합용액은 고비점 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제를 포함하는 것일 수 있다.
또한, 상기 구리 소결 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 소자를 상기 구리 소결 페이스트 조성물 상에 위치한 다음, 온도를 200 내지 400 ℃로 1 내지 10 분 동안 유지함으로써 구리 소결 접합을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 구리 소결 페이스트 조성물은 납을 포함하지 않으면서도 방열성, 열전도성, 접합강도 및 전기 전도도가 우수하여 종래의 무연납을 대체할 수 있는 소자 접합 기술을 제공한다.
도 1은 본 발명에 일 실시예에 따라 형성된 구리 소결 접합의 전단 강도를 측정하여 나타낸 그래프이다.
이하 본 발명에 따른 구리 소결 접합을 형성하기 위한 구리 소결 페이스트와, 구리 소결 페이스트 및 이의 제조방법에 대하여 상세히 설명한다. 다음에 소개하는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 예로써 제공하는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있으며, 이하 제시되는 도면들은 본 발명의 사상을 명확히 하기 위해 과장되어 도시될 수 있다. 이때, 본 발명에서 사용하는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
본 발명은 구리 소결 페이스트 조성물에 관한 것으로, 상기 구리 소결 페이스트는 고분자로 캡핑된 구리 나노입자; 용매; 환원제; 탈포제; 및 점도조절제;를 포함하는 것일 수 있다.
이때, 상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 구리 나노입자의 산화막을 제거한 다음, 표면을 고분자로 캡핑한 것을 의미한다. 상기 구리 나노입자의 평균 입경은 0.5 내지 5 ㎛일 수 있으며, 바람직하게는 1 내지 3 ㎛의 평균 입경을 갖는 것일 수 있다. 이와 같은 크기의 구리 나노입자를 사용함으로써 차후 구리 접합 형성 시 접합 강도가 15 MPa 이상으로 우수할 수 있다.
상기 고분자는 폴리비닐피롤리돈 및 폴리에틸렌옥사이드 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합이거나 이들의 공중합체일 수 있다. 이때, 상기 고분자는 상기 구리 나노입자 100 중량부 대비 1 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.
상기 구리 나노입자의 산화막은 산화막 제거제를 통해 제거되는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 산화막 제거제는 구리 산화막(CuO)과 반응하여 구리-염을 형성할 수 있는 물질로써 바람직하게는 암모늄염이면 특별히 제한되지 않으며, 구체적으로는 NH4Cl, NH4NO3 및 (NH4)2SO4 등의 암모늄 염을 포함하는 수용액일 수 있고, 상기 산화막 제거제를 암모니아 수용액에 혼합하여 사용하는 것이 구리 산화막 제거에 용이하여 바람직하다.
상기 산화막 제거제와 암모니아 수용액은 중량비로 1:0.5 내지 2 비율로 혼합될 수 있다. 산화막 제거제가 암모니아 수용액에 비해 적게 투입되는 경우 산화막이 완전히 제거되지 않아 고분자 캡핑반응이 어려울수 있으며, 산화막 제거제가 과도하게 첨가될 구리가 과하게 용해되어 구리 나노입자의 소모량이 증가할 수 있다.
상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 산화막 제거제로 구리 나노입자 표면의 산화막을 제거한 다음, 상기 산화막이 제거된 구리 나노입자 표면에 중합 개시제를 결합하고, 상기 중합 개시제가 결합된 구리 나노입자 표면에 고분자 단량체를 중합함으로써 수득하는 것일 수 있다.
이와 같은 고분자는 금속 표면에 화학적으로 결합되는 것일 수 있고, 단량체에 고분자의 개시제로써 작용할 수 있는 물질을 더 첨가하여 중합함으로써 캡핑을 수행하는 것일 수 있다. 예를 들어, 바람직하게는 싸이올 그룹을 포함하는 [S-CH2CH2OCOC(CH3)2Br]2 또는 [S-(CH2)11OCOC(CH3)2Br]2와 같은 이황화물계 개시제를 사용할 수 있다. 이와 같은 개시제를 사용함으로써 단량체를 중합하고 구리 나노입자의 표면과 고분자가 화학적으로 결합되는 표면 캡핑을 수행할 수 있다.
이때, 상기 개시제의 처리 시간에 따라 중합되는 고분자의 밀도가 조절될 수 있으며, 처리 시간이 증가함에 따라 중합되는 고분자의 밀도가 증가할 수 있다.
상기 단량체는 전술한 고분자를 형성할 수 있는 단량체 중 선택될 수 있으며, 바람직하게는 비닐 피롤리돈을 사용하는 것일 수 있다.
상기 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제는 200 내지 300℃의 온도 범위에 노출 시 기화 또는 분해되는 것으로, 이와 같은 물질들을 사용함으로써 접합 형성 시에 잔여 유기물이 남지 않아 접합의 전단 강도가 높게 유지될 수 있다.
상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 고형분으로 60 내지 70 중량%를 포함하고 있는 것일 수 있다. 고분자로 캡핑된 구리 나노입자의 함량이 이보다 높은 경우 페이스트의 점도가 너무 높아질 수 있고, 이보다 낮은 경우 페이스트의 점도가 너무 묽어지며 소결 접합이 잘 되지 않는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 구리 소결 페이스트 조성물은 고분자로 캡핑된 구리 나노입자 100 중량부 대비 환원제 1 내지 5 중량부, 점도 조절제 0.5 내지 1.5 중량부, 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부, 탈포제 0.5 내지 1.5 중량부 및 용매 40 내지 60 중량부를 포함하는 것일 수 있다. 이와 같은 범위로 조성물을 제조함으로써 점도가 적절하여 반도체 공정에 유리하다.
상기 용매는 고비점 유기용매인 것이 바람직하며, 구체적으로 끓는점이 150 ℃ 이상인 유기용매를 사용할 수 있다. 예를 들어, 메틸 카르비톨, 부틸 카르비톨, 디메틸 숙시네이트, 디프로필렌 글리콜, 2-(2-헥실옥시에톡시)에탄올, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르 등으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물일 수 있다. 이와 같은 용매를 사용하는 경우 상온에서 페이스트 조성물에서 용매의 휘발이 적게 발생하면서도 접합 형성 시 고온에 의해 휘발될 수 있어 바람직하다. 단, 끓는점이 240 ℃를 초과하는 유기용매를 사용하는 경우 이와 같은 휘발이 발생하기 어려워 좋지 않다.
상기 환원제는 옥살산, 말론산, 올레산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 푸마르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 글루타르산, 말레산, 아젤라인산, 아비에트산, 아디프산, 아스코르빈산, 아크릴산 및 시트르산으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것일 수 있다. 이때, 바람직하게는 옥살산을 사용하는 것일 수 있다. 이와 같은 유기산 계열의 물질을 사용함으로써 구리 접합 형성 시 고온에 의해 열분해될 수 있어 잔류량이 적어 바람직하다.
상기 탈포제는 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘을 포함하는 것일 수 있다. 이와 같은 탈포제를 사용함으로써 페이스트에 기포가 발생하는 것을 방지할 수 있고, 나아가 소결 접합의 접합 강도를 더욱 높일 수 있다.
상기 점도 조절제는 셀룰로스계 또는 아크릴산계 및 아민계 물질의 혼합물을 사용하는 것일 수 있다. 구체적으로, 셀룰로스계 점도 조절제로는 하이드록시프로필 메틸 셀룰로스 또는 하이드록시에틸 메틸 셀룰로스와 같은 물질이 적합하다. 아크릴산으로는 carbopol 940과 같은 종래 점증제로 사용하는 물질이 적합하며, 이와 혼합되는 아민계 물질로는 트리에틸아민과 같은 물질이 적합하다. 이와 같은 물질을 첨가함으로써 구리 소결 페이스트의 점도를 반도체 공정에 적합하게 유지할 수 있다.
상기 구리 소결 페이스트는 실란 커플링제를 첨가제로써 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 실란 커플링제는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란 및 3-메르캅토프로필트리메톡시실란과 같은 에톡시 또는 메톡시계 실란 커플링제를 의미하는 것일 수 있다. 이와 같은 첨가제를 포함함으로써 페이스트 내 입자의 분산도가 증가하여 소결 시 접합이 균일하게 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법은 산화막 제거제로 구리 나노입자 표면의 산화막을 제거하는 단계; 상기 산화막이 제거된 구리 나노입자 표면에 중합 개시제를 결합하는 단계; 상기 중합 개시제가 결합된 구리 나노입자 표면에 고분자 단량체를 중합하여 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 제조하는 단계; 및 상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 혼합용액에 혼합하는 단계;를 포함하는 것일 수 있다.
이때, 혼합 시 물질이 균일하게 분산되지 않는 경우 차후 구리 접합 형성 시 접합 강도가 감소하여 접합부의 파단이 발생할 수 있다.
상기 혼합용액은 전술한 고비점 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제를 포함하는 것이며, 상기 산화막 제거제 및 중합 개시제는 전술한 바와 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.
이와 같은 구리 소결 페이스트 조성물을 기판 상에 도포하고, 소자를 상기 구리 소결 페이스트 조성물 상에 위치한 다음, 온도를 200 내지 400 ℃로 1 내지 10 분 동안 유지함으로써 구리 소결 접합을 형성할 수 있다.
또한, 상기한 접합의 형성 방법은 1분 이내의 예열을 더 수행하는 과정을 포함할 수 있다. 이러한 예열은 100 내지 200 ℃에서 2분 이내로 수행하는 것일 수 있다. 이러한 예열 과정을 더 포함함으로써 소형 전기 소자의 접합 시 온도 변화에 의한 급격한 기체 발생을 방지하여 더 정밀한 공정을 수행할 수 있다.
전술한 바와 같은 구리 소결 페이스트를 사용하여 형성된 구리 소결 접합은 전단 강도가 10 내지 25 MPa일 수 있다.
이하, 실시예를 통해 본 발명에 따른 구리 소결 페이스트 및 이로부터 형성된 구리 소결 접합에 대하여 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 여러 형태로 구현될 수 있다.
또한, 달리 정의되지 않은 한, 모든 기술적 용어 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 당업자 중 하나에 의해 일반적으로 이해되는 의미와 동일한 의미를 갖는다. 본원에서 설명에 사용되는 용어는 단지 특정 실시예를 효과적으로 기술하기 위함이고 본 발명을 제한하는 것으로 의도되지 않는다.
[구리 나노입자의 산화막 제거]
증류수에 산화막 제거제로 (NH4)2SO4 2g 및 NH4OH 1g을 혼합한 혼합용액 1L를 반회분식 항온 반응조에 넣은 후, 구리 나노입자 10 g을 첨가하여 교반하면서 반응온도 40℃까지 가열하여 10분간 반응시켜 상기 구리 나노입자의 산화막을 제거한후, 용액을 여과하고 반응물을 건조하여 산화막이 제거된 구리 나노입자를 얻었다.
[고분자로 캡핑된 구리 나노입자 제조]
500 mL 둥근바닥 플라스크에 고분자 개시제로 이황화물( [S-(CH2)11OCOC(CH3)2Br]2) 150 μL와 THF(Tetrahydrofuran, Sigma Aldrich) 200 mL 를 넣고 강하게 교반하면서 산화막이 제거된 구리 나노입자를 천천히 첨가하였다. 20℃ 온도에서 24 시간 동안 교반시킨 후 구리 나노입자를 원심분리하여 수득 후, DMF(N,N-Dimethylformamide)에 분산시켰다. 이후 질소분위기에서 4VP(4-vinylpyridine) 0.5 g 및 증류수 0.5 mL를 첨가하여 40℃의 온도에서 48시간 동안 강하게 교반하여 중합을 유도하여 구리 나노입자 표면에 PVP를 캡핑시킨 후 용액을 여과하여 PVP로 캡핑된 구리 나노입자를 수득하였다.
[실시예 1]
상기 PVP로 캡핑된 구리 나노입자 65 g을 부틸카르비톨 30 g에 혼합하여 교반하면서, 환원제 2g, 점도 조절제 0.5 g, 첨가제 0.5 g를 2 시간 동안 교반하여 구리 소결 페이스트 조성물을 제조하였다.
[비교예 1]
상기 실시예 1과 동일하게 구리 소결 페이스트 조성물을 제조하되, PVP 캡핑을 수행하지 않은 구리 나노입자를 사용하였다.
[특성 평가 방법]
전단 강도 측정
구리 소결 페이스트를 사용하여 구리 소결 접합을 수행하고 접합의 전단 강도를 측정하였다.
접합 수행 시간 (분) 전단 강도 (MPa)
실시예 1 비교예 1
1 10.89±1.74 7.21±0.40
3 16.05±1.85 7.81±0.98
5 21.03±2.96 8.33±1.12
10 18.27±4.11 11.43±2.16
접합 조건 : 300 ℃, 5 MPa,
실시예 1은 소자가 튀는 현상이 있어 이를 방지하기 위해 150 ℃로 30초 동안 예열 수행.
도 1을 참조하면 실시예 1 및 비교예 1로 형성한 접합의 전단 강도를 시각적으로 확인할 수 있으며, 실시예 1의 경우 전단 강도가 소결 시간에 비례하여 증가하며, 5분간 접합한 경우에 전단 강도가 가장 우수한 것으로 나타났다. 소결 시간이 5분을 초과하는 경우 전단 강도가 점차 떨어지는 경향을 보여, 실시예 1의 최적 소결 시간은 3 ~ 8분 정도인 것을 알 수 있다. 이와 다르게, 비교예 1의 경우 소결 시간 증가에 따라 전단 강도가 증가하지만, 전단 강도가 전반적으로 실시예 1보다 낮은 것을 알 수 있다.
또한, PVP 캡핑을 수행한 실시예 1의 경우, 전단 강도의 편차가 보다 크게 나타나는 경향이 있었으나, 접합을 10분 이내로 수행하는 경우 전단 강도가 전반적으로 우수하여 품질에 영향을 크게 주는 수준은 아니었다.
이상과 같이 특정된 사항들과 한정된 실시예를 통해 본 발명을 설명하였으나, 이는 본 발명의 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.

Claims (15)

  1. 고분자로 캡핑된 구리 나노입자; 용매; 환원제; 탈포제; 및 점도조절제;를 포함하는 구리 소결 페이스트 조성물로,
    상기 구리 소결 페이스트 조성물은 고분자로 캡핑된 구리 나노입자 100 중량부 대비 환원제 1 내지 5 중량부, 점도 조절제 0.5 내지 1.5 중량부, 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부, 탈포제 0.5 내지 1.5 중량부 및 용매 40 내지 60 중량부를 포함하며,
    상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 산화막 제거제로 구리 나노입자 표면의 산화막을 제거하고, 산화막이 제거된 구리 나노입자 표면에 중합 개시제를 결합시켜 고분자를 형성함으로써 제조된 것이고,
    상기 환원제는 옥살산, 말론산, 올레산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 푸마르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 글루타르산, 말레산, 아젤라인산, 아비에트산, 아디프산, 아스코르빈산, 아크릴산 및 시트르산으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이며,
    상기 탈포제는 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 구리 소결 페이스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자의 평균 입경은 0.5 내지 5 ㎛인 구리 소결 페이스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 고분자는 폴리비닐피롤리돈 및 폴리에틸렌옥사이드 중 선택되는 1종 이상인 것인 구리 소결 페이스트 조성물.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산화막 제거제는 NH4Cl, NH4NO3 및 (NH4)2SO4 중 선택되는 1종 이상이 포함된 수용액인 것인 구리 소결 페이스트 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 중합 개시제는 이황화물인 구리 소결 페이스트 조성물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제는 200 내지 300℃의 온도 범위에 노출 시 기화 또는 분해되는 것인 구리 소결 페이스트 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자는 고형분으로 60 내지 70 중량%를 포함하고 있는 것인 구리 소결 페이스트 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 용매는 메틸 카르비톨, 부틸 카르비톨, 디메틸 숙시네이트, 디프로필렌 글리콜, 2-(2-헥실옥시에톡시)에탄올, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트 및 에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 구리 소결 페이스트 조성물.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 산화막 제거제로 구리 나노입자 표면의 산화막을 제거하는 단계;
    상기 산화막이 제거된 구리 나노입자 표면에 중합 개시제를 결합하는 단계;
    상기 중합 개시제가 결합된 구리 나노입자 표면에 고분자 단량체를 중합하여 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 제조하는 단계; 및
    상기 고분자로 캡핑된 구리 나노입자를 혼합용액에 혼합하는 단계;를 포함하는 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법으로,
    상기 구리 소결 페이스트 조성물은 고분자로 캡핑된 구리 나노입자 100 중량부 대비 환원제 1 내지 5 중량부, 점도 조절제 0.5 내지 1.5 중량부, 첨가제 0.5 내지 1.5 중량부, 탈포제 0.5 내지 1.5 중량부 및 용매 40 내지 60 중량부를 포함하며,
    상기 환원제는 옥살산, 말론산, 올레산, 피멜산, 수베르산, 세바스산, 푸마르산, 미리스트산, 팔미트산, 스테아르산, 글루타르산, 말레산, 아젤라인산, 아비에트산, 아디프산, 아스코르빈산, 아크릴산 및 시트르산으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상을 포함하는 것이며,
    상기 탈포제는 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 중 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 산화막 제거제는 NH4Cl, NH4NO3 및 (NH4)2SO4 중 선택되는 1종 이상이 포함된 수용액인 것인 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 중합 개시제는 이황화물인 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 혼합용액은 고비점 용매, 환원제, 탈포제 및 점도조절제를 포함하는 것인 구리 소결 페이스트 조성물의 제조방법.
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