KR102649151B1 - 임프린트용 광경화성 조성물 - Google Patents

임프린트용 광경화성 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR102649151B1
KR102649151B1 KR1020207007402A KR20207007402A KR102649151B1 KR 102649151 B1 KR102649151 B1 KR 102649151B1 KR 1020207007402 A KR1020207007402 A KR 1020207007402A KR 20207007402 A KR20207007402 A KR 20207007402A KR 102649151 B1 KR102649151 B1 KR 102649151B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
photocurable composition
mass
imprinting
parts
Prior art date
Application number
KR1020207007402A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200068649A (ko
Inventor
타케히로 나가사와
케이스케 슈토
Original Assignee
닛산 가가쿠 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 filed Critical 닛산 가가쿠 가부시키가이샤
Publication of KR20200068649A publication Critical patent/KR20200068649A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102649151B1 publication Critical patent/KR102649151B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/44—Polymerisation in the presence of compounding ingredients, e.g. plasticisers, dyestuffs, fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • C08F2/50—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light with sensitising agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F220/32—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing epoxy radicals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10—Esters
    • C08F220/34—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate
    • C08F220/343—Esters containing nitrogen, e.g. N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate in the form of urethane links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
    • C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
    • C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06—Polymers provided for in subclass C08G
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/014—Stabilisers against oxidation, heat, light or ozone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/30—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/005—Stabilisers against oxidation, heat, light, ozone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/04—Oxygen-containing compounds
    • C08K5/13—Phenols; Phenolates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/36—Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
    • C08K5/37—Thiols
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • G02B1/041—Lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755—Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

[과제] 광학특성이 우수하며, 임프린트 후의 지지체의 휨량이 종래보다 훨씬 작은 경화물(성형체)을 형성할 수 있음과 함께, 열처리에 의해 이 경화물(성형체)의 상층의 반사방지층에 크랙이 발생하지 않는, 광경화성 조성물을 제공한다.
[해결수단] (a)지환식 (메트)아크릴레이트 화합물, (b)우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물, (c)중합성기로서 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 실란 화합물 또는 이 실란 화합물을 포함하는 적어도 1종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물, 및 (d)광라디칼개시제를 포함하는 임프린트용 광경화성 조성물.

Description

임프린트용 광경화성 조성물
본 발명은, 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물, 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물, 중합성기로서 (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 실란 화합물 또는 이 실란 화합물을 포함하는 적어도 1종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물, 및 광라디칼개시제를 포함하는 임프린트용 광경화성 조성물에 관한 것이다. 상세하게는, 광학특성(투명성, 고굴절률, 고아베수)이 우수하며, 임프린트 후의 지지체의 휨량이 종래보다 훨씬 작은 경화물 및 성형체를 형성할 수 있음과 함께, 이 경화물 및 성형체의 상층에 반사방지층(AR층)을 성막 후, 열처리를 거쳐도 이 반사방지층에 크랙이 발생하지 않는, 광경화성 조성물에 관한 것이다.
수지렌즈는, 휴대전화, 디지털카메라, 차재카메라 등의 전자기기에 이용되고 있으며, 그 전자기기의 목적에 따른, 우수한 광학특성을 갖는 것이 요구된다. 또한, 사용태양에 맞춰, 높은 내구성, 예를 들어 내열성 및 내후성, 그리고 수율좋게 성형할 수 있는 높은 생산성이 요구되고 있다. 이러한 요구를 만족하는 수지렌즈용의 재료로는, 예를 들어, 폴리카보네이트수지, 시클로올레핀폴리머, 메타크릴수지 등의 열가소성의 투명수지가 사용되어 왔다.
또한, 고해상도 카메라모듈에는 복수매의 렌즈가 이용되는데, 파장분산성이 낮은, 즉 고아베수를 갖는 렌즈가 주로 사용되고 있으며, 이것을 형성하는 광학재료가 요구되고 있다. 나아가, 수지렌즈의 제조에 있어서, 수율이나 생산효율의 향상, 더 나아가서는 렌즈적층시의 광축어긋남의 억제를 위해, 열가소성 수지의 사출성형으로부터, 실온에서 액상인 경화성 수지를 사용한 압착(押し付け)성형에 의한 웨이퍼레벨성형으로의 이행이 활발히 검토되고 있다. 웨이퍼레벨성형에서는, 생산성의 관점으로부터, 유리기판 등의 지지체 상에 렌즈를 형성하는 하이브리드렌즈방식이 일반적이다.
웨이퍼레벨성형이 가능한 광경화성 수지로는, 종래, 고투명성, 내열황변색성 및 금형으로부터의 이형성의 관점으로부터, 라디칼경화성 수지 조성물이 이용되고 있다(특허문헌 1).
또한, 실란 화합물로 표면수식된 실리카입자, 분산제로 표면수식된 산화지르코늄입자 등의, 표면수식된 산화물입자를 함유함으로써, 높은 아베수의 경화물이 얻어지는 경화성 조성물이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 2 및 특허문헌 3).
일본특허 제5281710호(국제공개 제2011/105473호) 일본특허공개 2014-234458호 공보 국제공개 제2016/104039호
최근, 카메라모듈의 박화에 대한 시장요구에 수반하여, 하이브리드렌즈방식에 이용되는 지지체의 두께가 박화되고 있다. 이에 따라, 특허문헌 1에 기재되어 있는 라디칼경화성 수지 조성물을 이용하면, 열처리를 수반하는 실장프로세스 후에, 렌즈 등의 성형체가 형성된 지지체가 쉽게 휜다는 과제가 현재화(顯在化)되고 있다. 상기 과제를 해결하기 위해, 사용하는 광경화성 수지의 탄성율을 낮추는 대책이 채용되고 있다. 그러나, 성형체가 렌즈인 경우, 그의 상층에 산화규소, 산화티탄 등의 무기물로 이루어지는 반사방지층이 형성된다. 이에 따라, 휨량이 작은 지지체 상에 형성되며, 반사방지층으로 피복된 렌즈를 열처리함으로써, 그 반사방지층에 크랙이 발생한다는 과제를 갖고 있다.
또한, 특허문헌 2 또는 특허문헌 3에 기재된 표면수식된 산화물입자를 함유하는 경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물은, 이 산화물입자의 편석, 투명성이 낮고, 무르고 내크랙성이 뒤떨어진다는 문제가 염려된다. 그리고, 이 문제는, 표면수식된 산화물입자의 함유량이 증가할수록 현저해진다.
이에 따라, 고아베수(예를 들어 53 이상) 및 높은 투명성을 가지며, 하이브리드렌즈방식으로 유리기판 등의 지지체의 휨량이 작은, 고해상도 카메라모듈용 렌즈로서 사용할 수 있는 경화물 및 성형체가 얻어지고, 더 나아가서는 그 후의 열처리에 의해 이 경화물 및 성형체의 상층에 성막된 반사방지층에 크랙이 발생하지 않는, 경화성 수지재료는 아직 없어, 그 개발이 요망되고 있었다. 본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 고아베수, 고굴절률, 고투명성 및 내열황변성을 나타내는 경화물 및 성형체를 형성할 수 있고, 또한 지지체의 휨량이 종래보다 작기 때문에 하이브리드렌즈방식으로 이 경화물 및 성형체를 제작하기에 호적하며, 또한 열처리에 의해 이 경화물 및 성형체의 상층의 반사방지층에 크랙이 발생하지 않는, 광경화성 조성물을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자들은, 상기의 과제를 해결하기 위해 예의검토를 행한 결과, (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 실란 화합물 또는 이 실란 화합물을 포함하는 적어도 1종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물을, 광경화성 조성물에 소정의 비율로 배합함으로써, 이 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체는, 높은 아베수νD(53 이상)를 가지며, 파장 410nm에 있어서 90% 이상의 높은 투과율을 나타냄과 함께, 지지체의 휨량이 매우 작고(0μm 이상 1.5μm 미만), 175℃에서의 열처리에 의해 이 경화물 및 성형체의 상층의 반사방지층에 크랙이 발생하지 않는 것을 발견하여, 본 발명을 완성하였다.
즉 본 발명의 제1 태양은, 하기 (a)성분, 하기 (b)성분, 하기 (c)성분, 및 하기 (d)성분을 포함하며, 이 (a)성분 및 이 (b)성분의 합 100질량부에 대해, 이 (b)성분이 30질량부 내지 90질량부 및 이 (c)성분이 1질량부 내지 100질량부이고, 이 (a)성분, 이 (b)성분 및 이 (c)성분의 합 100질량부에 대해 이 (d)성분이 0.1질량부 내지 5질량부인, 임프린트용 광경화성 조성물이다.
(a): 1분자 중에 (메트)아크릴로일옥시기를 적어도 1개 갖는 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물(단, (b)성분의 화합물을 제외한다.)
(b): 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물
(c): 하기 식(1)로 표시되는 실란 화합물, 또는 이 식(1)로 표시되는 실란 화합물을 포함하는 적어도 1종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물
(d): 광라디칼개시제
[화학식 1]
Figure 112020026407319-pct00001
(식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 8의 알킬렌기를 나타내고, R3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, R4는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, a는 2 또는 3을 나타낸다.)
상기 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물이, 1분자 중에 (메트)아크릴로일옥시기를 예를 들어 1개 또는 2개 갖는다.
상기 가수분해 중축합물이, 예를 들어, 하기 식(1a)로 표시되는 구조단위 또는 하기 식(1b)로 표시되는 구조단위를 갖는 오르가노폴리실록산이다.
[화학식 2]
Figure 112020026407319-pct00002
(식 중, R1, R2 및 R4는 상기 식(1)에 있어서의 정의와 동의이다.)
상기 (c)성분이, 상기 식(1)로 표시되는 실란 화합물과 하기 식(2)로 표시되는 실란 화합물을 포함하는 적어도 2종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물일 수도 있다.
[화학식 3]
Figure 112020026407319-pct00003
(식 중, Rf는 탄소원자수 1 내지 12의 플루오로알킬기를 나타내고, R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, R6은 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, b는 2 또는 3을 나타낸다.)
상기 식(2)에 있어서 Rf가, 예를 들어, 하기 식(3)으로 표시되는 기이다.
[화학식 4]
Figure 112020026407319-pct00004
(식 중, Y는 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, c는 0 내지 2의 정수를 나타내고, d는 1 내지 6의 정수를 나타내고, *은 규소원자와의 결합손(結合手)을 나타낸다.)
상기 가수분해 중축합물이, 예를 들어, 하기 식(1a)로 표시되는 구조단위 및 하기 식(2a)로 표시되는 구조단위를 갖는 오르가노폴리실록산, 또는 하기 식(1b)로 표시되는 구조단위 및 하기 식(2b)로 표시되는 구조단위를 갖는 오르가노폴리실록산이다.
[화학식 5]
Figure 112020026407319-pct00005
(식 중, R1, R2 및 R4는 상기 식(1)에 있어서의 정의와 동의이고, R6 및 Rf는 상기 식(2)에 있어서의 정의와 동의이다.)
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은 추가로, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해 0.05질량부 내지 3질량부의 하기 (e)성분 및/또는 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해 0.1질량부 내지 3질량부의 하기 (f)성분을 함유할 수도 있다.
(e): 페놀계 산화방지제
(f): 설파이드계 산화방지제
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은 추가로, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해, 1질량부 내지 20질량부의 하기 (g)성분을 함유할 수도 있다.
(g): 하기 식(4)로 표시되는 다관능티올 화합물
[화학식 6]
Figure 112020026407319-pct00006
(식 중, R7은 단결합 또는 탄소원자수 1 내지 6의 직쇄상 혹은 분지쇄상의 알킬렌기를 나타내고, X는 단결합 또는 에스테르결합을 나타내고, A는 헤테로원자를 적어도 1개 포함하거나 혹은 헤테로원자를 포함하지 않는 탄소원자수 2 내지 12의 유기기 또는 헤테로원자를 나타내고, r1은 2 내지 6의 정수를 나타낸다.)
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은, 그의 경화물의 파장 589nm에 있어서의 굴절률nD가 1.48 이상 1.55 이하이고, 또한 이 경화물의 아베수νD가 53 이상 60 이하이다.
본 발명의 제2 태양은, 상기 임프린트용 광경화성 조성물의 경화물이다.
본 발명에 제3 태양은, 상기 임프린트용 광경화성 조성물을 임프린트성형하는 공정을 포함하는, 수지렌즈의 제조방법이다.
본 발명의 제4 태양은, 임프린트용 광경화성 조성물의 성형체의 제조방법으로서, 상기 임프린트용 광경화성 조성물을, 맞닿은(接し合う) 지지체와 주형 사이의 공간, 또는 분할가능한 주형의 내부의 공간에 충전하는 공정, 및 이 공간에 충전된 임프린트용 광경화성 조성물을 노광하여 광경화하는 공정을 포함하는, 성형체의 제조방법이다. 상기 주형은 몰드라고도 칭한다.
본 발명의 성형체의 제조방법에 있어서, 상기 광경화하는 공정의 후, 얻어진 광경화물을 취출하여 이형하는 공정, 그리고, 이 광경화물을, 이 이형하는 공정의 전, 중도 또는 후에 있어서 가열하는 공정을 추가로 포함할 수도 있다.
본 발명의 성형체의 제조방법에 있어서, 이 성형체는, 예를 들어 카메라모듈용 렌즈이다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은, 상기 (a)성분 내지 상기 (d)성분을 포함하며, 추가로 임의로, 상기 (e)성분 및/또는 상기 (f)성분, 그리고 상기 (g)성분을 포함하므로, 이 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체가, 광학디바이스, 예를 들어, 고해상도 카메라모듈용의 렌즈로서 바람직한 광학특성, 즉 고아베수, 고굴절률, 고투명성 및 내열황변성을 나타낸다. 또한, 상기 경화물 및 성형체가 형성된 지지체의 휨량이 매우 작고(0μm 이상 1.5μm 미만), 또한 175℃에서의 열처리에 의해 이 경화물 및 성형체의 상층의 반사방지층에 크랙이 발생하지 않는다.
도 1은 유리기판의 휨량의 평가방법을 나타내는 모식도이다.
[(a)성분: 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (a)성분으로서 사용가능한 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물은, 1분자 중에 (메트)아크릴로일옥시기를 적어도 1개 및 지환식 탄화수소기를 1개 가지며, 또한 후술하는 (b)성분의 화합물을 제외하는 것이다. 이 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물로서, 예를 들어, 시클로펜틸(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 3,3,5-트리메틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-tert-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 멘틸(메트)아크릴레이트, 이소보닐(메트)아크릴레이트, 노보닐(메트)아크릴레이트, 1-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-아다만틸(메트)아크릴레이트, 2-메틸아다만탄-2-일(메트)아크릴레이트, 2-에틸아다만탄-2-일(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.0(2,6)]데카닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.0(2,6)]데카닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 1,4-시클로헥산디메탄올디(메트)아크릴레이트, 트리시클로[5.2.1.0(2,6)]데칸디메탄올디(메트)아크릴레이트, 및 1,3-아다만탄디올디(메트)아크릴레이트를 들 수 있다.
상기 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물로서 시판품을 이용할 수도 있고, 예를 들어, 비스코트#155, IBXA, ADMA(이상, 오사카유기화학공업(주)제), NK에스테르A-IB, 동(同) IB, 동 A-DCP, 동 DCP(이상, 신나카무라화학공업(주)제), 및 판크릴(등록상표) FA-511AS, 동 FA-512AS, 동 FA-513AS, 동 FA-512M, 동 FA-512MT, 동 FA-513M(이상, 히타치화성(주)제)을 들 수 있다.
상기 (a)성분의 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[(b)성분: 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (b)성분으로서 사용가능한 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물은, 1분자 중에 (메트)아크릴로일옥시기를 적어도 2개 및 “-NH-C(=O)O-”로 표시되는 우레탄구조를 적어도 2개 갖는 화합물이다. 이 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물로서, 예를 들어, EBECRYL(등록상표) 230, 동 270, 동 280/15IB, 동 284, 동 4491, 동 4683, 동 4858, 동 8307, 동 8402, 동 8411, 동 8804, 동 8807, 동 9270, 동 8800, 동 294/25HD, 동 4100, 동 4220, 동 4513, 동 4738, 동 4740, 동 4820, 동 8311, 동 8465, 동 9260, 동 8701, KRM7735, 동 8667, 동 8296(이상, 다이셀·올넥스(주)제), UV-2000B, UV-2750B, UV-3000B, UV-3200B, UV-3210EA, UV-3300B, UV-3310B, UV-3500B, UV-3520EA, UV-3700B, UV-6640B, UV-6630B, UV-7000B, UV-7510B, UV-7461TE(이상, 일본합성화학(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, UA-510H, UF-8001G(이상, 공영사화학(주)제), M-1100, M-1200(이상, 동아합성(주)제), 및 NK올리고 U-2PPA, 동 U-6LPA, 동 U-200PA, U-200PA, 동 U-160TM, 동 U-290TM, 동 UA-4200, 동 UA-4400, 동 UA-122P, 동 UA-7100, 동 UA-W2A(이상, 신나카무라화학공업(주)제)를 들 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (b)성분으로서 사용가능한 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물은, 1분자 중에 에폭시환을 적어도 2개 갖는 화합물과 (메트)아크릴산을 반응시킨 에스테르이다. 이 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물로서, 예를 들어, EBECRYL(등록상표) 645, 동 648, 동 860, 동 3500, 동 3608, 동 3702, 동 3708(이상, 다이셀·올넥스(주)제), DA-911M, DA-920, DA-931, DA-314, DA-212(이상, 나가세켐텍스(주)제), HPEA-100(케이에스엠(주)제), 및 유니딕(등록상표) V-5500, 동 V-5502, 동 V-5508(DIC(주)제)을 들 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (b)성분의 함유량은, 상기 (a)성분 및 이 (b)성분의 합 100질량부에 대해, 30질량부 내지 90질량부, 바람직하게는 50질량부 내지 90질량부이다. 이 (b)성분의 함유량이 30질량부보다 적으면, 상기 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어진 경화물 및 성형체가 형성된 지지체의 휨이 증가할 우려가 있다. 또한 이 (b)성분의 함유량이 90질량부보다 많으면, 이 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어진 경화물 및 성형체의 굴절률이 1.48 미만으로 저하될 우려가 있다.
상기 (b)성분의 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[(c)성분: 실란 화합물, 또는 이 실란 화합물을 포함하는 적어도 1종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (c)성분으로서 사용가능한 실란 화합물은, (메트)아크릴로일옥시기를 갖는 상기 식(1)로 표시되는 실란 화합물이다. 이 식(1)로 표시되는 실란 화합물로서, 예를 들어, (메트)아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, (메트)아크릴로일옥시프로필트리에톡시실란, (메트)아크릴로일옥시옥틸트리메톡시실란, (메트)아크릴로일옥시옥틸트리에톡시실란, (메트)아크릴로일옥시프로필메틸디메톡시실란, 및 (메트)아크릴로일옥시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (c)성분으로서 사용가능한 가수분해 중축합물은, 상기 식(1)로 표시되는 실란 화합물의 가수분해 중축합물, 플루오로알킬기를 갖는 상기 식(2)로 표시되는 실란 화합물과 이 식(1)로 표시되는 실란 화합물과의 가수분해 중축합물, 이 식(2)로 표시되는 실란 화합물과 이 식(1)로 표시되는 실란 화합물과 기타 실란 화합물과의 가수분해 중축합물, 또는 이 식(1)로 표시되는 실란 화합물과 이 기타 실란 화합물과의 가수분해 중축합물이다. 이 식(2)로 표시되는 실란 화합물로서, 예를 들어, 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필메틸디메톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필트리에톡시실란, 3,3,3-트리플루오로프로필메틸디에톡시실란, 트리메톡시(1H,1H,2H,2H-노나플루오로헥실)실란, 메틸디메톡시(1H,1H,2H,2H-노나플루오로헥실)실란, 트리에톡시(1H,1H,2H,2H-노나플루오로헥실)실란, 메틸디에톡시(1H,1H,2H,2H-노나플루오로헥실)실란, 트리메톡시(1H,1H,2H,2H-트리데카플루오로-n-옥틸)실란, 및 트리에톡시(1H,1H,2H,2H-트리데카플루오로-n-옥틸)실란을 들 수 있다. 상기 기타 실란 화합물은, 상기 식(1)로 표시되는 실란 화합물, 상기 식(2)로 표시되는 실란 화합물의 어느 것에도 해당하지 않는 실란 화합물이다. 이 기타 실란 화합물로서, 예를 들어, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 에틸트리메톡시실란, 에틸트리에톡시실란, n-프로필트리메톡시실란, n-프로필트리에톡시실란, n-헥실트리메톡시실란, n-헥실트리에톡시실란, n-옥틸트리메톡시실란, n-옥틸트리에톡시실란, 테트라메톡시실란, 및 테트라에톡시실란을 들 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (c)성분의 함유량은, 상기 (a)성분 및 상기 (b)성분의 합 100질량부에 대해 1질량부 내지 100질량부, 바람직하게는 5질량부 내지 80질량부이다. 이 (c)성분의 함유량이 1질량부보다 적으면, 상기 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체의 상층의 반사방지층은 열처리에 의해 크랙이 발생한다. 또한 이 (c)성분의 함유량이 100질량부보다 많으면, 이 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체는, 굴절률이 저하되므로, 고해상도 카메라모듈용 렌즈에는 적합하지 않다.
상기 (c)성분의 실란 화합물 또는 가수분해 중축합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[(d)성분: 광라디칼개시제]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (d)성분으로서 사용가능한 광라디칼개시제로서, 예를 들어, 알킬페논류, 벤조페논류, 미힐러(Michler)의 케톤류, 아실포스핀옥사이드류, 벤조일벤조에이트류, 옥심에스테르류, 테트라메틸티우람모노설파이드류 및 티옥산톤류를 들 수 있고, 특히, 광개열형의 광라디칼중합개시제가 바람직하다. 상기 광라디칼개시제로서 시판품, 예를 들어, IRGACURE(등록상표) 184, 동 369, 동 651, 동 500, 동 819, 동 907, 동 784, 동 2959, 동 CGI1700, 동 CGI1750, 동 CGI1850, 동 CG24-61, 동 TPO, 동 1116, 동 1173(이상, BASF재팬(주)제), 및 ESACURE KIP150, 동 KIP65LT, 동 KIP100F, 동 KT37, 동 KT55, 동 KTO46, 동 KIP75(이상, Lamberti사제)를 채용할 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (d)성분의 함유량은, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해 0.1질량부 내지 5질량부, 바람직하게는 0.5질량부 내지 3질량부이다. 이 (d)성분의 함유량이 0.1질량부보다 적으면, 상기 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체의 강도가 저하될 우려가 있다. 또한 이 (d)성분의 함유량이 5질량부보다 많으면, 이 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체의 내열황변성이 악화될 우려가 있다.
상기 (d)성분의 광라디칼개시제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[(e)성분: 페놀계 산화방지제]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (e)성분으로서 사용가능한 페놀계 산화방지제로서, 예를 들어, IRGANOX(등록상표) 245, 동 1010, 동 1035, 동 1076, 동 1135(이상, BASF재팬(주)제), SUMILIZER(등록상표) GA-80, 동 GP, 동 MDP-S, 동 BBM-S, 동 WX-R(이상, 스미토모화학(주)제), 및 아데카스타브(등록상표) AO-20, 동 AO-30, 동 AO-40, 동 AO-50, 동 AO-60, 동 AO-80, 동 AO-330(이상, (주)ADEKA제)을 들 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (e)성분의 함유량은, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해, 0.05질량부 내지 3질량부, 바람직하게는 0.1질량부 내지 1질량부이다.
상기 (e)성분의 페놀계 산화방지제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
[(f)성분: 설파이드계 산화방지제]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (f)성분으로서 사용가능한 설파이드계 산화방지제로서, 예를 들어, 아데카스타브(등록상표) AO-412S, 동 AO-503(이상, (주)ADEKA제), IRGANOX(등록상표) PS802, 동 PS800(이상, BASF재팬(주)제), 및 SUMILIZER(등록상표) TP-D(스미토모화학(주)제)를 들 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (f)성분의 함유량은, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해, 0.1질량부 내지 3질량부, 바람직하게는 0.1질량부 내지 1질량부이다.
상기 (f)성분의 설파이드계 산화방지제는, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은, 상기 (e)성분 및 상기 (f)성분 중 어느 일방을 함유하고 있으면 되는데, 양방을 함유할 수도 있다. 이 (e)성분 및/또는 이 (f)성분의 함유량이 상기 범위의 하한값보다 적으면, 열처리를 수반하는 실장프로세스 전후로, 상기 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체의 투과율이 변화할 우려가 있다. 또한 이 (e)성분 및/또는 이 (f)성분의 함유량이 상기 범위의 상한값보다 많으면, 이 광경화성 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 성형체는 취화(脆化)되고, 또한 사용환경에서 태양광 등의 강한 광에 노출될 때에 녹색으로 변색될 우려가 있다.
[(g)성분: 다관능티올 화합물]
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (g)성분으로서 사용가능한 다관능티올 화합물은, 상기 식(4)로 표시되는 다관능티올 화합물이다. 이 식(4)로 표시되는 다관능티올 화합물로서, 예를 들어, 1,2-에탄디티올, 1,3-프로판디티올, 비스(2-메르캅토에틸)에테르, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 트리스-[(3-메르캅토프로피오닐옥시)-에틸]-이소시아누레이트, 테트라에틸렌글리콜비스(3-메르캅토프로피오네이트), 디펜타에리스리톨헥사키스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-메르캅토부티레이트), 1,4-비스(3-메르캅토부티릴옥시)부탄, 1,3,5-트리스(3-메르캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판트리스(3-메르캅토부티레이트), 및 트리메틸올에탄트리스(3-메르캅토부티레이트), 펜타에리스리톨트리스(3-메르캅토프로필)에테르를 들 수 있다. 상기 식(4)로 표시되는 다관능티올 화합물로서, 시판품, 예를 들어, 카렌즈MT(등록상표) PE1, 동 NR1, 동 BD1, TPMB, TEMB(이상, 쇼와덴코(주)제), 및 TMMP, TEMPIC, PEMP, EGMP-4, DPMP, TMMP II-20P, PEMP II-20P, PEPT(이상, SC유기화학(주)제)를 채용할 수 있다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 (g)성분의 함유량은, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해, 1질량부 내지 25질량부, 바람직하게는 5질량부 내지 15질량부이다. 이 (g)성분의 함유량이 1질량부보다 적으면, 상기 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어진 경화물 및 성형체가 형성된 지지체의 휨이 커질 우려가 있다. 또한 이 (g)성분의 함유량이 25질량부보다 많으면, 이 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어진 경화물 및 성형체는 기계특성이 악화되기 때문에, 열처리를 수반하는 실장프로세스에서 이 경화물 및 성형체가 변형될 우려가 있다.
상기 (g)성분의 다관능티올 화합물은, 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
<임프린트용 광경화성 조성물의 조제방법>
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물의 조제방법은, 특별히 한정되지 않는다. 조제법으로는, 예를 들어, (a)성분, (b)성분, (c)성분 및 (d)성분, 그리고 필요에 따라 (e)성분 및/또는 (f)성분, 및 (g)성분을 소정의 비율로 혼합하여 혼합하고 균일한 용액으로 하는 방법을 들 수 있다.
또한, 용액에 조제한 본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은, 구멍직경이 0.1μm 내지 5μm인 필터 등을 이용하여 여과한 후, 사용하는 것이 바람직하다.
<경화물>
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물을, 노광(광경화)하여, 경화물을 얻을 수 있으며, 본 발명은 이 경화물도 대상으로 한다. 노광하는 광선으로는, 예를 들어, 자외선, 전자선 및 X선을 들 수 있다. 자외선 조사에 이용하는 광원으로는, 예를 들어, 태양광선, 케미칼램프, 저압수은등, 고압수은등, 메탈할라이드램프, 크세논램프, 및 UV-LED를 사용할 수 있다. 또한, 노광 후, 경화물의 물성을 안정화시키기 위해 포스트베이크를 실시할 수도 있다. 포스트베이크의 방법으로는, 특별히 한정되지 않으나, 통상, 핫플레이트, 오븐 등을 사용하여, 50℃ 내지 260℃, 1분 내지 24시간의 범위에서 행해진다.
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물을 광경화함으로써 얻어지는 경화물은, 아베수νD가 53 이상으로 높은 것이고, 파장 589nm(D선)에 있어서의 굴절률nD가 1.48 이상이며, 또한, 가열에 의한 황변도 보이지 않는다. 그러므로, 본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은, 수지렌즈 형성용으로서 호적하게 사용할 수 있다.
<성형체>
본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물은, 예를 들어 임프린트성형법을 사용함으로써, 경화물의 형성과 병행하여 각종 성형체를 용이하게 제조할 수 있다. 성형체를 제조하는 방법으로는, 예를 들어 맞닿은 지지체와 주형 사이의 공간, 또는 분할가능한 주형의 내부의 공간에 본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물을 충전하는 공정, 이 공간에 충전된 임프린트용 광경화성 조성물을 노광하여 광경화하는 공정, 이 광경화하는 공정에 의해 얻어진 광경화물을 취출하여 이형하는 공정, 그리고, 이 광경화물을, 이 이형하는 공정의 전, 중도 또는 후에 있어서 가열하는 공정을 포함하는 방법을 들 수 있다.
상기 노광하여 광경화하는 공정은, 상기 서술한 경화물을 얻기 위한 조건을 적용하여 실시할 수 있다. 나아가, 상기 광경화물을 가열하는 공정의 조건으로는, 특별히 한정되지 않으나, 통상, 50℃ 내지 260℃, 1분 내지 24시간의 범위에서 적당히 선택된다. 또한, 가열수단으로는, 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어, 핫플레이트 및 오븐을 들 수 있다. 이러한 방법에 의해 제조된 성형체는, 카메라모듈용 렌즈로서 호적하게 사용할 수 있다.
실시예
이하, 실시예를 들어, 본 발명을 보다 구체적으로 설명하나, 본 발명은 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 한편, 하기 실시예 및 비교예에 있어서, 시료의 조제 및 물성의 분석에 이용한 장치 및 조건은, 이하와 같다.
(1) 교반탈포기
장치: (주)싱키제 자전·공전믹서 아와토리렌타로(등록상표) ARE-310
(2) UV노광
장치: 아이그래픽스(주)제 배치식 UV조사장치(고압수은등 2kW×1등)
(3) 투과율
장치: 일본분광(주)제 자외가시근적외 분광광도계 V-670
레퍼런스: 공기
(4) 굴절률nD, 아베수νD
장치: 안톤파사제 다파장굴절계 Abbemat MW
측정온도: 23℃
(5) 휨량 측정, 렌즈높이 측정
장치: 미타카코키(주)제 비접촉 표면성상 측정장치 PF-60
(6) 반사방지층의 성막
장치: 삼유전자(주)제 RF스퍼터장치 SRS-700T/LL
방식: RF스퍼터·마그네트론방식
조건: 타겟재=실리콘, RF파워=250W,
타겟·기판간의 수직거리=100mm,
옵셋거리=100mm,
Ar유량=45sccm, O2유량=2sccm,
온도=실온, 스퍼터시간=15분
(7) 광학현미경
장치: (주)키엔스제 VHX-1000, VH-Z1000R
조건: 반사(명시야), 대물 500배
(8) 렌즈성형
장치: 메이쇼기공(주)제 6인치대응 나노임프린터
광원: 고압수은등, i선 밴드패스필터 HB0365(아사히분광(주)제)를 통해 노광
성형조건: 압착압 100N, 20mW/cm2×300초
나아가, 하기 합성예에서 나타내는 오르가노폴리실록산의 중량평균분자량Mw는, 겔퍼미에이션크로마토그래피(이하, 본 명세서에서는 GPC라 약칭한다.)에 의한 측정 결과이다. 측정에는, (주)시마즈제작소제 GPC시스템을 이용하였다. 해당 GPC시스템의 구성과, 측정조건은 하기와 같다.
GPC시스템 구성
시스템컨트롤러: CBM-20A, 컬럼오븐: CTO-20A, 오토샘플러: SIL-10AF, 검출기: SPD-20A 및 RID-10A, 배기유닛: DGU-20A3
GPC컬럼: Shodex(등록상표) KF-804L 및 KF-803L
컬럼온도: 40℃
용매: 테트라하이드로푸란
유량: 1mL/분
표준시료: 상이한 중량평균분자량(197000, 55100, 12800, 3950, 1260)의 폴리스티렌 5종
각 합성예, 실시예 및 비교예에 있어서 사용한 화합물의 공급원은 이하와 같다.
A-DCP: 신나카무라화학공업(주)제 상품명: NK에스테르 A-DCP
FA513AS: 히타치화성(주)제 상품명: 판크릴(등록상표) FA-513AS
UA-4200: 신나카무라화학공업(주)제 상품명: NK올리고 UA-4200
APTMS: 아크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 신에쓰화학공업(주)제 상품명: KBM-5103
MPTMS: 메타크릴로일옥시프로필트리메톡시실란, 신에쓰화학공업(주)제 상품명: KBM-503
TFPTMS: 3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란, 신에쓰화학공업(주)제 상품명: KBM-7103
TDFOTMS: 트리메톡시(1H,1H,2H,2H-트리데카플루오로-n-옥틸)실란, 동경화성공업(주)제
NPTMS: n-프로필트리메톡시실란, 신에쓰화학공업(주)제 상품명: KBM-3033
NR1: 쇼와덴코(주)제 상품명: 카렌즈(등록상표) MT NR1
I184: BASF재팬(주)제 상품명: Irgacure(등록상표) 184
I245: BASF재팬(주)제 상품명: Irganox(등록상표) 245
[합성예 1] 오르가노폴리실록산(AF-55)의 제조
응축기를 구비한 500mL의 반응플라스크에, 35질량%수산화테트라에틸암모늄 7.71g(18.3mmol), 이온교환수 24.7g(1371mmol), 및 테트라하이드로푸란(이하, 본 명세서에서는 THF라 약칭한다.) 165.9g을 투입하고, 질소벌룬을 이용하여 이 반응플라스크 중의 공기를 질소로 치환하였다. 그 후, 실온하, 적하깔때기를 이용하여, APTMS 107.4g(458mmol) 및 TFPTMS 100.0g(458mmol)의 혼합물을, 약 10분간에 걸쳐 상기 반응플라스크에 적하하였다. 이 반응플라스크 내의 혼합물을 40℃로 승온하고, 4시간 교반하였다.
교반종료 후, 얻어진 반응물을 실온(약 25℃)으로 냉각하고, 이온교환수지 앰버리스트(등록상표) 15JWET 20.7g 및 분말셀룰로오스 KC플록(등록상표) W-100GK(일본제지(주)제) 4.15g을 첨가하고, 1시간 교반함으로써 반응을 정지시켰다. 그 후, 0.5μm 멤브레인필터로 여과하고, 아세트산에틸 207.4g으로 여물을 세정하였다. 얻어진 여액에 중합금지제로서 4-메톡시페놀(동경화성공업(주)제) 0.144g을 첨가하고, 교반함으로써 용해시킨 후, 이배퍼레이터를 이용하여 용매를 유거함으로써, 목적으로 하는 오르가노폴리실록산(AF-55) 145.1g을 얻었다. 얻어진 오르가노폴리실록산(AF-55)을 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌환산으로 중량평균분자량Mw는 2,200, 분산도: Mw/Mn은 1.1이었다.
[합성예 2] 오르가노폴리실록산(MF-55)의 제조
응축기를 구비한 500mL의 반응플라스크에, 35질량%수산화테트라에틸암모늄 6.94g(16.5mmol), 이온교환수 22.2g(1234mmol), 및 THF 153.9g을 투입하고, 질소벌룬을 이용하여 이 반응플라스크 중의 공기를 질소로 치환하였다. 그 후, 실온하, 적하깔때기를 이용하여, MPTMS 102.4g(412mmol) 및 TFPTMS 90.0g(412mmol)의 혼합물을, 약 10분간에 걸쳐 상기 반응플라스크에 적하하였다. 이 반응플라스크 내의 혼합물을 40℃로 승온하고, 4시간 교반하였다.
교반종료 후, 얻어진 반응물을 실온(약 25℃)으로 냉각하고, 이온교환수지 앰버리스트(등록상표) 15JWET 19.2g 및 분말셀룰로오스 KC플록(등록상표) W-100GK(일본제지(주)제) 3.85g을 첨가하고, 1시간 교반함으로써 반응을 정지시켰다. 그 후, 0.5μm 멤브레인필터로 여과하고, 아세트산에틸 192.4g으로 여물을 세정하였다. 얻어진 여액에 중합금지제로서 4-메톡시페놀(동경화성공업(주)제) 0.135g을 첨가하고, 교반함으로써 용해시킨 후, 이배퍼레이터를 이용하여 용매를 유거함으로써, 목적으로 하는 오르가노폴리실록산(MF-55) 134.1g을 얻었다. 얻어진 오르가노폴리실록산(MF-55)을 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌환산으로 중량평균분자량Mw는 2,000, 분산도: Mw/Mn은 1.1이었다.
[합성예 3] 오르가노폴리실록산(M6FP-50545)의 제조
응축기를 구비한 200mL의 반응플라스크에, 35질량%수산화테트라에틸암모늄 1.80g(4.27mmol), 이온교환수 5.76g(320mmol), 및 THF 37.8g을 투입하고, 질소벌룬을 이용하여 이 반응플라스크 중의 공기를 질소로 치환하였다. 그 후, 실온하, 적하깔때기를 이용하여, MPTMS 26.5g(107mmol), TDFOTMS 5.00g(10.7mmol), 및 NPTMS 15.8g(96.1mmol)의 혼합물을, 약 10분간에 걸쳐 상기 반응플라스크에 적하하였다. 이 반응플라스크 내의 혼합물을 40℃로 승온하고, 4시간 교반하였다.
교반종료 후, 얻어진 반응물을 실온(약 25℃)으로 냉각하고, 이온교환수지 앰버리스트(등록상표) 15JWET 4.73g과 분말셀룰로오스 KC플록(등록상표) W-100GK(일본제지(주)제) 0.946g을 첨가하고, 1시간 교반함으로써 반응을 정지시켰다. 그 후, 0.5μm 멤브레인필터로 여과하고, 아세트산에틸 47.3g으로 여물을 세정하였다. 얻어진 여액에 중합금지제로서 4-메톡시페놀(동경화성공업(주)제) 0.0325g을 첨가하고, 교반함으로써 용해시킨 후, 이배퍼레이터를 이용하여 용매를 유거함으로써, 목적으로 하는 오르가노폴리실록산(M6FP-50545) 33.0g을 얻었다. 얻어진 오르가노폴리실록산(M6FP-50545)을 GPC로 측정한 바, 폴리스티렌환산으로 중량평균분자량Mw는 4,400, 분산도: Mw/Mn은 1.6이었다.
[실시예 1]
(a)상기 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물로서 A-DCP, (b)우레탄(메트)아크릴레이트 화합물로서 UA-4200, (d)광라디칼개시제로서 I184, 및 (e)페놀계 산화방지제로서 I245를, 각각 하기 표 1에 기재된 비율로 배합하고, 50℃에서 3시간 진탕시켜, 혼합하였다. 그 후, (c)합성예 1에서 제조한 오르가노폴리실록산(AF-55), 및 (g)상기 식(4)로 표시되는 다관능티올 화합물로서 NR1을 첨가하고, 상기 교반탈포기를 이용하여 30분간, 교반혼합하였다. 추가로 동일장치를 이용하여 10분간 교반탈포함으로써 임프린트용 광경화성 조성물1을 조제하였다. 한편, 하기 표 1 중, 「부」는 「질량부」를 나타낸다.
[실시예 2 내지 실시예 7]
상기 실시예 1과 동일한 수순으로, (a)성분 내지 (e)성분 및 (g)성분을 하기 표 1에 나타내는 비율로 혼합함으로써, 임프린트용 광경화성 조성물2 내지 7을 조제하였다.
[실시예 8 및 실시예 9]
상기 실시예 1과 동일한 수순으로, (a)성분 내지 (e)성분을 하기 표 1에 나타내는 비율로 혼합함으로써, 임프린트용 광경화성 조성물8 및 9를 조제하였다.
[비교예 1]
상기 실시예 1과 동일한 수순으로, (a)성분, (b)성분, (d)성분 및 (e)성분을 하기 표 1에 나타내는 비율로 혼합함으로써, 임프린트용 광경화성 조성물10을 조제하였다.
[비교예 2]
상기 실시예 1과 동일한 수순으로, (a)성분, (b)성분, (d)성분 및 (e)성분, 그리고 (c)성분에 해당하지 않는 실란 화합물로서 TFPTMS를 하기 표 1에 나타내는 비율로 혼합함으로써, 임프린트용 광경화성 조성물11을 조제하였다.
[비교예 3]
상기 실시예 1과 동일한 수순으로, (b)성분 내지 (e)성분을 하기 표 1에 나타내는 비율로 혼합함으로써, 임프린트용 광경화성 조성물12를 조제하였다.
[표 1]
Figure 112020026407319-pct00007
[경화막의 제작]
실시예 1 내지 실시예 9 및 비교예 1 내지 비교예 3에서 조제한 각 임프린트용 광경화성 조성물을, 500μm두께의 실리콘고무제 스페이서와 함께, NOVEC(등록상표) 1720(쓰리엠재팬(주)제)을 도포하고 건조함으로써 이형처리한 유리기판 2매로 끼워 넣었다. 이 끼워 넣은 임프린트용 광경화성 조성물을, 상기 UV조사장치를 이용하여 i선 밴드패스필터(아사히분광(주)제)를 개재하여 20mW/cm2로 300초간 UV노광하였다. 노광 후 얻어진 경화물을, 상기 이형처리한 유리기판으로부터 박리한 후, 100℃의 핫플레이트에서 10분간 가열함으로써, 직경 3cm, 두께 0.5mm의 경화막을 제작하였다.
[투과율 및 내열황변성 평가]
상기의 방법으로 제작한 경화막의 파장 410nm의 투과율을, 상기 자외가시근적외 분광광도계를 이용하여 측정하였다. 결과를 하기 표 2에 나타낸다. 다시 상기 경화막을 실리콘웨이퍼 상에 놓고, 이 실리콘웨이퍼를 개재하여, 175℃로 가열한 핫플레이트 상에서 2분 30초간 가열하고, 내열성 시험을 행하였다. 내열성 시험 후의 경화막의 파장 410nm의 투과율을, 상기 자외가시근적외 분광광도계를 이용하여 측정하고, 가열 전후의 투과율변화로부터 내열황변성을 평가하였다. 결과를 하기 표 2에 함께 나타낸다.
[굴절률nD·아베수νD 평가]
상기의 방법으로 제작한 경화막의 파장 589nm에 있어서의 굴절률nD, 및 아베수νD를, 상기 다파장굴절계를 이용하여 측정하였다. 결과를 하기 표 2에 함께 나타낸다.
[휨량의 평가]
실시예 1 내지 실시예 9 및 비교예 1 내지 비교예 3에서 조제한 각 임프린트용 광경화성 조성물 0.010g을, NOVEC(등록상표) 1720(쓰리엠재팬(주)제)을 도포하고 건조함으로써 이형처리한 제1의 유리기판 상에 칭량하였다. 그 후, 500μm두께의 실리콘고무제 스페이서를 개재하여, 신에쓰화학공업(주)제 접착보조제(제품명: KBM-5103)를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 1질량%로 희석한 용액을 도포하고 건조함으로써 밀착처리한 제2의 유리기판(1.0cm가로세로, 0.5mm두께)으로, 상기 제1의 유리기판 상의 광경화성 조성물을 끼워 넣었다. 이 끼워 넣은 광경화성 조성물을, 상기 UV조사장치를 이용하여 i선 밴드패스필터(아사히분광(주)제)를 개재하여 20mW/cm2로 300초간 UV노광하였다. 노광 후 얻어진 경화물을, 상기 제1의 유리기판으로부터 박리한 후, 100℃의 핫플레이트에서 10분간 가열함으로써, 상기 제2의 유리기판 상에, 직경 0.5cm, 두께 0.5mm 및 질량 0.01g의 경화막을 제작하였다. 그 후, 상기 경화막이 제작된 제2의 유리기판을, 175℃의 핫플레이트에서 2분 30초간 가열함으로써 내열성 시험을 행하였다.
상기 경화막이 제작된 제2의 유리기판을, 상기 비접촉 표면성상 측정장치의 스테이지에 이 제2의 유리기판이 상면이 되도록 배치하였다. 상기 제2의 유리기판의 중심을 측정개시점으로 하고, 이 제2의 유리기판의 4개의 정점을 향해 상기 스테이지에 대해 수직방향(Z축)의 변위를 측정하였다. 측정데이터로부터, 상기 제2의 유리기판의 중심과 이 제2의 유리기판의 각 정점 사이의 수직방향(Z축)의 변위량을 산출하여, 이들 평균값을 휨량으로 정의하였다. 도 1에 유리기판의 휨량 평가방법을 모식도로 나타낸다. 결과를 하기 표 2에 함께 나타낸다.
[반사방지층의 성막과 내크랙성 평가]
실시예 1 내지 실시예 9 및 비교예 1 내지 비교예 3에서 조제한 각 임프린트용 광경화성 조성물 0.040g을, NOVEC(등록상표) 1720(쓰리엠재팬(주)제)을 도포하고 건조함으로써 이형처리한 제1의 유리기판 상에 칭량하였다. 그 후, 500μm두께의 실리콘고무제 스페이서를 개재하여, 신에쓰화학공업(주)제 접착보조제(제품명: KBM-5103)를 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트로 1질량%로 희석한 용액을 도포하고 건조함으로써 밀착처리한 제2의 유리기판(6cm가로세로, 0.7mm두께)으로, 상기 제1의 유리기판 상의 임프린트용 광경화성 조성물을 끼워 넣었다. 이 끼워 넣은 광경화성 조성물을, 상기 UV조사장치를 이용하여 i선 밴드패스필터(아사히분광(주)제)를 개재하여 20mW/cm2로 300초간 UV노광하였다. 노광 후 얻어진 경화물을, 상기 제1의 유리기판으로부터 박리한 후, 100℃의 핫플레이트에서 10분간 가열함으로써, 상기 제2의 유리기판 상에, 직경 1cm, 두께 0.5mm 및 질량 0.040g의 경화막을 제작하였다. 동일한 조작을 반복하여, 상기 제2의 유리기판 상에 3개의 이 경화막을 제작하였다.
상기 제2의 유리기판 상에 제작된 3개의 경화막 상에, 상기 RF스퍼터장치를 이용하여 상기 성막조건으로, 막두께 200nm의 산화규소층을 반사방지층으로서 성막하였다. 상기 광학현미경을 이용하여, 상기 3개의 경화막 상의 반사방지층을 관찰하여 크랙의 유무를 확인한 후, 상기 제2의 유리기판을 175℃의 핫플레이트에서 2분 30초간 가열함으로써 내열성 시험을 행하였다. 내열성 시험 후의 상기 제2의 유리기판에 대해서도, 상기 광학현미경을 이용하여 상기 3개의 경화막 상의 반사방지층의 크랙의 유무를 관찰하고, 이 반사방지층의 내크랙성을 판정하였다. 이 3개의 경화막 상의 반사방지층 전체에서 크랙을 시인할 수 있는 경우를 ×, 이 3개의 경화막 상의 반사방지층 중 1개 또는 2개만 크랙을 시인할 수 있는 경우를 △, 이 3개의 경화막 상의 반사방지층 전체에서 크랙을 시인할 수 없는 경우를 ○로 판정하였다. 각각의 결과를 하기 표 2에 함께 나타낸다.
[표 2]
Figure 112020026407319-pct00008
표 1 및 표 2가 나타내는 바와 같이, (c)성분을 포함하지 않는 비교예 1 및 비교예 2의 임프린트용 광경화성 조성물로부터 제작한 경화막 상에 성막한 반사방지층은, 내열성 시험 후에 크랙이 발생하는 결과가 되었다. 또한, (a)성분을 포함하지 않는 비교예 3의 광경화성 조성물로부터 제작한 경화막은, 내열황변성 및 유리기판의 휨량은 양호한 특성을 나타내며, 이 경화막 상에 성막한 반사방지층은 내크랙성을 나타내지만, 굴절률nD가 1.48 미만으로 낮은 결과가 되었다. 이 결과는, 비교예 3의 광경화성 조성물로부터 제작한 경화막이, 고화소 카메라모듈용 렌즈에 호적하지 않은 것을 시사하고 있다. 이에 반해 본 발명의 광경화성 조성물로부터 제작한 경화막은, 초기투과율, 내열황변성, 휨량, 및 이 경화막 상에 성막한 반사방지층의 내크랙성의 모든 특성에서 양호한 특성을 나타내고, 또한 고아베수를 갖는 렌즈로서 호적한 굴절률nD 및 아베수νD를 나타내어, 본 발명의 우위성이 확인되었다.
[렌즈의 제작]
실시예 5에서 조제한 임프린트용 광경화성 조성물5를, 니켈제의 주형(2mm직경×300μm깊이의 렌즈형을, 세로 3열×가로 5열의 계 15개 배치) 및 나노임프린터를 이용하고, 상기 서술한 성형체의 제조방법에 따라서, 지지체인 유리기판 상에서 렌즈형상으로 성형하였다. 한편, 사용한 주형은, 미리 NOVEC(등록상표) 1720(쓰리엠재팬(주)제)으로 이형처리하였다. 또한, 사용한 유리기판은, 미리 신에쓰화학공업(주)제 접착보조제(제품명: KBM-503)로 밀착처리하였다. 상기 주형으로부터 경화물을 분리한 후, 이 경화물을 100℃의 핫플레이트에서 10분간 가열함으로써, 상기 밀착처리한 유리기판 상에 볼록렌즈를 제작하였다.
상기 유리기판 상에 얻어진 볼록렌즈에 대하여, 가열시험 전후의 렌즈높이(두께)를 상기 비접촉 표면성상 측정장치로 측정하고, 그 변화율을 다음식 “[(가열 전의 렌즈높이-가열 후의 렌즈높이)/가열 전의 렌즈높이]×100”으로부터 산출하고, 가열에 의한 치수안정성을 평가하였다. 또한, 가열시험 후의 볼록렌즈에 있어서의 크랙의 발생의 유무를, 상기 비접촉 표면성상 측정장치에 부속된 마이크로스코프로 관찰하였다. 한편, 가열시험이란, 유리기판 상에 얻어진 볼록렌즈를 175℃의 핫플레이트에서 2분 30초간 가열한 후, 실온(약 23℃)까지 방랭하는 시험이다. 결과를 하기 표 3에 나타낸다.
[표 3]
Figure 112020026407319-pct00009
표 3에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 임프린트용 광경화성 조성물로부터 얻어진 볼록렌즈는, 175℃, 2분 30초간의 열이력을 거쳐도 렌즈높이의 변화가 작고, 치수안정성이 높다는 결과가 얻어졌다.

Claims (14)

  1. 하기 (a)성분, 하기 (b)성분, 하기 (c)성분, 및 하기 (d)성분을 포함하며, 이 (a)성분 및 이 (b)성분의 합 100질량부에 대해, 이 (b)성분이 30질량부 내지 90질량부 및 이 (c)성분이 1질량부 내지 100질량부이고, 이 (a)성분, 이 (b)성분 및 이 (c)성분의 합 100질량부에 대해 이 (d)성분이 0.1질량부 내지 5질량부인, 임프린트용 광경화성 조성물.
    (a): 1분자 중에 (메트)아크릴로일옥시기를 적어도 1개 갖는 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물(단, (b)성분의 화합물을 제외한다.)
    (b): 우레탄(메트)아크릴레이트 화합물 또는 에폭시(메트)아크릴레이트 화합물
    (c): 하기 식(1)로 표시되는 실란 화합물과 하기 식(2)로 표시되는 실란 화합물을 포함하는 적어도 2종의 실란 화합물의 가수분해 중축합물
    (d): 광라디칼개시제
    Figure 112021109861866-pct00010

    (식 중, R1은 수소원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소원자수 1 내지 8의 알킬렌기를 나타내고, R3은 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, R4는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, a는 2 또는 3을 나타낸다.)

    (식 중, Rf는 탄소원자수 1 내지 12의 플루오로알킬기를 나타내고, R5는 각각 독립적으로 수소원자 또는 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, R6은 탄소원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, b는 2 또는 3을 나타낸다.)
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지환식 (메트)아크릴레이트 화합물이 1분자 중에 (메트)아크릴로일옥시기를 1개 또는 2개 갖는, 임프린트용 광경화성 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 가수분해 중축합물이 하기 식(1a)로 표시되는 구조단위 또는 하기 식(1b)로 표시되는 구조단위를 갖는 오르가노폴리실록산인, 임프린트용 광경화성 조성물.
    Figure 112021109861866-pct00011

    (식 중, R1, R2 및 R4는 상기 식(1)에 있어서의 정의와 동의이다.)
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 식(2)에 있어서 Rf가 하기 식(3)으로 표시되는 기인, 임프린트용 광경화성 조성물.
    Figure 112021109861866-pct00013

    (식 중, Y는 수소원자 또는 불소원자를 나타내고, c는 0 내지 2의 정수를 나타내고, d는 1 내지 6의 정수를 나타내고, *은 규소원자와의 결합손을 나타낸다.)
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가수분해 중축합물이, 하기 식(1a)로 표시되는 구조단위 및 하기 식(2a)로 표시되는 구조단위를 갖는 오르가노폴리실록산, 또는 하기 식(1b)로 표시되는 구조단위 및 하기 식(2b)로 표시되는 구조단위를 갖는 오르가노폴리실록산인, 임프린트용 광경화성 조성물.
    Figure 112021109861866-pct00014

    (식 중, R1, R2 및 R4는 상기 식(1)에 있어서의 정의와 동의이고, R6 및 Rf는 상기 식(2)에 있어서의 정의와 동의이다.)
  7. 제1항에 있어서,
    추가로, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해 0.05질량부 내지 3질량부의 하기 (e)성분 및
    상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해 0.1질량부 내지 3질량부의 하기 (f)성분 중 적어도 하나를 함유하는, 임프린트용 광경화성 조성물.
    (e): 페놀계 산화방지제
    (f): 설파이드계 산화방지제
  8. 제1항에 있어서,
    추가로, 상기 (a)성분, 상기 (b)성분 및 상기 (c)성분의 합 100질량부에 대해, 1질량부 내지 20질량부의 하기 (g)성분을 포함하는, 임프린트용 광경화성 조성물.
    (g): 하기 식(4)로 표시되는 다관능티올 화합물
    Figure 112021109861866-pct00015

    (식 중, R7은 단결합 또는 탄소원자수 1 내지 6의 직쇄상 혹은 탄소원자수 3 내지 6의 분지쇄상의 알킬렌기를 나타내고, X는 단결합 또는 에스테르결합을 나타내고, A는 헤테로원자를 적어도 1개 포함하거나 혹은 헤테로원자를 포함하지 않는 탄소원자수 2 내지 12의 유기기 또는 헤테로원자를 나타내고, r1은 2 내지 6의 정수를 나타낸다.)
  9. 제1항에 있어서,
    상기 임프린트용 광경화성 조성물은, 그의 경화물의 파장 589nm에 있어서의 굴절률nD가 1.48 이상 1.55 이하이고, 또한 이 경화물의 아베수νD가 53 이상 60 이하인, 임프린트용 광경화성 조성물.
  10. 제9항에 기재된 임프린트용 광경화성 조성물의 경화물.
  11. 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트용 광경화성 조성물을 임프린트성형하는 공정을 포함하는, 수지렌즈의 제조방법.
  12. 임프린트용 광경화성 조성물의 성형체의 제조방법으로서, 제1항 내지 제3항 및 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 임프린트용 광경화성 조성물을, 맞닿은 지지체와 주형 사이의 공간, 또는 분할가능한 주형의 내부의 공간에 충전하는 공정, 및 이 공간에 충전된 임프린트용 광경화성 조성물을 노광하여 광경화하는 공정을 포함하는, 성형체의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 광경화하는 공정의 후, 얻어진 광경화물을 취출하여 이형하는 공정, 그리고, 이 광경화물을, 이 이형하는 공정의 전, 중도 또는 후에 있어서 가열하는 공정을 포함하는, 성형체의 제조방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 성형체가 카메라모듈용 렌즈인, 성형체의 제조방법.
KR1020207007402A 2017-10-23 2018-10-05 임프린트용 광경화성 조성물 KR102649151B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017204803 2017-10-23
JPJP-P-2017-204803 2017-10-23
JPJP-P-2018-005581 2018-01-17
JP2018005581 2018-01-17
PCT/JP2018/037452 WO2019082625A1 (ja) 2017-10-23 2018-10-05 インプリント用光硬化性組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200068649A KR20200068649A (ko) 2020-06-15
KR102649151B1 true KR102649151B1 (ko) 2024-03-21

Family

ID=66246437

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207007402A KR102649151B1 (ko) 2017-10-23 2018-10-05 임프린트용 광경화성 조성물

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6974803B2 (ko)
KR (1) KR102649151B1 (ko)
CN (1) CN111263779B (ko)
TW (1) TWI785132B (ko)
WO (1) WO2019082625A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012214716A (ja) 2011-03-30 2012-11-08 Kyoritsu Kagaku Sangyo Kk インプリント成型用光硬化性樹脂組成物、インプリント成型硬化体及びこれらの製造方法
WO2015190544A1 (ja) 2014-06-13 2015-12-17 東亞合成株式会社 硬化型組成物
JP2017049461A (ja) 2015-09-02 2017-03-09 日産化学工業株式会社 反応性シロキサン化合物を含むインプリント成形用重合性組成物

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5281710U (ko) 1975-12-15 1977-06-18
JP2014234458A (ja) * 2013-06-03 2014-12-15 昭和電工株式会社 硬化性組成物およびその硬化物
CN106029721B (zh) * 2014-02-28 2018-11-09 日产化学工业株式会社 含有反应性倍半硅氧烷化合物的聚合性组合物
JP2016121277A (ja) 2014-12-25 2016-07-07 日東電工株式会社 光硬化性樹脂組成物およびそれを用いた光学材料
WO2017038943A1 (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 日産化学工業株式会社 アクリル基を有するシルセスキオキサン化合物を含む重合性組成物
JP6732174B2 (ja) * 2016-07-14 2020-07-29 協立化学産業株式会社 インプリント成型用光硬化性樹脂組成物

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012214716A (ja) 2011-03-30 2012-11-08 Kyoritsu Kagaku Sangyo Kk インプリント成型用光硬化性樹脂組成物、インプリント成型硬化体及びこれらの製造方法
WO2015190544A1 (ja) 2014-06-13 2015-12-17 東亞合成株式会社 硬化型組成物
JP2017049461A (ja) 2015-09-02 2017-03-09 日産化学工業株式会社 反応性シロキサン化合物を含むインプリント成形用重合性組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200068649A (ko) 2020-06-15
JPWO2019082625A1 (ja) 2020-11-26
JP6974803B2 (ja) 2021-12-01
CN111263779B (zh) 2023-03-03
TW201932539A (zh) 2019-08-16
TWI785132B (zh) 2022-12-01
WO2019082625A1 (ja) 2019-05-02
CN111263779A (zh) 2020-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102549487B1 (ko) 임프린트용 광경화성 조성물
KR102422539B1 (ko) 임프린트용 광경화성 조성물
SG174976A1 (en) Curable composition and cured product thereof
KR20120022561A (ko) 경화성 수지 조성물 및 그 경화물
KR20160127719A (ko) 반응성 실세스퀴옥산 화합물을 포함하는 중합성 조성물
JP6718152B2 (ja) 反応性シルセスキオキサン化合物を含む重合性樹脂組成物
KR20200128404A (ko) 폴리머를 포함하는 임프린트용 광경화성 조성물
SG189383A1 (en) Photosensitive resin composition and method for producing same
KR102496908B1 (ko) 임프린트용 광경화성 조성물
JP2015025075A (ja) 反応性シリコーン化合物を含む重合性組成物
TW201605983A (zh) 包含反應性含氟聚矽氧化合物之聚合性組成物
KR102649151B1 (ko) 임프린트용 광경화성 조성물
US10899891B2 (en) Reactive polysiloxane and polymerizable composition comprising same
WO2020213373A1 (ja) インプリント用光硬化性組成物
JP2017049461A (ja) 反応性シロキサン化合物を含むインプリント成形用重合性組成物

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right