KR102639850B1 - Apparatus for forming thin film - Google Patents

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Abstract

박막 형성 장치는 로딩 된 기판을 플로팅 시키는 제1 스테이지 유닛; 플로팅 된 상기 기판을 언로딩 하는 제2 스테이지 유닛; 상기 제1 및 제2 스테이지 유닛들 사이에 배치되며 진동에 의해 발생 된 공기압으로 상기 기판을 플로팅 시키는 기판 플로팅 유닛; 상기 기판 플로팅 유닛의 상부에 배치되어 상기 기판에 박막을 형성하는 박막 형성 유닛; 및 상기 기판을 상기 제1 스테이지 유닛으로부터 상기 제2 스테이지 유닛으로 이송하는 기판 이송 유닛을 포함한다.The thin film forming apparatus includes a first stage unit that floats the loaded substrate; a second stage unit for unloading the floating substrate; a substrate floating unit disposed between the first and second stage units and floating the substrate using air pressure generated by vibration; a thin film forming unit disposed on top of the substrate floating unit to form a thin film on the substrate; and a substrate transfer unit that transfers the substrate from the first stage unit to the second stage unit.

Description

박막 형성 장치{APPARATUS FOR FORMING THIN FILM}Thin film forming device {APPARATUS FOR FORMING THIN FILM}

본 발명은 박막 형성 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film forming apparatus.

최근 들어 스마트폰, 텔레비전 등에 사용되는 표시장치는 액정표시장치(LCD)를 대체하여 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED) 표시장치가 널리 사용되고 있다.Recently, organic light emitting diode (OLED) displays have been widely used as display devices used in smartphones, televisions, etc., replacing liquid crystal displays (LCDs).

유기발광다이오드(OLED) 표시장치는 형광성 유기 화합물에 전류가 흐르면 빛을 발생하는 자체발광현상을 이용하여 만든 표시장치로서 액정표시장치에 비하여 화면 반응속도가 매우 빨라 영상에 잔상이 나타나지 않는 장점을 갖는다.An organic light-emitting diode (OLED) display device is a display device made using a self-luminous phenomenon that generates light when a current flows through a fluorescent organic compound. Compared to a liquid crystal display device, the screen response speed is very fast and it has the advantage of preventing afterimages from appearing in the image. .

그러나 유기발광다이오드(OLED) 표시장치의 핵심 구성인 형광성 유기 화합물은 수분 및 열에 특히 취약하기 때문에 형광성 유기 화합물에 수분이 침투할 경우 유기발광다이오드 표시장치의 수명이 크게 감소되는 단점을 갖는다.However, fluorescent organic compounds, which are the core components of organic light-emitting diode (OLED) displays, are particularly vulnerable to moisture and heat, so if moisture penetrates the fluorescent organic compounds, the lifespan of the organic light-emitting diode display device is greatly reduced.

유기발광다이오드 표시장치의 형광성 유기 화합물에 수분이 침투하는 것을 방지하기 위한 기술로서는 형광성 유기 화합물의 외측에 유리기판을 덮어 수분 침투를 방지하는 인캡슐레이션(encapsulation) 기술이 대표적이다.A representative technology for preventing moisture from penetrating into the fluorescent organic compounds of organic light-emitting diode displays is the encapsulation technology, which prevents moisture from penetrating by covering the outside of the fluorescent organic compounds with a glass substrate.

최근에는 유기발광다이오드 표시장치의 형광성 유기 화합물에 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해 형광성 유기 화합물의 표면을 얇은 두께를 갖는 무기막으로 덮는 패시베이션(passivation) 기술이 개발되고 있다.Recently, a passivation technology has been developed to cover the surface of a fluorescent organic compound with a thin inorganic film to prevent moisture from penetrating into the fluorescent organic compound of an organic light emitting diode display.

그러나 형광성 유기 화합물의 표면을 무기막으로 덮어 수분이 형광성 유기 화합물로 침투하는 것을 방지할 때 형광성 유기 화합물이 형성된 기판의 휨 등이 발생될 경우 딱딱한 무기막에 크랙이 발생되어 수분 침투가 발생 될 수 있다.However, when the surface of the fluorescent organic compound is covered with an inorganic film to prevent moisture from penetrating into the fluorescent organic compound, if the substrate on which the fluorescent organic compound is formed is bent, cracks may occur in the hard inorganic film, resulting in moisture penetration. there is.

최근에는 무기막의 크랙에 따른 수분 침투를 방지하기 위해 형광성 유기 화합물의 표면에 무기막을 형성한 후, 무기막의 표면에 투명한 에폭시 소재 또는 투명한 아크릴 소재를 포함하는 유기막을 덮는 기술이 개발되고 있다. Recently, a technology has been developed to form an inorganic film on the surface of a fluorescent organic compound to prevent moisture penetration due to cracks in the inorganic film, and then cover the surface of the inorganic film with an organic film containing a transparent epoxy material or a transparent acrylic material.

그러나 소프트한 유기막을 형광성 유기 화합물의 표면을 덮는 무기막을 형성할 때 기판의 평탄도에 의하여 유기막의 두께 불균일 또는 온도 불균일이 발생 될 경우 유기막에 얼룩이 발생 되어 유기발광다이오드 표시장치의 표시 품질이 크게 감소되는 문제점을 갖는다.However, when forming an inorganic film covering the surface of a fluorescent organic compound with a soft organic film, if uneven thickness or temperature of the organic film occurs due to the flatness of the substrate, stains may occur on the organic film, greatly reducing the display quality of the organic light-emitting diode display. It has problems that are reduced.

본 발명은 박막을 기판에 형성할 때 기판의 평탄도를 향상시켜 박막의 두께 불균일에 기인한 박막의 얼룩을 방지한 박막 형성 장치를 제공한다.The present invention provides a thin film forming device that improves the flatness of the substrate when forming a thin film on a substrate and prevents staining of the thin film due to uneven thickness of the thin film.

본 발명은 기판을 부상시켜 박막이 형성되는 기판의 평탄도를 향상시킬 때 기판을 부상시키기 위한 불활성 기체의 사용량을 감소시켜 생산 원가를 감소시키고 불활성 기체를 공급하기 위한 부속 시설에 기인한 부피 증가의 감소 및 박막을 형성하기 위한 공정 관리 요인을 대폭 감소시켜 박막 형성 공정을 단순화시킨 박막 형성 장치를 제공한다. The present invention reduces the production cost by reducing the amount of inert gas used to levitate the substrate when improving the flatness of the substrate on which the thin film is formed by levitating the substrate, and reduces the volume increase due to the auxiliary facility for supplying the inert gas. Provided is a thin film forming device that simplifies the thin film forming process by significantly reducing process management factors for forming a thin film.

일실시예로서, 박막 형성 장치는 로딩 된 기판을 플로팅 시키는 제1 스테이지 유닛; 플로팅 된 상기 기판을 언로딩 하는 제2 스테이지 유닛; 상기 제1 및 제2 스테이지 유닛들 사이에 배치되며 진동에 의해 발생 된 공기압으로 상기 기판을 플로팅 시키는 기판 플로팅 유닛; 상기 기판 플로팅 유닛의 상부에 배치되어 상기 기판에 박막을 형성하는 박막 형성 유닛; 및 상기 기판을 상기 제1 스테이지 유닛으로부터 상기 제2 스테이지 유닛으로 이송하는 기판 이송 유닛을 포함한다.In one embodiment, a thin film forming apparatus includes a first stage unit that floats a loaded substrate; a second stage unit for unloading the floating substrate; a substrate floating unit disposed between the first and second stage units and floating the substrate using air pressure generated by vibration; a thin film forming unit disposed on top of the substrate floating unit to form a thin film on the substrate; and a substrate transfer unit that transfers the substrate from the first stage unit to the second stage unit.

박막 형성 장치의 상기 기판 플로팅 유닛은 상기 기판의 하부에 배치되는 진동 전달판 및 상기 진동 전달판에 초음파를 인가하여 상기 기판 및 상기 진동 전달판 사이에 상기 공기압을 형성하는 초음파 발생 유닛을 포함한다.The substrate floating unit of the thin film forming apparatus includes a vibration transmission plate disposed below the substrate and an ultrasonic wave generation unit that applies ultrasonic waves to the vibration transmission plate to form the air pressure between the substrate and the vibration transmission plate.

박막 형성 장치의 상기 초음파 발생 유닛은 상기 초음파를 생성하기 위한 전원을 제공하는 전원 제공부, 상기 초음파의 세기를 센싱 하는 진동 센서 및 상기 진동 센서로부터 발생 된 센싱 신호를 통해 상기 전원 제공부로부터 출력되는 상기 전원의 세기를 피드백 제어하는 콘트롤러를 포함한다.The ultrasonic generation unit of the thin film forming device includes a power supply unit that provides power for generating the ultrasonic waves, a vibration sensor that senses the intensity of the ultrasonic waves, and a sensing signal generated from the vibration sensor that is output from the power supply unit. It includes a controller that feedback-controls the intensity of the power.

박막 형성 장치의 상기 기판 플로팅 유닛은 상기 제1 스테이지 유닛 및 상기 제2 스테이지 유닛의 사이에 복수개가 매트릭스 형태로 배치되며, 상기 기판 플로팅 유닛은 상기 기판 플로팅 유닛들과 상기 기판 사이의 간격을 균일하게 조절하는 레벨링 유닛을 포함한다.A plurality of substrate floating units of the thin film forming apparatus are arranged in a matrix form between the first stage unit and the second stage unit, and the substrate floating units maintain a uniform spacing between the substrate floating units and the substrate. Includes leveling unit to adjust.

박막 형성 장치의 상기 제1 스테이지 유닛은 상기 기판과 마주하는 제1 스테이지 몸체 및 상기 제1 스테이지 몸체로부터 상기 기판을 향해 불활성 기체를 분사하여 상기 기판을 상기 제1 스테이지 몸체로부터 플로팅 시키는 플로팅 유닛을 포함한다.The first stage unit of the thin film forming apparatus includes a first stage body facing the substrate and a floating unit that floats the substrate from the first stage body by spraying an inert gas from the first stage body toward the substrate. do.

박막 형성 장치의 상기 제2 스테이지 유닛은 상기 기판과 마주하는 제2 스테이지 몸체 및 상기 제2 스테이지 몸체로부터 상기 기판을 향해 불활성 기체를 분사하여 상기 기판을 상기 제2 스테이지 몸체로부터 플로팅 시키는 플로팅 유닛을 포함한다.The second stage unit of the thin film forming apparatus includes a second stage body facing the substrate and a floating unit that floats the substrate from the second stage body by spraying an inert gas from the second stage body toward the substrate. do.

박막 형성 장치의 기판 이송 유닛은 상기 기판의 측면을 클램핑 하는 그립퍼(gripper) 및 상기 그립퍼를 상기 제1 스테이지 유닛으로부터 상기 제2 스테이지 유닛으로 이송하는 이송 유닛을 포함한다.The substrate transfer unit of the thin film forming apparatus includes a gripper that clamps the side of the substrate and a transfer unit that transfers the gripper from the first stage unit to the second stage unit.

박막 형성 장치의 기판 플로팅 유닛은 상기 제1 스테이지 유닛 및 상기 제2 스테이지 유닛에 추가적으로 매트릭스 형태로 배치되어 진동에 의하여 발생 된 상기 공기압을 이용하여 상기 기판을 플로팅 시킨다.The substrate floating unit of the thin film forming apparatus is disposed in a matrix form in addition to the first stage unit and the second stage unit and floats the substrate using the air pressure generated by vibration.

박막 형성 장치의 상기 제1 스테이지 유닛 및 상기 제2 스테이지 유닛은 상기 기판 플로팅 유닛으로부터 전달된 상기 진동을 감쇄시키는 댐퍼 유닛을 포함한다.The first stage unit and the second stage unit of the thin film forming apparatus include a damper unit that attenuates the vibration transmitted from the substrate floating unit.

박막 형성 장치는 상기 기판의 온도에 의하여 상기 박막에 얼룩이 발생 되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 온도를 센싱 하는 온도 센서를 더 포함한다.The thin film forming apparatus further includes a temperature sensor that senses the temperature of the substrate to prevent stains from occurring on the thin film due to the temperature of the substrate.

본 발명에 따른 박막 형성 장치는 박막을 기판에 형성할 때 기판의 평탄도를 향상시켜 박막의 두께 불균일에 기인한 박막의 얼룩을 방지할 수 있다.The thin film forming apparatus according to the present invention can improve the flatness of the substrate when forming a thin film on a substrate, thereby preventing stains on the thin film due to uneven thickness of the thin film.

또한 박막 형성 장치는 기판을 부상시켜 박막이 형성되는 기판의 평탄도를 향상시킬 때 기판을 부상시키기 위한 불활성 기체의 사용량을 감소시켜 생산 원가를 감소시키고 불활성 기체를 공급하기 위한 부속 시설에 기인한 부피 증가를 감소 및 박막을 형성하기 위한 공정 관리 요인을 대폭 감소시켜 박막 형성 공정을 단순화시킬 수 있다.In addition, the thin film forming device improves the flatness of the substrate on which the thin film is formed by levitating the substrate, reduces production costs by reducing the amount of inert gas used to levitate the substrate, and reduces the volume due to auxiliary facilities for supplying the inert gas. The thin film formation process can be simplified by reducing the increase and significantly reducing the process management factors for forming the thin film.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 형성 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 박막 형성 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 플로팅 유닛을 도시한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 형성 장치의 단면도이다.1 is a plan view showing a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin film forming apparatus of FIG. 1.
Figure 3 is a cross-sectional view showing a substrate floating unit according to an embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view of a thin film forming apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하 설명되는 본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고, 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다.The present invention described below can be modified in various ways and can have various embodiments. Specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description.

그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all transformations, equivalents, and substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention. In describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terms used in this application are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, terms such as “comprise” or “have” are intended to designate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

또한 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 구분하여 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Additionally, terms such as first and second may be used to separately describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 형성 장치를 도시한 평면도이다. 도 2는 도 1의 박막 형성 장치의 단면도이다.1 is a plan view showing a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of the thin film forming apparatus of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 박막 형성 장치(800)는 제1 스테이지 유닛(100), 제2 스테이지 유닛(200), 기판 플로팅 유닛(300), 박막 형성 유닛(400) 및 기판 이송 유닛(500)을 포함한다. 이에 더하여 박막 형성 장치(800)는 상기 구성요소들을 수납하는 챔버(600)를 더 포함할 수 있다.1 and 2, the thin film forming apparatus 800 includes a first stage unit 100, a second stage unit 200, a substrate floating unit 300, a thin film forming unit 400, and a substrate transfer unit ( 500). In addition, the thin film forming apparatus 800 may further include a chamber 600 for storing the components.

제1 스테이지 유닛(100)은 선행 공정에서 특정 공정이 수행된 판 형상을 갖는 기판(1)을 로딩(loading) 및 기판(1)을 제1 스테이지 유닛(100)의 상면에 대하여 수㎛~ 수십㎛ 플로팅 시키는 역할을 한다.The first stage unit 100 loads the substrate 1 having a plate shape on which a specific process has been performed in the previous process and places the substrate 1 at a thickness of several ㎛ to several tens of ㎛ with respect to the upper surface of the first stage unit 100. It plays a role in floating ㎛.

본 발명의 일실시예에서, 제1 스테이지 유닛(100)은 제1 스테이지 몸체(110) 및 제1 플로팅 유닛(120)을 포함한다. 이에 더하여 제1 스테이지 유닛(100)은 선행 공정에서 형광성 유기막 및 형광성 유기막을 덮는 패시베이션막이 형성된 기판(1)을 제1 스테이지 몸체(110)에 안전하게 배치하기 위한 업-다운 핀(미도시)들을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first stage unit 100 includes a first stage body 110 and a first floating unit 120. In addition, the first stage unit 100 includes up-down pins (not shown) for safely placing the substrate 1 on which the fluorescent organic film and the passivation film covering the fluorescent organic film were formed in the previous process on the first stage body 110. It can be included.

제1 스테이지 몸체(110)는, 예를 들어, 직사각형 블록 형태로 형성될 수 있으며, 제1 스테이지 몸체(110)의 평면적은, 예를 들어, 기판(1)의 평면적 이상으로 형성된다.The first stage body 110 may be formed, for example, in the shape of a rectangular block, and the planar area of the first stage body 110 is, for example, larger than the planar area of the substrate 1 .

제1 플로팅 유닛(120)은 기판(1)을 제1 스테이지 몸체(110)의 상면으로부터 플로팅 시킨다.The first floating unit 120 floats the substrate 1 from the upper surface of the first stage body 110.

제1 플로팅 유닛(120)은 복수개의 제1 플로팅 홀(122)들 및 제1 기체 공급 유닛(124)을 포함한다.The first floating unit 120 includes a plurality of first floating holes 122 and a first gas supply unit 124.

제1 플로팅 홀(122)은 제1 스테이지 몸체(110)의 상면 및 상기 상면과 대향 하는 하면을 관통하는 관통홀 형상으로 형성된다.The first floating hole 122 is formed in the shape of a through hole that penetrates the upper surface of the first stage body 110 and the lower surface opposite to the upper surface.

제1 스테이지 몸체(110)의 상면 및 하면을 관통하는 제1 플로팅 홀(122)은 제1 스테이지 몸체(110)에 복수개가 매트릭스 형태로 형성된다. 제1 플로팅 홀(122)은, 평면상에서 보았을 때, 제1 스테이지 몸체(110)에 상호 동일한 간격으로 형성될 수 있다.A plurality of first floating holes 122 penetrating the upper and lower surfaces of the first stage body 110 are formed in a matrix form in the first stage body 110. The first floating holes 122 may be formed at equal intervals in the first stage body 110 when viewed from a plan view.

비록 본 발명의 일실시예에서는 제1 플로팅 홀(122)이 제1 스테이지 몸체(110)에 상호 동일한 간격으로 형성되는 것이 도시 및 설명되고 있지만, 기판(1) 및 제1 스테이지 몸체(110) 사이의 플로팅 높이가 다를 경우 이를 감안하여 제1 플로팅 홀(122)들은 서로 다른 간격으로 배치될 수 있다.Although it is shown and described that the first floating holes 122 are formed at equal intervals in the first stage body 110 in one embodiment of the present invention, the space between the substrate 1 and the first stage body 110 If the floating heights are different, taking this into account, the first floating holes 122 may be arranged at different intervals.

제1 기체 공급 유닛(124)은 각 제1 플로팅 홀(122)에 연결되며, 제1 기체 공급 유닛(124)은 기판(1)을 제1 스테이지 몸체(110)로부터 플로팅 시키기 위한 기체를 제1 플로팅 홀(122)로 제공한다.The first gas supply unit 124 is connected to each first floating hole 122, and the first gas supply unit 124 supplies a first gas for floating the substrate 1 from the first stage body 110. It is provided as a floating hole (122).

본 발명의 일실시예에서, 제1 기체 공급 유닛(124)은, 예를 들어, 질소와 같은 불활성 기체를 제1 플로팅 홀(122)을 통해 제1 스테이지 몸체(110)의 상면으로 인가한다.In one embodiment of the present invention, the first gas supply unit 124 applies an inert gas, for example, nitrogen, to the upper surface of the first stage body 110 through the first floating hole 122.

제1 기체 공급 유닛(124)으로부터 제공되는 질소와 같은 불활성 기체는 기판(1)을 플로팅 시키는 역할과 함께 기판(1)의 온도를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.The inert gas such as nitrogen provided from the first gas supply unit 124 serves to float the substrate 1 and maintain the temperature of the substrate 1 constant.

제1 기체 공급 유닛(124)으로부터 제공된 불활성 기체에 의하여 기판(1)의 온도가 일정하게 유지됨에 따라 후술 될 박막 형성 장치에서 제공되는 박막 물질에 의하여 형성되는 박막에 기판(1)의 온도차에 기인하여 얼룩이 발생 되는 것을 방지할 수 있다.As the temperature of the substrate 1 is maintained constant by the inert gas provided from the first gas supply unit 124, the temperature difference between the substrate 1 and the thin film formed by the thin film material provided in the thin film forming device to be described later is caused. This can prevent stains from occurring.

제1 기체 공급 유닛(124)은 불활성 기체가 저장되는 가스봄베, 가스봄베로부터 제공된 불활성 기체를 각 제1 플로팅 홀(122)로 제공하기 위한 가스 배관, 불활성 가스를 분배하는 분배기 및 불활성 기체에 유체압을 제공하는 펌프 등 부속 장치를 포함할 수 있다.The first gas supply unit 124 includes a gas cylinder in which an inert gas is stored, a gas pipe for providing the inert gas provided from the gas cylinder to each first floating hole 122, a distributor for distributing the inert gas, and a fluid for the inert gas. It may include accessory devices such as a pump that provides pressure.

본 발명의 일실시예에서, 제1 스테이지 유닛(100)에는 제1 플로팅 홀(122)로 제공된 불활성 기체의 온도를 센싱하는 온도 센서가 장착될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first stage unit 100 may be equipped with a temperature sensor that senses the temperature of the inert gas provided to the first floating hole 122.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 제2 스테이지 유닛(200)은 제1 스테이지 유닛(100)에 인접하게 배치되며, 제2 스테이지 유닛(200) 및 제1 스테이지 유닛(100) 사이에는 공간이 형성된다. 제1 및 제2 스테이지 유닛(100,200)들 사이에 형성되는 공간에는 후술 될 기판 플로팅 유닛(300)이 배치된다.Referring again to FIGS. 1 and 2 , the second stage unit 200 is disposed adjacent to the first stage unit 100, and there is a space between the second stage unit 200 and the first stage unit 100. is formed A substrate floating unit 300, which will be described later, is disposed in the space formed between the first and second stage units 100 and 200.

제2 스테이지 유닛(200)은 박막 형성 유닛(400)에서 박막이 형성된 기판(1)을 제2 스테이지 유닛(200)의 상면에 대하여 수㎛ ~ 수십㎛ 플로팅 시키는 역할 및 박막이 형성된 기판(1)을 제2 스테이지 유닛(200)으로부터 언로딩(unloading)하는 역할을 한다.The second stage unit 200 serves to float the substrate 1 on which the thin film is formed in the thin film forming unit 400 by several ㎛ to tens of ㎛ on the upper surface of the second stage unit 200, and the substrate 1 on which the thin film is formed. It serves to unload from the second stage unit 200.

본 발명의 일실시예에서, 제2 스테이지 유닛(200)은 제2 스테이지 몸체(210) 및 제2 플로팅 유닛(220)을 포함한다. 이에 더하여 제2 스테이지 유닛(200)은 박막이 형성된 기판(1)을 제2 스테이지 몸체(210)로부터 안전하게 언로딩 하기 위한 업-다운 핀(미도시)들을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second stage unit 200 includes a second stage body 210 and a second floating unit 220. In addition, the second stage unit 200 may include up-down pins (not shown) for safely unloading the substrate 1 on which the thin film is formed from the second stage body 210.

제2 스테이지 몸체(210)는, 예를 들어, 박막이 형성된 기판(1)을 충분히 지지하기 위해 제1 스테이지 몸체(110)와 동일한 사이즈로 형성될 수 있다.For example, the second stage body 210 may be formed to have the same size as the first stage body 110 in order to sufficiently support the substrate 1 on which the thin film is formed.

제2 플로팅 유닛(220)은 박막이 형성된 기판(1)을 제2 스테이지 몸체(210)의 상면으로부터 플로팅 시킨다.The second floating unit 220 floats the substrate 1 on which the thin film is formed from the upper surface of the second stage body 210.

제2 플로팅 유닛(220)은 복수개의 제2 플로팅 홀(222)들 및 제2 기체 공급 유닛(224)을 포함한다.The second floating unit 220 includes a plurality of second floating holes 222 and a second gas supply unit 224.

제2 플로팅 홀(222)은 제2 스테이지 몸체(210)의 상면 및 상기 상면과 대향 하는 하면을 관통하는 관통홀 형상으로 형성된다.The second floating hole 222 is formed in the shape of a through hole that penetrates the upper surface of the second stage body 210 and the lower surface opposite to the upper surface.

제2 스테이지 몸체(210)의 상면 및 하면을 관통하는 제2 플로팅 홀(222)은 제2 스테이지 몸체(210)에 복수개가 매트릭스 형태로 형성된다. 제2 플로팅 홀(222)은, 평면상에서 보았을 때, 제2 스테이지 몸체(210)에 상호 동일한 간격으로 형성될 수 있다.A plurality of second floating holes 222 penetrating the upper and lower surfaces of the second stage body 210 are formed in a matrix form in the second stage body 210. The second floating holes 222 may be formed at equal intervals in the second stage body 210 when viewed from a plan view.

비록 본 발명의 일실시예에서는 제2 플로팅 홀(222)이 제2 스테이지 몸체(210)에 상호 동일한 간격으로 형성되는 것이 도시 및 설명되고 있지만, 기판(1) 및 제2 스테이지 몸체(210)의 상면 사이에 형성되는 플로팅 높이가 다를 경우 이를 감안하여 제2 플로팅 홀(222)들은 서로 다른 간격으로 배치될 수 있다.Although it is shown and described that the second floating holes 222 are formed at equal intervals in the second stage body 210 in one embodiment of the present invention, the substrate 1 and the second stage body 210 If the floating heights formed between the upper surfaces are different, the second floating holes 222 may be arranged at different intervals to take this into account.

제2 기체 공급 유닛(224)은 각 제2 플로팅 홀(222)에 연결되며, 제2 기체 공급 유닛(224)은 기판(1)을 제2 스테이지 몸체(210)로부터 플로팅 시키기 위한 기체를 제2 플로팅 홀(222)로 제공한다.The second gas supply unit 224 is connected to each second floating hole 222, and the second gas supply unit 224 supplies gas for floating the substrate 1 from the second stage body 210 to the second gas supply unit 224. It is provided as a floating hole (222).

본 발명의 일실시예에서, 제2 기체 공급 유닛(224)은, 예를 들어, 질소와 같은 불활성 기체를 제2 플로팅 홀(222)을 통해 제2 스테이지 몸체(210)의 상면으로 인가한다.In one embodiment of the present invention, the second gas supply unit 224 applies an inert gas, for example, nitrogen, to the upper surface of the second stage body 210 through the second floating hole 222.

제2 기체 공급 유닛(224)으로부터 제공되는 질소와 같은 불활성 기체는 기판(1)을 플로팅 시키는 역할과 함께 기판(1)의 온도를 일정하게 유지시키는 역할을 한다.The inert gas such as nitrogen provided from the second gas supply unit 224 serves to float the substrate 1 and maintain the temperature of the substrate 1 constant.

제2 기체 공급 유닛(224)으로부터 제공된 불활성 기체에 의하여 기판(1)의 온도가 일정하게 유지할 경우 온도 편차에 의해 기판(1)에 형성된 박막에 얼룩이 발생 되는 것을 방지할 수 있다.When the temperature of the substrate 1 is kept constant by the inert gas provided from the second gas supply unit 224, stains on the thin film formed on the substrate 1 due to temperature deviation can be prevented.

제2 기체 공급 유닛(224)은 불활성 기체가 저장되는 가스봄베, 가스봄베로부터 제공된 불활성 기체를 각 제2 플로팅 홀(222)로 제공하기 위한 가스 배관, 불활성 가스를 분배하는 분배기 및 불활성 기체에 유체압을 제공하는 펌프 등 부속 장치를 포함할 수 있다.The second gas supply unit 224 includes a gas cylinder in which the inert gas is stored, a gas pipe for providing the inert gas provided from the gas cylinder to each of the second floating holes 222, a distributor for distributing the inert gas, and a fluid to the inert gas. It may include accessory devices such as a pump that provides pressure.

본 발명의 일실시예에서, 제1 기체 공급 유닛(124) 및 제2 기체 공급 유닛(224)은 가스봄베, 가스 배관, 분배기, 펌프와 같은 부속 장치를 공용으로 사용할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the first gas supply unit 124 and the second gas supply unit 224 may commonly use accessory devices such as gas cylinders, gas pipes, distributors, and pumps.

본 발명의 일실시예에서, 제2 스테이지 유닛(200)에는 제2 플로팅 홀(222)로 제공된 불활성 기체의 온도를 센싱하는 온도 센서가 장착될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the second stage unit 200 may be equipped with a temperature sensor that senses the temperature of the inert gas provided to the second floating hole 222.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 플로팅 유닛을 도시한 단면도이다.Figure 3 is a cross-sectional view showing a substrate floating unit according to an embodiment of the present invention.

도 2 및 도 3을 참조하면, 기판 플로팅 유닛(300)은 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200) 사이의 공간에 배치된다.Referring to FIGS. 2 and 3 , the substrate floating unit 300 is disposed in the space between the first stage unit 100 and the second stage unit 200.

기판 플로팅 유닛(300)은 기판(1)을 향해 진동을 발생시켜 기판 플로팅 유닛(300) 및 기판(1) 사이에 배치된 공기를 압축시켜 생성된 공기압에 의하여 기판(1)을 기판 플로팅 유닛(300)으로부터 플로팅 시키는 역할을 한다.The substrate floating unit 300 generates vibration toward the substrate 1 and compresses the air disposed between the substrate floating unit 300 and the substrate 1, thereby causing the substrate 1 to be moved to the substrate 1 by the air pressure generated. 300) plays a role in floating.

기판 플로팅 유닛(300)은 진동 전달판(310) 및 초음파 발생 유닛(320)을 포함한다. 이에 더하여 기판 플로팅 유닛(300)은 전원 제공부(330), 진동 센서(340) 및 콘트롤러(350)를 포함한다.The substrate floating unit 300 includes a vibration transmission plate 310 and an ultrasonic wave generation unit 320. In addition, the substrate floating unit 300 includes a power supply unit 330, a vibration sensor 340, and a controller 350.

진동 전달판(310)은 기판(1)과 마주하게 배치되며, 진동 전달판(310)은 플레이트 형상으로 형성될 수 있다. 진동 전달판(310)은 외부에서 인가된 진동을 진동 전달판(310) 및 기판(1) 사이로 전달하는 역할을 한다.The vibration transmission plate 310 is disposed to face the substrate 1, and the vibration transmission plate 310 may be formed in a plate shape. The vibration transmission plate 310 serves to transmit externally applied vibration between the vibration transmission plate 310 and the substrate 1.

초음파 발생 유닛(320)은 진동 전달판(310)으로 진동을 제공한다. 초음파 발생 유닛(320)은, 예를 들어, 35,000Hz의 진동수로 진폭이 약 3.5㎛인 초음파를 발생시킬 수 있다. 초음파 발생 유닛(320)에서 발생 되는 초음파의 진동수 및 진폭은 기판(1)의 사이즈 또는 무게에 의하여 가변 될 수 있다.The ultrasonic generation unit 320 provides vibration to the vibration transmission plate 310. For example, the ultrasonic generation unit 320 may generate ultrasonic waves with an amplitude of about 3.5 μm at a frequency of 35,000 Hz. The frequency and amplitude of ultrasonic waves generated by the ultrasonic generation unit 320 may vary depending on the size or weight of the substrate 1.

초음파 발생 유닛(320)에 의하여 발생 된 초음파는 진동 전달판(310)으로 인가되고 진동 전달판(310)으로부터는 제공된 초음파에 의하여 진동이 발생 된다.The ultrasonic waves generated by the ultrasonic generation unit 320 are applied to the vibration transmission plate 310, and vibration is generated by the ultrasonic waves provided from the vibration transmission plate 310.

진동 전달판(310)에서 발생 된 진동은 기판(1) 및 진동 전달판(310) 사이에 배치된 기체인 공기, 불활성 가스 또는 이들의 혼합 가스에 진동을 인가하여 기판(1) 및 진동 전달판(310) 사이에 공기압을 형성하고, 공기압에 의하여 기판(1)은 플로팅된다.The vibration generated from the vibration transmission plate 310 applies vibration to the gas disposed between the substrate 1 and the vibration transmission plate 310, such as air, inert gas, or a mixture thereof, thereby Air pressure is formed between 310, and the substrate 1 is floated by the air pressure.

본 발명의 일실시예에서, 진동 전달판(310) 및 초음파 발생 유닛(320)을 포함하는 기판 플로팅 유닛(300)을 이용하여 기판(1)을 플로팅 시키는 이유는 불활성 기체를 이용하여 기판(1)을 플로팅 시킬 경우 고가의 불활성 기체가 다량 소모되어 제조 비용이 크게 발생 되기 때문이다.In one embodiment of the present invention, the reason for floating the substrate 1 using the substrate floating unit 300 including the vibration transmission plate 310 and the ultrasonic generation unit 320 is to float the substrate 1 using an inert gas. ), this is because a large amount of expensive inert gas is consumed when floating, resulting in high manufacturing costs.

본 발명의 일실시예와 같이 초음파를 이용하여 기판(1)을 플로팅 시킬 경우 불활성 기체의 소모를 방지할 수 있어 제조 비용 상승을 방지할 수 있다.When floating the substrate 1 using ultrasonic waves, as in one embodiment of the present invention, consumption of inert gas can be prevented, thereby preventing an increase in manufacturing costs.

전원 제공부(330)는 초음파 발생 유닛(320)에서 초음파를 발생하기 위한 전원을 제공한다. The power supply unit 330 provides power for generating ultrasonic waves in the ultrasonic generation unit 320.

진동 센서(340)는 진동 전달판(310)과 인접한 위치에 배치되며 진동 전달판(310)의 진동을 센싱하여 센싱 신호를 출력하며, 진동 센서(340)로부터 출력된 센싱 신호는 초음파 발생 유닛(320)에서 발생되는 초음파의 진동수 및 진동을 조절하기 위해 사용된다.The vibration sensor 340 is placed adjacent to the vibration transmission plate 310 and outputs a sensing signal by sensing the vibration of the vibration transmission plate 310. The sensing signal output from the vibration sensor 340 is transmitted to the ultrasonic generation unit ( 320) is used to control the frequency and vibration of ultrasonic waves generated.

콘트롤러(350)는 진동 센서(340)로부터 발생된 센싱 신호를 입력 받아 기판(1)을 플로팅 시키기에 적합한 기 설정된 초음파와 비교하여 초음파 발생 유닛(320)에서 발생되는 초음파의 진동수 및 진폭을 피드백 제어한다.The controller 350 receives the sensing signal generated from the vibration sensor 340 and feedback controls the frequency and amplitude of the ultrasonic wave generated by the ultrasonic generation unit 320 by comparing it with a preset ultrasonic wave suitable for floating the substrate 1. do.

콘트롤러(350)는 진동 센서(340)로부터 입력된 센싱 신호에 근거하여 전원 제공부(330)로 출력되는 전원의 세기 및 초음파 발생 유닛(320)으로부터 발생된 초음파의 진동수 및 진폭을 제어한다.The controller 350 controls the intensity of power output to the power supply unit 330 and the frequency and amplitude of ultrasonic waves generated from the ultrasonic generation unit 320 based on the sensing signal input from the vibration sensor 340.

본 발명의 일실시예에서, 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200) 사이에는 하나의 기판 플로팅 유닛(300)이 배치될 수 있지만, 하나의 기판 플로팅 유닛(300)으로 기판(1)을 플로팅 시킬 경우 제작 비용이 크게 상승되기 때문에 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200) 사이에는 복수개의 기판 플로팅 유닛(300)이 도 1에 도시된 바와 같이 직렬 배치 또는 매트릭스 형태로 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, one substrate floating unit 300 may be disposed between the first stage unit 100 and the second stage unit 200, but the substrate ( 1), because the manufacturing cost increases significantly when floating, a plurality of substrate floating units 300 are arranged in series or in a matrix between the first stage unit 100 and the second stage unit 200 as shown in FIG. It can be arranged in any form.

한편, 복수개의 기판 플로팅 유닛(300)들을 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200) 사이에 배치할 경우, 복수개의 기판 플로팅 유닛(300)들의 진동 전달판(310)의 높이가 서로 달라질 수 있기 때문에 박막 형성 장치(800)는 진동 전달판(310)의 높이를 일정하게 조절하는 레벨링 유닛(미도시)을 포함할 수 있다.Meanwhile, when the plurality of substrate floating units 300 are disposed between the first stage unit 100 and the second stage unit 200, the height of the vibration transmission plate 310 of the plurality of substrate floating units 300 is Since they may differ from each other, the thin film forming apparatus 800 may include a leveling unit (not shown) that constantly adjusts the height of the vibration transmission plate 310.

기판 플로팅 유닛(300)들은 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200) 사이에 배치된 상태에서 초음파를 이용하여 기판(1)을 플로팅 시킨다.The substrate floating units 300 are disposed between the first stage unit 100 and the second stage unit 200 and float the substrate 1 using ultrasonic waves.

이와 같이 기판 플로팅 유닛(300)에서 발생 된 진동이 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200)으로 전달될 경우, 제1 및 제2 스테이지 유닛(100,200)에서 기판(1)이 안정적으로 플로팅 되기 어려울 수 있다.In this way, when the vibration generated in the substrate floating unit 300 is transmitted to the first stage unit 100 and the second stage unit 200, the substrate 1 is stable in the first and second stage units 100 and 200. It may be difficult to float.

이를 방지하기 위해서 기판 플로팅 유닛(300)은 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200)으로부터 일정 간격 이격 된 상태로 배치되어 1차적으로 기판 플로팅 유닛(300)에서 발생 된 진동이 제1 및 제2 스테이지 유닛(100,200)들로 인가되는 것을 방지할 수 있다.In order to prevent this, the substrate floating unit 300 is disposed at a certain distance from the first stage unit 100 and the second stage unit 200 to primarily prevent vibration generated from the substrate floating unit 300. Application to the first and second stage units 100 and 200 can be prevented.

한편 기판 플로팅 유닛(300)에서 발생 된 진동이 제1 및 제2 스테이지 유닛(100,200)들로 인가되는 것을 방지하기 위해서 기판 플로팅 유닛(300) 및 제1 및 제2 스테이지 유닛(100,200)들의 일정 간격 이상 증가시키기는 것이 어렵기 때문에 본 발명의 일실시예에서는 도 2에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 스테이지 유닛(100,200)들에는 기판 플로팅 유닛(300)으로부터 발생된 진동을 상쇄시켜 제거하는 댐퍼 유닛(130,230)이 배치된다.Meanwhile, in order to prevent vibration generated from the substrate floating unit 300 from being applied to the first and second stage units 100 and 200, the substrate floating unit 300 and the first and second stage units 100 and 200 are spaced at a certain distance. Since it is difficult to increase it more than that, in one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, the first and second stage units 100 and 200 are provided with a damper that cancels out and removes the vibration generated from the substrate floating unit 300. Units 130 and 230 are disposed.

본 발명의 일실시예에서, 기판 플로팅 유닛(300)의 초음파 발생 유닛(320)의 하부에는 초음파 발생 유닛(320)으로부터 발생 된 진동 중 초음파 발생 유닛(320)의 하부를 향하는 진동을 상쇄시켜 제거하는 댐퍼 유닛(325)이 배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the vibration directed toward the bottom of the ultrasonic generation unit 320 among the vibrations generated from the ultrasonic generation unit 320 is canceled and removed at the lower part of the ultrasonic generation unit 320 of the substrate floating unit 300. A damper unit 325 may be disposed.

본 발명의 일실시예에서, 초음파 발생 유닛(320)에서 발생된 진동을 상쇄시켜 제거하는 댐퍼 유닛(325)는 상기 레벨링 유닛의 역할도 함께할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the damper unit 325, which cancels and removes vibration generated by the ultrasonic generation unit 320, may also serve as the leveling unit.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 박막 형성 장치(400)는 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200)의 사이에 배치되며, 박막 형성 장치(400)는 기판 플로팅 유닛(300)의 상부에 배치된다.Referring again to FIGS. 1 and 2, the thin film forming apparatus 400 is disposed between the first stage unit 100 and the second stage unit 200, and the thin film forming apparatus 400 is connected to the substrate floating unit 300. ) is placed at the top of the.

박막 형성 장치(400)는 제1 스테이지(100)에 로딩 되어 제2 스테이지(200)를 향하는 기판(1)의 상면에 박막을 형성하기 위한 물질을 도포한다.The thin film forming apparatus 400 is loaded on the first stage 100 and applies a material for forming a thin film on the upper surface of the substrate 1 facing the second stage 200.

예를 들어, 기판(1)에 형광성 유기막 및 무기막인 패시베이션막이 형성된 경우 기판(1)에 제공되는 물질은 투명하면서 유동성을 갖고 기판(1)에 도포 후 경화되는 에폭시 소재 또는 아크릴 소재일 수 있다.For example, when a passivation film, which is a fluorescent organic film and an inorganic film, is formed on the substrate 1, the material provided to the substrate 1 may be an epoxy material or an acrylic material that is transparent and has fluidity and is cured after being applied to the substrate 1. there is.

도 1을 다시 참조하면, 기판 이송 유닛(500)은 기판(1)을 제1 스테이지 유닛(100), 기판 플로팅 유닛(300)을 경유하여 제2 스테이지 유닛(200)으로 이송한다.Referring again to FIG. 1 , the substrate transfer unit 500 transfers the substrate 1 to the second stage unit 200 via the first stage unit 100 and the substrate floating unit 300.

기판 이송 유닛(500)은 그립퍼(gripper;510) 및 이송 유닛(520)을 포함한다.The substrate transfer unit 500 includes a gripper 510 and a transfer unit 520.

그립퍼(510)는 기판(1)의 측면을 고정하는 역할을 하며, 기판 이송 유닛(520)은 그립퍼(510)를 제1 스테이지 유닛(100)으로부터 제2 스테이지 유닛(200)으로 이송하는 역할을 한다.The gripper 510 serves to fix the side of the substrate 1, and the substrate transfer unit 520 serves to transfer the gripper 510 from the first stage unit 100 to the second stage unit 200. do.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막 형성 장치의 단면도이다. 도 4에 도시된 박막 형성 장치는 제1 스테이지 유닛에 기판 플로팅 유닛을 배치 및 제2 스테이지 유닛에 기판 플로팅 유닛을 배치한 것을 제외하면 앞서 도 1 내지 도 3에 도시된 박막 형성 장치와 실질적으로 동일한 구성을 갖는다. 따라서 동일한 구성에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성에 대해서는 동일한 명칭 및 동일한 참조부호를 부여하기로 한다.Figure 4 is a cross-sectional view of a thin film forming apparatus according to another embodiment of the present invention. The thin film forming apparatus shown in FIG. 4 is substantially the same as the thin film forming apparatus shown in FIGS. 1 to 3 except that the substrate floating unit is disposed on the first stage unit and the substrate floating unit is disposed on the second stage unit. It has a composition. Therefore, duplicate descriptions of the same components will be omitted, and the same components will be given the same names and reference numerals.

도 4를 참조하면, 제1 스테이지 유닛(100)에는 도 3에 도시된 기판 플로팅 유닛(300)이, 평면상에서 보았을 때, 매트릭스 형태로 배치되고, 기판(1)은 제1 스테이지 유닛(100)에 배치된 복수개의 기판 플로팅 유닛(300)에 의하여 플로팅 된 상태에서 기판 이송 유닛(500)에 의하여 박막 형성 유닛(400)의 하부에 배치된 기판 플로팅 유닛(300)으로 이송된다.Referring to FIG. 4, in the first stage unit 100, the substrate floating unit 300 shown in FIG. 3 is arranged in a matrix form when viewed from the top, and the substrate 1 is in the first stage unit 100. In a floating state by a plurality of substrate floating units 300 disposed, the substrate is transferred to the substrate floating unit 300 disposed below the thin film forming unit 400 by the substrate transfer unit 500.

또한, 제2 스테이지 유닛(200)에는 도 3에 도시된 기판 플로팅 유닛(300)이 매트릭스 형태로 배치되고, 박막 형성 유닛(400)에 의하여 박막이 형성된 기판(1)이 복수개의 기판 플로팅 유닛(300)에 의하여 플로팅 된 상태에서 언로딩 된다.In addition, in the second stage unit 200, the substrate floating units 300 shown in FIG. 3 are arranged in a matrix form, and the substrate 1 on which the thin film is formed by the thin film forming unit 400 is disposed in a plurality of substrate floating units ( 300) and is unloaded in a floating state.

이와 같이 제1 스테이지 유닛(100) 및 제2 스테이지 유닛(200)에 초음파에 의하여 기판(1)을 플로팅 시키는 기판 플로팅 유닛(300)을 배치함으로써 불활성 가스의 사용 없이 기판(1)을 플로팅 및 기판(1)에 박막을 형성할 수 있어 기판(1)에 박막을 형성하는데 소요되는 생산 원가를 감소시킬 수 있다.In this way, the substrate floating unit 300, which floats the substrate 1 by ultrasonic waves, is disposed on the first stage unit 100 and the second stage unit 200, thereby floating the substrate 1 without using an inert gas. Since a thin film can be formed on (1), the production cost required to form a thin film on the substrate (1) can be reduced.

이상에서 상세하게 설명한 바에 의하면, 본 발명은 박막을 기판에 형성할 때 기판의 평탄도를 향상시켜 박막의 두께 불균일에 기인한 박막의 얼룩을 방지할 수 있다.According to the detailed description above, the present invention improves the flatness of the substrate when forming a thin film on the substrate, thereby preventing staining of the thin film due to uneven thickness of the thin film.

또한 본 발명은 기판을 부상시켜 박막이 형성되는 기판의 평탄도를 향상시킬 때 기판을 부상시키기 위한 불활성 기체의 사용량을 감소시켜 생산 원가를 감소시키고 불활성 기체를 공급하기 위한 부속 시설에 기인한 부피 증가를 감소 및 박막을 형성하기 위한 공정 관리 요인을 대폭 감소시켜 박막 형성 공정을 단순화시킬 수 있다.In addition, the present invention reduces the production cost by reducing the amount of inert gas used for floating the substrate when improving the flatness of the substrate on which the thin film is formed by floating the substrate, and increases the volume due to the auxiliary facility for supplying the inert gas. The thin film formation process can be simplified by reducing and significantly reducing the process management factors for forming the thin film.

한편, 본 도면에 개시된 실시예는 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.Meanwhile, the embodiments disclosed in these drawings are merely provided as specific examples to aid understanding, and are not intended to limit the scope of the present invention. It is obvious to those skilled in the art that in addition to the embodiments disclosed herein, other modifications based on the technical idea of the present invention can be implemented.

100...제1 스테이지 유닛 200...제2 스테이지 유닛
300...기판 플로팅 유닛 400...박막 형성 유닛
500...기판 이송 유닛100...1st stage unit 200...2nd stage unit
300...Substrate floating unit 400...Thin film forming unit
500...Substrate transfer unit

Claims (10)

로딩 된 기판을 플로팅 시키는 제1 스테이지 유닛;
플로팅 된 상기 기판을 언로딩 하는 제2 스테이지 유닛;
상기 제1 및 제2 스테이지 유닛들 사이에 배치되며 진동에 의해 발생 된 공기압으로 상기 기판을 플로팅 시키는 기판 플로팅 유닛;
상기 기판 플로팅 유닛의 상부에 배치되어 상기 기판에 박막을 형성하는 박막 형성 유닛; 및
상기 기판을 상기 제1 스테이지 유닛으로부터 상기 제2 스테이지 유닛으로 이송하는 기판 이송 유닛을 포함하고,
상기 기판 플로팅 유닛은, 상기 기판의 하부에 배치되는 진동 전달판 및 상기 진동 전달판에 초음파를 인가하여 상기 기판 및 상기 진동 전달판 사이에 상기 공기압을 형성하는 초음파 발생 유닛을 포함하고,
상기 기판 플로팅 유닛으로부터 발생된 진동이 상기 제1 스테이지 유닛과 상기 제2 스테이지 유닛으로 전달되는 것을 감쇄시키는 댐퍼 유닛을 포함하고,
상기 댐퍼 유닛은,
상기 제1 스테이지 유닛의 하부에 배치되는 제1댐퍼 유닛;
상기 제2 스테이지 유닛의 하부에 배치되는 제2댐퍼 유닛; 및
상기 초음파 발생 유닛의 하부에 배치되는 제3댐퍼 유닛을 포함하고,
상기 제1댐퍼 유닛, 상기 제2댐퍼 유닛 및 상기 제3댐퍼 유닛은 상기 기판의 이송 방향을 기준으로 상호 이격된 박막 형성 장치.A first stage unit that floats the loaded substrate;
a second stage unit for unloading the floating substrate;
a substrate floating unit disposed between the first and second stage units and floating the substrate using air pressure generated by vibration;
a thin film forming unit disposed on top of the substrate floating unit to form a thin film on the substrate; and
Comprising a substrate transfer unit that transfers the substrate from the first stage unit to the second stage unit,
The substrate floating unit includes a vibration transmission plate disposed below the substrate and an ultrasonic wave generating unit that applies ultrasonic waves to the vibration transmission plate to form the air pressure between the substrate and the vibration transmission plate,
It includes a damper unit that attenuates vibration generated from the substrate floating unit from being transmitted to the first stage unit and the second stage unit,
The damper unit is,
a first damper unit disposed below the first stage unit;
a second damper unit disposed below the second stage unit; and
It includes a third damper unit disposed below the ultrasonic generation unit,
The first damper unit, the second damper unit, and the third damper unit are spaced apart from each other based on the transfer direction of the substrate. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 초음파 발생 유닛은 상기 초음파를 생성하기 위한 전원을 제공하는 전원 제공부, 상기 초음파의 세기를 센싱 하는 진동 센서 및 상기 진동 센서로부터 발생된 센싱 신호를 통해 상기 전원 제공부로부터 출력되는 상기 전원의 세기를 피드백 제어하는 콘트롤러를 포함하는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
The ultrasonic generation unit includes a power supply unit that provides power for generating the ultrasonic waves, a vibration sensor that senses the intensity of the ultrasonic waves, and the intensity of the power output from the power supply unit through a sensing signal generated from the vibration sensor. A thin film forming device including a controller for feedback control. 제1항에 있어서,
상기 기판 플로팅 유닛은 상기 제1 스테이지 유닛 및 상기 제2 스테이지 유닛의 사이에 복수개가 매트릭스 형태로 배치되며,
상기 기판 플로팅 유닛은 상기 기판 플로팅 유닛들과 상기 기판 사이의 간격을 균일하게 조절하는 레벨링 유닛을 포함하는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
A plurality of substrate floating units are arranged in a matrix form between the first stage unit and the second stage unit,
The substrate floating unit is a thin film forming apparatus including a leveling unit that uniformly adjusts the distance between the substrate floating units and the substrate. 제1항에 있어서,
상기 제1 스테이지 유닛은 상기 기판과 마주하는 제1 스테이지 몸체 및 상기 제1 스테이지 몸체로부터 상기 기판을 향해 불활성 기체를 분사하여 상기 기판을 상기 제1 스테이지 몸체로부터 플로팅 시키는 플로팅 유닛을 포함하는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
The first stage unit is a thin film forming device including a first stage body facing the substrate and a floating unit that floats the substrate from the first stage body by spraying an inert gas from the first stage body toward the substrate. . 제1항에 있어서,
상기 제2 스테이지 유닛은 상기 기판과 마주하는 제2 스테이지 몸체 및 상기 제2 스테이지 몸체로부터 상기 기판을 향해 불활성 기체를 분사하여 상기 기판을 상기 제2 스테이지 몸체로부터 플로팅 시키는 플로팅 유닛을 포함하는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
The second stage unit is a thin film forming device including a second stage body facing the substrate and a floating unit that floats the substrate from the second stage body by spraying an inert gas from the second stage body toward the substrate. . 제1항에 있어서,
기판 이송 유닛은 상기 기판의 측면을 클램핑 하는 그립퍼(gripper) 및 상기 그립퍼를 상기 제1 스테이지 유닛으로부터 상기 제2 스테이지 유닛으로 이송하는 이송 유닛을 포함하는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
The substrate transfer unit is a thin film forming apparatus including a gripper that clamps a side of the substrate and a transfer unit that transfers the gripper from the first stage unit to the second stage unit. 제1항에 있어서,
기판 플로팅 유닛은 상기 제1 스테이지 유닛 및 상기 제2 스테이지 유닛에 추가적으로 매트릭스 형태로 배치되어 진동에 의하여 발생 된 상기 공기압을 이용하여 상기 기판을 플로팅 시키는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
A thin film forming device in which a substrate floating unit is disposed in a matrix form in addition to the first stage unit and the second stage unit and floats the substrate using the air pressure generated by vibration. 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 기판의 온도에 의하여 상기 박막에 얼룩이 발생 되는 것을 방지하기 위해 상기 기판의 온도를 센싱 하는 온도 센서를 더 포함하는 박막 형성 장치.According to paragraph 1,
A thin film forming apparatus further comprising a temperature sensor that senses the temperature of the substrate to prevent stains from occurring on the thin film due to the temperature of the substrate.
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