KR100960239B1 - Apparatus for Depositing Thin Film Including Susceptor Supporter - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공정챔버의 서셉터 바디에 결합되는 액정표시장치용 서셉터 지지대에 있어서, 상기 서셉터 바디의 저면에 결합하는 메인 샤프트와; 상기 메인 샤프트를 중심으로 상기 서셉터 바디의 주변 저면으로 동일간격 이격되어 결합하는 보조 샤프트와; 상기 메인 샤프트와 상기 보조 샤프트를 연결하는 지지축을 포함하는 액정표시장치용 서셉터 지지대에 관한 것이다.
본 발명에 의한 서셉터 지지대를 사용함으로써, 대면적화되고 있는 기판이 안치되어도 서셉터가 변형되지 않고, 보다 적은 양의 세라믹 지지판을 사용할 수 있어 경제적인 효과가 기대된다. The present invention provides a liquid crystal display susceptor support coupled to a susceptor body of a process chamber, comprising: a main shaft coupled to a bottom surface of the susceptor body; An auxiliary shaft coupled to the peripheral bottom surface of the susceptor body at equal intervals with respect to the main shaft; It relates to a susceptor support for a liquid crystal display device including a support shaft connecting the main shaft and the auxiliary shaft.
By using the susceptor support according to the present invention, even when a large-area substrate is placed, the susceptor is not deformed, and a smaller amount of ceramic support plate can be used, so that an economical effect is expected.

Description

서셉터 지지대를 포함한 박막증착장치{Apparatus for Depositing Thin Film Including Susceptor Supporter}Apparatus for Depositing Thin Film Including Susceptor Supporter}

본 발명은 서셉터 지지대에 관한 것으로 보다 상세하게는 대면적 기판이 인입되는 박막 트랜지스터 액정표시장치(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)에 사용될 수 있는 서셉터 지지대에 관한 것이다.
The present invention relates to a susceptor support, and more particularly, to a susceptor support that can be used in a thin film transistor liquid crystal display (TFT-LCD) in which a large area substrate is introduced.

액정표시장치는 어레이 기판과 컬러 필터 기판 사이에 액정을 주입하여, 그 특성을 이용해 영상효과를 얻는 비발광 소자로서, 이러한 어레이 기판과 컬러 필터 기판은 각각 유리등의 재질로 이루어지는 투명 기판 상에 수 차례에 걸친 박막의 증착, 패터닝 및 식각 공정을 통해 제조되는데, 이와 같은 액정표시장치용 박막 증착 장치를 설명하면 다음과 같다. A liquid crystal display device is a non-light emitting device that injects liquid crystal between an array substrate and a color filter substrate and obtains an image effect by using the characteristics thereof. The array substrate and the color filter substrate may be placed on a transparent substrate made of a material such as glass. It is manufactured through the deposition, patterning, and etching processes of thin films, which will be described below.

도 1은 종래의 액정표시장치용 박막 증착 장치를 개략적으로 나타내는 단면도로서, 액정표시장치용 박막 증착 장치는 외부 영역과 차단되어 반응공간을 형성하는 공정챔버(10)에서 실질적인 박막 증착 공정이 수행된다. 상기 공정챔버(10)는 크게 상부 리드(20)와 챔버 바디(30)로 나뉜다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a conventional thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device, wherein the thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device is substantially subjected to a thin film deposition process in a process chamber 10 which is blocked from an external region to form a reaction space. . The process chamber 10 is largely divided into an upper lead 20 and a chamber body 30.

박막 증착을 위해 요구되는 소스가스는 상기 공정챔버(10)의 외부에 설치되는 가스저장부(미도시)로부터 가스라인(80)을 통하여 상기 공정챔버(10)의 상단부에 가로질러 형성되는 가스분산부(40)를 통하여 기판(S)의 상면으로 분사된다. 특히, 플라즈마강화 화학기상증착(PECVD)에 의하여 박막을 형성하고자 하는 경우에는 상기 가스분산부(40)는 외부의 RF 전원(미도시)과 연결되어 기판 상에 분사된 소스가스를 플라즈마 상태로 활성화시킨 뒤에 박막을 형성하게 되어, 상기 가스분산부(40)는 상부전극으로 기능한다. Source gas required for thin film deposition is a gas dispersion formed across the upper end of the process chamber 10 through a gas line 80 from a gas storage unit (not shown) installed outside the process chamber 10. Through the portion 40 is injected to the upper surface of the substrate (S). In particular, when a thin film is to be formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), the gas dispersing unit 40 is connected to an external RF power source (not shown) to activate a source gas injected onto a substrate in a plasma state. After the thin film is formed, the gas dispersion unit 40 functions as an upper electrode.

한편, 상기 챔버 바디(30)의 내부에는 상기 가스분산부(40)와 대향적으로 소정간격 이격되어 서셉터 바디(50)가 설치되어, 그 상면으로 기판(S)이 안착된다. 상기 서셉터 바디(50)의 저면 중앙으로는 서셉터 샤프트(52)가 챔버 하부(32)을 관통하면서 결합되어 서셉터 바디(50)를 지지한다. 상기 서셉터 샤프트(52)는 상기 서셉터 바디(50)의 상면으로 기판의 로딩/언로딩에 따라 상하로 승하강하여 그 상단에 결합된 서셉터 바디(50)를 수직 방향으로 연동시킨다. 이와 같은 승하강 운동을 위해서 구동부(70)가 도시하지 않은 모터 등의 구동수단과 연결되어 있다. 다시 말하면 상기 서셉터 샤프트(52)는 서셉터 바디(50)가 수평을 유지하면서 승강할 수 있도록 지지하는 역할 외에 구동부(70)를 통하여 외부로부터 전달된 동력을 전달하는 축의 역할을 수행한다. Meanwhile, a susceptor body 50 is installed in the chamber body 30 to be spaced apart from the gas dispersion unit 40 by a predetermined interval, and the substrate S is seated on the upper surface thereof. At the center of the bottom surface of the susceptor body 50, a susceptor shaft 52 is coupled while penetrating the lower chamber 32 to support the susceptor body 50. The susceptor shaft 52 is moved up and down to the upper surface of the susceptor body 50 in accordance with the loading / unloading of the substrate to interlock the susceptor body 50 coupled to the upper end in the vertical direction. The driving unit 70 is connected to a driving means such as a motor (not shown) for the lifting and lowering movement. In other words, the susceptor shaft 52 serves as a shaft for transmitting power transmitted from the outside through the driving unit 70 in addition to supporting the susceptor body 50 to be elevated while maintaining the horizontal.

이 때 특히 상기와 같은 서셉터 샤프트(52)의 승강에 따라 챔버의 하부(32)을 통해 외부의 불순물이 공정챔버(10) 내부의 반응영역으로 유입되는 것을 방지할 수 있도록, 챔버 하부(32)의 하부 쪽 서셉터 샤프트(52)의 외주변으로는 벨로우즈(72)가 돌출되도록 설치된다. In this case, in particular, as the lifting and lowering of the susceptor shaft 52 as described above, the lower part of the chamber 32 may be prevented from introducing foreign impurities into the reaction region inside the process chamber 10 through the lower part 32 of the chamber. The bellows 72 protrudes from the outer periphery of the susceptor shaft 52 at the lower side.

또한, 실질적인 증착공정이 진행되기 전후에 공정챔버(10) 내부를 진공상태로 만들 수 있도록 공정챔버의 하단에는 배기구(90)가 설치된다.
In addition, an exhaust port 90 is provided at a lower end of the process chamber so as to vacuum the inside of the process chamber 10 before and after the actual deposition process is performed.

상기와 같이 구성되는 액정표시소자용 박막 증착 장치의 서셉터 부분을 확대하여 도시한 도 2를 참조하면, 서셉터 바디(50)는 기판이 안치되는 상면과 그 반대편의 저면(50b)으로 구분될 수 있다. 서셉터 샤프트(52)는 플랜저 등의 결합을 통해서, 서셉터 샤프트(52)의 단부(52a)가 서셉터 바디(52)의 중앙 저면에 형성되는 관통구(미도시)를 통하여 서셉터 바디(50)와 연결된다. 특히 상기 챔버 저면(32)과 벨로우즈(72)의 상단 사이에는 실링 부재가 개재되어 서셉터 샤프트(52)의 내부영역과 그 외부영역을 차단한다.Referring to FIG. 2 in which the susceptor portion of the thin film deposition apparatus for a liquid crystal display device configured as described above is enlarged, the susceptor body 50 may be divided into an upper surface on which the substrate is placed and a bottom surface 50b on the opposite side thereof. Can be. The susceptor shaft 52 is connected to a susceptor body through a through hole (not shown) through which an end portion 52a of the susceptor shaft 52 is formed at the center bottom of the susceptor body 52. 50). In particular, a sealing member is interposed between the chamber bottom 32 and the upper end of the bellows 72 to block the inner region and the outer region of the susceptor shaft 52.

한편, 상기 서셉터 바디(50)의 내면에는 발열소자(히터, 미도시)가 매설되어 서셉터 바디(50)의 상면으로 안치되는 기판(S)을 소정의 온도로 가열시켜 소스가스가 기판(S)의 상면으로 증착될 수 있다. 이 때, 공급되는 소스가스를 플라즈마 처리하여 여기시키기 위하여 경우 상기 서셉터 바디(50)는 전기적으로 접지되어 있다. 즉, 상기 서셉터 바디(50)는 그 상면에 안착되는 기판(S)으로 적절한 온도의 열을 공급함과 동시에 상기 상부전극으로 기능하는 가스분산부(40)에 대응되는 하부전극으로 기능하는데, 이를 위해 상기 서셉터 바디(50)는 알루미늄으로 제작된다.
On the other hand, a heat generating element (heater, not shown) is embedded in the inner surface of the susceptor body 50 to heat the substrate S placed on the upper surface of the susceptor body 50 to a predetermined temperature so that the source gas is the substrate ( It may be deposited on the upper surface of S). At this time, the susceptor body 50 is electrically grounded when the source gas supplied is subjected to plasma treatment to excite it. That is, the susceptor body 50 functions as a lower electrode corresponding to the gas dispersing unit 40 serving as the upper electrode while supplying heat of an appropriate temperature to the substrate S seated on the upper surface thereof. The susceptor body 50 is made of aluminum.

최근 액정표시소자(LCD)를 제작하기 위한 기판(S)이 점차 대면적화되고 있어, 기판(S)을 상면에서 지지하는 서셉터 바디(50)의 크기는 기판(S)의 크기 증대에 따라 증가할 수밖에 없다. 그러나 기술한 바와 같이 서셉터 바디(50)를 한 개의 서셉터 샤프트(52)로 지지하는 경우에 사이즈가 증가한 서셉터 바디(50)는 사이즈 및 무게가 증가한 기판(S)을 제대로 지지할 수 없다. 따라서 도 3에서 도시한 바와 같이 서셉터 바디(50)의 주변 영역(50a)은 중력으로 인하여 아래쪽으로 휘어지는 변형(deformation)이 일어난다. Recently, the substrate (S) for manufacturing the liquid crystal display (LCD) has been gradually increased in size, and the size of the susceptor body 50 supporting the substrate S from the upper surface increases with the increase in the size of the substrate S. Have no choice but to. However, as described above, when the susceptor body 50 is supported by one susceptor shaft 52, the susceptor body 50 having increased size cannot properly support the substrate S having increased size and weight. . Therefore, as shown in FIG. 3, the peripheral region 50a of the susceptor body 50 is deformed downward due to gravity.

서셉터 바디(50)가 수평으로 유지되지 못하고 변형되면 공정챔버(10) 상단에 위치한 가스분산부(40)와 서셉터 바디(50)의 상면에 안착되는 기판(S)의 중앙부와 주변부 각각에 이르는 거리의 차이가 있게 되고, 기판(S)의 영역에 따라 분사되는 소스가스량이 다르게 됨으로써, 기판(S) 전체에 걸쳐 균일하게 증착되지 않는다. If the susceptor body 50 is not horizontally deformed and deformed, the susceptor body 50 may be deformed in each of the central and periphery portions of the gas dispersing portion 40 located at the top of the process chamber 10 and the substrate S seated on the upper surface of the susceptor body 50. There is a difference in distance to reach, and the amount of source gas injected according to the region of the substrate S is different, so that it is not uniformly deposited over the entire substrate S. FIG.

이런 문제점을 해결하기 위해서 우선 서셉터 샤프트(52)가 서셉터 바디(50)에 대한 접합면적을 증대시키는 방안이 있을 수 있으나, 서셉터 샤프트(52)의 면적이 증가하면 서셉터 샤프트(52)에서의 영역에 따라 온도 차이가 증가하는 문제점이 발생한다. 따라서 서셉터 바디(50)의 저면(50b) 및 서셉터 샤프트(52)의 외주변으로 각각 세라믹 재질의 지지판(64a, 64b)이 형성되어 서셉터 바디(50)가 변형되는 것을 방지하고 있다. 그러나 서셉터 바디(50) 저면에 놓이게 되는 세라믹 판(64a)은 서셉터 바디(50)의 변형을 방지하기에는 비효율적이고 제작하기도 어려울 뿐 아니라 파손되는 경우 그 전체를 다시 제작하여야 하며 고가로서 장비의 고비용을 초래하는 문제가 있다.
In order to solve this problem, the susceptor shaft 52 may first increase the bonding area with respect to the susceptor body 50. However, when the area of the susceptor shaft 52 is increased, the susceptor shaft 52 may be increased. The problem arises in that the temperature difference increases with the region at. Therefore, the support plates 64a and 64b made of ceramic are formed around the bottom surface 50b and the susceptor shaft 52 of the susceptor body 50 to prevent the susceptor body 50 from being deformed. However, the ceramic plate 64a, which is placed on the bottom of the susceptor body 50, is inefficient to prevent deformation of the susceptor body 50 and is difficult to manufacture. There is a problem that causes.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 본 발명의 목적은 대면적 기판이 안치되는 경우에도 서셉터의 변형을 방지할 수 있는 서셉터 지지대를 제공하고자 하는 것이다.
The present invention has been proposed to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a susceptor support that can prevent deformation of the susceptor even when a large area substrate is placed.

상기한 목적을 위하여 본 발명은 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 위치하고 기판이 안치되는 서셉터 바디; 상기 서셉터 바디의 저면 중앙에서 결합되어 연직방향으로 상기 공정챔버의 외부까지 확장되는 메인 샤프트; 상기 메인 샤프트를 중심으로 동일간격 이격되며 상기 서셉터 바디의 저면 주변에서 결합되어 연직방향으로 상기 공정챔버의 외부까지 확장되는 다수의 보조 샤프트; 상기 메인 샤프트의 주위와 대응되는 상기 서셉터 바디의 저면에 부착되는 제 1 세라믹 판과, 상기 다수의 보조 샤프트의 주위와 대응되고 서로 이격되어 상기 서셉터 바디의 저면에 부착되는 다수의 제 2 세라믹 판; 및 상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트는 상기 공정챔버를 관통하여 상기 공정챔버의 외부로 확장되고, 상기 공정챔버의 외부로 확장된 상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트를 연결시키는 지지축;을 포함하는 박막증착장치를 제공한다.
The present invention for the above object is a process chamber; A susceptor body positioned inside the process chamber and having a substrate placed therein; A main shaft coupled to a center of a bottom surface of the susceptor body and extending outwardly of the process chamber in a vertical direction; A plurality of auxiliary shafts spaced about the main shaft and spaced apart from each other by a plurality of auxiliary shafts coupled around the bottom of the susceptor body and extending outwardly of the process chamber in a vertical direction; A first ceramic plate attached to the bottom surface of the susceptor body corresponding to the periphery of the main shaft, and a plurality of second ceramics attached to the bottom surface of the susceptor body spaced apart from each other and corresponding to the periphery of the plurality of auxiliary shafts plate; And a support shaft through which the main shaft and the plurality of auxiliary shafts extend through the process chamber to the outside of the process chamber and connect the main shaft and the plurality of auxiliary shafts that extend out of the process chamber. It provides a thin film deposition apparatus comprising.

본 발명에 의해 제안된 액정 표시장치용 서셉터 지지대는 기판이 안치되는 서셉터 바디의 전 영역을 지지할 수 있도록 구성되어 점차 대면적화되고 있는 기판의 무게에도 불구하고 서셉터 바디가 변형되는 것을 미연에 방지할 수 있다. The susceptor support for the liquid crystal display proposed by the present invention is configured to support the entire area of the susceptor body on which the substrate is placed, so that the susceptor body is deformed in spite of the weight of the substrate being gradually enlarged. To prevent it.

따라서, 공정챔버 상단에 설치되는 가스분산부와 서셉터 상면에 안착되는 기판의 전 영역에 걸쳐 분산되는 소스가스의 양이 일정하게 되어 기판 전체에 걸쳐 균일한 박막을 증착할 수 있다. Therefore, the amount of source gas dispersed over the entire area of the substrate seated on the upper surface of the susceptor and the gas dispersing unit provided at the upper end of the process chamber is constant, so that a uniform thin film can be deposited over the entire substrate.

특히, 통상 고가로 제조되는 세라믹 판은 서셉터 바디의 일부 영역에만 부착하면 되기 때문에 세라믹 판의 제조 및 파손에 의한 장치 비용의 상승과 비효율을 미연에 방지할 수 있다.
In particular, since the ceramic plate, which is usually manufactured at high cost, only needs to be attached to a part of the susceptor body, an increase in device cost and inefficiency due to manufacture and breakage of the ceramic plate can be prevented.

도 1은 종래 액정표시장치용 공정챔버를 개략적으로 도시한 단면도
도 2는 도 1의 서셉터 부분을 확대하여 표시한 단면도
도 3은 종래 액정표시장치용 공정챔버 내부에 설치된 서셉터의 변형상태를 도시한 단면도
도 4는 본 발명에 따른 액정 표시장치용 공정챔버를 개략적으로 도시한 단면도
도 5는 도 4의 서셉터 및 그 지지구조를 확대하여 표시한 단면도
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 공정챔버 120 : 리드
130 : 챔버 바디 132 : 챔버 하부
140 : 가스분산부 190 : 배기관
200 : 서셉터 바디 210 : 메인 샤프트
216 : 제 1 벨로우즈 220 : 보조 샤프트
224 : 보조 샤프트 지지대 226 : 제 2 벨로우즈
230 : 지지축 242, 244 : 실링 부재
250 : 구동부 262, 264 : 세라믹 지지판1 is a cross-sectional view schematically showing a process chamber for a conventional liquid crystal display device
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the susceptor portion of FIG. 1. FIG.
3 is a cross-sectional view illustrating a modified state of a susceptor installed in a process chamber for a conventional liquid crystal display device.
4 is a cross-sectional view schematically showing a process chamber for a liquid crystal display according to the present invention.
5 is an enlarged cross-sectional view of the susceptor and its supporting structure of FIG.
<Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
100: process chamber 120: lead
130: chamber body 132: lower chamber
140: gas distribution unit 190: exhaust pipe
200: susceptor body 210: main shaft
216: first bellows 220: auxiliary shaft
224: auxiliary shaft support 226: second bellows
230: support shaft 242, 244: sealing member
250: driving unit 262, 264: ceramic support plate

이하, 첨부하는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 따르는 액정표시장치의 박막증착장치를 개략적으로 도시한 단면도로서, 외부 영역과 차단되어 반응영역을 형성하는 공정챔버(100)에서 실질적인 박막 증착 공정이 되는데, 공정챔버(100)는 크게 상부 리드(120)와 챔버 바디(130)로 나뉜다. 4 is a cross-sectional view schematically showing a thin film deposition apparatus of a liquid crystal display according to the present invention, which is a substantially thin film deposition process in the process chamber 100 is blocked from the external region to form a reaction region, the process chamber 100 Is largely divided into the upper lead 120 and the chamber body 130.

상기 상부 리드(120)의 내부에는 백킹 플레이트와 샤워헤드로 구성되는 가스분산부(140)가 공정챔버(100)의 상단을 가로질러 형성되는데, 외부의 가스저장부(미도시)로부터 공급된 소스가스는 가스라인(180)을 경유하여 상기 가스분산부(140)로 유입된 뒤, 가스분산부(140)에 다수 설치되는 관통홀(미도시)을 통하여 기판(S)의 상면으로 분사된다. 특히, PECVD 장치에서 상기 가스분산부(140)는 외부의 RF 전원(미도시)과 연결되어 기판(S) 상에 분사된 소스가스를 플라즈마 상태로 활성화시키는 상부전극으로 기능한다.
A gas dispersing unit 140 including a backing plate and a shower head is formed across the upper end of the process chamber 100 in the upper lead 120, and a source supplied from an external gas storage unit (not shown). Gas is introduced into the gas dispersing unit 140 via the gas line 180, and then injected into the upper surface of the substrate S through a plurality of through holes (not shown) installed in the gas dispersing unit 140. In particular, in the PECVD apparatus, the gas dispersing unit 140 functions as an upper electrode connected to an external RF power source (not shown) to activate the source gas injected onto the substrate S in a plasma state.

한편, 상기 챔버 바디(130)의 내부에는 상기 가스분산부(140)에 대향되어 그 상면으로 기판(S)이 안착되는 서셉터 바디(200)가 설치되는데, 서셉터 바디(200)는 기판(S)이 안치되는 상면과 그 반대편의 저면(204)으로 구분될 수 있다. 특히 본 발명에 따르면 상기 서셉터 바디(200)의 저면(204)의 중앙에 결합되는 메인 샤프트(210)와 상기 메인 샤프트(210)를 중심으로 서셉터 바디(200)에서 주변영역(202)의 저면에 결합되는 다수의 보조 샤프트(220)가 대칭적으로 설치되어 상기 서셉터 바디(200)를 지지하도록 구성된다. 이 때 메인 샤프트(210) 및 다수의 보조 샤프트(220) 각각은 플랜저 등을 통해서, 메인 샤프트(210) 및 다수의 보조 샤프트(220) 각각의 일단이 서셉터 바디(200) 저면에 형성되는 제 1 관통구(미도시) 및 다수의 제 2 관통구(미도시)를 통하여 서셉터 바디(200)와 연결된다. Meanwhile, a susceptor body 200 in which the substrate S is seated on the upper surface of the chamber body 130 is disposed opposite to the gas dispersion unit 140, and the susceptor body 200 is formed of a substrate ( It may be divided into an upper surface on which S) is placed and a bottom surface 204 opposite thereto. In particular, according to the present invention, the main shaft 210 coupled to the center of the bottom 204 of the susceptor body 200 and the peripheral region 202 of the susceptor body 200 with respect to the main shaft 210. A plurality of auxiliary shafts 220 coupled to the bottom surface are symmetrically installed to support the susceptor body 200. In this case, each of the main shaft 210 and the plurality of auxiliary shafts 220 is formed at the bottom of the susceptor body 200 through one end of each of the main shaft 210 and the plurality of auxiliary shafts 220 through a flanger or the like. It is connected to the susceptor body 200 through one through hole (not shown) and a plurality of second through holes (not shown).

상기 서셉터 바디(200)의 내면에는 도시하지는 않았으나 발열소자(히터)가 매설되어 서셉터 바디(200) 상면으로 안치되는 기판(S)을 소정의 온도로 가열시켜 소스가스가 기판(S)의 상면으로 증착될 수 있도록 한다. 이 때, 공급되는 소스가스를 플라즈마 처리하여 여기시키는 경우 상기 서셉터 바디(200)는 전기적으로 접지되어 있다. 즉, 상기 서셉터 바디(200)는 그 상면에 안치되는 기판(S)으로 적절한 온도의 열을 공급함과 동시에 상기 상부전극으로 기능하는 가스분산부(140)에 대향하여 하부전극으로 기능한다.Although not shown on the inner surface of the susceptor body 200, a heating element (heater) is embedded to heat the substrate S, which is placed on the upper surface of the susceptor body 200, to a predetermined temperature so that the source gas is formed on the substrate S. Allow to be deposited on top. In this case, when the source gas supplied is excited by plasma treatment, the susceptor body 200 is electrically grounded. That is, the susceptor body 200 supplies heat of a suitable temperature to the substrate S placed on the upper surface thereof and functions as a lower electrode opposite to the gas dispersing unit 140 serving as the upper electrode.

이 때 상기 다수의 보조 샤프트(220)는 메인 샤프트(210)를 중심으로 서로 대향적으로 다수 설치되는 것이 바람직하고 그 각각은 동일간격 이격될 수 있다. 너무 많은 수의 보조 샤프트(220)가 설치되는 경우 장치의 제조비용이 증가할 수 있다는 점을 고려한다면 메인 샤프트(210)를 중심으로 1쌍의 보조 샤프트(220)가 대칭적으로 설치되는 것이 더욱 바람직하다. In this case, the plurality of auxiliary shafts 220 may be installed to be opposed to each other with respect to the main shaft 210, and each of them may be spaced at equal intervals. Considering that the manufacturing cost of the apparatus may increase when too many auxiliary shafts 220 are installed, it is more preferable that a pair of auxiliary shafts 220 are installed symmetrically about the main shaft 210. desirable.

또한 상기 메인 샤프트(210) 및 상기 다수의 보조 샤프트(220)는 상기 서셉터 바디(200)의 저면(204)으로부터 연직 하향되도록 구성되어, 메인 샤프트(210)의 타단은 챔버 하면(132)을 관통하여 공정챔버(100)의 외부로 확장된다. 이 때 상기 메인 샤프트(210)에는 도시하지 않은 모터 등의 구동수단과 연결되는 구동부(250)가 연결되어 있어 외부로부터 전달된 동력을 서셉터 바디(200)에 전달하여 기판(S)이 상기 서셉터 바디(200)의 상면으로 로딩/언로딩함에 따라 서셉터 바디(200)를 승하강시키게 된다. In addition, the main shaft 210 and the plurality of auxiliary shafts 220 are configured to be vertically downward from the bottom surface 204 of the susceptor body 200, so that the other end of the main shaft 210 has a lower surface of the chamber 132. It penetrates and extends out of the process chamber 100. At this time, the main shaft 210 is connected to the driving unit 250 is connected to the drive means such as a motor (not shown) to transfer the power transmitted from the outside to the susceptor body 200 to the substrate (S) The susceptor body 200 is raised and lowered by loading / unloading onto the upper surface of the acceptor body 200.

상기 다수의 보조 샤프트(220)는 상기한 것과 같이 서셉터 바디(200)의 주변영역(202)이 그 상면에 안치되는 대면적 기판(S)의 무게로 인하여 하향으로 변형되는 것을 방지하기 위한 것으로서 서셉터 바디(200)를 주변 영역(202)의 저면(204)에 연결되는데, 메인 샤프트(210)가 구동부(250)에 의하여 상하로 승강할 수 있다는 점을 고려할 때 구동부(250)에 연결되어 구동부(250)의 동작에 의하여 메인 샤프트(210)와 함께 상하로 연동될 수 있도록 설치될 수 있다. As described above, the plurality of auxiliary shafts 220 are used to prevent the peripheral area 202 of the susceptor body 200 from being deformed downward due to the weight of the large-area substrate S placed on its upper surface. The susceptor body 200 is connected to the bottom surface 204 of the peripheral region 202, which is connected to the driving unit 250 in consideration of the fact that the main shaft 210 can be moved up and down by the driving unit 250. By the operation of the driving unit 250 may be installed to be interlocked with the main shaft 210 up and down.

이를 위해서, 본 발명에서는 상기 메인 샤프트(210)의 외주변에 설치되는 구동부(250)와 서셉터 바디(200)의 주변영역(202)의 저면(204)에 대칭적으로 설치되는 다수의 보조 샤프트(220)를 연결하는 지지축(230)을 설치하는 것이 바람직하다.To this end, in the present invention, a plurality of auxiliary shafts symmetrically installed on the driving unit 250 installed on the outer periphery of the main shaft 210 and the bottom surface 204 of the peripheral region 202 of the susceptor body 200. It is preferable to install the support shaft 230 for connecting the 220.

본 발명에 따르는 서셉터 지지대를 보다 상세하게 도시한 도 5를 참조하여 설명하면, 상기 메인 샤프트(210) 및 상기 다수의 보조 샤프트(220) 각각의 타단과 챔버하면(132) 사이에서, 공정챔버(100)의 외주변으로는 각각 제 1 벨로우즈(216) 및 다수의 제 2 벨로우즈(226)가 돌출되도록 설치되어 챔버하면(132)을 통해 외부의 불순물이 공정챔버(100) 내부의 반응영역으로 유입되는 것을 방지한다.Referring to FIG. 5 showing the susceptor support according to the present invention in more detail, between the other end of each of the main shaft 210 and the plurality of auxiliary shafts 220 and the lower surface of the chamber 132, a process chamber The outer periphery of the 100 is installed so that the first bellows 216 and the plurality of second bellows 226 are protruded, respectively, and external impurities are transferred to the reaction region inside the process chamber 100 through the lower chamber 132. To prevent ingress.

특히 상기 제 1 벨로우즈 및 다수의 제 2 벨로우즈(216, 226)와 상기 챔버하면(132) 사이에는 각각 실링 부재(242, 244)가 개재되어 상기 메인 샤프트(210) 및 상기 다수의 보조 샤프트(220)의 내부영역과 외부영역을 완전히 차단하게 된다.In particular, sealing members 242 and 244 are interposed between the first bellows and the plurality of second bellows 216 and 226 and the lower chamber 132, respectively, so that the main shaft 210 and the plurality of auxiliary shafts 220 are interposed therebetween. It will completely block the inner and outer areas of).

또한 상기 다수의 보조샤프트(220) 각각의 타단에는 상기 다수의 제 2 벨로우즈(226)를 고정시킬 수 있는 다수의 보조 샤프트 지지대(224)가 설치되어 상기 다수의 보조 샤프트(220)를 지지한다. 특히 상기 다수의 보조 샤프트 지지대(224)는 도시한 바와 같이 그 저면이 상기 지지축(230)의 일단과 연결되어 상기 지지축(230)의 타단과 연결되어 있는 구동부(250)에 연동된다. 다시 말하면 상기 다수의 보조 샤프트(220)는 상기 지지축(230)을 통하여 구동부(250)와 연결되어 외부의 동력원에 의하여 전달되는 구동력에 의하여 메인 샤프트(210)와 함께 서셉터 바디(200)를 연직방향으로 승하강시키게 된다. In addition, a plurality of auxiliary shaft supports 224 that can fix the plurality of second bellows 226 are installed at the other end of each of the plurality of auxiliary shafts 220 to support the plurality of auxiliary shafts 220. In particular, the plurality of auxiliary shaft support 224 as shown in the bottom surface is connected to one end of the support shaft 230 is linked to the drive unit 250 is connected to the other end of the support shaft 230. In other words, the plurality of auxiliary shafts 220 are connected to the driving unit 250 through the support shaft 230 to connect the susceptor body 200 together with the main shaft 210 by a driving force transmitted by an external power source. Ascending and descending in the vertical direction.

이 때 상기 지지축(230)은 다양한 방식을 통하여 일단은 상기 다수의 보조 샤프트 지지대(224)와 연결되고 타단은 구동부(250)와 연결될 수 있는바, 예컨대 볼트 등의 결합수단을 이용할 수 있다. In this case, the support shaft 230 may be connected to the plurality of auxiliary shaft supports 224 at one end and the other end to the driving unit 250 through various methods, for example, a coupling means such as a bolt may be used.

특히, 본 발명에서는 서셉터 바디(200)의 저면(204)의 중앙으로는 메인 샤프트(210)가, 주변영역(202)의 저면(204)으로는 다수의 보조 샤프트(220)가 설치되어 이를 지지하고 있기 때문에, 종래와 같이 서셉터 바디(200)의 저면(204) 대부분에 걸쳐 세라믹 판을 설치할 필요가 없다. 즉, 도 5에서 도시한 바와 같이 메인 샤프트(210) 및 상기 다수의 보조 샤프트(220) 각각이 결합되어 있는 저면(204)의 주변으로만 제 1 세라믹 판(262)과 제 1 세라믹 판(262)과 이격되는 다수의 제 2 세라믹 판(264)을 설치하여도 충분히 대면적 기판(S)의 무게를 지지할 수 있어 세라믹 판의 제조에 따르는 곤란함과 세라믹 판의 파손으로 인한 장비의 비효율을 상당 부분 제어할 수 있게 된다.In particular, in the present invention, the main shaft 210 is installed at the center of the bottom 204 of the susceptor body 200, and a plurality of auxiliary shafts 220 are installed at the bottom 204 of the peripheral region 202. Since it is supporting, it is not necessary to provide a ceramic plate over most of the bottom face 204 of the susceptor body 200 like conventionally. That is, as shown in FIG. 5, the first ceramic plate 262 and the first ceramic plate 262 are only around the bottom surface 204 to which the main shaft 210 and the plurality of auxiliary shafts 220 are coupled. Even if a plurality of second ceramic plates 264 spaced apart from each other can be sufficiently supported the weight of the large-area substrate S, it is difficult to manufacture the ceramic plate and inefficiency of the equipment due to the breakage of the ceramic plate. You can control a lot.

도 4의 미설명부호 190은 배기구로서 증착공정 전후에 공정챔버(100) 내부를 진공상태로 유지시킨다.
Reference numeral 190 in FIG. 4 is an exhaust port to maintain the inside of the process chamber 100 in a vacuum state before and after the deposition process.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 기술하였으나 다양한 변형과 변경이 가능하며 그와 같은 변형과 변경은 본 발명의 권리범위에 속한다는 것은 첨부하는 청구의 범위를 통하여 보다 분명해질 것이다. In the above description of the preferred embodiment of the present invention, various modifications and changes are possible, and it will be more apparent through the appended claims that such modifications and changes belong to the scope of the present invention.

Claims (11)

공정챔버;
상기 공정챔버의 내부에 위치하고 기판이 안치되는 서셉터 바디;
상기 서셉터 바디의 저면 중앙에서 결합되어 연직방향으로 상기 공정챔버의 외부까지 확장되는 메인 샤프트;
상기 메인 샤프트를 중심으로 동일간격 이격되며 상기 서셉터 바디의 저면 주변에서 결합되어 연직방향으로 상기 공정챔버의 외부까지 확장되는 다수의 보조 샤프트;
상기 메인 샤프트의 주위와 대응되는 상기 서셉터 바디의 저면에 부착되는 제 1 세라믹 판과, 상기 다수의 보조 샤프트의 주위와 대응되고 서로 이격되어 상기 서셉터 바디의 저면에 부착되는 다수의 제 2 세라믹 판; 및
상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트는 상기 공정챔버를 관통하여 상기 공정챔버의 외부로 확장되고, 상기 공정챔버의 외부로 확장된 상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트를 연결시키는 지지축;을 포함하고,
상기 지지축이 승강함에 따라 상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트가 함께 승강하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
Process chamber;
A susceptor body positioned inside the process chamber and having a substrate placed therein;
A main shaft coupled to a center of a bottom surface of the susceptor body and extending outwardly of the process chamber in a vertical direction;
A plurality of auxiliary shafts spaced about the main shaft and spaced apart from each other by a plurality of auxiliary shafts coupled around the bottom of the susceptor body and extending outwardly of the process chamber in a vertical direction;
A first ceramic plate attached to the bottom surface of the susceptor body corresponding to the periphery of the main shaft, and a plurality of second ceramics attached to the bottom surface of the susceptor body spaced apart from each other and corresponding to the periphery of the plurality of auxiliary shafts plate; And
The main shaft and the plurality of auxiliary shafts extends to the outside of the process chamber through the process chamber, the support shaft for connecting the main shaft and the plurality of auxiliary shafts extended to the outside of the process chamber; and,
Thin film deposition apparatus, characterized in that the main shaft and the plurality of auxiliary shafts are elevated together as the support shaft is elevated.
제 1 항에 있어서,
상기 공정챔버의 외부로 확장된 상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트 각각에 제 1 벨로우즈와 다수의 제 2 벨로우즈를 설치하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 1,
And a plurality of first bellows and a plurality of second bellows are provided on each of the main shaft and the plurality of auxiliary shafts extending out of the process chamber.
제 1항에 있어서,
상기 메인 샤프트 및 상기 다수의 보조 샤프트를 승강시키는 구동력을 제공하기 위하여 상기 지지축에 연결된 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 1,
And a driving unit connected to the support shaft to provide a driving force for elevating the main shaft and the plurality of auxiliary shafts.
제 1항에 있어서,
상기 서셉터 바디의 상기 저면 중앙 및 상기 저면 주변에는 제 1 관통구 및 다수의 제 2 관통구가 형성되고, 상기 메인 샤프트와 상기 다수의 보조 샤프트 각각의 일단이 상기 제 1 관통구 및 다수의 제 2 관통구에 삽입되어 결합되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 1,
A first through hole and a plurality of second through holes are formed in the center of the bottom surface and around the bottom of the susceptor body, and one end of each of the main shaft and the plurality of auxiliary shafts is formed in the first through hole and the plurality of first through holes. Thin film deposition apparatus, characterized in that coupled to the through-hole.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 세라믹 판과 상기 다수의 제 2 세라믹 판은 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 1,
And the first ceramic plate and the plurality of second ceramic plates are spaced apart from each other.
반응영역을 정의하는 공정챔버;
상기 공정챔버 내부의 가스분산부;
상기 가스분산부와 대향하여 기판이 안착되는 서셉터;
상기 서셉터의 저면 중앙에서 결합되어 연직방향으로 상기 공정챔버의 외부까지 확장되는 제 1 샤프트;
상기 제 1 샤프트를 중심으로 동일간격 이격되어 상기 서셉터의 저면 주면과 결합되어 연직방향으로 상기 공정챔버의 외부까지 확장되는 다수의 제 2 샤프트;
상기 제 1 샤프트의 주위와 대응되는 상기 서셉터의 저면에 부착되는 제 1 세라믹 판과, 상기 다수의 제 2 샤프트의 주위와 대응되고 서로 이격되어 상기 서셉터의 저면에 부착되는 다수의 제 2 세라믹 판; 및
상기 제 1 샤프트와 상기 다수의 제 2 샤프트는 상기 공정챔버를 관통하여 상기 공정챔버의 외부로 확장되고, 상기 공정챔버의 외부로 확장된 상기 제 1 샤프트와 상기 다수의 제 2 샤프트를 연결시키는 지지축;을 포함하고,
상기 지지축이 승강함에 따라 상기 제 1 샤프트 및 상기 다수의 제 2 샤프트가 함께 승강하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
A process chamber defining a reaction zone;
A gas dispersing unit inside the process chamber;
A susceptor on which a substrate is seated opposite to the gas dispersion unit;
A first shaft coupled to a center of a bottom surface of the susceptor and extending outwardly of the process chamber in a vertical direction;
A plurality of second shafts spaced apart from each other at equal intervals around the first shaft and coupled to a main surface of the bottom surface of the susceptor and extending outwardly of the process chamber in a vertical direction;
A first ceramic plate attached to the bottom surface of the susceptor corresponding to the periphery of the first shaft, and a plurality of second ceramics attached to the bottom surface of the susceptor, spaced apart from each other and corresponding to the periphery of the plurality of second shafts plate; And
The first shaft and the plurality of second shafts extend through the process chamber to the outside of the process chamber and support the first shaft and the plurality of second shafts to extend out of the process chamber. A shaft;
And the first shaft and the plurality of second shafts are elevated together as the support shaft is elevated.
제 6 항에 있어서,
상기 공정챔버의 외부로 확장된 상기 제 1 샤프트와 상기 다수의 제 2 샤프트 각각에 제 1 벨로우즈와 다수의 제 2 벨로우즈를 설치하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 6,
And a plurality of first bellows and a plurality of second bellows are provided on each of the first shaft and the plurality of second shafts extending out of the process chamber.
제 7 항에 있어서,
상기 제 1 샤프트 및 상기 다수의 제 2 샤프트를 승강시키는 구동력을 제공하기 위하여 상기 지지축에 연결된 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 7, wherein
And a driving unit connected to the support shaft to provide a driving force for elevating the first shaft and the plurality of second shafts.
제 8 항에 있어서,
상기 제 1 벨로우즈의 하부로 확장되는 상기 제 1 샤프트와 상기 지지축의 일단 사이에 상기 구동부가 위치하고, 상기 다수의 제 2 벨로우즈의 하부로 확장되는 상기 다수의 제 2 샤프트와 상기 지지축의 타단이 연결되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 8,
The driving unit is positioned between the first shaft extending below the first bellows and one end of the support shaft, and the other ends of the plurality of second shafts extending below the plurality of second bellows and the support shaft are connected to each other. Thin film deposition apparatus, characterized in that.
제 6 항에 있어서,
상기 다수의 제 2 샤프트는 상기 제 1 샤프트를 중심으로 대칭적으로 1 쌍이 설치되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
The method of claim 6,
The plurality of second shaft is a thin film deposition apparatus, characterized in that the pair is installed symmetrically around the first shaft.
제 6 항에 있어서,
상기 제 1 세라믹 판과 상기 다수의 제 2 세라믹 판은 서로 이격되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.The method of claim 6,
And the first ceramic plate and the plurality of second ceramic plates are spaced apart from each other.
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