KR101800915B1 - Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Panel Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치는 내부에 작업공간을 형성하는 공정챔버;와, 판면에 다수의 가스배출공이 형성되어 공정챔버의 작업공간의 상부영역에 배치되는 디퓨저;와, 상기 작업공간의 하부영역에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;와, 상기 서셉터의 테두리영역을 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되어 서셉터의 상면에 안착되는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 리프트 핀; 및, 상기 서셉터의 테두리 안쪽영역을 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되어 서셉터의 상면에 안착되는 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 리프트 핀;을 포함하며, 상기 센터 리프트 핀과 에지 리프트 핀 중 어느 하나의 수직방향 위치이동에 의해 기판과 디퓨저가 동일한 사이간격으로 설정되는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display, and a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to the present invention includes a process chamber for forming a work space therein, a plurality of gas discharge holes formed on a surface of the process chamber, A susceptor disposed in a lower region of the work space and supporting the substrate; a susceptor disposed so as to be able to move up and down through a rim region of the susceptor, An edge lift pin supporting a rim portion of the substrate that is seated on the substrate; And a center lift pin disposed on the top surface of the susceptor so as to be able to ascend and descend through an area inside the rim of the susceptor to support a portion inside the rim of the substrate, wherein the center lift pin and the edge lift pin The substrate and the diffuser are set at the same interval.

Description

평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치 {Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Panel Display}[0001] Chemical Vapor Deposition Apparatus for Flat Panel Display [

본 발명은 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디퓨저의 변형에 대응하여 기판의 중앙과 테두리의 지지높이를 조절함으로써 디퓨저와 기판의 사이간격을 일정하게 유지할 수 있는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for a flat display, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display capable of maintaining a constant gap between a diffuser and a substrate, To a chemical vapor deposition apparatus.

일반적으로, 액정표시소자(Liquid Crystal Display; LCD)는 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들에 데이터 신호를 인가하여 해당하는 화상을 패널 상에 표시하게 된다. 이러한 액정표시소자는 액정층에 전계를 인가하기 위한 전극들, 액정셀 별로 데이터 공급을 절환하기 위한 박막트랜지스터, 외부에서 공급되는 데이터를 액정셀들에 공급하는 신호배선 및 박막트랜지스터의 제어신호를 공급하기 위한 신호배선 등이 형성된 하판과, 칼라필터등이 형성된 상판과, 상판과 하판 사이에 마련된 공간에 채워진 액정을 구성으로 한다.In general, a liquid crystal display (LCD) applies a data signal to liquid crystal cells arranged in a matrix form, and displays a corresponding image on a panel. Such a liquid crystal display device includes electrodes for applying an electric field to a liquid crystal layer, a thin film transistor for switching data supply for each liquid crystal cell, a signal line for supplying data supplied from the outside to liquid crystal cells, And a liquid crystal filled in a space provided between the upper plate and the lower plate.

이러한 액정표시소자의 제조방법에 있어서, 박막트랜지스터의 활성층과 박막트랜지스터를 보호하는 보호막과 같은 박막은 통상 플라즈마 화학 기상 증착 장치(PECVD; Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 이하 '박막 증착 장치'로 통칭함) 공정을 이용하여 형성하게 된다.In such a method of manufacturing a liquid crystal display device, a thin film such as a protective film for protecting an active layer and a thin film transistor of a thin film transistor is usually formed by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) Process.

박막 증착 장치는 진공실을 이루는 공정 챔버(Chamber) 내부에 증착에 필요한 가스를 주입하여 원하는 압력과 기판 온도가 설정되면 고주파 (Radio Frequency)를 이용하여 주입된 가스를 플라즈마 상태로 분해하여 기판위에 증착을 하는 공정을 말한다. In the thin film deposition apparatus, the gas necessary for deposition is injected into a process chamber forming a vacuum chamber, and when the desired pressure and substrate temperature are set, the gas injected by using a radio frequency is decomposed into a plasma state, .

도 1을 참조하면, 박막증착장치는 공정 챔버(1) 내부에 증착하고자 하는 가스를 방출하기 위한 다수의 가스분출구가 형성된 디퓨저(9)와, 증착물질이 증착되는 기판(7)과, 기판(7)을 지지하기 위한 서셉터(5)와, 기판(7)과 서셉터(5)를 분리하기 위한 핀들(12)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a thin film deposition apparatus includes a diffuser 9 having a plurality of gas outlets for discharging a gas to be deposited in a process chamber 1, a substrate 7 on which a deposition material is deposited, A susceptor 5 for supporting the susceptor 5 and a pin 12 for separating the substrate 7 and the susceptor 5 from each other.

서셉터(5)는 그 내부에 히팅코일이 있어 기판(7)을 가열함과 아울러 플라즈마를 발생시키기 위한 하부전극으로 이용된다. The susceptor 5 has a heating coil therein and is used as a lower electrode for heating the substrate 7 and for generating plasma.

스토퍼(10)는 기판(7)을 디퓨저(9)에 소정의 간격을 두고 위치하도록 상승할 때 기판(7)의 상승위치를 제한한다.The stopper 10 limits the ascending position of the substrate 7 when the substrate 7 is lifted up to a predetermined distance from the diffuser 9.

핀들(12)은 기판(7)의 처짐을 방지하고, 공정 챔버(1) 내에 로딩 및 언로딩시 로봇암과 기판(7)의 배면과의 스크래치(Scratch)를 방지하게 된다. The pins 12 prevent sagging of the substrate 7 and prevent scratching of the robot arm and the backside of the substrate 7 during loading and unloading into the process chamber 1. [

박막 증착 장치를 통해 기판(7)상에 증착되는 박막은 균일한 두께 및 균질한 특성을 가져야 하는데, 이러한 특성은 기판(7) 상에 분사되는 공정가스의 균일한 공급과 디퓨저(9)와 서셉터(5) 사이에서 발생하는 플라즈마의 균일도에 의해 영향을 받게 되며, 공정가스의 공급 및 플라즈마의 밀도를 결정하는 요소 중 하나는 디퓨저(9)와 서셉터(5) 사이의 균일한 간격이다. The thin film deposited on the substrate 7 through the thin film deposition apparatus must have a uniform thickness and homogeneous characteristics, which is a uniform supply of the process gas injected onto the substrate 7, Is influenced by the uniformity of the plasma generated between the susceptor 5 and one of the factors determining the supply of the process gas and the density of the plasma is the uniform spacing between the diffuser 9 and the susceptor 5.

도 1은 기판(7) 상에 박막형성 공정을 수행하기 전의 상태를 도시한 것으로, 디퓨저(9)는 서셉터(5)와 평행한 상태를 유지한다. 그러나, 박막증착을 위한 공정에서 공정가스의 분해 및 반응을 위하여, 필요한 온도로 반응공간(E)을 승온시켜야 하고, 반응공간(E)의 승온에 의해, 반응공간(E) 내의 상부영역에 현가되어 있는 디퓨저(9)는 팽창하면, 도 2와 같이 자중에 의한 처짐현상이 발생하고, 디퓨저(9)와 서셉터(5) 사이의 간격이 주변부(Dedg)에서 중앙부(Dcen)로 갈수록 좁아지게 된다. 또한, 이러한 처짐현상은 디퓨저(9)의 누적 사용에 따라 점진적으로 증가하게 되므로 처짐현상에 의해 디퓨저(9)의 수명이 단축되는 문제가 있다. Fig. 1 shows a state before the thin film forming process is performed on the substrate 7, and the diffuser 9 maintains a state parallel to the susceptor 5. Fig. However, in order to decompose and react the process gas in the process for depositing the thin film, it is necessary to raise the temperature of the reaction space E to a required temperature, and to increase the temperature in the reaction space E, 2, the deflection phenomenon occurs due to its own weight, and the gap between the diffuser 9 and the susceptor 5 becomes narrower from the peripheral portion Dedg to the central portion Dcen do. In addition, since this sagging phenomenon gradually increases with the cumulative use of the diffuser 9, there is a problem that the life of the diffuser 9 is shortened due to sagging phenomenon.

그리고, 대면적의 기판(7)을 사용하고, 대면적의 기판(7) 상에 박막을 증착하기 위해 대면적의 디퓨저(9)를 사용하는 경우, 디퓨저(9)의 열팽창에 의한 처짐현상은 더욱 심화된다. 즉, 디퓨저(9)의 처짐현상이 증가함에 의해 기판(7) 상에 공급되는 공정가스의 밀도와 디퓨저(9)와 서셉터(5) 사이의 플라즈마 밀도가 불균일해지므로, 기판(7) 상에 형성되는 박막의 균일성을 확보하기 어려운 문제가 있다.When a large-area substrate 7 is used and a large-area diffuser 9 is used to deposit a thin film on a large-area substrate 7, the deflection phenomenon due to the thermal expansion of the diffuser 9 . That is, since the deflection phenomenon of the diffuser 9 is increased, the density of the process gas supplied onto the substrate 7 and the plasma density between the diffuser 9 and the susceptor 5 become uneven, There is a problem that it is difficult to ensure the uniformity of the thin film formed on the substrate.

또한, 디퓨저(9)의 휨을 방지하기 위해 디퓨저의 형상을 변경하는 기술들이 제안된바 있으나, 통계적 분석에 의해 정해지는 휨량 관리기술은 다양한 상황에 적용하기 어려운 문제가 있으며, 이러한 디퓨저의 형상 변경을 통해 디퓨저의 수명을 연장하는 데에는 한계가 있다.Although techniques for changing the shape of the diffuser to prevent warpage of the diffuser 9 have been proposed, there is a problem that the deflection amount management technique determined by statistical analysis is difficult to apply to various situations. There is a limit to extending the life of the diffuser.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 디퓨저의 변형에 대응하여 기판의 중앙과 테두리의 지지높이를 조절함으로써 디퓨저와 기판의 사이간격이 일정하게 유지되도록 하는 것과 동시에, 디퓨저의 수명을 연장할 수 있는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide an apparatus and a method for controlling the height of a center of a substrate, And a chemical vapor deposition apparatus for a flat display which can extend the life of the diffuser.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 내부에 작업공간을 형성하는 공정챔버;와, 판면에 다수의 가스배출공이 형성되어 공정챔버의 작업공간의 상부영역에 배치되는 디퓨저;와, 상기 작업공간의 하부영역에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;와, 상기 서셉터의 테두리영역을 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되어 서셉터의 상면에 안착되는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 리프트 핀; 및, 상기 서셉터의 테두리 안쪽영역을 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되어 서셉터의 상면에 안착되는 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 리프트 핀;을 포함하며, 상기 센터 리프트 핀과 에지 리프트 핀 중 어느 하나의 수직방향 위치이동에 의해 기판과 디퓨저가 동일한 사이간격으로 설정되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 의해 달성된다.According to an aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus including: a process chamber for forming a work space therein; a diffuser disposed on an upper region of a work space of the process chamber, An edge lift pin for supporting a rim portion of the substrate that is mounted on the upper surface of the susceptor so as to be able to ascend and descend through the edge region of the susceptor; And a center lift pin disposed on the top surface of the susceptor so as to be able to ascend and descend through an area inside the rim of the susceptor to support a portion inside the rim of the substrate, wherein the center lift pin and the edge lift pin Wherein the substrate and the diffuser are set at the same interval by the vertical positional movement of any one of the two substrates.

여기서, 상기 센터 리프트 핀과 에지 리프트 핀 중 적어도 어느 하나에는 수직방향 위치이동을 위한 구동력을 제공하는 승강구동부가 마련되는 것이 바람직하다.Here, it is preferable that at least one of the center lift pin and the edge lift pin is provided with an elevation driving unit for providing a driving force for vertical position movement.

또한, 상기 서셉터의 상면 테두리에는 기판의 테두리를 지지하는 지지부가 돌출 형성되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a support portion for supporting the rim of the substrate is formed to protrude from the upper surface of the susceptor.

또한, 상기 에지 리프트 핀은 지지부를 관통하는 것이 바람직하다.Further, it is preferable that the edge lift pins pass through the support portion.

또한, 상기 목적은, 본 발명에 따라, 내부에 작업공간을 형성하는 공정챔버;와, 판면에 다수의 가스배출공이 형성되어 공정챔버의 작업공간의 상부영역에 배치되는 디퓨저;와, 상기 작업공간의 하부영역에 승강 가능하게 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;를 포함하며, 상기 서셉터는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 지지 플레이트와, 상기 에지 지지 플레이트의 안쪽영역에 배치되어 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 지지 플레이트로 분할 구성되고, 상기 센터 지지 플레이트와 에지 지지 플레이트 중 어느 하나에는 디퓨저의 처짐에 대응하여 기판의 지지위치를 조절하도록 센터 지지 플레이트 또는 에지 지지 플레이트의 수직위치를 조절하는 승강구동부가 마련되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 의해서도 달성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a plasma display apparatus comprising: a process chamber for forming a work space therein; a diffuser disposed on an upper region of a work space of the process chamber, And a susceptor for supporting the substrate, the susceptor including: an edge supporting plate for supporting a rim portion of the substrate; and a susceptor disposed in an inner region of the edge supporting plate, Wherein one of the center support plate and the edge support plate adjusts the vertical position of the center support plate or the edge support plate so as to adjust the support position of the substrate corresponding to deflection of the diffuser And a lifting opening is provided on the upper surface of the substrate It can be achieved.

여기서, 상기 센터 지지 플레이트에는 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 리프트 핀이 수직방향으로 관통 설치되고, 상기 승강구동부는 상기 센터 지지 플레이트와 센터 리프트 핀을 함께 승강시키는 것이 바람직하다.Here, the center support plate may include a center lift pin extending vertically through the center support plate for supporting a portion inside the rim of the substrate, and the center support plate may elevate the center lift pin together with the center lift pin.

또한, 상기 에지 지지 플레이트에는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 리프트 핀이 수직방향으로 관통 설치되고, 상기 승강구동부는 상기 에지 지지 플레이트와 에지 리프트 핀을 함께 승강시키는 것이 바람직하다.Preferably, the edge supporting plate is vertically penetrated by an edge lift pin for supporting a rim portion of the substrate, and the elevating and lowering driving portion elevates the edge supporting plate and the edge lift pin together.

본 발명에 따르면, 디퓨저의 변형에 대응하여 기판의 중앙과 테두리의 지지높이를 조절함으로써 디퓨저와 기판의 사이간격이 일정하게 유지되도록 하는 것과 동시에, 디퓨저의 수명을 연장할 수 있는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치가 제공된다.According to the present invention, the distance between the diffuser and the substrate can be kept constant by adjusting the support height of the center and the edge of the substrate corresponding to the deformation of the diffuser, and at the same time, A deposition apparatus is provided.

또한, 기판의 지지위치를 조절하는 과정에서 서셉터측으로부터 제공되는 열에너지를 기판의 전면에 비교적 균일하게 제공할 수 있는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치가 제공된다.There is also provided a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display capable of relatively uniformly providing thermal energy provided from a susceptor side to a front surface of a substrate in a process of adjusting a supporting position of the substrate.

도 1은 종래 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 개략구성도,
도 2는 종래 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 따른 디퓨저의 처짐에 따른 문제점을 설명하기 위한 개념도,
도 3은 본 발명 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 단면도,
도 4는 본 발명 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 작용도,
도 5은 본 발명의 제2실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 작용도이고,
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 작용도이다.1 is a schematic view of a conventional chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display,
FIG. 2 is a conceptual view for explaining problems caused by deflection of a diffuser in a conventional chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display;
3 is a cross-sectional view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display of the present invention,
4 is an operational view of the chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to the present invention,
5 is an operational view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a second embodiment of the present invention,
6 is an operational view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a third embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 제1실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3는 본 발명 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 단면도이고, 도 4는 본 발명 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 작용도이다. FIG. 3 is a sectional view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to the present invention, and FIG. 4 is an operational view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to the present invention.

상기 도 3에서 도시하는 바와 같이, 본 발명 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치는 크게 공정 챔버(110), 디퓨저(120), 서셉터(130), 센터 리프트 핀(140), 에지 리프트 핀(150), 승강구동부(160)를 포함하여 구성된다. 3, the chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display includes a process chamber 110, a diffuser 120, a susceptor 130, a center lift pin 140, an edge lift pin 150, And an elevation driving unit 160. [

상기 공정 챔버(110)는 일측에 기판(G)을 인입 또는 인출할 수 있는 도어(미도시)가 형성된다. A door (not shown) is formed on one side of the process chamber 110 to allow the substrate G to be drawn in or drawn out.

상기 디퓨저(120)는 판면에 다수의 가스배출공이 형성되어 상기 공정 챔버(110) 내부의 상부영역에 배치된다. The diffuser 120 has a plurality of gas discharge holes formed on its surface and is disposed in an upper region inside the process chamber 110.

상기 서셉터(130)는 상기 디퓨저(120)와 소정의 간격 이격되어 기판(G)을 지지하도록 상기 공정 챔버(110) 내부의 하부영역에 배치되며, 상면에는 기판(G)안착부가 형성되고, 상기 기판(G)안착부의 테두리에는 기판(G)의 테두리를 지지하기 위한 지지부가 돌출 형성된다. The susceptor 130 is disposed in a lower region of the process chamber 110 so as to support the substrate G at a predetermined distance from the diffuser 120. A susceptor 130 is mounted on the upper surface of the substrate G, A support portion for supporting the rim of the substrate G is formed to protrude from the rim of the seating portion of the substrate (G).

상기 센터 리프트 핀(140)은 서셉터(130)의 기판(G)안착부에 기판(G)을 안착시키거나 기판(G)안착부로부터 기판(G)을 들어올리기 위한 것으로, 서셉터(130)의 상면에 안착되는 기판(G)의 중앙부분을 지지하기 위해 상기 서셉터(130)의 중앙영역을 수직방향으로 관통한 상태로 승강 가능하게 배치된다. The center lift pin 140 is for mounting the substrate G to the seating portion of the substrate G of the susceptor 130 or lifting the substrate G from the seating portion of the substrate G, The susceptor 130 is vertically movable in a vertical direction so as to support a central portion of the substrate G that is seated on the upper surface of the susceptor 130.

상기 에지 리프트 핀(150)은 상기 센터 리프트 핀(140)과 함께 기판(G)을 안착시키거나 들어올리는 것으로, 서셉터(130)의 상면에 배치되는 기판(G)의 테두리부분을 지지하기 위해 상기 서셉터(130)의 테두리영역 중 지지부가 형성된 부분을 수직방향으로 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되며, 기판(G)을 안정적으로 지지하기 위해 서셉터(130)의 테두리를 따라 복수 마련된다. The edge lift pin 150 seats or lifts the substrate G together with the center lift pin 140 to support the edge portion of the substrate G disposed on the upper surface of the susceptor 130 A plurality of susceptors 130 are vertically arranged to extend in a vertical direction so as to be vertically movable with respect to a periphery of the susceptor 130 in order to stably support the substrate G .

상기 승강구동부(160)는 디퓨저(120)와 서셉터(130)의 사이간격이 균일하게 유지되도록 상기 센터 리프트 핀(140)을 하강시키거나 상승시키는 것으로, 구동수단(미도시)과, 다수의 센터 리프트 핀(140)을 연결하는 지지대와, 상기 구동수단의 구동력을 지지대의 승강운동으로 전달하는 동력전달수단(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다. The lifting and lowering driving unit 160 moves down or raises the center lift pin 140 so as to maintain a uniform gap between the diffuser 120 and the susceptor 130. The lifting and lowering driving unit 160 includes driving means And a power transmitting unit (not shown) for transmitting the driving force of the driving unit to the lifting and lowering movement of the supporting unit.

한편, 도면에는 도시하지 않았으나, 상기 디퓨저(120)의 중앙부 처짐을 측정하는 센서가 구비되며, 상기 승강구동부(160)는 센서의 측정값에 따라 센터 리프트 핀(140)을 승강시켜 디퓨저(120)의 저면부와 기판(G)의 상측면의 사이간격이 일정한 간격으로 유지되도록 할 수 있다.
Although not shown in the drawing, a sensor for measuring deflection of the center of the diffuser 120 is provided. The elevation driving unit 160 lifts the center lift pin 140 according to the measured value of the sensor, The gap between the bottom surface of the substrate G and the top surface of the substrate G can be maintained at a constant interval.

지금부터는 상술한 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 제1실시예의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of the above-described first embodiment of the chemical vapor deposition apparatus for flat panel display will be described.

로봇암에 의해 공정챔버(110) 내부로 인입된 기판(G)은 서셉터(130)측에 마련되는 센터 리프트 핀(140)과 에지 리프트 핀(150)에 의해 서셉터(130)의 상측 기판(G)안착부에 안착된다.The substrate G drawn into the process chamber 110 by the robot arm is transferred to the upper side of the susceptor 130 by the center lift pins 140 and the edge lift pins 150 provided on the susceptor 130 side, (G) is seated in the seating part.

이때, 상기 기판(G)은 서셉터(130)의 상측면 테두리에 돌출형성된 지지부에 저면 테두리가 지지되고, 기판(G)의 저면부 중앙은 서셉터(130)의 중앙부분의 센터 리프트 핀(140)에 의해 지지되어 서셉터(130)의 기판(G)안착부로부터 소정간격 이격된 상태가 된다. At this time, the bottom surface of the substrate G is supported by a support portion protruding from the upper edge of the susceptor 130, and the center of the bottom surface of the substrate G is supported by the center lift pins 140 and spaced apart from the seating portion of the substrate G of the susceptor 130 by a predetermined distance.

즉, 도 3에서와 같이 디퓨저(120)의 저면부가 평평한 상태인 경우에는, 승강구동부(160)의 지지대를 상승구동시켜 센터 리프트 핀(140)을 상승시킴으로써 기판(G)의 상측면이 디퓨저(120)의 저면과 나란하게 평평한 상태가 되도록 할 수 있다. 3, when the bottom surface of the diffuser 120 is in a flat state, the upper surface of the substrate G is lifted up to the diffuser (not shown) by raising the center lifter pin 140 by driving the lifter- 120 in a flat state.

한편, 도 4와 같이 디퓨저(120)가 가열되어 가열 팽창하면 디퓨저(120)의 저면 중앙측이 기판(G)을 향해 볼록한 형태로 변형되는 처짐 현상이 발생하게 된다.On the other hand, when the diffuser 120 is heated and expanded as shown in FIG. 4, a deflection phenomenon occurs in which the center of the bottom surface of the diffuser 120 is deformed into a convex shape toward the substrate G. FIG.

이때, 상기 디퓨저(120)의 처짐을 측정하여 디퓨저(120) 처짐량에 따라 기판(G)의 저면부 중앙을 지지하고 있는 센터 리프트 핀(140)을 하강시키면, 기판(G)의 중앙부분이 자중에 의해 하측으로 처지게 되므로, 디퓨저(120)와 기판(G) 사이의 주변부(Dedg)와 중앙부(Dcen)의 사이간격을 동일하게 설정할 수 있게 된다. When the center lift pin 140 supporting the center of the bottom surface of the substrate G is lowered according to the deflection amount of the diffuser 120 by measuring the deflection of the diffuser 120, The interval between the peripheral portion Dedg and the central portion Dcen between the diffuser 120 and the substrate G can be set to be equal to each other.

즉, 디퓨저(120)의 처짐량에 따라 기판(G)을 늘어지게 하면서 디퓨저(120)의 변형량을 보상할 수 있으므로, 디퓨저(120)의 처짐에도 불구하고 기판(G)의 곡률을 상기 디퓨저(120)의 변형에 의한 곡률과 동일하게 설정함으로써, 기판(G)과 디퓨저(120)의 사이간격을 일정하게 유지할 수 있게 된다. 따라서, 디퓨저(120)의 중앙부분이 다소 늘어지더라도 계속 사용할 수 있으므로 디퓨저(120)의 수명을 연장시킬 수 있는 것과 동시에, 기판(G)상에 증착되는 박막의 두께 균일성이 떨어지는 것을 방지할 수 있다.
That is, since the amount of deformation of the diffuser 120 can be compensated while the substrate G is stretched according to the deflection amount of the diffuser 120, the curvature of the substrate G can be compensated for by the diffuser 120 The distance between the substrate G and the diffuser 120 can be kept constant. Therefore, even if the central portion of the diffuser 120 is slightly elongated, the lifetime of the diffuser 120 can be prolonged, and the thickness uniformity of the thin film deposited on the substrate G can be prevented from being lowered .

다음으로 본 발명의 제2실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 대하여 설명한다. Next, a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a second embodiment of the present invention will be described.

도 5은 본 발명의 제2실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 작용도이다. 5 is an operational view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a second embodiment of the present invention.

본 발명의 제2실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치는, 서셉터(130')는 기판(G)의 중앙부분을 지지하는 센터 지지 플레이트(131)와, 상기 센터 지지 플레이트(131)의 바깥쪽 측면부를 감싸 기판(G)의 테두리부분을 지지하는 에지 지지 플레이트(132)로 분할 구성되고, 상기 센터 지지 플레이트(131)에는 디퓨저(120)의 처짐에 대응하여 기판(G)의 지지위치를 조절하도록 센터 지지 플레이트(131)의 수직위치를 조절하는 승강구동부(160)가 마련되는 점에서 제1실시예와 구성상의 차이를 갖는다. The susceptor 130 'includes a center support plate 131 for supporting a central portion of the substrate G, a center support plate 131 for supporting the center support plate 131, And an edge supporting plate 132 for supporting the edge of the substrate G by surrounding the outer side surface of the substrate G. The center supporting plate 131 is provided with a support And the elevation driving unit 160 for adjusting the vertical position of the center support plate 131 to adjust the position of the center supporting plate 131 is provided.

이러한 본 발명의 제2실시예에 따르면, 센터 지지 플레이트(131)가 상승하여 기판(G)의 중앙부분을 밀어올리거나 하강하여 기판(G)의 중앙부분이 자중에 의해 늘어지도록 하는 과정에서, 기판(G)과 디퓨저(120)의 사이간격을 일정하게 유지함으로써 박막의 품질저하를 방지할 수 있게 된다. According to the second embodiment of the present invention, in the process of raising or lowering the central portion of the substrate G so that the central portion of the substrate G is stretched by its own weight, It is possible to prevent deterioration of the quality of the thin film by keeping the gap between the substrate G and the diffuser 120 constant.

즉, 센터 지지 플레이트(131)와 에지 지지 플레이트(132)의 상측면이 동일한 높이로 설정된 상태에서 기판(G)을 지지하는 경우, 기판(G)의 상측면이 디퓨저(120)의 저면과 나란하게 평평한 상태가 되도록 할 수 있고, 또한, 도 5와 같이 기판(G) 상측에 배치된 디퓨저(120)가 처짐에 따라, 승강구동부(160)가 구동하여 센터 리프트 핀(140)과 센터 지지 플레이트(131)를 함께 하강시켜 기판(G)의 곡률을 상기 디퓨저(120)의 변형에 의한 곡률과 동일하게 설정함으로써, 기판(G)과 디퓨저(120)의 사이간격을 일정하게 유지할 수 있게 된다.
That is, when the substrate G is supported in a state where the center support plate 131 and the edge supporting plate 132 are set at the same height, the upper surface of the substrate G is aligned with the lower surface of the diffuser 120 5, the elevator driving unit 160 is driven to move the center lift pin 140 and the center support plate 140 in accordance with deflection of the diffuser 120 disposed above the substrate G, The distance between the substrate G and the diffuser 120 can be kept constant by lowering the curvature of the substrate G and the curvature of the substrate G to be equal to the curvature due to the deformation of the diffuser 120.

다음으로 본 발명의 제3실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치에 대하여 설명한다. Next, a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a third embodiment of the present invention will be described.

도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치의 작용도이다. 6 is an operational view of a chemical vapor deposition apparatus for a flat panel display according to a third embodiment of the present invention.

본 발명의 제3실시예에 따른 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치는, 서셉터(130")가 센터 지지 플레이트(131)와 에지 지지 플레이트(132)로 분할 구성되는 점에서는 제2실시예의 구성과 동일하나, 승강구동부(160)가 에지 지지 플레이트(132)에 마련되어 디퓨저(120)의 처짐에 대응하여 에지 지지 플레이트(132)의 수직위치를 조절하는 점에서 제2실시예와 구성상의 차이를 갖는다.
한편, 상기 디퓨저(120)의 중앙부 처짐은 상술한 제1실시예에서와 같이 센서(미도시)를 이용해 측정할 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to the third embodiment of the present invention is different from the constitution of the second embodiment in that the susceptor 130 "is divided into the center support plate 131 and the edge support plate 132 But the elevation driving unit 160 is provided on the edge support plate 132 and has a configuration difference from the second embodiment in that the vertical position of the edge support plate 132 is adjusted in accordance with deflection of the diffuser 120 .
Meanwhile, the center deflection of the diffuser 120 can be measured using a sensor (not shown) as in the first embodiment.

이러한 제3실시예의 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치는 제2실시예와 다르게 에지 지지 플레이트(132)가 승강하면서 디퓨저의 중앙부 처짐에 따라 기판(G)의 테두리부분의 지지높이를 조절하여 기판(G)의 곡률을 상기 디퓨저(120)의 변형에 의한 곡률과 동일하게 설정함으로써, 기판(G)과 디퓨저(120)의 사이간격을 일정하게 유지하는 것으로서, 승강구동부(160)가 에지 지지 플레이트(132)를 승강시키는 점에서 차이가 있을 뿐 동작 원리는 제2실시예와 동일하므로 이에 대한 구체적인 설명은 생략한다.
The chemical vapor deposition apparatus for a flat display according to the third embodiment differs from the second embodiment in that the height of the edge of the substrate G is adjusted in accordance with the deflection of the central portion of the diffuser while the edge support plate 132 moves up and down, The gap between the substrate G and the diffuser 120 is maintained constant by setting the curvature of the edge support plate 132 to be the same as the curvature of the diffuser 120. As a result, The operation principle is the same as that of the second embodiment, and a detailed description thereof will be omitted.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

110:공정챔버, 120:디퓨저, 130,130',130":서셉터,
131:센터 지지 플레이트, 132:에지 지지 플레이트,
140:센터 리프트 핀, 150:에지 리프트 핀,
160:승강구동부, G:기판110: process chamber, 120: diffuser, 130,130 ', 130 ": susceptor,
131: center support plate, 132: edge support plate,
140: center lift pin, 150: edge lift pin,
160: elevating opening portion, G: substrate

Claims (7)

내부에 작업공간을 형성하는 공정챔버;
판면에 다수의 가스배출공이 형성되어 공정챔버의 작업공간의 상부영역에 배치되는 디퓨저;
상기 작업공간의 하부영역에 배치되어 기판을 지지하는 서셉터;
상기 서셉터의 테두리영역을 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되어 서셉터의 상면에 안착되는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 리프트 핀; 및,
상기 서셉터의 테두리 안쪽영역을 관통한 상태로 승강 가능하게 배치되어 서셉터의 상면에 안착되는 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 리프트 핀; 및,
상기 디퓨저의 중앙부 처짐을 측정할 수 있는 센서;를 포함하며,
상기 센서의 측정값에 따라 상기 기판과 디퓨저의 사이간격이 일정하게 유지되도록 상기 센터 리프트 핀과 에지 리프트 핀 중 어느 하나를 수직방향으로 위치이동시켜 상기 기판의 테두리부분과 테두리 안쪽부분의 지지높이를 조절함으로써, 기판의 곡률을 상기 디퓨저의 변형에 의한 곡률과 동일하게 설정하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.A process chamber for forming a work space therein;
A diffuser in which a plurality of gas discharge holes are formed on the plate surface and disposed in an upper region of the working space of the process chamber;
A susceptor disposed in a lower region of the work space to support the substrate;
An edge lift pin arranged to be able to move up and down through the edge region of the susceptor to support a rim portion of the substrate that is seated on an upper surface of the susceptor; And
A center lift pin supporting the inner edge of the substrate, which is mounted on the upper surface of the susceptor so as to be able to move up and down through an area inside the rim of the susceptor; And
And a sensor capable of measuring the center deflection of the diffuser,
The center lift pin and the edge lift pin are moved in a vertical direction so that the interval between the substrate and the diffuser is kept constant according to the measured value of the sensor, Wherein the curvature of the substrate is set to be the same as the curvature due to the deformation of the diffuser. 제 1항에 있어서,
상기 센터 리프트 핀과 에지 리프트 핀 중 적어도 어느 하나에는 수직방향 위치이동을 위한 구동력을 제공하는 승강구동부가 마련되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.The method according to claim 1,
Wherein at least one of the center lift pin and the edge lift pin is provided with an elevation driving unit for providing a driving force for vertical positional movement. 제 2항에 있어서,
상기 서셉터의 상면 테두리에는 기판의 테두리를 지지하는 지지부가 돌출 형성되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.3. The method of claim 2,
Wherein a support portion for supporting a rim of the substrate is protrudingly formed on an upper surface of the susceptor. 제 3항에 있어서,
상기 에지 리프트 핀은 지지부를 관통하는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.The method of claim 3,
Wherein the edge lift pins pass through the support. ≪ Desc / Clms Page number 20 > 내부에 작업공간을 형성하는 공정챔버;
판면에 다수의 가스배출공이 형성되어 공정챔버의 작업공간의 상부영역에 배치되는 디퓨저;
상기 작업공간의 하부영역에 승강 가능하게 배치되어 기판을 지지하는 서셉터; 및,
상기 디퓨저의 중앙부 처짐을 측정할 수 있는 센서;를 포함하며,
상기 서셉터는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 지지 플레이트와, 상기 에지 지지 플레이트의 안쪽영역에 배치되어 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 지지 플레이트로 분할 구성되고,
상기 센터 지지 플레이트와 에지 지지 플레이트 중 어느 하나에는 상기 센서의 측정값에 따라 상기 기판과 디퓨저의 사이간격이 일정하게 유지되도록 상기 센터 지지 플레이트 또는 에지 지지 플레이트의 수직위치를 조절하는 승강구동부가 마련되며,
상기 에지 지지 플레이트와 센터 지지 플레이트에 지지된 기판의 곡률은 상기 승강구동부에 의해 상기 디퓨저의 변형에 의한 곡률과 동일하게 설정되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.A process chamber for forming a work space therein;
A diffuser in which a plurality of gas discharge holes are formed on the plate surface and disposed in an upper region of the working space of the process chamber;
A susceptor arranged to be able to move up and down in a lower region of the work space to support the substrate; And
And a sensor capable of measuring the center deflection of the diffuser,
Wherein the susceptor is divided into an edge support plate for supporting a rim portion of the substrate and a center support plate disposed in an inner region of the edge support plate and supporting a portion inside the rim of the substrate,
The center support plate or the edge support plate is provided with an elevation driving unit for adjusting the vertical position of the center support plate or the edge support plate so that the distance between the substrate and the diffuser is kept constant according to the measured value of the sensor ,
Wherein the curvature of the substrate supported on the edge support plate and the center support plate is set to be equal to the curvature due to deformation of the diffuser by the lifting and lowering driving unit. 제 5항에 있어서,
상기 센터 지지 플레이트에는 기판의 테두리 안쪽부분을 지지하는 센터 리프트 핀이 수직방향으로 관통하여 설치되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.6. The method of claim 5,
And a center lift pin for supporting a portion inside the rim of the substrate is vertically penetrated through the center support plate. 제 5항에 있어서,
상기 에지 지지 플레이트에는 기판의 테두리부분을 지지하는 에지 리프트 핀이 수직방향으로 관통하여 설치되는 것을 특징으로 하는 평면 디스플레이용 화학 기상 증착 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the edge support plate is provided with an edge lift pin for supporting a rim of the substrate in a vertical direction.
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