KR20070036270A - Apparatus for processing substrate using plasma - Google Patents

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KR20070036270A
KR20070036270A KR1020050091104A KR20050091104A KR20070036270A KR 20070036270 A KR20070036270 A KR 20070036270A KR 1020050091104 A KR1020050091104 A KR 1020050091104A KR 20050091104 A KR20050091104 A KR 20050091104A KR 20070036270 A KR20070036270 A KR 20070036270A
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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 반입 또는 반출 높이까지 승강하는 리프트 핀 중 중앙에 구비되는 리프트 핀과 하부전극과의 전위차 및 온도차에 의해 발생되는 얼룩을 방지하여 공정 수율을 상승시키는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, a process yield by preventing stains caused by a potential difference and a temperature difference between a lift pin and a lower electrode provided at the center of a lift pin for elevating a substrate to a loading or unloading height. It relates to a plasma processing apparatus for raising the.

즉, 본 발명은 진공 상태의 챔버 내부에서 플라즈마를 이용하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 상측과 하측에 각각 구비되는 상, 하부 전극; 상기 하부 전극의 가장자리부와 중심부가 두께 방향으로 관통되고 각각 삽입되어 상기 기판을 하부 전극에 내려놓거나 들어올리는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하며, 상기 리프트 핀은 하부 전극과 동일한 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.That is, the present invention provides a plasma processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate by using a plasma in a vacuum chamber, the upper and lower electrodes respectively provided on the upper side and the lower side of the chamber; A plurality of lift pins through which edges and central portions of the lower electrode penetrate in the thickness direction and are respectively inserted to lower or lift the substrate onto the lower electrode; It includes, The lift pin relates to a plasma processing apparatus, characterized in that provided with the same material as the lower electrode.

플라즈마 처리장치, 하부전극, 리프트 핀, 얼룩 Plasma processor, bottom electrode, lift pin, stain

Description

플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE USING PLASMA}Plasma Processing Equipment {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE USING PLASMA}

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치를 도시한 측단면도이다.1 is a side cross-sectional view showing a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 도 1의 "A" 부분을 도시한 확대도이다.FIG. 2 is an enlarged view of portion “A” of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 도시한 측단면도이다.Figure 3 is a side cross-sectional view showing a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 "B" 부분을 도시한 확대도이다.4 is an enlarged view illustrating portion “B” of FIG. 3.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

114 : 하부전극 120 : 리프트 핀(Lift pin)114: lower electrode 120: lift pin

S : 기판S: Substrate

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판을 반입 또는 반출 높이까지 승강하는 리프트 핀 중 중앙에 구비되는 리프트 핀과 하부전극과의 전위차 및 온도차에 의해 발생되는 얼룩을 방지하여 공정 수율을 상승시키는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, a process yield by preventing stains caused by a potential difference and a temperature difference between a lift pin and a lower electrode provided at the center of a lift pin for elevating a substrate to a loading or unloading height. It relates to a plasma processing apparatus for raising the.

일반적으로, 평판표시소자 제조장치는 내부에 평판표시소자 기판을 반입시키 고, 플라즈마 등을 이용하여 식각 등의 처리를 실시하는데 사용된다. 이때, 평판표시소자(Flat Panel Display)는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등을 말하며, 이러한 평판표시소자 제조장치 중 진공처리용 장치는 일반적으로 로드락(Load lock) 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버의 3개의 진공 챔버로 구성된다.In general, a flat panel display device manufacturing apparatus is used to carry in a flat panel display device substrate therein and perform an etching process using plasma or the like. In this case, the flat panel display refers to a liquid crystal display, a plasma display panel, organic light emitting diodes, and the like. The processing apparatus generally consists of three vacuum chambers: a load lock chamber, a transfer chamber and a process chamber.

여기서, 상기 로드락 챔버는 대기압 상태와 진공 상태를 번갈아 가면서 외부로부터 처리되지 않은 기판을 받아들이거나 처리가 끝난 기판을 외부로 반출하는 역할을 하며, 상기 반송 챔버는 기판을 각 챔버들 간에 반송하기 위한 운송 로봇이 구비되어 있어서 처리가 예정된 기판을 로드락 챔버에서 공정 챔버로 전달하거나, 처리가 완료된 기판을 공정 챔버에서 로드락 챔버로 전달하는 역할을 하며, 상기 공정 챔버는 진공 중에서 플라즈마를 이용하거나 열 에너지를 이용하여 기판상에 막을 성막하거나 에칭을 수행하는 역할을 한다.Here, the load lock chamber alternates between atmospheric pressure and vacuum state to accept an unprocessed substrate from the outside or to take out the processed substrate to the outside, and the transfer chamber is configured to transfer the substrate between the chambers. A transport robot is provided to transfer the substrate to be processed from the load lock chamber to the process chamber, or to transfer the processed substrate from the process chamber to the load lock chamber, which uses plasma or heat in a vacuum. The energy is used to form a film or perform an etching on the substrate.

이와 같이 플라즈마 공정을 진행하는 플라즈마 처리장치는 그 내부에 진공분위기를 형성시킬 수 있는 챔버, 그 챔버 내에 피처리 기판을 지지할 수 있는 지지면을 가지는 적재대, 챔버 내로 처리 가스를 공급하는 가스 공급계, 방전을 통해 그 처리 가스를 플라즈마화 하기 위한 전계를 처리실 내에 발생시키기 위한 전계 발생계, 소정의 처리 후에 처리실 내에 존재하는 처리 가스를 제거하는 배기계로 구성된다.As described above, a plasma processing apparatus for performing a plasma process includes a chamber capable of forming a vacuum atmosphere therein, a mounting table having a support surface for supporting a substrate to be processed therein, and a gas supply for supplying a processing gas into the chamber. The system includes an electric field generating system for generating an electric field in the processing chamber for plasma-forming the processing gas through discharge, and an exhaust system for removing the processing gas existing in the processing chamber after a predetermined processing.

종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 그 내부는 진공 상태 와 대기압 상태를 반복적으로 유지하면서 외부와 접촉되며, 내부에서 공정 처리가 수행되는 챔버(10)와, 상기 챔버(10)내 상부 영역에 마련되는 상부전극(12)과, 상기 상부전극(12)과 이격된 하부 영역에 마련되어 기판(S)이 적재되는 하부전극(14)으로 구성된다.In the conventional plasma processing apparatus, as shown in FIG. 1, the inside thereof is in contact with the outside while repeatedly maintaining a vacuum state and an atmospheric pressure state, and a chamber 10 in which process processing is performed therein, and inside the chamber 10. The upper electrode 12 is provided in the upper region, and the lower electrode 14 is provided in the lower region spaced apart from the upper electrode 12 to load the substrate (S).

상기 상부전극(12)은 최하단에 공정 가스가 기판(S)에 균일하게 분사되는 샤워 헤드(Shower head)가 구비된다.The upper electrode 12 has a shower head at which a process gas is uniformly sprayed onto the substrate S at a lower end thereof.

상기 하부전극(14)은 외벽과 상부 영역 가장자리부에 플라즈마로부터 이 하부전극(14)을 보호하는 절연판(도면에 미도시)이 전극의 둘레를 감싸도록 한 다음 다수개의 볼트에 의해 상면 가장자리부와 측면 및 저면에서 각각 체결된다.The lower electrode 14 has an insulating plate (not shown) protecting the lower electrode 14 from the plasma at the outer wall and the edge of the upper region so as to surround the electrode. It is fastened at the side and bottom, respectively.

그리고 상기 챔버(10)의 소정 부분에는 기판(S) 처리에 이미 사용된 처리 가스와 그 부산물 등을 제거하는 배기수단(도면에 미도시)이 더 구비된다. 물론 이 배기수단은 챔버(10) 내부를 진공분위기로 형성시키기 위하여 챔버(10) 내부의 기체를 배기하는 경우에도 사용된다.In addition, a predetermined portion of the chamber 10 is further provided with an exhaust means (not shown in the figure) for removing the processing gas and its by-products already used to process the substrate (S). Of course, the exhaust means is also used to exhaust the gas inside the chamber 10 to form the inside of the chamber 10 in a vacuum atmosphere.

여기서, 대형화된 기판(S)을 지지하기 위해 하부전극(14)의 가장자리부 및 중앙부에는 하부전극(14)을 두께 방향으로 관통하여 형성된 다수개의 리프트 핀 홀(16)을 통과할 수 있도록 소정 간격을 갖는 다수개의 리프트 핀(Lift pin : 20)을 구비시켜 상기 리프트 핀(20)이 그 리프트 핀 홀(16)을 따라 상승 및 하강하면서 기판(S)을 들어올리거나 챔버(10)의 내부로 반입된 기판(S)을 하부전극(14) 상에 위치시키는 역할을 하게 된다.Here, in order to support the large-sized substrate (S), a predetermined interval to pass through the plurality of lift pin holes 16 formed through the lower electrode 14 in the thickness direction at the edge portion and the center portion of the lower electrode 14. A plurality of lift pins (Lift pin: 20) having a lift pin 20 is raised and lowered along the lift pin hole 16 to lift the substrate (S) or carry into the chamber 10 It serves to place the substrate (S) on the lower electrode (14).

여기서, 상기 리프트 핀(20)을 하부전극(14)의 중앙에도 구비하는 이유는 대 면적 기판(S)의 처짐 발생을 최소화하기 위함이다.The reason why the lift pin 20 is also provided at the center of the lower electrode 14 is to minimize the occurrence of deflection of the large area substrate S.

즉, 상기 리프트 핀(20)은 챔버(10) 외부에서 운송 로봇에 의하여 반입된 기판(S)을 소정 높이 만큼 들어올린 후, 운송 로봇이 챔버(10) 밖으로 퇴피하면 그 기판(S)을 하강시켜 하부전극(14) 상에 적재하는 역할을 한다.That is, the lift pin 20 lifts the substrate S carried by the transport robot from the outside of the chamber 10 by a predetermined height, and then lowers the substrate S when the transport robot evacuates the chamber 10. To load on the lower electrode 14.

이때, 상기 리프트 핀(20)은 하나의 하부전극(14)에 다수개가 구비되지만, 다수개의 리프트 핀(20)이 동시에 상승하거나 하강하여야 한다. At this time, the plurality of lift pins 20 are provided in one lower electrode 14, but the plurality of lift pins 20 must be raised or lowered at the same time.

따라서, 상기 하부전극(14) 외부 하측에 다수개의 리프트 핀(20) 전체와 결합하는 리프트 핀 고정 플레이트(30)가 마련되고, 이 리프트 핀 고정 플레이트(30)를 별도의 구동수단(도면에 미도시)에 의해 상승시킴으로써 이 구동수단에 의해 다수개의 리프트 핀(20)이 동시에 상승하게 된다. Accordingly, a lift pin fixing plate 30 is provided at the outer lower side of the lower electrode 14 to engage with the plurality of lift pins 20 as a whole, and the lift pin fixing plate 30 is driven by a separate driving means (not shown in the drawing). The lift means 20 lifts a plurality of lift pins 20 simultaneously by the driving means.

한편, 상기 리프트 핀(20)은 다수개가 챔버(10)의 하벽을 관통하여 이 챔버(10)의 하측까지 연장되도록 위치되며, 각각의 리프트 핀(20)의 하부 영역에 고정되도록 구비되는 리프트 핀 고정 플레이트(30)는 챔버(10) 하측 외부에 구비되는 것이다.On the other hand, the lift pin 20 is a plurality of lift pins are positioned to extend through the lower wall of the chamber 10 to the lower side of the chamber 10, the lift pin is provided to be fixed to the lower region of each lift pin 20 The fixing plate 30 is provided outside the lower chamber 10.

이러한 리프트 핀(20)은 리프트 핀 고정 플레이트(30)에 구동수단의 상승력을 부가하여 이 리프트 핀 고정 플레이트(30)에 고정된 리프트 핀(20)을 상승하게 하지만, 하강할 경우에는 구동수단의 구동력에 의해 하강하는 것이 아니고 자중에 의해 리프트 핀(20)이 원위치로 복귀하는 것이다.The lift pin 20 adds the lift force of the driving means to the lift pin fixing plate 30 to raise the lift pin 20 fixed to the lift pin fixing plate 30, but when it is lowered, The lift pin 20 is returned to its original position by its own weight rather than being lowered by the driving force.

여기서, 상기 리프트 핀(20)에서 챔버(10)의 하측으로 노출되는 부분 즉, 상기 챔버(10)의 저면과 리프트 핀 고정 플레이트(30)의 사이에 노출되는 리프트 핀 (20)을 감싸도록 벨로우즈(Bellows : 32)가 마련된다.Here, the bellows to surround the lift pin 20 exposed to the lower side of the chamber 10, that is, the lift pin 20 exposed between the bottom surface of the chamber 10 and the lift pin fixing plate 30. (Bellows: 32) is prepared.

이러한 벨로우즈(32)는 다수개의 리프트 핀(20)의 상승시 수축하게 되고, 이 리프트 핀(20)의 하강시 이완하게 되며, 챔버(10) 내부의 진공 상태를 유지하게 하는 기능을 하게 된다.The bellows 32 is contracted when the plurality of lift pins 20 rises, relaxes when the lift pins 20 fall, and functions to maintain the vacuum state inside the chamber 10.

한편, 상기 운송 로봇에 의해 기판(S)을 리프트 핀(20)들의 상면에 안착시킨 후 상기 리프트 핀(20)들이 하강하여 상기 기판(S)을 하부전극(14)에 내려놓을 때 상기 리프트 핀(20)들의 상면은 기판(S) 저면에 접촉된 상태로 하부전극(14)에 안착된다.On the other hand, after the substrate (S) is seated on the upper surface of the lift pins 20 by the transport robot, the lift pins 20 are lowered to lower the substrate (S) to the lower electrode 14 when the lift pins The upper surface of the 20 is seated on the lower electrode 14 in contact with the bottom surface of the substrate (S).

여기서, 상기 하부전극(14)의 다른 부분과 리프트 핀(20)이 마련된 부분 간에 전기적, 열적 특성 차이로 인하여, 플라즈마 처리시 기판(S)의 표면에 대한 처리 정도가 달라진다. 즉, 플라즈마 처리 후의 기판(12) 표면에 휘도 불균일의 일종인 얼룩(무라 : Mura)이 나타나는 등 기판(S) 모든 영역이 균일하게 처리되지 않는 문제점이 있었다.Here, due to the difference in electrical and thermal characteristics between the other part of the lower electrode 14 and the part in which the lift pin 20 is provided, the degree of processing of the surface of the substrate S during plasma processing is changed. That is, there was a problem in that all regions of the substrate S were not uniformly treated, such as unevenness (Mura), which is a kind of luminance unevenness, on the surface of the substrate 12 after the plasma treatment.

그리고 상기 리프트 핀(20)의 상단 모서리부는 날카로워 전하 집중으로 인해 아킹(Arcing)이 발생하여 공정 처리시 기판(S)이 불균일하게 처리되는 문제점이 있었다.In addition, the upper edge portion of the lift pin 20 has a problem in that arcing occurs due to the concentration of charge, and thus the substrate S is unevenly processed during the process.

본 발명은 상기 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 그 목적은 하부전극과 동일한 재질 또는 동일 계열의 재질로 리프트 핀을 구비하여 열적 특성 차이로 발생되는 얼룩을 방지하고 상기 리프트 핀의 모서리를 곡면 가공하여 아킹 방지에 따른 기판을 균일하게 공정 처리할 수 있게 한 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다.The present invention has been made to solve the above problems, the object of the present invention is to provide a lift pin of the same material or the same series material as the lower electrode to prevent staining caused by the difference in thermal properties and to the edge of the lift pin The present invention provides a plasma processing apparatus that is capable of uniformly processing a substrate due to arcing prevention by curved surface processing.

상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 진공 상태의 챔버 내부에서 플라즈마를 이용하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 챔버내 상측과 하측에 각각 구비되는 상, 하부 전극; 상기 하부 전극의 가장자리부와 중심부가 두께 방향으로 관통되고 각각 삽입되어 상기 기판을 하부 전극에 내려놓거나 들어올리는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하며, 상기 리프트 핀은 하부 전극과 동일한 재질로 마련됨으로써, 상기 하부전극과 리프트 핀과의 전기적, 열적 특성 차이로 인한 얼룩 발생을 차단하므로 바람직하다.In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate using a plasma inside a chamber in a vacuum state, the upper and lower electrodes are respectively provided on the upper and lower sides in the chamber; A plurality of lift pins through which edges and central portions of the lower electrode penetrate in the thickness direction and are respectively inserted to lower or lift the substrate onto the lower electrode; It includes, the lift pin is preferably made of the same material as the lower electrode, because it prevents the occurrence of stains due to the electrical and thermal characteristics difference between the lower electrode and the lift pin.

또한, 본 발명에서의 상기 리프트 핀은, 그 상단 모서리를 라운딩(Rounding) 처리하되 그 라운딩 처리시 반지름이 1㎜보다 작게 형성됨으로써, 전하가 집중되어 아킹이 발생되는 것을 방지하므로 바람직하다.In addition, the lift pin in the present invention is preferable because the upper edge is rounded (Rounding), but the radius is formed smaller than 1mm during the rounding process, thereby preventing charge from concentrating the generation of arcing.

이하, 본 발명의 플라즈마 처리장치를 첨부도면을 참조하여 일 실시예를 들어 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the plasma processing apparatus of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 그 내부는 진공 상태와 대기압 상태를 반복적으로 유지하면서 외 부와 접촉되며, 내부에서 공정 처리가 수행되는 챔버(110)와, 상기 챔버(110)내 상부 영역에 마련되는 상부전극(112)과, 상기 상부전극(112)과 이격된 하부 영역에 마련되어 기판(S)이 적재되는 하부전극(114)으로 구성된다.In the plasma processing apparatus according to the preferred embodiment of the present invention, as shown in FIGS. 3 and 4, the inside thereof is in contact with the outside while repeatedly maintaining a vacuum state and an atmospheric pressure state, and a chamber in which process processing is performed. 110, an upper electrode 112 provided in an upper region of the chamber 110, and a lower electrode 114 provided in a lower region spaced apart from the upper electrode 112 and on which the substrate S is loaded. do.

그리고 도면에는 도시하지 않았지만 가스 공급계, 전계 발계, 배기계가 더 포함되어 마련된다. Although not shown in the drawings, a gas supply system, an electric field emitter, and an exhaust system are further included.

또한, 상기 하부전극(114) 내부에는, 그 상부면에 탑재되는 기판(S)이 처리 중에 움직이거나, 하부전극(114)과의 간격이 달라지는 것을 방지하기 위하여 상기 기판(S)을 탑재면에 밀착, 압박시키는 정전척(ESC : 도면에 미도시)이 많이 사용되며, 그 정전척에 의하여 발생되는 정전력으로 기판(S)을 탑재면에 밀착, 압박시킨다. In addition, inside the lower electrode 114, the substrate S is mounted on the mounting surface to prevent the substrate S mounted on the upper surface of the lower electrode 114 from moving during processing or the distance from the lower electrode 114 is changed. An electrostatic chuck (ESC: not shown in the drawings) to be in close contact and compression is used a lot, and the substrate S is closely contacted and pressed to the mounting surface by the electrostatic force generated by the electrostatic chuck.

그리고 상기 상,하부전극(112, 114)은 주로 알루미늄을 사용하며, 이 하부전극(114)에는 대형화된 기판(S)을 지지하기 위해 그 하부전극(114)의 가장자리부는 물론 중앙부에도 두께 방향으로 상기 하부전극(114)를 관통하여 형성된 다수개의 리프트 핀 홀(116)에 각각 삽입되어 구동되는 리프트 핀(Lift pin : 120)이 구비된다.In addition, the upper and lower electrodes 112 and 114 mainly use aluminum, and the lower electrode 114 has a thickness in the center as well as the edge of the lower electrode 114 in order to support the enlarged substrate S. Lift pins 120 are inserted into and driven in the plurality of lift pin holes 116 formed through the lower electrode 114, respectively.

여기서, 상기 리프트 핀(120)은 하부전극(114)의 리프트 핀 홀(116)을 따라 상승 및 하강하면서 운송 로봇(도면에 미도시)이 기판(S)을 반출시킬 수 있도록 반출 높이까지 들어올리거나 상기 운송 로봇으로부터 반입될 기판(S)을 챔버(110) 내부에서 전달받아 하부전극(114) 상에 내려놓는 역할을 하게 된다.Here, the lift pin 120 is raised and lowered along the lift pin hole 116 of the lower electrode 114, and lifted up to the height of the transport so that a transport robot (not shown) can carry out the substrate S. The substrate S to be loaded from the transport robot is transferred within the chamber 110 and placed on the lower electrode 114.

즉, 상기 리프트 핀(120)은 챔버(110) 외부에서 운송 로봇에 의하여 반입된 기판(S)을 소정 높이 만큼 들어올린 후, 운송 로봇이 챔버(110) 밖으로 후퇴하면 그 기판(S)을 하강시켜 하부전극(114) 상에 적재하는 역할을 한다.That is, the lift pin 120 lifts the substrate S carried by the transport robot outside the chamber 110 by a predetermined height, and then lowers the substrate S when the transport robot retreats out of the chamber 110. To load on the lower electrode 114.

이때, 상기 리프트 핀(120)은 하나의 하부전극(114)에 다수개가 구비되지만, 다수개의 리프트 핀(120)이 동시에 상승하거나 하강하여야 하므로 상기 챔버(110) 외부 하측에 다수개의 리프트 핀(120) 전체와 결합하는 리프트 핀 고정 플레이트(130)가 마련된다.In this case, a plurality of lift pins 120 are provided in one lower electrode 114, but a plurality of lift pins 120 must be simultaneously raised or lowered at the same time, so that the plurality of lift pins 120 are located outside the chamber 110. Lift pin fixing plate 130 is coupled to the whole is provided.

그리고 상기 리프트 핀 고정 플레이트(130)를 별도의 구동수단(도면에 미도시)에 의해 승강시킴으로써 이 구동수단에 의해 다수개의 리프트 핀(120)이 동시에 상승 또는 하강하게 된다.In addition, the lift pin fixing plate 130 is lifted by a separate driving means (not shown in the drawing) so that the plurality of lift pins 120 are simultaneously raised or lowered by the driving means.

이러한 리프트 핀(120)은 리프트 핀 고정 플레이트(130)에 구동수단의 상승력을 부가하여 이 리프트 핀 고정 플레이트(130)에 고정된 리프트 핀(120)을 상승하게 하지만 하강할 경우에는 구동수단의 구동력에 의해 하강하는 것이 아니고 자중에 의해 리프트 핀(120)이 원위치로 복귀하는 것이다.The lift pin 120 adds the lift force of the driving means to the lift pin fixing plate 130 to raise the lift pin 120 fixed to the lift pin fixing plate 130, but when it is lowered, the driving force of the driving means. The lift pin 120 returns to its original position due to its own weight rather than descending by

여기서, 상기 리프트 핀(120)에서 챔버(110)의 하측으로 노출되는 부분 즉, 상기 챔버(110)의 저면과 리프트 핀 고정 플레이트(130)의 사이에 노출되는 리프트 핀(120)을 감싸도록 벨로우즈(Bellows : 132)가 마련된다.Here, the bellows to surround the lift pin 120 is exposed to the lower portion of the chamber 110, that is, the lift pin 120 exposed between the bottom surface of the chamber 110 and the lift pin fixing plate 130. (Bellows: 132) is provided.

이러한 벨로우즈(132)는 다수개의 리프트 핀(120)의 상승시 수축하게 되고, 이 리프트 핀(120)의 하강시 이완하게 되며, 상기 챔버(110) 내부의 진공 상태를 유지하게 하는 기능을 하게 된다.The bellows 132 is contracted when the lift pins 120 are lifted up, relaxes when the lift pins 120 are lowered, and functions to maintain a vacuum inside the chamber 110. .

한편, 상기 하부전극(114)과 리프트 핀(120)은 서로 온도차, 전위차로 인해 기판(S)을 공정 처리하는 과정에서 상기 리프트 핀(120)에 접촉되는 부위인 기판(S) 저면에 휘도 불균일의 일종인 얼룩(Mura)이 발생되는 것을 방지하기 위해 상기 리프트 핀(120)을 하부전극(114)과 동일한 재질로 제작하거나 동일 계열의 재질로 제작하여 온도차 및 전위차가 발생하지 않도록 한다.On the other hand, the lower electrode 114 and the lift pins 120 are uneven in brightness on the bottom surface of the substrate S, which is a portion which is in contact with the lift pins 120 during the process of processing the substrate S due to a temperature difference and a potential difference. In order to prevent the occurrence of a stain (Mura), the lift pin 120 is made of the same material as the lower electrode 114 or made of the same material to prevent the temperature difference and the potential difference.

여기서, 상기 리프트 핀(120)은 알루미늄, 스테인레스강인 SUS 계열 및 표면에 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄 중 어느 하나를 사용한다.Here, the lift pin 120 uses any one of aluminum, SUS-based stainless steel and aluminum anodized on the surface.

그리고 상기 리프트 핀(120)은 기판(S)에 공정 처리시 아킹(Arcing)이 발생하는 것을 방지하기 위해 상단 모서리부를 라운딩(Rounding) 가공하되 그 라운딩 가공시 가공 반지름(r)은 1㎜보다 작게 형성시킨다.And the lift pin 120 is rounded to the upper edge to prevent the arcing (Arcing) occurs during the processing process on the substrate (S), but the processing radius (r) during the rounding process is smaller than 1mm To form.

즉, 상기 리프트 핀(120)의 상면 모서리를 라운딩 가공하여 전하가 집중되는 것을 방지함에 따라 균일한 공정 처리 결과를 얻을 수 있다.That is, by rounding the top edge of the lift pin 120 to prevent concentration of charges, a uniform process treatment result may be obtained.

더욱이, 상기 리프트 핀(120)이 하부전극(114)의 리프트 핀 홀(116)에 하강 즉, 리프트 핀(120)의 최초 위치는 상기 하부전극(114)의 상면에서 적정 높이(h) 즉, 높이(h)가 0.2㎜ 내외인 0.1∼0.3㎜ 하측에 위치된다.Furthermore, the lift pin 120 is lowered to the lift pin hole 116 of the lower electrode 114, that is, the initial position of the lift pin 120 is a proper height h, that is, the upper surface of the lower electrode 114. The height h is located below 0.1-0.3 mm which is about 0.2 mm.

즉, 상기 운송 로봇으로부터 상기 기판(S)을 챔버(110) 내부로 반입하고 반입된 기판(S)을 전달받을 수 있도록 리프트 핀(120)이 상승하여 그 기판(S) 저면에 리프트 핀(120) 상면이 접촉한 후 운송 로봇은 후퇴하고 상기 리프트 핀(120)이 하강하고 기판(S)이 하부전극(114)에 안착됨과 동시에 리프트 핀(120)은 상기 하부전극(114)의 상면에서 0.1∼0.3㎜만큼 더 하강하게 되는 것이다. That is, the lift pin 120 is lifted up so that the substrate S is brought into the chamber 110 from the transport robot and the substrate S is received and the lift pin 120 is raised on the bottom surface of the substrate S. After the upper surface is contacted, the transport robot retreats, the lift pin 120 descends, the substrate S is seated on the lower electrode 114, and the lift pin 120 is 0.1 at the upper surface of the lower electrode 114. It will fall further by -0.3 mm.

상기 리프트 핀(120)이 하부전극(114)의 상면에서 높이(h) 0.1∼0.3㎜만큼 미세 높이 더 하강하여 기판(S)과 미세하게 이격됨에 따라 기판(S) 저면에 얼룩이 발생하는 것을 방지한다.The lift pin 120 is further lowered by a height h of 0.1 to 0.3 mm from the upper surface of the lower electrode 114 to be minutely spaced apart from the substrate S to prevent staining on the bottom surface of the substrate S. do.

그러므로 본 발명의 플라즈마 처리장치를 통해 대면적 기판을 공정 처리하는 과정에서 대면적 기판의 처짐을 방지하기 위해 상기 기판의 중심부를 받치는 리프트 핀은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 리프트 핀 홀(116)이 형성된 하부전극(114)과 동일한 재질로 사용하여 온도차와 전위차에 의해 리프트 핀(120)과의 접촉 부위인 기판(S)에 얼룩이 발생하는 것을 방지한다.Therefore, in order to prevent sagging of the large-area substrate in the process of processing the large-area substrate through the plasma processing apparatus of the present invention, the lift pin supporting the center of the substrate may be a lift pin hole (as shown in FIGS. 3 and 4). By using the same material as the lower electrode 114, the 116 is formed to prevent staining on the substrate (S) which is a contact portion with the lift pin 120 by the temperature difference and the potential difference.

그리고 상기 리프트 핀(120) 상면 모서리부를 적정 반지름(r)으로 라운딩 가공함에 따라 모서리부분에 전하가 집중되어 발생되는 아킹의 발생을 차단하며, 상기 기판(S)과 적정 높이(h)만큼 하측에 리프트 핀(120)을 위치시켜 상기 리프트 핀(120)과 접촉되는 것을 방지하므로 리프트 핀(120)과의 접촉면에 얼룩이 발생하는 것을 방지한다.As the upper edge of the upper surface of the lift pin 120 is rounded to a proper radius r, the occurrence of arcing is prevented from occurring due to the concentration of electric charges at the corner, and the lower side of the lift pin 120 is lowered by an appropriate height h. Since the lift pin 120 is positioned to prevent contact with the lift pin 120, staining of the contact surface with the lift pin 120 is prevented.

이와 같은 본 발명의 플라즈마 처리장치는 리프트 핀을 하부전극과 동일한 재질로 사용하고 상기 리프트 핀을 하부전극에서 적정 높이만큼 미세하게 하측에 위치시켜 하부전극과 리프트 핀과의 온도차 및 전위차로 리프트 핀이 접촉되는 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지하며, 상기 리프트 핀의 상면 모서리를 적정 반지름을 갖도록 라운딩 가공하여 아킹 형상을 방지하는 효과가 있다.In the plasma processing apparatus of the present invention, the lift pin is made of the same material as the lower electrode, and the lift pin is positioned at the lower side of the lower electrode by an appropriate height, so that the lift pin has a temperature difference and a potential difference between the lower electrode and the lift pin. It is possible to prevent the occurrence of stains on the substrate to be contacted, and to prevent the arcing shape by rounding the upper surface edge of the lift pin to have a proper radius.

Claims (5)

진공 상태의 챔버 내부에서 플라즈마를 이용하여 기판에 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서,A plasma processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate using a plasma inside a chamber in a vacuum state, 상기 챔버내 상측과 하측에 각각 구비되는 상, 하부 전극;Upper and lower electrodes respectively provided at upper and lower sides of the chamber; 상기 하부 전극의 가장자리부와 중심부가 두께 방향으로 관통되고 각각 삽입되어 상기 기판을 하부 전극에 내려놓거나 들어올리는 다수개의 리프트 핀; 을 포함하며,A plurality of lift pins through which edges and central portions of the lower electrode penetrate in the thickness direction and are respectively inserted to lower or lift the substrate onto the lower electrode; Including; 상기 리프트 핀은 하부 전극과 동일한 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The lift pin is a plasma processing apparatus, characterized in that provided with the same material as the lower electrode. 제 1항에 있어서, 상기 리프트 핀은,The method of claim 1, wherein the lift pin, 그 상단 모서리를 라운딩(Rounding) 처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that the rounded (Rounding) process of the upper edge. 제 2항에 있어서, The method of claim 2, 상기 리프트 핀에 라운딩 처리시 반지름이 1㎜보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus characterized in that the radius is formed smaller than 1mm during the rounding process on the lift pin. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 리프트 핀의 하강시 그 상면은 하부 전극의 상면에서 0.1∼0.3㎜ 하측에 위치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.When the lift pin is lowered, the upper surface of the plasma processing apparatus, characterized in that located below 0.1 ~ 0.3mm from the upper surface of the lower electrode. 제 4항에 있어서, 상기 리프트 핀은,The method of claim 4, wherein the lift pin, 알루미늄, SUS 계열, 표면에 아노다이징(Anodizing) 처리된 알루미늄 중 선택되는 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus, characterized in that formed of any one material selected from aluminum, SUS-based, aluminum anodized (Anodizing) on the surface.
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