KR101318704B1 - Substrate supporting apparatus, plasma processing apparatus having the seme and plasma processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명의 기판 지지장치는 전극부와, 상기 전극부의 상부에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더 사이에 위치하여 기판을 전극부에 결합시키는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되어 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재를 포함한다.The substrate support apparatus of the present invention includes an electrode portion, a substrate holder provided on the electrode portion to support the edge of the substrate, a buffer member positioned between the electrode portion and the substrate holder to couple the substrate to the electrode portion, and the electrode And a lifting member connected to the lower part of the lower part to raise and lower the electrode part and the substrate holder.

상기와 같은 발명은 승강 부재가 전극부와 기판 홀더를 동시에 승하강시키도록 구성함으로써, 장치를 단순화시킬 수 있으며, 이에 의해 장치 내부의 공간을 효율적으로 활용할 수 있는 효과가 있다.According to the above invention, the elevating member is configured to elevate the electrode unit and the substrate holder at the same time, thereby simplifying the device, thereby making it possible to effectively utilize the space inside the device.

챔버, 플라즈마, 차폐 부재, 전극부, 완충 부재 Chamber, plasma, shielding member, electrode part, buffer member

Description

기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법{SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SEME AND PLASMA PROCESSING METHOD}Substrate support apparatus, plasma processing apparatus and plasma processing method including the same {SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS, PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SEME AND PLASMA PROCESSING METHOD}

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 장치를 단순화시켜 공정 효율을 높이기 위한 기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a substrate support apparatus for increasing process efficiency by simplifying the apparatus, a plasma processing apparatus having the same, and a plasma processing method.

일반적으로 반도체 장치 및 평판 표시 장치는 기판의 전면에 다수의 박막을 증착하고 식각하여 소정 패턴의 소자들을 형성하여 제작한다. 즉, 소정의 증착 장비를 이용하여 기판의 전면에 박막을 증착하고, 식각 장비를 이용하여 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작하였다.In general, semiconductor devices and flat panel displays are manufactured by depositing and etching a plurality of thin films on the entire surface of a substrate to form elements having a predetermined pattern. That is, the thin film is deposited on the entire surface of the substrate using a predetermined deposition equipment, and a portion of the thin film is etched using the etching equipment to produce the thin film having a predetermined pattern.

특히, 박막 증착 공정 및 식각 공정은 기판의 전면에 대하여 동일하게 수행되는 특성으로 인하여, 기판의 후면에는 박막 증착 공정 시 증착된 박막과 파티클 등의 이물질이 제거되지 않은 채 잔류하게 되고, 기판의 후면에 증착된 이물질은 후속 공정에서 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점을 야기시킨다. 따라서, 이러한 박막 및 파티클을 제거하기 위해 주로 건식 세정을 통 해 기판의 후면에 증착된 박막과 파티클 등의 이물질을 반복적으로 제거한 후 후속 공정을 진행함으로써, 반도체 소자 수율을 높이고 있다.In particular, the thin film deposition process and the etching process are performed on the front surface of the substrate in the same manner, and thus, the back surface of the substrate remains without removing foreign substances such as thin films and particles deposited during the thin film deposition process. Foreign matter deposited on the substrate causes many problems such as bending of the substrate or difficulty in aligning the substrate in a subsequent process. Therefore, in order to remove such thin films and particles, foreign matters such as thin films and particles deposited on the back surface of the substrate are mainly removed through dry cleaning, and then a subsequent process is performed to increase semiconductor device yield.

종래 기판의 후면을 세정하기 위한 건식 세정 공정은 밀폐된 챔버 내에 차폐 부재 및 하부 전극을 대향하도록 이격 배치하고, 반도체 웨이퍼와 같은 기판을 차폐 부재 및 하부 전극 사이에 마련한다. 이어서, 기판을 공정 위치에 배치시키기 위해 기판을 상승시키고, 차폐 부재와 하부 전극 사이의 플라즈마 간극을 조절하도록 하부 전극을 상승시킨다. 이어서, 고진공 상태로 형성된 챔버에 반응 가스를 투입하게 된다. 이와 같이 투입된 가스는 차폐 부재 및 하부 전극 사이에 고주파 파워가 인가됨에 따라 플라즈마 상태로 변하고, 이러한 플라즈마에 의해 기판 후면의 불필요한 이물질을 제거하게 된다.Conventional dry cleaning processes for cleaning the backside of a substrate are spaced apart so as to face the shield member and the lower electrode in a closed chamber, and a substrate, such as a semiconductor wafer, is provided between the shield member and the lower electrode. The substrate is then raised to place the substrate in the process position, and the lower electrode is raised to adjust the plasma gap between the shield member and the lower electrode. Subsequently, the reaction gas is introduced into the chamber formed in a high vacuum state. The injected gas is changed into a plasma state as high frequency power is applied between the shielding member and the lower electrode, thereby removing unnecessary foreign substances on the back surface of the substrate.

하지만, 기판 홀더를 상승시키는 구동부는 하부 전극을 상승시키는 구동부와 별도로 마련되기 때문에 장치가 복잡해지고, 이에 의해 챔버 내의 공간을 활용하기 어려운 문제점이 발생된다. However, since the driving unit for raising the substrate holder is provided separately from the driving unit for raising the lower electrode, the device becomes complicated, thereby causing a problem that it is difficult to utilize the space in the chamber.

또한, 기판 홀더를 구동시키는 구동부와 하부 전극을 구동시키는 구동부를 각각 제어해야하기 때문에 공정을 위한 작업 효율이 떨어지는 문제점이 발생된다.In addition, since the driving unit for driving the substrate holder and the driving unit for driving the lower electrode must be controlled, respectively, a problem of inferior work efficiency for the process occurs.

또한, 기판 홀더를 상승시키는 구동부는 기판을 챔버의 바닥면으로부터 상당히 높은 위치까지 이동시키기 때문에 기판이 하부 전극과 수평을 유지하기가 매우 어려운 문제점을 발생시킨다.In addition, the driver for raising the substrate holder causes a problem that the substrate is very difficult to keep level with the lower electrode because the substrate moves the substrate from the bottom of the chamber to a significantly higher position.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 장치를 단순화시키고 공정 효율을 높이기 위한 기판 지지장치, 이를 구비하는 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법을 그 목적으로 한다.In order to solve the problems as described above, an object of the present invention is to provide a substrate support apparatus, a plasma processing apparatus having the same, and a plasma processing method for simplifying the apparatus and increasing process efficiency.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 지지장치는 전극부와, 상기 전극부의 상부에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더 사이에 위치하여 기판을 전극부에 결합시키는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되어 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재를 포함한다.In order to achieve the above object, the substrate supporting apparatus of the present invention is provided with an electrode portion, a substrate holder provided on the electrode portion to support the edge of the substrate, and positioned between the electrode portion and the substrate holder to connect the substrate to the electrode portion. And a cushioning member for coupling, and a lifting member connected to a lower portion of the electrode unit to move up and down the electrode unit and the substrate holder.

상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 내부 공간에 마련된 탄성 부재와, 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함할 수 있다. 상기 전극부는 전극과, 전극의 하부에 결합된 절연 플레이트를 포함하고, 상기 완충 부재는 전극의 외주연 또는 절연 플레이트의 외주연에 결합될 수 있다. 상기 홀더 지지대의 상부면에 기판 홀더의 하부면이 지지될 수 있다.The shock absorbing member may include a body provided with an inner space to open an upper portion, an elastic member provided in the inner space, and a holder support formed on an upper portion of the elastic member to protrude to an upper portion of the body. The electrode unit may include an electrode and an insulating plate coupled to a lower portion of the electrode, and the buffer member may be coupled to an outer periphery of the electrode or an outer periphery of the insulating plate. The lower surface of the substrate holder may be supported on the upper surface of the holder support.

상기 기판 홀더는 기판의 가장자리를 지지하는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함할 수 있다.The substrate holder may include a ring-shaped seating portion supporting an edge of the substrate, a sidewall portion connected to a bottom surface of the seating portion to support a bottom surface of the seating portion, and an exhaust hole formed in the sidewall portion.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 차폐 부재와, 상기 차폐 부재와 대향하여 마련된 전극부와, 상기 차폐 부재와 전극부 사이에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더를 연결하는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되는 승강 부재를 포함한다.In addition, in order to achieve the above object, the plasma processing apparatus of the present invention is provided with a chamber, a shielding member provided in the chamber, an electrode portion provided to face the shielding member, and provided between the shielding member and the electrode portion of the substrate. And a substrate holder supporting an edge, a buffer member connecting the electrode portion and the substrate holder, and a lifting member connected to the lower portion of the electrode portion.

상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 내부 공간에 마련된 탄성 부재와, 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함할 수 있다.The shock absorbing member may include a body provided with an inner space to open an upper portion, an elastic member provided in the inner space, and a holder support formed on an upper portion of the elastic member to protrude to an upper portion of the body.

상기 차폐 부재의 하부에는 차폐 부재의 하부를 향해 돌출 형성된 하드 스토퍼가 더 마련될 수 있다. 상기 하드 스토퍼와 대응하여 안착부의 상부에는 홈이 더 형성될 수 있다.A lower portion of the shielding member may further include a hard stopper protruding toward the lower portion of the shielding member. A groove may be further formed in an upper portion of the seating part corresponding to the hard stopper.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리방법은 기판을 챔버 내로 인입하는 단계와, 기판을 기판 홀더에 로딩하는 단계와, 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계와, 기판을 처리하는 단계와, 기판을 인출하는 단계를 포함한다.In addition, in order to achieve the above object, the plasma processing method of the present invention includes the steps of introducing the substrate into the chamber, loading the substrate into the substrate holder, and simultaneously raising the electrode portion under the substrate holder and the substrate holder; Processing the substrate, and withdrawing the substrate.

상기 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계 이후 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 기판 홀더가 정지된 상태에서 기판 홀더와 전극부 사이에 연결된 완충 부재가 수축하여 전극부를 더욱 상승시킬 수 있다.After the step of simultaneously raising the substrate holder and the electrode portion below the substrate holder may further comprise the step of further raising the electrode portion in a state in which the substrate holder is stopped. In the state in which the substrate holder is stopped, the buffer member connected between the substrate holder and the electrode portion may contract to further raise the electrode portion.

본 발명은 승강 부재가 전극부와 기판 홀더를 동시에 승하강시키도록 구성함으로써, 장치를 단순화시킬 수 있으며, 이에 의해 장치 내부의 공간을 효율적으로 활용할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the elevating member is configured to elevate the electrode portion and the substrate holder at the same time, thereby simplifying the apparatus, thereby providing an effect of efficiently utilizing the space inside the apparatus.

또한, 본 발명은 전극부와 기판 홀더를 하나의 승강 부재를 사용하여 승하강시킴으로써, 승강 부재를 제어하기가 용이하며, 이에 의해 공정 효율을 상승시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention is easy to control the elevating member by raising and lowering the electrode unit and the substrate holder using one elevating member, thereby increasing the process efficiency.

또한, 본 발명은 기판 홀더와 전극부 사이에 완충 부재를 마련함으로써, 기판 홀더가 고정되더라도 기판 홀더와 별도로 전극부를 승하강시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention provides the buffer member between the substrate holder and the electrode portion, there is an effect that the electrode portion can be raised and lowered separately from the substrate holder even if the substrate holder is fixed.

또한, 본 발명은 기판 홀더를 전극부에 연결된 승강 부재에 의해 상승시킴으로써, 기판의 수평을 유지하기가 용이한 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect that it is easy to maintain the horizontal level of the substrate by raising the substrate holder by the elevating member connected to the electrode portion.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더를 나타낸 사시도 이고, 도 3은 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더의 변형예를 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 기판 지지장치의 변형예를 나타낸 단면도이고, 도 5 및 도 6은 본 발명의 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법을 나타낸 순서도이다.1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus with a substrate supporting apparatus of the present invention, Figure 2 is a perspective view showing a substrate holder provided in the plasma processing apparatus of the present invention, Figure 3 is provided in the plasma processing apparatus of the present invention 4 is a cross-sectional view showing a modification of the substrate support apparatus of the present invention, Figures 5 and 6 are cross-sectional views showing the operation of the plasma processing apparatus of the present invention, Figure 7 A flowchart showing a plasma processing method according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 차폐 부재(200)와, 상기 차폐 부재(200)와 대향 마련된 기판 지지장치(1000)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a plasma processing apparatus according to the present invention includes a chamber 100, a shielding member 200 provided in an upper portion of the chamber 100, and a substrate supporting apparatus 1000 provided to face the shielding member 200. ).

챔버(100)는 통상 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 상기에서는 챔버(100)를 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성하였으나, 이에 한정되지 않으며 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(Gate, 110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 식각 공정 시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물을 챔버 외부로 배기하기 위한 배기부(120)가 마련된다. 이때, 배기부(120)에는 챔버(100) 내의 불순물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기 수단(130), 예를 들어 진공 펌프가 연결된다. 상기에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.The chamber 100 is usually formed in a cylindrical or rectangular box shape, and a predetermined space is provided inside the chamber 100 so as to process the substrate S. Although the chamber 100 is formed in a cylindrical or rectangular box shape in the above description, it is not limited thereto and may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. A substrate 110 is formed on one side wall of the chamber 100 to allow the substrate S to be drawn in and out. A reaction byproduct such as particles generated during the etching process is introduced into the chamber 100, And an exhaust part 120 for exhausting is provided. At this time, the exhaust unit 120 is connected to the exhaust means 130, for example a vacuum pump for exhausting the impurities in the chamber 100 to the outside of the chamber 100. Although the chamber 100 is described as an integral type, the chamber 100 may be divided into a lower chamber having an upper portion opened and a chamber lid covering an upper portion of the lower chamber.

차폐 부재(200)는 챔버(100)의 상부 내측면에 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 이러한 차폐 부재(200)는 차폐 부재(200)의 하부에 수 mm 간격 이하 예를 들어, 0.5mm 이하의 간격으로 배치되는 기판(S)의 상부면에 플라즈마가 발생되는 것을 방지하는 역할을 한다. 차폐 부재(200)의 하부 중심 영역에는 차폐 부재(200)의 하부면을 향해 돌출 형성된 돌출부(202)가 형성될 수 있다. 돌출부(202)의 직경은 통상 기판(S)의 상부면이 이격 배치되도록 기판(S)과 대응하는 형상으로 형성되고, 기판(S)의 크기보다 약간 더 크게 형성될 수 있다. 또한, 돌출부(202)가 형성되지 않은 차폐 부재(200)의 하부면에는 하부 방향으로 즉, 기판 지지장치(1000)를 향해 돌출 형성된 원기둥 형상의 하드 스토퍼(210)가 형성되며, 하드 스토퍼(210)의 하부 끝단은 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 돌출부(202) 하부면의 수평면보다 낮은 위치에 배치되도록 연장 형성된다. 즉, 하드 스토퍼(210)는 상승하는 기판 홀더(400)의 상부와 접촉하게 되며, 이에 의해 기판 홀더(400)에 지지된 기판(S)은 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 돌출부(202)의 하부면과 미리 정해 놓은 간격으로 정확하게 유지할 수 있다. 이때, 하드 스토퍼(210)는 차폐 부재(200)의 하부면에 폐곡선을 이루는 원형의 링 형상으로 형성될 수 있으며, 분할된 링 형상으로 형성될 수도 있다. 또한, 차폐 부재(200)의 내측에는 차폐 부재(200)의 온도를 조절하기 위한 냉각 부재(미도시)가 더 마련될 수 있으며, 냉각 부재는 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마에 의해 차폐 부재(200)가 소정 온도 이상으로 올라가는 것을 방지하여 차폐 부재(200)를 보호할 수 있다. 또한, 차폐 부재(200)에는 기판(S)의 상부면에 비반응 가스를 분사하기 위해 가스공급유닛(미도시)이 연결될 수 있으며, 이에 의해 차폐 부재(200)의 하부면에는 가스공급유닛에서 공급된 비반응 가스를 기판(S)의 상부로 분사할 수 있도록 다수의 분사홀(미도시)이 형성될 수 있다.The shielding member 200 is formed in a circular plate shape on the upper inner surface of the chamber 100, the shielding member 200 is a few mm interval or less, for example, 0.5mm or less in the lower portion of the shielding member 200 It serves to prevent the generation of plasma on the upper surface of the substrate (S) disposed at intervals. A protrusion 202 protruding toward the lower surface of the shielding member 200 may be formed in the lower center area of the shielding member 200. The diameter of the protrusion 202 is usually formed in a shape corresponding to the substrate S so that the upper surface of the substrate S is spaced apart, and may be slightly larger than the size of the substrate S. In addition, a cylindrical hard stopper 210 protruding downwardly, that is, toward the substrate support device 1000, is formed on the lower surface of the shielding member 200 in which the protrusion 202 is not formed, and the hard stopper 210 is formed. The lower end of the) is extended to be disposed at a position lower than the horizontal plane of the lower surface of the protrusion 202 formed on the lower surface of the shielding member (200). That is, the hard stopper 210 comes into contact with the upper portion of the rising substrate holder 400, whereby the substrate S supported by the substrate holder 400 is a protrusion 202 formed on the lower surface of the shielding member 200. It can be kept precisely at the lower surface of the frame) and at a predetermined interval. In this case, the hard stopper 210 may be formed in a circular ring shape forming a closed curve on the lower surface of the shielding member 200, or may be formed in a divided ring shape. In addition, a cooling member (not shown) for adjusting the temperature of the shielding member 200 may be further provided inside the shielding member 200, and the cooling member may be shielded member 200 by a plasma formed in the chamber 100. ) May be prevented from rising above a predetermined temperature to protect the shielding member 200. In addition, a gas supply unit (not shown) may be connected to the shielding member 200 for injecting non-reactive gas to the upper surface of the substrate S, whereby the lower surface of the shielding member 200 may be connected to the gas supply unit. A plurality of injection holes (not shown) may be formed to inject the supplied non-reactive gas into the upper portion of the substrate S.

본 발명에 따른 기판 지지장치(1000)는 차폐 부재(200)와 대향 마련되며, 전극부(300)와, 상기 전극부(300)의 상부에 마련된 기판 홀더(400)와, 상기 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 연결된 완충 부재(500)와, 상기 전극부(300)의 하부에 연결되어 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 동시에 승하강시키는 승강 부재(600)를 포함한다.The substrate supporting apparatus 1000 according to the present invention is provided to face the shielding member 200, the electrode part 300, the substrate holder 400 provided on the electrode part 300, and the electrode part 300. ) A cushioning member 500 connected between the substrate holder 400 and a lifting member 600 connected to a lower portion of the electrode part 300 to simultaneously lift and lower the electrode part 300 and the substrate holder 400. Include.

전극부(300)는 전극(310)과, 전극(310)의 하부에 마련된 절연 플레이트(320)를 포함한다. 전극(310)은 원형의 플레이트 형상으로 형성되고, 통상 기판(S)에 대응하는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 전극(310)의 상부면에는 기판(S)의 하부 공간에 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(312)의 형성되고, 전극(310)의 하부에는 다수의 분사홀(312)에 반응 가스를 공급하도록 가스 공급부(330)가 분사홀(312)과 연통되도록 연결된다. 여기서, 전극(310)의 상부면에 형성된 분사홀(312)은 원형, 다각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 전극(310)의 하부에는 전극(310)에 고주파 신호를 인가하기 위한 고주파 전원(340)이 마련되고, 고주파 전원(340)에서 인가된 고주파 신호는 전극(310)에서 분사된 반응 가스를 활성화시켜 기판(S)의 하부 공간에 플라즈마를 발생시킨다. 전극(310)의 하부에는 절연 플레이트(320)가 마련되며, 절연 플레이트(320)는 전극(310)을 지지하는 역할을 한다.The electrode unit 300 includes an electrode 310 and an insulating plate 320 provided under the electrode 310. The electrode 310 is formed in a circular plate shape, and is preferably formed in a shape corresponding to the substrate S in general. The upper surface of the electrode 310 is formed with a plurality of injection holes 312 for injecting the reaction gas into the lower space of the substrate (S), the lower portion of the electrode 310 the reaction gas in the plurality of injection holes 312 The gas supply unit 330 is connected to communicate with the injection hole 312 to supply the. Here, the injection hole 312 formed on the upper surface of the electrode 310 may be formed in various shapes such as a circular shape and a polygonal shape. In addition, a high frequency power source 340 for applying a high frequency signal to the electrode 310 is provided below the electrode 310, and the high frequency signal applied from the high frequency power source 340 receives the reaction gas injected from the electrode 310. It is activated to generate a plasma in the lower space of the substrate (S). An insulating plate 320 is provided below the electrode 310, and the insulating plate 320 supports the electrode 310.

챔버(100) 내부에는 챔버(100)의 하부 내측에 고정 설치되어 전극(310)의 내측을 상하로 관통하여 전극(310)의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 리프트 핀(350)이 더 마련될 수 있다. 리프트 핀(350)은 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 받는 역할을 하며, 안정적으로 기판(S)의 후면을 지지하도록 다수개, 바람직하게는 3개 이상으로 형성될 수 있다. 상기에서는 리프트 핀(350)을 챔버(100) 내부에 고정하였지만, 승하강하도록 이동시킬 수 있음은 물론이다.The lift pin 350 may be further provided inside the chamber 100 to be fixedly installed inside the lower portion of the chamber 100 to extend upward and downward through the inside of the electrode 310 to protrude upward from the electrode 310. . The lift pins 350 may serve to receive the substrate S introduced into the chamber 100, and may be formed in plural, preferably three or more, so as to stably support the rear surface of the substrate S. In the above, the lift pin 350 is fixed inside the chamber 100, but it can be moved to move up and down.

기판 홀더(400)는 차폐 부재(200)와 전극부(300) 사이에 마련되며, 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기판(S) 가장자리의 거의 전체를 지지하여 기판(S)을 공정 위치로 배치시키는 역할을 한다. 도 2에 도시된 바와 같이, 기판 홀더(400)는 기판(S)이 안착되는 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 하부를 지지하는 측벽부(420)를 포함한다. 안착부(410)는 상하부가 개방된 원형의 링 형상으로 형성되고, 안착부(410)의 상부면에는 기판(S)의 하부면 가장자리의 거의 전체가 안착된다. 또한, 안착부(410)의 상부에는 내측으로 오목하게 형성된 다수의 홈(412)이 형성될 수 있으며, 이러한 홈(412)에는 기판(S)을 공정 위치에 배치시키기 위해 기판 홀더(400)를 상승시킬 경우, 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 하드 스토퍼(210)와 접촉될 수 있다. 이때, 안착부(410)의 상부에 형성된 다수의 홈(412)은 생략될 수 있음은 물론이다. 여기서, 안착부(410)는 원형의 링 형상으로 형성되었지만, 기판(S)의 형상에 따라 변경될 수 있음은 물론이다. 측벽부(420)는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(420)의 상부면은 안착부(410)의 하부면과 결합된다. 여기서, 측벽부(420)는 별도의 결합 부재에 의해 안착부(410)와 결합될 수 있고, 접착 부재에 의해 접착될 수 있음은 물론이다. 또한, 측벽부(420)에는 좌우로 관통 형성된 배기 구멍(422)이 다수개 형성되고, 이러한 배기 구멍(422)은 전극(310)으로부터 분사되는 반응 가스를 배기시키는 역할을 한다. 여기서, 배기 구멍(422)은 원형, 또는 다각 형상으로 형성될 수 있으며, 원형 및 다각 형상의 배기 구멍(422)이 조합되어 사용될 수 있음은 물론이다. 또한, 측벽부(420)의 하부면에는 측벽부(420)의 외측으로 돌출되도록 지지부(430)가 더 형성될 수 있으며, 이러한 지지부(430)는 기판 홀더(400)와 전극부(300) 사이에 연결되는 완충 부재(500)의 상부와 연결된다.The substrate holder 400 is provided between the shielding member 200 and the electrode unit 300, and supports the entirety of the edge of the substrate S seated on the lift pin 350 so that the substrate S is processed. To serve as As shown in FIG. 2, the substrate holder 400 includes a seating portion 410 on which the substrate S is mounted, and a sidewall portion 420 supporting a lower portion of the seating portion 410. The seating portion 410 is formed in a circular ring shape with upper and lower portions opened, and substantially the entire lower edge of the substrate S is seated on the upper surface of the seating portion 410. In addition, a plurality of grooves 412 formed inwardly concave may be formed in the upper part of the seating part 410, and the substrate holder 400 may be formed in the grooves 412 to place the substrate S at a process position. When raised, it may be in contact with the hard stopper 210 formed on the lower surface of the shielding member 200. In this case, the plurality of grooves 412 formed on the seating portion 410 may be omitted. Here, although the seating part 410 is formed in a circular ring shape, it is needless to say that the seating part 410 can be changed according to the shape of the substrate S. The side wall portion 420 is formed in a cylindrical shape having a central portion penetrating vertically and the upper surface of the side wall portion 420 is engaged with the lower surface of the seating portion 410. Here, the side wall portion 420 may be coupled to the seating portion 410 by a separate coupling member, it may be bonded by an adhesive member, of course. In addition, a plurality of exhaust holes 422 penetrating from side to side are formed in the side wall part 420, and the exhaust holes 422 serve to exhaust the reaction gas injected from the electrode 310. Here, the exhaust hole 422 may be formed in a circular or polygonal shape, of course, a circular and polygonal exhaust hole 422 may be used in combination. In addition, a support part 430 may be further formed on a lower surface of the side wall part 420 so as to protrude to the outside of the side wall part 420, and the support part 430 may be formed between the substrate holder 400 and the electrode part 300. It is connected with the upper portion of the buffer member 500 connected to.

또한, 기판 홀더는 다음과 같이 구성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 기판 홀더(400)는 상부면에 다수의 홈(412)이 형성된 링 형상의 안착부(410)와, 상기 안착부(410)의 내주연에 형성된 돌출부(414)와, 상기 안착부(410)의 하부면과 결합되어 다수의 배기 구멍(422)이 형성된 측벽부(420)를 포함한다. 돌출부(414)는 안착부(410)의 내주연을 따라 돌출되어 형성되고, 구체적으로 돌출부(414)의 상부면은 안착부(410)의 상부면과 단차를 가지도록 형성된다. 즉, 기판(S)의 하부 가장자리의 거의 전체는 돌출부(414)의 상부면에 안착되고, 기판(S)의 측부는 안착부(410)의 내주연과 이격 배치된다. 따라서, 기판(S)은 안정적으로 안착부(410)에 안착될 수 있다. 이때, 돌출부(414)는 도 3a에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 내주연을 따라 폐곡선을 이루도록 연장 형성될 수 있으며, 도 3b에 도시된 바와 같이, 안착부(410)의 내주연을 따라 분할 형성될 수 있다. 이에 의해 기판(S)의 하부면 가장자리는 돌출부(414)의 상부면과 부분 접촉 또는 점 접촉하여 안착될 수 있다. 상기에서는 안착부(410)와 측벽부(420)를 분리하여 설명하였지만, 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 기판 홀더(400)는 일체형으로 형성하였지만, 다수개로 분할하여 형성할 수 있음은 물론이다.In addition, the substrate holder may be configured as follows. As shown in FIG. 3, the substrate holder 400 includes a ring-shaped seating portion 410 having a plurality of grooves 412 formed on an upper surface thereof, and a protrusion 414 formed at an inner circumference of the seating portion 410. And a sidewall portion 420 coupled to the bottom surface of the seating portion 410 and having a plurality of exhaust holes 422 formed therein. The protrusion 414 is formed to protrude along the inner circumference of the seating portion 410, and specifically, the upper surface of the protrusion 414 is formed to have a step with the top surface of the seating portion 410. That is, almost the entire lower edge of the substrate S is seated on the upper surface of the protrusion 414, and the side portion of the substrate S is spaced apart from the inner circumference of the seating part 410. Therefore, the substrate S may be stably mounted on the seating portion 410. In this case, the protrusion 414 may be extended to form a closed curve along the inner circumference of the seating portion 410, as shown in Figure 3a, as shown in Figure 3b, the inner circumference of the seating portion 410 It may be divided along the. As a result, the bottom edge of the substrate S may be seated in partial or point contact with the top surface of the protrusion 414. In the above, the seating part 410 and the side wall part 420 have been described in isolation, but of course, they may be formed integrally. In addition, although the substrate holder 400 is formed integrally, of course, the substrate holder 400 may be divided into a plurality of substrate holders.

완충 부재(500)는 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 마련되어 기판 홀더(400)를 전극부(300)에 연결시키는 역할을 하며, 몸체(510)와, 상기 몸체(510) 내에 마련된 탄성 부재(520)와, 상기 탄성 부재(520)의 상부에 마련된 홀더 지지대(530)를 포함한다.The buffer member 500 is provided between the electrode unit 300 and the substrate holder 400 to serve to connect the substrate holder 400 to the electrode unit 300. In the body 510 and the body 510 It includes an elastic member 520 provided, and a holder support 530 provided on the elastic member 520.

몸체(510)는 원통형 또는 다각 형상으로 형성되고, 몸체(510)의 내부에는 상부가 개방된 소정 공간이 마련된다. 소정 공간의 내측에는 탄성 부재(520)가 마련되며, 탄성 부재(520)는 소정 공간이 형성된 몸체(510)의 내측 바닥면에 고정된다. 이러한 탄성 부재(520)로는 스프링과 같은 부재가 사용될 수 있다. 탄성 부재(520)의 상부에는 홀더 지지대(530)가 마련되고, 홀더 지지대(530)는 소정 공간이 형성된 몸체(510)의 내측에 일부가 삽입되어 몸체(510)의 상부로 돌출되도록 연장 형성된다. 여기서, 완충 부재(500)는 전극부(300)의 외주연에 고정되도록 몸체(510)의 외주연이 절연 플레이트(320)의 외주연에 결합되고, 홀더 지지대(530)의 상부는 기판 홀더(400)의 하부와 결합된다. 여기서, 완충 부재(500)는 전극부(300)의 외주면에 이격되도록 다수개가 마련될 수 있으며, 다수개의 완충 부재(500)는 절연 플레이트(320)의 외주면을 따라 결합될 수 있다.The body 510 is formed in a cylindrical or polygonal shape, and a predetermined space having an open upper portion is provided inside the body 510. An elastic member 520 is provided inside the predetermined space, and the elastic member 520 is fixed to the inner bottom surface of the body 510 in which the predetermined space is formed. As the elastic member 520, a member such as a spring may be used. A holder support 530 is provided at an upper portion of the elastic member 520, and the holder support 530 extends to protrude upward from the body 510 by inserting a portion of the holder support 530 into the inside of the body 510 having a predetermined space. . Here, the buffer member 500 is coupled to the outer periphery of the insulating plate 320 so that the outer periphery of the body 510 is fixed to the outer periphery of the electrode portion 300, the upper portion of the holder support 530 is a substrate holder ( And the bottom of 400). Here, a plurality of buffer members 500 may be provided to be spaced apart from the outer circumferential surface of the electrode unit 300, the plurality of buffer members 500 may be coupled along the outer circumferential surface of the insulating plate 320.

기판 홀더(400)의 상부면에 지지되는 기판(S)이 차폐 부재(200)와 소정 간격을 이루도록 전극부(300) 및 기판 홀더(400)가 상승하면, 기판 홀더(400)의 상부에 형성된 홈(412)에 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 하드 스토퍼(210)가 결합되며, 이에 의해 기판 홀더(400)의 상부에 안착된 기판(S)은 차폐 부재(200)와 소정 간격을 유지하게 된다. 이어서, 차폐 부재(200)와 전극부(300) 사이에 플라즈마 간 극을 조절하기 위해 전극부(300)가 더욱 상승하면, 완충 부재(500)의 몸체(510) 내에 형성된 탄성 부재(520)는 수축하게 되어 기판 홀더(400)가 고정된 상태에서 전극부(300)만 상승하게 된다.When the electrode unit 300 and the substrate holder 400 are raised so that the substrate S supported on the upper surface of the substrate holder 400 forms a predetermined distance from the shielding member 200, the substrate S is formed on the substrate holder 400. The hard stopper 210 formed on the lower surface of the shielding member 200 is coupled to the groove 412, whereby the substrate S seated on the upper portion of the substrate holder 400 has a predetermined distance from the shielding member 200. Will be maintained. Subsequently, when the electrode part 300 is further raised to adjust the plasma gap between the shielding member 200 and the electrode part 300, the elastic member 520 formed in the body 510 of the buffer member 500 is formed. In order to shrink, only the electrode 300 is raised while the substrate holder 400 is fixed.

승강 부재(600)는 전극부(300)의 하부에 연결되며, 전극부(300)와 전극부(300)에 연결된 기판 홀더(400)를 동시에 상승시키는 역할을 한다. 승강 부재(600)는 전극부(300)의 하부 구체적으로는 절연 플레이트(320)의 하부에 연결되며, 승강 부재(600)를 승하강시키기 위해 승강 부재(600)에 구동력을 제공하도록 승강 부재(600)에는 모터와 같은 구동부(미도시)가 더 연결될 수 있다.The elevating member 600 is connected to the lower portion of the electrode 300, and serves to simultaneously raise the electrode 300 and the substrate holder 400 connected to the electrode 300. The elevating member 600 is connected to the lower portion of the electrode part 300, specifically, the lower portion of the insulating plate 320, and the elevating member 600 provides driving force to the elevating member 600 to elevate the elevating member 600. The driving unit (not shown) such as a motor may be further connected to the 600.

본 발명에 따른 기판 지지장치(1000)는 다음과 같이 구성될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판 지지장치(1000)는 전극부(300)와, 상기 전극부(300)의 상부에 마련된 기판 홀더(400)와, 상기 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 마련되어 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 연결하는 완충 부재(500)와, 상기 전극부(300)의 하부에 연결되어 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 동시에 승하강시키는 승강 부재(600)를 포함한다. 여기서, 도 1에 도시된 기판 지지장치와 중복되는 설명은 생략한다.The substrate support apparatus 1000 according to the present invention may be configured as follows. As shown in FIG. 4, the substrate support apparatus 1000 includes an electrode part 300, a substrate holder 400 provided on the electrode part 300, the electrode part 300, and a substrate holder 400. ) Is provided between the buffer member 500 for connecting the electrode unit 300 and the substrate holder 400, and is connected to the lower portion of the electrode unit 300 to simultaneously win the electrode unit 300 and the substrate holder 400. The elevating member 600 which lowers is included. Here, description overlapping with the substrate supporting apparatus shown in FIG. 1 will be omitted.

전극부(300)는 전극(310)과, 전극(310)의 하부면에 결합되는 절연 플레이트(320)로 구성되고, 전극부(300)의 상부에는 기판(S)의 가장자리의 거의 전체를 지지하는 기판 홀더(400)가 마련된다. 또한, 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에는 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 연결하는 완충 부재(500)가 마련된다. 완충 부재(500)의 몸체(510) 내측에는 상부가 개방된 소정 공간이 형성되며, 소정 공간에 는 탄성 부재(520)와, 탄성 부재(520)의 상부에 마련되어 기판 홀더(400)의 지지부(430)에 결합되는 홀더 지지대(530)가 마련된다. 여기서, 완충 부재(500)의 몸체(510)는 전극(310)의 외주연에 이격되어 마련되며, 연결부에 의해 전극(310)의 외주연에 결합된다. 여기서, 완충 부재(500)는 전극(310)의 외주연을 따라 다수개가 이격되어 배치될 수 있으며, 다수개의 완충 부재(500)는 전극(310)의 외주연에 각각 또는 일체로 결합될 수 있다. 또한, 전극부(300)의 하부에는 전극부(300)와 기판 홀더(400)를 동시에 승하강시키기 위한 승강 부재(600)가 연결된다. 여기서, 전극(310)의 하부에 마련된 절연 플레이트(320)는 생략될 수 있음은 물론이다.The electrode unit 300 is composed of an electrode 310 and an insulating plate 320 coupled to the lower surface of the electrode 310, and supports almost the entire edge of the substrate S on the upper portion of the electrode unit 300. The substrate holder 400 is provided. In addition, a buffer member 500 connecting the electrode 300 and the substrate holder 400 is provided between the electrode 300 and the substrate holder 400. A predetermined space is formed inside the body 510 of the shock absorbing member 500, and an upper portion of the buffer member 500 is provided. A holder support 530 coupled to 430 is provided. Here, the body 510 of the buffer member 500 is provided to be spaced apart from the outer circumference of the electrode 310, and is coupled to the outer circumference of the electrode 310 by a connection part. Here, the buffer member 500 may be arranged in a plurality of spaced apart along the outer periphery of the electrode 310, the plurality of buffer member 500 may be respectively or integrally coupled to the outer periphery of the electrode 310. . In addition, a lifting member 600 for simultaneously lifting and lowering the electrode 300 and the substrate holder 400 is connected to the lower portion of the electrode 300. Here, of course, the insulating plate 320 provided below the electrode 310 may be omitted.

종래에는 기판 홀더를 상승시키는 구동부와 전극부를 상승시키는 승강 부재가 별도로 마련되어 있었기 때문에 장치가 복잡해지고, 각각의 구동부를 제어해야 하기 때문에 공정 효율이 떨어지는 문제점이 발생되었다. 또한, 기판 홀더를 지지하는 승강 부재는 기판을 챔버의 바닥면으로부터 상당히 높은 위치까지 이동시켜야 하기 때문에 기판과 하부 전극 사이에 수평을 유지하기가 매우 어려웠다.Conventionally, since the driving part for raising the substrate holder and the lifting member for raising the electrode part are provided separately, the device becomes complicated, and the problem of lowering the process efficiency occurs because each drive part must be controlled. In addition, the elevating member supporting the substrate holder has been very difficult to keep horizontal between the substrate and the lower electrode because the substrate has to be moved from the bottom of the chamber to a considerably high position.

이와 대조적으로, 본 발명은 기판 홀더와 전극부를 동시에 상승시키도록 하나의 승강 부재를 마련하고, 기판 홀더를 전극부의 일측에 연결시킴으로써, 장치를 단순화시킬 수 있으며, 이에 의해 챔버 내부의 공간을 충분히 활용할 수 있다. 또한, 기판 홀더는 전극부와 동시에 승하강하기 때문에 기판과 전극부의 사이 간격을 균일하게 일정하게 수평으로 유지할 수 있다. 또한, 기판 홀더와 전극부 사이에 완충 부재를 마련함으로써, 기판 홀더가 고정된 상태에서 전극부를 승하강시킬 수 있어 전극부와 차폐 부재 사이의 플라즈마 간극을 정밀하고 용이하게 조절할 수 있 다.In contrast, the present invention provides a single elevating member for simultaneously raising the substrate holder and the electrode portion, and by connecting the substrate holder to one side of the electrode portion, the device can be simplified, thereby fully utilizing the space inside the chamber. Can be. In addition, since the substrate holder is moved up and down at the same time as the electrode portion, the distance between the substrate and the electrode portion can be maintained uniformly and horizontally. In addition, by providing a buffer member between the substrate holder and the electrode portion, the electrode portion can be raised and lowered in a state where the substrate holder is fixed so that the plasma gap between the electrode portion and the shielding member can be precisely and easily adjusted.

이하에서는 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법을 살펴본다. 여기서, 플라즈마 처리방법은 도 1, 도 5 및 도 6의 플라즈마 처리장치를 참조하여 설명한다.Hereinafter, a plasma treatment method according to the present invention will be described. Here, the plasma processing method will be described with reference to the plasma processing apparatus of FIGS. 1, 5, and 6.

도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법은 기판을 챔버 내로 인입하는 단계(S10)와, 기판을 기판 홀더에 로딩하는 단계(S20)와, 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계(S30)와, 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계(S40)와, 기판을 처리하는 단계(S50)와, 기판을 인출하는 단계(S60)를 포함한다.Referring to FIG. 7, in the plasma processing method according to the present invention, a step of introducing a substrate into a chamber (S10), a step of loading a substrate into a substrate holder (S20), and an electrode portion under the substrate holder and the substrate holder are simultaneously raised. The step (S30), the step (S40) of further raising the electrode unit in the state that the substrate holder is stopped, the step of processing the substrate (S50), and the step of taking out the substrate (S60).

외부 로봇암(미도시)은 챔버(100) 외부에 마련되어 전처리를 마친 기판(S)을 챔버(100) 내로 수평 이동하여 기판(S)을 챔버(100) 내로 이송한다. 챔버(100) 내로 이송된 기판(S)은 챔버(100) 내의 하부에 설치된 리프트 핀(350)의 상부면과 이격되도록 배치되고, 로봇암은 하부로 이동하여 기판(S)을 리프트 핀(350)의 상부면에 안착시켜 기판을 챔버 내로 인입하는 단계(S10)를 수행한다. 이때, 기판 홀더(400)의 상부면은 리프트 핀(350)의 상부면 보다 아래쪽에 배치되도록 대기한다.The external robot arm (not shown) moves the substrate S, which is provided outside the chamber 100 and completed the pretreatment, horizontally into the chamber 100 to transfer the substrate S into the chamber 100. The substrate S transferred into the chamber 100 is disposed to be spaced apart from an upper surface of the lift pin 350 installed in the lower portion of the chamber 100, and the robot arm moves downward to move the substrate S to the lift pin 350. It is mounted on the upper surface of the) to perform the step (S10) for introducing the substrate into the chamber. At this time, the upper surface of the substrate holder 400 waits to be disposed below the upper surface of the lift pin 350.

이어서, 전극부(300)의 하부에 연결된 승강 부재(600)에 의해 전극부(300) 및 이에 연결된 기판 홀더(400)는 차폐 부재(200)를 향해 상승하게 되고, 전극부(300) 및 기판 홀더(400)가 상승하는 동안 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기판(S)은 기판 홀더(400)의 상부면에 안착되어 기판을 기판 홀더에 로딩하는 단계(S20)를 수행한다.Subsequently, the electrode part 300 and the substrate holder 400 connected thereto are raised toward the shielding member 200 by the elevating member 600 connected to the lower part of the electrode part 300. While the holder 400 is raised, the substrate S mounted on the upper portion of the lift pin 350 is mounted on the upper surface of the substrate holder 400 to load the substrate into the substrate holder (S20).

이어서, 기판(S)의 가장자리의 거의 전체가 안착된 기판 홀더(400)는 더욱 상승하게 되고, 도 5에 도시된 바와 같이, 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 하드 스토퍼(210)가 기판 홀더(400)의 안착부(410)의 상부면에 형성된 홈(412)에 끼워지면, 전극부(300) 및 기판 홀더(400)의 상승을 멈춰 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계(S30)를 수행한다. 여기서, 기판 홀더(400)의 상부에 안착된 기판(S)의 상부면은 차폐 부재(200)의 하부에 돌출 형성된 돌출부(202)의 하부면과 약 0.5mm 이하의 간격을 유지한다.Subsequently, the substrate holder 400 on which almost the entire edge of the substrate S is seated is further raised. As shown in FIG. 5, the hard stopper 210 formed on the lower surface of the shielding member 200 is formed on the substrate. When fitted into the groove 412 formed on the upper surface of the seating portion 410 of the holder 400, the electrode portion 300 and the substrate holder 400 is stopped to raise the electrode holder below the substrate holder and the substrate holder at the same time. Step S30 is performed. Here, the upper surface of the substrate S mounted on the upper portion of the substrate holder 400 maintains a distance of about 0.5 mm or less from the lower surface of the protrusion 202 protruding from the lower portion of the shielding member 200.

이어서, 도 6에 도시된 바와 같이, 전극부(300)의 하부에 연결된 승강 부재(600)에 의해 전극부(300)는 차폐 부재(200)와 플라즈마 간극을 조절하도록 더욱 상승한다. 이때, 전극부(300)와 기판 홀더(400) 사이에 연결된 완충 부재(500)의 몸체(510) 내에 마련된 탄성 부재(530)가 수축되면서, 전극부(300)에 연결된 기판 홀더(400)는 차폐 부재(200)의 하부에 형성된 하드 스토퍼(210)에 의해 고정된 상태를 유지하고, 전극부(300)만이 상승하게 되어 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계(S40)를 수행한다.Subsequently, as shown in FIG. 6, the elevating member 600 connected to the lower portion of the electrode 300 is further raised to adjust the plasma gap with the shielding member 200. At this time, while the elastic member 530 provided in the body 510 of the buffer member 500 connected between the electrode unit 300 and the substrate holder 400 is contracted, the substrate holder 400 connected to the electrode unit 300 is The fixed state is maintained by the hard stopper 210 formed under the shield member 200, and only the electrode part 300 is raised to further raise the electrode part in a state in which the substrate holder is stopped (S40). do.

이어서, 전극(310)에 연결된 가스 공급부(330)로부터 반응 가스가 전극(310)에 형성된 분사홀(312)을 거쳐 기판(S)의 하부로 분사되고, 분사된 반응 가스는 기판(S)의 하부면에 균일하게 분포된다. 이때, 반응 가스가 기판(S)의 하부에 분사되는 동안 기판 홀더(400)의 측벽부(420)에 형성된 배기 구멍(422)은 전극(310)으로부터 분사되는 반응 가스를 거의 모든 방향으로 균일하게 배기시킴으로써, 기판(S) 하부에 분사된 반응 가스를 균일하게 분포시킨다. 이후, 전극(310)에 연결된 고주파 전원(340)으로부터 전극(310)에 고주파 신호가 인가되고, 이에 의해 전극(310) 과 차폐 부재(200) 사이 구체적으로는 기판(S)의 하부 공간에 균일한 플라즈마가 형성된다. 이후, 기판(S)의 하부 공간에 형성된 균일한 플라즈마는 기판(S)의 하부면에 형성된 박막 및 파티클 등의 이물질을 식각하여 기판을 처리하는 단계(S50)를 수행한다.Subsequently, the reaction gas is injected from the gas supply unit 330 connected to the electrode 310 to the lower portion of the substrate S through the injection hole 312 formed in the electrode 310, and the injected reaction gas is formed on the substrate S. Evenly distributed on the bottom surface. At this time, the exhaust hole 422 formed in the side wall portion 420 of the substrate holder 400 while the reaction gas is injected into the lower portion of the substrate S uniformly distributes the reaction gas injected from the electrode 310 in almost all directions. By evacuating, the reaction gas injected below the board | substrate S is distributed uniformly. Subsequently, a high frequency signal is applied to the electrode 310 from the high frequency power source 340 connected to the electrode 310, whereby a uniformity is provided between the electrode 310 and the shielding member 200 in the lower space of the substrate S. One plasma is formed. Subsequently, the uniform plasma formed in the lower space of the substrate S may process the substrate by etching foreign substances such as thin films and particles formed on the lower surface of the substrate S.

이어서, 전극부(300)의 하부에 연결된 승강 부재(600)에 의해 전극부(300)가 하강하기 시작하고, 기판 홀더(400)는 완충 부재(500)의 몸체(510) 내에 마련된 탄성 부재(530)가 수축된 상태에서 팽창된 상태로 바뀌면서 전극부(300)와 동시에 기판 홀더(400)가 하강하게 된다. 이후, 기판 홀더(400)가 하강하는 동안 기판 홀더(400)의 상부면에 안착된 기판(S)은 대기하던 리프트 핀(350)의 상부에 안착되고, 전극부(300) 및 기판 홀더(400)는 더욱 하강하게 되어 기판 홀더(400)의 상부면이 리프트 핀(350)의 상부면보다 낮은 위치에 배치되도록 초기 위치로 복귀한다. 이후, 리프트 핀(350)의 상부에 안착된 기판(S)은 외부 로봇암에 의해 챔버(100)의 외부로 인출되어 기판을 인출하는 단계(S60)를 마치게 된다.Subsequently, the electrode part 300 begins to descend by the elevating member 600 connected to the lower part of the electrode part 300, and the substrate holder 400 is provided with an elastic member provided in the body 510 of the buffer member 500. The substrate holder 400 is lowered at the same time as the electrode unit 300 while the 530 is changed from the contracted state to the expanded state. Subsequently, the substrate S seated on the upper surface of the substrate holder 400 while the substrate holder 400 is lowered is seated on the upper part of the lift pin 350 that has been waiting, and the electrode unit 300 and the substrate holder 400 are positioned. ) Is further lowered to return to the initial position such that the upper surface of the substrate holder 400 is disposed at a position lower than the upper surface of the lift pin 350. Subsequently, the substrate S seated on the lift pin 350 is drawn out of the chamber 100 by an external robot arm to complete the step S60 of drawing the substrate.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art that the present invention can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below I can understand.

도 1은 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus equipped with a substrate supporting apparatus of the present invention.

도 2는 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더를 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing a substrate holder provided in the plasma processing apparatus of the present invention.

도 3은 본 발명의 플라즈마 처리장치에 구비된 기판 홀더의 변형예를 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing a modification of the substrate holder included in the plasma processing apparatus of the present invention.

도 4는 본 발명의 기판 지지장치의 변형예를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a modification of the substrate supporting apparatus of the present invention.

도 5 및 도 6은 본 발명의 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 단면도이다.5 and 6 are cross-sectional views showing the operation of the plasma processing apparatus of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 플라즈마 처리방법을 나타낸 순서도이다.7 is a flowchart illustrating a plasma processing method according to the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

100: 챔버 200: 차폐 부재100: chamber 200: shielding member

210: 하드 스토퍼 300: 전극부210: hard stopper 300: electrode portion

400: 기판 홀더 500: 완충 부재400: substrate holder 500: buffer member

600: 승강 부재 1000: 기판 지지장치600: elevating member 1000: substrate support device

Claims (12)

챔버와,Chamber, 상기 챔버 내에 마련된 차폐 부재와,A shielding member provided in the chamber; 상기 차폐 부재와 대향하여 마련된 전극부와,An electrode portion provided to face the shielding member; 상기 차폐 부재와 전극부 사이에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와,A substrate holder provided between the shielding member and the electrode portion to support an edge of the substrate; 상기 전극부와 기판 홀더를 연결하는 완충 부재와,A buffer member for connecting the electrode portion and the substrate holder; 상기 전극부의 하부에 연결되어 상기 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재와,An elevating member connected to a lower portion of the electrode unit for elevating the electrode unit and the substrate holder; 상기 차폐 부재의 하부에 상기 차폐 부재의 하부를 향해 돌출 형성된 하드 스토퍼를 포함하는 플라즈마 처리장치.And a hard stopper protruding toward the lower portion of the shielding member under the shielding member. 청구항 1에 있어서, 상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체와, 상기 내부 공간에 마련된 탄성 부재와, 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함하는 플라즈마 처리장치.The plasma display device of claim 1, wherein the buffer member includes a body provided with an inner space to open an upper portion, an elastic member provided in the inner space, and a holder support formed on an upper portion of the elastic member to protrude to an upper portion of the body. Processing unit. 청구항 2에 있어서, 상기 전극부는 전극과, 전극의 하부에 결합된 절연 플레이트를 포함하고, 상기 완충 부재는 전극의 외주연 또는 절연 플레이트의 외주연에 결합되는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 2, wherein the electrode unit includes an electrode and an insulating plate coupled to a lower portion of the electrode, and the buffer member is coupled to an outer periphery of the electrode or an outer periphery of the insulating plate. 청구항 2 또는 청구항 3에 있어서, 상기 홀더 지지대의 상부면에 기판 홀더의 하부면이 지지되는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 2 or 3, wherein a lower surface of the substrate holder is supported on an upper surface of the holder support. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 홀더는 기판의 가장자리를 지지하는 링 형상의 안착부와, 상기 안착부의 하부면에 연결되어 안착부의 하부면을 지지하는 측벽부와, 상기 측벽부에 형성된 배기 구멍을 포함하는 플라즈마 처리장치.The substrate holder of claim 1, wherein the substrate holder includes a ring-shaped seating portion supporting an edge of the substrate, a sidewall portion connected to a bottom surface of the seating portion to support a bottom surface of the seating portion, and an exhaust hole formed in the sidewall portion. Plasma processing apparatus. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서, 상기 하드 스토퍼와 대응하여 상기 안착부의 상부에는 홈이 더 형성되는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein a groove is further formed in an upper portion of the seating portion corresponding to the hard stopper. 챔버와, 상기 챔버 내에 마련된 서로 대향되도록 마련된 차폐 부재 및 전극부와, 상기 차폐 부재와 전극부 사이에 마련되어 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와, 상기 전극부와 기판 홀더를 연결하는 완충 부재와, 상기 전극부의 하부에 연결되어 상기 전극부와 기판 홀더를 승하강시키는 승강 부재와, 상기 차폐 부재의 하부에 상기 차폐 부재의 하부를 향해 돌출 형성된 하드 스토퍼를 포함하는 플라즈마 처리장치를 이용하고,A chamber, a shielding member and an electrode portion provided to face each other provided in the chamber, a substrate holder provided between the shielding member and the electrode portion to support an edge of the substrate, a buffer member connecting the electrode portion and the substrate holder; A plasma processing apparatus including an elevating member connected to a lower portion of the electrode portion to elevate the electrode portion and the substrate holder, and a hard stopper protruding downward from the shielding member, 상기 기판을 상기 챔버 내로 인입하는 단계와, Introducing the substrate into the chamber; 상기 기판을 상기 기판 홀더에 로딩하는 단계와,Loading the substrate into the substrate holder; 상기 기판 홀더와 상기 전극부를 동시에 상승시키는 단계와, Simultaneously raising the substrate holder and the electrode unit; 상기 기판을 처리한 후 기판을 인출하는 단계를 포함하고,Extracting the substrate after processing the substrate; 상기 기판 홀더와 전극부가 상승하여 상기 하드 스토퍼에 의해 정지되는 플라즈마 처리방법.And the substrate holder and the electrode portion are raised to be stopped by the hard stopper. 청구항 10에 있어서, 상기 기판 홀더와 기판 홀더 하방의 전극부를 동시에 상승시키는 단계 이후 기판 홀더가 정지된 상태에서 전극부를 더욱 상승시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 처리방법.The plasma processing method according to claim 10, further comprising: raising the electrode part in a state where the substrate holder is stopped after raising the electrode part under the substrate holder and the substrate holder at the same time. 청구항 11에 있어서, 상기 기판 홀더가 정지된 상태에서 기판 홀더와 전극부 사이에 연결된 완충 부재가 수축하여 전극부를 더욱 상승시키는 플라즈마 처리방법.The plasma processing method of claim 11, wherein the buffer member connected between the substrate holder and the electrode portion contracts while the substrate holder is stopped to further raise the electrode portion.
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