KR101449548B1 - Baffle, substrate supporting apparatus and plasma processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 플라즈마 처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내의 상부에 마련된 차폐 부재와, 차폐 부재의 하부에 마련되어 기판을 지지하기 위한 기판 지지대와, 기판의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 전극과, 기판 지지대에 안착된 기판의 수평면과 같거나 그보다 높은 위치에서 반응 가스를 배기하는 배플을 포함한다.A plasma processing apparatus of the present invention includes a chamber, a shielding member provided at an upper portion of the chamber, a substrate support for supporting the substrate, the electrode being provided at a lower portion of the shielding member, And a baffle for evacuating the reaction gas at a position equal to or higher than the horizontal plane of the substrate placed on the baffle.

상기와 같은 발명은 기판 하부 영역의 가스 배기를 기판 수평면과 동일하거나 그보다 높은 위치에서 수행함으로써, 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에 반응 가스가 머무르는 시간을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.According to the above-described method, the gas exhaust in the lower region of the substrate is performed at a position equal to or higher than the horizontal plane of the substrate, thereby making it possible to uniformize the time during which the reactive gas stays at the central portion and the edge of the lower surface of the substrate.

플라즈마, 배플, 전극, 챔버, 차폐 부재 Plasma, baffle, electrode, chamber, shield member

Description

배플, 기판 지지장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치{BAFFLE, SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a baffle, a substrate supporting apparatus, and a plasma processing apparatus having the baffle,

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 하부 중심부와 가장자리 영역에서 가스의 잔류 시간을 비슷하게 함으로써, 기판의 식각 균일도를 향상시키기 위한 배플, 기판 지지장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.[0001] The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a baffle, a substrate holding apparatus, and a plasma processing apparatus having the same, which improve the etch uniformity of the substrate by making the residence time of gas in the lower central portion and the edge region of the substrate similar, .

반도체 소자 및 평판 표시 장치는 박막 증착 공정, 사진(Photo) 공정, 식각 공정, 세정 공정 등의 단위 공정들이 일괄적으로 또는 반복적으로 수행된다. 이러한 반도체 공정 중 생성되는 파티클은 반도체 소자의 수율에 직접적인 영향을 주는 요소로서 주로 세정 공정을 통하여 반복적으로 제거된다.Semiconductor devices and flat panel display devices are subjected to batch processes such as a thin film deposition process, a photo process, an etching process, and a cleaning process in a batch or repeated manner. Particles generated in such a semiconductor process are elements that directly affect the yield of semiconductor devices and are mainly removed repeatedly through a cleaning process.

특히, 박막 증착 공정 및 식각 공정은 기판의 전면에 대하여 동일하게 수행된다는 특성으로 인하여 기판의 후면에는 박막 증착 공정시 증착된 박막 즉, 파티클이 제거되지 않은 채 잔류하게 된다. 이와 같이, 기판의 후면에 잔류하는 파티클을 제거하기 위한 방법으로는 용제나 린스에 침적하여 기판의 표면의 파티클을 제 거하는 습식 세정과, 플라즈마로 표면을 식각하여 제거하는 건식 세정이 알려져 있다.Particularly, due to the fact that the thin film deposition process and the etching process are performed in the same manner on the entire surface of the substrate, the thin film deposited in the thin film deposition process remains on the rear surface of the substrate without being removed. As such a method for removing particles remaining on the back surface of the substrate, wet cleaning for removing particles on the surface of the substrate by dipping in a solvent or rinse, and dry cleaning for removing the surface by plasma are known.

습식 세정은 기판의 표면에 도포되는 파티클을 제거하는데 효과적으로 활용되고 있으나, 막대한 화공 약품의 사용으로 인해 공정 관리가 매우 어려울 뿐만 아니라, 비용 문제 및 시설투자가 많이 소요되며, 런타임이 길어지기 때문에 생산성이 좋지 않다는 문제점이 발생된다. 반면, 건식 세정은 플라즈마에 의해 기판의 가장자리 및 기판의 배면의 파티클을 제거하는 방식으로 상술한 습식 세정의 문제점을 해결할 수 있는 장점을 가지고 있다. 상기와 같은 건식 세정에 수행되는 플라즈마 처리장치는 챔버와, 챔버 내에 마련되어 기판을 지지하는 지지 수단과, 기판의 하부면에 반응 가스를 분사하는 가스 분사수단을 포함한다. 여기서, 챔버의 하부면에는 챔버 내에서 발생된 반응 부산물을 배기하기 위한 배기 수단이 마련되어 있다. 기판이 챔버 내로 인입되어 공정 위치에 배치되면, 기판의 하부에 마련된 가스 분사수단은 기판의 하부면에 반응 가스를 분사하고, 분사된 반응 가스에 의해 기판의 하부면에 형성된 파티클을 제거하게 된다.Wet cleaning is effectively used to remove particles applied to the surface of a substrate. However, due to the use of enormous chemicals, process control is very difficult, and cost, facility investment, and runtime are prolonged. A problem that it is not good occurs. On the other hand, the dry cleaning has an advantage of being able to solve the problem of the above-mentioned wet cleaning in such a manner that particles are removed from the edge of the substrate and the back surface of the substrate by the plasma. The plasma processing apparatus for performing the dry cleaning includes a chamber, support means for supporting the substrate provided in the chamber, and gas injection means for spraying the reaction gas onto the lower surface of the substrate. Here, exhausting means for exhausting the reaction by-products generated in the chamber is provided on the lower surface of the chamber. When the substrate is drawn into the chamber and placed at the process position, the gas injection means provided at the lower portion of the substrate injects the reaction gas onto the lower surface of the substrate and removes the particles formed on the lower surface of the substrate by the injected reaction gas.

이때, 기판의 하부면을 식각하는 동안 챔버 하부에 형성된 배기 수단은 챔버 내에 분사된 반응 가스의 반응 부산물을 배기하게 되고, 이는 기판의 하부면의 중심부 및 가장자리에서 반응 가스가 머무는 시간(Gas residence time)의 차이를 발생시킨다. 즉, 배기 수단은 기판의 하부면 중심부에 머무르는 반응 가스보다 기판의 하부면 가장자리에 머무르는 반응 가스를 먼저 배기하기 때문에 기판의 하부면 가장자리 부분의 반응 가스는 기판의 하부면 중심부의 반응 가스보다 머무르는 시 간이 상대적으로 짧아지게 된다. 이처럼 기판의 하부면에 반응 가스가 머무는 시간 차이가 발생되면 기판의 중심부와 기판의 가장자리에서 식각률의 차이가 발생되고, 이는 기판의 하부면 전체의 식각 균일도를 떨어뜨리는 문제점을 야기시킨다.At this time, the exhaust means formed in the lower portion of the chamber during the etching of the lower surface of the substrate exhausts the reaction by-products of the reaction gas injected into the chamber, which is the time of the gas residence time at the center and the edge of the lower surface of the substrate ). That is, since the exhaust means first exhausts the reactive gas staying at the edge of the lower surface of the substrate than the reactive gas staying in the central portion of the lower surface of the substrate, the reaction gas at the edge portion of the lower surface of the substrate remains The liver becomes relatively short. When the time difference of the reaction gas staying on the lower surface of the substrate occurs, a difference in etch rate occurs between the central portion of the substrate and the edge of the substrate, which causes a problem of lowering the etching uniformity of the entire lower surface of the substrate.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에서 반응 가스가 머무는 시간을 균일하게 하는 배플, 기판 지지장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a baffle, a substrate supporting apparatus, and a plasma processing apparatus having the baffle for uniformizing the time for which the reaction gas stays at the center and the edge of the lower surface of the substrate.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 배플은 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부를 포함한다. 평면부는 측벽부의 상부면에 안착되고, 내측에는 다수의 배기 구멍이 형성될 수 있다. 측벽부는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형 형상으로 형성되고, 측벽부의 하부 내측면이 플레이트의 외측과 결합될 수 있다.In order to achieve the above object, the baffle of the present invention includes a side wall portion extending upward from the outside of the plate and a planar portion coupled to the side wall portion and disposed at a position higher than the horizontal plane of the plate. The flat portion may be seated on the upper surface of the side wall portion, and a plurality of exhaust holes may be formed on the inner side. The side wall portion may be formed in a cylindrical shape having a central portion vertically penetratingly formed, and a lower inner side surface of the side wall portion may be engaged with an outer side of the plate.

측벽부는 상부 일부가 외측을 향해 상향 경사가 형성될 수 있다. 측벽부의 내주면에는 측벽부의 내측을 향해 돌출 형성된 돌출부가 형성되고, 돌출부는 플레이트의 상부에 안착될 수 있다. 측벽부의 상부면에 안착되는 평면부의 하부면에는 평면부로부터 하부로 절곡 형성된 절곡부가 형성될 수 있다.The side wall part may be formed with an upward slope toward the outside of the upper part. A protruding portion protruding toward the inside of the side wall portion is formed on the inner peripheral surface of the side wall portion, and the protruding portion can be seated on the upper portion of the plate. The lower surface of the flat portion that is seated on the upper surface of the side wall portion may be formed with a bent portion bent from the flat portion to the lower portion.

배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 소정 길이를 갖는 슬릿 형상일 수 있다. 배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 분할되어 형성될 수 있다. 배기 구멍은 평면부의 원주 방향으로 분할되어 형성될 수 있다.The exhaust hole may have a slit shape having a predetermined length in the outward direction from the center of the flat surface portion. The exhaust hole may be formed by being divided from the center of the flat portion to the outer side. The exhaust hole may be formed by being divided in the circumferential direction of the flat surface portion.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 지지장치는 플레이트 와, 상기 플레이트의 외연부에 배치되어 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부로 구성된 배플과, 상기 플레이트 상측에 기판을 위치시키는 기판 지지대를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate supporting apparatus comprising: a plate; a side wall portion disposed on an outer edge of the plate and extending upward from an outer side of the plate; A baffle composed of a planar portion disposed at a position higher than the horizontal plane, and a substrate support for positioning the substrate above the plate.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내의 상부에 마련된 차폐 부재와, 상기 차폐 부재의 하부에 기판을 위치시키는 기판 지지대와, 상기 기판의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 플레이트와, 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부로 구성된 배플을 포함한다. 배플은 기판 지지대에 안착된 기판의 수평면과 같거나 그 보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 차폐 부재는 비반응 가스를 분사할 수 있다.In order to achieve the above object, the plasma processing apparatus of the present invention comprises a chamber, a shielding member provided at an upper portion of the chamber, a substrate support for positioning the substrate below the shielding member, A baffle including a plate for injecting gas, a side wall portion extending upward from the outside of the plate, and a planar portion coupled to the side wall portion and disposed at a position higher than the horizontal plane of the plate. The baffle may be positioned at a level equal to or higher than the horizontal plane of the substrate resting on the substrate support. The shielding member may inject non-reactive gas.

본 발명은 기판 하부 영역의 가스 배기를 기판 수평면과 동일하거나 그보다 높은 위치에서 수행함으로써, 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에 반응 가스가 머무르는 시간을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, the gas exhaust in the lower region of the substrate is performed at a position equal to or higher than the horizontal plane of the substrate, so that the time during which the reactive gas stays at the central portion and the edge of the lower surface of the substrate can be made uniform.

또한, 본 발명은 배플에 형성된 슬릿의 형상을 변경함으로써, 가스의 배기 흐름을 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.Further, the present invention has an effect that the exhaust flow of gas can be smoothly performed by changing the shape of the slit formed in the baffle.

또한, 본 발명은 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에 반응 가스가 머무르는 시간을 균일하게 하고, 가스의 배기 흐름을 원활하게 하여 기판의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of making the time for the reaction gas to stay at the central portion and the edge of the lower surface of the substrate to be uniform, and to smooth the exhaust flow of the gas, thereby increasing the etching uniformity of the substrate.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치의 전극을 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치의 배플을 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 배플이 전극에 결합된 모습을 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 개략 단면도이고, 도 6 내지 도 9는 본 발명에 따른 배플의 변형예를 나타낸 단면도 및 사시도이다.2 is a perspective view showing an electrode of a substrate supporting apparatus according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus having a substrate supporting apparatus according to an embodiment of the present invention, 5 is a schematic sectional view showing the operation of the plasma processing apparatus provided with the substrate supporting apparatus of the present invention, and FIGS. 6 to 6 are diagrams 9 is a cross-sectional view and a perspective view showing a modified example of the baffle according to the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 차폐 부재(200)와, 상기 차폐 부재(200)와 대향 마련된 기판 지지장치(300)를 포함한다.1 to 5, a plasma processing apparatus having a substrate supporting apparatus according to the present invention includes a chamber 100, a shielding member 200 provided at an upper portion of the chamber 100, And a substrate supporting apparatus 300 provided opposite to the substrate supporting apparatus 300.

챔버(100)는 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 챔버(100)의 형상은 한정되지 않으며, 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(Gate, 110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 식각 공정 시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물을 챔버 외부로 배기하기 위한 배기부(120)가 마련된다. 이때, 배기부(120)에는 챔버(100) 내의 불순물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기 수단(미도시) 예를 들어 펌프가 연결된다. 상기에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.The chamber 100 is formed in a cylindrical or rectangular box shape, and a predetermined space is provided therein so as to process the substrate S. The shape of the chamber 100 is not limited, and is preferably formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. A gate 110 is formed on one side wall of the chamber 100 to allow the substrate S to be drawn in and out of the chamber 100. A reaction byproduct such as particles generated during the etching process is introduced into the lower surface of the chamber 100, And an exhaust part 120 for exhausting to the outside is provided. At this time, an exhaust means (not shown), for example, a pump is connected to the exhaust part 120 for exhausting impurities in the chamber 100 to the outside of the chamber 100. Although the chamber 100 is described as an integral type, the chamber 100 may be divided into a lower chamber having an upper portion opened and a chamber lid covering an upper portion of the lower chamber.

차폐 부재(200)는 챔버(100)의 상부 하부면에 원형의 판 형상으로 형성되고, 기판(S)의 비 식각 영역 즉, 기판(S)의 상부면 및 측면에 플라즈마가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 여기서, 차폐 부재(200)의 하부면에는 기판(S)의 상부면 및 측면을 감싸는 소정의 홈(210)이 형성될 수 있다. 공정이 시작되면, 기판(S)은 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 홈 내에 배치되어 기판(S)의 상부면 및 측면이 차폐 부재(200)와 소정 간격 이격되고, 이에 의해 기판(S)의 상부면 및 측면에 플라즈마가 침투되는 것을 방지한다. 물론, 차폐 부재(200)의 형상에 따라 기판(S)의 소정 영역 즉, 기판(S)의 상부면 또는 기판(S)의 상부면 및 측면에 플라즈마가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 차폐 부재(200)에는 접지 전위가 인가되며, 차폐 부재(200)의 내측에는 차폐 부재(200)의 온도를 조절하기 위한 냉각 부재(미도시)가 마련될 수 있다. 즉, 냉각 부재는 차폐 부재(200)가 소정 온도 이상으로 올라가는 것을 방지함으로써, 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마로부터 차폐 부재(200)를 보호할 수 있다.The shielding member 200 is formed in the shape of a circular plate on the upper lower surface of the chamber 100 so as to prevent the plasma from being generated in the non-etching area of the substrate S, that is, It plays a role. Here, a predetermined groove 210 surrounding the upper surface and the side surface of the substrate S may be formed on the lower surface of the shielding member 200. The substrate S is disposed in the groove formed in the lower surface of the shielding member 200 so that the upper surface and the side surface of the substrate S are separated from the shielding member 200 by a predetermined distance, To prevent the plasma from penetrating into the upper surface and the side surface. Of course, it is possible to prevent plasma from being generated in a predetermined area of the substrate S, that is, the upper surface of the substrate S or the upper surface and side surfaces of the substrate S, depending on the shape of the shielding member 200. At this time, a ground potential is applied to the shielding member 200, and a cooling member (not shown) for adjusting the temperature of the shielding member 200 may be provided inside the shielding member 200. That is, the cooling member can protect the shielding member 200 from the plasma formed in the chamber 100 by preventing the shielding member 200 from rising above a predetermined temperature.

본 발명에 따른 기판 지지장치(300)는 챔버(100) 내에 구비된 차폐 부재(200)와 대향 마련되어 있으며, 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 이격하여 지지 한 상태에서 기판(S)의 하부면에 반응 가스를 분사하는 역할을 한다. 또한, 플라즈마화된 반응 가스에 의해 기판(S)의 하부면을 처리 중 또는 처리 후의 반응 부산물을 배기하는 역할을 한다. 여기서, 플라즈마를 배기하는 위치는 처리되는 기판(S)의 수평면과 동일하거나, 그보다 높은 위치에서 배기하는 것이 바람직하다.The substrate supporting apparatus 300 according to the present invention is disposed opposite to the shielding member 200 provided in the chamber 100 and supports the substrate S while supporting the substrate S, As shown in FIG. In addition, the lower surface of the substrate (S) serves to exhaust reaction byproducts during or after the processing by the plasmaized reaction gas. Here, it is preferable to discharge the plasma at a position equal to or higher than the horizontal plane of the substrate S to be processed.

본 발명에 따른 기판 지지장치(300)는 전극(310)과, 상기 기판(S)을 상승시켜 전극(310)과 이격시키기 위한 기판 지지부(320)와, 상기 전극(310)의 외주면을 따라 결합된 배플(400)을 포함한다. 여기서, 전극(310)의 하부 즉, 기판 지지부(320)의 일측에는 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 전극(310)의 상부면에 안착시키기 위한 리프트 조립체(330)가 더 구비된다. The substrate supporting apparatus 300 according to the present invention includes an electrode 310, a substrate support 320 for raising the substrate S to separate the electrode 310 from the substrate 310, (Not shown). Here, a lift assembly 330 is mounted on the lower portion of the electrode 310, that is, on one side of the substrate supporting portion 320, to mount the substrate S, which is drawn into the chamber 100, on the upper surface of the electrode 310 .

도 2에 도시된 바와 같이, 전극(310)은 원형의 플레이트로 형성되고, 통상 기판(S)의 형상과 대응하도록 형성되는 것이 바람직하다. 전극(310)의 내부에는 공정 위치에 배치된 기판(S)의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(312)이 형성되어 있으며, 다수의 분사홀(312)과 간섭되지 않도록 전극의 내부에는 리프트 핀(332)이 상하 이동할 수 있도록 상하로 관통 형성된 리프트 핀 이동 구멍(314)이 다수개 형성되어 있다. 또한, 다수의 분사홀 및 리프트 핀 이동 구멍과 간섭되지 않도록 전극의 내부에는 기판 지지대(322)가 전극(310)의 상부로 돌출되어 이동할 수 있도록 기판 지지대 이동 구멍(316)이 더 형성된다. 이때, 리프트 핀 이동 구멍(314) 및 기판 지지대 이동 구멍(316)의 개수는 한정되지 않으며, 리프트 핀(332) 및 기판 지지대(322)의 개수에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다. 도 1로 돌아가서, 전극(310)의 하부에는 전극(310)에 반응 가스를 공급하기 위 한 가스 공급부(340)와, 전극(310)에 전계를 인가하는 고주파 전원(350)이 연결된다.As shown in FIG. 2, the electrode 310 is formed of a circular plate, and is preferably formed to correspond to the shape of the substrate S usually. A plurality of injection holes 312 for injecting reaction gas are formed in the lower part of the substrate S disposed at the process position inside the electrode 310. In order to prevent interference with the plurality of injection holes 312, A plurality of lift pin moving holes 314 are formed so as to be vertically penetrated so that the lift pins 332 can move up and down. In addition, a substrate support moving hole 316 is formed in the electrode so that the substrate support 322 protrudes to the upper portion of the electrode 310 so as not to interfere with the plurality of ejection holes and the lift pin moving hole. The lift pin moving hole 314 and the substrate support moving hole 316 are not limited in number and are preferably formed to correspond to the number of the lift pins 332 and the substrate support 322. 1, a gas supply unit 340 for supplying a reactive gas to the electrode 310 and a high frequency power supply 350 for applying an electric field to the electrode 310 are connected to the lower portion of the electrode 310.

기판 지지부(320)는 전극(310)의 내측에 마련되며, 기판(S)의 하부면을 지지하여 기판(S)을 공정 위치에 이동시키기 위한 기판 지지대(322)와, 상기 기판 지지대(322)를 상하 이동시키기 위한 구동부(324)를 포함한다. 기판 지지대(322)는 기판(S)이 안착되는 안착부(322a)와, 안착부(322a)의 가장자리로부터 하부로 절곡된 지지부(322b)로 구성된다. 안착부(322a)는 전극(310)의 상부면에 배치되어 기판(S)의 하부면 가장자리를 안착시키는 역할을 하고, 지지부(322b)는 안착부(322a)를 상하로 이동시켜 기판(S)을 공정 위치에 배치시키는 역할을 한다. 여기서, 상기 안착부(322a)는 바(bar) 형상으로 형성되어 기판(S)의 가장자리의 소정 부분을 지지할 수 있으며, 링 형상으로 형성되어 기판(S)의 가장자리를 따라 안착시킬 수 있음은 물론이다. 또한, 구동부(324)는 기판 지지대(322)의 하부에 연결되며 기판 지지대(322)에 구동력을 제공하여 기판 지지대(322)를 승하강시키는 역할을 한다.The substrate support 320 is disposed inside the electrode 310 and includes a substrate support 322 for supporting the lower surface of the substrate S to move the substrate S to a process position, And a driving unit 324 for moving the driving unit 324 up and down. The substrate support 322 is composed of a seating portion 322a on which the substrate S is seated and a support portion 322b bent downward from the edge of the seating portion 322a. The seating part 322a is disposed on the upper surface of the electrode 310 to seat the bottom edge of the substrate S and the supporting part 322b moves the seating part 322a upward and downward, To the process position. Here, the seating portion 322a may be formed in a bar shape to support a predetermined portion of the edge of the substrate S and may be formed in a ring shape to be seated along the edge of the substrate S Of course. The driving unit 324 is connected to a lower portion of the substrate supporting table 322 and provides a driving force to the substrate supporting table 322 to move the substrate supporting table 322 up and down.

배플(400)은 전극(310)의 외주면을 따라 결합되며 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마를 배기하는 역할을 한다. 여기서, 배플(400)은 전극(310)의 상부면보다 높은 위치에 배치되고, 공정이 진행될 때는 공정 위치에 배치된 기판(S)의 수평면과 같거나 그보다 높은 위치에 배치된다. 즉, 배플(400)은 공정이 시작되어 기판(S)의 하부면을 식각할 때 플라즈마가 기판(S)의 하부면에 머무는 시간을 제어함과 동시에 플라즈마의 공정 부산물 및 비반응 가스를 배기시키는 역할을 한다. The baffle 400 is coupled along the outer circumferential surface of the electrode 310 and serves to exhaust plasma formed in the chamber 100. Here, the baffle 400 is disposed at a higher position than the upper surface of the electrode 310 and is disposed at a position equal to or higher than the horizontal plane of the substrate S disposed at the process position when the process is proceeded. That is, the baffle 400 controls the time that the plasma stays on the lower surface of the substrate S when the process is started and the lower surface of the substrate S is etched, while exhausting the process by-products of the plasma and the non- It plays a role.

도 3에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 마련되어 상하 관통 형성된 다수의 배기 구멍(422)이 형성된 평면부(420)를 포함한다.3, the baffle 400 includes a sidewall 410 and a planar portion 420 provided at an upper portion of the sidewall 410 and having a plurality of exhaust holes 422 formed through the upper and lower portions thereof .

측벽부(410)는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(410)의 내주면은 전극(310)의 외주면과 결합된다. 여기서, 측벽부(410)는 나사 등의 결합 부재(500)에 의해 측벽부(410)의 하부 내주면이 전극(310)의 외주면과 결합되고, 이는 측벽부(410)가 전극(310)의 상부면으로부터 수직으로 연장된 형상을 가진다. 즉, 측벽부(410)는 전극(310)의 수직방향으로 형성되기 때문에 전극(310)의 상부에서 발생되는 플라즈마의 흐름을 상방향으로 전환시키는 동시에 플라즈마를 전극(310)의 상부에 소정 시간 가두는 역할을 한다. 따라서, 플라즈마는 전극(310)의 상부 가장자리에 충분히 머물게 할 수 있으며, 이는 전극(310)의 상부 중심부와 가장자리에 머무는 반응 가스의 잔류 시간을 거의 동일하도록 할 수 있다.The inner wall of the side wall part 410 is coupled to the outer peripheral surface of the electrode 310. The lower inner peripheral surface of the side wall portion 410 is coupled to the outer peripheral surface of the electrode 310 by a coupling member 500 such as a screw or the like and the side wall portion 410 is connected to the upper surface of the electrode 310 And has a shape extending vertically from the surface. That is, since the side wall part 410 is formed in the vertical direction of the electrode 310, the flow of plasma generated at the upper part of the electrode 310 is changed upward, and the plasma is supplied to the upper part of the electrode 310 for a predetermined time . Accordingly, the plasma can sufficiently stay on the upper edge of the electrode 310, which can make the residence time of the reactive gas staying at the upper center portion and the edge of the electrode 310 almost equal.

평면부(420)는 중심부가 상하 관통 형성된 원형의 링 형상으로 형성되고, 평면부(420)의 하부면 일부는 측벽부(410)의 상부면에 안착된다. 여기서, 측벽부(410)의 상부면에 안착된 평면부(420)는 측벽부(410)로부터 외측으로 연장 형성된 형상을 가진다. 또한, 평면부(420)의 상에는 상하 관통 형성된 배기 구멍(422)이 다수개 형성되고, 이러한 배기 구멍(422)은 측벽부(410)로부터 유도된 플라즈마를 배기시키는 역할을 한다.The flat portion 420 is formed in a circular ring shape having a central portion vertically penetrating therethrough and a part of the lower surface of the flat portion 420 is seated on the upper surface of the side wall portion 410. Here, the flat surface portion 420 mounted on the upper surface of the side wall portion 410 has a shape extending outward from the side wall portion 410. A plurality of exhaust holes 422 are vertically formed on the flat surface portion 420. The exhaust holes 422 serve to exhaust the plasma induced from the side wall portion 410.

리프트 핀 조립체(330)는 리프트 핀(332)과, 상기 리프트 핀(322)을 상하 구동시키는 구동부(334)를 포함한다. 리프트 핀(332)은 전극(310)의 내부에 형성된 리프트 핀 이동 구멍(314)을 따라 이동가능하도록 형성되어 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)의 하부면을 지지하여 전극(310)의 상부면에 안착시키는 역할을 하고, 구동부(334)는 리프트 핀(332)을 상하 이동시키도록 구동력을 제공하는 역할을 한다.The lift pin assembly 330 includes a lift pin 332 and a driving unit 334 for driving the lift pin 322 up and down. The lift pin 332 is formed to be movable along the lift pin moving hole 314 formed in the electrode 310 to support the lower surface of the substrate S drawn into the chamber 100, And the driving unit 334 serves to provide a driving force to move the lift pins 332 up and down.

도 5에 도시된 바와 같이, 공정이 시작되어 기판(S)이 전극(310)과 소정 간격 이격되도록 전극(310)이 상승되면, 전극(310)의 외주면에 결합된 배플(400)도 전극(310)의 상하 이동에 따라 승하강된다. 이후, 전극(310)의 하부에 마련된 기판 지지대(322)에 의해 전극(310)의 상부면에 위치된 기판(S)은 차폐 부재(200)와 소정 간격 이격되도록 상승하고, 구체적으로는 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 홈(210)에 삽입되도록 배치된다. 이때, 배플(400)의 평면부(420)는 기판(S)의 수평면과 동일하도록 배치되며 물론, 배플(400)의 평면부(420)가 기판(S)의 수평면보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 여기서, 차폐 부재(200)와 기판(S)과의 거리는 0.5mm 이하로 형성되는 것이 바람직하고, 구체적으로 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 홈(210)이 형성된 차폐 부재(200)의 하부면과 기판(S)의 상부면, 홈(210)이 형성된 차폐 부재(200)의 측벽과 기판(S)의 측면과의 거리를 0.5mm 이하로 형성한다. 이는 차폐 부재(200)와 기판(S) 과의 거리를 0.5mm 이하로 형성함으로써, 플라즈마에 의해 기판(S)의 상부면에 형성된 소자가 파괴되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판(S)의 상부면에 형성된 소자가 파괴되는 방지하기 위해 차폐 부재(200)를 샤워 헤드 타입으로 형성하고, 샤워 헤드 타입의 절연 부재에서 기판(S)의 상부면에 헬륨 가스와 같은 비반응 가스를 분사하여 기판(S)의 하부면에서 발생된 플라즈마가 기판(S)의 상부면에 들어오는 것을 방지할 수 있다.5, when the electrode 310 is raised so that the substrate S is spaced apart from the electrode 310 by a predetermined distance, the baffle 400 coupled to the outer circumferential surface of the electrode 310 is also electrically connected to the electrode 310 310 are moved upward and downward. The substrate S positioned on the upper surface of the electrode 310 is raised by a predetermined distance from the shielding member 200 by the substrate supporter 322 provided below the electrode 310. Specifically, (210) formed on the lower surface of the base (200). The planar portion 420 of the baffle 400 may be arranged to be equal to the horizontal plane of the substrate S and the planar portion 420 of the baffle 400 may be disposed at a position higher than the horizontal plane of the substrate S have. Here, the distance between the shielding member 200 and the substrate S is preferably 0.5 mm or less. Specifically, the shielding member 200 is formed with a groove 210 formed on the lower surface of the shielding member 200, The distance between the side of the substrate S and the side wall of the shielding member 200 where the groove 210 is formed is set to 0.5 mm or less. This can prevent the elements formed on the upper surface of the substrate S from being broken by the plasma by forming the distance between the shielding member 200 and the substrate S to 0.5 mm or less. In order to prevent the element formed on the upper surface of the substrate S from being broken, the shielding member 200 is formed as a showerhead type, and a heater such as helium gas is formed on the upper surface of the substrate S It is possible to prevent the plasma generated on the lower surface of the substrate S from entering the upper surface of the substrate S by spraying the non-reactive gas.

이어서, 전극(310)으로부터 반응 가스가 기판(S)의 하부로 분사되어 기판(S) 하부면에 플라즈마가 발생되면, 상기 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부와 가장자리에 균일하게 분포되고, 균일하게 분포된 플라즈마는 기판(S)의 하부면에 입사하여 균일하게 식각이 이루어진다. Subsequently, when the reaction gas is injected from the electrode 310 to the lower portion of the substrate S and plasma is generated on the lower surface of the substrate S, the plasma is uniformly distributed at the central portion and the edge of the lower surface of the substrate S, The uniformly distributed plasma is incident on the lower surface of the substrate S and uniformly etched.

여기서, 기판(S)의 하부면 가장자리에 발생된 플라즈마는 배플(400)의 측벽부(410)에 의해 플라즈마가 상방향으로 유도되어 평면부(420)에 의해 배기되기 때문에 기판(S) 하부면 가장자리에 형성된 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부에 형성된 플라즈마의 잔류 시간과 거의 같게 되고, 이에 의해 기판(S)의 하부면 중심부와 기판(S)의 하부면 가장자리에서의 식각률은 균일해져 공정 균일도가 향상된다.Since the plasma generated at the lower edge of the substrate S is directed upward by the sidewall 410 of the baffle 400 and is exhausted by the planar portion 420, The plasma formed at the edge becomes substantially equal to the plasma residence time at the center of the lower surface of the substrate S and thereby the etch rate at the center of the lower surface of the substrate S and the edge of the lower surface of the substrate S becomes uniform, The uniformity is improved.

본 발명에 따른 배플(400)은 공정 위치에 배치된 기판(S)의 수평면보다 높게 배치하기 위해 다음과 같이 구성할 수 있다. The baffle 400 according to the present invention may be configured as follows to place it higher than the horizontal plane of the substrate S disposed at the process position.

도 6에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 전극(310)의 외주면과 결합되는 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 안착되는 평면부(420)를 포함한다. 측벽부(410)는 전극(310)의 외주면에 나사 등의 결합 부재(500)에 의해 결합되고, 평면부(420)에는 단면이 "ㄱ"자 형상을 가지도록 평면부(420)의 하부로 절곡된 절곡부(430)가 형성된다. 6, the baffle 400 includes a sidewall 410 to be coupled with an outer circumferential surface of the electrode 310, and a planar portion 420 to be seated on the sidewall 410. The side wall part 410 is connected to the outer circumferential surface of the electrode 310 by a coupling member 500 such as a screw and the lower surface of the flat part 420 is formed with a " A bent bent portion 430 is formed.

이와 같이 형성된 절곡부(430)는 측벽부(410)의 상부면에 안착되어 평면부(420)의 높이를 더욱 높게 배치시킬 수 있으며, 이에 의해 기판(S)의 하부면에 형성되는 플라즈마를 기판(S)의 수평면 이상으로 유도하여 배기시킬 수 있다. 따라서, 기판(S)의 하부면 중심부 및 가장자리에 형성되는 플라즈마의 균일도를 더 높 일 수 있으며, 이에 의해 기판(S)의 하부면의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.The bent portion 430 thus formed is seated on the upper surface of the sidewall portion 410 so that the height of the planar portion 420 can be set higher so that the plasma formed on the lower surface of the substrate S (S), and can be exhausted. Accordingly, the uniformity of the plasma formed at the central portion and the edge of the lower surface of the substrate S can be further enhanced, thereby improving the etching uniformity of the lower surface of the substrate S.

상기에서는 평면부(420)의 하부면에 절곡부(430)를 형성하여 플라즈마가 배기되는 위치를 기판(S)의 수평면보다 높도록 배치하였지만, 이에 한정되지 않고, 측벽부(410)를 더 길도록 연장 형성한 후, 전극(310)의 외측면과 결합하고, 평면부(420)를 측벽부(410)의 상부에 안착시켜 플라즈마가 배기되는 위치를 기판(S)의 수평면보다 더 높도록 배치할 수 있다.The bending portion 430 is formed on the lower surface of the planar portion 420 so that the position where the plasma is exhausted is arranged to be higher than the horizontal plane of the substrate S. However, A position where the plasma is exhausted is set to be higher than the horizontal plane of the substrate S by placing the plane portion 420 on the upper portion of the side wall portion 410 can do.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 전극(310)의 외측에 마련되어 전극(310)의 상방향으로 연장 형성된 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 마련되어 측벽부(410)의 외측 방향으로 연장형성된 평면부(420)를 포함하고, 상기 측벽부(410)에는 측벽부(410)의 내측으로 돌출 형성된 돌출부(412)를 더 포함한다. 7, the baffle 400 includes a sidewall portion 410 provided on the outer side of the electrode 310 and extending upwardly of the electrode 310, and a sidewall portion 410 provided on the sidewall portion 410 And a planar portion 420 extending in an outward direction of the side wall portion 410. The side wall portion 410 further includes a protrusion 412 protruding inward of the side wall portion 410. [

측벽부(410)는 평면부(420)를 전극(310)의 상부면보다 높은 위치에 배치시키고, 돌출부(412)는 이러한 측벽부(410)를 고정시키기 위해 측벽부(410)의 내측으로 돌출 형성되어 전극(310)의 상부 끝단을 덮도록 배치된다. 즉, 돌출부(412)는 배플(400)이 다른 결합 수단 없이 전극(310)의 외주면에 결합시킬 수 있는 효과를 가진다. 여기서, 돌출부(412)는 측벽부(410)의 내측면을 따라 폐곡선을 이루도록 형성될 수 있으며, 측벽부(410)의 내측면을 따라 다수의 돌출부(412)를 형성할 수 있음은 물론이다. 또한, 돌출부(412)는 측벽부(410)와 일체로 형성될 수 있으며, 측벽부(410)와 별도로 형성되어 측벽부(410)의 내측에 결합될 수 있다.The side wall portion 410 is disposed at a position higher than the upper surface of the electrode 310 and the protruding portion 412 is formed to protrude inward of the side wall portion 410 to fix the side wall portion 410 So as to cover the upper end of the electrode 310. That is, the projecting portion 412 has an effect that the baffle 400 can be coupled to the outer peripheral surface of the electrode 310 without any other coupling means. Here, the protrusion 412 may be formed to form a closed curve along the inner surface of the side wall portion 410, and a plurality of protrusions 412 may be formed along the inner side surface of the side wall portion 410. The protruding portion 412 may be formed integrally with the side wall portion 410 and may be formed separately from the side wall portion 410 and coupled to the inside of the side wall portion 410.

상기와 같은 구성은 배플(400)을 별도의 결합 부재 없이 전극(310)의 외측에 결합시킬 수 있으며, 이는 장치를 단순화할 수 있는 효과가 있으며, 작업 효율을 상승시킬 수 있는 효과가 있다.According to the above-described configuration, the baffle 400 can be coupled to the outside of the electrode 310 without a separate coupling member, which has the effect of simplifying the apparatus and improving the working efficiency.

또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 전극(310)의 외측에 결합되는 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 마련되어 외측을 향하여 상향 경사가 형성된 경사부(414)와, 상기 경사부(414)의 상부에 마련되어 경사부(414)의 외측으로 연장 형성된 평면부(420)를 포함한다.8, the baffle 400 includes a sidewall 410 coupled to the outside of the electrode 310, and an inclined portion 410 provided on the sidewall 410 to be upwardly inclined toward the outside, And a planar portion 420 provided at an upper portion of the inclined portion 414 and extended to the outside of the inclined portion 414. [

측벽부(410)는 전극(310)의 외주면에 결합되어 배플(400)을 전극(310)에 고정시키는 역할을 하고, 이러한 측벽부(410)는 나사 등의 결합 부재(500)에 의해 전극(310)의 외주면에 결합된다. 경사부(414)는 측벽부(410)의 상부에서 외측을 향해 상향 경사를 형성함으로써, 평면부(420)를 전극(310)의 상부 수평면보다 높은 위치에 배치시킨다. 이러한 경사부(414)는 전극(310)의 상부에서 발생된 플라즈마를 전극(310)의 상부 끝단에 머무르지 않도록 플라즈마의 흐름을 상부로 안내하는 역할을 한다. 상기에서는 측벽부(410)와 경사부(414)를 별도로 형성하여 설명하였지만, 측벽부(410)와 경사부(414)가 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 상기에서는 측벽부(410)와 평면부(420) 사이에 하나의 경사부(414)를 마련하였지만, 이에 한정되지 않고, 측벽부(410)와 평면부(420) 사이에 다수의 경사부를 마련할 수 있으며, 다수의 경사부는 서로 다른 경사를 갖도록 형성할 수도 있다.The sidewall 410 is coupled to the outer surface of the electrode 310 to fix the baffle 400 to the electrode 310. The sidewall 410 is coupled to the electrode 310 by a coupling member 500, 310). The inclined portion 414 forms an upward inclination from the upper portion of the side wall portion 410 toward the outer side so that the planar portion 420 is disposed at a position higher than the upper horizontal surface of the electrode 310. The inclined portion 414 serves to guide the plasma generated at the upper portion of the electrode 310 to the upper portion of the plasma so as not to stay at the upper end of the electrode 310. Although the side wall 410 and the slope 414 are separately formed in the above description, it is needless to say that the side wall 410 and the slope 414 may be integrally formed. Although the slant portion 414 is provided between the side wall portion 410 and the planar portion 420 in the above description, the present invention is not limited to this, and a plurality of slant portions may be provided between the side wall portion 410 and the planar portion 420 And the plurality of inclined portions may be formed to have different inclination.

상기와 같은 구성은 측벽부(410)와 평면부(420) 사이에 경사를 가지는 경사부(414)를 더 형성함으로써, 전극(310)의 상부면에 형성되는 플라즈마를 평면부(420)의 상부로 원활하게 유도하고, 이에 의해 보다 유도된 플라즈마를 원활하게 배기할 수 있는 효과를 가진다.The plasma may be formed on the upper surface of the electrode 310 by forming the inclined portion 414 having an inclination between the side wall portion 410 and the planar portion 420, So that it is possible to smoothly exhaust more induced plasma.

본 발명에 따른 배플(400)은 기판(S)의 하부면에 형성된 플라즈마의 배기를 원활하게 하여 식각 균일도를 높이기 위해 배플(400)의 평면부(420)에 형성된 배기 구멍(422)을 다음과 같이 변경할 수 있다.The baffle 400 according to the present invention includes an exhaust hole 422 formed in the flat surface portion 420 of the baffle 400 to smooth the exhaust of the plasma formed on the lower surface of the substrate S to improve the etching uniformity, You can change it.

도 9에 도시된 바와 같이, 평면부(420)는 중심부가 상하 절개된 링 형상의 플레이트로 형성되고, 평면부(420)에는 상하 관통 형성된 다수의 배기 구멍(422)이 형성된다. 여기서, 배기 구멍(422)은 도 9a에 도시된 바와 같이, 평면부(420)의 중심에서 외측 방향으로 일정 길이로 갖는 슬릿 형상의 배기 구멍(422)을 평면부(420)의 원주 방향으로 등간격으로 형성될 수 있고, 도 9b에 도시된 바와 같이, 평면부(420)의 중심에서 외측 방향으로 형성된 슬릿 형상의 배기 구멍(422)을 분할하여 형성할 수도 있다. 또한, 도 9c에 도시된 바와 같이, 평면부(420)의 원주 방향으로 소정 길이를 갖는 슬릿 형상의 배기 구멍(422)을 분할하여 형성할 수 있다. 여기서, 평면부(420)에 형성된 배기 구멍(422)의 형상은 이에 한정되지 않고, 다양한 범주 내에서 변경될 수 있음은 물론이다.As shown in FIG. 9, the planar portion 420 is formed by a ring-shaped plate having a central portion cut in upper and lower portions, and a plurality of exhaust holes 422 formed through the planar portion 420 through the upper and lower portions. 9A, the exhaust hole 422 has a slit-shaped exhaust hole 422 having a predetermined length in the outward direction from the center of the flat surface portion 420 in the circumferential direction of the flat surface portion 420 And may be formed by dividing a slit-shaped exhaust hole 422 formed in the outward direction from the center of the flat surface portion 420, as shown in Fig. 9B. 9C, a slit-like exhaust hole 422 having a predetermined length in the circumferential direction of the flat surface portion 420 can be formed by dividing the exhaust hole 422. [ Here, the shape of the exhaust hole 422 formed in the flat surface portion 420 is not limited to this, and may be changed within various categories.

상기와 같이 평면부(420)에 형성된 배기 구멍(422)을 다양한 형상으로 형성함으로써, 기판(S)의 하부에 형성되는 플라즈마를 보다 원활하게 배기할 수 있으며, 이에 의해 기판(S) 하부면의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.By forming the exhaust holes 422 formed in the planar portion 420 in various shapes as described above, plasma formed under the substrate S can be exhausted more smoothly, The etching uniformity can be increased.

이하에서는 도 1 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 배플 조립체가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 살펴본다.Hereinafter, the operation of the plasma processing apparatus having the baffle assembly of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 5. FIG.

챔버(100) 내에 기판(S)이 인입되면, 전극(310)의 하부에 마련된 리프트 핀(332)은 전극(310)에 형성된 리프트 핀 이동 구멍(314)을 거쳐 전극(310)의 상부로 상승하여 기판(S)을 지지한다. 이어서, 기판(S)이 안착된 리프트 핀(332)은 하강하고, 리프트 핀(332)에 안착된 기판(S)은 전극(310)의 상부면에 안착된다. 기판(S)이 안착된 전극(310)은 챔버(100) 내에 상부에 마련된 차폐 부재(200)와 소정 간격을 이루도록 상승하고 이에 의해 전극(310)의 외주면과 결합된 배플(400)도 동시에 상승한다. 이어서, 기판 지지대(322)는 기판(S)을 지지한 상태에서 전극(310)의 상부로 상승하고, 이에 의해 기판(S)은 차폐 부재(200)의 하부에 형성된 홈(210)에 위치한다. 여기서, 전극(310)의 외주면과 결합된 배플(400)은 기판(S)의 수평면과 동일하거나 기판(S)의 수평면보다 높은 위치에 배치되는 것이 바람직하다.The lift pins 332 provided at the lower portion of the electrode 310 are lifted up to the upper portion of the electrode 310 through the lift pin moving hole 314 formed in the electrode 310, Thereby supporting the substrate S. The lift pin 332 on which the substrate S is placed is then lowered and the substrate S which is seated on the lift pin 332 is seated on the upper surface of the electrode 310. The electrode 310 on which the substrate S is mounted rises to a predetermined distance from the shielding member 200 provided in the chamber 100 so that the baffle 400 coupled with the outer peripheral surface of the electrode 310 also rises do. The substrate support 322 then rises to the top of the electrode 310 while supporting the substrate S so that the substrate S is located in the groove 210 formed in the lower portion of the shield member 200 . It is preferable that the baffle 400 coupled with the outer circumferential surface of the electrode 310 is disposed at the same position as the horizontal plane of the substrate S or at a position higher than the horizontal plane of the substrate S.

이어서, 전극(310)으로부터 반응 가스가 기판(S)의 하부면에 분사함과 동시에 전극(310)에 고주파를 가해주면 챔버(100) 내부에는 자기장이 형성되고, 이에 의해 기판(S)의 하부면에 분사된 반응 가스는 플라즈마로 바뀐다. 상기와 같이 발생된 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부와 가장자리를 따라 기판(S)의 하부면에 균일하게 입사하고. 이에 의해 기판(S)의 하부면의 식각이 이루어진다. 여기서, 기판(S)의 하부면 가장자리에 발생된 플라즈마는 기판(S)의 하부면에 충분히 머문 후, 측벽부(410)에 의해 상방향으로 유도되어 평면부(420)에 의해 배기되기 때문에 기판(S) 하부면 가장자리에 형성된 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부에 형성된 플라즈마와 잔류 시간이 거의 같게 되고, 이에 의해 기판(S)의 하부면 중심부와 기판(S)의 하부면 가장자리에서의 식각률은 균일해져 공정 균일도가 향상된다.Subsequently, when reactive gas is injected from the electrode 310 onto the lower surface of the substrate S and a high frequency is applied to the electrode 310, a magnetic field is formed inside the chamber 100, The reaction gas injected into the surface is converted into plasma. The generated plasma is uniformly incident on the lower surface of the substrate S along the central portion and the edge of the lower surface of the substrate S. Thereby, the lower surface of the substrate S is etched. Since the plasma generated at the lower surface edge of the substrate S sufficiently stays on the lower surface of the substrate S and then is upwardly guided by the side wall portion 410 and is exhausted by the planar portion 420, The plasma formed on the lower surface of the substrate S and the plasma formed on the center of the lower surface of the substrate S have substantially the same residence time as the plasma formed on the lower surface of the substrate S, The etching rate is uniform and the process uniformity is improved.

상기와 같은 배플(400)은 플라즈마가 기판(S)의 하부면 중심부와 가장자리에서의 머무는 시간을 균일해지도록 함으로써, 기판(S)의 하부면 중심부에 비해 상대적으로 낮은 식각률을 나타내는 기판(S)의 하부면 가장자리의 식각률을 기판(S)의 하부면 중심부와 동일해지도록 하여 기판(S)의 하부면의 식각 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The baffle 400 may be formed of a substrate S having a relatively low etch rate as compared to the central portion of the lower surface of the substrate S by allowing the plasma to uniformize the dwell time at the center and the edge of the lower surface of the substrate S, The etching rate of the lower surface of the substrate S is made equal to the center of the lower surface of the substrate S, thereby improving the etching uniformity of the lower surface of the substrate S.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. You will understand.

도 1은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus equipped with a substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치의 전극을 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing an electrode of a substrate holding apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치의 배플을 나타낸 사시도이다.3 is a perspective view showing a baffle of a substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명의 배플이 전극에 결합된 모습을 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a state where the baffle of the present invention is coupled to an electrode.

도 5는 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 개략 단면도이다.5 is a schematic sectional view showing the operation of a plasma processing apparatus provided with a substrate supporting apparatus of the present invention.

도 6 내지 도 9는 본 발명에 따른 배플의 변형예를 나타낸 단면도 및 사시도이다.6 to 9 are a sectional view and a perspective view showing a modified example of the baffle according to the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 >DESCRIPTION OF THE REFERENCE SYMBOLS

100: 챔버 200: 차폐 부재100: chamber 200: shielding member

310: 전극 320: 기판 지지부310: electrode 320:

330: 리프트 핀 조립체 340: 가스 공급부330: lift pin assembly 340: gas supply

350: 고주파 전원 400: 배플350: High frequency power source 400: Baffle

410: 측벽부 420: 평면부410: side wall part 420: plane part

422: 배기 구멍 S: 기판422: exhaust hole S: substrate

Claims (13)

플레이트의 일측에 마련되어 배기 가스를 고른 영역으로 확산 배출시키는 배플에 있어서,A baffle provided at one side of a plate for diffusing and discharging exhaust gas into a uniform region, 상기 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부를 포함하며,A side wall portion extending upward from an outer side of the plate and a flat portion coupled to the side wall portion and disposed at a position higher than a horizontal plane of the plate, 상기 측벽부의 내주면에는 측벽부의 내측을 향해 돌출 형성된 돌출부가 형성되는 배플.And a protruding portion protruding toward the inside of the side wall portion is formed on the inner circumferential surface of the side wall portion. 청구항 1에 있어서, 상기 평면부는 측벽부의 상부면에 안착되고, 내측에는 다수의 배기 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle of claim 1, wherein the flat portion is seated on an upper surface of the sidewall portion, and a plurality of exhaust holes are formed inside. 청구항 2에 있어서, 상기 측벽부는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형 형상으로 형성되고, 측벽부의 하부 내측면이 플레이트의 외측과 결합되는 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 2, wherein the side wall portion is formed in a cylindrical shape having a central portion passing through the upper and lower portions, and a lower inner side surface of the side wall portion is engaged with an outer side of the plate. 삭제delete 청구항 3에 있어서, 상기 돌출부는 플레이트의 상부에 안착되는 것을 특징으로 하는 배플.The baffle of claim 3, wherein the protrusion is seated on the top of the plate. 삭제delete 청구항 2에 있어서, 상기 배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 소정 길이를 갖는 슬릿 형상인 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 2, wherein the exhaust hole is in the form of a slit having a predetermined length in the outward direction from the center of the flat surface. 청구항 7에 있어서, 상기 배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 분할 형성된 것을 특징으로 하는 배플.8. The baffle according to claim 7, wherein the exhaust hole is divided from the center of the flat portion to the outside. 청구항 2에 있어서, 상기 배기 구멍은 평면부의 원주 방향으로 분할 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 2, wherein the exhaust hole is divided in the circumferential direction of the flat portion. 플레이트와,Plate, 상기 플레이트의 외연부에 배치되는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 배플과,A baffle according to any one of claims 1 to 3 disposed at an outer edge of the plate, 상기 플레이트 상측에 기판을 위치시키는 기판 지지대A substrate support for positioning the substrate above the plate, 를 포함하는 기판 지지장치.&Lt; / RTI &gt; 챔버와,A chamber, 상기 챔버 내의 상부에 마련된 차폐 부재와,A shielding member provided at an upper portion of the chamber, 상기 차폐 부재의 하부에 기판을 위치시키는 기판 지지대와,A substrate support for positioning the substrate below the shielding member, 상기 기판의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 플레이트와,A plate for spraying the reaction gas to the lower portion of the substrate, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 배플A baffle according to any one of claims 1 to 3 을 포함하는 플라즈마 처리장치.And the plasma processing apparatus. 청구항 11에 있어서, 상기 배플은 기판 지지대에 안착된 기판의 수평면과 같거나 그 보다 높은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.12. The plasma processing apparatus of claim 11, wherein the baffle is disposed at a position equal to or higher than a horizontal plane of the substrate that is mounted on the substrate support. 청구항 11에 있어서, 상기 차폐 부재는 비반응 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.12. The plasma processing apparatus according to claim 11, wherein the shielding member injects non-reactive gas.
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