KR20090042626A - Baffle, substrate supporting apparatus and plasma processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

A plasma processing device for enhancing an etching uniformity of a substrate is provided to improve an exhaust flow of a gas by changing a shape of a slit formed in a baffle. A plasma processing device comprises a chamber(100), a shielding member(200), and a supporting device(300). The chamber has a predetermined space in order to process a substrate(S). The shielding member is formed on a top inside the chamber, and prevents generation of plasma in a top surface and a side surface of the substrate. A groove(210) is formed on a bottom surface of the shielding member, and surrounds the top surface and the side surface of the substrate. The supporting device is faced with the shielding member, supports the substrate, and includes an electrode(310), a substrate supporting part(320), and a baffle(400).

Description

배플, 기판 지지장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치{BAFFLE, SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}Baffle, Substrate Supporting Device and Plasma Processing Device Having Same {BAFFLE, SUBSTRATE SUPPORTING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판의 하부 중심부와 가장자리 영역에서 가스의 잔류 시간을 비슷하게 함으로써, 기판의 식각 균일도를 향상시키기 위한 배플, 기판 지지장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, a baffle, a substrate supporting apparatus, and a plasma processing apparatus including the same, for improving the etching uniformity of a substrate by making the residence time of the gas similar in the lower center portion and the edge region of the substrate. It is about.

반도체 소자 및 평판 표시 장치는 박막 증착 공정, 사진(Photo) 공정, 식각 공정, 세정 공정 등의 단위 공정들이 일괄적으로 또는 반복적으로 수행된다. 이러한 반도체 공정 중 생성되는 파티클은 반도체 소자의 수율에 직접적인 영향을 주는 요소로서 주로 세정 공정을 통하여 반복적으로 제거된다.In the semiconductor device and the flat panel display, unit processes such as a thin film deposition process, a photo process, an etching process, and a cleaning process are performed in a batch or repeatedly. Particles generated during the semiconductor process are factors that directly affect the yield of the semiconductor device and are repeatedly removed mainly through a cleaning process.

특히, 박막 증착 공정 및 식각 공정은 기판의 전면에 대하여 동일하게 수행된다는 특성으로 인하여 기판의 후면에는 박막 증착 공정시 증착된 박막 즉, 파티클이 제거되지 않은 채 잔류하게 된다. 이와 같이, 기판의 후면에 잔류하는 파티클을 제거하기 위한 방법으로는 용제나 린스에 침적하여 기판의 표면의 파티클을 제 거하는 습식 세정과, 플라즈마로 표면을 식각하여 제거하는 건식 세정이 알려져 있다.In particular, the thin film deposition process and the etching process are performed on the front surface of the substrate in the same way, the thin film deposited during the thin film deposition process, that is, the particles remain on the back surface of the substrate. As such, methods for removing particles remaining on the rear surface of the substrate are known as wet cleaning in which a particle or a rinse is removed to remove particles from the surface of the substrate, and a dry cleaning in which the surface is etched and removed by plasma.

습식 세정은 기판의 표면에 도포되는 파티클을 제거하는데 효과적으로 활용되고 있으나, 막대한 화공 약품의 사용으로 인해 공정 관리가 매우 어려울 뿐만 아니라, 비용 문제 및 시설투자가 많이 소요되며, 런타임이 길어지기 때문에 생산성이 좋지 않다는 문제점이 발생된다. 반면, 건식 세정은 플라즈마에 의해 기판의 가장자리 및 기판의 배면의 파티클을 제거하는 방식으로 상술한 습식 세정의 문제점을 해결할 수 있는 장점을 가지고 있다. 상기와 같은 건식 세정에 수행되는 플라즈마 처리장치는 챔버와, 챔버 내에 마련되어 기판을 지지하는 지지 수단과, 기판의 하부면에 반응 가스를 분사하는 가스 분사수단을 포함한다. 여기서, 챔버의 하부면에는 챔버 내에서 발생된 반응 부산물을 배기하기 위한 배기 수단이 마련되어 있다. 기판이 챔버 내로 인입되어 공정 위치에 배치되면, 기판의 하부에 마련된 가스 분사수단은 기판의 하부면에 반응 가스를 분사하고, 분사된 반응 가스에 의해 기판의 하부면에 형성된 파티클을 제거하게 된다.Wet cleaning is effectively used to remove particles applied to the surface of the substrate, but due to the use of enormous chemicals, the process is not only difficult to manage, but also requires a lot of cost and facility investment, and a long run time. The problem is that it is not good. On the other hand, dry cleaning has an advantage of solving the above-described problems of wet cleaning by removing particles at the edge of the substrate and the back surface of the substrate by plasma. The plasma processing apparatus to be subjected to the dry cleaning as described above includes a chamber, support means provided in the chamber to support the substrate, and gas injection means for injecting a reactive gas to the lower surface of the substrate. Here, exhaust means for exhausting reaction by-products generated in the chamber is provided on the lower surface of the chamber. When the substrate is introduced into the chamber and disposed at the process position, the gas injection means provided at the lower portion of the substrate injects the reaction gas to the lower surface of the substrate, and removes particles formed on the lower surface of the substrate by the injected reaction gas.

이때, 기판의 하부면을 식각하는 동안 챔버 하부에 형성된 배기 수단은 챔버 내에 분사된 반응 가스의 반응 부산물을 배기하게 되고, 이는 기판의 하부면의 중심부 및 가장자리에서 반응 가스가 머무는 시간(Gas residence time)의 차이를 발생시킨다. 즉, 배기 수단은 기판의 하부면 중심부에 머무르는 반응 가스보다 기판의 하부면 가장자리에 머무르는 반응 가스를 먼저 배기하기 때문에 기판의 하부면 가장자리 부분의 반응 가스는 기판의 하부면 중심부의 반응 가스보다 머무르는 시 간이 상대적으로 짧아지게 된다. 이처럼 기판의 하부면에 반응 가스가 머무는 시간 차이가 발생되면 기판의 중심부와 기판의 가장자리에서 식각률의 차이가 발생되고, 이는 기판의 하부면 전체의 식각 균일도를 떨어뜨리는 문제점을 야기시킨다.At this time, the exhaust means formed under the chamber while etching the lower surface of the substrate to exhaust the reaction by-products of the reaction gas injected in the chamber, which is the residence time of the reaction gas at the center and the edge of the lower surface of the substrate (Gas residence time Causes a difference. That is, since the exhaust means exhausts the reaction gas staying at the bottom edge of the substrate before the reaction gas staying at the center of the bottom surface of the substrate, the reaction gas at the edge of the bottom surface of the substrate stays longer than the reaction gas at the center of the bottom surface of the substrate. The liver becomes relatively short. As such, when a difference in the time that the reaction gas stays on the lower surface of the substrate occurs, a difference in etching rate occurs at the center of the substrate and the edge of the substrate, which causes a problem of lowering the etching uniformity of the entire lower surface of the substrate.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에서 반응 가스가 머무는 시간을 균일하게 하는 배플, 기판 지지장치 및 이를 구비하는 플라즈마 처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a baffle, a substrate support device and a plasma processing apparatus having the same to uniform the time the reaction gas stays at the center and the edge of the lower surface of the substrate.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 배플은 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부를 포함한다. 평면부는 측벽부의 상부면에 안착되고, 내측에는 다수의 배기 구멍이 형성될 수 있다. 측벽부는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형 형상으로 형성되고, 측벽부의 하부 내측면이 플레이트의 외측과 결합될 수 있다.In order to achieve the above object, the baffle of the present invention includes a side wall portion extending upward from the outside of the plate, and a flat portion coupled to the side wall portion and disposed at a position higher than the horizontal plane of the plate. The planar portion may be seated on an upper surface of the side wall portion, and a plurality of exhaust holes may be formed inside. The side wall portion may have a cylindrical shape having a central portion penetrated up and down, and a lower inner surface of the side wall portion may be coupled to an outer side of the plate.

측벽부는 상부 일부가 외측을 향해 상향 경사가 형성될 수 있다. 측벽부의 내주면에는 측벽부의 내측을 향해 돌출 형성된 돌출부가 형성되고, 돌출부는 플레이트의 상부에 안착될 수 있다. 측벽부의 상부면에 안착되는 평면부의 하부면에는 평면부로부터 하부로 절곡 형성된 절곡부가 형성될 수 있다.The side wall portion may be inclined upwardly toward the outside portion. The inner circumferential surface of the side wall portion is formed with a protrusion protruding toward the inner side of the side wall portion, the protrusion may be seated on the upper portion of the plate. A bent portion bent downward from the flat portion may be formed on a lower surface of the flat portion seated on the upper surface of the side wall portion.

배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 소정 길이를 갖는 슬릿 형상일 수 있다. 배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 분할되어 형성될 수 있다. 배기 구멍은 평면부의 원주 방향으로 분할되어 형성될 수 있다.The exhaust hole may be a slit shape having a predetermined length in the outward direction from the center of the flat portion. The exhaust hole may be formed by dividing in an outward direction from the center of the planar portion. The exhaust hole may be formed by dividing in the circumferential direction of the planar portion.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 기판 지지장치는 플레이트 와, 상기 플레이트의 외연부에 배치되어 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부로 구성된 배플과, 상기 플레이트 상측에 기판을 위치시키는 기판 지지대를 포함한다.In addition, in order to achieve the above object, the substrate supporting apparatus of the present invention is disposed on the outer periphery of the plate, the side wall portion extending upward from the outside of the plate and coupled to the side wall portion of the plate And a baffle comprising a planar portion disposed at a position higher than the horizontal plane, and a substrate support for positioning the substrate above the plate.

또한, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 플라즈마 처리 장치는 챔버와, 상기 챔버 내의 상부에 마련된 차폐 부재와, 상기 차폐 부재의 하부에 기판을 위치시키는 기판 지지대와, 상기 기판의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 플레이트와, 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부로 구성된 배플을 포함한다. 배플은 기판 지지대에 안착된 기판의 수평면과 같거나 그 보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 차폐 부재는 비반응 가스를 분사할 수 있다.In addition, in order to achieve the above object, the plasma processing apparatus of the present invention, the chamber, a shielding member provided in the upper portion of the chamber, a substrate support for placing the substrate in the lower portion of the shielding member, and reacts to the lower portion of the substrate And a baffle comprising a plate for injecting gas, a side wall portion extending upward from an outer side of the plate, and a flat portion coupled to the side wall portion and disposed at a position higher than a horizontal plane of the plate. The baffle may be disposed at a position equal to or higher than the horizontal plane of the substrate seated on the substrate support. The shield member may inject an unreacted gas.

본 발명은 기판 하부 영역의 가스 배기를 기판 수평면과 동일하거나 그보다 높은 위치에서 수행함으로써, 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에 반응 가스가 머무르는 시간을 균일하게 할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of making the reaction gas stay at the center and the edge of the lower surface of the substrate uniformly by performing the gas exhaust in the lower region of the substrate at the same or higher position than the substrate horizontal surface.

또한, 본 발명은 배플에 형성된 슬릿의 형상을 변경함으로써, 가스의 배기 흐름을 원활하게 할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of smoothing the exhaust flow of the gas by changing the shape of the slit formed in the baffle.

또한, 본 발명은 기판의 하부면 중심부 및 가장자리에 반응 가스가 머무르는 시간을 균일하게 하고, 가스의 배기 흐름을 원활하게 하여 기판의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of making the reaction gas stays at the center and the edge of the lower surface of the substrate uniformly, and smooth the exhaust flow of the gas to increase the etching uniformity of the substrate.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and to those skilled in the art to fully understand the scope of the invention. It is provided to inform you. Like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치의 전극을 나타낸 사시도이고, 도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치의 배플을 나타낸 사시도이고, 도 4는 본 발명의 배플이 전극에 결합된 모습을 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 개략 단면도이고, 도 6 내지 도 9는 본 발명에 따른 배플의 변형예를 나타낸 단면도 및 사시도이다.1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus having a substrate support apparatus according to the present invention, Figure 2 is a perspective view showing an electrode of the substrate support apparatus according to the present invention, Figure 3 is a baffle of the substrate support apparatus according to the present invention 4 is a cross-sectional view showing a state in which a baffle of the present invention is coupled to an electrode, and FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an operation of a plasma processing apparatus equipped with a substrate supporting apparatus of the present invention. 9 is a sectional view and a perspective view showing a modification of the baffle according to the present invention.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치는 챔버(100)와, 상기 챔버(100) 내의 상부에 마련된 차폐 부재(200)와, 상기 차폐 부재(200)와 대향 마련된 기판 지지장치(300)를 포함한다.1 to 5, a plasma processing apparatus equipped with a substrate supporting apparatus according to the present invention includes a chamber 100, a shielding member 200 provided in an upper portion of the chamber 100, and the shielding member 200. ) And a substrate supporting apparatus 300 provided to face the substrate.

챔버(100)는 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 챔버(100)의 형상은 한정되지 않으며, 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(Gate, 110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 식각 공정 시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물을 챔버 외부로 배기하기 위한 배기부(120)가 마련된다. 이때, 배기부(120)에는 챔버(100) 내의 불순물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기 수단(미도시) 예를 들어 펌프가 연결된다. 상기에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와, 상기 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수 있음은 물론이다.The chamber 100 is formed in a cylindrical or rectangular box shape, and a predetermined space is provided inside the chamber 100 so as to process the substrate S. The shape of the chamber 100 is not limited and is preferably formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. Here, a substrate entrance (Gate, 110) through which the substrate S is drawn in and drawn out is formed on one side wall of the chamber 100, and reaction by-products such as particles generated during an etching process are formed on the lower surface of the chamber 100. An exhaust unit 120 for exhausting to the outside is provided. In this case, an exhaust unit (not shown), for example, a pump, is connected to the exhaust unit 120 to exhaust impurities in the chamber 100 to the outside of the chamber 100. Although the chamber 100 has been described as an integrated body, the chamber 100 may be divided into a lower chamber having an upper opening and a chamber lead covering the upper part of the lower chamber.

차폐 부재(200)는 챔버(100)의 상부 하부면에 원형의 판 형상으로 형성되고, 기판(S)의 비 식각 영역 즉, 기판(S)의 상부면 및 측면에 플라즈마가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 여기서, 차폐 부재(200)의 하부면에는 기판(S)의 상부면 및 측면을 감싸는 소정의 홈(210)이 형성될 수 있다. 공정이 시작되면, 기판(S)은 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 홈 내에 배치되어 기판(S)의 상부면 및 측면이 차폐 부재(200)와 소정 간격 이격되고, 이에 의해 기판(S)의 상부면 및 측면에 플라즈마가 침투되는 것을 방지한다. 물론, 차폐 부재(200)의 형상에 따라 기판(S)의 소정 영역 즉, 기판(S)의 상부면 또는 기판(S)의 상부면 및 측면에 플라즈마가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 차폐 부재(200)에는 접지 전위가 인가되며, 차폐 부재(200)의 내측에는 차폐 부재(200)의 온도를 조절하기 위한 냉각 부재(미도시)가 마련될 수 있다. 즉, 냉각 부재는 차폐 부재(200)가 소정 온도 이상으로 올라가는 것을 방지함으로써, 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마로부터 차폐 부재(200)를 보호할 수 있다.The shielding member 200 is formed in a circular plate shape on the upper lower surface of the chamber 100 and prevents plasma from being generated on the non-etched region of the substrate S, that is, the upper surface and the side surface of the substrate S. FIG. Play a role. Here, a predetermined groove 210 may be formed on the lower surface of the shielding member 200 to surround the upper surface and the side surface of the substrate S. When the process starts, the substrate S is disposed in a groove formed in the lower surface of the shielding member 200 so that the upper surface and the side surface of the substrate S are spaced apart from the shielding member 200 by a predetermined distance, thereby the substrate S The plasma is prevented from penetrating the upper surface and the side of the. Of course, according to the shape of the shielding member 200, plasma may be prevented from being generated in a predetermined region of the substrate S, that is, the upper surface of the substrate S or the upper surface and side surfaces of the substrate S. In this case, a ground potential is applied to the shielding member 200, and a cooling member (not shown) for adjusting the temperature of the shielding member 200 may be provided inside the shielding member 200. That is, the cooling member may protect the shielding member 200 from plasma formed in the chamber 100 by preventing the shielding member 200 from rising above a predetermined temperature.

본 발명에 따른 기판 지지장치(300)는 챔버(100) 내에 구비된 차폐 부재(200)와 대향 마련되어 있으며, 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 이격하여 지지 한 상태에서 기판(S)의 하부면에 반응 가스를 분사하는 역할을 한다. 또한, 플라즈마화된 반응 가스에 의해 기판(S)의 하부면을 처리 중 또는 처리 후의 반응 부산물을 배기하는 역할을 한다. 여기서, 플라즈마를 배기하는 위치는 처리되는 기판(S)의 수평면과 동일하거나, 그보다 높은 위치에서 배기하는 것이 바람직하다.The substrate supporting apparatus 300 according to the present invention is provided to face the shielding member 200 provided in the chamber 100, and the substrate S in a state in which the substrate S introduced into the chamber 100 is spaced apart and supported. It serves to inject the reaction gas to the lower surface of the. In addition, the lower surface of the substrate S is treated by the plasma-formed reaction gas to exhaust the reaction by-products during or after the treatment. Here, the position where the plasma is exhausted is preferably exhausted at the same or higher position than the horizontal plane of the substrate S to be processed.

본 발명에 따른 기판 지지장치(300)는 전극(310)과, 상기 기판(S)을 상승시켜 전극(310)과 이격시키기 위한 기판 지지부(320)와, 상기 전극(310)의 외주면을 따라 결합된 배플(400)을 포함한다. 여기서, 전극(310)의 하부 즉, 기판 지지부(320)의 일측에는 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)을 전극(310)의 상부면에 안착시키기 위한 리프트 조립체(330)가 더 구비된다. The substrate support apparatus 300 according to the present invention is coupled to an electrode 310, a substrate support 320 for raising the substrate S to be spaced apart from the electrode 310, and along an outer circumferential surface of the electrode 310. And baffle 400. Here, a lift assembly 330 is further provided below the electrode 310, that is, at one side of the substrate support 320 to seat the substrate S introduced into the chamber 100 on the upper surface of the electrode 310. .

도 2에 도시된 바와 같이, 전극(310)은 원형의 플레이트로 형성되고, 통상 기판(S)의 형상과 대응하도록 형성되는 것이 바람직하다. 전극(310)의 내부에는 공정 위치에 배치된 기판(S)의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 다수의 분사홀(312)이 형성되어 있으며, 다수의 분사홀(312)과 간섭되지 않도록 전극의 내부에는 리프트 핀(332)이 상하 이동할 수 있도록 상하로 관통 형성된 리프트 핀 이동 구멍(314)이 다수개 형성되어 있다. 또한, 다수의 분사홀 및 리프트 핀 이동 구멍과 간섭되지 않도록 전극의 내부에는 기판 지지대(322)가 전극(310)의 상부로 돌출되어 이동할 수 있도록 기판 지지대 이동 구멍(316)이 더 형성된다. 이때, 리프트 핀 이동 구멍(314) 및 기판 지지대 이동 구멍(316)의 개수는 한정되지 않으며, 리프트 핀(332) 및 기판 지지대(322)의 개수에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다. 도 1로 돌아가서, 전극(310)의 하부에는 전극(310)에 반응 가스를 공급하기 위 한 가스 공급부(340)와, 전극(310)에 전계를 인가하는 고주파 전원(350)이 연결된다.As shown in Figure 2, the electrode 310 is formed of a circular plate, it is usually formed to correspond to the shape of the substrate (S). In the electrode 310, a plurality of injection holes 312 are formed in the lower portion of the substrate S disposed at the process position to inject the reaction gas, and the plurality of injection holes 312 may not interfere with the plurality of injection holes 312. A plurality of lift pin movement holes 314 are formed to penetrate up and down so that the lift pins 332 can move up and down. In addition, the substrate support movement hole 316 is further formed in the electrode so that the substrate support 322 may protrude upward from the electrode 310 so as not to interfere with the plurality of injection holes and the lift pin movement holes. In this case, the number of the lift pin movement holes 314 and the substrate support movement hole 316 is not limited, and the lift pin movement holes 314 and the substrate support movement holes 316 may be formed to correspond to the number of the lift pins 332 and the substrate support 322. 1, a gas supply unit 340 for supplying a reaction gas to the electrode 310 and a high frequency power source 350 for applying an electric field to the electrode 310 are connected to the lower portion of the electrode 310.

기판 지지부(320)는 전극(310)의 내측에 마련되며, 기판(S)의 하부면을 지지하여 기판(S)을 공정 위치에 이동시키기 위한 기판 지지대(322)와, 상기 기판 지지대(322)를 상하 이동시키기 위한 구동부(324)를 포함한다. 기판 지지대(322)는 기판(S)이 안착되는 안착부(322a)와, 안착부(322a)의 가장자리로부터 하부로 절곡된 지지부(322b)로 구성된다. 안착부(322a)는 전극(310)의 상부면에 배치되어 기판(S)의 하부면 가장자리를 안착시키는 역할을 하고, 지지부(322b)는 안착부(322a)를 상하로 이동시켜 기판(S)을 공정 위치에 배치시키는 역할을 한다. 여기서, 상기 안착부(322a)는 바(bar) 형상으로 형성되어 기판(S)의 가장자리의 소정 부분을 지지할 수 있으며, 링 형상으로 형성되어 기판(S)의 가장자리를 따라 안착시킬 수 있음은 물론이다. 또한, 구동부(324)는 기판 지지대(322)의 하부에 연결되며 기판 지지대(322)에 구동력을 제공하여 기판 지지대(322)를 승하강시키는 역할을 한다.The substrate support part 320 is provided inside the electrode 310, supports a lower surface of the substrate S to move the substrate S to a process position, and the substrate support 322. It includes a drive unit 324 for moving up and down. The substrate support 322 is composed of a seating portion 322a on which the substrate S is seated, and a support portion 322b bent downward from the edge of the seating portion 322a. The seating portion 322a is disposed on the upper surface of the electrode 310 to serve to seat the edge of the lower surface of the substrate S, and the support portion 322b moves the seating portion 322a up and down to move the substrate S. To place at the process location. Here, the seating portion 322a may be formed in a bar shape to support a predetermined portion of the edge of the substrate S, and may be formed in a ring shape to be seated along the edge of the substrate S. Of course. In addition, the driver 324 is connected to the lower portion of the substrate support 322 and serves to raise and lower the substrate support 322 by providing a driving force to the substrate support 322.

배플(400)은 전극(310)의 외주면을 따라 결합되며 챔버(100) 내에 형성된 플라즈마를 배기하는 역할을 한다. 여기서, 배플(400)은 전극(310)의 상부면보다 높은 위치에 배치되고, 공정이 진행될 때는 공정 위치에 배치된 기판(S)의 수평면과 같거나 그보다 높은 위치에 배치된다. 즉, 배플(400)은 공정이 시작되어 기판(S)의 하부면을 식각할 때 플라즈마가 기판(S)의 하부면에 머무는 시간을 제어함과 동시에 플라즈마의 공정 부산물 및 비반응 가스를 배기시키는 역할을 한다. The baffle 400 is coupled along the outer circumferential surface of the electrode 310 and serves to exhaust the plasma formed in the chamber 100. Here, the baffle 400 is disposed at a position higher than the upper surface of the electrode 310, and when the process is performed, the baffle 400 is disposed at the same or higher position than the horizontal surface of the substrate S disposed at the process position. That is, the baffle 400 controls the time for which the plasma stays on the bottom surface of the substrate S when the process is started to etch the bottom surface of the substrate S and exhausts the process by-products of the plasma and unreacted gas. Play a role.

도 3에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 마련되어 상하 관통 형성된 다수의 배기 구멍(422)이 형성된 평면부(420)를 포함한다.As illustrated in FIG. 3, the baffle 400 includes a sidewall portion 410 and a planar portion 420 having a plurality of exhaust holes 422 formed in upper and lower portions of the sidewall portion 410. .

측벽부(410)는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(410)의 내주면은 전극(310)의 외주면과 결합된다. 여기서, 측벽부(410)는 나사 등의 결합 부재(500)에 의해 측벽부(410)의 하부 내주면이 전극(310)의 외주면과 결합되고, 이는 측벽부(410)가 전극(310)의 상부면으로부터 수직으로 연장된 형상을 가진다. 즉, 측벽부(410)는 전극(310)의 수직방향으로 형성되기 때문에 전극(310)의 상부에서 발생되는 플라즈마의 흐름을 상방향으로 전환시키는 동시에 플라즈마를 전극(310)의 상부에 소정 시간 가두는 역할을 한다. 따라서, 플라즈마는 전극(310)의 상부 가장자리에 충분히 머물게 할 수 있으며, 이는 전극(310)의 상부 중심부와 가장자리에 머무는 반응 가스의 잔류 시간을 거의 동일하도록 할 수 있다.The side wall portion 410 is formed in a cylindrical shape with a central portion penetrating up and down, and an inner circumferential surface of the side wall portion 410 is coupled to an outer circumferential surface of the electrode 310. Here, the side wall portion 410 is coupled to the lower inner peripheral surface of the side wall portion 410 and the outer peripheral surface of the electrode 310 by a coupling member 500 such as a screw, which is the side wall portion 410 is the upper portion of the electrode 310 It has a shape extending vertically from the surface. That is, since the side wall portion 410 is formed in the vertical direction of the electrode 310, the plasma flow generated in the upper portion of the electrode 310 is turned upward and the plasma is confined to the upper portion of the electrode 310 for a predetermined time. Plays a role. Thus, the plasma can remain sufficiently at the upper edge of the electrode 310, which can make the residence time of the reaction gas staying at the upper center and the edge of the electrode 310 almost equal.

평면부(420)는 중심부가 상하 관통 형성된 원형의 링 형상으로 형성되고, 평면부(420)의 하부면 일부는 측벽부(410)의 상부면에 안착된다. 여기서, 측벽부(410)의 상부면에 안착된 평면부(420)는 측벽부(410)로부터 외측으로 연장 형성된 형상을 가진다. 또한, 평면부(420)의 상에는 상하 관통 형성된 배기 구멍(422)이 다수개 형성되고, 이러한 배기 구멍(422)은 측벽부(410)로부터 유도된 플라즈마를 배기시키는 역할을 한다.The planar portion 420 is formed in a circular ring shape having a central portion penetrating up and down, and a portion of the lower surface of the planar portion 420 is seated on the upper surface of the side wall portion 410. Here, the planar portion 420 seated on the upper surface of the side wall portion 410 has a shape extending outward from the side wall portion 410. In addition, a plurality of upper and lower exhaust holes 422 are formed on the plane portion 420, and the exhaust holes 422 serve to exhaust the plasma induced from the side wall portion 410.

리프트 핀 조립체(330)는 리프트 핀(332)과, 상기 리프트 핀(322)을 상하 구동시키는 구동부(334)를 포함한다. 리프트 핀(332)은 전극(310)의 내부에 형성된 리프트 핀 이동 구멍(314)을 따라 이동가능하도록 형성되어 챔버(100) 내로 인입된 기판(S)의 하부면을 지지하여 전극(310)의 상부면에 안착시키는 역할을 하고, 구동부(334)는 리프트 핀(332)을 상하 이동시키도록 구동력을 제공하는 역할을 한다.The lift pin assembly 330 includes a lift pin 332 and a driver 334 for vertically driving the lift pin 322. The lift pin 332 is formed to be movable along the lift pin movement hole 314 formed in the electrode 310 to support the lower surface of the substrate S introduced into the chamber 100 to support the lower surface of the electrode 310. It serves to seat on the upper surface, the driving unit 334 serves to provide a driving force to move the lift pin 332 up and down.

도 5에 도시된 바와 같이, 공정이 시작되어 기판(S)이 전극(310)과 소정 간격 이격되도록 전극(310)이 상승되면, 전극(310)의 외주면에 결합된 배플(400)도 전극(310)의 상하 이동에 따라 승하강된다. 이후, 전극(310)의 하부에 마련된 기판 지지대(322)에 의해 전극(310)의 상부면에 위치된 기판(S)은 차폐 부재(200)와 소정 간격 이격되도록 상승하고, 구체적으로는 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 홈(210)에 삽입되도록 배치된다. 이때, 배플(400)의 평면부(420)는 기판(S)의 수평면과 동일하도록 배치되며 물론, 배플(400)의 평면부(420)가 기판(S)의 수평면보다 높은 위치에 배치될 수 있다. 여기서, 차폐 부재(200)와 기판(S)과의 거리는 0.5mm 이하로 형성되는 것이 바람직하고, 구체적으로 차폐 부재(200)의 하부면에 형성된 홈(210)이 형성된 차폐 부재(200)의 하부면과 기판(S)의 상부면, 홈(210)이 형성된 차폐 부재(200)의 측벽과 기판(S)의 측면과의 거리를 0.5mm 이하로 형성한다. 이는 차폐 부재(200)와 기판(S) 과의 거리를 0.5mm 이하로 형성함으로써, 플라즈마에 의해 기판(S)의 상부면에 형성된 소자가 파괴되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 기판(S)의 상부면에 형성된 소자가 파괴되는 방지하기 위해 차폐 부재(200)를 샤워 헤드 타입으로 형성하고, 샤워 헤드 타입의 절연 부재에서 기판(S)의 상부면에 헬륨 가스와 같은 비반응 가스를 분사하여 기판(S)의 하부면에서 발생된 플라즈마가 기판(S)의 상부면에 들어오는 것을 방지할 수 있다.As shown in FIG. 5, when the process is started and the substrate 310 is raised such that the substrate S is spaced apart from the electrode 310 by a predetermined interval, the baffle 400 coupled to the outer circumferential surface of the electrode 310 is also the electrode ( It moves up and down according to the vertical movement of 310). Subsequently, the substrate S positioned on the upper surface of the electrode 310 is raised to be spaced apart from the shielding member 200 by a substrate support 322 provided below the electrode 310, and specifically, the shielding member. It is disposed to be inserted into the groove 210 formed on the lower surface of the (200). In this case, the planar portion 420 of the baffle 400 may be disposed to be the same as the horizontal plane of the substrate S, and of course, the planar portion 420 of the baffle 400 may be disposed at a position higher than the horizontal plane of the substrate S. have. Here, the distance between the shielding member 200 and the substrate S is preferably formed to be 0.5 mm or less, and specifically, the lower portion of the shielding member 200 having the groove 210 formed on the lower surface of the shielding member 200. The distance between the surface and the upper surface of the substrate S and the sidewall of the shield member 200 having the groove 210 formed on the side surface of the substrate S is 0.5 mm or less. This can prevent the element formed on the upper surface of the substrate S from being destroyed by the plasma by forming the distance between the shielding member 200 and the substrate S to be 0.5 mm or less. In addition, in order to prevent the element formed on the upper surface of the substrate S is destroyed, the shielding member 200 is formed in the shower head type, and in the shower head type insulating member, the upper surface of the substrate S, such as helium gas, The non-reactive gas may be injected to prevent plasma generated from the lower surface of the substrate S from entering the upper surface of the substrate S.

이어서, 전극(310)으로부터 반응 가스가 기판(S)의 하부로 분사되어 기판(S) 하부면에 플라즈마가 발생되면, 상기 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부와 가장자리에 균일하게 분포되고, 균일하게 분포된 플라즈마는 기판(S)의 하부면에 입사하여 균일하게 식각이 이루어진다. Subsequently, when the reaction gas is injected from the electrode 310 to the lower portion of the substrate S to generate plasma on the lower surface of the substrate S, the plasma is uniformly distributed at the center and the edge of the lower surface of the substrate S. Evenly distributed plasma is incident on the lower surface of the substrate (S) to be uniformly etched.

여기서, 기판(S)의 하부면 가장자리에 발생된 플라즈마는 배플(400)의 측벽부(410)에 의해 플라즈마가 상방향으로 유도되어 평면부(420)에 의해 배기되기 때문에 기판(S) 하부면 가장자리에 형성된 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부에 형성된 플라즈마의 잔류 시간과 거의 같게 되고, 이에 의해 기판(S)의 하부면 중심부와 기판(S)의 하부면 가장자리에서의 식각률은 균일해져 공정 균일도가 향상된다.Here, the plasma generated at the edge of the lower surface of the substrate S is guided upward by the side wall portion 410 of the baffle 400 and exhausted by the plane portion 420, so the lower surface of the substrate S The plasma formed at the edge becomes substantially the same as the remaining time of the plasma formed at the center of the lower surface of the substrate S, whereby the etching rate at the center of the lower surface of the substrate S and the edge of the lower surface of the substrate S becomes uniform. Uniformity is improved.

본 발명에 따른 배플(400)은 공정 위치에 배치된 기판(S)의 수평면보다 높게 배치하기 위해 다음과 같이 구성할 수 있다. The baffle 400 according to the present invention may be configured as follows in order to arrange higher than the horizontal plane of the substrate S disposed at the process position.

도 6에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 전극(310)의 외주면과 결합되는 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 안착되는 평면부(420)를 포함한다. 측벽부(410)는 전극(310)의 외주면에 나사 등의 결합 부재(500)에 의해 결합되고, 평면부(420)에는 단면이 "ㄱ"자 형상을 가지도록 평면부(420)의 하부로 절곡된 절곡부(430)가 형성된다. As illustrated in FIG. 6, the baffle 400 includes a sidewall portion 410 coupled to an outer circumferential surface of the electrode 310, and a planar portion 420 seated on an upper portion of the sidewall portion 410. The side wall portion 410 is coupled to the outer circumferential surface of the electrode 310 by a coupling member 500 such as a screw, and the flat portion 420 has a lower portion of the flat portion 420 so that the cross section has an "a" shape. The bent portion 430 is formed.

이와 같이 형성된 절곡부(430)는 측벽부(410)의 상부면에 안착되어 평면부(420)의 높이를 더욱 높게 배치시킬 수 있으며, 이에 의해 기판(S)의 하부면에 형성되는 플라즈마를 기판(S)의 수평면 이상으로 유도하여 배기시킬 수 있다. 따라서, 기판(S)의 하부면 중심부 및 가장자리에 형성되는 플라즈마의 균일도를 더 높 일 수 있으며, 이에 의해 기판(S)의 하부면의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.The bent portion 430 formed as described above may be seated on the upper surface of the sidewall portion 410 so that the height of the flat portion 420 may be higher, whereby the plasma formed on the lower surface of the substrate S may be It can be guided and exhausted beyond the horizontal plane of (S). Therefore, the uniformity of the plasma formed at the center and the edge of the lower surface of the substrate S may be higher, thereby increasing the etching uniformity of the lower surface of the substrate S.

상기에서는 평면부(420)의 하부면에 절곡부(430)를 형성하여 플라즈마가 배기되는 위치를 기판(S)의 수평면보다 높도록 배치하였지만, 이에 한정되지 않고, 측벽부(410)를 더 길도록 연장 형성한 후, 전극(310)의 외측면과 결합하고, 평면부(420)를 측벽부(410)의 상부에 안착시켜 플라즈마가 배기되는 위치를 기판(S)의 수평면보다 더 높도록 배치할 수 있다.In the above, the bent portion 430 is formed on the lower surface of the planar portion 420 to arrange the plasma exhaust position higher than the horizontal surface of the substrate S. However, the sidewall portion 410 is longer. After forming so as to extend to the outer side of the electrode 310, and coupled to the outer surface of the electrode 310, the planar portion 420 is seated on the upper side of the side wall portion 410 to place the position where the plasma is discharged higher than the horizontal plane of the substrate (S) can do.

또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 전극(310)의 외측에 마련되어 전극(310)의 상방향으로 연장 형성된 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 마련되어 측벽부(410)의 외측 방향으로 연장형성된 평면부(420)를 포함하고, 상기 측벽부(410)에는 측벽부(410)의 내측으로 돌출 형성된 돌출부(412)를 더 포함한다. In addition, as illustrated in FIG. 7, the baffle 400 is provided on the outer side of the electrode 310 and is formed on the side wall part 410 extending upwardly of the electrode 310 and the upper side of the side wall part 410. And a planar portion 420 extending in an outward direction of the sidewall portion 410, and the sidewall portion 410 further includes a protrusion 412 protruding inwardly of the sidewall portion 410.

측벽부(410)는 평면부(420)를 전극(310)의 상부면보다 높은 위치에 배치시키고, 돌출부(412)는 이러한 측벽부(410)를 고정시키기 위해 측벽부(410)의 내측으로 돌출 형성되어 전극(310)의 상부 끝단을 덮도록 배치된다. 즉, 돌출부(412)는 배플(400)이 다른 결합 수단 없이 전극(310)의 외주면에 결합시킬 수 있는 효과를 가진다. 여기서, 돌출부(412)는 측벽부(410)의 내측면을 따라 폐곡선을 이루도록 형성될 수 있으며, 측벽부(410)의 내측면을 따라 다수의 돌출부(412)를 형성할 수 있음은 물론이다. 또한, 돌출부(412)는 측벽부(410)와 일체로 형성될 수 있으며, 측벽부(410)와 별도로 형성되어 측벽부(410)의 내측에 결합될 수 있다.The side wall portion 410 places the planar portion 420 at a position higher than the upper surface of the electrode 310, and the protrusion 412 protrudes inward of the side wall portion 410 to fix the side wall portion 410. And cover the upper end of the electrode 310. That is, the protrusion 412 has the effect that the baffle 400 can be coupled to the outer circumferential surface of the electrode 310 without any other coupling means. Here, the protrusion 412 may be formed to form a closed curve along the inner surface of the side wall portion 410, and a plurality of protrusions 412 may be formed along the inner surface of the side wall portion 410. In addition, the protrusion 412 may be integrally formed with the side wall part 410, and may be formed separately from the side wall part 410 and may be coupled to the inside of the side wall part 410.

상기와 같은 구성은 배플(400)을 별도의 결합 부재 없이 전극(310)의 외측에 결합시킬 수 있으며, 이는 장치를 단순화할 수 있는 효과가 있으며, 작업 효율을 상승시킬 수 있는 효과가 있다.The configuration as described above can couple the baffle 400 to the outside of the electrode 310 without a separate coupling member, which has the effect of simplifying the device, it is possible to increase the work efficiency.

또한, 도 8에 도시된 바와 같이, 배플(400)은 전극(310)의 외측에 결합되는 측벽부(410)와, 상기 측벽부(410)의 상부에 마련되어 외측을 향하여 상향 경사가 형성된 경사부(414)와, 상기 경사부(414)의 상부에 마련되어 경사부(414)의 외측으로 연장 형성된 평면부(420)를 포함한다.In addition, as shown in FIG. 8, the baffle 400 has a sidewall portion 410 coupled to the outside of the electrode 310, and an inclined portion provided on the sidewall portion 410 to be inclined upward toward the outside. 414 and a planar portion 420 provided on the inclined portion 414 and extending outward of the inclined portion 414.

측벽부(410)는 전극(310)의 외주면에 결합되어 배플(400)을 전극(310)에 고정시키는 역할을 하고, 이러한 측벽부(410)는 나사 등의 결합 부재(500)에 의해 전극(310)의 외주면에 결합된다. 경사부(414)는 측벽부(410)의 상부에서 외측을 향해 상향 경사를 형성함으로써, 평면부(420)를 전극(310)의 상부 수평면보다 높은 위치에 배치시킨다. 이러한 경사부(414)는 전극(310)의 상부에서 발생된 플라즈마를 전극(310)의 상부 끝단에 머무르지 않도록 플라즈마의 흐름을 상부로 안내하는 역할을 한다. 상기에서는 측벽부(410)와 경사부(414)를 별도로 형성하여 설명하였지만, 측벽부(410)와 경사부(414)가 일체로 형성될 수 있음은 물론이다. 또한, 상기에서는 측벽부(410)와 평면부(420) 사이에 하나의 경사부(414)를 마련하였지만, 이에 한정되지 않고, 측벽부(410)와 평면부(420) 사이에 다수의 경사부를 마련할 수 있으며, 다수의 경사부는 서로 다른 경사를 갖도록 형성할 수도 있다.The side wall portion 410 is coupled to the outer circumferential surface of the electrode 310 and serves to fix the baffle 400 to the electrode 310, and the side wall portion 410 is formed by the coupling member 500 such as a screw. It is coupled to the outer peripheral surface of 310. The inclined portion 414 forms an inclined upward from the top of the side wall portion 410 to the outside, thereby placing the flat portion 420 at a position higher than the upper horizontal plane of the electrode 310. The inclined portion 414 guides the flow of plasma upward so that the plasma generated at the upper portion of the electrode 310 does not stay at the upper end of the electrode 310. In the above description, the side wall part 410 and the inclined part 414 are separately formed, but the side wall part 410 and the inclined part 414 may be integrally formed. In addition, although one inclined portion 414 is provided between the side wall portion 410 and the flat portion 420, the present invention is not limited thereto, and a plurality of inclined portions are disposed between the side wall portion 410 and the flat portion 420. It may be provided, the plurality of inclined portion may be formed to have a different inclination.

상기와 같은 구성은 측벽부(410)와 평면부(420) 사이에 경사를 가지는 경사부(414)를 더 형성함으로써, 전극(310)의 상부면에 형성되는 플라즈마를 평면부(420)의 상부로 원활하게 유도하고, 이에 의해 보다 유도된 플라즈마를 원활하게 배기할 수 있는 효과를 가진다.In the above configuration, an inclined portion 414 having an inclination is further formed between the sidewall portion 410 and the flat portion 420, thereby forming a plasma formed on the upper surface of the electrode 310. To smoothly guide, thereby smoothly exhausting the induced plasma.

본 발명에 따른 배플(400)은 기판(S)의 하부면에 형성된 플라즈마의 배기를 원활하게 하여 식각 균일도를 높이기 위해 배플(400)의 평면부(420)에 형성된 배기 구멍(422)을 다음과 같이 변경할 수 있다.The baffle 400 according to the present invention follows the exhaust hole 422 formed in the planar portion 420 of the baffle 400 to smoothly exhaust the plasma formed on the lower surface of the substrate S to increase the etching uniformity. You can change it as well.

도 9에 도시된 바와 같이, 평면부(420)는 중심부가 상하 절개된 링 형상의 플레이트로 형성되고, 평면부(420)에는 상하 관통 형성된 다수의 배기 구멍(422)이 형성된다. 여기서, 배기 구멍(422)은 도 9a에 도시된 바와 같이, 평면부(420)의 중심에서 외측 방향으로 일정 길이로 갖는 슬릿 형상의 배기 구멍(422)을 평면부(420)의 원주 방향으로 등간격으로 형성될 수 있고, 도 9b에 도시된 바와 같이, 평면부(420)의 중심에서 외측 방향으로 형성된 슬릿 형상의 배기 구멍(422)을 분할하여 형성할 수도 있다. 또한, 도 9c에 도시된 바와 같이, 평면부(420)의 원주 방향으로 소정 길이를 갖는 슬릿 형상의 배기 구멍(422)을 분할하여 형성할 수 있다. 여기서, 평면부(420)에 형성된 배기 구멍(422)의 형상은 이에 한정되지 않고, 다양한 범주 내에서 변경될 수 있음은 물론이다.As shown in FIG. 9, the planar portion 420 is formed of a ring-shaped plate in which a central portion thereof is cut up and down, and a plurality of exhaust holes 422 are formed in the planar portion 420. Here, as illustrated in FIG. 9A, the exhaust hole 422 has a slit-shaped exhaust hole 422 having a predetermined length in the outward direction from the center of the flat part 420, and the like in the circumferential direction of the flat part 420. It may be formed at intervals, as shown in Figure 9b, may be formed by dividing the slit-shaped exhaust hole 422 formed in the outward direction from the center of the flat portion 420. In addition, as illustrated in FIG. 9C, the slit-shaped exhaust hole 422 having a predetermined length may be formed in the circumferential direction of the planar portion 420. Here, the shape of the exhaust hole 422 formed in the planar portion 420 is not limited thereto, and may be changed within various categories.

상기와 같이 평면부(420)에 형성된 배기 구멍(422)을 다양한 형상으로 형성함으로써, 기판(S)의 하부에 형성되는 플라즈마를 보다 원활하게 배기할 수 있으며, 이에 의해 기판(S) 하부면의 식각 균일도를 높일 수 있는 효과가 있다.By forming the exhaust hole 422 formed in the flat portion 420 in various shapes as described above, it is possible to more smoothly exhaust the plasma formed on the lower portion of the substrate (S), thereby reducing the There is an effect to increase the etching uniformity.

이하에서는 도 1 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 배플 조립체가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 살펴본다.1 and 5, the operation of the plasma processing apparatus equipped with the baffle assembly of the present invention will be described.

챔버(100) 내에 기판(S)이 인입되면, 전극(310)의 하부에 마련된 리프트 핀(332)은 전극(310)에 형성된 리프트 핀 이동 구멍(314)을 거쳐 전극(310)의 상부로 상승하여 기판(S)을 지지한다. 이어서, 기판(S)이 안착된 리프트 핀(332)은 하강하고, 리프트 핀(332)에 안착된 기판(S)은 전극(310)의 상부면에 안착된다. 기판(S)이 안착된 전극(310)은 챔버(100) 내에 상부에 마련된 차폐 부재(200)와 소정 간격을 이루도록 상승하고 이에 의해 전극(310)의 외주면과 결합된 배플(400)도 동시에 상승한다. 이어서, 기판 지지대(322)는 기판(S)을 지지한 상태에서 전극(310)의 상부로 상승하고, 이에 의해 기판(S)은 차폐 부재(200)의 하부에 형성된 홈(210)에 위치한다. 여기서, 전극(310)의 외주면과 결합된 배플(400)은 기판(S)의 수평면과 동일하거나 기판(S)의 수평면보다 높은 위치에 배치되는 것이 바람직하다.When the substrate S is introduced into the chamber 100, the lift pin 332 provided below the electrode 310 is raised to the upper portion of the electrode 310 through the lift pin movement hole 314 formed in the electrode 310. To support the substrate S. Subsequently, the lift pin 332 on which the substrate S is seated is lowered, and the substrate S seated on the lift pin 332 is seated on the upper surface of the electrode 310. The electrode 310 on which the substrate S is seated is raised to form a predetermined interval with the shielding member 200 provided in the upper part of the chamber 100, whereby the baffle 400 coupled with the outer circumferential surface of the electrode 310 is simultaneously raised. do. Subsequently, the substrate support 322 is raised to the upper portion of the electrode 310 in a state of supporting the substrate S, whereby the substrate S is located in the groove 210 formed under the shield member 200. . Here, the baffle 400 coupled to the outer circumferential surface of the electrode 310 is preferably disposed at the same position as the horizontal plane of the substrate (S) or higher than the horizontal plane of the substrate (S).

이어서, 전극(310)으로부터 반응 가스가 기판(S)의 하부면에 분사함과 동시에 전극(310)에 고주파를 가해주면 챔버(100) 내부에는 자기장이 형성되고, 이에 의해 기판(S)의 하부면에 분사된 반응 가스는 플라즈마로 바뀐다. 상기와 같이 발생된 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부와 가장자리를 따라 기판(S)의 하부면에 균일하게 입사하고. 이에 의해 기판(S)의 하부면의 식각이 이루어진다. 여기서, 기판(S)의 하부면 가장자리에 발생된 플라즈마는 기판(S)의 하부면에 충분히 머문 후, 측벽부(410)에 의해 상방향으로 유도되어 평면부(420)에 의해 배기되기 때문에 기판(S) 하부면 가장자리에 형성된 플라즈마는 기판(S)의 하부면 중심부에 형성된 플라즈마와 잔류 시간이 거의 같게 되고, 이에 의해 기판(S)의 하부면 중심부와 기판(S)의 하부면 가장자리에서의 식각률은 균일해져 공정 균일도가 향상된다.Subsequently, when a reactive gas is injected from the electrode 310 to the lower surface of the substrate S and a high frequency is applied to the electrode 310, a magnetic field is formed inside the chamber 100, whereby a lower portion of the substrate S is formed. The reaction gas injected into the surface is converted into plasma. The plasma generated as described above uniformly enters the lower surface of the substrate S along the center and the edge of the lower surface of the substrate S. As a result, the lower surface of the substrate S is etched. Here, since the plasma generated at the edge of the lower surface of the substrate S stays sufficiently at the lower surface of the substrate S, the plasma is guided upward by the sidewall portion 410 and exhausted by the plane portion 420. (S) The plasma formed at the lower edge of the lower surface becomes substantially the same time as the plasma formed at the center of the lower surface of the substrate S, whereby the lower surface of the lower surface of the substrate S and the lower edge of the substrate S The etch rate is uniform to improve process uniformity.

상기와 같은 배플(400)은 플라즈마가 기판(S)의 하부면 중심부와 가장자리에서의 머무는 시간을 균일해지도록 함으로써, 기판(S)의 하부면 중심부에 비해 상대적으로 낮은 식각률을 나타내는 기판(S)의 하부면 가장자리의 식각률을 기판(S)의 하부면 중심부와 동일해지도록 하여 기판(S)의 하부면의 식각 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The baffle 400 as described above allows the plasma to have a uniform residence time at the center and the edge of the lower surface of the substrate S, thereby exhibiting a relatively low etching rate compared to the center of the lower surface of the substrate S. The etching rate of the lower edge of the lower surface of the substrate S may be the same as the center of the lower surface of the substrate S, thereby improving the etching uniformity of the lower surface of the substrate S.

상기에서는 도면 및 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art that the present invention can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below I can understand.

도 1은 본 발명에 따른 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치를 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing a plasma processing apparatus equipped with a substrate support apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판 지지장치의 전극을 나타낸 사시도이다.2 is a perspective view showing the electrode of the substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 기판 지지장치의 배플을 나타낸 사시도이다.Figure 3 is a perspective view of the baffle of the substrate supporting apparatus according to the present invention.

도 4는 본 발명의 배플이 전극에 결합된 모습을 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing a state in which the baffle of the present invention is coupled to the electrode.

도 5는 본 발명의 기판 지지장치가 구비된 플라즈마 처리장치의 동작을 나타낸 개략 단면도이다.5 is a schematic cross-sectional view showing the operation of the plasma processing apparatus with the substrate supporting apparatus of the present invention.

도 6 내지 도 9는 본 발명에 따른 배플의 변형예를 나타낸 단면도 및 사시도이다.6 to 9 are cross-sectional views and perspective views showing a modification of the baffle according to the present invention.

< 도면 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of the code | symbol about the principal part of drawings>

100: 챔버 200: 차폐 부재100: chamber 200: shielding member

310: 전극 320: 기판 지지부310: electrode 320: substrate support

330: 리프트 핀 조립체 340: 가스 공급부330: lift pin assembly 340: gas supply

350: 고주파 전원 400: 배플350: high frequency power supply 400: baffle

410: 측벽부 420: 평면부410: side wall portion 420: flat portion

422: 배기 구멍 S: 기판422: exhaust hole S: substrate

Claims (13)

플레이트의 일측에 마련되어 배기 가스를 고른 영역으로 확산 배출시키는 배플에 있어서,In the baffle provided on one side of the plate to diffuse and discharge the exhaust gas to an even area, 상기 플레이트의 외측으로부터 상방향으로 연장 형성되는 측벽부와, 상기 측벽부에 결합되어 플레이트의 수평면 보다 높은 위치에 배치된 평면부를 포함하는 배플.And a sidewall portion extending upward from an outer side of the plate, and a planar portion coupled to the sidewall portion and disposed at a position higher than a horizontal plane of the plate. 청구항 1에 있어서, 상기 평면부는 측벽부의 상부면에 안착되고, 내측에는 다수의 배기 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle of claim 1, wherein the planar portion is seated on an upper surface of the side wall portion, and a plurality of exhaust holes are formed at an inner side thereof. 청구항 2에 있어서, 상기 측벽부는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형 형상으로 형성되고, 측벽부의 하부 내측면이 플레이트의 외측과 결합되는 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 2, wherein the side wall portion is formed in a cylindrical shape with a central portion penetrating up and down, and the lower inner side surface of the side wall portion is coupled with an outer side of the plate. 청구항 3에 있어서, 상기 측벽부는 상부 일부가 외측을 향해 상향 경사가 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 3, wherein the side wall portion is inclined upwardly toward an outside portion. 청구항 3에 있어서, 상기 측벽부의 내주면에는 측벽부의 내측을 향해 돌출 형성된 돌출부가 형성되고, 돌출부는 플레이트의 상부에 안착되는 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 3, wherein the inner peripheral surface of the side wall portion is provided with a protrusion protruding toward the inner side of the side wall portion, and the protrusion is seated on an upper portion of the plate. 청구항 3에 있어서, 상기 측벽부의 상부면에 안착되는 평면부의 하부면에는 평면부로부터 하부로 절곡 형성된 절곡부가 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 3, wherein a bent portion bent downward from the flat portion is formed on a lower surface of the flat portion seated on the upper surface of the side wall portion. 청구항 2에 있어서, 상기 배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 소정 길이를 갖는 슬릿 형상인 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 2, wherein the exhaust hole has a slit shape having a predetermined length in an outward direction from the center of the flat portion. 청구항 7에 있어서, 상기 배기 구멍은 평면부의 중심으로부터 외측 방향으로 분할 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 7, wherein the exhaust hole is divided in an outward direction from the center of the flat portion. 청구항 2에 있어서, 상기 배기 구멍은 평면부의 원주 방향으로 분할 형성된 것을 특징으로 하는 배플.The baffle according to claim 2, wherein the exhaust hole is divided in the circumferential direction of the planar portion. 플레이트와,With plates, 상기 플레이트의 외연부에 배치되는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 배플과,The baffle according to any one of claims 1 to 3 disposed on the outer edge of the plate, 상기 플레이트 상측에 기판을 위치시키는 기판 지지대A substrate support for placing a substrate above the plate 를 포함하는 기판 지지장치.Substrate support device comprising a. 챔버와,Chamber, 상기 챔버 내의 상부에 마련된 차폐 부재와,A shielding member provided at an upper portion of the chamber; 상기 차폐 부재의 하부에 기판을 위치시키는 기판 지지대와,A substrate support for placing the substrate under the shield member; 상기 기판의 하부에 반응 가스를 분사하기 위한 플레이트와,A plate for injecting a reaction gas into a lower portion of the substrate; 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 따른 배플Baffle according to any one of claims 1 to 3 을 포함하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus comprising a. 청구항 11에 있어서, 상기 배플은 기판 지지대에 안착된 기판의 수평면과 같거나 그 보다 높은 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.12. The plasma processing apparatus of claim 11, wherein the baffle is disposed at a position equal to or higher than a horizontal plane of the substrate seated on the substrate support. 청구항 11에 있어서, 상기 차폐 부재는 비반응 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.12. The plasma processing apparatus of claim 11, wherein the shielding member injects unreacted gas.
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