KR101318705B1 - Apparatus for plasma processing and method for plasma processing - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method.

본 발명은 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와 기판 홀더를 이동시킬 수 있는 이동 부재를 구비하고, 챔버 하부의 하부 전극을 분리 및 결합이 가능한 제 1 및 제 2 하부 전극으로 구성하며, 제 1 및 제 2 하부 전극의 상부면에 기판 후면 식각을 위한 반응 가스를 분사하는 제 1 및 제 2 반응 가스 분사구를 각각 형성한다. 그리고, 기판 홀더가 기판 후면의 가장자리를 지지하도록 하여 기판 후면 식각 공정을 실시하고, 기판 홀더를 이동 부재를 이용하여 하방을 이동시키고 제 1 하부 전극이 기판 후면을 지지하도록 하여 기판 베벨 식각 공정을 실시한다.The present invention comprises a substrate holder for supporting the edge of the substrate and a moving member capable of moving the substrate holder, and comprises a first and second lower electrodes capable of separating and coupling the lower electrode at the bottom of the chamber. First and second reaction gas injection holes for injecting a reaction gas for etching the substrate backside are respectively formed on an upper surface of the second lower electrode. Subsequently, the substrate backside etching process is performed by supporting the substrate holder at the edge of the backside of the substrate, and the substrate holder is moved downward using the moving member, and the substrate lower bevel etching process is performed by the first lower electrode supporting the backside of the substrate. do.

본 발명에 의하면, 동일한 플라즈마 처리 장치에서 기판 후면 식각 공정 및 기판 베벨 식각 공정을 연속적으로 실시할 수 있다. 따라서, 종래에 비해 플라즈마 처리 장치의 수를 줄일 수 있고, 이에 따라 생산 시간 및 생산 비용을 줄일 수 있다.According to the present invention, the substrate backside etching process and the substrate bevel etching process can be continuously performed in the same plasma processing apparatus. Therefore, the number of plasma processing apparatuses can be reduced as compared with the related art, and thus production time and production cost can be reduced.

플라즈마, 후면 식각, 베벨 식각, 기판 홀더, 이동 부재, 하부 전극, 분리, 결합, 반응 가스 Plasma, Back Etch, Bevel Etch, Substrate Holder, Moving Member, Lower Electrode, Separation, Bonding, Reaction Gas

Description

플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법{Apparatus for plasma processing and method for plasma processing}Apparatus for plasma processing and method for plasma processing

본 발명은 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것으로, 특히 기판의 후면 식각과 베벨 식각을 하나의 장치에서 연속적으로 실시할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method, and more particularly, to a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of continuously performing backside etching and bevel etching of a substrate in one apparatus.

일반적으로 반도체 장치 및 평판 표시 장치는 기판의 전면에 다수의 박막을 증착하고 식각하여 소정 패턴의 소자들을 형성하여 제작한다. 즉, 소정의 증착 장비를 이용하여 기판의 전면에 박막을 증착하고, 식각 장비를 이용하여 박막의 일부를 식각하여 박막이 소정의 패턴을 갖도록 제작하였다.In general, semiconductor devices and flat panel displays are manufactured by depositing and etching a plurality of thin films on the entire surface of a substrate to form elements having a predetermined pattern. That is, the thin film is deposited on the entire surface of the substrate using a predetermined deposition equipment, and a portion of the thin film is etched using the etching equipment to produce the thin film having a predetermined pattern.

그런데, 박막 증착 공정에서 기판의 후면에도 박막이 증착되거나 식각 공정 후에도 기판의 후면에 파티클 등의 이물질이 잔류하게 된다. 또한, 이러한 박막 또는 파티클 등의 이물질은 기판의 이송을 위해 별도의 소자 또는 회로 패턴을 제작하지 않는 기판의 가장자리 영역, 즉 베벨(bevel) 영역에도 잔류하게 된다. 이렇게 기판의 후면 및 베벨 영역에 증착된 이물질은 후속 공정에서 기판이 휘어지거나 기판의 정렬이 어려워지는 등의 많은 문제점을 야기시킨다. 또한, 기판 후면 및 베벨 영역에 잔류하는 박막 또는 파티클은 이후 공정에서 공정상의 결함으로 작용하여 수율을 감소시키게 된다. 따라서, 기판의 후면 및 베벨 영역에 잔류하는 박막 및 파티클을 제거하기 위해 주로 건식 식각을 통해 기판의 후면 및 베벨에 증착된 박막과 파티클 등의 이물질을 반복적으로 제거한 후 후속 공정을 진행하게 된다.However, in the thin film deposition process, a thin film is deposited on the rear surface of the substrate or foreign substances such as particles remain on the rear surface of the substrate even after the etching process. In addition, foreign matters such as thin films or particles remain in the edge region of the substrate, that is, the bevel region, in which a separate device or a circuit pattern is not manufactured to transfer the substrate. Such foreign matter deposited on the back surface and the bevel area of the substrate causes many problems such as bending of the substrate or difficulty in aligning the substrate in a subsequent process. In addition, the thin film or particles remaining in the substrate back surface and the bevel region act as a process defect in the subsequent process to reduce the yield. Therefore, in order to remove the thin film and particles remaining on the back surface and the bevel region of the substrate, a foreign process such as thin films and particles deposited on the back surface and the bevel of the substrate is repeatedly performed through dry etching.

그런데, 종래에는 별도의 기판 후면 식각 장치와 베벨 식각 장치를 이용하여 기판 후면 식각 및 베벨 식각 공정을 각각 진행하였다. 예를들어 후면 식각 장치와 베벨 식각 장치를 증착 장치 또는 식각 장치와 함께 하나의 클러스터에 구성하고 증착 공정 또는 식각 공정이 완료된 기판의 후면 및 베벨 식각 공정을 따로 실시하게 된다. 따라서, 기판의 후면 및 베벨 식각을 위해 적어도 두 장치가 필요하게 되고, 이러한 식각 장치의 증가로 인해 생산 설비의 수가 증가하고, 생산 비용이 증가하게 된다. 또한, 두 장치를 이용하여 기판의 후면 및 베벨을 식각하기 때문에 전체적인 공정 시간이 증가하게 된다.However, conventionally, substrate back etching and bevel etching processes were performed using separate substrate back etching apparatuses and bevel etching apparatuses, respectively. For example, the backside etching device and the bevel etching device are configured together with the deposition apparatus or the etching apparatus in a cluster, and the backside and bevel etching processes of the substrate on which the deposition process or the etching process is completed are separately performed. Thus, at least two devices are required for the backside and bevel etching of the substrate, which increases the number of production facilities and increases the production cost due to the increase of such etching devices. In addition, the overall process time is increased because the two devices are used to etch the back and bevel of the substrate.

본 발명은 기판 후면 식각 공정 및 베벨 식각 공정을 한 장치에서 연속적으로 실시할 수 있어 생산 비용을 줄이고 생산 시간을 줄일 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a plasma processing apparatus and a plasma processing method capable of continuously performing a substrate backside etching process and a bevel etching process in one apparatus, thereby reducing production cost and production time.

본 발명은 기판의 후면에서 가장자리를 지지하는 기판 홀더와 기판 홀더를 이동시키는 이동 부재를 구비하여 기판 후면 식각 공정 및 베벨 식각 공정을 연속적으로 실시할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.The present invention provides a plasma processing apparatus and a plasma processing method including a substrate holder supporting an edge at a rear surface of a substrate and a moving member for moving the substrate holder to continuously perform a substrate rear surface etching process and a bevel etching process.

본 발명은 챔버 하부에 마련된 하부 전극을 분리 및 결합이 가능한 제 1 및 제 2 하부 전극으로 구성하고, 내측의 제 1 하부 전극이 기판의 베벨 식각 시 기판 후면을 지지하고 기판의 후면 식각 시 기판의 후면에 반응 가스를 분사하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법을 제공한다.The present invention comprises a lower electrode provided at the lower part of the chamber as the first and second lower electrodes that can be separated and coupled, and the inner lower first electrode supports the rear surface of the substrate during the bevel etching of the substrate. Provided are a plasma processing apparatus and a plasma processing method for spraying a reaction gas on a rear surface thereof.

본 발명의 일 양태에 따른 플라즈마 처리 장치는 챔버; 상기 챔버내의 상부에 마련되고, 비반응 가스를 분사하는 상부 전극; 상기 챔버내의 하부에 상기 상부 전극과 대향 배치되어 결합 및 분리 가능하며, 상기 기판의 베벨 식각 공정에서 상기 기판 베벨이 노출되도록 지지하고, 반응 가스를 분사하는 하부 전극; 상기 상부 전극 및 하부 전극 사이에 마련되어 상기 기판 후면 식각 공정에서 상기 기판 후면의 중앙 영역을 노출하도록 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 베벨 식각 공정에 서 상기 기판 지지부를 이동시켜 상기 기판을 상기 기판 지지부로부터 분리시키는 이동 부재를 포함한다.Plasma processing apparatus according to an aspect of the present invention comprises a chamber; An upper electrode provided in an upper portion of the chamber and injecting an unreacted gas; A lower electrode disposed opposite to the upper electrode in the lower portion of the chamber to be coupled and separated, and supporting the substrate bevel to be exposed in the bevel etching process of the substrate and spraying a reaction gas; A substrate support part provided between the upper electrode and the lower electrode to support a center area of the rear surface of the substrate during the substrate rear surface etching process; And a moving member that moves the substrate support part in the substrate bevel etching process to separate the substrate from the substrate support part.

상기 상부 전극 및 하부 전극은 접지 단자 또는 고주파 전원과 각각 연결된다.The upper electrode and the lower electrode are respectively connected to a ground terminal or a high frequency power supply.

상기 하부 전극은 플레이트 형상으로 중앙에 위치하는 제 1 하부 전극; 및 상기 제 1 하부 전극과 분리되어 상기 제 1 하부 전극의 외곽에 위치하는 제 2 하부 전극을 포함한다.The lower electrode may include a first lower electrode centrally located in a plate shape; And a second lower electrode separated from the first lower electrode and positioned outside the first lower electrode.

상기 상부 전극 하부면에 형성된 비반응 가스 분사구; 상기 제 1 하부 전극의 상부면에 형성된 제 1 반응 가스 분사구; 및 상기 제 2 하부 전극의 요홈부를 제외한 상부면 또는 측면에 형성된 제 2 반응 가스 분사구를 더 포함한다.An unreacted gas injection hole formed in the lower surface of the upper electrode; A first reaction gas injection hole formed on an upper surface of the first lower electrode; And a second reaction gas injection hole formed on an upper surface or a side surface of the second lower electrode except for the recess portion of the second lower electrode.

상기 상부 전극의 하부면에 상기 비반응 가스 분사구와 분리되어 형성된 제 3 반응 가스 분사구를 더 포함한다.The lower surface of the upper electrode further comprises a third reaction gas injection port formed separately from the non-reaction gas injection port.

상기 상부 전극과 이격되고, 상기 챔버 상부에 형성되는 제 3 반응 가스 분사구를 더 포함한다.A third reaction gas injection port spaced apart from the upper electrode and formed in the upper portion of the chamber is further included.

상기 기판 지지부는 상기 기판을 지지하는 기판 홀더; 및 상기 기판 홀더를 상기 하부 전극의 하부 측면에 연결시키는 완충 부재를 포함한다.The substrate support may include a substrate holder supporting the substrate; And a buffer member connecting the substrate holder to the lower side of the lower electrode.

상기 기판 홀더는 상기 하부 전극의 상부 표면보다 높은 위치에 마련된다.The substrate holder is provided at a position higher than an upper surface of the lower electrode.

상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체; 상기 몸체의 내부 공간에 마련된 탄성 부재; 및 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함한다.The buffer member has a body provided with an inner space to open the upper portion; An elastic member provided in an inner space of the body; And a holder support provided on an upper portion of the elastic member and extending to protrude upward of the body.

상기 상부 전극과 이격되어 상기 챔버의 상부에 마련된 하드 스토퍼를 더 포함한다.It further comprises a hard stopper provided on the upper portion of the chamber spaced apart from the upper electrode.

상기 이동 부재는 상기 챔버 상부로부터 상기 챔버 내부로 일부 관통하도록 형성된다.The moving member is formed to partially penetrate into the chamber from an upper portion of the chamber.

상기 이동 부재는 상하 이동 가능하고, 하방으로 이동하여 상기 기판 홀더를 하방으로 밀어 이동시킨다.The movable member is movable up and down, and moves downward to push the substrate holder downward.

상기 이동 부재는 상기 챔버 하부로부터 상기 챔버 내부를 일부 관통하도록 형성되며, 상기 기판 홀더와 연결 형성된다.The moving member is formed to partially penetrate the inside of the chamber from a lower portion of the chamber and is connected to the substrate holder.

상기 이동 부재는 상기 기판 홀더를 하방으로 당겨 이동시킨다.The moving member pulls the substrate holder downward to move it.

상기 제 1 하부 전극의 하부에 연결되어 상기 제 1 하부 전극을 승하강시키는 제 1 승강 부재; 및 상기 제 2 하부 전극의 하부에 연결되어 상기 제 2 하부 전극을 승하강시키는 제 2 승강 부재를 더 포함한다.A first elevating member connected to a lower portion of the first lower electrode to move the first lower electrode up and down; And a second elevating member connected to a lower portion of the second lower electrode to lower the second lower electrode.

상기 제 1 승강 부재는 상기 제 2 승강 부재 내부에 삽입된다.The first elevating member is inserted into the second elevating member.

본 발명의 다른 양태에 따른 플라즈마 처리 방법은 기판을 챔버 내로 인입시킨 후 상기 챔버 상부에 마련된 상부 전극의 하부면으로부터 비반응 가스를 분사하고 상기 챔버 하부에 마련되어 분리 및 결합이 가능한 제 1 및 제 2 하부 전극의 상부면으로부터 반응 가스를 분사하여 상기 챔버 내에서 상기 기판의 후면 및 베벨을 연속적으로 식각한다.Plasma processing method according to another aspect of the present invention is the first and second injecting a non-reactive gas from the lower surface of the upper electrode provided in the chamber after the substrate is introduced into the chamber and provided in the lower portion of the chamber to be separated and combined The reaction gas is injected from the upper surface of the lower electrode to continuously etch the back surface and the bevel of the substrate in the chamber.

상기 기판을 챔버 내로 인입시키는 단계; 및 상기 기판을 기판 홀더에 안착 시켜 기판 후면을 식각하고 상기 기판을 제 1 하부 전극의 상부면에 안착시켜 기판 베벨을 식각하는 단계를 포함한다.Introducing the substrate into a chamber; And etching the back surface of the substrate by mounting the substrate on the substrate holder, and etching the substrate bevel by seating the substrate on the upper surface of the first lower electrode.

상기 기판 후면을 식각하는 단계는, 상기 기판이 안착된 기판 홀더와 상기 제 1 및 제 2 하부 전극을 동시에 상승시키는 단계; 및 상기 기판 상부에 비반응 가스를 분사하고 상기 기판 후면에 상기 제 1 하부 전극 상부면 또는 제 1 및 제 2 하부 전극의 상부면으로부터 반응 가스를 분사하여 상기 기판 후면을 식각하는 단계를 포함한다.Etching the back surface of the substrate may include simultaneously raising the substrate holder on which the substrate is seated and the first and second lower electrodes; And etching the rear surface of the substrate by injecting an unreacted gas into the upper surface of the substrate and injecting a reactive gas into the rear surface of the substrate from the upper surface of the first lower electrode or the upper surface of the first and second lower electrodes.

상기 기판 홀더는 하드 스토퍼에 접촉되어 정지된다.The substrate holder is brought into contact with the hard stopper and stopped.

상기 기판 베벨을 식각하는 단계는, 상기 기판 홀더를 하부로 이동시키고 상기 제 1 하부 전극을 상승시켜 상기 기판을 상기 제 1 하부 전극 상부에 안착시키는 단계; 및 상기 기판 상부에 비반응 가스를 분사하고 상기 기판 베벨에 상기 제 2 하부 전극의 상부면으로부터 반응 가스를 분사하여 상기 기판 베벨을 식각하는 단계를 포함한다.Etching the substrate bevel may include: seating the substrate on the first lower electrode by moving the substrate holder downward and raising the first lower electrode; And etching the substrate bevel by injecting an unreacted gas over the substrate and injecting a reaction gas into the substrate bevel from an upper surface of the second lower electrode.

상기 기판 홀더는 홀더 이동 부재에 의해 하부로 이동된다.The substrate holder is moved downward by a holder moving member.

본 발명은 기판의 가장자리를 지지하는 기판 홀더와 기판 홀더를 이동시키는 이동 부재를 구비하고, 하부 전극을 분리 및 결합이 가능한 제 1 및 제 2 하부 전극으로 구성한다. 여기서, 제 1 하부 전극이 제 2 하부 전극의 내측에 마련되도록 한다. 그리고, 제 1 하부 전극이 기판의 후면 식각 시 반응 가스를 분사하고, 기판 의 베벨 식각 시 상승하여 기판 후면을 지지하도록 한다. 따라서, 기판 홀더가 기판 후면의 가장자리를 지지하도록 하여 기판 후면 식각 공정을 실시하고, 이동 부재를 이용하여 기판 홀더를 하방으로 이동시키고 제 1 하부 전극이 상승하여 기판 후면을 지지하도록 하여 기판 베벨 식각 공정을 실시한다.The present invention includes a substrate holder for supporting an edge of the substrate and a moving member for moving the substrate holder, and constitutes the first and second lower electrodes capable of separating and coupling the lower electrode. Here, the first lower electrode is provided inside the second lower electrode. In addition, the first lower electrode injects a reaction gas when the backside of the substrate is etched, and rises during the bevel etching of the substrate to support the backside of the substrate. Therefore, the substrate backside etching process is performed by allowing the substrate holder to support the edge of the back side of the substrate, and the substrate bevel etching process is performed by using the moving member to move the substrate holder downward and the first lower electrode to rise to support the back side of the substrate. Is carried out.

본 발명에 의하면, 동일한 플라즈마 처리 장치에서 기판 후면 식각 공정 및 기판 베벨 식각 공정을 연속적으로 실시할 수 있다. 따라서, 종래에 비해 플라즈마 처리 장치의 수를 줄일 수 있고, 이에 따라 생산 시간 및 생산 비용을 줄일 수 있다.According to the present invention, the substrate backside etching process and the substrate bevel etching process can be continuously performed in the same plasma processing apparatus. Therefore, the number of plasma processing apparatuses can be reduced as compared with the related art, and thus production time and production cost can be reduced.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한, 도면상의 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Also, like reference numerals in the drawings refer to like elements.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도로서, 기판 후면 식각 공정 및 베벨 식각 공정을 연속적으로 실시할 수 있는 플라즈마 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 단면도이다. 또한, 도 2는 본 발명에 따른 하부 기판의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention, which is a cross-sectional view for describing a configuration of a plasma processing apparatus capable of continuously performing a substrate backside etching process and a bevel etching process. 2 is a cross-sectional view of the lower substrate according to the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치 는 챔버(100)와, 챔버(100) 내의 상부에 마련되어 접지 단자와 연결되는 상부 전극(200)과, 챔버(100) 내의 하부에 마련되어 기판(S)을 지지하는 기판 지지부(300)와, 챔버(100) 내의 상부에 마련되고 기판 지지부(300)와 접촉되어 상부 전극(200)과 기판(S)의 간격을 유지하는 하드 스토퍼(400)와, 기판 지지부(300)의 일부가 일측에 고정되고 전원(510)이 인가되는 하부 전극(500)과, 기판 지지부(300)와 하부 전극(500)을 승하강시키는 승강 부재(600)를 포함한다. 또한, 기판 지지부(300)를 이동시키는 이동 부재(700)을 더 포함한다. 그리고, 하부 전극(500)은 분리 및 결합이 가능한 제 1 하부 전극(500A) 및 제 2 하부 전극(500B)으로 구성된다. 제 1 하부 전극(500A)의 상부면에는 기판(S)의 후면 식각을 위한 반응 가스를 공급하는 제 1 반응 가스 분사구(530)가 형성된다. 그리고, 제 2 하부 전극(500B)의 측면 또는 상부면에는 기판(S)의 베벨 식각을 위한 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 분사구(560)가 형성될 수 있다. 여기서, 제 2 반응 가스 분사구(560)는 기판(S)의 후면 식각 시 반응 가스를 공급할 수도 있다.1 and 2, a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100, an upper electrode 200 provided at an upper portion of the chamber 100 and connected to a ground terminal, and a chamber 100. The substrate support part 300 provided in the lower portion of the substrate to support the substrate S, and the substrate support part 300 provided in the upper portion of the chamber 100 and in contact with the substrate support part 300 to maintain a distance between the upper electrode 200 and the substrate S. A hard stopper 400, a lower part of the substrate supporting part 300 fixed to one side, and a lower electrode 500 to which a power source 510 is applied, and a lowering method of raising and lowering the substrate supporting part 300 and the lower electrode 500. The member 600 is included. The apparatus further includes a moving member 700 for moving the substrate support 300. The lower electrode 500 is composed of a first lower electrode 500A and a second lower electrode 500B, which can be separated and combined. A first reaction gas injection hole 530 is formed on the upper surface of the first lower electrode 500A to supply a reaction gas for etching the rear surface of the substrate S. In addition, a second reaction gas injection hole 560 may be formed on the side surface or the top surface of the second lower electrode 500B to supply the reaction gas for the bevel etching of the substrate S. Here, the second reaction gas injection hole 560 may supply a reaction gas when the back side of the substrate S is etched.

챔버(100)는 통상 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성되고, 내부에는 기판(S)을 처리할 수 있도록 소정 공간이 마련된다. 본 실시 예에서는 챔버(100)를 원통형 또는 사각 박스 형상으로 형성하였으나, 이에 한정되지 않고 기판(S)의 형상에 대응되는 형상으로 형성될 수 있다. 챔버(100)의 일측벽에는 기판(S)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 형성되며, 챔버(100)의 하부면에는 식각 공정시 발생되는 파티클 등의 반응 부산물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기부(120)가 마련된다. 이때, 배기부(120)에는 챔버(100) 내의 불순물을 챔버(100) 외부로 배기하기 위한 배기 수단(130), 예를 들어 진공 펌프가 연결된다. 본 실시 예에서는 챔버(100)를 일체형으로 설명하였지만, 챔버(100)를 상부가 개방된 하부 챔버와, 하부 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드로 분리하여 구성할 수도 있다.The chamber 100 is usually formed in a cylindrical or rectangular box shape, and a predetermined space is provided inside the chamber 100 so as to process the substrate S. In the present embodiment, the chamber 100 is formed in a cylindrical or rectangular box shape, but is not limited thereto and may be formed in a shape corresponding to the shape of the substrate S. A substrate entrance 110 through which the substrate S is introduced and drawn out is formed on one side wall of the chamber 100, and reaction by-products such as particles generated during an etching process are formed on the lower surface of the chamber 100 outside the chamber 100. An exhaust unit 120 for exhausting the furnace is provided. At this time, the exhaust unit 120 is connected to the exhaust means 130, for example a vacuum pump for exhausting the impurities in the chamber 100 to the outside of the chamber 100. In the present embodiment, the chamber 100 has been described as an integrated unit, but the chamber 100 may be divided into a lower chamber having an upper opening and a chamber lead covering the upper part of the lower chamber.

상부 전극(200)은 챔버(200)의 상부 내측면에 돌출 형성되고, 예를들어 원형의 플레이트 형상으로 형성된다. 상부 전극(200)은 접지 단자와 연결되어 고주파 전원(540)이 인가되는 하부 전극(500)과의 전위차에 의해 플라즈마가 발생되도록 한다. 상부 전극(200)은 기판(S)의 직경보다 큰 직경으로 형성될 수 있고, 베벨 영역을 제외한 영역, 즉 기판(S) 중심 영역의 직경과 동일하게 형성될 수 있다. 또한, 상부 전극(200)에는 복수의 비반응 가스 분사구(230)가 형성된다. 비반응 가스 분사구(230)는 기판(S)의 후면 및 베벨 식각 공정시 기판(S)의 상면이 플라즈마에 의해 손상되지 않도록 기판(S) 상면에 비반응 가스를 분사한다. 이를 위해 비반응 가스 분사구(230)는 상부 전극(200)의 하부면에 전체적으로 형성될 수 있으며, 바람직하게는 기판(S)의 상면과 대응되는 영역의 상부 전극(200)의 하부면에 형성될 수도 있다. 비반응 가스 분사구(230)는 원형, 타원형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 그리고, 비반응 가스 분사구(230)는 비반응 가스 공급부(210)와 연통된다. 비반응 가스 공급부(210)를 통해 공급되는 비반응 가스는 수소, 질소 또는 불활성 가스일 수 있으며, 이외의 비반응성 가스, 즉 기판(S)의 상면과 반응하지 않는 가스일 수 있다. 또한, 기판(S)은 반도체 소자를 제조하기 위한 웨이퍼 또는 표시 장치를 제조하기 위한 유리 기판 등일 수 있으며, 기판(S)의 상면은 소정의 박막 패턴을 갖는 소자가 형성된 면일 수 있고, 그 이외에 기판(S)의 식각이 요구되 지 않는 면일 수도 있다. 한편, 상부 전극(200)의 내부에는 챔버(100) 외부에 구성된 냉각수 순환 수단(미도시)과 연결된 냉각 유로(미도시)가 구비될 수 있다.The upper electrode 200 protrudes from the upper inner surface of the chamber 200, for example, is formed in a circular plate shape. The upper electrode 200 is connected to the ground terminal so that the plasma is generated by the potential difference with the lower electrode 500 to which the high frequency power source 540 is applied. The upper electrode 200 may be formed to have a diameter larger than the diameter of the substrate S, and may be formed to be the same as the diameter of the region excluding the bevel region, that is, the center region of the substrate S. FIG. In addition, a plurality of unreacted gas injection holes 230 are formed in the upper electrode 200. The non-reactive gas injection port 230 injects unreacted gas onto the upper surface of the substrate S so that the back surface of the substrate S and the upper surface of the substrate S are not damaged by the plasma during the bevel etching process. To this end, the unreacted gas injection hole 230 may be formed entirely on the lower surface of the upper electrode 200, and preferably, may be formed on the lower surface of the upper electrode 200 in a region corresponding to the upper surface of the substrate S. It may be. The non-reactive gas injection port 230 may be formed in various shapes such as a circle and an oval. In addition, the unreacted gas injection port 230 communicates with the unreacted gas supply unit 210. The non-reactive gas supplied through the non-reactive gas supply unit 210 may be hydrogen, nitrogen, or an inert gas, and may be other non-reactive gas, that is, a gas that does not react with the top surface of the substrate S. In addition, the substrate S may be a wafer for manufacturing a semiconductor device or a glass substrate for manufacturing a display device, and the upper surface of the substrate S may be a surface on which an element having a predetermined thin film pattern is formed. It may also be the side where etching of (S) is not required. Meanwhile, a cooling passage (not shown) connected to a cooling water circulation means (not shown) configured outside the chamber 100 may be provided inside the upper electrode 200.

기판 지지부(300)는 외부로부터 인입되는 기판(S)이 안착되는 리프트 핀(310)과, 기판(S)의 후면 가장자리 부분을 지지하는 기판 홀더(320)와, 기판 홀더(320)와 하부 전극(500) 사이에 연결된 완충 부재(330)를 포함한다.The substrate support part 300 includes a lift pin 310 on which a substrate S drawn from the outside is seated, a substrate holder 320 supporting a rear edge portion of the substrate S, a substrate holder 320 and a lower electrode. And a buffer member 330 connected between the 500.

리프트 핀(310)은 하부 전극(500)을 관통하여 상하부로 돌출되도록 형성되고, 하부 전극(500)과 함께 상승 및 하강 운동할 수 있다. 리프트 핀(310)에는 기판 출입구(110)를 통해 외부로부터 챔버(100) 내부로 인입된 기판(S)이 안착된다. 리프트 핀(310)은 기판(S)의 후면을 안정적으로 지지하도록 하기 위해 복수개, 바람직하게는 3개 이상으로 형성될 수 있다.The lift pin 310 is formed to protrude upward and downward through the lower electrode 500, and may move up and down with the lower electrode 500. The substrate S drawn into the chamber 100 from the outside through the substrate entrance 110 is seated on the lift pin 310. The lift pins 310 may be formed in plural, preferably three or more, to stably support the rear surface of the substrate S.

기판 홀더(320)는 리프트 핀(310)의 상부에 안착된 기판(S)의 후면 가장자리를 지지하여 하부 전극(500)과 동시에 상승 및 하강 운동하여 기판(S)을 공정 위치로 배치시킨다. 기판 홀더(320)는 기판(S)이 안착되는 안착부(321)와, 안착부(321)의 하부를 지지하는 측벽부(323)를 포함한다. 안착부(321)는 소정 폭을 갖는 원형의 링 형상으로 형성될 수 있는데, 이 경우 안착부(321)의 상부면에는 기판(S)의 후면 가장자리의 거의 전체가 안착된다. 또한, 안착부(321)상에는 내측으로 오목하게 형성된 복수의 홈(322)이 형성될 수 있다. 홈(322)은 기판(S)을 공정 위치에 배치시키기 위해 기판 홀더(320)를 상승시킬 경우 챔버(100)내의 상부에 마련된 하드 스토퍼(400)와 접촉될 수 있다. 따라서, 기판 홀더(320)의 홈(322)과 하드 스토퍼(400)가 접촉됨에 의해 하부 전극(100)과 기판(S)이 소정 간격, 예를들어 0.5㎜ 정도의 간격을 유지하게 된다. 이때, 안착부(321)의 상부에 형성된 다수의 홈(322)은 생략될 수도 있다. 또한, 안착부(321)는 원형의 링 형상으로 형성되었지만, 기판(S)의 형상에 따라 변경될 수 있다. 측벽부(323)는 중심부가 상하 관통 형성된 원통형으로 형성되고, 측벽부(323)의 상부면은 안착부(321)의 하부면과 결합된다. 여기서, 측벽부(323)는 별도의 결합 부재에 의해 안착부(321)와 결합될 수 있고, 접착 부재에 의해 접착될 수도 있다. 또한, 측벽부(323)에는 좌우로 관통 형성된 배기 구멍(324)이 복수개 형성되고, 배기 구멍(324)은 상부 전극(200)으로부터 분사되는 반응 가스를 배기시키는 역할을 한다. 여기서, 배기 구멍(324)은 원형 또는 다각 형상으로 형성될 수 있으며, 원형 및 다각 형상의 배기 구멍(324)이 조합되어 사용될 수도 있다. 또한, 측벽부(323)의 하부면에는 측벽부(323)의 외측으로 돌출되도록 지지부(325)가 더 형성될 수 있으며, 이러한 지지부(325)는 기판 홀더(320)와 하부 전극(500) 사이에 연결되는 완충 부재(330)의 상부와 연결된다.The substrate holder 320 supports the rear edge of the substrate S mounted on the upper part of the lift pin 310 and moves the substrate S up and down simultaneously with the lower electrode 500 to place the substrate S in the process position. The substrate holder 320 includes a seating portion 321 on which the substrate S is mounted, and a sidewall portion 323 supporting a lower portion of the seating portion 321. The seating portion 321 may be formed in a circular ring shape having a predetermined width. In this case, almost the entirety of the rear edge of the substrate S may be seated on the upper surface of the seating portion 321. In addition, a plurality of grooves 322 may be formed on the seating portion 321 to be recessed inwardly. The groove 322 may be in contact with the hard stopper 400 provided in the upper portion of the chamber 100 when raising the substrate holder 320 to place the substrate (S) in the process position. Therefore, when the groove 322 of the substrate holder 320 and the hard stopper 400 are in contact with each other, the lower electrode 100 and the substrate S maintain a predetermined interval, for example, about 0.5 mm. In this case, the plurality of grooves 322 formed on the seating portion 321 may be omitted. In addition, the seating portion 321 is formed in a circular ring shape, but may be changed according to the shape of the substrate (S). The side wall portion 323 is formed in a cylindrical shape with a central portion penetrating up and down, and an upper surface of the side wall portion 323 is coupled to a lower surface of the seating portion 321. Here, the side wall portion 323 may be coupled to the seating portion 321 by a separate coupling member, it may be bonded by an adhesive member. In addition, a plurality of exhaust holes 324 penetrated from side to side are formed in the side wall part 323, and the exhaust holes 324 serve to exhaust the reaction gas injected from the upper electrode 200. Here, the exhaust hole 324 may be formed in a circular or polygonal shape, the circular and polygonal exhaust hole 324 may be used in combination. In addition, a support part 325 may be further formed on a lower surface of the side wall part 323 so as to protrude to the outside of the side wall part 323, and the support part 325 may be formed between the substrate holder 320 and the lower electrode 500. It is connected to the top of the buffer member 330 is connected to.

완충 부재(330)는 하부 전극(500)과 기판 홀더(320) 사이에 마련되어 기판 홀더(320)를 하부 전극(500)에 연결시킨다. 또한, 완충 부재(330)는 수축 및 이완 작용하며, 이동 부재(700)에 의해 하방으로 이동하는 기판 홀더(320)의 일부를 수축에 의해 수납하고, 이완되어 기판 홀더(320)를 복귀시킨다. 이러한 완충 부재(330)는 몸체(331)와, 몸체(331) 내에 마련된 탄성 부재(332)와, 탄성 부재(332)의 상부에 마련된 홀더 지지대(333)를 포함한다. 몸체(331)는 원통형 또는 다각 형상으로 형성되고, 몸체(331)의 내부에는 상부가 개방된 소정 공간이 마련된다. 몸체(331) 내부의 공간에는 탄성 부재(332)가 마련되며, 탄성 부재(332)는 소정 공간 이 형성된 몸체(331)의 내측 바닥면에 고정되어 수축 및 이완 운동한다. 탄성 부재(332)로는 스프링 등이 이용될 수 있다. 탄성 부재(332)의 상부에는 홀더 지지대(333)가 마련되고, 홀더 지지대(333)는 소정 공간이 형성된 몸체(331)의 내측에 일부가 삽입되어 몸체(331)의 상부로 돌출되도록 연장 형성된다. 여기서, 완충 부재(330)는 하부 전극(500)의 외주연에 고정되도록 몸체(331)의 외주연이 절연 플레이트(510)의 외주연에 결합되고, 홀더 지지대(333)의 상부는 기판 홀더(320)의 하부와 결합된다. 또한, 완충 부재(330)는 하부 전극(500)의 외주면에 이격되도록 복수개가 마련될 수 있으며, 복수개의 완충 부재(333)는 절연 플레이트(510)의 외주면을 따라 결합될 수 있다.The buffer member 330 is provided between the lower electrode 500 and the substrate holder 320 to connect the substrate holder 320 to the lower electrode 500. In addition, the shock absorbing member 330 contracts and relaxes, and a portion of the substrate holder 320 moving downward by the moving member 700 is accommodated by contraction, and is relaxed to return the substrate holder 320. The buffer member 330 includes a body 331, an elastic member 332 provided in the body 331, and a holder support 333 provided on the elastic member 332. The body 331 is formed in a cylindrical or polygonal shape, and the inside of the body 331 is provided with a predetermined space with an open top. An elastic member 332 is provided in a space inside the body 331, and the elastic member 332 is fixed to an inner bottom surface of the body 331 in which a predetermined space is formed to contract and relax. A spring or the like may be used as the elastic member 332. A holder support 333 is provided at an upper portion of the elastic member 332, and the holder support 333 is extended to protrude to the upper portion of the body 331 by inserting a portion inside the body 331 having a predetermined space. . Here, the buffer member 330 is coupled to the outer periphery of the insulating plate 510 so that the outer periphery of the body 331 is fixed to the outer periphery of the lower electrode 500, the upper portion of the holder support 333 is a substrate holder ( And the bottom of 320). In addition, a plurality of buffer members 330 may be provided to be spaced apart from the outer circumferential surface of the lower electrode 500, and the plurality of buffer members 333 may be coupled along the outer circumferential surface of the insulating plate 510.

하드 스토퍼(400)은 상부 전극(200)과 수평 방향으로 이격되어 챔버(100)의 상부 내측면에 형성되며, 하부의 기판 홀더(320)를 향해 돌출 형성된다. 또한, 하드 스토퍼(400)는 기판(S)의 후면 및 베벨 세정시 상부 전극(200)과 기판(S)의 상면이 소정 간격, 예를들어 0.5㎜ 이하의 간격으로 유지되도록 한다. 즉, 하드 스토퍼(210)는 상승하는 기판 홀더(320)의 상부, 특히 홈(322)과 접촉하게 되며, 이에 의해 기판 홀더(320)에 지지된 기판(S)은 상부 전극(200)의 하부면과 미리 정해 놓은 간격으로 정확하게 유지할 수 있다. 이때, 하드 스토퍼(400)는 상부 전극(200)의 하부면에 대하여 그 외곽에 폐곡선을 이루는 원형의 링 형상으로 형성될 수 있으며, 분할된 링 형상으로 형성될 수도 있다. 또한, 하드 스토퍼(400)의 돌출 길이는 상부 전극(200)의 폭과 기판(S)의 두께, 그리고 홈(322)의 깊이와 상부 전극(200)과 기판(S)의 간격 등에 따라 결정될 수 있다.The hard stopper 400 is spaced apart from the upper electrode 200 in the horizontal direction and is formed on the upper inner surface of the chamber 100, and protrudes toward the lower substrate holder 320. In addition, the hard stopper 400 allows the upper electrode 200 and the upper surface of the substrate S to be maintained at a predetermined interval, for example, 0.5 mm or less when the back surface of the substrate S and the bevel cleaning. That is, the hard stopper 210 comes into contact with the upper portion of the rising substrate holder 320, particularly the groove 322, whereby the substrate S supported by the substrate holder 320 is lower than the upper electrode 200. It can be kept accurate at faces and at predetermined intervals. In this case, the hard stopper 400 may be formed in a circular ring shape that forms a closed curve on the outer surface of the lower surface of the upper electrode 200, or may be formed in a divided ring shape. In addition, the protruding length of the hard stopper 400 may be determined according to the width of the upper electrode 200, the thickness of the substrate S, the depth of the groove 322, and the distance between the upper electrode 200 and the substrate S. have.

하부 전극(500)은 원형의 플레이트 형상으로 제작되며, 기판(S)의 형상에 대응하는 형상으로 제작되는 것이 바람직하다. 즉, 하부 전극(500)은 기판(S)이 웨이퍼 등의 원형일 경우 원형으로 형성되고, 유리 기판등의 직사각형일 경우 직사각형으로 형성된다. 하부 전극(500)은 도 2에 도시된 바와 같이 분리 및 결합 가능한 제 1 하부 전극(500A) 및 제 2 하부 전극(500B)으로 구성된다. 제 2 하부 전극(500B)은 중심 영역에 마련된 요홈부(500B)와, 요홈부(510B)를 제외한 가장자리 영역에 마련된 상부면(520B)을 포함한다. 또한, 제 1 하부 전극(500A)은 제 2 하부 전극(500B)의 요홈부(510B)에 대응하는 형상 및 크기로 제작된다. 따라서, 제 1 하부 전극(500A)이 제 2 하부 전극(500B)의 요홈부(510B)에 안착되어 제 1 및 제 2 하부 전극(500A 및 500B)이 결합된다. 여기서, 제 1 하부 전극(500A)은 제 2 하부 전극(500B)의 요홈부(510B)로부터 상부면(520B)까지의 높이에 해당하는 두께로 형성된다. 따라서, 제 1 및 제 2 하부 전극(500A 및 500B)이 결합될 경우 제 1 하부 전극(500A)의 상부면(520A)과 제 2 하부 전극(500B)의 상부면(520B)이 단차없이 동일 평면상에 존재한다. 또한, 제 1 하부 전극(500A)은 기판(S)의 사이즈보다 작은 사이즈로 제작될 수 있으며, 예를들어 베벨 영역을 제외한 기판(S)의 사이즈로 제 1 하부 전극(500A)이 제작될 수 있다. 그리고, 제 2 하부 전극(500B)은 기판(S)의 사이즈보다 크게 제작될 수 있다. 한편, 제 1 하부 전극(500A)의 상부면(520A)에는 기판(S)의 후면 식각을 위해 기판(S)의 후면에 반응 가스를 공급하기 위한 복수의 제 1 반응 가스 분사구(530)가 형성된다. 그리고, 제 2 하부 전극(500B)의 상부면(520B)에는 기판(S)의 베벨 식각을 위해 기판(S)의 베벨 영역에 반응 가스를 공 급하기 위한 제 2 반응 가스 분사구(560)가 형성된다. 제 2 반응 가스 분사구(560)는 기판(S) 베벨 식각 뿐만 아니라 기판(S) 후면 식각 시에도 반응 가스를 분사할 수도 있다. 제 1 반응 가스 분사구(530)는 제 1 반응 가스 공급부(520)와 연통되고, 제 2 반응 가스 분사구(560)는 제 2 반응 가스 공급부(550)와 연통된다. 여기서, 제 1 및 제 2 반응 가스 공급구(530 및 560)는 각각 원형, 다각형 등의 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 제 2 하부 전극(500B)에는 제 2 하부 전극(500B)에 고주파 신호를 인가하기 위한 고주파 전원(540)이 마련된다. 고주파 전원(540)에서 인가된 고주파 신호는 제 1 및 제 2 반응 가스 분사구(530 및 560)에서 분사된 반응 가스를 활성화시켜 기판(S)의 하부 공간에 플라즈마를 발생시킨다. 제 1 하부 전극(500A)과 제 2 하부 전극(500B)은 결합되었을 경우 전기적으로 도통된 상태를 유지하기 때문에 제 2 하부 전극(500B)에 인가된 고주파 전원(540)이 제 1 하부 전극(500A)에도 인가된다. 그러나, 제 1 하부 전극(500A)과 제 2 하부 전극(500B)은 분리되었을 경우 전기적으로 절연되어 고주파 전원(540)이 제 1 하부 전극(500A)에 인가되지 않는다. 여기서, 제 1 및 제 2 반응 가스 공급부(520 및 550)를 통해 공급되는 반응 가스는 CF4, CHF4, SF6, NF3, C2F6, C4F8, F2, F2N2 등의 불소계 가스와 BCl3, Cl2 등의 염소계 가스중 적어도 어느 하나일 수 있다. 한편, 하부 전극(500)의 하부에는 절연 플레이트(510)가 마련될 수 있으며, 절연 플레이트(510)는 하부 전극(500)을 지지하는 역할을 한다.The lower electrode 500 is manufactured in a circular plate shape, and preferably manufactured in a shape corresponding to the shape of the substrate S. That is, the lower electrode 500 is formed in a circle when the substrate S is a circle such as a wafer, and is formed in a rectangle when the substrate S is a rectangle such as a glass substrate. The lower electrode 500 is composed of a first lower electrode 500A and a second lower electrode 500B that can be separated and coupled as shown in FIG. 2. The second lower electrode 500B includes a recess 500B provided in the center region and an upper surface 520B provided in the edge region except for the recess 510B. In addition, the first lower electrode 500A is manufactured in a shape and size corresponding to the recess 510B of the second lower electrode 500B. Therefore, the first lower electrode 500A is seated in the recess 510B of the second lower electrode 500B, and the first and second lower electrodes 500A and 500B are coupled to each other. Here, the first lower electrode 500A is formed to have a thickness corresponding to the height from the recess 510B to the upper surface 520B of the second lower electrode 500B. Therefore, when the first and second lower electrodes 500A and 500B are coupled, the upper surface 520A of the first lower electrode 500A and the upper surface 520B of the second lower electrode 500B are coplanar without a step. Present in the phase. In addition, the first lower electrode 500A may be manufactured in a smaller size than the size of the substrate S. For example, the first lower electrode 500A may be manufactured in a size of the substrate S excluding the bevel area. have. The second lower electrode 500B may be made larger than the size of the substrate S. FIG. Meanwhile, a plurality of first reaction gas injection holes 530 are formed on the upper surface 520A of the first lower electrode 500A to supply the reaction gas to the rear surface of the substrate S for etching the rear surface of the substrate S. do. In addition, a second reaction gas injection hole 560 is formed on the upper surface 520B of the second lower electrode 500B for supplying the reaction gas to the bevel region of the substrate S for the bevel etching of the substrate S. do. The second reaction gas injection hole 560 may inject the reaction gas not only during the bevel etching of the substrate S, but also during the backside etching of the substrate S. FIG. The first reactive gas injection port 530 communicates with the first reactive gas supply unit 520, and the second reactive gas injection port 560 communicates with the second reactive gas supply unit 550. Here, the first and second reaction gas supply ports 530 and 560 may be formed in various shapes such as a circle and a polygon, respectively. In addition, the second lower electrode 500B is provided with a high frequency power source 540 for applying a high frequency signal to the second lower electrode 500B. The high frequency signal applied from the high frequency power source 540 activates the reaction gas injected from the first and second reaction gas injection holes 530 and 560 to generate plasma in the lower space of the substrate S. When the first lower electrode 500A and the second lower electrode 500B are electrically connected, the high frequency power source 540 applied to the second lower electrode 500B is connected to the first lower electrode 500A. Is also applied. However, when the first lower electrode 500A and the second lower electrode 500B are separated, the high frequency power source 540 is not applied to the first lower electrode 500A. Here, the reaction gas supplied through the first and second reaction gas supply units 520 and 550 may be CF 4 , CHF 4 , SF 6 , NF 3 , C 2 F 6 , C 4 F 8 , F 2 , F 2 N It may be at least one of fluorine-based gas such as 2 and chlorine-based gas such as BCl 3 , Cl 2 . Meanwhile, an insulating plate 510 may be provided below the lower electrode 500, and the insulating plate 510 may support the lower electrode 500.

승강 부재(600)는 제 1 승강 부재(600A) 및 제 2 승강 부재(600B)를 포함한 다. 제 1 승강 부재(600A)는 제 1 하부 전극(500A)의 하부에 연결되며, 제 1 하부 전극(500A)을 상승시키는 역할을 한다. 또한, 제 2 승강 부재(600B)는 제 2 하부 전극(500B)의 하부에 연결되며, 제 1 하부 전극(500A)과 제 2 하부 전극(500B), 그리고 기판 홀더(320)를 동시에 상승시키는 역할을 한다. 또한, 제 1 승강 부재(600A)는 제 2 승강 부재(600B)에 내부에 삽입된다. 즉, 제 1 승강 부재(600A)와 제 2 승강 부재(600B)는 원통형으로 형성되고, 제 2 승강 부재(600B)가 제 1 승강 부재(600A)보다 직경이 크게 형성되어 제 1 승강 부재(600A)가 제 2 승강 부재(600B)의 내부에 삽입된다. 또한, 제 1 승강 부재(600A)의 내부에는 제 1 반응 가스 공급부(520)이 삽입되고, 제 2 승강 부재(600B) 내부에는 제 2 반응 가스 공급부(550)가 삽입된다. 또한, 제 1 및 제 2 승강 부재(600A 및 600B)를 승강 및 하강시키기 위해 제 1 및 제 2 승강 부재(600A 및 600B)에 구동력을 제공하도록 제 1 및 제 2 승강 부재(600A 및 600B)에는 모터와 같은 구동부(미도시)가 더 연결될 수 있다.The lifting member 600 includes a first lifting member 600A and a second lifting member 600B. The first elevating member 600A is connected to the lower portion of the first lower electrode 500A and serves to raise the first lower electrode 500A. In addition, the second elevating member 600B is connected to the lower portion of the second lower electrode 500B and simultaneously lifts the first lower electrode 500A, the second lower electrode 500B, and the substrate holder 320. Do it. In addition, the first lifting member 600A is inserted into the second lifting member 600B. That is, the first elevating member 600A and the second elevating member 600B are formed in a cylindrical shape, and the second elevating member 600B has a larger diameter than the first elevating member 600A, and thus the first elevating member 600A. ) Is inserted into the second elevating member 600B. In addition, the first reaction gas supply unit 520 is inserted into the first elevating member 600A, and the second reaction gas supply unit 550 is inserted into the second elevating member 600B. In addition, the first and second lifting members 600A and 600B may be provided to provide driving force to the first and second lifting members 600A and 600B to lift and lower the first and second lifting members 600A and 600B. A driver (not shown) such as a motor may be further connected.

이동 부재(700)는 챔버(100) 외부의 상부에 형성되며, 일부가 챔버(100)의 상부벽을 관통하도록 마련된다. 또한, 이동 부재(700)는 탄성을 갖고, 챔버(100)내의 하부를 향해 하강 운동하고 기판 홀더(320)와 접촉되어 기판 홀더(320)를 하부로 이동시키는 역할을 한다. 즉, 이동 부재(700)가 하방으로 이동하여 기판 홀더(320)를 하방으로 밀면, 기판 홀더(320)와 연결된 완충 부재(330)의 홀더 지지대(333)가 탄성 부재(332)의 수축에 의해 하방으로 이동하고, 그에 따라 기판 홀더(320)의 안착부(321)가 초기 위치보다 아래로 내려가게 된다. 이러한 이동 부 재(700)는 수평부(710)와, 수평부(710)로부터 하방으로 수직 연장된 수직부(720)와, 수직부(720)의 일부를 감싸도록 형성된 탄성 부재(730)를 포함한다. 수평부(710)는 챔버(100) 상부벽과 수평하도록 형성된다. 수직부(720)는 수평부(710)의 예를들어 하부면 중앙부로부터 하방으로 연장되어 챔버(100)의 상부벽을 관통하여 챔버(100) 내부의 하방으로 돌출되어 기판 홀더(320)와 접촉된다. 탄성 부재(730)는 수평부(710)의 하부면으로부터 챔버(100)의 상부 외벽까지 수직부(720)를 감싸도록 형성되고, 외기로부터 챔버(100)를 밀폐시킨다. 탄성 부재(730)는 벨로우즈 등을 이용할 수 있으며, 탄성 부재(730)에 의해 이동 부재(700)는 탄성을 갖게 된다. 또한, 이동 부재(700)는 원형의 링 형상으로 형성될 수도 있는데, 이 경우 기판 홀더(320) 또한 원형의 링 형상으로 형성될 수 있다. 이동 부재(700)는 원형의 링 형상 뿐만 아니라 복수개로 분리 형성될 수도 있는데, 이 경우 서로 대칭적으로 분리된 3개 이상의 부재로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 이동 부재(700)를 상승 및 하강시키기 위해 이동 부재(700)의 구동력을 제공하도록 이동 부재(700)에는 모터 또는 에어 실린더 등의 구동부(미도시)가 더 연결될 수 있다.The moving member 700 is formed at an upper portion of the outside of the chamber 100, and a portion thereof is provided to penetrate the upper wall of the chamber 100. In addition, the movable member 700 is elastic, and moves downward toward the bottom in the chamber 100 and contacts the substrate holder 320 to move the substrate holder 320 downward. That is, when the moving member 700 moves downward to push the substrate holder 320 downward, the holder support 333 of the buffer member 330 connected to the substrate holder 320 is contracted by the elastic member 332. Moving downward, the seating portion 321 of the substrate holder 320 is lowered below the initial position. The moving member 700 includes a horizontal portion 710, a vertical portion 720 vertically extending downward from the horizontal portion 710, and an elastic member 730 formed to surround a portion of the vertical portion 720. Include. The horizontal portion 710 is formed to be horizontal with the upper wall of the chamber 100. The vertical portion 720 extends downward from the center portion of the lower surface of the horizontal portion 710, for example, and penetrates the upper wall of the chamber 100 and protrudes downward inside the chamber 100 to contact the substrate holder 320. do. The elastic member 730 is formed to surround the vertical portion 720 from the lower surface of the horizontal portion 710 to the upper outer wall of the chamber 100, and seals the chamber 100 from the outside air. The elastic member 730 may use a bellows or the like, and the movable member 700 may have elasticity by the elastic member 730. In addition, the moving member 700 may be formed in a circular ring shape, in this case, the substrate holder 320 may also be formed in a circular ring shape. The moving member 700 may be formed as a plurality of separate rings as well as a circular ring shape, in which case it is preferably formed of three or more members symmetrically separated from each other. In addition, a driving unit (not shown) such as a motor or an air cylinder may be further connected to the moving member 700 to provide a driving force of the moving member 700 to raise and lower the moving member 700.

한편, 이동 부재(700)는 다양한 형상으로 형성되고, 다양한 위치에 마련될 수 있는데, 예를들어 이동 부재(700)가 챔버(100)의 하부에 형성될 수 있다. 이 경우 이동 부재(700)는 기판 홀더(320)와 연결되도록 형성되고, 완충 부재(330)의 몸체(331) 내의 탄성 부재(332)는 설치하지 않을 수 있다. 즉, 이동 부재(700)는 완충 부재(330)의 몸체(331) 내에서 홀더 지지대(333)와 연결되도록 설치된다. 그리 고, 하부 전극(500)의 상승 운동 시 기판 홀더(320)와 이동 부재(700)가 함께 상승하여 기판 홀더(320)가 기판(S)을 지지하도록 하여 기판 후면 식각 공정을 실시한다. 또한, 하부 전극(500)이 더욱 상승하여 기판(S) 후면을 지지하는 경우 이동 부재(700)가 기판 홀더(320)를 하부로 당겨 기판 홀더(320)가 하부로 이동되도록 하여 기판 베벨 식각 공정을 실시한다.Meanwhile, the moving member 700 may be formed in various shapes and provided at various positions. For example, the moving member 700 may be formed under the chamber 100. In this case, the moving member 700 may be formed to be connected to the substrate holder 320, and the elastic member 332 in the body 331 of the buffer member 330 may not be installed. That is, the moving member 700 is installed to be connected to the holder support 333 in the body 331 of the buffer member 330. In addition, during the upward movement of the lower electrode 500, the substrate holder 320 and the moving member 700 are raised together to support the substrate S so that the substrate back side etching process is performed. In addition, when the lower electrode 500 is further raised to support the rear surface of the substrate S, the moving member 700 pulls the substrate holder 320 downward so that the substrate holder 320 is moved downward so that the substrate bevel etching process is performed. Is carried out.

그리고, 상기 실시 예에서 기판(S)의 베벨 식각 시 반응 가스를 공급하는 제 2 반응 가스 분사구(560)는 제 2 하부 전극(500B)의 상부면(520B)에 형성되는 것으로 설명하였으나, 제 2 하부 전극(500B)의 측면에 제 2 반응 가스 분사구(560)가 형성될 수 있다. 또한, 상부 전극(200)에도 제 3 반응 가스 분사구가 형성될 수 있고, 상부 전극(200)과 이격되어 챔버(100) 상부 내측벽에도 제 3 반응 가스 분사구가 형성될 수 있다. 제 3 반응 가스 분사구는 기판(S)의 베벨 식각과 후면 식각시 반응 가스를 분사한다.In the above embodiment, the second reaction gas injection hole 560 for supplying the reaction gas during the bevel etching of the substrate S is described as being formed on the upper surface 520B of the second lower electrode 500B. The second reaction gas injection hole 560 may be formed on the side surface of the lower electrode 500B. In addition, a third reaction gas injection hole may be formed in the upper electrode 200, and a third reaction gas injection hole may be formed in the upper inner wall of the chamber 100 spaced apart from the upper electrode 200. The third reaction gas injection hole injects the reaction gas during the bevel etching and the backside etching of the substrate S.

상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치는 기판(S)을 지지하는 기판 홀더(320)가 상승하여 하드 스토퍼(400)에 결합되어 기판(S)이 상부 전극(200)과 소정 간격을 이루도록 한 후 기판(S)의 후면 식각 공정을 실시하고, 기판(S)이 제 1 하부 전극(500A)의 상부면에 지지되도록 제 1 하부 전극(500A)을 상승 이동하고 이동 부재(700)에 의해 기판 홀더(320)를 하방으로 이동시켜 기판(S)의 베벨 식각 공정이 실시된다. 이러한 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법을 도 3 내지 도 5를 이용하여 설명하면 다음과 같다.In the plasma processing apparatus according to the embodiment of the present invention configured as described above, the substrate holder 320 supporting the substrate S is raised to be coupled to the hard stopper 400 so that the substrate S is the upper electrode 200. And a predetermined distance therebetween to perform a back etching process of the substrate S, and move the first lower electrode 500A upwardly so that the substrate S is supported on the upper surface of the first lower electrode 500A. The substrate holder 320 is moved downward by the 700 to perform a bevel etching process of the substrate S. Referring to FIG. The plasma processing method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 5 as follows.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법의 공정 흐름도이고, 도 4 및 도 5는 플라즈마 처리 방법에 따른 기판 후면 세정 및 기판 베벨 세정의 각 단계에서 플라즈마 처리 장치의 단면도를 각각 도시한 것이다.3 is a process flowchart of a plasma processing method according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 4 and 5 are cross-sectional views of the plasma processing apparatus at each stage of substrate back cleaning and substrate bevel cleaning according to the plasma processing method, respectively. will be.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법은 기판(S)을 챔버(100) 내로 인입하는 단계(S100)와, 기판(S)을 기판 홀더(320)에 로딩하는 단계(S200)와, 기판 홀더(320)와 하부 전극(500)을 동시에 상승시키는 단계(S300)와, 기판(S)의 후면을 식각하는 단계(S400)와, 기판 홀더(320)를 하방으로 이동시켜 제 1 하부 전극(500A) 상부면에 기판(S)이 지지되도록 하는 단계(S500)와, 기판(S)의 베벨을 식각하는 단계(S600)와, 기판(S)을 인출하는 단계(S700)를 포함한다. Referring to FIG. 3, in the plasma processing method according to an exemplary embodiment, the step S100 is introduced into the chamber 100, and the substrate S is loaded into the substrate holder 320. (S200), simultaneously raising the substrate holder 320 and the lower electrode 500 (S300), etching the rear surface of the substrate S (S400), and moving the substrate holder 320 downward. To make the substrate S supported on the upper surface of the first lower electrode 500A (S500), to etch the bevel of the substrate S (S600), and to pull out the substrate S (S700). ).

S100 : 챔버(100) 외부에 마련되어 전처리를 마친 기판(S), 예를들어 상부에 소정의 막이 증착된 기판(S)이 외부 로봇암(미도시)에 의해 챔버(100) 내로 수평 이송한다. 챔버(100) 내로 이송된 기판(S)은 챔버(100) 내의 하부에 설치된 리프트 핀(310)과 이격되도록 배치되고, 로봇암은 하부로 이동하여 도 1에 도시된 바와 같이 기판(S)을 리프트 핀(350)의 상부면에 안착시킨다. 이때, 기판 홀더(320)의 상부면은 리프트 핀(310)의 상부면 보다 아래쪽에 배치되도록 대기한다.S100: The substrate S, which is provided outside the chamber 100 and finished preprocessing, for example, a substrate S on which a predetermined film is deposited, is horizontally transferred into the chamber 100 by an external robot arm (not shown). The substrate S transferred into the chamber 100 is disposed to be spaced apart from the lift pin 310 installed in the lower portion of the chamber 100, and the robot arm moves downward to move the substrate S as shown in FIG. 1. The upper surface of the lift pin 350 is seated. At this time, the upper surface of the substrate holder 320 waits to be disposed below the upper surface of the lift pin 310.

S200 : 이어서, 제 2 하부 전극(500B)의 하부에 연결된 제 2 승강 부재(600B)에 의해 하부 전극(500) 및 이와 연결된 기판 홀더(320)는 상부 전극(200)을 향해 상승하게 된다. 이때, 하부 전극(500) 및 기판 홀더(400)가 상승하는 동안 리프트 핀(310)의 상부에 안착된 기판(S)은 기판 홀더(320)의 상부면에 안착된다.S200: Subsequently, the lower electrode 500 and the substrate holder 320 connected thereto are raised toward the upper electrode 200 by the second elevating member 600B connected to the lower portion of the second lower electrode 500B. In this case, while the lower electrode 500 and the substrate holder 400 are raised, the substrate S mounted on the upper portion of the lift pin 310 is seated on the upper surface of the substrate holder 320.

S300 : 이어서, 기판(S)이 가장자리에 안착된 기판 홀더(320)는 하부 전극(500)과 더욱 상승하게 되고, 도 4에 도시된 바와 같이 하드 스토퍼(400)가 기판 홀더(320)의 안착부(321)의 상부면에 형성된 홈(322)에 결합되면 상부 전극(500)과 기판 홀더(320)의 상승이 정지된다. 여기서, 기판 홀더(320)의 상부에 안착된 기판(S)의 상부면은 상부 전극(200)의 하부면과 약 0.5㎜ 이하의 간격을 유지한다. 이때, 기판(S) 후면은 하부 전극(500)과 플라즈마가 발생될 수 있을 정도의 간격을 유지하게 된다.S300: Subsequently, the substrate holder 320 on which the substrate S is seated at the edge is further raised with the lower electrode 500, and as shown in FIG. 4, the hard stopper 400 is seated on the substrate holder 320. When coupled to the groove 322 formed on the upper surface of the portion 321, the lifting of the upper electrode 500 and the substrate holder 320 is stopped. Here, the upper surface of the substrate S mounted on the upper portion of the substrate holder 320 maintains a distance of about 0.5 mm or less from the lower surface of the upper electrode 200. In this case, the rear surface of the substrate S maintains a gap enough to generate a plasma with the lower electrode 500.

S400 : 그리고, 상부 전극(200)의 하부면에 형성된 비반응 가스 분사구(230)로부터 비반응 가스가 분사되고 제 1 하부 전극(500A)의 상부면(520A)에 형성된 제 1 반응 가스 분사구(530)를 통해 반응 가스가 분사되고, 제 2 하부 전극(500B)에 고주파 전원(540)이 인가된다. 이때, 제 2 반응 가스 분사구(560)를 통해서도 반응 가스가 분사될 수 있으며, 반응 가스가 기판(S)의 후면에 분사되는 동안 기판 홀더(320)의 측벽부(323)에 형성된 배기 구멍(324)은 제 1 반응 가스 분사구(530)로부터 분사되는 반응 가스를 거의 모든 방향으로 균일하게 배기시켜 기판(S) 후면에 반응 가스가 균일하게 분포되도록 한다. 따라서, 상부 전극(200)과 하부 전극(500) 사이에 플라즈마가 발생되고, 기판(S) 후면에 형성된 박막 또는 파티클을 플라즈마화된 반응 가스를 이용하여 제거한다.S400: Then, the non-reactive gas is injected from the non-reactive gas injection port 230 formed in the lower surface of the upper electrode 200 and the first reaction gas injection hole 530 formed in the upper surface 520A of the first lower electrode 500A. Reactant gas is injected through the C, and a high frequency power supply 540 is applied to the second lower electrode 500B. In this case, the reaction gas may also be injected through the second reaction gas injection hole 560, and the exhaust hole 324 formed in the sidewall portion 323 of the substrate holder 320 while the reaction gas is injected onto the rear surface of the substrate S. ) By uniformly exhausting the reaction gas injected from the first reaction gas injection port 530 in almost all directions so that the reaction gas is uniformly distributed on the back surface of the substrate (S). Therefore, a plasma is generated between the upper electrode 200 and the lower electrode 500, and the thin film or particles formed on the rear surface of the substrate S are removed using the plasmalized reaction gas.

S500 : 이이서, 도 5에 도시된 바와 같이 이동 부재(700)가 하방으로 이동되어 기판 홀더(320)를 하방으로 밀어내고, 제 1 승강 부재(600A)의 상승 운동에 의해 제 1 하부 전극(500A)을 더욱 상승시켜 기판(S) 후면이 제 1 하부 전극(500A)의 상부면(520A)에 안착되도록 한다. 즉, 이동 부재(700)가 하방으로 이동하여 기판 홀더(320)를 하방으로 밀어내게 되면, 기판 홀더(320)와 연결된 완충 부재(330)의 홀더 지지대(333)가 탄성 부재(332)의 수축에 의해 하방으로 이동하고, 그에 따라 기판 홀더(320)의 안착부(321)가 초기 위치보다 아래로 내려가게 된다. 이때, 제 1 하부 전극(500A)은 제 2 하부 전극(500B)으로부터 분리되어 더욱 상승하여 기판(S) 후면이 제 1 하부 전극(500A)의 상부면에 안착된다. 따라서, 기판(S)의 베벨 영역이 제 1 하부 전극(500A)의 외측으로 노출된다. 그런데, 이 경우에도 제 1 하부 전극(500A)과 기판(S)은 약 0.5㎜의 간격을 유지하게 된다.S500: Hereafter, as shown in FIG. 5, the moving member 700 is moved downward to push the substrate holder 320 downward, and the first lower electrode 600 is moved upward by the first lifting member 600A. The back surface of the substrate S is further raised to the upper surface 520A of the first lower electrode 500A. That is, when the moving member 700 moves downward to push the substrate holder 320 downward, the holder support 333 of the buffer member 330 connected to the substrate holder 320 contracts the elastic member 332. By moving downward, the seating portion 321 of the substrate holder 320 is lowered below the initial position. In this case, the first lower electrode 500A is separated from the second lower electrode 500B and further raised so that the rear surface of the substrate S is seated on the upper surface of the first lower electrode 500A. Therefore, the bevel region of the substrate S is exposed to the outside of the first lower electrode 500A. However, even in this case, the first lower electrode 500A and the substrate S maintain a distance of about 0.5 mm.

S600 : 그리고, 상부 전극(200)에 형성된 비반응 가스 분사구(230)를 통해 비반응 가스를 분사하고 제 2 하부 전극(500B)의 상부면(520B)에 형성된 제 2 반응 가스 분사구(560)를 통해 반응 가스를 분사하고, 제 2 하부 전극(500B)에 고주파 전원(540)을 인가한다. 따라서, 기판(S)의 중앙부, 즉 패턴이 형성된 영역을 제외한 베벨 영역에서 플라즈마 발생되고, 기판(S) 베벨 영역에 형성된 박막 또는 파티클은 플라즈마화된 반응 가스에 의해 제거된다.S600: Then, the non-reactive gas is injected through the non-reactive gas injection port 230 formed in the upper electrode 200, and the second reaction gas injection hole 560 formed in the upper surface 520B of the second lower electrode 500B is opened. The reaction gas is injected through the high frequency power source 540 to the second lower electrode 500B. Accordingly, plasma is generated in the center portion of the substrate S, that is, in the bevel region except for the patterned region, and the thin film or particles formed in the substrate S bevel region are removed by the plasmalized reaction gas.

S700 : 이어서, 제 1 승강 부재(600A)에 의해 제 1 하부 전극(500A)이 하강하여 제 1 하부 전극(500A)과 제 2 하부 전극(500B)이 결합된 후 제 2 하강 부재(600B)에 의해 하부 전극(500) 및 기판 홀더(320)가 하강한다. 따라서, 기판 홀더(320)는 완충 부재(330)의 몸체(331) 내에 마련된 탄성 부재(332)가 수축된 상태에서 이완된 상태로 바뀌게 된다. 이때, 이동 부재(700)는 상부로 이동될 수 있다. 이후, 기판 홀더(320)가 하강하는 동안 기판 홀더(320)의 상부면에 안착된 기판(S) 은 리프트 핀(310)의 상부에 안착되고, 하부 전극(500) 및 기판 홀더(320)는 더욱 하강하게 되어 기판 홀더(320)의 상부면이 리프트 핀(310)의 상부면보다 낮은 위치에 배치되도록 초기 위치로 복귀한다(도 1). 그리고, 리프트 핀(310)의 상부에 안착된 기판(S)은 외부 로봇암에 의해 챔버(100)의 외부로 인출된다.S700: Next, the first lower electrode 500A is lowered by the first elevating member 600A, and the first lower electrode 500A and the second lower electrode 500B are coupled to the second lowering member 600B. As a result, the lower electrode 500 and the substrate holder 320 descend. Accordingly, the substrate holder 320 is changed from the contracted state of the elastic member 332 provided in the body 331 of the buffer member 330 to the relaxed state. In this case, the moving member 700 may be moved upward. Subsequently, the substrate S seated on the upper surface of the substrate holder 320 is seated on the upper part of the lift pin 310 while the substrate holder 320 is lowered, and the lower electrode 500 and the substrate holder 320 are It is further lowered to return to the initial position so that the upper surface of the substrate holder 320 is disposed at a position lower than the upper surface of the lift pin 310 (FIG. 1). In addition, the substrate S seated on the lift pin 310 is drawn out of the chamber 100 by an external robot arm.

한편, 상기 플라즈마 처리 방법의 실시 예에서는 기판 후면 식각 공정을 실시한 후 기판 베벨 식각 공정을 실시하였으나, 기판 베벨 식각 공정을 먼저 실시한 후 기판 후면 식각 공정을 실시할 수도 있다. 즉, 제 1 하부 전극(500A)을 상방으로 이동시켜 기판(S)을 제 1 하부 전극(500A)의 상부면에 안착시키는 동시에 이동 부재(700)를 이용하여 기판 홀더(320)를 하방으로 이동시켜 기판(S)의 베벨 영역을 식각한 후 제 1 하부 전극(500A)을 하방으로 이동시키는 동시에 이동 부재(700)를 상방 이동하여 기판 홀더(320)를 상방으로 이동시켜 기판 홀더(320)의 안착부(321)에 기판(S)의 후면 가장자리를 안착시켜 기판(S)의 후면을 식각할 수도 있다. Meanwhile, in the embodiment of the plasma processing method, the substrate bevel etching process is performed after the substrate backside etching process is performed. However, the substrate backside etching process may be performed after the substrate bevel etching process is performed first. That is, by moving the first lower electrode 500A upward, the substrate S is seated on the upper surface of the first lower electrode 500A, and the substrate holder 320 is moved downward by using the moving member 700. After etching the bevel region of the substrate S, the first lower electrode 500A is moved downward, and the moving member 700 is moved upward to move the substrate holder 320 upward to move the substrate holder 320 upward. The rear edge of the substrate S may be seated on the seating part 321 to etch the rear surface of the substrate S.

또한, 상기 실시 예에서는 하드 스토퍼(400)에 의해 기판 홀더(320)의 상승이 정지하게 되고, 이동 부재(700)를 이용하여 기판 홀더(320)를 하방으로 이동시켰다. 그러나, 하드 스토퍼를 형성하지 않고 이동 부재(700)가 하드 스토퍼의 기능을 동시에 수행할 수도 있다. 즉, 이동 부재(700)가 초기 상태에서 하방으로 일부 돌출되도록 마련되고, 기판 홀더(320)가 상승하면 이동 부재(700)의 돌출된 부분에서 기판 홀더(320)의 이동이 정지되도록 한다. 이후 기판(S) 후면 식각 공정을 실시한다. 이때, 이동 부재(700)는 초기 상태에서 기판(S)과 상부 전극(200)이 소정 간격 이격될 수 있는 높이로 돌출된다. 그리고, 이동 부재(700)가 하방으로 이동하여 기판 홀더(320)을 하방으로 이동시키고 하부 기판(500)이 기판(S)의 하부면을 지지하도록 한 후 기판의 베벨 식각 공정을 실시한다.In addition, in the above embodiment, the rise of the substrate holder 320 is stopped by the hard stopper 400, and the substrate holder 320 is moved downward by using the moving member 700. However, the moving member 700 may simultaneously perform the function of the hard stopper without forming the hard stopper. That is, the moving member 700 is provided to partially protrude downward from the initial state, and when the substrate holder 320 is raised, the movement of the substrate holder 320 is stopped at the protruding portion of the moving member 700. Thereafter, the substrate S is etched. In this case, the moving member 700 protrudes to a height at which the substrate S and the upper electrode 200 may be spaced apart from each other at an initial state. In addition, the moving member 700 moves downward to move the substrate holder 320 downward to allow the lower substrate 500 to support the lower surface of the substrate S, and then performs a bevel etching process of the substrate.

상기에서는 도면 및 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명은 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음은 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to the drawings and embodiments, those skilled in the art that the present invention can be variously modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below I can understand.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 장치의 단면도.1 is a cross-sectional view of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 하부 전극의 단면도.2 is a cross-sectional view of the lower electrode according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법의 공정 흐름도.3 is a process flow diagram of a plasma processing method according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 처리 방법의 각 단계에서의 플라즈마 처리 장치의 단면도.4 and 5 are cross-sectional views of the plasma processing apparatus at each step of the plasma processing method according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100 : 챔버 200 : 상부 전극100 chamber 200 upper electrode

300 : 기판 지지부 400 : 하드 스토퍼300: substrate support portion 400: hard stopper

500 : 하부 전극 500A : 제 1 하부 전극500: lower electrode 500A: first lower electrode

500B : 제 2 하부 전극 600 : 승강 부재500B: second lower electrode 600: elevating member

600A : 제 1 승강 부재 600B : 제 2 승강 부재600A: first lifting member 600B: second lifting member

700 : 이동 부재700: moving member

Claims (22)

챔버;chamber; 상기 챔버내의 상부에 마련되고, 비반응 가스를 분사하는 상부 전극;An upper electrode provided in an upper portion of the chamber and injecting an unreacted gas; 상기 챔버내의 하부에 상기 상부 전극과 대향 배치되며, 기판 베벨 식각 공정에서 상기 기판 베벨이 노출되도록 상기 기판의 후면 중앙 영역을 지지하고, 반응 가스를 분사하는 하부 전극;A lower electrode disposed below the upper electrode in the chamber and supporting a rear center region of the substrate to expose the substrate bevel in a substrate bevel etching process, and spraying a reaction gas; 상기 상부 전극 및 하부 전극 사이에 마련되어 기판 후면 식각 공정에서 상기 기판 후면의 중앙 영역을 노출하도록 상기 기판의 가장자리 영역을 지지하는 기판 지지부; 및A substrate support unit provided between the upper electrode and the lower electrode to support an edge region of the substrate to expose a central region of the substrate rear surface in a substrate rear surface etching process; And 상기 기판 베벨 식각 공정에서 상기 기판 지지부를 이동시켜 상기 기판을 상기 기판 지지부로부터 분리시키는 이동 부재를 포함하고,And a moving member to move the substrate support in the substrate bevel etching process to separate the substrate from the substrate support. 상기 기판 지지부 및 하부 전극이 상승하여 상기 기판이 상기 상부 전극과 소정 간격 이격되도록 한 후 후면 식각 및 베벨 식각이 실시되며,After the substrate support and the lower electrode is raised so that the substrate is spaced apart from the upper electrode by a predetermined interval, back etching and bevel etching are performed. 상기 하부 전극은 제 1 하부 전극과, 상기 제 1 하부 전극의 외곽에 위치하는 제 2 하부 전극을 포함하여 상기 제 1 및 제 2 하부 전극이 분리 및 결합 가능한 플라즈마 처리 장치.And the lower electrode includes a first lower electrode and a second lower electrode positioned outside the first lower electrode to separate and couple the first and second lower electrodes. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극 및 하부 전극은 접지 단자 또는 고주파 전원과 각각 연결되는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the upper electrode and the lower electrode are respectively connected to a ground terminal or a high frequency power source. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 하부 전극은 요홈부가 마련되어 상기 제 1 하부 전극이 상기 요홈부에 안착되어 상기 제 1 및 제 2 하부 전극은 결합 및 분리 가능한 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the second lower electrode is provided with a recessed portion, and the first lower electrode is seated on the recessed portion so that the first and second lower electrodes are coupled and separated. 제 3 항에 있어서, 상기 상부 전극 하부면에 형성된 비반응 가스 분사구;4. The fuel cell of claim 3, further comprising: an unreacted gas injection hole formed in the lower surface of the upper electrode; 상기 제 1 하부 전극의 상부면에 형성된 제 1 반응 가스 분사구; 및A first reaction gas injection hole formed on an upper surface of the first lower electrode; And 상기 제 2 하부 전극의 상기 요홈부를 제외한 상부면 또는 측면에 형성된 제 2 반응 가스 분사구를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.And a second reactive gas injection hole formed on an upper surface or a side surface of the second lower electrode except for the recess portion. 제 4 항에 있어서, 상기 상부 전극의 하부면에 상기 비반응 가스 분사구와 분리되어 형성된 제 3 반응 가스 분사구를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 4, further comprising a third reactive gas injection hole formed on the lower surface of the upper electrode to be separated from the non-reactive gas injection hole. 제 3 항에 있어서, 상기 상부 전극과 이격되고, 상기 챔버 상부에 형성되는 제 3 반응 가스 분사구를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 3, further comprising a third reaction gas injection hole spaced apart from the upper electrode and formed in an upper portion of the chamber. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 지지부는 상기 기판을 지지하는 기판 홀더; 및The semiconductor device of claim 1, wherein the substrate support comprises: a substrate holder supporting the substrate; And 상기 기판 홀더를 상기 하부 전극의 측면에 연결시키는 완충 부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치.And a buffer member that connects the substrate holder to the side of the lower electrode. 제 7 항에 있어서, 상기 기판 홀더는 상기 하부 전극의 상부 표면보다 높은 위치에 마련된 플라즈마 처리 장치.8. The plasma processing apparatus of claim 7, wherein the substrate holder is provided at a position higher than an upper surface of the lower electrode. 제 7 항에 있어서, 상기 완충 부재는 상부가 개방되도록 내부 공간이 마련된 몸체;The method of claim 7, wherein the buffer member comprises: a body provided with an inner space to open the upper portion; 상기 몸체의 내부 공간에 마련된 탄성 부재; 및An elastic member provided in an inner space of the body; And 상기 탄성 부재의 상부에 마련되어 몸체의 상부로 돌출되도록 연장 형성된 홀더 지지대를 포함하는 플라즈마 처리 장치.And a holder support provided on an upper portion of the elastic member and extending to protrude upward of the body. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 전극과 이격되어 상기 챔버의 상부에 마련된 하드 스토퍼를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, further comprising a hard stopper disposed above the chamber and spaced apart from the upper electrode. 제 1 항에 있어서, 상기 이동 부재는 상기 챔버 상부로부터 상기 챔버 내부로 일부 관통하도록 형성된 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the moving member is formed to partially penetrate into the chamber from an upper portion of the chamber. 제 11 항에 있어서, 상기 이동 부재는 상하 이동 가능하고, 하방으로 이동하여 상기 기판 지지부를 하방으로 밀어 이동시키는 플라즈마 처리 장치.12. The plasma processing apparatus of claim 11, wherein the moving member is movable up and down, and moves downward to push the substrate support downward. 제 1 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 이동 부재는 상기 챔버 하부로부터 상기 챔버 내부를 일부 관통하도록 형성되며, 상기 기판 지지부와 연결 형성된 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the moving member is formed to partially penetrate the inside of the chamber from a lower portion of the chamber and is connected to the substrate support. 제 13 항에 있어서, 상기 이동 부재는 상기 기판 지지부를 하방으로 당겨 이동시키는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 13, wherein the moving member pulls the substrate support downward. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 하부 전극의 하부에 연결되어 상기 제 1 하부 전극을 승하강시키는 제 1 승강 부재; 및The display apparatus of claim 3, further comprising: a first elevating member connected to a lower portion of the first lower electrode to move the first lower electrode up and down; And 상기 제 2 하부 전극의 하부에 연결되어 상기 제 2 하부 전극을 승하강시키는 제 2 승강 부재를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치.And a second elevating member connected to a lower portion of the second lower electrode to move the second lower electrode up and down. 제 15 항에 있어서, 상기 제 1 승강 부재는 상기 제 2 승강 부재 내부에 삽 입되는 플라즈마 처리 장치.The plasma processing apparatus of claim 15, wherein the first elevating member is inserted into the second elevating member. 챔버와, 상기 챔버내의 상부에 마련되고 비반응 가스를 분사하는 상부 전극과, 상기 챔버내의 하부에 마련되어 기판 후면의 중앙 영역을 지지하고 반응 가스를 분사하며 결합 및 분리 가능한 제 1 및 제 2 하부 전극과, 상기 상부 전극과 상기 제 1 및 제 2 하부 전극 사이에 마련되어 상기 기판 후면의 중앙 영역을 노출하도록 기판의 가장자리 영역을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판 지지부를 이동시켜 상기 기판을 상기 기판 지지부로부터 분리시키는 이동 부재를 포함하는 플라즈마 처리 장치를 이용하고,A chamber, an upper electrode provided in the upper part of the chamber and injecting unreacted gas, and a first and second lower electrode provided in the lower part of the chamber to support a central region of the rear surface of the substrate, inject the reactant gas, and be coupled and separated; A substrate support portion provided between the upper electrode and the first and second lower electrodes to support an edge region of the substrate so as to expose a central region of the rear surface of the substrate, and the substrate support portion being moved to move the substrate from the substrate support portion. Using a plasma processing apparatus including a moving member to separate, 상기 기판을 상기 챔버 내로 인입시킨 후 상기 기판을 상기 상부 전극 측으로 이동시키고, 상기 기판 지지부를 이용하여 상기 기판 후면의 중앙 영역이 노출되도록 상기 기판의 가장자리를 지지한 후 상기 기판 후면을 식각하고, 상기 제 1 및 제 2 하부 전극을 이용하여 기판 베벨 영역이 노출되도록 상기 기판 후면의 중앙 영역을 지지하고 이동 부재를 이용하여 상기 기판 지지부를 상기 기판으로부터 분리시킨 후 상기 기판 베벨을 식각하는 플라즈마 처리 방법.After the substrate is introduced into the chamber, the substrate is moved to the upper electrode side, and the substrate rear surface is etched by supporting the edge of the substrate so that the center region of the rear surface of the substrate is exposed using the substrate support, and then etching the rear surface of the substrate. And a substrate bevel is etched after supporting the central region of the rear surface of the substrate using the first and second lower electrodes to expose the substrate bevel region and separating the substrate support from the substrate using a moving member. 삭제delete 제 17 항에 있어서, 상기 기판 후면을 식각하는 단계는,The method of claim 17, wherein etching the substrate back side comprises: 상기 기판이 안착된 기판 지지부와 상기 제 1 및 제 2 하부 전극을 동시에 상승시키는 단계; 및Simultaneously raising the substrate support on which the substrate is seated and the first and second lower electrodes; And 상기 기판의 상부에 비반응 가스를 분사하고 상기 기판 후면에 상기 제 1 하부 전극의 상부면 또는 상기 제 1 및 제 2 하부 전극의 상부면으로부터 반응 가스를 분사하여 상기 기판 후면을 식각하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 방법.Injecting a non-reactive gas into the upper portion of the substrate and injecting a reactive gas from the upper surface of the first lower electrode or the upper surface of the first and second lower electrodes onto the rear surface of the substrate to etch the rear surface of the substrate; Plasma processing method. 제 19 항에 있어서, 상기 기판 지지부는 하드 스토퍼에 접촉되어 정지되는 플라즈마 처리 방법.20. The plasma processing method of claim 19, wherein the substrate support is stopped in contact with a hard stopper. 제 17 항에 있어서, 상기 기판 베벨을 식각하는 단계는,The method of claim 17, wherein etching the substrate bevel comprises: 상기 기판 지지부를 하부로 이동시키고 상기 제 1 하부 전극을 상승시켜 상기 기판을 상기 제 1 하부 전극 상부에 안착시키는 단계; 및Moving the substrate support downward and raising the first lower electrode to seat the substrate on the first lower electrode; And 상기 기판의 상부에 비반응 가스를 분사하고 상기 기판 베벨에 상기 제 2 하부 전극의 상부면으로부터 반응 가스를 분사하여 상기 기판 베벨을 식각하는 단계를 포함하는 플라즈마 처리 방법.Injecting an unreacted gas over the substrate and injecting a reactive gas from the upper surface of the second lower electrode to the substrate bevel to etch the substrate bevel. 삭제delete
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