KR102620564B1 - 레이저 기술을 이용한 ic카드용 ic칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 ic카드용 ic칩 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 IC카드용 IC칩의 표면에 레이저를 조사하여 로고 등의 문양을 각인함으로써, IC칩의 심미감을 개선하고, IC칩을 다양한 형태의 광고 및 표현의 방법으로 활용할 수 있는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 IC카드용 IC칩에 관한 것이다.
본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법은 IC칩(10)의 베이스 기판(11)에 구리 도금층(12), 금속 도금층(13), 팔라듐 도금층(14)을 순서대로 형성하는 단계(S110)와, IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법은 IC칩(10)의 베이스 기판(11)에 구리 도금층(12), 금속 도금층(13), 팔라듐 도금층(14)을 순서대로 형성하는 단계(S110)와, IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 IC카드용 IC칩의 표면에 레이저를 조사하여 로고 등의 문양을 각인함으로써, IC칩의 심미감을 개선하고, IC칩을 다양한 형태의 광고 및 표현의 방법으로 활용할 수 있는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 IC카드용 IC칩에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 IC칩의 베이스 기판에 구리 도금층, 금속 도금층, 팔라듐 도금층을 순서대로 형성하고, IC칩의 표면에 설정된 문양을 나타낼 수 있도록, 문양의 범위 내에서 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사함으로써, 금속 도금층을 설정된 문양으로 식각할 수 있는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 IC카드용 IC칩에 관한 것이다.
대한민국 실용신안등록 제20-0477069호(2015년 4월 27일)에 "레이저에 의해 묘화된 아이씨 칩을 포함하는 아이씨 카드"가 소개되어 있다.
상기 레이저에 의해 묘화된 아이씨 칩을 포함하는 아이씨 카드는 신호처리 기능과 부가적 기능을 가지며, 표면에는 레이저 광에 의해 묘화된 문양이 존재하는 도전성 패턴; 및 상기 도전성 패턴을 전기적으로 절연시키는 절연격벽으로 이루어진 레이저에 의해 묘화된 아이씨 칩을 포함하고, 상기 문양은 유도 방출과정으로 증폭된 빛인 상기 레이저 광을 상기 아이씨 칩의 표면의 상기 도전성 패턴에 조사하여 형성된 그루브에, 전기전도성이 있는 도전성 재료가 채워져서 이루어진다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 그러나, 상기 레이저에 의해 묘화된 아이씨 칩을 포함하는 아이씨 카드는, 도 1에 도시된 것처럼, 베이스 기판(3)에 구리 도금층(4)과 팔라듐 도금층(5)이 순서대로 도금되고, 도 2에 도시된 것처럼, 레이저 빔(7)에 의해 패턴이 형성된 구리 도금층(4)에 문양이 직접 식각됨으로써, 구리 도금층(4)의 패턴이 훼손될 위험이 크고, 도 2 및 3에 도시된 것처럼, 에프세터 렌즈(6 ; f-theta lens)를 사용하여 레이저빔(7)을 조사함으로써, 화살표(8)와 같이 레이저빔(7)이 확산되는 형태로 조사되어, 레이저빔(7)에 의해 구리 도금층(4)에 식각되는 식각 형상과 식각 깊이가 일률적이지 못하여 보는 방향에 따라 문양의 색상 및 명암이 다르게 나타나는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 IC칩의 베이스 기판에 구리 도금층, 금속 도금층, 팔라듐 도금(또는 금 도금층)을 순서대로 형성하고, IC칩의 표면에 설정된 문양을 나타낼 수 있도록, 문양의 범위 내에서 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사함으로써, 금속 도금층에 설정된 문양을 식각할 수 있어, IC칩의 표면에 문양을 식각하는 것이 구리 도금층의 패턴에 악영향을 끼치지 않는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 IC카드용 IC칩을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 금속 도금층을 니켈, 흑니켈, 크롬, 주석, 알루미늄 또는 아연 중 어느 한 금속으로 형성함으로써, 레이저빔을 이용한 식각만으로도 문양에 다양한 색상을 표현할 수 있고, 일직선 형태의 레이저빔을 조사하여 식각선을 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향 중 어느 한 방향으로 형성할 수 있고, 레이저빔을 금속 도금층에 수직하는 방향으로 직선으로 조사하여, 금속 도금층에 식각되는 식각 형상과 식각 깊이가 일률적으로 동일하게 형성할 수 있고, 레이저빔에 의해 금속 도금층의 표면에 식각골의 깊이가 어느 한 방향으로 점차적으로 깊어지게 형성함으로써, 문양에 그라데이션(gradation)을 표현할 수 있는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 IC카드용 IC칩을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법은
IC칩의 베이스 기판에 구리 도금층, 금속 도금층, 팔라듐 도금층을 순서대로 형성하는 단계(S110)와,
IC칩의 표면에 설정된 문양을 나타낼 수 있도록, 문양의 범위 내에서 금속 도금층으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
IC칩의 베이스 기판에 구리 도금층, 금속 도금층, 팔라듐 도금층을 순서대로 형성하는 단계(S110)에서,
상기 금속 도금층은 니켈, 흑니켈, 크롬, 주석, 알루미늄 또는 아연 중 어느 한 금속으로 도금층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
IC칩의 표면에 설정된 문양을 나타낼 수 있도록, 문양의 범위 내에서 금속 도금층으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
일직선 형태의 레이저빔을 X축 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선을 X축 방향으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
다른 대안으로, 일직선 형태의 레이저빔을 Y축 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선을 Y축 방향으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또 다른 대안으로, 일직선 형태의 레이저빔을 대각선 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선을 대각선 방향으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저빔은 텔레센트릭 렌즈(telecentric lens) 또는 텔레센트릭 에프-세타 렌즈(telecentric f-theta lens)를 통과하여 금속 도금층을 향해 금속 도금층에 수직하는 방향으로 직선으로 조사되는 것을 특징으로 한다.
IC칩의 표면에 설정된 문양을 나타낼 수 있도록, 문양의 범위 내에서 금속 도금층으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
문양의 범위 내에서 레이저빔에 의해 팔라듐 도금층이 제거되고, 금속 도금층의 표면에 복수개의 식각골이 소정의 깊이로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 식각골의 깊이는 레이저빔의 세기로 조절하게 되고, 식각골의 깊이에 따라 빛 반사율이 변경됨으로써, 문양의 명암이 조절되는 것을 특징으로 한다.
상기 레이저빔에 의해 식각되는 금속 도금층의 표면에 식각골의 깊이가 어느 한 방향으로 점차적으로 깊어지게 형성함으로써, 문양에 그라데이션(gradation)을 표현할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 위에 기술한 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법에 의해 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩이 제조되는 것을 특징으로 한다.
이것에 의해, 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 IC카드용 IC칩은 금속 도금층에 설정된 문양을 식각할 수 있어, IC칩의 표면에 문양을 식각하는 것이 구리 도금층의 패턴에 악영향을 끼치지 않고, IC 카드에 실장되어 있는 IC칩을 불법으로 무단 도용하거나 교체하는 것을 방지할 수 있고, 레이저빔을 이용한 식각만으로도 문양에 다양한 색상을 표현할 수 있고, 일직선 형태의 레이저빔을 조사하여 식각선을 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향 중 어느 한 방향으로 형성할 수 있고, 식각 형상과 식각 깊이가 일률적으로 동일하게 형성할 수 있고, 문양에 그라데이션(gradation)을 표현할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 종래의 IC칩을 도시한 단면도로, 베이스 기판에 구리 도금층과 팔라듐 도금층이 형성되어 있다.
도 2는 에프세터 렌즈(f-theta lens)를 사용한 레이저빔을 조사하여 IC칩의 표면에 문양을 식각하는 예를 도시한 것이다.
도 3은 에프세터 렌즈(f-theta lens)를 사용한 레이저빔에 의해 식각된 표면을 도시한 확대 상세도이다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 본 발명에 따른 IC칩의 단면을 도시한 단면도이다.
도 6은 레이저빔에 의해 IC칩의 문양 표면에 식각선이 X축 방향으로 형성된 것을 도시한 것이다.
도 7은 레이저빔에 의해 IC칩의 문양 표면에 식각선이 X축 방향으로 형성된 것을 도시한 것이다.
도 8은 레이저빔에 의해 IC칩의 문양 표면에 식각선이 대각선 방향으로 형성된 것을 도시한 것이다.
도 9는 텔레센트릭 렌즈를 사용한 레이저빔을 조사하여 IC칩의 표면에 문양을 식각하는 예를 도시한 것이다.
도 10은 텔레센트릭 렌즈를 사용한 레이저빔에 의해 식각된 표면을 도시한 확대 상세도이다.
도 11은 레이저빔에 의해 식각된 문양을 도시한 도 6의 B-B선을 도시한 단면도이다.
도 12는 도 9의 요부를 확대한 상세도이다.
도 13은 레이저빔에 의해 식각되는 형태를 도시한 도 6의 B-B선에 따른 다른 타입의 단면도이다.
도 2는 에프세터 렌즈(f-theta lens)를 사용한 레이저빔을 조사하여 IC칩의 표면에 문양을 식각하는 예를 도시한 것이다.
도 3은 에프세터 렌즈(f-theta lens)를 사용한 레이저빔에 의해 식각된 표면을 도시한 확대 상세도이다.
도 4는 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법을 도시한 순서도이다.
도 5는 본 발명에 따른 IC칩의 단면을 도시한 단면도이다.
도 6은 레이저빔에 의해 IC칩의 문양 표면에 식각선이 X축 방향으로 형성된 것을 도시한 것이다.
도 7은 레이저빔에 의해 IC칩의 문양 표면에 식각선이 X축 방향으로 형성된 것을 도시한 것이다.
도 8은 레이저빔에 의해 IC칩의 문양 표면에 식각선이 대각선 방향으로 형성된 것을 도시한 것이다.
도 9는 텔레센트릭 렌즈를 사용한 레이저빔을 조사하여 IC칩의 표면에 문양을 식각하는 예를 도시한 것이다.
도 10은 텔레센트릭 렌즈를 사용한 레이저빔에 의해 식각된 표면을 도시한 확대 상세도이다.
도 11은 레이저빔에 의해 식각된 문양을 도시한 도 6의 B-B선을 도시한 단면도이다.
도 12는 도 9의 요부를 확대한 상세도이다.
도 13은 레이저빔에 의해 식각되는 형태를 도시한 도 6의 B-B선에 따른 다른 타입의 단면도이다.
이하에서는 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. 이러한 설명은 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였으며, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 본 명세서 상에서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 사람에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
본 문서에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 또한, 본 발명의 다양한 실시예들에 있어서, 각 구성요소들, 기능 블록들 또는 수단들은 하나 또는 그 이상의 하부 구성요소로 구성될 수 있고, 각 구성요소들이 수행하는 전기, 전자, 기계적 기능들은 전자회로, 집적회로, ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 등 공지된 다양한 소자들 또는 기계적 요소들로 구현될 수 있으며, 각각 별개로 구현되거나 2 이상이 하나로 통합되어 구현될 수도 있다.
도 4 내지 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법은 다음과 같다.
도 5에 도시된 것처럼, IC칩(10)의 베이스 기판(11)에 구리 도금층(12), 금속 도금층(13), 팔라듐 도금층(14)을 순서대로 형성한다(S110).
여기서, 상기 금속 도금층(12)은 니켈, 흑니켈, 크롬, 주석, 알루미늄 또는 아연 중 어느 한 금속으로 도금층을 형성한다.
상기 니켈, 흑니켈, 크롬, 은, 주석, 알루미늄 및 아연은 레이저빔으로 조사하여 도금층을 각인하면, 각각 독특한 자신의 컬러를 띄게 된다.
예를 들어, 니켈 및 흑니켈은 검은색, 크롬 및 은은 은색, 알루미늄 및 아연은 흰색을 띄게 된다.
또한, 상기 금속 도금층(12)은 구리 도금층(12)에 패턴이 형성된 후, 구리 도금층(12) 위에 형성된다.
상기 팔라듐 도금층(14) 대신에 금속 도금층(12) 위에 금을 도금하여, 금 도금층을 형성할 수 있다.
도 5 내지 도 10에 도시된 것처럼, IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사한다(S120).
도 6 내지 도 8을 참조하면, 이때, 일직선 형태의 레이저빔을 X축 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 도 6에 도시된 것처럼, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선(21)을 X축 방향으로 형성하거나, 일직선 형태의 레이저빔을 Y축 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 도 7에 도시된 것처럼, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선(21)을 Y축 방향으로 형성하거나, 또는 일직선 형태의 레이저빔을 대각선 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 도 8에 도시된 것처럼, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선(21)을 대각선 방향으로 형성함으로써, 금속 도금층(13)이 같은 금속이어도 같은 방향에서 봤을 때, 반사되는 문양의 질감 및 명암이 다르게 표현될 수 있다.
예를 들어, 제 1 IC칩의 금속 도금층(13)이 니켈 도금층이고, 식각선(21)을 X축 방향으로 형성한 제 1 IC칩에 표현된 문양의 질감 및 명암과 니켈 도금층이고 식각선(21)을 Y축 방향으로 형성한 제 2 IC칩에 표현된 문양의 질감 및 명암을 비교하기 위해, 2개의 IC칩을 같은 방향에서 보았을 때, 반사되는 문양의 질감 및 명암이 다르게 표현된다. 또한, 제 1 IC칩에 표현되는 문양의 질감 및 명암과 니켈 도금층이고 식각선(21)을 대각선 방향으로 형성한 제 3 IC칩에 표현된 문양의 질감과 문양을 비교하기 위해, 2개의 IC칩을 같은 방향에서 보았을 때에도, 반사되는 문양의 질감 및 명암이 다르게 표현된다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 IC칩의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔(31 ; 도 9 참조)을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서는 상기 레이저빔(31)은 텔레센트릭 렌즈(40 : telecentric lens) 또는 텔레센트릭 에프-세타 렌즈(telecentric f-theta lens)를 통과하여 금속 도금층(13)을 향해 금속 도금층(13)에 수직하는 방향으로 직선으로 조사된다.
이것에 의해, 도 10에 도시된 것처럼, 레이저빔(31)에 의해 금속 도금층(13)에 식각되는 식각 형상(역정삼각형)과 식각 깊이(t2)가 일률적으로 동일하게 형성되어, 보는 방향에 상관없이 문양의 색상 및 명암이 균일하게 나타난다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 도 11은 레이저빔에 의해 식각된 문양을 도시한 도 6의 B-B선을 도시한 단면도이고, 도 12은 도 11의 요부를 확대한 상세도이다.
상기 IC칩의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서는, 도 11에 도시된 것처럼, 문양(20)의 범위 내에서 레이저빔에 의해 팔라듐 도금층(14)이 제거되고, 도 12에 도시된 것처럼, 금속 도금층(13)의 표면에 복수개의 식각골(22)이 소정의 깊이(t2)로 형성된다.
여기서, 상기 식각골(22)의 깊이(t2)는 레이저빔의 세기로 조절하게 되고, 식각골(22)의 깊이(t2)에 따라 빛 반사율이 변경됨으로써, 문양의 명암이 조절된다.
도 13을 참조하면, 또한, 상기 IC칩의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서는 레이저빔에 의해 금속 도금층(13)의 표면에 식각골(22)의 깊이가 어느 한 방향으로 점차적으로 깊어지게 형성함으로써, 문양에 그라데이션(gradation)을 표현할 수 있다.
상기 식각골(22)의 깊이가 깊어질수록 밝기가 어두워지게 됨으로써, 문양에 그라데이션(gradation)이 표현된다.
상기와 같은 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법에 의해 제조된 본 발명에 따른 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩은 구리 도금층(12)과 팔라듐 도금층(14) 사이에 금속 도금층(13)이 배치되고, 구리 도금층(12)이 아니라 금속 도금층(13)에 레이저빔을 이용하여 식각하는 방법으로 문양을 형성함으로써, IC칩의 표면에 문양을 식각하는 것이 구리 도금층(12)의 패턴이 악영향을 끼치지 않고, IC 카드에 실장되어 있는 IC칩을 불법으로 무단 도용하거나 교체하는 것을 방지할 수 있고, 금속 도금층(13)을 니켈, 흑니켈, 크롬, 주석, 알루미늄 또는 아연 중 어느 한 금속으로 형성함으로써, 레이저빔을 이용한 식각만으로도 문양을 여러 색상을 표현할 수 있다.
또한, 일직선 형태의 레이저빔을 조사하여 식각선(21)을 X축 방향, Y축 방향 또는 대각선 방향 중 어느 한 방향으로 형성함으로써, 예를 들어, IC칩을 같은 방향에서 보았을 때, 반사되는 문양의 질감 및 명암이 다르게 표현된다.
또한, 상기 레이저빔(31)은 텔레센트릭 렌즈(telecentric lens) 또는 텔레센트릭 에프-세타 렌즈(telecentric f-theta lens)를 통과하여 금속 도금층을 향해 금속 도금층에 수직하는 방향으로 직선으로 조사됨으로써, 금속 도금층(13)에 식각되는 식각 형상과 식각 깊이가 일률적으로 동일하게 형성되어, 보는 방향에 상관없이 문양의 색상 및 명암이 균일하게 나타난다.
레이저빔에 의해 금속 도금층(13)의 표면에 식각골(22)의 깊이(t3)가 어느 한 방향으로 점차적으로 깊어지게 형성함으로써, 문양(20)에 그라데이션(gradation)을 표현할 수 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성 요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
10 : IC칩 11 : 베이스 기판
12 : 구리 도금층 13 : 금속 도금층
14 : 팔라듐 도금층 20 : 문양
12 : 구리 도금층 13 : 금속 도금층
14 : 팔라듐 도금층 20 : 문양
Claims (10)
- IC칩(10)의 베이스 기판(11)에 구리 도금층(12), 금속 도금층(13), 팔라듐 도금층(14)을 순서대로 형성하는 단계(S110)와,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)를 포함하고,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
문양(20)의 범위 내에서 레이저빔에 의해 팔라듐 도금층(14)이 제거되고, 금속 도금층(13)의 표면에 복수개의 식각골(22)이 소정의 깊이(t2)로 형성되고,
상기 식각골(22)의 깊이(t2)는 레이저빔의 세기로 조절하게 되고, 식각골(22)의 깊이(t2)에 따라 빛 반사율이 변경됨으로써, 문양의 명암이 조절되는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
- 제 1 항에 있어서,
IC칩(10)의 베이스 기판(11)에 구리 도금층(12), 금속 도금층(13), 팔라듐 도금층(14)을 순서대로 형성하는 단계(S110)에서,
상기 금속 도금층(12)은 니켈, 흑니켈, 크롬, 주석, 알루미늄 또는 아연 중 어느 한 금속으로 도금층을 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
- 제 1 항에 있어서,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
일직선 형태의 레이저빔을 X축 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선(21)을 X축 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
- 제 1 항에 있어서,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
일직선 형태의 레이저빔을 Y축 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선(21)을 Y축 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
- 제 1 항에 있어서,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
일직선 형태의 레이저빔을 대각선 방향으로 일정 간격으로 조사하여, 레이저빔에 의해 형성되는 식각선(21)을 대각선 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
- 제 1 항에 있어서,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
상기 레이저빔(31)은 텔레센트릭 렌즈(telecentric lens) 또는 텔레센트릭 에프-세타 렌즈(telecentric f-theta lens)를 통과하여 금속 도금층을 향해 금속 도금층에 수직하는 방향으로 직선으로 조사되는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
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- IC칩(10)의 베이스 기판(11)에 구리 도금층(12), 금속 도금층(13), 팔라듐 도금층(14)을 순서대로 형성하는 단계(S110)와,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)를 포함하고,
IC칩(10)의 표면에 설정된 문양(20)을 나타낼 수 있도록, 문양(20)의 범위 내에서 금속 도금층(12)으로 일직선 형태의 레이저빔을 일정 간격으로 조사하는 단계(S120)에서,
문양(20)의 범위 내에서 레이저빔에 의해 팔라듐 도금층(14)이 제거되고, 금속 도금층(13)의 표면에 복수개의 식각골(22)이 소정의 깊이(t2)로 형성되고,
상기 레이저빔에 의해 식각되는 금속 도금층(13)의 표면에 식각골(22)의 깊이가 어느 한 방향으로 점차적으로 깊어지게 형성함으로써, 문양에 그라데이션(gradation)을 표현할 수 있는 것을 특징으로 하는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법.
- 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩의 표면가공방법으로 제조되는 레이저 기술을 이용한 IC카드용 IC칩.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020230079914A KR102620564B1 (ko) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 레이저 기술을 이용한 ic카드용 ic칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 ic카드용 ic칩 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020230079914A KR102620564B1 (ko) | 2023-06-21 | 2023-06-21 | 레이저 기술을 이용한 ic카드용 ic칩의 표면가공방법 및 이의 방법으로 표면가공된 ic카드용 ic칩 |
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| KR102620564B1 true KR102620564B1 (ko) | 2024-01-03 |
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| KR (1) | KR102620564B1 (ko) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005244132A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜集積回路、及び薄型半導体装置 |
| KR200477069Y1 (ko) * | 2013-07-24 | 2015-05-04 | (주)싱텍 | 레이저에 의해 묘화된 아이씨 칩을 포함하는 아이씨 카드 |
| JP2020015321A (ja) * | 2014-05-22 | 2020-01-30 | コンポーズキュア，リミティド ライアビリティ カンパニー | 選択された質感と色を有する取引及びｉｄカード |
-
2023
- 2023-06-21 KR KR1020230079914A patent/KR102620564B1/ko active IP Right Grant
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| JP2020015321A (ja) * | 2014-05-22 | 2020-01-30 | コンポーズキュア，リミティド ライアビリティ カンパニー | 選択された質感と色を有する取引及びｉｄカード |
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