KR102583010B1 - Manufacturing method and application of single crystal silicon wafer - Google Patents
Manufacturing method and application of single crystal silicon wafer Download PDFInfo
- Publication number
- KR102583010B1 KR102583010B1 KR1020217024045A KR20217024045A KR102583010B1 KR 102583010 B1 KR102583010 B1 KR 102583010B1 KR 1020217024045 A KR1020217024045 A KR 1020217024045A KR 20217024045 A KR20217024045 A KR 20217024045A KR 102583010 B1 KR102583010 B1 KR 102583010B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal silicon
- wafer
- ratio
- length
- Prior art date
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 304
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 57
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 250
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 60
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 53
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 6
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 235000021190 leftovers Nutrition 0.000 description 53
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 공개하는데, 이는 단결정 실리콘 막대를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼로 절단하거나, 단결정 실리콘 막대를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼로 절단할 수 있어, 단결정 실리콘 막대의 이용율을 제고할 수 있다.The present invention discloses a method for manufacturing single crystal silicon wafers, which can be used to cut single crystal silicon rods into strip orthogonal single crystal silicon wafers and single crystal silicon quasi-square wafers, or to cut single crystal silicon rods into strip orthogonal single crystal silicon wafers and single crystal silicon square wafers. This can improve the utilization rate of single crystal silicon rods.
Description
본 발명은 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 응용에 관한 것이다.The present invention relates to a manufacturing method and application of single crystal silicon wafers.
단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼는 단결정 실리콘 막대를 절단하여 형성되는 것으로, 일반적으로 우선 단결정 실리콘 막대를 절단하고, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 쿼시 스퀘어 막대 또는 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 스퀘어 막대를 획득하고, 쿼시 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 획득하거나, 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 획득한다.A single crystal silicon quasi-square wafer or square wafer is formed by cutting a single crystal silicon rod. Usually, the single crystal silicon rod is first cut, and then the quasi-square bar or single crystal silicon square wafer is used to manufacture a single crystal silicon quasi-square wafer. Obtain a square bar used to cut the quasi-square bar to obtain a single-crystal silicon quasi-square wafer, or cut the square bar to obtain a single-crystal silicon square wafer.
단결정 실리콘 막대 절단은 레프트오버 물질을 생성시키는데, 레프트오버 물질은 일반적으로 재가열되거나 고효율 다결정 잉곳(ingot) 시드 결정 등에 사용되는 것으로, 단결정 실리콘 막대의 이용율 저하를 야기한다.Cutting a single crystal silicon rod generates a leftover material, which is generally reheated or used for high-efficiency polycrystalline ingot seed crystals, etc., causing a decrease in the utilization rate of the single crystal silicon rod.
본 발명의 목적은 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 제공하는 데 있는 것으로, 이는 단결정 실리콘 막대를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼로 절단하거나, 단결정 실리콘 막대를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼로 절단할 수 있어, 단결정 실리콘 막대의 이용율을 제고할 수 있다.The purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a single crystal silicon wafer, which cuts a single crystal silicon rod into a strip right-angled single crystal silicon wafer and a single crystal silicon quasi-square wafer, or cuts a single crystal silicon rod into a strip right-angled single crystal silicon wafer and a single crystal silicon wafer. It can be cut into square wafers, improving the utilization rate of single crystal silicon rods.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어(quasi square) 웨이퍼를 제조하는 데 사용되거나, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되고,To achieve the above object, the present invention is used to manufacture strip right-angle single crystal silicon wafers and single crystal silicon quasi square wafers, or is used to manufacture strip right-angle single crystal silicon wafers and single crystal silicon square wafers,
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a) 및 너비(b), 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)보다 작고; 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)는 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)보다 작고; 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 길이(H)를 결정하여, 단결정 실리콘 막대의 길이(H)가 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 크도록 하고; 상기 결정된 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ) 및 길이(H)에 따라, 원주형 단결정 실리콘 기둥을 제조하고;Determine the length (a) and width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer or the square wafer, and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer is the single crystal silicon quasi-square wafer. Smaller than the edge length (L) of the wafer or square wafer; Determine the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod, and the single crystal silicon quasi-square wafer or the edge length (L) of the square wafer is smaller than the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod; Determine the length (H) of the single crystal silicon rod based on the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, such that the length (H) of the single crystal silicon rod is greater than the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer; Manufacturing a cylindrical single crystal silicon pillar according to the determined diameter (Φ) and length (H) of the single crystal silicon rod;
단결정 실리콘 막대의 시점(start point)과 종점(end point) 양단을 절제하고, 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이(h)는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 작지 않고; 상기 결정된 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 길이(L)에 따라 단결정 실리콘 막대 잔여단에 대해 절단을 수행하여, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 쿼시 스퀘어 막대 또는 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 스퀘어 막대를 획득하고, 4개의 레프트오버(leftover) 물질을 획득하고, 상기 4개의 레프트오버 물질은 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이 방향을 따라 절단되고, 상기 4개의 레프트오버 물질과 단결정 실리콘 막대 잔여단은 길이가 동일하고; 각각의 레프트오버 물질은: 절단하여 형성된 직사각형 절단면, 및 절단면과 대향하는 호면(arc surface)을 포함하고; 절단면을 기준면으로 하고; 절단면 및 호면의 결합부를 첨각부로 하고;Both ends of the start point and end point of the single crystal silicon rod are excised, and the length (h) of the remaining end of the single crystal silicon rod is not smaller than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Cutting is performed on the remaining ends of the single crystal silicon rod according to the determined length (L) of the single crystal silicon quasi square wafer or square wafer to produce a quasi square bar or single crystal silicon square wafer used to manufacture a single crystal silicon quasi square wafer. Obtain a square bar used to obtain, obtain four leftover materials, the four leftover materials are cut along the longitudinal direction of the remaining end of the single crystal silicon rod, and the four leftover materials and the single crystal The remaining ends of the silicone rod have the same length; Each leftover material includes: a rectangular cut surface formed by cutting, and an arc surface opposing the cut surface; The cutting surface is used as a reference plane; The joining part of the cut surface and the arc surface is made into a sharp angle part;
쿼시 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하거나, 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하고;Manufacturing a single crystal silicon quasi square wafer by cutting a quasi square bar, or manufacturing a single crystal silicon square wafer by cutting a square bar;
상기 결정된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 따라 각각의 레프트오버 물질을 절단하고, 각각의 레프트오버 물질에서 적어도 하나의 레프트오버 물질 소단(小段)이 절단되고, 각각의 레프트오버 물질 소단 기준면의 길이는 스트립 직각 단결정 실리콘의 길이(a)와 일치하고; 레프트오버 물질 소단 양측의 첨각부를 절제하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 실리콘 덩이를 획득하여, 실리콘 덩이 기준면의 길이 너비 사이즈를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이 너비 사이즈와 일치시키고; 실리콘 덩이 기준면과 서로 평행한 방향을 따라 실리콘 덩이에 대해 절삭을 수행하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 획득하는 단계를 포함하는 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 제공한다.Each leftover material is cut according to the determined length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, at least one leftover material small section is cut from each leftover material, and each leftover material small section is a reference plane. The length of corresponds to the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon; The apex portions on both sides of the leftover material end are excised to obtain a silicon lump used to manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer, and the length and width size of the silicon lump reference plane is matched to the length and width size of the strip right-angled single crystal silicon wafer; A method for manufacturing a single crystal silicon wafer is provided, which includes obtaining a strip right-angled single crystal silicon wafer by cutting the silicon lump along directions parallel to the silicon lump reference plane.
바람직하게는, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 길이(L)와 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(L:b)을 제1 비율로 하고; 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)과 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(Φ:b)의 비율을 제2 비율로 하고;Preferably, the ratio (L:b) of the single crystal silicon quasi-square wafer or the length (L) of the square wafer and the width (b) of the strip orthogonal single crystal silicon wafer is set as the first ratio; The ratio (Φ:b) of the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod and the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer is set as the second ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b), 및 제1 비율 및 제2 비율을 결정하고; 제1 비율, 제2 비율은 모두 1보다 크고, 제1 비율은 제2 비율보다 작고;Determine the width (b) of the strip orthogonal single crystal silicon wafer, and the first ratio and the second ratio; The first ratio and the second ratio are both greater than 1, and the first ratio is smaller than the second ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제1 비율에 기초하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고;Determining the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer or square wafer based on the first ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제2 비율에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정한다.Determine the width (b) of the strip orthogonal single crystal silicon wafer and the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod based on the second ratio.
바람직하게는, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 길이(a)와 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(a:b)을 제3 비율로 하고; 제3 비율을 결정하고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제3 비율에 기초하여 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)를 결정한다.Preferably, the ratio (a:b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer length (a) and the strip right-angled single crystal silicon wafer width (b) is set as the third ratio; Determine the third ratio, and determine the width (b) of the strip orthogonal single crystal silicon wafer and the length (a) of the strip orthogonal single crystal silicon wafer based on the third ratio.
바람직하게는, 우선 제1 비율, 및 제1 비율과 제2 비율의 차이값을 결정한 후, 제1 비율 및 차이값에 기초하여 제2 비율을 결정한다.Preferably, first the first ratio and the difference value between the first ratio and the second ratio are determined, and then the second ratio is determined based on the first ratio and the difference value.
바람직하게는, 우선 제2 비율, 및 제1 비율과 제2 비율의 차이값을 결정한 후, 제2 비율 및 차이값에 기초하여 제1 비율을 결정한다.Preferably, the second ratio and the difference value between the first ratio and the second ratio are first determined, and then the first ratio is determined based on the second ratio and the difference value.
바람직하게는, 상기 단결정 실리콘 막대의 시점과 종점 양단을 절제하는 단계는, 구체적으로: 단결정 실리콘 막대 축 방향 양단(two points)의 가장자리를 축 방향을 따라 5 내지 100mm 절제한다.Preferably, the step of cutting both the starting and ending points of the single crystal silicon rod is specifically: cutting the edges of both ends (two points) in the axial direction of the single crystal silicon rod by 5 to 100 mm along the axial direction.
바람직하게는, 상기 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 12.5 내지 200mm이다.Preferably, the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer is 12.5 to 200 mm.
바람직하게는, 상기 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 두께는 50 내지 220um이다.Preferably, the thickness of the strip right-angled single crystal silicon wafer is 50 to 220 um.
본 발명은 태양 에너지 전지 부재를 더 제공하는데, 상기 태양 에너지 전지 부재는 상기 제조 방법으로 획득된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 채용한다.The present invention further provides a solar energy cell member, wherein the solar energy cell member employs a strip right-angled single crystal silicon wafer obtained by the above manufacturing method.
바람직하게는, 상기 태양 에너지 전지 부재는, 임브리케이션(imbrication) 또는 스플라이싱 기술을 채용한다.Preferably, the solar energy cell member adopts imbrication or splicing technology.
본 발명의 장점 및 유익한 효과는: 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법을 제공하고, 이는 단결정 실리콘 막대를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼로 절단하거나, 단결정 실리콘 막대를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼로 절단할 수 있어, 단결정 실리콘 막대의 이용율을 제고할 수 있다.The advantages and beneficial effects of the present invention are: providing a method for manufacturing single crystal silicon wafers, which includes cutting single crystal silicon rods into strip right-angled single crystal silicon wafers and single crystal silicon quasi-square wafers, or cutting single crystal silicon rods into strip right-angled single crystal silicon wafers and single crystal It can be cut into silicon square wafers, improving the utilization rate of single crystal silicon rods.
본 발명은 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)에 기초하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 길이(L)를 결정할 수 있고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)에 더 기초하여 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정할 수 있고; 즉 본 발명은 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 사이즈 규격을 미리 결정할 수 있고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 사이즈 규격에 기초하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 사이즈 규격, 및 단결정 실리콘 막대의 사이즈 규격을 결정할 수 있고, 이에 따라 단결정 실리콘 막대의 사이즈 규격이 특정 사이즈 규격의 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 특정 사이즈 규격의 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼를 제조하기에 적합하도록 하고, 이는 두 종류 특정 규격 실리콘 웨이퍼의 동기화 제조를 용이하게 달성하고, 단결정 실리콘 막대의 고효율 이용을 용이하게 달성한다.The present invention can determine the length (L) of a single crystal silicon quasi-square wafer or square wafer based on the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, and further based on the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer. The diameter (Φ) of the rod can be determined; That is, the present invention can determine the size standard of the strip right-angle single crystal silicon wafer in advance, and determine the size standard of the single crystal silicon quasi-square wafer or square wafer and the size standard of the single crystal silicon rod based on the size standard of the strip right-angle single crystal silicon wafer. Accordingly, the size specification of the single crystal silicon rod is suitable for manufacturing strip right-angle single crystal silicon wafers of a specific size specification and single crystal silicon quasi-square wafers or square wafers of a specific size specification, which are two types of specific specification silicon wafers. Easily achieve synchronous manufacturing and easily achieve high-efficiency use of single crystal silicon rods.
본 발명은 이하의 특징을 더 구비한다:The present invention further has the following features:
1) 전지 웨이퍼 공정의 발전에 따라, 실리콘 웨이퍼의 사이즈가 갈수록 커지고 있고, 실리콘 웨이퍼의 형상도 갈수록 사각형화 되어가는 추세에 있고, 원주형 실리콘 막대 절삭으로 절단한 레프트오버 물질도 갈수록 커지고 있어, 실리콘 막대의 이용율을 갈수록 저하시킨다; 본 발명은 레프트오버 물질을 재가열하거나 고효율 다결정 잉곳 시드 결정으로 사용하지 않고, 레프트오버 물질을 진일보하게 절단하여 형성한 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼로, 실리콘 막대의 이용율을 대폭 제고할 수 있다.1) With the development of the battery wafer process, the size of the silicon wafer is getting larger, the shape of the silicon wafer is also becoming more square, and the leftover material cut by cutting the cylindrical silicon rod is also getting bigger, making the silicon wafer larger. Gradually reduce the utilization rate of the bar; The present invention is a strip right-angled single crystal silicon wafer formed by further cutting the leftover material without reheating the leftover material or using it as a high-efficiency polycrystalline ingot seed crystal, and can greatly improve the utilization rate of silicon rods.
2) 레프트오버 물질을 바로 재가열하는 것은 에너지 소모를 증가시키고, 현재 태양광 발전 분야는 에너지 소모를 특히 주목하고 있고, 본 발명은 레프트오버 물질을 진일보하게 절단하여 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 형성하여, 에너지를 절약할 수 있다.2) Immediately reheating the leftover material increases energy consumption, and the solar power generation field is currently paying particular attention to energy consumption. The present invention further cuts the leftover material to form a strip right-angled single crystal silicon wafer, You can save energy.
3) 종래 임브리케이션, 스플라이싱 등 부재 기술이 사용하는 전지 웨이퍼는, 모두 기성품 전지 웨이퍼(예를 들어 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼)를 절단 분할하여 형성되는데, 레이저 절단 설비 증가 및 조각 절단 작업이 필요할 경우, 부재의 제조 비용을 증가시킨다; 본 발명은 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 사이즈 규격을 미리 결정할 수 있고, 그러므로 본 발명은 사이즈 규격이 임브리케이션, 스플라이싱 등 부재 기술에 적용되는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 바로 제조할 수 있고, 매칭된 전지 웨이퍼 생산 라인을 통해, 임브리케이션, 스플라이싱 등 부재 기술에 적용되는 전지 웨이퍼(즉 스트립 직각 단결정 실리콘 전지 웨이퍼)를 바로 제조할 수 있고, 부재단은 별도로 전지 웨이퍼를 증가시켜 분할 절단하는 공정의 증가를 필요로 하지 않는다.3) Battery wafers used in the past by non-technical techniques such as imbrication and splicing are all formed by cutting and dividing ready-made battery wafers (for example, quasi-square wafers or square wafers), but the increase in laser cutting equipment and piece cutting operations If this is necessary, it increases the cost of manufacturing the member; The present invention can determine the size standard of a strip right-angled single crystal silicon wafer in advance, and therefore, the present invention can immediately manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer whose size standard is applied to member technologies such as embrication and splicing, and matching. Through the battery wafer production line, it is possible to immediately manufacture battery wafers (i.e. strip right-angled single crystal silicon battery wafers) applied to member technologies such as embrication and splicing, and the member ends are separately cut by increasing the battery wafer. There is no need for an increase in the process.
4) 상술한 바와 같이, 종래의 임브리케이션, 스플라이싱 등 부재 기술이 사용하는 전지 웨이퍼는, 모두 기성품 전지 웨이퍼(예를 들어 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼)를 절단 분할하여 형성되는데, 레이저를 통해 기성품 전지 웨이퍼를 분할 절단하는 것은, 전지 웨이퍼에 기계적 손상을 가져올 수 있고, 전지 웨이퍼 전기적 성능 저하를 야기할 수 있다; 본 발명은 임브리케이션, 스플라이싱 등 부재 기술에 적용되는 스트립 직각 단결정 실리콘 전지 웨이퍼를 바로 제조할 수 있고, 본 발명은 기성품 전지 웨이퍼에 대해 절단 분할을 수행하는 것이 아니므로, 레이저 절단이 야기하는 전지 웨이퍼의 기계적 손상 및 전기적 성능 저하를 방지할 수 있다.4) As mentioned above, the battery wafers used by conventional techniques such as embrication and splicing are all formed by cutting and dividing a ready-made battery wafer (for example, a quasi-square wafer or square wafer), using a laser. Cutting a ready-made battery wafer into parts may cause mechanical damage to the battery wafer and cause deterioration of the battery wafer's electrical performance; The present invention can immediately manufacture strip right-angled single crystal silicon battery wafers applied to member technologies such as embrication and splicing, and since the present invention does not perform cutting and division on ready-made battery wafers, laser cutting is not required. Mechanical damage and electrical performance deterioration of the battery wafer can be prevented.
5) 본 발명은 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 사이즈 규격을 미리 결정할 수 있고, 그러므로 분 발명은 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 사이즈를 제어함으로써 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 전기적 성능 균일성을 제고할 수 있고, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 사이즈를 제어함으로써 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 전기적 성능 균일성을 제고할 수 있고, 나아가 부재의 종합 전기적 성능을 제고할 수 있다.5) The present invention can determine the size standard of the strip right-angled single crystal silicon wafer in advance, and therefore, the present invention can improve the electrical performance uniformity of the strip right-angled single crystal silicon wafer by controlling the size of the strip right-angled single crystal silicon wafer, and the single crystal By controlling the size of the silicon quasi square wafer or square wafer, the electrical performance uniformity of the single crystal silicon quasi square wafer or square wafer can be improved, and further, the overall electrical performance of the member can be improved.
6) 본 발명이 제조한 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 4개의 각은 모두 직각이고, 전지 웨이퍼를 형성한 후, 수광 면적을 증대시킬 수 있고, 나아가 부재 발전 공률을 증가시킬 수 있다.6) All four angles of the strip right-angled single crystal silicon wafer manufactured by the present invention are right angles, and after forming the battery wafer, the light receiving area can be increased and further the member power generation power can be increased.
7) 본 발명 단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, N형 단결정 실리콘 웨이퍼에 적용되고, N형 단결정 실리콘 웨이퍼에도 적용된다.7) The method for manufacturing a single crystal silicon wafer of the present invention is applied to an N-type single crystal silicon wafer and is also applied to an N-type single crystal silicon wafer.
아래에서 실시예를 결합하여, 본 발명의 구체적인 실시방식에 대해 진일보하게 서술한다. 이하의 실시예는 본 발명의 기술방안을 더 명확하게 설명하는 데 사용될 뿐이고, 이것에 의해 본 발명의 보호범위가 제한될 수 없다.Below, the examples are combined to further describe specific implementation methods of the present invention. The following examples are only used to more clearly explain the technical solution of the present invention, and the scope of protection of the present invention cannot be limited by them.
실시예 1Example 1
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어(quasi square) 웨이퍼를 제조하는 데 사용되고,The method for producing single crystal silicon wafers is used to produce strip right-angle single crystal silicon wafers and single crystal silicon quasi square wafers,
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a) 및 너비(b), 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)보다 작고; 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)는 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)보다 작고; 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 길이(H)를 결정하여, 단결정 실리콘 막대의 길이(H)가 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 크도록 하고; 상기 결정된 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ) 및 길이(H)에 따라, 원주형 단결정 실리콘 기둥을 제조하고;Determine the length (a) and width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer, and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer is the edge of the single crystal silicon quasi-square wafer. Less than length (L); Determine the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod, and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer is smaller than the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod; Determine the length (H) of the single crystal silicon rod based on the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, such that the length (H) of the single crystal silicon rod is greater than the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer; Manufacturing a cylindrical single crystal silicon pillar according to the determined diameter (Φ) and length (H) of the single crystal silicon rod;
단결정 실리콘 막대의 시점(start point)과 종점(end point) 양단을 절제하고, 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이(h)는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 작지 않고; 상기 결정된 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)에 따라 단결정 실리콘 막대 잔여단에 대해 절단을 수행하여, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 쿼시 스퀘어 막대를 획득하고, 4개의 레프트오버(leftover) 물질을 획득하고, 상기 4개의 레프트오버 물질은 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이 방향을 따라 절단되고, 상기 4개의 레프트오버 물질과 단결정 실리콘 막대 잔여단은 길이가 동일하고; 각각의 레프트오버 물질은: 절단하여 형성된 직사각형 절단면, 및 절단면과 대향하는 호면(arc surface)을 포함하고; 절단면을 기준면으로 하고; 절단면 및 호면의 결합부를 첨각부로 하고;Both ends of the start point and end point of the single crystal silicon rod are excised, and the length (h) of the remaining end of the single crystal silicon rod is not smaller than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Cutting is performed on the remaining end of the single crystal silicon rod according to the determined edge length (L) of the single crystal silicon quasi square wafer to obtain a quasi square rod used to manufacture a single crystal silicon quasi square wafer, and four leftovers ( leftover) materials are obtained, the four leftover materials are cut along the longitudinal direction of the remaining ends of the single crystal silicon rod, and the four leftover materials and the remaining ends of the single crystal silicon rod have the same length; Each leftover material includes: a rectangular cut surface formed by cutting, and an arc surface opposing the cut surface; The cutting surface is used as a reference plane; The joining part of the cut surface and the arc surface is made into a sharp angle part;
쿼시 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하고;Cutting the quasi-square rod to produce a single crystal silicon quasi-square wafer;
상기 결정된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 따라 각각의 레프트오버 물질을 절단하고, 각각의 레프트오버 물질에서 적어도 하나의 레프트오버 물질 소단(小段)이 절단되고, 각각의 레프트오버 물질 소단 기준면의 길이는 스트립 직각 단결정 실리콘의 길이(a)와 일치하고; 레프트오버 물질 소단 양측의 첨각부를 절제하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 실리콘 덩이를 획득하여, 실리콘 덩이 기준면의 길이 너비 사이즈를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이 너비 사이즈와 일치시키고; 실리콘 덩이 기준면과 서로 평행한 방향을 따라 실리콘 덩이에 대해 절삭을 수행하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 획득하는 단계를 포함한다.Each leftover material is cut according to the determined length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, at least one leftover material small section is cut from each leftover material, and each leftover material small section is a reference plane. The length of corresponds to the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon; The apex portions on both sides of the leftover material end are excised to obtain a silicon lump used to manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer, and the length and width size of the silicon lump reference plane is matched to the length and width size of the strip right-angled single crystal silicon wafer; It includes performing cutting on the silicon lump along a direction parallel to the silicon lump reference plane to obtain a strip right-angled single crystal silicon wafer.
실시예 2Example 2
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법은, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되고,The manufacturing method of single crystal silicon wafer is used to manufacture strip right-angled single crystal silicon wafer and single crystal silicon square wafer,
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a) 및 너비(b), 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)보다 작고; 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고, 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)는 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)보다 작고; 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 길이(H)를 결정하여, 단결정 실리콘 막대의 길이(H)가 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 크도록 하고; 상기 결정된 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ) 및 길이(H)에 따라, 원주형 단결정 실리콘 기둥을 제조하고;Determine the length (a) and width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, and the edge length (L) of the single crystal silicon square wafer, and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer is the edge length of the single crystal silicon square wafer ( smaller than L); Determine the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod, the edge length (L) of the single crystal silicon square wafer is smaller than the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod; Determine the length (H) of the single crystal silicon rod based on the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, such that the length (H) of the single crystal silicon rod is greater than the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer; Manufacturing a cylindrical single crystal silicon pillar according to the determined diameter (Φ) and length (H) of the single crystal silicon rod;
단결정 실리콘 막대의 시점(start point)과 종점(end point) 양단을 절제하고, 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이(h)는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 작지 않고; 상기 결정된 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)에 따라 단결정 실리콘 막대 잔여단에 대해 절단을 수행하여, 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 스퀘어 막대를 획득하고, 4개의 레프트오버(leftover) 물질을 획득하고, 상기 4개의 레프트오버 물질은 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이 방향을 따라 절단되고, 상기 4개의 레프트오버 물질과 단결정 실리콘 막대 잔여단은 길이가 동일하고; 각각의 레프트오버 물질은: 절단하여 형성된 직사각형 절단면, 및 절단면과 대향하는 호면(arc surface)을 포함하고; 절단면을 기준면으로 하고; 절단면 및 호면의 결합부를 첨각부(尖角部)로 하고;Both ends of the start point and end point of the single crystal silicon rod are excised, and the length (h) of the remaining end of the single crystal silicon rod is not smaller than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Cutting is performed on the remaining ends of the single crystal silicon bar according to the determined edge length (L) of the single crystal silicon square wafer to obtain a square bar used to manufacture a single crystal silicon square wafer, and four leftover materials Obtaining, the four leftover materials are cut along the longitudinal direction of the remaining ends of the single crystal silicon rod, and the four leftover materials and the remaining ends of the single crystal silicon rod have the same length; Each leftover material includes: a rectangular cut surface formed by cutting, and an arc surface opposing the cut surface; The cutting surface is used as a reference plane; The joining part of the cutting surface and the arc surface is made into a sharp angle part;
스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하고;Cutting the square bar to produce a single crystal silicon square wafer;
상기 결정된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 따라 각각의 레프트오버 물질을 절단하고, 각각의 레프트오버 물질에서 적어도 하나의 레프트오버 물질 소단(小段)이 절단되고, 각각의 레프트오버 물질 소단 기준면의 길이는 스트립 직각 단결정 실리콘의 길이(a)와 일치하고; 레프트오버 물질 소단 양측의 첨각부를 절제하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 실리콘 덩이를 획득하여, 실리콘 덩이 기준면의 길이 너비 사이즈를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이 너비 사이즈와 일치시키고; 실리콘 덩이 기준면과 서로 평행한 방향을 따라 실리콘 덩이에 대해 절삭을 수행하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 획득하는 단계를 포함한다.Each leftover material is cut according to the determined length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, at least one leftover material small section is cut from each leftover material, and each leftover material small section is a reference plane. The length of corresponds to the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon; The apex portions on both sides of the leftover material end are excised to obtain a silicon lump used to manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer, and the length and width size of the silicon lump reference plane is matched to the length and width size of the strip right-angled single crystal silicon wafer; It includes performing cutting on the silicon lump along a direction parallel to the silicon lump reference plane to obtain a strip right-angled single crystal silicon wafer.
실시예 3Example 3
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법은, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되고,The manufacturing method of single crystal silicon wafer is used to manufacture strip right-angle single crystal silicon wafer and single crystal silicon quasi-square wafer,
단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)와 스트립 직경 단결정 실리콘 스퀘어 너비(b)의 비율(L:b)을 제1 비율로 하고, The ratio (L:b) of the edge length (L) of the single crystal silicon quasi square wafer and the strip diameter single crystal silicon square width (b) is set as the first ratio,
단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)과 스트립 직경 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(Φ:b)의 비율을 제2 비율로 하고;The ratio (Φ:b) of the diameter of the single crystal silicon rod (Φ) and the strip diameter and width (b) of the single crystal silicon wafer is set as the second ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 길이(a)와 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(a:b)을 제3 비율로 하고;The ratio (a:b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer length (a) and the strip right-angle single crystal silicon wafer width (b) is set as the third ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b), 제1 비율, 제2 비율 및 제3 비율을 결정하고; 제1 비율, 제2 비율, 제3 비율은 모두 1보다 크고, 제1 비율은 제2 비율보다 작고;Determine the width (b), first ratio, second ratio and third ratio of the strip right-angled single crystal silicon wafer; The first ratio, the second ratio, and the third ratio are all greater than 1, and the first ratio is less than the second ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제1 비율에 기초하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고;Determining the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer based on the first ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제2 비율에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고;determining the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod based on the second ratio and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제3 비율에 기초하여 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)를 결정하고;Determining the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer and the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer based on the third ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 길이(H)를 결정하여, 단결정 실리콘 막대의 길이(H)가 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 크도록 하고, Determine the length (H) of the single crystal silicon rod based on the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, so that the length (H) of the single crystal silicon rod is greater than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer,
상기 결정된 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ) 및 길이(H)에 따라, 원주형 단결정 실리콘 기둥을 제조하고;Manufacturing a cylindrical single crystal silicon pillar according to the determined diameter (Φ) and length (H) of the single crystal silicon rod;
단결정 실리콘 막대의 시점(start point)과 종점(end point) 양단을 절제하고, 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이(h)는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 작지 않고; 상기 결정된 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)에 따라 단결정 실리콘 막대 잔여단에 대해 절단을 수행하여, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 쿼시 스퀘어 막대를 획득하고, 4개의 레프트오버(leftover) 물질을 획득하고, 상기 4개의 레프트오버 물질은 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이 방향을 따라 절단되고, 상기 4개의 레프트오버 물질과 단결정 실리콘 막대 잔여단은 길이가 동일하고; 각각의 레프트오버 물질은: 절단하여 형성된 직사각형 절단면, 및 절단면과 대향하는 호면(arc surface)을 포함하고; 절단면을 기준면으로 하고; 절단면 및 호면의 결합부를 첨각부(尖角部)로 하고;Both ends of the start point and end point of the single crystal silicon rod are excised, and the length (h) of the remaining end of the single crystal silicon rod is not smaller than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Cutting is performed on the remaining end of the single crystal silicon rod according to the determined edge length (L) of the single crystal silicon quasi square wafer to obtain a quasi square rod used to manufacture a single crystal silicon quasi square wafer, and four leftovers ( leftover) materials are obtained, the four leftover materials are cut along the longitudinal direction of the remaining ends of the single crystal silicon rod, and the four leftover materials and the remaining ends of the single crystal silicon rod have the same length; Each leftover material includes: a rectangular cut surface formed by cutting, and an arc surface opposing the cut surface; The cutting surface is used as a reference plane; The joining part of the cutting surface and the arc surface is made into a sharp angle part;
쿼시 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하고;Cutting the quasi-square rod to produce a single crystal silicon quasi-square wafer;
상기 결정된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 따라 각각의 레프트오버 물질을 절단하고, 각각의 레프트오버 물질에서 적어도 하나의 레프트오버 물질 소단(小段)이 절단되고, 각각의 레프트오버 물질 소단 기준면의 길이는 스트립 직각 단결정 실리콘의 길이(a)와 일치하고; 레프트오버 물질 소단 양측의 첨각부를 절제하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 실리콘 덩이를 획득하여, 실리콘 덩이 기준면의 길이 너비 사이즈를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이 너비 사이즈와 일치시키고; 실리콘 덩이 기준면과 서로 평행한 방향을 따라 실리콘 덩이에 대해 절삭을 수행하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 획득하는 단계를 포함한다.Each leftover material is cut according to the determined length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, at least one leftover material small section is cut from each leftover material, and each leftover material small section is a reference plane. The length of corresponds to the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon; The apex portions on both sides of the leftover material end are excised to obtain a silicon lump used to manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer, and the length and width size of the silicon lump reference plane is matched to the length and width size of the strip right-angled single crystal silicon wafer; It includes performing cutting on the silicon lump along a direction parallel to the silicon lump reference plane to obtain a strip right-angled single crystal silicon wafer.
실시예 4Example 4
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조방법은, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되고,The manufacturing method of single crystal silicon wafer is used to manufacture strip right-angle single crystal silicon wafer and single crystal silicon square wafer,
단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)와 스트립 직경 단결정 실리콘 스퀘어 너비(b)의 비율(L:b)을 제1 비율로 하고, The ratio (L:b) of the edge length (L) of the single crystal silicon square wafer and the strip diameter and single crystal silicon square width (b) is set as the first ratio,
단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)과 스트립 직경 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(Φ:b)의 비율을 제2 비율로 하고;The ratio (Φ:b) of the diameter of the single crystal silicon rod (Φ) and the strip diameter and width (b) of the single crystal silicon wafer is set as the second ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 길이(a)와 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(a:b)을 제3 비율로 하고;The ratio (a:b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer length (a) and the strip right-angle single crystal silicon wafer width (b) is set as the third ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b), 제1 비율, 제2 비율 및 제3 비율을 결정하고; 제1 비율, 제2 비율, 제3 비율은 모두 1보다 크고, 제1 비율은 제2 비율보다 작고;Determine the width (b), first ratio, second ratio and third ratio of the strip right-angled single crystal silicon wafer; The first ratio, the second ratio, and the third ratio are all greater than 1, and the first ratio is less than the second ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제1 비율에 기초하여 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고;Determining the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer and the edge length (L) of the single crystal silicon square wafer based on the first ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제2 비율에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고;determining the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod based on the second ratio and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제3 비율에 기초하여 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)를 결정하고;Determining the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer and the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer based on the third ratio;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 길이(H)를 결정하여, 단결정 실리콘 막대의 길이(H)가 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 크도록 하고, Determine the length (H) of the single crystal silicon rod based on the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, so that the length (H) of the single crystal silicon rod is greater than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer,
상기 결정된 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ) 및 길이(H)에 따라, 원주형 단결정 실리콘 기둥을 제조하고;Manufacturing a cylindrical single crystal silicon pillar according to the determined diameter (Φ) and length (H) of the single crystal silicon rod;
단결정 실리콘 막대의 시점(start point)과 종점(end point) 양단을 절제하고, 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이(h)는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 작지 않고; 상기 결정된 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)에 따라 단결정 실리콘 막대 잔여단에 대해 절단을 수행하여, 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 스퀘어 막대를 획득하고, 4개의 레프트오버(leftover) 물질을 획득하고, 상기 4개의 레프트오버 물질은 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이 방향을 따라 절단되고, 상기 4개의 레프트오버 물질과 단결정 실리콘 막대 잔여단은 길이가 동일하고; 각각의 레프트오버 물질은: 절단하여 형성된 직사각형 절단면, 및 절단면과 대향하는 호면(arc surface)을 포함하고; 절단면을 기준면으로 하고; 절단면 및 호면의 결합부를 첨각부(尖角部)로 하고;Both ends of the start point and end point of the single crystal silicon rod are excised, and the length (h) of the remaining end of the single crystal silicon rod is not smaller than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Cutting is performed on the remaining ends of the single crystal silicon bar according to the determined edge length (L) of the single crystal silicon square wafer to obtain a square bar used to manufacture a single crystal silicon square wafer, and four leftover materials Obtaining, the four leftover materials are cut along the longitudinal direction of the remaining ends of the single crystal silicon rod, and the four leftover materials and the remaining ends of the single crystal silicon rod have the same length; Each leftover material includes: a rectangular cut surface formed by cutting, and an arc surface opposing the cut surface; The cutting surface is used as a reference plane; The joining part of the cutting surface and the arc surface is made into a sharp angle part;
스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하고;Cutting the square bar to produce a single crystal silicon square wafer;
상기 결정된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 따라 각각의 레프트오버 물질을 절단하고, 각각의 레프트오버 물질에서 적어도 하나의 레프트오버 물질 소단(小段)이 절단되고, 각각의 레프트오버 물질 소단 기준면의 길이는 스트립 직각 단결정 실리콘의 길이(a)와 일치하고; 레프트오버 물질 소단 양측의 첨각부를 절제하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 실리콘 덩이를 획득하여, 실리콘 덩이 기준면의 길이 너비 사이즈를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이 너비 사이즈와 일치시키고; 실리콘 덩이 기준면과 서로 평행한 방향을 따라 실리콘 덩이에 대해 절삭을 수행하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 획득하는 단계를 포함한다.Each leftover material is cut according to the determined length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, at least one leftover material small section is cut from each leftover material, and each leftover material small section is a reference plane. The length of corresponds to the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon; The apex portions on both sides of the leftover material end are excised to obtain a silicon lump used to manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer, and the length and width size of the silicon lump reference plane is matched to the length and width size of the strip right-angled single crystal silicon wafer; It includes performing cutting on the silicon lump along a direction parallel to the silicon lump reference plane to obtain a strip right-angled single crystal silicon wafer.
실시예 5Example 5
실시예 3 또는 실시예 4를 기초로 하되, 차이점은:Based on Example 3 or Example 4 with the differences:
우선 제1 비율, 및 제1 비율과 제2 비율의 차이값을 결정한 후, 제1 비율 및 차이값에 기초하여 제2 비율을 결정하는 데 있다.First, the first ratio and the difference value between the first ratio and the second ratio are determined, and then the second ratio is determined based on the first ratio and the difference value.
실시예 6Example 6
실시예 3 또는 실시예 4를 기초로 하되, 차이점은:Based on Example 3 or Example 4 with the differences:
우선 제2 비율, 및 제1 비율과 제2 비율의 차이값을 결정한 후, 제2 비율 및 차이값에 기초하여 제1 비율을 결정하는 데 있다.First, the second ratio and the difference value between the first ratio and the second ratio are determined, and then the first ratio is determined based on the second ratio and the difference value.
실시예 1 내지 실시예 6에 있어서:In Examples 1 to 6:
단결정 실리콘 막대의 시점과 종점 양단을 절제하는 단계는, 구체적으로: 단결정 실리콘 막대 축 방향 양단(two points)의 가장자리를 축 방향을 따라 5 내지 100mm 절제하는 것이고,The step of cutting both the starting and ending points of the single crystal silicon rod is specifically: cutting the edges of the two points in the axial direction of the single crystal silicon rod by 5 to 100 mm along the axial direction,
상기 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 12.5 내지 200mm이고,The width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer is 12.5 to 200 mm,
상기 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 두께는 50 내지 220um이다.The thickness of the strip right-angled single crystal silicon wafer is 50 to 220 um.
실시예 7Example 7
태양 에너지 전지 부재에 있어서, 실시예 1 내지 실시예 6 중 어느 하나의 실시예로 획득된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 채용한다.In the solar energy cell member, the strip right-angled single crystal silicon wafer obtained in any one of Examples 1 to 6 is employed.
실시예 8Example 8
실시예 7을 기초로 하되, 차이점은:Based on Example 7, with the differences:
상기 태양 에너지 전지 부재는 임브리케이션(imbrication) 또는 스플라이싱 기술을 채용하는 데 있다.The solar energy cell member employs imbrication or splicing technology.
이상에서 설명한 것은 본 발명의 바람직한 실시방식일 뿐이고, 짚고 넘어가야 할 것은, 통상의 기술자에게 있어서, 본 발명의 기술원리를 벗어나지 않는다는 전제 하에, 약간의 개선 및 변형을 더 가할 수 있고, 이러한 개선 및 변경도 본 발명의 보호범위에 속하는 것으로 보아야 한다는 것이다.What has been described above is only a preferred embodiment of the present invention, and it should be pointed out that those skilled in the art can make further improvements and modifications without departing from the technical principles of the present invention, and these improvements and modifications can be made. Changes should also be viewed as falling within the scope of protection of the present invention.
Claims (10)
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어(quasi square) 웨이퍼를 동기화 제조하는 데 사용되거나, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 동기화 제조하는 데 사용되고,
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a) 및 너비(b), 및 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)보다 작고; 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)는 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)보다 작고; 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 길이(H)를 결정하여, 단결정 실리콘 막대의 길이(H)가 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 크도록 하고; 상기 결정된 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ) 및 길이(H)에 따라, 원주형 단결정 실리콘 기둥을 제조하고;
단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 길이(L)와 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(L:b)을 제1 비율로 하고; 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)과 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(Φ:b)의 비율을 제2 비율로 하고;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b), 및 제1 비율 및 제2 비율을 결정하고; 제1 비율, 제2 비율은 모두 1보다 크고, 제1 비율은 제2 비율보다 작고;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제1 비율에 기초하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 모서리 길이(L)를 결정하고;
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제2 비율에 기초하여 단결정 실리콘 막대의 직경(Φ)을 결정하고,
스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 길이(a)와 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼 너비(b)의 비율(a:b)을 제3 비율로 하고; 제3 비율을 결정하고, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b) 및 제3 비율에 기초하여 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)를 결정하고,
단결정 실리콘 막대의 시점(start point)과 종점(end point) 양단을 절제하고, 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이(h)는 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)보다 작지 않고; 상기 결정된 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼 또는 스퀘어 웨이퍼의 길이(L)에 따라 단결정 실리콘 막대 잔여단에 대해 절단을 수행하여, 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 쿼시 스퀘어 막대 또는 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 스퀘어 막대를 획득하고, 4개의 레프트오버(leftover) 물질을 획득하고, 상기 4개의 레프트오버 물질은 단결정 실리콘 막대 잔여단의 길이 방향을 따라 절단되고, 상기 4개의 레프트오버 물질과 단결정 실리콘 막대 잔여단은 길이가 동일하고; 각각의 레프트오버 물질은: 절단하여 형성된 직사각형 절단면, 및 절단면과 대향하는 호면(arc surface)을 포함하고; 절단면을 기준면으로 하고; 절단면 및 호면의 결합부를 첨각부(尖角部)로 하고;
쿼시 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 쿼시 스퀘어 웨이퍼를 제조하거나, 스퀘어 막대를 절삭하여 단결정 실리콘 스퀘어 웨이퍼를 제조하고;
상기 결정된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이(a)에 따라 각각의 레프트오버 물질을 절단하고, 각각의 레프트오버 물질에서 적어도 하나의 레프트오버 물질 소단(小段)이 절단되고, 각각의 레프트오버 물질 소단 기준면의 길이는 스트립 직각 단결정 실리콘의 길이(a)와 일치하고; 레프트오버 물질 소단 양측의 첨각부를 절제하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 제조하는 데 사용되는 실리콘 덩이를 획득하여, 실리콘 덩이 기준면의 길이 너비 사이즈를 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 길이 너비 사이즈와 일치시키고; 실리콘 덩이 기준면과 서로 평행한 방향을 따라 실리콘 덩이에 대해 절삭을 수행하여, 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 획득하는 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는,
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.In the method of manufacturing a single crystal silicon wafer,
Used for synchronously manufacturing strip right-angle single crystal silicon wafers and single crystal silicon quasi square wafers, or used for synchronously manufacturing strip right-angle single crystal silicon wafers and single crystal silicon square wafers,
Determine the length (a) and width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer or the square wafer, and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer is the single crystal silicon quasi-square wafer. Smaller than the edge length (L) of the wafer or square wafer; Determine the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod, and the single crystal silicon quasi-square wafer or the edge length (L) of the square wafer is smaller than the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod; Determine the length (H) of the single crystal silicon rod based on the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer, such that the length (H) of the single crystal silicon rod is greater than the length (a) of the strip right-angle single crystal silicon wafer; Manufacturing a cylindrical single crystal silicon pillar according to the determined diameter (Φ) and length (H) of the single crystal silicon rod;
The ratio (L:b) of the single crystal silicon quasi-square wafer or the length (L) of the square wafer and the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer is set as the first ratio; The ratio (Φ:b) of the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod and the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer is set as the second ratio;
Determine the width (b) of the strip orthogonal single crystal silicon wafer, and the first ratio and the second ratio; The first ratio and the second ratio are both greater than 1, and the first ratio is smaller than the second ratio;
Determining the width (b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer and the edge length (L) of the single crystal silicon quasi-square wafer or square wafer based on the first ratio;
Determining the diameter (Φ) of the single crystal silicon rod based on the width (b) and the second ratio of the strip orthogonal single crystal silicon wafer,
The ratio (a:b) of the strip right-angle single crystal silicon wafer length (a) and the strip right-angle single crystal silicon wafer width (b) is set as the third ratio; Determine the third ratio, determine the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer and the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer based on the third ratio,
Both ends of the start point and end point of the single crystal silicon rod are excised, and the length (h) of the remaining end of the single crystal silicon rod is not smaller than the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Cutting is performed on the remaining ends of the single crystal silicon rod according to the determined length (L) of the single crystal silicon quasi square wafer or square wafer to produce a quasi square bar or single crystal silicon square wafer used to manufacture a single crystal silicon quasi square wafer. Obtain a square bar used to obtain, obtain four leftover materials, the four leftover materials are cut along the longitudinal direction of the remaining end of the single crystal silicon rod, and the four leftover materials and the single crystal The remaining ends of the silicone rod have the same length; Each leftover material includes: a rectangular cut surface formed by cutting, and an arc surface opposing the cut surface; The cutting surface is used as a reference plane; The joining part of the cutting surface and the arc surface is made into a sharp angle part;
Manufacturing a single crystal silicon quasi square wafer by cutting a quasi square bar, or manufacturing a single crystal silicon square wafer by cutting a square bar;
Each leftover material is cut according to the determined length (a) of the strip right-angled single crystal silicon wafer, at least one leftover material small section is cut from each leftover material, and each leftover material small section is a reference plane. The length of corresponds to the length (a) of the strip right-angled single crystal silicon; The apex portions on both sides of the leftover material end are excised to obtain a silicon lump used to manufacture a strip right-angled single crystal silicon wafer, and the length and width size of the silicon lump reference plane is matched to the length and width size of the strip right-angled single crystal silicon wafer; Obtaining a strip right-angled single crystal silicon wafer by cutting the silicon lump along a direction parallel to the silicon lump reference plane.
Characterized in that it includes,
Method for manufacturing single crystal silicon wafers.
우선 제1 비율, 및 제1 비율과 제2 비율의 차이값을 결정한 후, 제1 비율 및 차이값에 기초하여 제2 비율을 결정하는 것을 특징으로 하는,
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.According to paragraph 1,
Characterized in that first determining the first ratio and the difference value between the first ratio and the second ratio, and then determining the second ratio based on the first ratio and the difference value,
Method for manufacturing single crystal silicon wafers.
우선 제2 비율, 및 제1 비율과 제2 비율의 차이값을 결정한 후, 제2 비율 및 차이값에 기초하여 제1 비율을 결정하는 것을 특징으로 하는,
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.According to paragraph 1,
Characterized in that first determining the second ratio and the difference value between the first ratio and the second ratio, and then determining the first ratio based on the second ratio and the difference value,
Method for manufacturing single crystal silicon wafers.
상기 단결정 실리콘 막대의 시점과 종점 양단을 절제하는 단계는, 구체적으로: 단결정 실리콘 막대 축 방향 양단(two points)의 가장자리를 축 방향을 따라 5 내지 100mm 절제하는 것을 특징으로 하는,
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.According to paragraph 1,
The step of cutting both the starting and ending points of the single crystal silicon rod is specifically characterized in that: cutting the edges of both ends (two points) in the axial direction of the single crystal silicon rod by 5 to 100 mm along the axial direction.
Method for manufacturing single crystal silicon wafers.
상기 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 너비(b)는 12.5 내지 200mm인 것을 특징으로 하는,
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.According to paragraph 1,
Characterized in that the width (b) of the strip right-angled single crystal silicon wafer is 12.5 to 200 mm,
Method for manufacturing single crystal silicon wafers.
상기 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼의 두께는 50 내지 220um인 것을 특징으로 하는,
단결정 실리콘 웨이퍼의 제조 방법.According to paragraph 1,
Characterized in that the thickness of the strip right-angled single crystal silicon wafer is 50 to 220um,
Method for manufacturing single crystal silicon wafers.
상기 태양 에너지 전지 부재는 제1항의 제조 방법으로 획득된 스트립 직각 단결정 실리콘 웨이퍼를 채용하는 것을 특징으로 하는,
태양 에너지 전지 부재.In the solar energy cell member,
The solar energy cell member is characterized in that it employs a strip right-angled single crystal silicon wafer obtained by the manufacturing method of claim 1,
Absence of solar energy cells.
상기 태양 에너지 전지 부재는 임브리케이션(imbrication) 또는 스플라이싱 기술을 채용하는 것을 특징으로 하는,
태양 에너지 전지 부재.According to clause 9,
The solar energy cell member is characterized in that it adopts imbrication or splicing technology,
Absence of solar energy cells.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910159650.3 | 2019-03-04 | ||
| CN201910159650.3A CN109747055B (en) | 2019-03-04 | 2019-03-04 | Preparation method and application of monocrystalline silicon wafer |
| PCT/CN2020/077444 WO2020177667A1 (en) | 2019-03-04 | 2020-03-02 | Preparation method and application of monocrystalline silicon wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210110658A KR20210110658A (en) | 2021-09-08 |
| KR102583010B1 true KR102583010B1 (en) | 2023-09-25 |
Family
ID=66408069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217024045A KR102583010B1 (en) | 2019-03-04 | 2020-03-02 | Manufacturing method and application of single crystal silicon wafer |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102583010B1 (en) |
| CN (2) | CN109747055B (en) |
| MY (1) | MY194767A (en) |
| SG (1) | SG11202108351YA (en) |
| WO (1) | WO2020177667A1 (en) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109747055B (en) * | 2019-03-04 | 2020-12-04 | 常州时创能源股份有限公司 | Preparation method and application of monocrystalline silicon wafer |
| CN110060951B (en) * | 2019-05-21 | 2024-02-13 | 常州时创能源股份有限公司 | Graphite boat for silicon wafer coating |
| CN110416156B (en) * | 2019-07-31 | 2022-04-26 | 常州时创能源股份有限公司 | Preparation process of solar cell slices |
| CN110466083B (en) * | 2019-08-07 | 2021-11-12 | 常州时创能源股份有限公司 | Utilization method of silicon rod edge leather |
| CN110534617A (en) * | 2019-08-29 | 2019-12-03 | 常州时创能源科技有限公司 | The preparation method of small pieces battery |
| CN110712308A (en) * | 2019-10-23 | 2020-01-21 | 常州时创能源科技有限公司 | Cutting method of edge leather |
| CN110789010A (en) * | 2019-11-01 | 2020-02-14 | 常州时创能源科技有限公司 | Cutting process of crystal silicon edge leather |
| CN110625834A (en) * | 2019-11-01 | 2019-12-31 | 常州时创能源科技有限公司 | Method for cutting crystalline silicon edge leather |
| CN110789011A (en) * | 2019-11-07 | 2020-02-14 | 北京昌日新能源科技有限公司 | Novel photovoltaic right-angle monocrystalline silicon piece and manufacturing method thereof |
| CN111029440B (en) * | 2019-12-11 | 2022-01-28 | 晶科能源有限公司 | Single crystal battery and manufacturing method of single crystal silicon wafer |
| CN110978303A (en) * | 2019-12-20 | 2020-04-10 | 江苏高照新能源发展有限公司 | Cutting method for improving utilization rate of silicon single crystal rod |
| CN111361027B (en) * | 2020-04-30 | 2022-05-31 | 常州时创能源股份有限公司 | Silicon rod cutting process |
| CN114227957B (en) * | 2021-12-20 | 2024-03-26 | 常州时创能源股份有限公司 | Silicon rod cutting method |
| CN114347283A (en) * | 2022-01-19 | 2022-04-15 | 浙江昀丰新材料科技股份有限公司 | Processing technology of photovoltaic substrate wafer |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201503249A (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-16 | Motech Ind Inc | Method for cutting ingot, brick and wafer |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2752768B1 (en) * | 1996-08-27 | 2003-04-11 | Commissariat Energie Atomique | PROCESS FOR OBTAINING A WAFER OF LARGE-SIZE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND USE OF THE WAFER OBTAINED FOR MAKING SEMICONDUCTOR-TYPE SUBSTRATES ON INSULATION |
| JP5108123B2 (en) * | 2011-01-27 | 2012-12-26 | 株式会社岡本工作機械製作所 | Cylindrical ingot block cutting apparatus and method of processing into a square pillar block using the same |
| WO2013095928A1 (en) * | 2011-12-23 | 2013-06-27 | Gtat Corporation | Method of producing bricks from a silicon ingot |
| CN102758243A (en) * | 2012-07-06 | 2012-10-31 | 无锡中硅科技有限公司 | Seed crystal of large-size single crystal and production process thereof |
| CN104769166A (en) * | 2012-08-17 | 2015-07-08 | Gtat公司 | System and method of growing silicon ingots from seeds in a crucible and manufacture of seeds used therein |
| CN103862584B (en) * | 2014-04-04 | 2015-09-30 | 常州时创能源科技有限公司 | The evolution technique of monocrystalline silicon round rod used for solar batteries and application |
| CN204367198U (en) * | 2014-12-24 | 2015-06-03 | 湖南宇晶机器股份有限公司 | Multi-thread broken side's cutting machine |
| CN108972919A (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-11 | 江苏拓正茂源新能源有限公司 | The technique that silicon single crystal rod is processed into monocrystalline silicon buffing silicon wafer |
| CN108068221B (en) * | 2017-11-01 | 2019-03-05 | 宇泰（江西）新能源有限公司 | A kind of processing method with column crystal silicon rod processing rectangular photovoltaic cells silicon wafer |
| CN108437246A (en) * | 2018-04-03 | 2018-08-24 | 江阴市瑞尔嘉新能源科技有限公司 | A kind of method and apparatus of silicon core flaw-piece cutting finished silicon core |
| CN109747055B (en) * | 2019-03-04 | 2020-12-04 | 常州时创能源股份有限公司 | Preparation method and application of monocrystalline silicon wafer |
-
2019
- 2019-03-04 CN CN201910159650.3A patent/CN109747055B/en active Active
-
2020
- 2020-03-02 KR KR1020217024045A patent/KR102583010B1/en active IP Right Grant
- 2020-03-02 WO PCT/CN2020/077444 patent/WO2020177667A1/en active Application Filing
- 2020-03-02 SG SG11202108351YA patent/SG11202108351YA/en unknown
- 2020-03-02 MY MYPI2021004332A patent/MY194767A/en unknown
- 2020-03-02 CN CN202080010693.6A patent/CN113382835B/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201503249A (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-16 | Motech Ind Inc | Method for cutting ingot, brick and wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG11202108351YA (en) | 2021-08-30 |
| KR20210110658A (en) | 2021-09-08 |
| CN113382835B (en) | 2022-08-02 |
| MY194767A (en) | 2022-12-15 |
| CN109747055A (en) | 2019-05-14 |
| CN109747055B (en) | 2020-12-04 |
| CN113382835A (en) | 2021-09-10 |
| WO2020177667A1 (en) | 2020-09-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102583010B1 (en) | Manufacturing method and application of single crystal silicon wafer | |
| CN111361027B (en) | Silicon rod cutting process | |
| US10683588B2 (en) | Shaped silicon ingot using layer transfer | |
| CN106119977B (en) | Fine-hair maring using monocrystalline silicon slice additive and application | |
| CN104051705B (en) | High-efficient many utmost point ears coiling formula battery film-making equipment | |
| US11742453B2 (en) | Method for manufacturing monocrystalline silicon wafer containing arced side, method for manufacturing monocrystalline silicon cell, and photovoltaic module | |
| CN110466083A (en) | The utilization method of silicon rod edge skin material | |
| WO2021082515A1 (en) | Crystalline silicon leftover material cutting process | |
| CN111251483A (en) | Silicon rod cutting method | |
| CN108582527A (en) | It is used to prepare the basic silicon for cutting silicon chip and preparation method and purposes | |
| CN110335922A (en) | The cutting method of solar energy half battery | |
| CN103000711A (en) | Improved crystal silicon, cell and solar power generating device | |
| WO2021082514A1 (en) | Method for cutting crystalline silicon edge scrap material | |
| CN112060379A (en) | Silicon wafer cutting method, silicon wafer, battery piece and photovoltaic module | |
| CN110605794B (en) | Battery piece production method, battery piece and battery assembly | |
| Lelièvre et al. | Alternative CZ ingot squaring and half-Cell cutting methodology for low-temperature PV cell and module technologies | |
| EP4009384A1 (en) | Solar cell string, solar cell module, solar cell sheet and manufacturing method therefor | |
| KR20140139005A (en) | Method of cutting an ingot for solar cell fabrication | |
| CN105336812A (en) | Method for cutting full-back-contact crystalline silicon solar cell | |
| WO2012165288A1 (en) | Method for manufacturing solar cell | |
| CN107452824A (en) | A kind of new type solar energy half cell piece and its preparation method and application | |
| CN102962900B (en) | Cutting method for free-space photoisolator chip body | |
| CN112847851A (en) | Processing method of single crystal silicon rod, silicon wafer, battery piece and photovoltaic module | |
| JP2008050194A (en) | Method for producing bulk polycrystalline material | |
| CN111952411A (en) | Solar cell manufactured based on octagonal silicon wafer and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |