KR102564151B1 - 개선된 양자점 수지 제형을 제조하는 방법 - Google Patents

개선된 양자점 수지 제형을 제조하는 방법 Download PDF

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베이 쉬즈펑
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Abstract

본 발명은 (b) (i) 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머 및 (ii) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머의 모노머 혼합물을, 활성화된 다공성 알루미나 또는 실리카 칼럼에서 상기 모노머 혼합물을 처리하는 것; 상기 모노머 혼합물을 진공 중에서 체 건조시킨 다음 평균 기공 크기가 2 내지 20 옹스트롬인 건조된 분자체 상에서 건조시키는 것; 상기 모노머 혼합물을 용기 또는 컨테이너에서 -75 ℃ 이하의 온도로 냉동시키고 102 내지 10-2 Pa 범위의 진공을 적용하여 상기 모노머 혼합물을 탈기시키고 상기 용기 또는 컨테이너를 진공하에 밀봉하고 상기 조성물을 실온으로 해동시킴에 의해 냉동-펌프-해동 (FPT) 처리하는 것 중 임의의 하나 이상에 의해 정제하는 단계; 및 불활성 가스 분위기에서, 생성된 모노머 혼합물 (b)과 양자점의 조성물 (a)을 건조 형태 또는 유기 용매 용액 중에서 배합하는 단계를 포함하여, 중합성 모노머 조성물을 제조하는 방법을 제공한다.

Description

개선된 양자점 수지 제형을 제조하는 방법{METHODS FOR MAKING IMPROVED QUANTUM DOT RESIN FORMULATIONS}
본 발명은 개선된 초기 양자 수율 성능을 제공하는 양자점(quantum dot), 바람직하게는, 카드뮴-비함유 양자점을 함유하는 중합성 모노머 조성물을 제조하는 방법 뿐만 아니라 조성물 및 상기 조성물로 제조된 폴리머 복합체에 관한 것이다.
반도체 양자점(QD)은 많은 디스플레이 및 조명 적용분야에서 이들을 사용할 수 있는 광학 흡수 및 방출(포토루미네센스 PL 또는 일렉트로루미네센스 EL) 거동을 제공한다. 많은 QD는 코어 영역 내에 전자와 홀 쌍을 가두고 임의의 표면 전하 상태를 방지하기 위해 더 큰 밴드 갭 물질로 제조된 무기 쉘을 갖는다. 이어서 외부 쉘 또는 QD 자체를 유기 리간드로 캡핑하여 쉘의 트랩 상태를 감소시켜 양자 수율(QY)을 감소시킬 수 있다. QD를 둘러싸는 전형적인 유기 리간드는 QD가 유기/수성 용매 중에서 분산되도록 돕고 무극성 용매 또는 모노머 중에서 높은 용해도를 제공하는 상대적으로 긴 알킬 사슬을 갖는다. 불행하게도, QD는 광 흡수 및/또는 광 전환 과정 동안에 광-산화에 매우 민감하다. 또한, 수분도 유사한 영향을 미칠 수 있다. QD는 전형적으로 물과 산소의 역효과로부터 이들을 보호하기 위해 폴리머 매트릭스에 캡슐화된다. 그러나, QD가 용매 용액으로부터 모노머 제형으로 이동하고 후속적인 중합으로 QD 폴리머 복합체, 예컨대 필름을 형성하는 경우 QY는 명백히 손실된다.
Leong의 U.S. 특허 출원 번호 US 2009/0146202 A1에는 제어층, 활성층 및, 이들 둘 사이에 유기 유전체 코폴리머 재료 상에 또는 이의 내부에 나노입자의 전하 저장층을 포함하는 유기 메모리 소자가 개시되어 있으며, 여기서 상기 폴리머는 용매 추출에 의해 처리하여 이온성 불순물을 제거하고 폴리머 용액을 형성한다. 나노입자는 유전체 코폴리머 상에 코팅될 수 있거나 또는 코폴리머 층의 일부일 수 있다. 폴리머 용액과 나노입자가 함께 사용되는 경우, 나노입자 또는 QD는 용액 중 원위치에서 형성된다. Leong은, 나노입자를 함유하는 폴리머 용액으로부터 이온성 불순물을 추출하더라도, 염 또는 수성 이온만을 제거함으로써 폴리머의 유기 용매 용액을 생성한다는 것을 개시하고 있다. 그와 같은 방법은 QD 및 중합성 모노머를 함유하는 제형의 성능을 개선시키지 못한다.
본 발명자들은 개선된 초기 양자 수율 성능을 갖는 QD를 함유하는 중합성 모노머 조성물 및 이의 필름을 제조하는 방법을 제공하고자 노력해왔다.
본 발명은 (a) 양자점; 및 (b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머 및 (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기, 예컨대 지방 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머의 모노머 혼합물을 포함하는, 중합성 모노머 조성물을 제공하고, 여기서 상기 조성물은 칼 피셔 적정 (Karl Fisher Titration)에 의한 결정시 150 ppm 이하, 또는, 바람직하게는, 60 ppm 이하의 H2O, 예를 들면, 5 내지 60 ppm을 포함하고 참조문헌 (J. Polym. Sci. A: Polym. Chem. 2004, volume (42), pages 1285-1292)에 기재된 바와 같은 광화학적 방법에 의한 결정시 75 ppm 이하 또는, 바람직하게는, 60 ppm 이하의 총 용해된 산소를 포함하고 50 ppm 이하, 또는, 바람직하게는, 25 ppm 이하, 예를 들면, 1 내지 25 ppm의 총 중합 억제제 화합물, 예컨대 하이드로퀴논 및 150 ppm 이하 또는, 바람직하게는, 100 ppm 이하, 예를 들면, 10 내지 100 ppm의 유기 라디칼 활성 분자, 예컨대 라디칼 개시제 및 광개시제를 포함한다.
본 발명의 중합성 모노머 조성물에 따르면, (a) 양자점은 바람직하게는 카드뮴-비함유 양자점, 예를 들면, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs 또는 이들의 혼합물이거나, 또는, 더 바람직하게는, (a) 양자점은 쉘 재료가 코어 재료보다 넓은 밴드 갭 및 코어 재료에 대한 작은 격자 불일치를 갖는 코어 쉘 구조를 갖는 코어 쉘 카드뮴-비함유 양자점, 예를 들면, III-V 나노입자 코어, 및 II-VI 나노입자 쉘을 갖는 것들이거나, 또는, 더욱더 바람직하게는, (a) 양자점은 인듐 함유, InP, GaP, GaN, GaAs 또는 InAs 코어와 아연 함유, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, 또는 HgTe 쉘을 갖는 카드뮴-비함유 양자점이다.
본 발명의 중합성 모노머 조성물에 따르면, 모노머 혼합물 (b)은 (i) 디비닐 벤젠, 트리사이클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트, 이소보르닐 디메타크릴레이트, 또는 이들의 혼합물 및 (b) (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머를 포함한다.
본 발명의 중합성 모노머 조성물에 따르면, 모노머 혼합물 (b)은 (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머 및 (b) (ii) 이소보르닐 아크릴레이트(IBOA)를 포함한다.
본 발명의 중합성 모노머 조성물에 따르면, 조성물은 (a) 0.001 내지 5 wt% 또는, 바람직하게는, 0.01 내지 5 wt% 또는, 더 바람직하게는, 0.1 내지 5 wt%의 양자점, (b) 0.5 내지 40 wt% 또는, 바람직하게는, 0.5 내지 10 wt%의 (b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머, 및 55 내지 95 wt% 또는 55 내지 94.999 wt% 또는 55 내지 94.99 wt% 또는 55 내지 94.9 wt%, 또는, 바람직하게는, 65 내지 92 wt%의 (b) (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머를 포함하고, 모든 wt%는 조성물의 총 고형분을 기준으로 한다.
제2 측면에서, 본 발명은 중합성 모노머 조성물을 제조하는 방법을 제공하며, 상기 방법은
(b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머 및 (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기, 예컨대 지방 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머의 모노머 혼합물을, 예를 들면, 표면적이 100 내지 300 m2/g, 예컨대 130 내지 180 m2/g, 예를 들면, 155 m2/g인 활성화된 다공성 알루미나 또는 실리카 칼럼에서 상기 모노머 혼합물을 처리하는 것; 상기 모노머 혼합물을 진공 중에서 체 건조(sieve drying)시킨 다음 중량 평균 기공 크기가 2 내지 20 옹스트롬, 또는, 바람직하게는, 2.5 내지 10 옹스트롬인 건조된 분자체, 예컨대 제올라이트 상에서 건조시키는 것; 상기 모노머 혼합물을 용기 또는 컨테이너에서 -75 ℃ 이하의 온도로 냉동시킨 다음, 예를 들면, 102 내지 10-2 Pa의 진공을 적용하여 상기 모노머 혼합물을 탈기시키고 상기 용기 또는 컨테이너를 진공하에 밀봉하고 상기 조성물을 실온으로 해동시키고, 바람직하게는, 해동시 거품이 보이지 않을 때까지 FPT를 반복함에 의해 냉동-펌프-해동(FPT) 처리하는 것 중 임의의 하나 이상에 의해 정제하는 단계;
상기 정제된 모노머 혼합물 (b)을 건조 및 불활성 가스, 예컨대 질소 중에 저장하는 단계; 및
불활성 분위기에서, 예컨대 질소하에, 생성된 모노머 혼합물 (b)과 양자점의 조성물 (a)을 건조 형태 또는 유기 용매 용액 중에서, 바람직하게는, 건조 형태 중에서 배합하거나 이어서 건조시켜, 150 ppm 이하, 또는, 바람직하게는, 60 ppm 이하의 H2O, 예를 들면, 5 내지 60 ppm을 포함하고 참조문헌 (J. Polym. Sci. A: Polym. Chem. 2004, volume 42, pages 1285-1292)에 기재된 바와 같은 광화학적 방법에 의한 결정시 75 ppm 이하, 또는, 바람직하게는, 60 ppm 이하의 총 용해된 산소를 포함하고 50 ppm 이하, 또는, 바람직하게는, 25 ppm 이하, 예를 들면, 1 내지 25 ppm의 총 중합 억제제 화합물, 예를 들면, 퀴논, 예컨대 모노메틸 에테르 하이드로퀴논(MEHQ), 하이드로퀴논 및 N-옥실 화합물, 예컨대 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리디노옥실(4-HT), 및 150 ppm 이하 또는, 바람직하게는, 100 ppm 이하, 예를 들면, 10 내지 100 ppm의 유기 라디칼 활성 분자, 예컨대 라디칼 개시제 및 광개시제를 포함하는 중합성 모노머 조성물을 제조하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)의 정제 단계는 바람직하게는 냉동-펌프-해동(FPT) 처리한 다음 생성된 처리된 모노머 혼합물을 건조된 분자체 상에서 건조시키는 것을 포함한다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)의 정제 단계는 모노머 혼합물을 102 내지 10-2 Pa의 진공하에 1시간 동안 탈기시킨 다음 이를 활성화된 다공성 알루미나 또는 실리카 칼럼에서 처리하는 것을 포함하며, 여기서 상기 활성화된 알루미나 또는 실리카는 2 내지 16시간 동안 102 내지 1×10-2 Pa의 진공에서 60 내지 120 ℃에서 열처리하여 건조시킨 다음 칼럼, 예컨대 일회용 폴리프로필렌 칼럼에 충전시켰다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)의 정제 단계는 모노머 혼합물을 102 내지 10-2 Pa의 진공하에 탈기시킨 다음 이를 75 내지 200 ℃, 예를 들면, 120 내지 200 ℃의 온도에서 4 내지 24시간의 기간 동안 탈수시키고 불활성 분위기, 예컨대 질소 가스 중에 유지시킨 분자체에 노출시키거나 또는, 바람직하게는, 이와 혼합시켜 건조시킴을 포함한다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)과 양자점의 조성물 (a)의 배합에서, (a) 양자점을 배합 전에 진공하에 건조시켜 임의의 유기 용매를 제거하거나, (a) 양자점과 함께 중합성 모노머 조성물을 진공하에 건조시켜 임의의 유기 용매를 제거한다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)과 양자점의 조성물 (a)의 배합에서, 양자점은 바람직하게는 카드뮴-비함유 양자점, 예를 들면, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs 또는 이들의 혼합물을 포함하거나, 또는, 더 바람직하게는, 양자점의 조성물 (a)은 쉘 재료가 코어 재료보다 넓은 밴드 갭 및 코어 재료에 대한 작은 격자 불일치를 갖는 코어 쉘 구조를 갖는 코어 쉘 카드뮴-비함유 양자점, 예를 들면, III-V 나노입자 코어, 및 II-VI 나노입자 쉘을 갖는 것들을 포함하거나, 또는, 더욱더 바람직하게는, 양자점은 인듐 함유 코어를 갖는 카드뮴-비함유 양자점을 포함하거나, 또는, 더욱더 바람직하게는, (a) 양자점은 InP, GaP, GaN, GaAs 또는 InAs 코어와 아연 함유, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, 또는 HgTe 쉘을 갖는 카드뮴-비함유 양자점이다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)은 (i) 디비닐 벤젠, 트리사이클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트, 이소보르닐 디메타크릴레이트, 또는 이들의 혼합물 및 (b) (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머를 포함한다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)은 (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머 및 (b) (ii) 이소보르닐 아크릴레이트 (IBOA)를 포함한다.
본 발명의 방법에 따르면, 모노머 혼합물 (b)은, 고형물로서, 0.5 내지 40 중량부 또는, 바람직하게는, 0.5 내지 10 중량부의 (b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머, 및 55 내지 95 중량부 또는, 바람직하게는, 65 내지 92 중량부의 (b) (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머를 포함한다.
본 발명의 방법에 따르면, 본 발명의 방법은 추가로 중합성 모노머 조성물을 중합시켜 폴리머 복합체, 예컨대 필름을 형성함을 포함한다.
제3 측면에서, 본 발명은 (a) 양자점 및 (b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기, 바람직하게는, 트리사이클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트, 이소보르닐 디메타크릴레이트, 디비닐 벤젠, 또는 이들의 혼합물에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머 및 (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머의 중합성 모노머 조성물로부터 형성된 폴리머를 포함하는 폴리머 복합체를 제공한다.
본 발명의 폴리머 복합체에 따르면, (a) 양자점은 카드뮴-비함유 양자점 또는, 바람직하게는, 코어-쉘 양자점이다.
본 발명의 폴리머 복합체에 따르면, 복합체는 필름이다.
본 발명의 폴리머 복합체에 따르면, 폴리머 복합체는 폴리머 복합체 필름의 각 면에 외층을 또한 포함하는 다층 필름, 라미네이트 또는 어셈블리의 일부를 포함한다. 바람직하게는, 외층은 수분 통과도 억제하는 산소 배리어, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)이다.
달리 구체화되지 않는 한, 백분율은 중량 백분율(wt%)이고 온도는 ℃이다.
달리 구체화되지 않는 한, 작동 및 실시예는 실온(20 내지 25 ℃)에서 수행되었다.
달리 구체화되지 않는 한, 비점은 대기압(약 101 kPa)에서 측정된다.
달리 나타내지 않는 한, 괄호를 포함하는 임의의 용어는, 대안적으로, 괄호가 존재하지 않는 것처럼 전체 용어 및 괄호가 없는 용어 및 각 대안의 조합을 지칭한다. 따라서, 용어 "(메트)아크릴레이트"는 아크릴레이트, 메타크릴레이트 또는 이들의 혼합물을 의미한다.
모든 범위는 포괄적이며 조합가능하다. 예를 들면, 용어 "50 내지 3000 cPs, 또는 100 이상의 cPs의 범위"는 각각 50 내지 100 cPs, 50 내지 3000 cPs 및 100 내지 3000 cPs를 포함한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "ASTM"은 ASTM International(West Conshohocken, PA)의 출판물을 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "평균 기공 크기"는 BET 표면적 방법에 의해 결정된 제조자의 참조문헌에 의해 제공된 바와 같은 나타낸 물질의 기공 크기를 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "밴드 갭"은 자외선 광전자 분광법(UPS)에 의한 측정시, 소정의 양자점 또는 이의 층에서 최고준위 점유 분자 궤도함수(HOMO) 및 최저준위 비점유 분자 궤도함수(LUMO) 사이의 에너지 갭을 지칭한다.
본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "고형물"은 본 발명의 방법에서 휘발되지 않고 이로써 본 발명의 폴리머 복합체로 끝나는 임의의 물질을 지칭한다. 암모니아, 물 및 휘발성 유기 용매(VOC)는 고형물로 간주되지 않는다. 본 발명에 따르면, 양자점(QD) 함유 조성물이 정제된 아크릴 또는 비닐 모노머의 모노머 혼합물에 분산되는 경우, 폴리머 복합체의 광발광성 양자 수율(PLQY)이 개선되었다. 본 발명에서, 대부분의 불순물 예컨대 물, 산소, 라디칼 개시제, 광개시제 및 중합 억제제는 폴리머 복합체를 제조하기 위해 사용된 중합성 모노머 조성물로부터 제거되었다. 본 발명자들은 QD의 모노머 혼합물로의 이동 및 QD 함유 모노머 혼합물 제형의 후속적인 중합 동안에 이들 불순물의 존재가 PLQY에 부정적인 영향을 미친다는 것을 발견하였다. 다른 불순물, 예컨대 일부 용해된 이온성 종, 산, 알코올, 케톤, 및 알데하이드는 광을 흡수할 수 있거나 또한 QD 합성 동안에 및 QD의 장기간 작동시에 QD의 PLQY에 유해하다. 제형화 동안에 불순물을 제거함으로써, QD를 함유하는 폴리머 복합체 또는 필름에서 더 높은 초기 또는 타임 제로 성능이 달성되었다.
양자점은 당해 기술분야에서 잘 알려져 있으며, 예를 들면, Dubrow 등의 U.S. 특허 공개 번호 US2012/0113672 A를 참조한다. 바람직하게는, 본 발명의 폴리머 복합체 중의 양자점은 카드뮴 비함유 양자점, 또는, 더 바람직하게는, 카드뮴 비함유 코어-쉘 양자점이다.
적합한 양자점 및 코어-쉘 양자점은 Mushtaq 등의 U.S. 특허 번호 7,588,828 B2 중 어느 하나에 개시된 것들, 예를 들면, 인듐이 풍부한 InP 코어를 함유하는 양자점, 예컨대 InP를 인듐 카복실레이트(즉, 인듐 (III) 카복실레이트), 예컨대 인듐 라우레이트와 접촉시켜 형성된 것들; Guo 등의 U.S. 특허 공개 번호 2015/0236195 A1에 개시된 것들; Mingjun 등의 U.S. 특허 공개 번호 US2015/0166342 A1에 개시된 것들; 예컨대 Scher 등의 U.S. 특허 번호 7557028 B1, Scher 등의 U.S. 특허 번호 8062967 B1, Scher 등의 U.S. 특허 번호 US8884273 B1 또는 Scher 등의 U.S. 특허 번호 US9469538 B1에서의 III-IV족 반도체 나노구조; 예컨대 Clough 등의 U.S. 특허 번호 9136428 B2에서의 IIIA족 및 VA족 원소를 갖는 코어를 갖는 나노결정; Breen 등의 U.S. 특허 번호 US9212056 B2에 개시된 나노입자; 또는 Bawendi 등의 US6322901 B1에 개시된 나노결정질 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
카드뮴 비함유 양자점 물질에 대한 허용가능한 효율(PLQY)은 40 % 이상, 또는, 바람직하게는, 60 % 이상, 또는, 더 바람직하게는, 75 % 이상, 예컨대 75 내지 95 %이다.
바람직하게는, (b) 모노머 혼합물 중의 중합성 비닐기는 (메트)아크릴레이트 에스테르기 (CH2=C(R)C(O)O-, 여기서 R은 H 또는 CH3이고; (메트)아크릴로일옥시로도 알려져 있다)이다.
바람직하게는, (b) 모노머 혼합물 중의 모노머는 탄소, 수소, 산소 및 질소 원자만을 갖거나; 또는, 더 바람직하게는, 탄소, 수소 및 산소 원자만을 갖는다.
(b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머에서, 방향족 고리는 예를 들면, 벤젠, 나프탈렌 또는 피리딘 고리일 수 있거나, 또는, 바람직하게는, 방향족 고리는 3 내지 20개의 탄소 원자, 또는, 바람직하게는 5 내지 15개의 탄소 원자를 갖는다. 바람직하게는, 방향족 고리는 헤테로원자를 함유하지 않으며 6 내지 15개의 탄소 원자, 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 갖는다.
바람직하게는, (b) (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 하나 이상의 모노머는 2 내지 6개의 중합성 비닐기, 또는, 더 바람직하게는, 4개 이하의 중합성 비닐기를 갖는다.
(메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2종의 중합성 비닐기를 갖는 특히 바람직한 모노머 (b) (i)는 트리사이클로 [5.2.1.02,6] 데칸 디메탄올 디아크릴레이트, 비스페놀 A 디메타크릴레이트, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올 디메타크릴레이트, 1,10-비스(아크릴로일옥시)데칸 및
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를 포함한다.
본 발명에 따른 폴리머 복합체는 (b) (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 하나 이상의 모노머의 중합된 단위를 추가로 포함한다. 바람직하게는, 그와 같은 모노머 (b) (ii)는 지방족 또는 지환족 모노머, 예컨대 이소보르닐 아크릴레이트 (IBOA)이다.
에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 특히 바람직한 (b) (ii) 모노머는 이소보르닐 아크릴레이트, 3,5,5-트리메틸헥실 아크릴레이트, 도데실 아크릴레이트, 데실 아크릴레이트, 트리데실 아크릴레이트, 이소데실 아크릴레이트, L-멘틸 아크릴레이트, 트리사이클로[5.2.1.02,6]데실메틸 아크릴레이트, 3,3,5-트리메틸사이클로헥실 메타크릴레이트 및 3,3,5-트리메틸사이클로헥실 메타크릴레이트를 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 폴리머 복합체는 폴리머 복합체의 각 면에 외층을 또한 포함하는 다층 필름, 라미네이트 또는 어셈블리의 일부를 포함한다. 바람직하게는, 외층은 수분 통과도 억제하는 산소 배리어이다. 바람직하게는, 외층은 폴리머 복합체, 바람직하게는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리아릴에테르케톤, 폴리이미드, 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 폴리스티렌, 또는 이들의 조합을 포함하는 폴리머 복합체를 포함한다. 바람직하게는, 외층은 산화물 또는 질화물, 바람직하게는 산화규소, 이산화티타늄, 산화알루미늄, 질화규소 또는 이들의 조합을 추가로 포함한다. 바람직하게는 산화물 또는 질화물은 QD 층에 면하는 폴리머 복합체의 표면 상에 코팅시킨다. 바람직하게는, 각각의 외층은 두께가 25 내지 150 마이크론 (바람직하게는 50 내지 100 마이크론)인 폴리머 복합체 및 두께가 10 내지 100 nm (바람직하게는 30 내지 70 nm)인 산화물/질화물 층을 포함한다.
본 발명의 폴리머 복합체에 따르면, 다층 필름, 라미네이트 또는 어셈블리의 외층은 바람직하게는 적어도 2개의 폴리머 복합체 층 및/또는 적어도 2개의 산화물/질화물 층을 포함한다. 본 발명의 임의의 다층 필름에서, 상이한 층은 상이한 조성일 수 있다. 바람직하게는, 외층은 매우 낮은 산소 투과율(OTR, < 10-1 cc/m2/일) 및 낮은 수증기 투과율(WVTR, < 10-2 g/m2/일)을 갖는다.
바람직하게는, 외층 내의 폴리머 복합체는 Tg가 60 내지 200 ℃; 또는, 더 바람직하게는, 적어도 90 ℃, 또는, 가장 바람직하게는, 적어도 100 ℃이다.
바람직하게는, 본 발명에 따른 폴리머 복합체의 두께는 20 내지 500 마이크론, 바람직하게는 적어도 50 마이크론, 바람직하게는 적어도 70 마이크론, 바람직하게는 적어도 80 마이크론, 바람직하게는 적어도 90 마이크론; 바람직하게는 400 마이크론 이하, 바람직하게는 300 마이크론 이하, 바람직하게는 250 마이크론 이하, 바람직하게는 200 마이크론 이하, 바람직하게는 160 마이크론 이하의 범위이다. 바람직하게는, 각각의 외층의 두께는 20 내지 100 마이크론, 바람직하게는 25 내지 75 마이크론이다.
바람직하게는, 본 발명의 폴리머 복합체는 (b) 모노머 혼합물과 하나 이상의 QD의 조성물 (a), 및 임의의 선택적인 첨가제를 혼합하여 제조된 제형의 자유 라디칼 중합에 의해 제조된다. 바람직하게는, 제형은 전형적인 방법, 예를 들면, 스핀 코팅, 슬롯 다이 코팅, 그라비어, 잉크젯 및 스프레이 코팅에 의해 경화시키기 전에 제1 외층 상에 코팅시킨다. 바람직하게는, 경화는 제형을 자외선광 또는 열, 바람직하게는 자외선광에, 바람직하게는 UVA 범위에서 노출시킴으로써 개시된다.
바람직하게는, 본 발명의 폴리머 복합체는 고형물로서 0.01 내지 5 wt%의 양자점, 바람직하게는 적어도 0.025 wt%, 바람직하게는 적어도 0.03 wt%; 바람직하게는 4 wt% 이하, 바람직하게는 3 wt% 이하, 바람직하게는 2 wt% 이하를 포함한다.
바람직하게는, 양자점은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs 또는 이들의 조합을 포함한다. 더 바람직하게는, 양자점은 카드뮴-비함유이다. 가장 바람직하게는, 양자점은 코어-쉘 양자점, 예컨대 코어-쉘 카드뮴-비함유 양자점이다.
바람직하게는, (a) 양자점의 조성물은 무극성 성분을 갖는 양자점의 무기 부분을 둘러싸는 리간드를 포함한다. 바람직한 리간드는, 예를 들면, 트리옥틸 포스핀 옥사이드, 도데칸티올 및 지방산 염 (예를 들면, 스테아레이트 염, 올레산 염)을 포함한다.
본 발명의 중합성 모노머 조성물 또는 폴리머 복합체에 혼입될 수 있는 다른 첨가제는 자외선(UV) 안정제, 산화방지제, 광 추출을 개선시키는 산란제, 및 점도를 증가시키는 증점제 (예를 들면, 우레탄 아크릴레이트 올리고머)를 포함한다. 바람직하게는, 중합성 모노머 조성물 중의 임의의 UV 안정제는 단지 최대 100 ppm, 또는, 바람직하게는, 최대 50 ppm의 양으로 사용된다.
바람직한 증점제는 우레탄 아크릴레이트, 셀룰로오스 에테르, 셀룰로오스 아크릴 에스테르, 폴리스티렌 폴리머, 폴리스티렌 블록 코폴리머, 아크릴 수지 및 폴리올레핀 엘라스토머를 포함한다. 바람직하게는, 폴리스티렌, 아크릴 및 폴리올레핀 증점제는 Mw가 50,000 내지 400,000; 바람직하게는 100,000 내지 200,000의 범위이다. 바람직하게는, 셀룰로오스 에테르는 Mw가 1,000 내지 100,000의 범위이다.
우레탄 아크릴레이트 올리고머는 이들이 함유하는 아크릴레이트기 사이에 폴리에스테르, 폴리에테르, 폴리부타디엔, 또는 폴리카프로락톤 골격을 가질 수 있다. 이들은 이작용성, 삼작용성, 육작용성 반응성을 가질 수 있다. 그와 같은 올리고머의 점도는 50 ℃에서 1000 내지 200,000 cPs의 범위일 수 있다. 무극성 리간드 QD의 경우, 폴리부타디엔 우레탄 아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.
폴리머 복합체의 바람직한 형태는, 예를 들면, 복합물, 비드, 스트립, 로드, 큐브 및 플레이트를 포함한다. 폴리머 복합체는, 예를 들면, 디스플레이, 조명 및 의료적 적용을 포함한 많은 적용에서 유용하다. 바람직한 디스플레이 적용은 공공 정보 디스플레이, 간판, 텔레비전, 모니터, 휴대폰, 태블릿, 랩탑, 자동차 및 다른 대시보드, 및 시계를 포함한다.
실시예 : 하기 실시예는 본 발명을 설명한다. 달리 나타내지 않는 한, 온도의 모든 단위는 실온이며 압력의 모든 단위는 표준 압력 또는 101 kPa이다.
하기 시험 방법이 사용되었다:
필름 두께는 마이크로미터로 경화된 필름을 측정한 다음 임의의 배리어 필름 두께의 두께를 뺀 값으로 결정되었다.
광발광성 양자 수율( PLQY) 액체 및 필름 둘 다를 취급할 때, 광발광성 양자 수율(PLQY)은 Quantaurus-QY 절대 PL 양자 수율 분광기(C11347-01 모델)(Hamamatsu Photonics KK, Hamamatsu City, Japan)로 측정되었다. 각각의 보고된 예의 경우, 각각의 나타낸 피분석물 기질에서 3개의 무작위로 선택된 지점으로부터 총 3회 측정이 수행되었고, 나타낸 PLQY는 취해진 측정의 평균을 나타낸다.
발광 피크의 전체-폭 절반-최대( FWHM : full-width half-max)는 Quantaurus-QY 절대 PL 양자 수율 분광기(C11347-01 모델) 적분구(Hamamatsu Photonics KK)로 측정되었다.
필름 두께는 마이크로미터로 경화된 필름을 측정한 다음 배리어 필름 두께를 뺀 값으로 결정되었다.
피크 발광 파장( PWL )은 Quantaurus-QY 절대 PL 양자 수율 분광기(C11347-01 모델, Hamamatsu Photonics KK)를 사용하여 결정되었다; 하기 실시예에서 녹색 QD의 경우, 표적 파장은 520 내지 540 nm이며; 적색 QD의 경우, 표적 파장은 620 내지 640 nm이다.
칼-피셔 적정: 제조자의 문헌에 기재된 바와 같이 보정된 Metrohm 모델 831 전기량 칼 피셔 적정기(Metrohm Ltd, Herisau, Switzerland) 및 703 Ti 스탠드(Metrohm)에 의해 모노머의 수분 함량을 분석하였다.
모노머 정제 방법: 하기 실시예에 나타낸 바와 같이 하기 방법을 사용하였다:
냉동 펌프 해동( FPT): 나타낸 모노머 혼합물을 20 mL 신틸레이션 바이알에 로딩하였다. 체를 사용하여 모노머를 건조시키는 경우, 체를 바이알에 첨가한 다음 바이알에 격막을 설치하였다. 모노머가 냉동될 때까지 바이알을 액상 N2에 잠기게 했다. 냉동 후, Schlenk 라인(펌프)에 잘 맞는 바늘을 사용하여 헤드스페이스를 배기시키기 위해 진공(1-0.1 Pa) 상태로 만들었다. 완전히 용융될 때까지 정적 진공하에 모노머가 해동되도록 하였다. 냉동-펌프-해동 사이클을 3회 또는 거품이 해동 사이클에서 더 이상 보이지 않을 때까지 수행하였다. 냉동-펌프-해동(FPT) 정제된 모노머 바이알을 N2로 다시 채운 다음 후속적인 취급을 위해 N2로 채운 글러브박스에 넣었다. FPT 모노머는 정제 48시간 내에 사용되었다.
칼럼 정제: 활성화된 산화알루미늄(물 중 pH 4.5-9.5, Aldrich, St. Louis, MO)을 80 ℃에서 진공에서 4시간 동안 건조시킨 다음 일회용 폴리프로필렌 칼럼에 충전하였다. 나타낸 모노머(들)를 진공 오븐(0.1-1 Pa)에서 1시간 동안 탈기시킨 다음 칼럼을 서서히 통과시켰다. 칼럼을 불활성 분위기에서 작동시키고 정제된 모노머를 질소 퍼지 박스에서 저장하였다. 정제된 모노머는 정제 48시간 내에 사용되었다.
체 건조: 나타낸 실시예에서, 제올라이트 분자체(4 Å 평균 입자 크기)를 사용하여 모노머를 건조시켰다. 체를 110 ℃ 오븐에서 밤새 탈수시키고 뜨거울 때 N2로 채운 글러브박스에 로딩하였다. 모노머를 건조시켰다. 체를 N2로 채운 글러브박스 내의 모노머에 첨가하고, 온화하게 진탕시킨 다음 사용하기 전에 수시간 동안 실온에 두었다. 체 건조된 모노머는 정제 48시간 내에 사용되었다.
실시예에 사용된 약어들:
IBOA는 이소보르닐 아크릴레이트이고; SR833은 트리사이클로 [5.2.1.02,6] 데칸 디메탄올 디아크릴레이트이고; I-819 및 I-651은 이가큐어(IRGACURE) 광활성 중합 개시제(BASF AG, Leverkusen, DE); FinexTM 산화아연 입자(Sakai Chemical Industry co., LTD., Japan)이고; CFQD는 카드뮴 비함유 양자점을 나타낸다. 녹색 CFQD는 인듐 함유 코어를 갖는 코어-쉘 QD를 포함하고 73.9 % QY, 44.1 nm FWHM, 및 534.4 nm PWL(흡광도=0.3에서)을 나타내고; 적색 CFQD는 인듐 함유 코어를 갖는 코어-쉘 QD를 포함하고 85 % QY, 52.8 nm FWHM, 및 630 nm PWL(흡광도=0.35에서)을 나타낸다.
달리 나타내지 않는 한, 하기 실시예에서, 제형은 다음과 같이 제조되었다:
모든 QD 및 모노머 혼합물 제형은 불활성 환경에서 제조되었다. 양자점 또는 양자점 용액을 제외한 모든 나타낸 성분을 크림프 바이알에 로딩한 후에, 바이알을 탈기시키고 이중 축 플래너터리 혼합기(THINKY ARE-310, Thinky CA)를 사용하여 3 내지 5분 동안 혼합하였다. 양자점은 10분 동안 질소 퍼징에 의해 톨루엔을 QD로부터 제거함으로써 톨루엔으로부터 모노머로 이동시킨 다음 건조된 QD 분말을 나타낸 모노머 혼합물에 분산시켰다. 양자점을 이소보르닐 아크릴레이트(IBOA) 또는 나타낸 모노머 혼합물 중에 예비-분산시킨 다음 다른 성분과 혼합한 다음 이중 축 플래너터리 혼합기를 사용하여 1분 동안 N2 분위기에서 혼합하였다. 모노머 혼합물 성분을 불활성 분위기에 도입하기 위해 짧은 탈기를 포함하는 나타낸 방식으로 처리한 후 건조된 QD 분말과 배합하거나(비교만), 활성화된 알루미나 칼럼 상에서 구동(칼럼 정제)시키거나 분자체로 > 2시간 동안 건조(체 건조) 시키거나, 체를 사용하거나 사용하지 않은 냉동-펌프 해동(FPT w/체 또는 FPT 단독) 3회 사이클 또는 실온에서 48-72시간 동안 진공을 적용하여 탈기(RT 탈기)시킴으로써 정제하였다.
필름 제조: 제형의 필름은 2개의 i-성분 PET 배리어 필름 사이에 수지 제형의 적층에 의해 제조되었다. 대략 2 mL의 수지를 하부 필름 상에 분배하고 상부를 원하는 필름 두께에 기반한 갭 셋업을 갖는 갭 코팅 바(gap coating bar)를 사용하여 도포하였다. UVA ~ 400 mJ/cm2를 갖는 Fusion UV F300S 또는 FUSION UV SYSTEMS, INC(DRS-10/12 QNH, Fusion UV Systems, Inc., Gaithersburg, MD) 경화 시스템에서 샘플을 경화시켰다.
PLQY에 대한 모노머 정제의 영향: 용액 PLQY는 하기 표 1의 각 용액 대략 1 그램(0.025 wt% QD 고형물, 조성물의 총 중량 기준)을 1 mL 바이알에 사용하고 450 nm 여기에서 PLQY를 측정하여 QD와 모노머 사이의 상용성을 결정하기 위해 사용되었다.
표 1 : 용액PLQY 측정
Figure 112018013415018-pat00002
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 양자점은 용매(참조 비교 실시예 1 및 10) 중에서 적절한 양자 수율(QY)을 나타내지만 모노머 혼합물 또는 모노머 제형(참조 비교 실시예 2 및 11)으로의 이동시 그 QY의 대부분을 손실한다. 그러나, 칼럼 정제, FPT 또는 FPT와 체 건조의 조합은 사용된 모노머에 무관하게 모노머 혼합물로 이동시킨 후 양자점 용액의 본래의 QY의 QY를 많이 유지한다. 실시예 3, 6, 7 및 12를 참조한다. 단순히 체 건조만으로 FPT와 같이 양자점 용액의 QY의 거의 대부분을 유지한다. 실시예 8 및 9를 참조한다.
표 2 : 칼 - 피셔 적정법에 의한 수분 함량의 특성확인
Figure 112018013415018-pat00003
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 체 건조 및 칼럼 정제는 효과적으로 모노머 혼합물을 건조시키지만; 개별적으로 건조시키지 않고 FPT 단독으로 모노머 혼합물을 건조시키지 않는다.
하기 표 3의 제형을 골라서 바 코팅기(Paul N. Gardner Co., FL, USA)를 사용하여 일정한 두께의 필름을 제조하였고 PLQY를 각각의 필름에 대해 측정하였다. 2개의 i-성분 PET 배리어 필름 사이에 나타낸 제형을 적층하여 각각의 필름을 제조하였다. 대략 2 mL의 수지를 하부 필름 상에 분배하였고 250 내지 300(10 mil - 12 mil) 갭을 갖는 갭 코팅 바를 사용하여 끌어내려 원하는 필름 두께를 보장하였다. 모든 제형은 500 mJ/cm2 UV 경화 강도에서 DRS-10/12 QNH(Fusion UV Systems, Inc., Gaithersburg, MD)를 사용하여 경화시켰다. 결과를 하기 표 4에 나타낸다.
표 3 : QD 제형(모두 중량부)
Figure 112018013415018-pat00004
표 4 : 필름 PLQY의 특성확인
Figure 112018013415018-pat00005
상기 표 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 정제된 조성물은 칼럼 정제 후 초기 양자 수율의 상당한 개선을 나타낸다.
하기 실시예에서, 하기 표 5에 나타낸 모노머 혼합물의 제형 및 QD는, 알루미나 칼럼 상에서 정제된 탈기된 IBOA를 사용하여 상기 나타낸 바와 같이 처리하였다. 각각의 QD 조성물은 불활성 분위기에서 상기 제형에 기반한 모노머에 첨가하였다. 각각의 제형 1.0 그램을 유리 바이알에 로딩하고 Quantaurus 양자 수율 분광기를 사용하여 PLQY를 측정하였다. 모노머 내의 QD의 로딩은 제형의 총 중량을 기준으로 0.0025 wt%이다. 시험 결과를 하기 표 6에 나타낸다.
표 5 : 추가의 제형
Figure 112018013415018-pat00006
표 6 : 제형 성능
Figure 112018013415018-pat00007
상기 표 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제형의 초기 양자 수율 성능은, 특히 카드뮴 비함유 InP 점(InP/ZnS 코어-쉘)의 경우에 비교 제형에서보다 상당히 더 높다. 본 발명의 제형 또한 비교 실시예 21에서보다 실시예 20에서 적은 적색 이동(shift)을 나타냈다.

Claims (11)

  1. 중합성 모노머 조성물의 제조 방법으로서,
    (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2개의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 1종 이상의 모노머와 (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 1종 이상의 모노머의 모노머 혼합물 (b)를,
    - 상기 모노머 혼합물을 활성화된 다공성 알루미나 또는 실리카 칼럼에서 처리하는 것;
    - 상기 모노머 혼합물을 진공 중에서 체 건조(sieve drying)시킨 다음 평균 기공 크기가 2 내지 20 옹스트롬인 건조된 분자체 상에서 건조시키는 것;
    - 상기 모노머 혼합물을 용기 또는 컨테이너에서 -75℃ 미만의 온도로 냉동시키고 102 내지 10-2 Pa 범위의 진공을 적용하여 상기 모노머 혼합물을 탈기시키고 상기 용기 또는 컨테이너를 진공하에 밀봉하고 상기 조성물을 실온으로 해동시킴에 의해 냉동-펌프-해동(FPT) 처리하는 것;
    중 하나 이상에 의해 정제하는 단계;
    정제된 상기 모노머 혼합물 (b)를 건식 불활성 가스 중에 저장하는 단계; 및
    불활성 분위기에서, 생성된 모노머 혼합물 (b)와 양자점(quantum dot)의 조성물 (a)를 건조 형태 또는 유기 용매 용액 중에서 배합하여, 150 ppm 이하의 H2O, 100 ppm 이하의 총 중합 억제제 화합물 및 150 ppm 이하의 유기 라디칼 활성 분자를 포함하는 중합성 모노머 조성물을 제조하는 단계;를 포함하는,
    중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 활성화된 다공성 알루미나 또는 실리카 칼럼이 100 내지 300 m2/g의 표면적을 갖는 것인, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)의 상기 정제는 냉동-펌프-해동(FPT) 처리한 다음 생성된 처리된 모노머 혼합물을 건조된 분자체 상에서 건조시키는 것을 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)의 상기 정제는 상기 모노머 혼합물을 102 내지 10-2 Pa의 진공하에 탈기시킨 다음 이를 일회용 폴리프로필렌 칼럼에 충전된 활성화된 알루미나 칼럼에서 처리하는 것을 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)의 상기 정제는 상기 모노머 혼합물을 102 내지 10-2 Pa의 진공하에 탈기시킨 다음 이를 75 내지 200℃의 온도에서 4 내지 24시간의 기간 동안 탈수시키고 불활성 분위기에서 유지시킨 분자체에 노출시키거나 또는 이와 혼합시켜 건조시키는 것을 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)와 양자점의 조성물 (a)의 상기 배합에서, 상기 (a) 양자점을 상기 배합 전에 진공하에 건조시켜 임의의 유기 용매를 제거하거나, 상기 (a) 양자점과 함께 상기 중합성 모노머 조성물을 진공하에 건조시켜 임의의 유기 용매를 제거하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)와 상기 양자점의 조성물 (a)의 상기 배합에서, 상기 양자점은 카드뮴-비함유 양자점을 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  8. 청구항 7에 있어서, 상기 양자점의 조성물 (a)는 쉘 재료가 코어 재료보다 넓은 밴드 갭 및 코어 재료에 대한 작은 격자 불일치를 갖는 코어 쉘 구조를 갖는 코어 쉘 카드뮴-비함유 양자점을 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)는 (i) 디비닐 벤젠, 트리사이클로데칸 디메탄올 디아크릴레이트, 이소보르닐 디메타크릴레이트, 또는 이들의 혼합물 및 (b) (ii) 에스테르가 지환족기 또는 C6 내지 C24 알킬기를 함유하는 (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 단일 중합성 비닐기를 갖는 1종 이상의 모노머를 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  10. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 모노머 혼합물 (b)는 (i) (메트)아크릴레이트 에스테르기의 일부로서 적어도 2개의 중합성 비닐기를 갖거나 방향족 고리 또는 지환족기에 직접적으로 부착된 1종 이상의 모노머 및 (b) (ii) 이소보르닐 아크릴레이트(IBOA)를 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 중합성 모노머 조성물은 칼 피셔 적정에 의한 결정시 150 ppm 이하의 H2O를 포함하고 참조문헌(J. Polym. Sci. A: Polym. Chem. 2004, volume 42, pages 1285-1292)에 기재된 광화학적 방법에 의한 결정시 75 ppm 이하의 총 용존 산소를 포함하는, 중합성 모노머 조성물의 제조 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10508232B2 (en) * 2017-02-16 2019-12-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
US10828716B2 (en) * 2017-06-19 2020-11-10 Lincoln Global, Inc. Systems and methods for real time, long distance, remote welding
CN111051468B (zh) * 2017-06-23 2024-06-04 昭荣化学工业株式会社 均质的厌氧稳定的量子点浓缩物
KR20200135688A (ko) 2019-05-24 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 양자점-폴리머 복합체 패턴, 그 제조방법, 및 이를 포함하는 전자 소자
CN113122050B (zh) * 2019-12-30 2022-11-04 Tcl科技集团股份有限公司 量子点墨水及量子点薄膜的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504660A (ja) 2009-09-09 2013-02-07 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ粒子を含む粒子、それの使用および方法
JP2015522668A (ja) 2012-05-22 2015-08-06 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 高反射剤を用いた量子収量の向上
US20160231615A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a display panel including the same
WO2016125524A1 (ja) 2015-02-02 2016-08-11 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび量子ドットフィルム

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6322901B1 (en) 1997-11-13 2001-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Highly luminescent color-selective nano-crystalline materials
US7470420B2 (en) 2000-12-05 2008-12-30 The Regents Of The University Of California Optical determination of glucose utilizing boronic acid adducts
US20030148544A1 (en) 2001-06-28 2003-08-07 Advanced Research And Technology Institute, Inc. Methods of preparing multicolor quantum dot tagged beads and conjugates thereof
US7588828B2 (en) 2004-04-30 2009-09-15 Nanoco Technologies Limited Preparation of nanoparticle materials
JP4072961B2 (ja) 2004-05-21 2008-04-09 北海道電力株式会社 Ｓｏｇ開閉器の系統連系保護機能を備えた制御装置
US7557028B1 (en) 2004-07-28 2009-07-07 Nanosys, Inc. Process for group III-V semiconductor nanostructure synthesis and compositions made using same
JP5333777B2 (ja) 2006-05-22 2013-11-06 ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー 有機メモリデバイス及びその製造方法
US9212056B2 (en) 2006-06-02 2015-12-15 Qd Vision, Inc. Nanoparticle including multi-functional ligand and method
WO2008133660A2 (en) 2006-11-21 2008-11-06 Qd Vision, Inc. Nanocrystals including a group iiia element and a group va element, method, composition, device and other prodcucts
KR101018111B1 (ko) 2008-10-07 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
CN102656233B (zh) 2009-05-01 2015-04-29 纳米系统公司 用于纳米结构体分散的官能化基质
WO2011031876A1 (en) * 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
GB0916699D0 (en) 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
JP5940079B2 (ja) 2010-11-10 2016-06-29 ナノシス・インク． ディスプレイバックライトユニット及びディスプレイバックライトユニットの形成方法
KR101385214B1 (ko) 2011-12-01 2014-04-21 주식회사 엘엠에스 양자점을 포함하는 조성물 및 이를 이용한 장치
CN102585417B (zh) * 2012-01-04 2013-12-25 武汉理工大学 量子点/聚合物复合一氧化氮荧光探针及其制备方法
WO2013122820A1 (en) * 2012-02-15 2013-08-22 Qd Vision, Inc. Method of processing quantum dot inks
TWI596188B (zh) 2012-07-02 2017-08-21 奈米系統股份有限公司 高度發光奈米結構及其製造方法
KR101977123B1 (ko) 2013-08-14 2019-05-10 나노코 테크놀로지스 리미티드 다상의 수지를 이용한 양자점 막
KR101546938B1 (ko) * 2013-10-08 2015-08-24 삼성전자주식회사 나노 결정 폴리머 복합체 및 그 제조 방법
US20170218264A1 (en) 2014-10-13 2017-08-03 Los Alamos National Security, Llc Luminescent solar concentrators comprising semiconductor nanocrystals
KR101686713B1 (ko) * 2014-12-08 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
EP3070109B1 (en) * 2015-03-16 2018-12-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Multilayer polymer composite for encapsulating quantum dots
CN105504120B (zh) * 2015-11-30 2018-09-21 东莞职业技术学院 一种双酚芴类丙烯酸树脂及其制备方法、量子点-彩色光敏树脂组合物及其制备方法和应用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013504660A (ja) 2009-09-09 2013-02-07 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ粒子を含む粒子、それの使用および方法
JP2015522668A (ja) 2012-05-22 2015-08-06 ナノコ テクノロジーズ リミテッド 高反射剤を用いた量子収量の向上
WO2016125524A1 (ja) 2015-02-02 2016-08-11 富士フイルム株式会社 機能性複合フィルムおよび量子ドットフィルム
US20160231615A1 (en) 2015-02-06 2016-08-11 Samsung Display Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a display panel including the same

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