KR102537617B1

KR102537617B1 - 용매를 사용하여 몰드를 제거하는 임프린트 방법

Info

Publication number: KR102537617B1
Application number: KR1020200181490A
Authority: KR
Inventors: 숭-웬 차이
Original assignee: 에버 레디언트 인코퍼레이션
Priority date: 2019-10-04
Filing date: 2020-12-23
Publication date: 2023-05-31
Also published as: TW202204129A; TWI759249B; TWI747640B; TW202126467A; US11613065B2; KR20210090548A; US20210101328A1; TWI728489B; TW202115490A; CN113109994A

Abstract

본 발명은, 마스터 몰드 내에 가용성 물질을 첨가하는 단계; 가용성 물질을 고화시켜 몰드 구조를 갖는 가용성 몰드를 형성하는 단계; 가용성 몰드에 몰드 취출 장치를 부착하고, 몰드 취출 장치를 사용하여 마스터 몰드와 몰드를 분리시키는 단계; 전사 프린트될 물체의 고분자 재료층에 가용성 몰드를 배치하는 단계; 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 고분자 재료층이 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 고화되어 몰드와 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계; 및 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체를 획득하기 위해 가용성 몰드를 용해시키는 용매를 제공하는 단계를 포함하는 임프린트 방법을 제공한다.

Description

용매를 사용하여 몰드를 제거하는 임프린트 방법 {IMPRINT METHOD USING A SOLVENT TO REMOVE A MOLD }

본 발명은 2020년 1월 9일에 제출한 미국 특허 출원의 출원 번호가 16/738,201인 우선권을 주장하는 바, 이의 전부 내용은 참조로서 인용된다.

본 발명은 임프린트 방법에 관한 것으로, 특히 용매를 사용하여 몰드를 제거하는 임프린트 방법에 관한 것이다.

디스플레이 장치 및 조명 기기와 같은 전자 제품에서, 광학 소자는 나노미터에서 마이크로미터에 이르는 미세 구조를 사용하여 빛의 반사 또는 빛의 회절과 같은 광학 특성을 제어한다. 미세 구조는 포토리소그래피(photolithography), 전자빔 리소그래피(electron beam lithography), 임프린트(imprint), 또는 분자 전이 리소그래피(molecular transfer lithography) 기술에 의해 형성될 수 있다.

이른 바, 「임프린트」는 전사 프린트를 통해 특수 구조를 가진 몰드를 물체에 배치하여, 물체가 특수 구조에 대응되는 미세 구조를 형성하도록 하는 것이다. 전사 프린트 물체에서 몰드를 제거하는 과정을 「몰드 이형(mold release)」라고 지칭한다. 몰드와 전사 프린트 물체 사이에 양호한 부착성을 갖는 것에 기반하여, 몰드 이형 중에 일부 몰드가 쉽게 전사 프린트 물체에 남아있도록 한다. 이러한 현상은 몰드 손상을 가속화할 뿐만 아니라, 미세 구조의 결함을 초래한다. 미국 특허 공고 번호 US6,849,558B2 및 미국 특허 공개 번호 US2006/0249886A1에서는 모두 수용성 폴리비닐 알코올(polyvinyl alcohol, PVA) 몰드를 사용한다. 이러한 가용성 몰드는 마스터 몰드 내에 가용성 물질을 주입한 후 고화시켜 획득된 다음, 프리폼(preform)을 사용하여 마스터 몰드로부터 몰드를 취출한 것이다. Journal of Vacuum Science & Technology B 21, 2961(2003)에 따르면, 프리폼과 가용성 물질은 동일한 재료이고, 가용성 물질이 완전히 고화되기 전에 가용성 물질에 부착된다. 일반적으로, 가용성 물질의 농도와 두께는 고화 시간에 영향을 미치므로, 프리폼이 가용성 물질이 어느 정도까지 고화되어야만 부착될 수 있는데, 이는 작업자의 전문성과 경험을 테스트하는 것이다.

이른 바, 「분자 전이 리소그래피」는 포토레지스트 재료로 채워진, 특수 배열된 공극 내의 몰드를 물체에 배치한 후, 빛과 에칭을 통해, 물체의 포토레지스트가 코팅되지 않은 부분에 미세 구조를 형성한다. Nanotechnology 24 (2013) 085302 (6pp)에 따르면, 몰드는 마찬가지로 가용성 몰드이지만, 롤러 방식을 사용하여 몰드를 물체에 균일하게 배치하므로, 이후 얻은 미세 구조 간격이 확장되어 변형을 초래한다.

본 발명은, 마스터 몰드 내에 가용성 물질을 첨가하는 단계; 가용성 물질을 고화시켜 몰드 구조를 갖는 가용성 몰드를 형성하는 단계; 가용성 몰드에 몰드 취출 장치를 부착하고, 몰드 취출 장치를 사용하여 마스터 몰드와 몰드를 분리시키는 단계; 전사 프린트될 물체의 고분자 재료층에 가용성 몰드를 배치하는 단계; 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 고분자 재료층이 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 몰드와 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계; 가용성 몰드에 제1 고온보다 큰 제2 고온을 가하여, 고분자 재료층을 고화시키는 단계; 및 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체를 획득하기 위해 가용성 몰드를 용해시키는 용매를 제공하는 단계를 포함하는 임프린트 방법을 더 제공한다.

비교적 바람직하게는, 마스터 몰드와 가용성 몰드를 분리시키는 단계는, 지지부 및 지지부에 연결된 작동부를 갖는 환형 프레임 및 접착 테이프를 포함하는 몰드 취출 장치를 제공하는 단계; 환형 프레임으로 가용성 몰드를 둘러싸는 단계; 가용성 몰드에 접착 테이프를 부착하여, 접착 테이프의 돌출부를 환형 프레임의 지지부와 접촉시키는 단계; 및 환형 프레임의 작동부를 작동시켜 가용성 몰드를 상기 마스터 몰드로부터 분리시키는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 마스터 몰드와 가용성 몰드를 분리시키는 단계는, 지지부 및 지지부에 연결된 작동부를 갖는 환형 프레임, 접착 테이프, 지지 백 플레이트를 포함하는 몰드 취출 장치를 제공하는 단계; 가용성 몰드에 지지 백 플레이트를 부착하는 단계; 환형 프레임으로 지지 백 플레이트를 둘러싸는 단계; 지지 백 플레이트에 접착 테이프를 부착하여, 접착 테이프의 돌출부를 환형 프레임의 지지부와 접촉시키는 단계; 및 환형 프레임의 작동부를 작동시켜 가용성 몰드를 마스터 몰드로부터 분리시키는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 마스터 몰드와 가용성 몰드를 분리시키는 단계는, 환형 프레임, 환형 프레임의 일측에 부착된 접착 테이프, 접착 테이프에서 환형 프레임의 동일한 일측에 부착된 지지 백 플레이트를 포함하는 몰드 취출 장치를 제공하는 단계; 가용성 몰드에 접착 테이프를 부착하여 몰드 취출 장치를 가용성 몰드에 접촉시키는 단계; 및 환형 프레임을 작동시켜 가용성 몰드를 마스터 몰드로부터 분리시키는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제2 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및 정렬되면, 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되고; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제2 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되는 단계; 및 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제2 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 가용성 몰드와 전사 프린트될 물체 사이에 촬영 소자를 이동시켜 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및 정렬되면, 촬영 소자를 원래 위치로 복원시키고, 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되며; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제3 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및 정렬되면, 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되고; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제3 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되는 단계; 및 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제4 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및 정렬되면, 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되고; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제4 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되는 단계; 및 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며, 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는, 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제4 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계; 가용성 몰드와 전사 프린트될 물체 사이에 촬영 소자를 이동시켜 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및 정렬되면, 촬영 소자를 원래 위치로 복원시키고, 가용성 몰드와 고분자 재료층이 접촉되며; 정렬되지 않으면, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 접착 테이프 재료는 열해리성 스티로폼 또는 UV 해리성 스티로폼이다.

비교적 바람직하게는, 가용성 몰드에 고온 또는 제1 고온 및 압력을 가하는 단계는, 몰드에서 고분자 재료층의 반대 표면에 정압을 가하는 단계; 및/또는 몰드에서 고분자 재료층의 인접한 다른 표면에 부압을 가하는 단계를 포함한다.

비교적 바람직하게는, 가용성 물질은 폴리비닐 알코올이고, 용매는 물이다.

본 발명에 따르면, 가용성 몰드가 완전히 고화된 후, 몰드 취출 장치를 몰드에 부착하여, 마스터 몰드로부터 몰드를 취출하는 동작을 용이하게 함으로써, 동작 일반성을 향상시킨다. 또한, 상이한 방식의 얼라인먼트 수단을 통해, 몰드를 고분자 재료층에 정확하게 배치할 수 있음으로써, 고분자 재료층의 기설정된 영역에 전사 프린트 구조를 정확하게 형성할 수 있다. 이와 같이, 전사 프린트 물체는 광학 소자로 사용될 경우, 정확하고 우수한 광학 특성을 제공할 수 있다. 특히 몰드 및 머신 플랫폼에 얼라인먼트 마크를 설정할 경우, 전사 프린트 물체에 임의의 얼라인먼트 마크가 설치되지 않았으므로, 얼라인먼트 마크가 광학 소자의 광학 특성을 간섭하는 문제가 없다. 한편으로, 촬영 소자를 상이한 위치에 구성함으로써, 본 발명의 임프린트 방법이 상이한 유형의 기기와 호환될 수 있도록 한다. 특히, 촬영 소자가 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치될 경우, 몰드와 용해된 후 생성된 액체 또는 휘발 가스가 머신 플랫폼에 의해 차단되어 촬영 소자를 오염시키지 않으며, 다음 임프린트를 직접 수행할 수 있다. 또한, 특히 촬영 소자를 가용성 몰드와 전사 프린트될 물체 사이에 이동시킨 후 원래 위치로 복원된 조건에서, 촬영 소자와 몰드가 용해된 후 생성된 액체 또는 휘발 가스의 접촉을 방지할 수 있어 촬영 소자를 오염시키지 않으며, 다음 임프린트를 직접 수행할 수 있다.

본 발명의 범위 내에서, 기재층 및 기재층에 설치된 고분자 재료층을 가진 전사 프린트될 물체, 전사 프린트될 물체의 고분자 재료층에 배치되며 몰드 구조 및 제1 얼라인먼트 마크를 갖는 가용성 몰드, 몰드에 부착되는 몰드 취출 장치를 배치하도록 제공되는 머신 플랫폼; 및 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부, 또는 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하기 위한 촬영 소자를 포함하되, 여기서 기재층은 제2 얼라인먼트 마크를 가지고, 머신 플랫폼은 제3 얼라인먼트 마크를 가지거나, 고분자 재료층은 제4 얼라인먼트 마크를 가지는 임프린트 시스템을 제공한다.

비교적 바람직하게는, 임프린트 시스템은, 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 고분자 재료층이 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 고화되어 몰드와 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 전사 프린트 소자를 더 포함한다.

비교적 바람직하게는, 임프린트 시스템은, 몰드에 제1 고온 및 압력을 가하여, 고분자 재료층이 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 몰드와 몰드 취출 장치가 분리되도록 한 후, 다시 몰드에 제1 고온보다 큰 제2 고온을 가하여, 고분자 재료층을 고화시키는 전사 프린트 소자를 더 포함한다.

비교적 바람직하게는, 임프린트 시스템은, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되지 않고, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬되지 않거나, 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되지 않을 경우, 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 또는 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 위치 조정 소자를 더 포함한다.

비교적 바람직하게는, 임프린트 시스템은, 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체를 획득하기 위해 가용성 몰드를 용해시키는 용매를 제공하는 용해 소자를 더 포함한다.

비교적 바람직하게는, 임프린트 시스템은, 제1 얼라인먼트 마크와 제2 얼라인먼트 마크, 제1 얼라인먼트 마크와 제3 얼라인먼트 마크, 또는 제1 얼라인먼트 마크와 제4 얼라인먼트 마크에 적외선을 방출하기 위한 적외선 방출 소자를 더 포함한다.

비교적 바람직하게는, 촬영 소자는 몰드 취출 장치에서 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치되거나 머신 플랫폼에서 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된다.

비교적 바람직하게는, 촬영 소자는 가용성 몰드와 전사 프린트될 물체 사이에 이동된 후 원래의 위치로 복원되도록 구성된다.

도 1 내지 도 7은 본 발명의 일 실시형태의 임프린트 방법을 설명하는 일련의 모식도이다.
도 8은 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체의 평면 형태를 나타내는 주사전자현미경(scanning electron microscope, SEM) 사진이다.
도 9는 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체의 측면 형태를 나타내는 주사전자현미경 사진이다.
도 10 내지 도11은 본 발명의 일 실시형태의 임프린트 방법의 일부 단계를 설명하는 일련의 모식도이다.

본 발명의 상기 및/또는 다른 목적, 효과, 특징을 보다 명확하고 쉽게 이해하기 위해, 아래에 비교적 바람직한 실시형태를 예로 들어 상세하게 설명한다.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 일 실시형태의 임프린트 방법을 설명하며, 얻은 전사 프린트 물체(1)는 전사 프린트 구조(11)를 가진다. 도 8, 도 9에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 구조(11)는 전사 프린트 물체(1)에 선명하게 형성될 뿐만 아니라, 전사 프린트 구조(11)의 전체 윤곽도 완전하여 결함이 거의 없다. 본 실시형태의 방법에 대한 상세한 단계는 하기와 같다.

우선, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 먼저 마스터 몰드(3)에 가용성 물질(2)을 추가하되, 마스터 몰드(3)는 마스터 몰드 구조(31) 및 마크 구조(32)를 가지며; 다시 가용성 물질(2)을 고화시켜 가용성 몰드(4)를 형성하되, 몰드(4)는 마스터 몰드 구조(31)에 대응되는 몰드 구조(41) 및 마크 구조(32)에 대응되는 제1 얼라인먼트 마크(42)를 갖는다. 비교적 바람직하게는, 가용성 물질(2)은 폴리비닐 알코올이고, 마스터 몰드(3)의 두께는 10 μm 내지 1,000 μm이며, 따라서 후에 얻은 몰드(4)는 가용성 특성을 가지는 외, 플렉시블 특성을 더 갖는다. 가용성 물질(2)은 용액 형태로 마스터 몰드(3) 내에 추가될 수 있으며, 이의 농도는 5 wt％ 내지 50 wt％일 수 있지만 이에 한정되지 않는다. 농도가 이 하한값보다 낮으면, 몰드 구조(41)의 불완전성을 증가시켜, 구조적 결함을 초래함으로써, 임프린트 품질에 영향을 미친다. 이밖에, 가용성 물질(2)은 스핀 코팅(spin coating) 또는 슬롯 다이 코팅(slot die coating) 방식으로 추가될 수 있으며; 스핀 코팅의 경우, 스핀 코팅의 회전 속도는 100 rpm 내지 5,000 rpm이지만, 이에 한정되지 않는다. 비교적 바람직하게는, 마스터 몰드(3)의 재료는 실리콘이다. 이른 바, 「고화」는 열 고화 또는 빛 고화(예를 들어, 자외선 빛 고화)일 수 있으며; 열 고화의 경우, 열 고화 온도는 실온에서 160 ℃까지일 수 있고, 열 고화 시간은 5분 내지 60분일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 시간이 이 상한값을 초과하면, 몰드(4)의 박리 난이도가 증가하여 몰드 구조(41)에 결함이 형성되도록 한다.

다음으로, 도 3a, 3b, 3c에 도시된 바와 같이, 가용성 몰드(4)에 몰드 취출 장치(5)를 부착하고, 몰드 취출 장치(5)를 사용하여 마스터 몰드(3)와 몰드(4)를 분리시킨다. 도 3a를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 지지부(511) 및 지지부(511)에 연결된 작동부(512)를 갖는 환형 프레임(51) 및 접착 테이프(52)를 포함하는 몰드 취출 장치(5)를 제공하고; 이어서, 환형 프레임(51)으로 가용성 몰드(4)를 둘러싼 다음, 가용성 몰드(4)에 접착 테이프(52)를 부착하여, 접착 테이프(52)의 돌출부(521)를 환형 프레임(51)의 지지부(511)와 접촉시키며; 마지막에, 환형 프레임(51)의 작동부(512)를 작동시켜 가용성 몰드(4)를 마스터 몰드(3)로부터 분리시킨다. 이밖에, 접착 테이프(52) 재료는 열 해리성 스티로폼 또는 UV 해리성 스티로폼일 수 있지만, 이에 한정되지 않는다. 비교적 바람직하게는, 열 해리성 스티로폼은 폴리스티렌 접착제, 폴리우레탄 접착제(polyurethane, PU), 또는 폴리스티렌 접착제(polystyrene, PS)이며, 이의 두께는 100 μm 내지 1,000 μm이다. 몰드(4)를 쉽게 박리하여 몰드 구조(41)가 완전해지도록 하기 위해, 접착 테이프(52)의 면적은 몰드(4)에 비해 큰 것이 비교적 바람직하고, 접착 테이프(52)의 돌출부(521)는 접착 테이프(52) 양측에 형성되어, 접착 테이프(52)가 몰드(4)에 완전하게 부착된 상태로 박리한다. 이밖에, 가용성 몰드(4)를 마스터 몰드(3)로부터 분리시킬 경우, 순방향 박리 또는 측방향 박리 방식을 사용하여 환형 프레임(51)의 작동부(512)를 작동시킬 수 있다.

도 3b를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 지지부(511) 및 지지부(511)에 연결된 작동부(512)를 갖는 환형 프레임(51), 접착 테이프(52) 및 지지 백 플레이트(53)를 포함하는 몰드 취출 장치(5)를 제공하고; 이어서, 가용성 몰드(4)에 지지 백 플레이트(53)를 부착한 다음, 환형 프레임(51)으로 지지 백 플레이트(53)를 둘러싼 이후, 지지 백 플레이트(53)에 접착 테이프(52)를 부착하여, 접착 테이프(52)의 돌출부(521)를 환형 프레임(51)의 지지부(511)와 접촉시키며; 마지막에, 환형 프레임(51)의 작동부(512)를 작동시켜 가용성 몰드(4)를 마스터 몰드(3)로부터 분리시킨다. 비교적 바람직하게는, 지지 백 플레이트(53)의 재료는 유리이다. 설명해야 할 것은, 지지 백 플레이트(53)의 구성을 통해, 가용성 몰드(4)가 마스터 몰드(3)로부터 분리될 때 확장되어 변형되는 것을 방지할 수 있다. 본 실시 양태와 상기 도 3a에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 3c를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 환형 프레임(51), 환형 프레임(51)의 일측에 부착된 접착 테이프(52), 접착 테이프(52)에서 환형 프레임(51)의 동일한 일측에 부착된 지지 백 플레이트(53)를 포함하는 몰드 취출 장치(5)를 제공하고; 이어서, 가용성 몰드(4)에 접착 테이프(52)를 부착하여 몰드 취출 장치(5)를 가용성 몰드(4)에 접촉시키며; 마지막에 환형 프레임(51)을 작동시켜 가용성 몰드(4)를 마스터 몰드(3)로부터 분리시킨다. 비교적 바람직하게는, 지지 백 플레이트(53) 재료는 유리이다. 설명해야 할 것은, 지지 백 플레이트(53)의 구성을 통해, 접착 테이프(52)를 지지할 수 있어 가용성 몰드(4)가 마스터 몰드(3)로부터 분리될 때 확장되어 변형되는 것을 방지할 수 있다. 가용성 몰드(4)가 마스터 몰드(3)로부터 분리될 때 확장되어 변형되는 가능성을 감소시키기 위해, 지지 백 플레이트(53)와 접착 테이프(52)의 접촉 면적은 가용성 몰드(4)와 접착 테이프(52)의 접촉 면적과 적어도 같은 것이 비교적 바람직하다. 본 실시 양태와 상기 도 3a에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

다음, 도 4a 내지 도 4n에 도시된 바와 같이, 전사 프린트될 물체(6)의 고분자 재료층(61)에 가용성 몰드(4)를 배치한다. 도 4a 및 도 4b를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하되, 기재층(62)은 제2 얼라인먼트 마크(621)를 가지고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성한 다음, 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8) 또는 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8)로, 몰드(4)의 제1 얼라인먼트 마크(42)와 기재층(62)의 제2 얼라인먼트 마크(621)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)이 접촉되어 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 이밖에, 고분자 재료층(61)은, 스핀 코팅 방식을 사용하여, 몰드(4)보다 유리 전이 온도가 낮은 고분자 재료를 기재층(62)에 형성하는 것으로 얻을 수 있거나; 먼저 스핀 코팅 방식을 사용하여, 몰드(4)보다 유리 온도가 낮은 고분자 재료를 기재층(62)에 형성한 다음, 소프트 베이킹하여 얻을 수 있다. 비교적 바람직하게는, 고분자 재료의 유리 전이 온도는 20 ℃ 내지 150 ℃이고, 스핀 코팅 회전 속도는 1,000 rpm 내지 5,000 rpm이며, 코팅 두께는 0.05 μm 내지 1,000 μm이다. 설명해야 할 것은, 고분자 재료에 대한 소프트 베이킹 여부는 재료 특성에 의해 결정되며; 비교적 바람직하게는, 소프트 베이킹 온도는 80 ℃ 내지 150 ℃이고, 소프트 베이킹 시간은 3분 내지 5분이다. 스핀 코팅 방식을 제외한 외, 필름 접착 소자(미도시)를 이용한 다이 접착 방법을 사용하여 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성할 수 있다. 이밖에, 도 4a 및 도 4b는 기재층(62)에서 가용성 몰드(4)의 반대 표면에 기재층(62)의 제2 얼라인먼트 마크(621)가 설치된 것을 도시하지만, 머신 플랫폼(7)의 반대 표면에도 설치될 수 있다. 기재층(62)의 제2 얼라인먼트 마크(621)가 기재층(62)에서 가용성 몰드(4)의 반대 표면에 설치된 경우, 기재층(62)은 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제2 얼라인먼트 마크(621)의 이미지를 취하는 것을 간섭할 수 있으므로, 따라서 기재층(62)에는 제2 얼라인먼트 마크(621)가 노출되도록 천공(622)이 더 개방 설치될 수 있다. 또한, 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제2 얼라인먼트 마크(621)의 이미지를 쉽게 취하도록 하기 위해, 기재층(62)은 투명한 기재층인 것이 비교적 바람직하다. 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제2 얼라인먼트 마크(621)의 이미지를 취할 경우 빛의 반사 노이즈로 인한 선명도의 부족함을 방지하기 위해, 적외선 방출 소자(10)를 더 사용하여, 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제2 얼라인먼트 마크(621)를 조사할 수 있으며; 적외선 방출 소자(10)는 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치되거나 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.

도 4c 및 도 4d를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하되, 기재층(62)은 제2 얼라인먼트 마크(621)를 가지고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성한 다음, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)을 접촉시킨 후, 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8) 또는 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8)로, 몰드(4)의 제1 얼라인먼트 마크(42)와 기재층(62)의 제2 얼라인먼트 마크(621)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 본 실시 양태와 상기 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 4e를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하되, 기재층(62)은 제2 얼라인먼트 마크(621)를 가지고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성한 다음, 가용성 몰드(4)와 전사 프린트될 물체(6) 사이에 촬영 소자(8)를 이동시켜 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제2 얼라인먼트 마크(621)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 촬영 소자(8)를 원래 위치로 복원시키고, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)이 접촉되어 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 본 실시 양태와 상기 도 4a 및 도 4b에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 4f 및 도 4g를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하되, 머신 플랫폼(7)은 제3 얼라인먼트 마크(71)를 가지고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성한 이후, 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8) 또는 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8)로, 몰드(4)의 제1 얼라인먼트 마크(42)와 머신 플랫폼(7)의 제3 얼라인먼트 마크(71)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)이 접촉되어 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 이밖에, 고분자 재료층(61)은 스핀 코팅 방식을 사용하여, 몰드(4)보다 유리 전이 온도가 낮은 고분자 재료를 기재층(62)에 형성하는 것으로 얻을 수 있거나; 먼저 스핀 코팅 방식을 사용하여, 몰드(4)보다 유리 온도가 낮은 고분자 재료를 기재층(62)에 형성한 다음, 소프트 베이킹하여 얻을 수 있다. 비교적 바람직하게는, 고분자 재료의 유리 전이 온도는 20 ℃ 내지 150 ℃이고, 스핀 코팅 회전 속도는 1,000 rpm 내지 5,000 rpm이며, 코팅 두께는 0.05 μm 내지 1,000 μm이다. 설명해야 할 것은, 고분자 재료에 대한 소프트 베이킹 여부는 재료 특성에 의해 결정되며; 비교적 바람직하게는, 소프트 베이킹 온도는 80 ℃ 내지 150 ℃이고, 소프트 베이킹 시간은 3분 내지 5분이다. 스핀 코팅 방식을 제외한 외, 필름 접착 소자(미도시)를 이용한 다이 접착 방법을 사용하여 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성할 수 있다. 이밖에, 기재층(62)은 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제3 얼라인먼트 마크(71)의 이미지를 취하는 것을 간섭할 수 있으므로, 따라서 기재층(62)에는 제3 얼라인먼트 마크(71)가 노출되도록 천공(622)이 더 개방 설치될 수 있다. 또한, 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제3 얼라인먼트 마크(71)의 이미지를 쉽게 취하도록 하기 위해, 기재층(62)은 투명한 기재층인 것이 비교적 바람직하다. 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제3 얼라인먼트 마크(71)의 이미지를 취할 경우, 빛의 반사 노이즈로 인한 선명도의 부족함을 방지하기 위해, 적외선 방출 소자(10)를 더 사용하여, 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제3 얼라인먼트 마크(71)를 조사할 수 있으며; 적외선 방출 소자(10)는 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치되거나 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.

도 4h 및 도 4i를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하되, 머신 플랫폼(7)은 제3 얼라인먼트 마크(71)를 가지고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성한 다음, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)을 접촉시킨 이후, 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8) 또는 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8)로, 몰드(4)의 제1 얼라인먼트 마크(42)와 머신 플랫폼(7)의 제3 얼라인먼트 마크(71)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 본 실시 양태와 상기 도 4f 및 도 4g에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 4j 및 도 4k를 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성하되, 고분자 재료층(61)은 제4 얼라인먼트 마크(611)를 가지며; 다음, 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8) 또는 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8)로, 몰드(4)의 제1 얼라인먼트 마크(42)와 고분자 재료층(61)의 제4 얼라인먼트 마크(611)가 정렬되는지 여부를 확인하고; 정렬되면, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)이 접촉되어 후속 단계를 진행하며; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 이밖에, 몰드(4)보다 유리 전이 온도가 낮은 고분자 재료를 기재층(62)에 형성하는 것으로 얻을 수 있거나; 먼저 스핀 코팅 방식을 사용하여, 몰드(4)보다 유리 온도가 낮은 고분자 재료를 기재층(62)에 형성한 다음, 소프트 베이킹하여 얻을 수 있다. 비교적 바람직하게는, 고분자 재료의 유리 전이 온도는 20 ℃ 내지 150 ℃이고, 스핀 코팅 회전 속도는 1,000 rpm 내지 5,000 rpm이며, 코팅 두께는 0.05 μm 내지 1,000 μm이다. 설명해야 할 것은, 고분자 재료에 대한 소프트 베이킹 여부는 재료 특성에 의해 결정되며; 비교적 바람직하게는, 소프트 베이킹 온도는 80 ℃ 내지 150 ℃이고, 소프트 베이킹 시간은 3분 내지 5분이다. 스핀 코팅 방식을 제외한 외, 필름 접착 소자(미도시)를 이용한 다이 접착 방법을 사용하여 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성할 수 있다. 이밖에, 도 4j 및 도 4k는 고분자 재료층(61)에서 가용성 몰드(4)의 반대 표면에 고분자 재료층(61)의 제4 얼라인먼트 마크(611)가 설치된 것을 도시하지만, 머신 플랫폼(7)의 반대 표면에도 설치될 수 있다. 고분자 재료층(61)의 제4 얼라인먼트 마크(611)가 고분자 재료층(61)에서 가용성 몰드(4)의 반대 표면에 설치된 경우, 고분자 재료층(61)은 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제4 얼라인먼트 마크(611)의 이미지를 취하는 것을 간섭할 수 있으므로, 따라서 고분자 재료층(61)에는 제4 얼라인먼트 마크(611)가 노출되도록 천공(612)이 더 개방 설치될 수 있다. 또한, 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제4 얼라인먼트 마크(611)의 이미지를 쉽게 취하도록 하기 위해, 고분자 재료층(61)은 투명한 고분자 재료층인 것이 비교적 바람직하다. 촬영 소자(8)가 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제4 얼라인먼트 마크(611)의 이미지를 취할 경우 빛의 반사 노이즈로 인한 선명도의 부족함을 방지하기 위해, 적외선 방출 소자(10)를 더 사용하여, 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제4 얼라인먼트 마크(611)를 조사할 수 있으며; 적외선 방출 소자(10)는 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치되거나 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치될 수 있지만, 이에 한정되지 않는다.

도 4l 및 도 4m을 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성하되, 고분자 재료층(61)은 제4 얼라인먼트 마크(611)를 가지며; 다음, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)을 접촉시킨 이후, 몰드 취출 장치(5)에서 가용성 몰드(4)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8) 또는 머신 플랫폼(7)에서 전사 프린트될 물체(6)와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자(8)로, 몰드(4)의 제1 얼라인먼트 마크(42)와 고분자 재료층(61)의 제4 얼라인먼트 마크(611)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 본 실시 양태와 상기 도 4j 및 도 4k에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 4n을 참조하면, 일 실시 양태에서, 먼저 전사 프린트될 물체(6)의 기재층(62)을 머신 플랫폼(7)에 배치하고; 이어서, 기재층(62)에 고분자 재료층(61)을 형성하되, 고분자 재료층(61)은 제4 얼라인먼트 마크(611)를 가지며; 다음, 가용성 몰드(4)와 전사 프린트될 물체(6) 사이에 촬영 소자(8)를 이동시켜 제1 얼라인먼트 마크(42)와 제4 얼라인먼트 마크(611)가 정렬되는지 여부를 확인하며; 정렬되면, 촬영 소자(8)를 원래 위치로 복원시키고, 가용성 몰드(4)와 고분자 재료층(61)이 접촉되어 후속 단계를 진행하고; 정렬되지 않으면, 위치 조정 소자(9)를 사용하여, 머신 플랫폼(7)을 X-Y 평면으로 하여, 정렬될 때까지, 몰드(4)의 X축과 Y축 위치 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정한다. 본 실시 양태와 상기 도 4j 및 도 4k에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)를 사용하여, 가용성 몰드(4)에 고온 및 압력을 가하여, 고분자 재료층(61)이 몰드 구조(41)에 대응되는 전사 프린트 구조(11)를 갖고 고화되어 몰드(4)와 몰드 취출 장치(5)가 분리되도록 한다. 도 5a를 참조하면, 일 실시 양태에서, 몰드 취출 장치(5)가 환형 프레임(51)과 접착 테이프(52)를 포함하고, 접착 테이프(52) 재료가 열 해리성 스티로폼인 조건에서, 접착 테이프(52)의 해리 온도(비교적 바람직하게는, 80 ℃ 내지 150 ℃)가 고온 온도보다 낮은 것을 통해, 접착 테이프(52)를 고온 온도에서 해리 분해시킬 수 있다. 이밖에, 고온은 고분자 재료층(61)의 온도가 먼저 이의 유리 전이 온도에 도달할 수 있도록 하고, 압력은 고분자 재료층(61)의 재료가 몰드 구조(41) 내에 충분하게 유동할 수 있도록 하며, 이후 고온은 다시 고분자 재료층(61)의 재료를 고화시켜 고분자 재료층(61)의 전사 프린트 구조(11)가 몰드 구조(41)에 완전히 대응되도록 한다. 비교적 바람직하게는, 고온 및 압력을 가하는 시간은 1분 내지 20분이지만, 이에 한정되지 않는다. 비교적 바람직하게는, 고온 온도는 50 ℃ 내지 160 ℃이지만 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 고온 및 압력을 가한 시간 범위 및 고온 온도 범위는 고분자 재료층(61)의 재료에 의해 결정되고; 전반적으로, 고분자 재료층(61)의 최상부는 용해되지 않으며 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 발생하지 않는 것을 원칙으로 한다. 또한, 압력을 가하면, 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)와 반대되는 일측에 정압을 가할 수 있거나; 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)의 인접한 일측에 부압을 가할 수 있거나; 정압 및 부압을 동시에 가할 수 있다. 비교적 바람직하게는, 정압은 +20 kPa 내지 +600 kPa이고, 부압은 -10 kPa 내지 -101.3 kPa이지만, 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 부압을 통해 고분자 재료층(61)에서 열에 의해 방출되는 휘발성 용매를 뽑아내어 고분자 재료층(61)에 남아 있으면서 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 초래하는 것을 방지할 수 있다. 또한 도 5a에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)는 고온을 제공하는 가열 소자(201) 및 압력을 제공하는 블로잉 소자(202)를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.

도 5b를 참조하면, 일 실시 양태에서, 몰드 취출 장치(5)가 환형 프레임(51), 접착 테이프(52) 및 지지 백 플레이트(53)를 포함한 조건에서, 고온 온도는 지지 백 플레이트(53)와 가용성 몰드(4) 사이의 부착성을 감소시키거나 상실하도록 한다. 본 실시 양태와 상기 도 5a에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 5c를 참조하면, 일 실시 양태에서, 몰드 취출 장치(5)가 환형 프레임(51), 접착 테이프(52) 및 지지 백 플레이트(53)를 포함하고, 접착 테이프(52) 재료가 열 해리성 스티로폼인 조건에서, 접착 테이프(52)의 해리 온도(비교적 바람직하게는, 80 ℃ 내지 150 ℃)가 고온 온도보다 낮은 것을 통해, 접착 테이프(52)를 고온 온도에서 해리 분해시킬 수 있다. 본 실시 양태와 상기 도 5a에 도시된 실시 양태는 상기 차이를 제외한 외, 작동 세부 사항 및 효과가 대체적으로 동일하므로, 여기서 더이상 서술하지 않는다.

도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이, 용해 소자(30)로, 용매(301)를 제공하여 가용성 몰드(4)를 용해시킴으로써, 전사 프린트 구조(11)를 갖는 전사 프린트 물체(1)를 획득한다. 상술한 바와 같이, 용매(301) 용해 수단은 본 발명의 기술 분야에서 사용되는 일반 사용 수단이며, 여기서 더이상 서술하지 않는다. 설명해야 할 것은, 용매(301) 종류는 가용성 몰드(4)의 재료에 의해 결정될 수 있다. 비교적 바람직하게는, 가용성 몰드(4) 재료가 폴리비닐 알코올인 경우, 용매(301)는 물이지만, 이에 한정되지 않는다. 이밖에, 도 6에서는 비록 용매(301)가 머신 플랫폼(7)에 용해된 것을 도시하지만, 머신 플랫폼(7) 이외의 영역에서도 용해될 수 있다.

도 10a 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시형태의 임프린트 방법의 일부 단계를 설명하며, 얻은 전사 프린트 물체(1)는 전사 프린트 구조(11)를 가지고, 전사 프린트 구조(11)는 전사 프린트 물체(1)에 선명하게 형성될 뿐만 아니라, 전사 프린트 구조(11)의 전체 윤곽도 완전하여 결함이 거의 없다. 설명해야 할 것은, 본 실시형태의 임프린트 방법에 대한 상세한 과정과 상기 실시형태의 임프린트 방법은 대체적으로 동일하며, 도 10a 및 도 11에 도시된 단계는 도 5a에 도시된 단계로 대체된다.

도 10a에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)를 사용하여 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여(4), 고분자 재료층(61)이 몰드 구조(41)에 대응되는 전사 프린트 구조(11)를 갖고 몰드(4)와 몰드 취출 장치(5)가 분리되도록 한다. 구체적으로, 몰드 취출 장치(5)가 환형 프레임(51) 및 접착 테이프(52)를 포함하고, 접착 테이프(52) 재료가 열 해리성 스티로폼인 조건에서, 접착 테이프(52)의 해리 온도(비교적 바람직하게는, 80 ℃ 내지 150 ℃)가 제1 고온 온도보다 낮은 것을 통해, 접착 테이프(52)를 제1 고온 온도에서 해리 분해시킬 수 있다. 이밖에, 제1 고온은 고분자 재료층(61)의 온도가 먼저 이의 유리 전이 온도에 도달할 수 있도록 하고, 압력은 고분자 재료층(61)의 재료가 몰드 구조(41) 내에 충분하게 유동할 수 있도록 한다. 비교적 바람직하게는, 제1 고온 및 압력을 가하는 시간은 1분 내지 20분이지만, 이에 한정되지 않는다. 비교적 바람직하게는, 고온 온도는 50 ℃ 내지 160 ℃이지만 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 제1 고온 및 압력을 가한 시간 범위 및 제1 고온 온도 범위는 고분자 재료층(61)의 재료에 의해 결정되고; 전반적으로, 고분자 재료층(61)의 최상부는 용해되지 않으며 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 발생하지 않는 것을 원칙으로 한다. 또한, 압력을 가하면, 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)와 반대되는 일측에 정압을 가할 수 있거나; 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)의 인접한 일측에 부압을 가할 수 있거나; 정압 및 부압을 동시에 가할 수 있다. 비교적 바람직하게는, 정압은 +20 kPa 내지 +600 kPa이고, 부압은 -10 kPa 내지 -101.3 kPa이지만, 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 부압을 통해 고분자 재료층(61)에서 열에 의해 방출되는 휘발성 용매를 뽑아내어 고분자 재료층(61)에 남아 있으면서 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 초래하는 것을 방지할 수 있다. 또한 도 10a에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)는 제1 고온을 제공하는 가열 소자(201) 및 압력을 제공하는 블로잉 소자(202)를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.

도 11에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)를 사용하여 가용성 몰드(4)에 제1 고온보다 큰 제2 고온을 가하여, 고분자 재료층(61)이 고화되도록 한다. 구체적으로, 제2 고온은 고분자 재료층(61)의 온도가 이의 고화 온도에 달하여 이의 재료가 가교 및 고화되도록 한다. 이와 같이, 고분자 재료층(61)의 전사 프린트 구조(11)가 몰드 구조(41)에 완전히 대응되도록, 고분자 재료층(61)의 탄성을 감소시킬 수 있다. 비교적 바람직하게는, 제2 고온 온도는 120 ℃ 내지 180 ℃이지만 이에 한정되지 않는다. 이 단계는 특히 고분자 재료층(61)의 재료가 열경화성 수지(예를 들어, 에폭시 수지(epoxy resin)) 인 경우에 수행된다. 다시 말해서, 이 단계는 후속의 획득된 전사 프린트 물체(1)가 제2 고온보다 낮은 온도 환경에 배치될 때 고분자 재료층(61)이 변형되지 않도록 보장할 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 고온은 전사 프린트 소자(20)의 가열 소자(201)에 의해 제공될 수 있다.

도 10b 및 도 11을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시형태의 임프린트 방법의 일부 단계를 설명하며, 얻은 전사 프린트 물체(1)는 전사 프린트 구조(11)를 가지고, 전사 프린트 구조(11)는 전사 프린트 물체(1)에 선명하게 형성될 뿐만 아니라, 전사 프린트 구조(11)의 전체 윤곽도 완전하여 결함이 거의 없다. 설명해야 할 것은, 본 실시형태의 임프린트 방법에 대한 상세한 과정과 상기 실시형태의 임프린트 방법은 대체적으로 동일하며, 도 10b 및 도 11에 도시된 단계는 도 5a에 도시된 단계로 대체된다.

도 10b에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)를 사용하여 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여(4), 고분자 재료층(61)이 몰드 구조(41)에 대응되는 전사 프린트 구조(11)를 갖고 몰드(4)와 몰드 취출 장치(5)가 분리되도록 한다. 구체적으로, 몰드 취출 장치(5)가 환형 프레임(51), 접착 테이프(52) 및 지지 백 플레이트(53)를 포함한 조건에서, 제1 고온 온도는 지지 백 플레이트(53)와 가용성 몰드(4) 사이의 부착성을 감소시키거나 상실하도록 한다. 이밖에, 제1 고온은 고분자 재료층(61)의 온도가 먼저 이의 유리 전이 온도에 도달할 수 있도록 하고, 압력은 고분자 재료층(61)의 재료가 몰드 구조(41) 내에 충분하게 유동할 수 있도록 한다. 비교적 바람직하게는, 제1 고온 및 압력을 가하는 시간은 1분 내지 20분이지만, 이에 한정되지 않는다. 비교적 바람직하게는, 제1 고온 온도는 50 ℃ 내지 160 ℃이지만 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 제1 고온 및 압력을 가한 시간 범위 및 제1 고온 온도 범위는 고분자 재료층(61)의 재료에 의해 결정되고; 전반적으로, 고분자 재료층(61)의 최상부는 용해되지 않으며 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 발생하지 않는 것을 원칙으로 한다. 또한, 압력을 가하면, 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)와 반대되는 일측에 정압을 가할 수 있거나; 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)의 인접한 일측에 부압을 가할 수 있거나; 정압 및 부압을 동시에 가할 수 있다. 비교적 바람직하게는, 정압은 +20 kPa 내지 +600 kPa이고, 부압은 -10 kPa 내지 -101.3 kPa이지만, 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 부압을 통해 고분자 재료층(61)에서 열에 의해 방출되는 휘발성 용매를 뽑아내어 고분자 재료층(61)에 남아 있으면서 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 초래하는 것을 방지할 수 있다. 또한 도 10b에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)는 제1 고온을 제공하는 가열 소자(201) 및 압력을 제공하는 블로잉 소자(202)를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.

도 10c 및 도 11을 참조하면, 본 발명을 또 다른 일 실시형태의 임프린트 방법의 일부 단계를 설며하며, 얻은 전사 프린트 물체(1)는 전사 프린트 구조(11)를 가지고, 전사 프린트 구조(11)는 전사 프린트 물체(1)에 선명하게 형성될 뿐만 아니라, 전사 프린트 구조(11)의 전체 윤곽도 완전하여 결함이 거의 없다. 설명해야 할 것은, 본 실시형태의 임프린트 방법에 대한 상세한 과정과 상기 실시형태의 임프린트 방법은 대체적으로 동일하며, 도 10c 및 도 11에 도시된 단계는 도 5a에 도시된 단계로 대체된다.

도 10c에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)를 사용하여 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여(4), 고분자 재료층(61)이 몰드 구조(41)에 대응되는 전사 프린트 구조(11)를 갖고 몰드(4)와 몰드 취출 장치(5)가 분리되도록 한다. 구체적으로, 몰드 취출 장치(5)가 환형 프레임(51), 접착 테이프(52) 및 지지 백 플레이트(53)를 포함하고, 접착 테이프(52) 재료가 열 해리성 스티로폼인 조건에서, 접착 테이프(52)의 해리 온도(비교적 바람직하게는, 80 ℃ 내지 150 ℃)가 제1 고온 온도보다 낮은 것을 통해, 접착 테이프(52)를 제1 고온 온도에서 해리 분해시킬 수 있다. 이밖에, 제1 고온은 고분자 재료층(61)의 온도가 먼저 이의 유리 전이 온도에 도달할 수 있도록 하고, 압력은 고분자 재료층(61)의 재료가 몰드 구조(41) 내에 충분하게 유동할 수 있도록 한다. 비교적 바람직하게는, 제1 고온 및 압력을 가하는 시간은 1분 내지 20분이지만, 이에 한정되지 않는다. 비교적 바람직하게는, 고온 온도는 50 ℃ 내지 160 ℃이지만, 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 제1 고온 및 압력을 가한 시간 범위 및 제1 고온 온도 범위는 고분자 재료층(61)의 재료에 의해 결정되고; 전반적으로, 고분자 재료층(61)의 최상부는 용해되지 않으며 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 발생하지 않는 것을 원칙으로 한다. 또한, 압력을 가하면, 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)와 반대되는 일측에 정압을 가할 수 있거나; 가용성 몰드(4)에서 고분자 재료층(61)의 인접한 일측에 부압을 가할 수 있거나; 정압 및 부압을 동시에 가할 수 있다. 비교적 바람직하게는, 정압은 +20 kPa 내지 +600 kPa이고, 부압은 -10 kPa 내지 -101.3 kPa이지만, 이에 한정되지 않는다. 설명해야 할 것은, 부압을 통해 고분자 재료층(61)에서 열에 의해 방출되는 휘발성 용매를 뽑아내어 고분자 재료층(61)에 남아 있으면서 전사 프린트 구조(11)에 구조 결함을 초래하는 것을 방지할 수 있다. 또한 도 10a에 도시된 바와 같이, 전사 프린트 소자(20)는 제1 고온을 제공하는 가열 소자(201) 및 압력을 제공하는 블로잉 소자(202)를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다.

이상 서술은, 단지 본 발명의 비교적 바람직한 실시예일 뿐, 본 발명의 실시 범위를 한정하려는 것이 아니며; 따라서, 본 발명의 특허 출원 범위 및 발명의 명세서 내용에 따라 이루어진 간단한 동등한 변형 및 수식은, 여전히 본 발명의 특허 범위 내에 속한다.

(1)전사 프린트 물체 (11)전사 프린트 구조 (2)가용성 물질
(3)마스터 몰드 (31)마스터 몰드 구조 (32)마크 구조
(4)가용성 몰드 (41)몰드 구조 (42)제1 얼라인먼트 마크
(5)몰드 취출 장치 (51)환형 프레임 (511)지지부
(512)작동부 (52)접착 테이프 (521)돌출부
(53)지지 백 플레이트 (6)전사 프린트될 물체 (61)고분자 재료층
(611)제4 얼라인먼트 마크 (612)천공
(62)기재층 (621)제2 얼라인먼트 마크 (622)천공
(7)머신 플랫폼 (71)제3 얼라인먼트 마크 (8)촬영 소자
(9)위치 조정 소자 (10)적외선 방출 소자 (20)전사 프린트 소자
(201)가열 소자 (202)블로잉 소자 (30)용해 소자
(301)용매

Claims

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마스터 몰드 내에 가용성 물질을 첨가하는 단계;
상기 가용성 물질을 고화시켜 몰드 구조를 갖는 가용성 몰드를 형성하는 단계;
상기 가용성 몰드에 몰드 취출 장치를 부착하고, 상기 가용성 몰드 취출 장치를 사용하여 상기 마스터 몰드와 상기 가용성 몰드를 분리시키는 단계;
전사 프린트될 물체의 고분자 재료층에 상기 가용성 몰드를 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 상기 고분자 재료층이 상기 가용성 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 상기 가용성 몰드와 상기 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계; 및
상기 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체를 획득하기 위해 상기 가용성 몰드를 용해시키는 용매를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지되,
상기 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제2 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 몰드 취출 장치에서 상기 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 상기 머신 플랫폼에서 상기 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및
정렬되면, 상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되고; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하거나,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제2 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되는 단계; 및
상기 몰드 취출 장치에서 상기 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 상기 머신 플랫폼에서 상기 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하거나,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제2 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드와 상기 전사 프린트될 물체 사이에 촬영 소자를 이동시켜 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제2 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및
정렬되면, 상기 촬영 소자를 원래 위치로 복원시키고, 상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되며; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제2 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
마스터 몰드 내에 가용성 물질을 첨가하는 단계;
상기 가용성 물질을 고화시켜 몰드 구조를 갖는 가용성 몰드를 형성하는 단계;
상기 가용성 몰드에 몰드 취출 장치를 부착하고, 상기 몰드 취출 장치를 사용하여 상기 마스터 몰드와 상기 가용성 몰드를 분리시키는 단계;
전사 프린트될 물체의 고분자 재료층에 상기 가용성 몰드를 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 상기 고분자 재료층이 상기 가용성 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 상기 가용성 몰드와 상기 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계; 및
상기 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체를 획득하기 위해 상기 가용성 몰드를 용해시키는 용매를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지되,
상기 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제3 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 몰드 취출 장치에서 상기 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 상기 머신 플랫폼에서 상기 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제3 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및
정렬되면, 상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되고; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제3 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하거나,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제3 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되는 단계; 및
상기 몰드 취출 장치에서 상기 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 상기 머신 플랫폼에서 상기 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제3 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제3 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
마스터 몰드 내에 가용성 물질을 첨가하는 단계;
상기 가용성 물질을 고화시켜 몰드 구조를 갖는 가용성 몰드를 형성하는 단계;
상기 가용성 몰드에 몰드 취출 장치를 부착하고, 상기 몰드 취출 장치를 사용하여 상기 마스터 몰드와 상기 가용성 몰드를 분리시키는 단계;
전사 프린트될 물체의 고분자 재료층에 상기 가용성 몰드를 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 상기 고분자 재료층이 상기 가용성 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 상기 가용성 몰드와 상기 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계; 및
상기 전사 프린트 구조를 갖는 전사 프린트 물체를 획득하기 위해 상기 가용성 몰드를 용해시키는 용매를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지되,
상기 가용성 몰드는 제1 얼라인먼트 마크를 가지며,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제4 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 몰드 취출 장치에서 상기 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 상기 머신 플랫폼에서 상기 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및
정렬되면, 상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되고; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하거나,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제4 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되는 단계; 및
상기 몰드 취출 장치에서 상기 가용성 몰드와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자 또는 상기 머신 플랫폼에서 상기 전사 프린트될 물체와 반대되는 일측에 설치된 촬영 소자로, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하거나,
상기 가용성 몰드를 고분자 재료층에 배치하는 단계는,
상기 고분자 재료층과 머신 플랫폼 사이에 위치하며 제4 얼라인먼트 마크를 갖는 기재층을 가진 상기 전사 프린트될 물체를 머신 플랫폼에 배치하는 단계;
상기 가용성 몰드와 상기 전사 프린트될 물체 사이에 촬영 소자를 이동시켜 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제4 얼라인먼트 마크가 정렬되는지 여부를 확인하는 단계; 및
정렬되면, 상기 촬영 소자를 원래 위치로 복원시키고, 상기 가용성 몰드와 상기 고분자 재료층이 접촉되며; 정렬되지 않으면, 상기 머신 플랫폼을 X-Y 평면으로 하여, 상기 제1 얼라인먼트 마크와 상기 제4 얼라인먼트 마크가 정렬될 때까지, 상기 가용성 몰드의 X축과 Y축 및 X-Y 평면에서 이의 θ각을 조정하는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가용성 몰드와 상기 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계는,
상기 가용성 몰드에 고온 및 압력을 가하여, 상기 고분자 재료층이 상기 가용성 몰드 구조에 대응되는 전사 프린트 구조를 갖고 고화되도록 하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 가용성 몰드와 상기 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계와, 상기 용매를 제공하는 단계 사이에, 상기 가용성 몰드에 상기 고온을 가하여 상기 고분자 재료층을 고화시키는 단계;를 더 포함하여 이루어지되,
상기 가용성 몰드와 상기 몰드 취출 장치가 분리되도록 하는 단계는, 상기 가용성 몰드에 제1 고온 및 압력을 가하고,
상기 고분자 재료층을 고화시키는 단계는 상기 가용성 몰드에 상기 제1 고온보다 큰 제2 고온을 가하는 것을 특징으로 하는 임프린트 방법.
제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마스터 몰드와 가용성 몰드를 분리시키는 단계는,
지지부 및 상기 지지부에 연결된 작동부를 갖는 환형 프레임, 접착 테이프, 지지 백 플레이트를 포함하는 상기 몰드 취출 장치를 제공하는 단계;
상기 가용성 몰드에 상기 지지 백 플레이트를 부착하는 단계;
상기 환형 프레임으로 상기 지지 백 플레이트를 둘러싸는 단계;
상기 지지 백 플레이트에 상기 접착 테이프를 부착하여, 상기 접착 테이프의 돌출부를 상기 환형 프레임의 지지부와 접촉시키는 단계; 및
상기 환형 프레임의 작동부를 작동시켜 상기 가용성 몰드를 상기 마스터 몰드로부터 분리시키는 단계를 포함하거나,
상기 마스터 몰드와 가용성 몰드를 분리시키는 단계는,
환형 프레임, 상기 환형 프레임의 일측에 부착된 접착 테이프, 상기 접착 테이프에서 상기 환형 프레임의 동일한 일측에 부착된 지지 백 플레이트를 포함하는 상기 몰드 취출 장치를 제공하는 단계;
상기 가용성 몰드에 상기 접착 테이프를 부착하여 상기 몰드 취출 장치를 상기 가용성 몰드에 접촉시키는 단계; 및
상기 환형 프레임을 작동시켜 상기 가용성 몰드를 상기 마스터 몰드로부터 분리시키는 단계를 포함하는 임프린트 방법.
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