KR102531660B1 - 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스 - Google Patents

서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR102531660B1
KR102531660B1 KR1020177033965A KR20177033965A KR102531660B1 KR 102531660 B1 KR102531660 B1 KR 102531660B1 KR 1020177033965 A KR1020177033965 A KR 1020177033965A KR 20177033965 A KR20177033965 A KR 20177033965A KR 102531660 B1 KR102531660 B1 KR 102531660B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
contact
display device
semiconductor layer
contacts
pixels
Prior art date
Application number
KR1020177033965A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180013904A (ko
Inventor
알렉산더 에프 포이퍼
도미니크 숄츠
Original Assignee
에이엠에스-오스람 인터내셔널 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이엠에스-오스람 인터내셔널 게엠베하 filed Critical 에이엠에스-오스람 인터내셔널 게엠베하
Priority to KR1020237015584A priority Critical patent/KR102722043B1/ko
Publication of KR20180013904A publication Critical patent/KR20180013904A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102531660B1 publication Critical patent/KR102531660B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 전자기 복사선을 발생시키는 반도체 층 시퀀스(3)를 포함하는, 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀(1a, 1b, 1c)을 갖는 디스플레이 디바이스(1)에 관한 것이다. 반도체 층 시퀀스(3)는 제1 반도체 층(31), 활성 층(33) 및 제2 반도체 층(35)을 갖는다. 디스플레이 디바이스(1)는 제1 반도체 층(31)과 접촉하는 제1 접촉 구조체(51) 그리고 제2 반도체 층(35)과 접촉하는 제2 접촉 구조체(55)를 또한 포함한다. 제1 접촉 구조체(51)는 서로 개별적으로 동작될 수 있고, 각각이 제1 반도체 층(31)을 따라 측방향으로 그리고 연속적으로 연장하는, 제1 접촉부(51a, 51b, 5c)를 갖는다. 제1 접촉부(51a, 51b, 5c) 각각은 그 외형과 함께 측방향으로 픽셀(1a, 1b, 1c)의 경계를 형성한다. 반도체 층 시퀀스(3) 및 제1 접촉 구조체(51)는 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)에 측방향으로 접경하는 적어도 하나의 리세스(7a, 7b)를 갖고, 적어도 하나의 리세스는 제1 접촉 구조체(51), 제1 반도체 층(31) 및 활성 층(33)을 통해, 그리고 제2 반도체 층(35) 내로 연장한다. 제2 접촉 구조체(55)는 제1 접촉 구조체(51)에 대면하는 반도체 층 시퀀스(3)의 측부로부터 적어도 하나의 리세스(7a, 7b)를 통해 연장하는 제2 접촉부(55a, 55b)를 갖는다.

Description

서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스
디스플레이 디바이스가 특정된다.
본 발명의 목적은 디스플레이 디바이스를 특정하여, 디스플레이 디바이스의 특히 신뢰가능한, 효율적인 동작을 가능케 하는 것이다.
디스플레이 디바이스가 특정된다. 특히, 디스플레이 디바이스는 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 포함하고, 전자기 복사선을 발생시키는 반도체 층 시퀀스를 포함한다. 반도체 층 시퀀스는 예를 들어, 제1 반도체 층, 활성 층 및 제2 반도체 층을 갖는다. 디스플레이 디바이스는 발광 다이오드, 예를 들어, 특히, 반도체 층 시퀀스를 위한 성장 기판이 없는, 박막 발광 다이오드일 수 있다.
디스플레이 디바이스는 제1 주 평면과 제2 주 평면 사이에서 수직 방향으로 연장하고, 여기서 수직 방향은 제1 및/또는 제2 주 평면을 횡단하여 또는 그에 직각으로 진행할 수 있다. 주 평면은 예를 들어, 디스플레이 디바이스의 상부 표면 및 저부 표면 상의 주 연장 평면일 수 있다. 디스플레이 디바이스는 예를 들어, 측방향으로 2-차원으로, 그에 따라 적어도 여러 위치에서 주 평면에 평행하게 연장되고, 측방향으로의 디스플레이 디바이스의 최대 연장부에 비해 작은 수직 방향으로의 두께를 갖는다.
예를 들어, 반도체 층 시퀀스, 특히 활성 층은 Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 재료를 함유한다. Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 재료는 자외선 스펙트럼 범위(AlxInyGa1-x-yN)로부터 가시광선 스펙트럼 범위(특히 청색 내지 녹색 복사선을 위한 AlxInyGa1-x-yN, 또는 특히 황색 내지 적색 복사선을 위한 AlxInyGa1-x-yP)를 거쳐 적외선 스펙트럼 범위(AlxInyGa1-x-yAs)까지의 복사선을 발생시키는 데 특히 적절하다. 여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1 및 x+y≤1, 특히 이때에 x≠1, y≠1, x≠0 및/또는 y≠0이 각각 적용된다. 특히 상기 재료 시스템으로부터의, Ⅲ족-Ⅴ족 화합물 반도체 재료를 사용하면, 높은 내부 양자 효율이 복사선 발생에서도 성취될 수 있다.
활성 층은 제1 반도체 층과 제2 반도체 층 사이에 배열된다. 제1 반도체 층 및 제2 반도체 층은 편의상 서로 상이한 전도체 타입을 갖는다. 특히, 제1 반도체 층은 p형-도핑 반도체 층일 수 있고, 제2 반도체 층은 n형-도핑 반도체 층일 수 있다.
디스플레이 디바이스의 제조에서, 픽셀은 바람직하게는 공통의 반도체 층 시퀀스로부터 발생한다. 특정 픽셀과 관련되는 반도체 층, 그에 따라 픽셀을 형성하는 반도체 층 시퀀스의 측방향 영역은, 제조에 의해 유발되는 변동을 제외하면, 디스플레이 디바이스의 또 다른 픽셀과 관련되는 반도체 층과 그 재료 조성 및 그 층 두께에 대해 동일할 수 있다.
디스플레이 디바이스는 예를 들어, 캐리어를 갖는다. 캐리어는 예를 들어, 적어도 하나의 픽셀을 제어하기 위해 특정 픽셀과 각각 관련되는, 복수의 스위치를 가질 수 있다. 캐리어는 예를 들어, 반도체 층 시퀀스를 기계적으로 안정화할 수 있다.
제1 주 평면은 예를 들어, 캐리어로부터 멀리 떨어진 반도체 층 시퀀스의 측부 상에 위치된다. 제2 주 평면은 그에 따라 예를 들어, 반도체 층 시퀀스로부터 멀리 떨어진 캐리어의 측부 상에 위치된다.
적어도 하나의 실시예에서, 디스플레이 디바이스는 제1 반도체 층과 접촉하는 제1 접촉 구조체를 포함한다. 디스플레이 디바이스는 제2 반도체 층과 접촉하는 제2 접촉 구조체를 추가로 포함한다.
제1 접촉 구조체는 예를 들어, 반도체 층 시퀀스와 캐리어 사이에 배열된다. 제1 접촉 구조체는 특히 제1 반도체 층에 전기 전도성 연결된다. 제1 반도체 층은 제1 접촉 구조체에 의해 제2 주 평면으로부터 전기적으로 접촉가능하다.
제1 접촉 구조체는 예를 들어, 금속 층 또는 금속 층 적층체로 구성된다. 제1 접촉 구조체는 바람직하게는 광학 미러 효과를 갖는다. 예를 들어, 제1 접촉 구조체는 Al, Ag, Au, 또는 Rh과 같은 재료로 구성되거나, 그러한 재료를 갖는다. 특히, 제1 접촉 구조체의 층 두께는 50 nm 내지 500 nm이다.
추가로 또는 대안으로서, 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide)(TCO) 층이 반도체 층 시퀀스와 금속 층 또는 금속 층 적층체 사이에 도입된다. 이것은 예로서, ITO, SnO, ZnO와 같은 재료로 구성되거나, 그러한 재료를 갖는다. 특히, 그러한 층의 층 두께는 100 nm 미만이다.
또한, 유전체 또는 유전체 층 적층체가 투명 전도성 산화물 층과 금속 층 또는 금속 층 적층체 사이에 배열될 수 있다. 이것은 예로서, SiO2로 구성되거나 SiO2를 갖는다. 특히, 이것의 층 두께는 100 nm 내지 1000 nm이다. 유전체 또는 유전체 층 적층체는 예를 들어, 특히 개별화되는(singulated), 리세스를 가질 수 있다. 따라서, 전기 전도성 연결부가 투명 전도성 산화물 층과 금속 층 또는 금속 층 적층체 사이에 제공된다.
제2 접촉 구조체 역시 유사하게 예를 들어, 캐리어와 반도체 층 시퀀스 사이에 배열된다. 제2 접촉 구조체는 특히 제2 반도체 층에 전기 전도성 연결된다. 제2 반도체 층은 제2 접촉 구조체에 의해 제2 주 평면으로부터 전기적으로 접촉가능하다.
제1 접촉 구조체 및/또는 제2 접촉 구조체 또는 적어도 그 일부 층이 예를 들어, 특히 디스플레이 디바이스의 동작 중에 발생되는 복사선에 대해, 반사성으로 형성된다.
적어도 하나의 실시예에서, 제1 접촉 구조체는 서로 개별적으로 동작될 수 있는 제1 접촉부를 갖는다. 제1 접촉부 각각은 제1 반도체 층을 따라 측방향으로 그리고 연속적으로 연장한다. 제1 접촉부 각각은 그 외형과 함께 측방향으로 픽셀의 경계를 형성한다.
적어도 하나의 픽셀을 제어하는 스위치가 예를 들어, 이와 관련하여 제1 접촉부와 각각 관련될 수 있다. 특히, 제1 접촉부는 각각의 스위치에 전기적으로 연결된다. 제1 접촉부는 각각의 경우에 제1 반도체 층과 전기적으로 서로 개별적으로 접촉한다. 수직 방향으로의 디스플레이 디바이스의 평면도에서, 제1 접촉부의 각각의 측방향 외형은 픽셀의 경계를 각각 형성한다. 바꿔 말하면, 픽셀의 측방향 연장부가 각각의 제1 접촉부의 측방향 연장부에 의해 형성된다. 제1 접촉부는 픽셀을 각각 제어하는 하나의 픽셀과, 관련되고 특히, 특별히 명확하게 관련된다.
적어도 하나의 실시예에서, 반도체 층 시퀀스 및 제1 접촉 구조체는 각각의 픽셀에 측방향으로 접경하는 적어도 하나의 리세스를 갖는다. 적어도 하나의 리세스는 제1 접촉 구조체, 제1 반도체 층 및 활성 층을 통해, 그리고 제2 반도체 층 내로 연장한다.
특히, 적어도 하나의 리세스는 제2 주 평면으로부터 제1 주 평면을 횡단하여 또는 그에 직각으로 연장한다. 적어도 하나의 리세스는 특히 제1 접촉 구조체를 중단시킨다. 예를 들어, 측방향으로 연속적인 제1 접촉부가 적어도 하나의 리세스에 의해 전기적으로 서로 각각 분리된다. 적어도 하나의 리세스는 디스플레이 디바이스의 평면도에서 특히 개개의 픽셀들 사이의 광학 분리부의 영역 내에서 측방향으로 연장한다. 광학 분리부는 특히 개개의 픽셀의 측방향 분리부이고, 이러한 분리부는 예를 들어, 디스플레이 디바이스의 평면도에서 관찰자에 의해 직접적으로 감지될 수 있고, 및/또는 적절한 확대에 의해 판단될 수 있고 및/또는 예를 들어, 향상된 느낌의 선예도(enhanced impression of sharpness)의 형태로, 평면도에서 관찰자에 의해 적어도 간접적으로 감지될 수 있다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉 구조체는 제2 접촉부를 갖는다. 제2 접촉부는 제1 접촉 구조체에 대면하는 반도체 층 시퀀스의 측부로부터 적어도 하나의 리세스를 통해 연장한다.
제2 접촉부는 제2 반도체 층과 전기적으로 각각 접촉한다. 이러한 경우에, 제2 접촉부는 특히 디스플레이 디바이스의 공통 전극의 형태로 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 접촉부는 특히 제1 반도체 층으로부터 전기적으로 절연된다. 이와 관련하여, 디스플레이 디바이스는 제2 접촉부를 제1 접촉부 및/또는 제1 반도체 층으로부터 전기적으로 분리하는, 분리 구조체를 가질 수 있다. 예를 들어, 분리 구조체는 이러한 목적을 위해 측방향으로 적어도 하나의 리세스의 경계를 형성한다. 예를 들어, 제2 접촉부는 분리 구조체에 의해 측방향으로 경계가 형성되는 적어도 하나의 리세스를 완전히 충전한다. 이것에 대한 대안으로서, 제2 접촉부는 분리 구조체 그리고 적어도 하나의 리세스의 단부 면 상의 제2 반도체 층을 덮고, 그에 따라 특히 각각의 리세스를 완전히 충전하지는 않는다.
제2 접촉부에 의한 제2 반도체 층의 접촉부가 디스플레이 디바이스의 평면도에서 특히 개개의 픽셀들 사이의 광학 분리부의 영역 내에서 연장한다. 픽셀들 사이의 광학 분리부는 그에 따라 특히 제2 반도체 층의 접촉부와 결합될 수 있다. 예를 들어, 분리 구조체는 특히 디스플레이 디바이스의 동작 중에 발생되는 복사선에 대해, 이와 관련하여 반사성으로 구성될 수 있다. 분리 구조체는 예를 들어, 실리콘 산화물 및/또는 실리콘 질화물 및/또는 알루미늄 산화물의, 예를 들어, 부분적으로 또는 완전히 투명한 유전체로 구성된다. 예를 들어, 반사가 그에 따라 유전체 상에서, 또는 동작 중에 발생되는 복사선의 빔 경로에 대해 뒤에 놓인 제2 접촉 구조체의 금속 층 상에서 전반사 형태로 각도에 따라 일어날 수 있다. 제2 접촉 구조체는 유리하게는 예를 들어, 이러한 목적을 위해 은과 같은 고반사성 재료로부터 구성된다.
적어도 하나의 실시예에서, 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스는 전자기 복사선을 발생시키는 반도체 층 시퀀스를 포함한다. 반도체 층 시퀀스는 제1 반도체 층, 활성 층 및 제2 반도체 층을 갖는다.
디스플레이 디바이스는 제1 반도체 층과 접촉하는 제1 접촉 구조체 그리고 제2 반도체 층과 접촉하는 제2 접촉 구조체를 추가로 포함한다. 제1 접촉 구조체는 서로 개별적으로 동작될 수 있고 각각이 제1 반도체 층을 따라 측방향으로 그리고 연속적으로 연장하는 제1 접촉부를 갖는다. 제1 접촉부 각각은 그 외형과 함께 측방향으로 픽셀의 경계를 형성한다.
반도체 층 시퀀스 및 제1 접촉 구조체는 각각의 픽셀에 측방향으로 접경하는 적어도 하나의 리세스를 갖고, 이러한 리세스는 제1 접촉 구조체, 제1 반도체 층 및 활성 층을 통해, 그리고 제2 반도체 층 내로 연장한다. 제2 접촉 구조체는 제1 접촉 구조체에 대면하는 반도체 층 시퀀스의 측부로부터 적어도 하나의 리세스를 통해 연장하는, 제2 접촉부를 갖는다.
이것은 제1 접촉 구조체 및 제1 반도체 층의 개개의 픽셀들 사이의 분리 트렌치(trench)가 제2 반도체 층의 관통-접촉부로서 사용되는, 디스플레이 디바이스의 특히 유리한 측방향 공간 이용을 가능케 한다. 디스플레이 디바이스의 비-복사 표면에 대한 복사 표면의 비율이 그에 따라 특히 높게 유지될 수 있고, 그에 따라 디스플레이 디바이스의 높은 효율에 기여한다. 또한, 개개의 픽셀에 대한 측방향 모서리 영역 내의 접촉부로 인해, 각각의 픽셀의 연속적인 조명 패턴이 가능케 된다. 특히, 접촉부로 인해 어둡게 감지될 수 있는 픽셀 내의 위치가 이러한 경우에 회피될 수 있다. 또한, 픽셀의 중복 접촉(redundant contacting)이 가능케 되고, 그에 따라 디스플레이 디바이스의 신뢰성에 기여한다.
적어도 하나의 실시예에서, 제1 및 제2 접촉부 각각은 제1 및 제2 반도체 층과 직접적으로 접촉한다. 제1 및 제2 접촉부는 각각의 반도체 층과 전기적으로, 특히 직접적으로 접촉한다. 예를 들어, 제1 접촉부 및 제1 반도체 층은 2-차원으로 측방향으로 서로 직접적으로 접한다. 제2 접촉부는 예를 들어, 각각의 리세스를 통해 제2 반도체 층 내로 연장한다.
적어도 하나의 실시예에서, 여러 개의 제2 접촉부가 적어도 하나의 픽셀과 관련되고, 이러한 접촉부는 각각의 픽셀과 중복하여 접촉한다. 특히, 여러 개의 제2 접촉부는 적어도 하나의 픽셀에 측방향으로 접경한다. 적어도 하나의 픽셀의 동작이 그 픽셀과 관련되는 여러 개의 제2 접촉부 그리고 각각의 제1 접촉부를 거친 반도체 층 시퀀스의 작동에 의해 일어난다.
제2 접촉부를 픽셀의 측방향 모서리 영역 내에 배열함으로써, 여러 개의 중복하는 제2 접촉부가 단일의 픽셀과 관련될 수 있다. 여러 개의 제2 접촉부 중 하나의 불량이 그에 따라 특히 간단한 방식으로 보상될 수 있다. 이것은 디스플레이 디바이스의 제조에서의 높은 수율 그리고 그 높은 불량 방지성에 기여한다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉부 중 적어도 하나가 여러 개의 인접 픽셀에 측방향으로 접경하여 배열되고, 여러 개의 인접 픽셀과 접촉하도록 구성된다. 바꿔 말하면, 적어도 하나의 제2 접촉부는 여러 개의 인접 픽셀과 각각 관련된다. 따라서, 여러 개의 픽셀이 단일의 접촉부에 의해 유리한 방식으로 동작될 수 있다. 픽셀의 접촉부를 위한 공간 요건이 그에 따라 작게 유지되고, 그에 따라 비-복사 표면에 대한 디스플레이 디바이스의 복사 표면의 높은 비율에 기여할 수 있다.
적어도 하나의 실시예에서, 픽셀은 격자 형태로 측방향으로 분리되어 배열된다. 픽셀은 예를 들어, 이러한 경우에 이들을 횡단하여 또는 이들에 직각으로 배열되는 라인 및 칼럼으로 배열되고, 여기서 라인 및 칼럼은 분리 웨브에 의해 각각 분리된다. 측방향 분리부의 분리 웨브 역시 이러한 경우에 유사하게 이들을 횡단하여 또는 이들에 직각으로 배열되는 라인 및 칼럼을 따라 진행한다. 측방향 분리부는 예를 들어, 격자를 형성하고, 격자는 분리 웨브의 교차점에 있는 격자의 격자점 또는 절점을 포위한다. 바꿔 말하면, 픽셀은 격자에 대해 특히 분리 웨브에 의해 형성되는 격자의 간극 내에 배열된다. 이것은 픽셀이 디스플레이 디바이스의 평면도에서 광학적으로 분리되어 배열된다는 것을 의미한다. 제2 접촉부 중 적어도 하나가 격자의 절점 상에 배열된다.
예를 들어, 픽셀은 정다각형 격자 방식으로 개별적으로 배열될 수 있다. 픽셀의 측방향 분리가 이러한 경우에 직선을 따라 일어나지 않아도 된다. 사실상, 적어도 여러 영역에서, 휘거나 비틀린 측부를 갖는 픽셀까지도 측방향 분리부에 의해 생성될 수 있다. 예를 들어, 픽셀은 원형 도트로서 감지될 수 있다. 격자 형태로 개별적으로 배열되는 픽셀의 작동이 유리한 방식으로 단순화된다. 또한, 형상, 도형 또는 부호의 표현이 디스플레이 디바이스에 의해 정밀하게 그리고 유연하게 일어날 수 있다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉부 중 하나가 격자의 각각의 절점 상에 배열된다. 각각의 제2 접촉부는 그에 따라 픽셀들 사이의 광학 분리 웨브 내에 배열되고, 그에 따라 디스플레이 디바이스의 복사 표면이 연속적으로 그리고 최대 크기로 유지될 수 있다는 점에서 유리하다. 특히, 각각의 제2 접촉부는 격자의 절점에 대응하는 배열로 여러 개의 픽셀, 예를 들어, 정사각형 격자 내의 4개의 픽셀에 측방향으로 접경할 수 있다. 이것은 단지 하나의 특정 제2 접촉부를 사용하여 특히 상당히 많은 인접 픽셀을 동작시키는 것을 가능케 한다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉부가 각각의 칼럼에 대해 및/또는 각각의 라인에 대해 2개의 인접 절점 사이에 각각 배열된다. 따라서, 각각의 제2 접촉부는 예를 들어, 각각의 경우에 2개의 픽셀과 관련된다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉부 중 하나는 격자의 매 두번째의 측방향으로 연속적인 절점 상에 배열된다. 디스플레이 디바이스는 그에 따라 중복하는 제2 접촉부 없이 동작될 수 있고, 그에 따라 디스플레이 디바이스의 특히 높은 표면 이용이 가능케 된다는 점에서 유리하다. 이것으로부터 벗어난다면, 제2 접촉부 중 하나는 격자의 매 x번째의 측방향으로 연속적인 절점 상에 배열되는 것 역시 유사하게 착상될 수 있고, 여기서 x는 임의의 자연수일 수 있다. 바꿔 말하면, 1 및 0.5와 상이한 제2 접촉부에 의해 점유되는 절점의 분율까지도 사용될 수 있다.
적어도 하나의 실시예에서, 디스플레이 디바이스의 측방향 모서리 영역에 접경하는 픽셀과 관련되는, 제2 접촉부 중 적어도 하나가 모서리 영역을 따라 평행하게 연장하여 구성된다. 이것은 디스플레이 디바이스의 균일한 외형 그리고 디스플레이 디바이스 제조에서의 공정 신뢰성에 기여한다. 예를 들어, 특히 개별화 공정에 대한, 디스플레이 디바이스의 기계적인 취약점이 회피될 수 있다. 예로서, 각각의 제2 접촉부는 디스플레이 디바이스의 모서리를 따른 특정 제2 접촉부 주위의 전이 영역에서, 각각의 제2 접촉부의 구조체가 두드러지지 않는, 실질적으로 평탄한 표면이 생성되는 방식으로 디스플레이 디바이스의 측방향 모서리 영역과 동일한 평면 내에서 종료된다. 이것으로부터 벗어난다면, 특정 제2 접촉부는 적어도 하나의 모서리-없는 표면이 상기 전이 영역 내에 생성되는 그러한 방식으로도 배열된다.
적어도 하나의 실시예에서, 픽셀과 관련되는 제2 접촉부의 측방향 연장부가 각각의 경우에 각각의 픽셀과 관련되는 제2 접촉부의 개수에 의존한다. 제2 접촉부의 측방향 연장부는 이러한 경우에 형태 및 크기 둘 모두 면에서 변할 수 있다. 특히, 특정 픽셀과 관련되는 제2 접촉부가 특정 픽셀에 측방향으로 접경한다. 특정 픽셀의 동작이 그 픽셀과 관련되는 제2 접촉부 그리고 각각의 제1 접촉부를 거친 작동에 의해 일어난다.
제2 접촉부의 측방향 연장부의 조정이 디스플레이 디바이스의 특히 균일한 조명 패턴을 가능케 한다. 예를 들어, 개개의 픽셀의 휘도가 각각 관련된 제1 및 제2 접촉부를 통한 전류 흐름에 의해 영향을 받는다. 접촉부를 통한 전류 흐름은 구체적으로 각각의 접촉부의 단면적의 함수이다.
예로서, 픽셀과 관련되는 제2 접촉부의 개수가 디스플레이 디바이스의 다른 픽셀에 비해 감소될 수 있고, 그에 따라 디스플레이 디바이스의 다른 픽셀과 관련되는 제2 접촉부에 비해 그 픽셀과 관련되는 제2 접촉부의 동시적인 확장에 의해, 픽셀을 동작시키는 누적 전류 흐름이 거의 동일하고, 픽셀의 균일한 휘도가 성취된다.
적어도 하나의 실시예에서, 디스플레이 디바이스의 측방향 모서리 영역에 접경하는 픽셀과 관련되는 제2 접촉부 중 적어도 하나는 각각의 제2 접촉부가 디스플레이 디바이스의 측방향 내부에 대해 오프셋되어 배열되게 하는 미리 결정된 간격을 갖는다. 예를 들어, 각각의 제2 접촉부는 각각의 제2 접촉부가 모서리와 동일한 평면 내에서 종료되거나, 디스플레이 디바이스의 모서리를 따른 각각의 제2 접촉부 주위의 전이 영역에 대한 적어도 각각의 제2 접촉부의 측방향 돌출부가 감소되거나 회피되는 그러한 방식으로 디스플레이 디바이스의 내부에 대해 측방향으로 오프셋되어 배열된다. 각각의 제2 접촉부는 예를 들어, 이러한 경우에 전술된 격자 내에, 그러나 격자의 절점에 대해 측방향으로 오프셋되어 배열될 수 있다. 이것은 디스플레이 디바이스의 제조에서의 높은 공정 신뢰성에 기여한다는 점에서 유리하다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉부 중 적어도 하나의 측방향 연장부가 원형으로 구성된다. 적어도 하나의 원형으로 구성된 제2 접촉부와 관련되는 픽셀의 특히 균일한 작동이 그에 따라 가능케 된다는 점에서 유리하다.
적어도 하나의 실시예에서, 각각의 제2 접촉부의 측방향 연장부는 수직 방향으로 변할 수 있다. 특히, 각각의 제2 접촉부 및/또는 각각의 리세스는 원뿔형으로 또는 원뿔의 형상으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 각각의 리세스 및/또는 각각의 제2 접촉부의 측방향 연장부는 제2 주 평면을 향해 확장된다. 각각의 제2 접촉부와 관련되는 픽셀의 측방향 경계 형성부가 그러면 예를 들어, 깔때기형이고, 그에 따라 각각의 픽셀의 영역 내에서 발생되는 복사선의 특히 유리한 복사선 특성에 기여한다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉부 중 적어도 하나가 픽셀을 측방향으로 포위한다. 측방향으로 포위된 픽셀에 대한 특히 균일한 전류 흐름이 가능케 된다는 점에서 유리하다. 이것은 특히 픽셀의 감지가능한 휘도에 대한, 픽셀의 영역 내에서의 복사선의 균일한 발생에 기여한다.
적어도 하나의 실시예에서, 제2 접촉 구조체는 격자 형태로 구성된다. 이것은 특히 간단한 중복 접촉 그리고 또한 픽셀의 균일한 작동을 가능케 한다는 점에서 유리하다.
추가의 특징, 구성 및 편의성이 도면과 연결되는 예시적인 실시예의 하기의 설명으로부터 비롯된다.
도 1은 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스의 제1 예시 실시예의 개략 측단면도이다.
도 2는 도 1에 따른 디스플레이 디바이스의 제2 예시 실시예의 개략 측단면도이다.
도 3-10은 도 1에 따른 디스플레이 디바이스의 제3 내지 제10 예시 실시예의 개략 평면도이다.
동일 및 유사한 요소 또는 동일한 효과를 갖는 요소에는 도면에서 동일한 도면 부호가 제공된다. 도면 그리고 도면에 도시된 요소의 서로에 대한 크기 비율은 일정한 비율인 것으로 간주되지 않아야 한다. 사실상, 개개의 요소 그리고 특히 층 두께는 더 양호한 표현을 위해 및/또는 더 양호한 이해를 위해 과장되게 크게 도시될 수 있다.
서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀(1a, 1b, 1c)을 갖는 디스플레이 디바이스(1)의 제1 예시 실시예가 도 1에 도시된다. 디스플레이 디바이스(1)는 예를 들어, 픽셀(1a, 1c)의 점선에 의해 표시된 바와 같이, 도시된 섹션을 넘어 측방향으로 연장한다.
디스플레이 디바이스(1)는 제1 반도체 층(31), 복사선을 발생시키도록 제공되는 활성 층(33) 그리고 제2 반도체 층(35)을 갖는, 반도체 층 시퀀스(3)를 포함한다. 디스플레이 디바이스(1)는 제1 주 평면(10a)과 제2 주 평면(10b) 사이에서 수직 방향으로 연장한다. 제1 주 평면(10a)은 특히 디스플레이 디바이스(1)의 복사선 출사 표면을 형성할 수 있다.
활성 층(33)은 본 명세서에서는 제1 반도체 층(31)과 제2 반도체 층(35) 사이에 배열되고, 여기서 2개의 반도체 층(31, 35)은 상이한 전도성 타입으로 되어 있다. 제1 반도체 층(31)은 특히 p형-전도성으로 구성되고, 제2 반도체 층(35)은 n형-전도성으로 구성된다.
제1 반도체 층(31)에 2-차원으로 바로 인접하여, 제1 반도체 층(31)의 전기적인 접촉을 가능케 하는, 제1 접촉 구조체(51)가 연장한다. 제1 접촉 구조체(51)는 본 명세서에서는 디스플레이 디바이스(1)를 통해 수직으로 연장하는, 복수의 리세스(7a, 7b)에 의해 중단된다. 특히, 제1 접촉 구조체(51)는 서로 전기적으로 분리되는, 복수의 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)로 분할된다. 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)의 측방향 연장부가 픽셀(1a, 1b, 1c)의 측방향 연장부에 대응한다.
제1 접촉부(51a, 51b, 51c)는 디스플레이 디바이스(1)의 제2 주 평면(10b)으로부터 전기적으로 제1 반도체 층(31)과 접촉하고, 픽셀(1a, 1b, 1c)의 작동을 서로 개별적으로 가능케 한다. 바꿔 말하면, 제1 접촉부(51a, 51b, 51c) 중 하나가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 개별적인 동작을 위해 픽셀(1a, 1b, 1c) 중 하나와 각각 관련된다.
리세스(7a, 7b)는 본 명세서에서는 픽셀(1a, 1b, 1c) 사이의 각각의 광학 분리 웨브(7x)의 영역 내에, 특히 분리 웨브(7x)의 내부측에 배열된다. 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)는 그에 따라 2-차원으로 그리고 연속적으로 구성된다.
리세스(7a, 7b)는 제1 접촉 구조체(51)로부터 제1 반도체 층(31) 및 활성 층(33)을 통해 추가로 수직 방향으로 연장한다. 도 1에 도시된 바와 같이, 리세스(7a, 7b)는 제2 반도체 층(35) 내로 추가로 연장할 수 있다. 리세스(7a, 7b)는 본 명세서에서는 반도체 층 시퀀스(3) 및 제1 접촉 구조체(51)에 대해 측방향으로 전기 절연성 분리 구조체(53)에 의해 경계가 형성된다. 분리 구조체(53)는 제1 접촉 구조체(51)를 따라 제2 주 평면(10b)에 대면하는 측부 상에서 측방향으로 추가로 연장한다.
제2 접촉 구조체(55) 역시 유사하게 분리 구조체(53)를 따라 제2 주 평면(10b)에 대면하는 측부 상에서 측방향으로 연장한다. 제2 접촉 구조체(55)는 본 명세서에서는 예를 들어, 분리 구조체(53)에 의해 제1 접촉 구조체(51)로부터 전기적으로 분리된다. 제2 접촉 구조체(55)는 제2 반도체 층(35)을 향해 리세스(7a, 7b) 내로 연장하는, 본 명세서에서는 제2 접촉부(55a, 55b)를 형성한다.
제2 접촉부(55a, 55b)는 디스플레이 디바이스(1)의 제2 주 평면(10b)으로부터 전기적으로 제2 반도체 층(35)과 접촉하고, 픽셀(1a, 1b, 1c)의 작동을 가능케 한다. 제2 접촉부(55a, 55b)는 특히 본 명세서에서는 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 접촉 구조체(55)는 그러면 디스플레이 디바이스(1)의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 공통 전극을 형성한다.
제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 동작을 위해 픽셀(1a, 1b, 1c) 중 하나와 각각 관련될 수 있다. 또한, 제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 동작을 위해 픽셀(1a, 1b, 1c) 중 하나 초과의 픽셀과 또한 관련될 수 있다. 또한, 제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나 초과의 접촉부가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c) 또는 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)들의 동작을 위해 픽셀(1a, 1b, 1c) 중 하나 및/또는 하나 초과의 픽셀과 각각 관련될 수 있다. 도 1에 도시된 측단면도로부터 벗어난다면, 분리 구조체(53)에 의한 제2 접촉 구조체(55)의 분리가 예를 들어, 종이 평면 내에서 일어난다. 종이 평면에 직각인 디스플레이 디바이스(1)의 다른 측방향 단면에서, 제2 접촉 구조체(55)는 예들 들어, 연속적으로 연결된다. 바꿔 말하면, 도 1에 도시된 제2 접촉 구조체(55)의 측방향 분리부는 예를 들어, 종이 평면의 하나의 영역 내에만 존재하지만, 평면도에서 이러한 지점은 분리부가 아니고, 캐리어의 방향으로의 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 각각의 접촉부(55a, 55b)의 피드스루(feedthrough)를 제공하는, 국부 리세스일 뿐이다.
제1 예시 실시예에 따른 디스플레이 디바이스(1)의 제2 예시 실시예가 도 2에 도시된다. 제1 예시 실시예와 대조적으로, 디스플레이 디바이스(1)는 캐리어(9)를 또한 갖는다. 캐리어(9)는 예를 들어, 디스플레이 디바이스(1)의 기계적인 안정화를 제공할 수 있다. 대안으로서 또는 추가로, 캐리어(9)는 디스플레이 디바이스(1)의 전기적인 접촉을 제공할 수 있다.
예를 들어, 캐리어(9)는 이러한 목적을 위해 제1 접촉 구조체(51) 및 제2 접촉 구조체(55)를 서로 전기적으로 분리하는, 추가의 분리 구조체(91)를 포함한다. 캐리어는 서로 개별적으로 동작될 수 있고, 각각이 제1 접촉부(51a, 51b, 51c) 중 하나에 전기적으로 연결되는, 스위치(93a, 93b, 93c)를 추가로 포함한다.
도 3 내지 10을 참조하면, 이전의 예시 실시예 중 하나에 따른 디스플레이 디바이스(1)의 제3 내지 제10 예시 실시예가 개략 평면도로 도시된다. 표현 단순화를 위해, 종이 평면 내의 여러 개의 수직 단면 평면이 도시된다. 특히, 제1 접촉 구조체(51) 및 제2 접촉 구조체(55)의 배열이 도시되고, 여기서 제1 접촉부(51a, 51b, 51c) 및 제2 접촉부(55a, 55b)의 개수, 형상, 크기 및 위치가 하기의 예시 실시예에서 상이할 수 있다.
제3 예시 실시예(도 3 비교)에서, 픽셀(1a, 1b, 1c)은 격자 형태로 서로 분리되어 배열된다. 픽셀(1a, 1b, 1c)은 본 명세서에서는 그 측방향 연장부 면에서 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)에 실질적으로 대응한다. 격자(100)는 예를 들어, 균일 격자, 특히 균일 직사각형 격자이다.
격자는 절점(100x)을 포함하고, 여기서 격자(100)의 칼럼 및 라인이 각각 교차한다. 격자의 라인 및 칼럼은 본 명세서에서는 특히 광학 분리 웨브(7x)를 개개의 픽셀(1a, 1b, 1c) 사이에 형성한다. 절점(100x) 상에는 각각의 경우에 제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나가 배열된다. 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)을 동작시키기 위해, 4개의 인접 제2 접촉부(55a, 55b)가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되고, 이러한 접촉부는 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 영역 내에서의 제2 반도체 층(35)의 중복 작동(도 1 비교)을 가능케 한다. 작동은 모든 4개의 측부로부터 균일하게 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)에 대해 일어나고, 그에 따라 픽셀(1a, 1b, 1c)의 균일한 휘도 분포가 가능케 된다.
제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나가 각각의 경우에 4개의 인접 픽셀(1a, 1b, 1c)과 또한 관련되고, 그에 따라 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 영역 내에서의 제2 반도체 층(35)의 중복 작동에도 불구하고, 추가의 제2 접촉부(55a, 55b)가 요구되지 않는다. 제2 접촉부(55a, 55b)의 측방향 공간 요건이 그에 따라 작게 유지된다는 점에서 유리하다. 제2 접촉부(55a, 55b)를 픽셀(1a, 1b, 1c) 사이의 광학 분리 웨브(7x)의 영역 내에 배열함으로써, 디스플레이 디바이스(1)의 특히 높은 복사 표면에 대한 기여가 또한 행해진다.
제1 접촉부(51a, 51b, 51c)는 예를 들어, 반사성으로 구성된다. 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)는 그러면 "접촉 미러" 또는 "미러 표면"으로서 또한 지칭될 수 있다. 이러한 예시 실시예에서, 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)는 예를 들어, 직사각형으로 구성된다.
제2 접촉부(55a, 55b)는 예를 들어, 측방향 연장부에서 원형으로 구성되고, 그에 따라 제2 반도체 층(35)은 각각의 인접 픽셀(1a, 1b, 1c)의 영역 내에서 균일하게 작동된다.
제4 예시 실시예(도 4 비교)에서, 픽셀(1a, 1b, 1c) 역시 유사하게 격자 형태로 서로 분리되어 배열된다. 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)의 영역 내의 리세스(7a, 7b)의 측방향 연장부가 큰 치수로 형성되고 그에 따라 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)의 측방향 연장부가 제3 예시 실시예에 비해 감소된다. 이것은 제2 접촉부(55a, 55b)의 특히 큰 측방향 연장부를 가능케 하고, 그에 따라 전류 밀도가 제2 접촉부(55a, 55b)의 동작 중에 낮게 유지될 수 있다. 제1 접촉부(55a, 55b)의 측방향 연장부의 감소로 인한 복사 표면의 손실이 이러한 경우에 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)에 대한 제2 반도체 층(35)의 중심으로 배열된 접촉에 비해 작다는 점에서 유리하다. 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)는 이와 관련하여 그 측방향 모서리 영역에 있는 리세스, 특히 원호 형상의 리세스를 가질 수 있다.
제5 예시 실시예는 제2 접촉부(55a, 55b)의 개수로 인해 이전의 제3 및 제4 예시 실시예와 상이하다. 이러한 예시 실시예에서, 단지 2개의 제2 접촉부(55a, 55b)가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련된다. 이것으로부터 벗어난다면, 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는 제2 접촉부(55a, 55b)의 개수는 더욱 상이할 수 있다. 예를 들어, 단지 1개의 제2 접촉부(55a, 55b)가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련될 수 있다. 이러한 목적으로, 제2 접촉부(55a, 55b)는 예를 들어, 매 두번째의 라인 및 매 두번째의 칼럼의 절점 상에만 배열될 수 있다. 제2 접촉부(55a, 55b)에 의해 점유되지 않는 절점(100x)과 관련되는, 각각의 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)의 경우에, 원호 형상의 리세스(제4 예시 실시예 비교)가 제거되고, 그에 따라 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는 출사 표면은 최대화된다는 점에서 유리하다.
제6 예시 실시예(도 6 비교)에서, 리세스(7a, 7b)는 예를 들어, 반도체 층 시퀀스(3) 내에서 연속적으로 연장하는, 공통 리세스를 형성한다. 예로서, 이러한 리세스는 반도체 층 시퀀스(3) 내로 식각된다. 제2 접촉부(55a, 55b)는 예를 들어, 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)을 측방향으로 포위하는, 연속적인 제2 접촉 구조체(55)를 이러한 리세스 내에 형성한다.
제7 예시 실시예(도 7 비교)에서, 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 모서리 영역(10c)이 도시된다. 이전의 제3 내지 제6 예시 실시예와 대조적으로, 제2 접촉부(55a, 55b) 중 단지 2개가 측방향 모서리 영역(10c)에 접경하는, 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되고, 제2 접촉부(55a, 55b) 중 단지 하나가 디스플레이 디바이스의 측방향 코너 내의 픽셀(1a)과 관련된다. 제2 접촉부(55a, 55b)의 기계적인 민감도로 인해, 이러한 배열은 감소된 불량 위험성을 갖는 모서리 영역(10c) 내의 디스플레이 디바이스(1)의 단순화된 절단을 가능케 한다.
제8 예시 실시예(도 8 비교)에서, 제7 예시 실시예와 대조적으로, 제2 접촉부(55a, 55b)는 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 모서리 영역(10c) 내에 측방향 모서리 영역(10c)에 평행하게 구성된다. 예를 들어, 제2 접촉부(55a, 55b)는 디스플레이 디바이스(1)의 연속적인 프레임을 또한 형성할 수 있다. 이것은 모서리 영역(10c) 내에서의 디스플레이 디바이스(1)의 단순화된 절단 그리고 또한 심지어 측방향 모서리 영역(10c) 내에서의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 균일한 작동 및 균질한 휘도를 가능케 한다.
제9 예시 실시예(도 9 비교)에서, 이전의 제7 및 제8 예시 실시예와 대조적으로, 제2 접촉부(55a, 55b)는 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 모서리 영역(10c) 내에서 디스플레이 디바이스(1)의 내부에 대해 측방향으로 오프셋되어 배열된다. 분리 공정에서의 불량 방지성이 그에 따라 예를 들어, 제2 접촉부(55a, 55b)를 분리 모서리로부터 제거함으로써, 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)의 가장 균질한 있을 수 있는 작동을 유지하면서 증가될 수 있다는 점에서 유리하다.
제10 예시 실시예(도 10 비교)에서, 측방향 모서리 영역(10c)에 측방향으로 접경하는 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는, 제2 접촉부(55a, 55b)의 측방향 연장부의 형상 및 크기가 제7 예시 실시예와 대조적으로 상이하다. 제2 접촉부(55a, 55b)의 측방향 연장부가 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 내부 내의 제2 접촉부(55a, 55b)에 비해 특히 모서리 영역(10c)을 향해 확장된다. 제2 접촉부(55a, 55b)의 전류 밀도 그리고 또한 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)에 대응하는 영역 내의 제2 반도체 층(35)으로 공급되는, 누적 전류가 그에 따라 균질하다는 점에서 유리하다.
예시적인 실시예를 참조하여 행해진 설명은 본 발명을 이들 실시예로 제한하지 않는다. 오히려, 본 발명은 특히 청구범위 내의 특징들의 임의의 조합을 비롯한, 임의의 신규한 특징 그리고 특징들의 임의의 조합을, 이러한 특징 또는 이러한 조합 그 자체가 청구범위 또는 예시적인 실시예 내에 명시적으로 지시되지 않더라도, 포함한다.
본원은 개시내용이 본 명세서에 역참조로 명시적으로 포함되는, 독일 출원 제DE 102015108532.1호의 우선권을 주장한다.
1 디스플레이 디바이스
1a, 1b, 1c 픽셀
10a 제1 주 평면
10b 제2 주 평면
10c 모서리 영역
3 반도체 층 시퀀스
31 제1 반도체 층
33 활성 층
35 제2 반도체 층
51 제1 접촉 구조체
51a, 51b, 51c 제1 접촉부
53 분리 구조체
55 제2 접촉 구조체
55a, 55b 제2 접촉부
7a, 7b 리세스
7x 분리 웨브
9 캐리어
91 분리 구조체
93a, 93b, 93c 스위치
100 격자
100x 절점

Claims (13)

  1. 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀(1a, 1b, 1c)을 갖는 디스플레이 디바이스(1)로서,
    - 전자기 복사선을 발생시키고, 제1 반도체 층(31), 활성 층(33) 및 제2 반도체 층(35)을 갖는, 반도체 층 시퀀스(3), 및
    - 상기 제1 반도체 층(31)과 접촉하는 제1 접촉 구조체(51) 및 상기 제2 반도체 층(35)과 접촉하는 제2 접촉 구조체(55)
    를 포함하고,
    - 상기 제1 접촉 구조체(51)는, 서로 개별적으로 동작될 수 있고 각각이 상기 제1 반도체 층(31)을 따라 측방향으로 그리고 연속적으로 연장하는, 제1 접촉부(51a, 51b, 51c)를 갖고, 상기 제1 접촉부(51a, 51b, 51c) 각각은 그 외형과 함께 측방향으로 픽셀(1a, 1b, 1c)의 경계를 형성하고,
    - 상기 반도체 층 시퀀스(3) 및 상기 제1 접촉 구조체(51)는, 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)에 측방향으로 접경하는 적어도 하나의 리세스(7a, 7b)를 갖고, 이러한 리세스는 상기 제1 접촉 구조체(51), 상기 제1 반도체 층(31) 및 상기 활성 층(33)을 통해 상기 제2 반도체 층(35) 내로 연장하고,
    - 상기 제2 접촉 구조체(55)는, 상기 제1 접촉 구조체(51)에 대면하는 반도체 층 시퀀스(3)의 측부로부터 상기 적어도 하나의 리세스(7a, 7b)를 통해 연장하는, 제2 접촉부(55a, 55b)를 갖고,
    - 상기 픽셀(1a, 1b, 1c)은 격자 형태로 측방향으로 서로 분리되어 배열되고, 상기 제2 접촉부(55a, 55b)는 측방향으로 상기 픽셀(1a, 1b, 1c)을 포위하지 않는,
    디스플레이 디바이스(1).
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접촉부(51a, 51b, 51c, 55a, 55b) 각각은 상기 제1 및 제2 반도체 층(31, 35)과 직접적으로 접촉하는, 디스플레이 디바이스(1).
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 두개의 제2 접촉부(55a, 55b)가, 적어도 하나의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되고, 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 중복하여 접촉하는, 디스플레이 디바이스(1).
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2 접촉부(55a, 55b) 중 적어도 하나가, 적어도 두개의 인접 픽셀(1a, 1b, 1c)에 측방향으로 접경하여 배열되고, 상기 적어도 두개의 인접 픽셀(1a, 1b, 1c)의 접촉을 위해 구성되는, 디스플레이 디바이스(1).
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 접촉부(55a, 55b) 중 적어도 하나가 격자(100)의 절점(100x) 상에 배열되는, 디스플레이 디바이스(1).
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나가 상기 격자(100)의 매 절점(100x) 상에 배열되는, 디스플레이 디바이스(1).
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2 접촉부(55a, 55b) 중 하나가 격자(100)의 매 두번째의 측방향으로 연속적인 절점(100x) 상에 배열되는, 디스플레이 디바이스(1).
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 모서리 영역(10c)에 접경하는 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는, 상기 제2 접촉부(55a, 55b) 중 적어도 하나가 모서리 영역(10c)을 따라 평행하게 연장하여 구성되는, 디스플레이 디바이스(1).
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는 제2 접촉부(55a, 55b)의 측방향 연장부가 각각의 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는 제2 접촉부(55a, 55b)의 개수에 각각 의존하는, 디스플레이 디바이스(1).
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 모서리 영역(10c)에 접경하는 픽셀(1a, 1b, 1c)과 관련되는, 상기 제2 접촉부(55a, 55b) 중 적어도 하나는, 각각의 제2 접촉부(55a, 55b)가 상기 디스플레이 디바이스(1)의 측방향 내부에 대해 오프셋되어 배열되게 하는 미리 결정된 간격을 갖는, 디스플레이 디바이스(1).
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 접촉부(55a, 55b) 중 적어도 하나의 측방향 연장부가 원형으로 구성되는, 디스플레이 디바이스(1).
  12. 삭제
  13. 삭제
KR1020177033965A 2015-05-29 2016-05-11 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스 KR102531660B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237015584A KR102722043B1 (ko) 2015-05-29 2016-05-11 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015108532.1A DE102015108532A1 (de) 2015-05-29 2015-05-29 Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
DE102015108532.1 2015-05-29
PCT/EP2016/060554 WO2016192939A1 (de) 2015-05-29 2016-05-11 Anzeigevorrichtung mit einer mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer bildpunkte

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237015584A Division KR102722043B1 (ko) 2015-05-29 2016-05-11 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180013904A KR20180013904A (ko) 2018-02-07
KR102531660B1 true KR102531660B1 (ko) 2023-05-12

Family

ID=55963372

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177033965A KR102531660B1 (ko) 2015-05-29 2016-05-11 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10361249B2 (ko)
JP (1) JP6688320B2 (ko)
KR (1) KR102531660B1 (ko)
CN (1) CN107636832A (ko)
DE (2) DE102015108532A1 (ko)
TW (1) TWI590435B (ko)
WO (1) WO2016192939A1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015108545A1 (de) * 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102015119353B4 (de) 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102016100351B4 (de) 2016-01-11 2023-07-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement, Leuchtvorrichtung und Autoscheinwerfer
DE102016106831A1 (de) 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip
DE102016123013A1 (de) 2016-11-29 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
DE102017102247A1 (de) 2017-02-06 2018-08-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Herstellungsverfahren hierfür
JP7222993B2 (ja) 2017-11-08 2023-02-24 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 複数のピクセルを含むディスプレイ用発光ダイオードユニット及びそれを有する表示装置
US12100696B2 (en) 2017-11-27 2024-09-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode for display and display apparatus having the same
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US11527519B2 (en) 2017-11-27 2022-12-13 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US10892297B2 (en) 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
US10892296B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device having commonly connected LED sub-units
US10748881B2 (en) 2017-12-05 2020-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US10886327B2 (en) 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552057B2 (en) 2017-12-20 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. LED unit for display and display apparatus having the same
US11522006B2 (en) 2017-12-21 2022-12-06 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US11552061B2 (en) 2017-12-22 2023-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
US11114499B2 (en) 2018-01-02 2021-09-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Display device having light emitting stacked structure
US10784240B2 (en) 2018-01-03 2020-09-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device with LED stack for display and display apparatus having the same
DE102018106970A1 (de) 2018-03-23 2019-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP7105612B2 (ja) * 2018-05-21 2022-07-25 シャープ株式会社 画像表示素子およびその形成方法
CN110676280A (zh) * 2018-05-30 2020-01-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 显示面板及显示面板制作方法
DE102019107030A1 (de) * 2019-03-19 2020-09-24 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einer vielzahl von bildelementen und trennelementen und verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung
KR102469704B1 (ko) * 2020-04-23 2022-11-22 주식회사 썬다이오드코리아 경사진 측면을 가지는 마이크로 디스플레이의 화소

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011528855A (ja) 2008-07-24 2011-11-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 静電放電に対する保護を有する放射放出半導体チップおよびその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5836122B2 (ja) * 2008-07-07 2015-12-24 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノ構造のｌｅｄ
US8441007B2 (en) * 2008-12-25 2013-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI429107B (zh) * 2009-05-14 2014-03-01 Toyoda Gosei Kk 半導體發光元件、其製造方法、燈、照明裝置、電子機器及機械裝置
DE102009023849B4 (de) * 2009-06-04 2022-10-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und optoelektronischer Halbleiterchip
KR100986570B1 (ko) * 2009-08-31 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
US8816383B2 (en) * 2012-07-06 2014-08-26 Invensas Corporation High performance light emitting diode with vias
JP2014045175A (ja) * 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
DE102012110775A1 (de) * 2012-11-09 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE102012112302A1 (de) 2012-12-14 2014-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
DE102013102667A1 (de) 2013-03-15 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung
JP2015012048A (ja) * 2013-06-27 2015-01-19 三菱電機株式会社 アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP2015156431A (ja) * 2014-02-20 2015-08-27 スタンレー電気株式会社 半導体発光素子及び半導体発光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011528855A (ja) 2008-07-24 2011-11-24 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 静電放電に対する保護を有する放射放出半導体チップおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018520504A (ja) 2018-07-26
JP6688320B2 (ja) 2020-04-28
CN107636832A (zh) 2018-01-26
DE102015108532A1 (de) 2016-12-01
KR20230070068A (ko) 2023-05-19
DE112016002412B4 (de) 2021-09-09
US20180166499A1 (en) 2018-06-14
DE112016002412A5 (de) 2018-03-08
TWI590435B (zh) 2017-07-01
WO2016192939A1 (de) 2016-12-08
KR20180013904A (ko) 2018-02-07
TW201703246A (zh) 2017-01-16
US10361249B2 (en) 2019-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102531660B1 (ko) 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스
US10903397B2 (en) Light emitting device package
US10374121B2 (en) Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
CN104011864B (zh) 显示设备和用于制造显示设备的方法
US10804326B2 (en) Monolithic display device including integrated control circuit and method for producing the same
US20220037393A1 (en) Optoelectronic device comprising pixels which emit three colours
KR102305162B1 (ko) 광전 반도체 소자를 제조하기 위한 방법 및 광전 반도체 소자
KR20170101923A (ko) 발광 다이오드를 구비한 광전자 장치
US11121124B2 (en) Display device with a plurality of separately operable pixels formed in a grid
KR20150026732A (ko) 반도체 발광 장치
KR20210022726A (ko) 발광 다이오드를 구비하는 광전자 장치
US9466642B2 (en) Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same
JP2005072323A (ja) 半導体装置
US10157960B2 (en) Light-emitting device with electrode extending layer
KR20210102741A (ko) 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102722043B1 (ko) 서로 개별적으로 동작될 수 있는 복수의 픽셀을 갖는 디스플레이 디바이스
JP6188919B2 (ja) オプトエレクトロニクス半導体チップ及びオプトエレクトロニクス半導体部品
KR20160046010A (ko) 반도체 발광소자
US10347792B2 (en) Optoelectronic component
KR20160018924A (ko) 반도체 발광소자
JP2009260384A (ja) 半導体装置
CN118216011A (zh) 具有用于减少光学串扰的结构的器件和光电子设备
CN118575280A (zh) 光电半导体器件和制造方法
KR20230023129A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105226158A (zh) 一种大尺寸发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
GRNT Written decision to grant