KR102531254B1 - 수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치 - Google Patents

수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102531254B1
KR102531254B1 KR1020187003609A KR20187003609A KR102531254B1 KR 102531254 B1 KR102531254 B1 KR 102531254B1 KR 1020187003609 A KR1020187003609 A KR 1020187003609A KR 20187003609 A KR20187003609 A KR 20187003609A KR 102531254 B1 KR102531254 B1 KR 102531254B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
acid
resin composition
mass
parts
Prior art date
Application number
KR1020187003609A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180044890A (ko
Inventor
토모유키 다카하시
Original Assignee
나믹스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 나믹스 가부시끼가이샤 filed Critical 나믹스 가부시끼가이샤
Publication of KR20180044890A publication Critical patent/KR20180044890A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102531254B1 publication Critical patent/KR102531254B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/02—Elements
    • C08K3/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/50—Amines
    • C08G59/56—Amines together with other curing agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24—Electrically-conducting paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J161/00—Adhesives based on condensation polymers of aldehydes or ketones; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J161/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C09J161/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00—Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02—Electrically-conducting adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/273—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector
    • H01L2224/2731—Manufacturing methods by local deposition of the material of the layer connector in liquid form
    • H01L2224/2732—Screen printing, i.e. using a stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

대기 분위기 중에서 경화 가능하고, 점도가 적성 범위 내이며, 경화 후에 비저항이 낮은 구리 페이스트에 적합한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. (A) 구리 분말, (B) 열경화성 수지, (C) 지방산, (D) 아민 및 (E) 4-아미노살리실산을 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물이다. 바람직하게는 (B) 성분이 레졸형 페놀 수지이면 바람직하고, (C) 성분이 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 스테아르산, 팔미트산, 라우르산, 부티르산 및 프로피온산에서 선택되는 적어도 1종이면 보다 바람직하다.

Description

수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치
본 발명은 수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치에 관한 것으로, 특히, 대기 분위기화에서 소성 가능한 수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 전극부와 기판의 도전부가 접착된 반도체 장치는 매우 광범위하게 사용되고 있고, 반도체 소자의 전극부와 기판의 도전부의 접착에는 일반적으로, 도전성 접착제나 땜납이 사용되고 있다. 도전성 접착제는 땜납보다 저온에서 접착시킬 수 있다는 이점이 있지만, 땜납보다 벌크 저항이 높다는 결점이 있기 때문에, 도전성 접착제의 저(低)저항화가 검토되고 있다.
종래의 도전성 접착제는 도전성 필러로서 은을 사용하고 있다. 그러나, 은의 마이그레이션성이나 가격 급등 때문에, 구리를 도전성 필러로서 사용하는 것이 검토되고 있다. 또한, 제조 프로세스의 간편성, 저비용화 등에서, 이 구리를 사용하는 도전성 접착제에는 산화되기 쉬운 구리를 대기 분위기 중에서 경화시키는 것도 요구되고 있다.
구리를 도전성 필러로서 사용하는 페이스트로서, 소정의 입도 분포와 탭 밀도의 구리 분말, 열경화성 수지, 유기 카르복실산 및 킬레이트제, 추가로 폴리부타디엔을 필수 성분으로 하는 도전성 구리 페이스트가 개시되어 있다(특허문헌 1의 청구항 1, 제0013, 0022단락).
이 도전성 구리 페이스트는 스크린 인쇄가 가능하고, 도전성 은 페이스트에 필적하는 양호한 도전성을 갖고, 또한 내마이그레이션성을 겸비하는 최적 피치 대응의 스루홀용으로서 바람직한 도전성 구리 페이스트를 목적으로 하고 있고(특허문헌 1의 제0008단락), 유기 카르복실산으로서, 구체예로는, 살리실산, 벤조산, 타르타르산, 구연산, 말레산, 숙신산, 푸마르산, 말론산 등을 들 수 있다(특허문헌 1의 제0018단락). 여기서, 이들의 유기 카르복실산은 모두 상온에서 고체이다.
또한, 구리를 포함하는 금속 분말과, 적어도 2개의 (메타)아크릴기를 함유하는 화합물과, β-디카르보닐 화합물을 포함하고, 실질적으로 아조 화합물 및 과산화물을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 회로 기판용 도전성 페이스트가 개시되어 있다(특허문헌 2의 청구항 1). 이 회로 기판용 도전성 페이스트에서는, 플럭스 활성을 갖는 화합물을 포함해도 되는 것이 기재되어 있고(특허문헌 2의 제0014단락), 플럭스 활성을 갖는 화합물로서 올레산 등의 지방족 카르복실산을 들 수 있다(특허문헌 2의 제0038, 0046단락).
그 밖에도, 1분자 중에 적어도 2개 이상의 수산기를 갖고, 또한 1개 이상의 3급 아민을 포함하는 프리폴리머, 구리 분말, 아미노 수지 및 환원제를 함유하고, 산성 에칭액에 의해 에칭 가능한 도전성 구리 페이스트 조성물이 개시되어 있고(특허문헌 3의 청구항 1), 환원제로서, 올레산, 리놀레산 등의 탄소수 12∼23의 불포화 모노카르복실산을 들 수 있다(특허문헌 3의 제0016단락).
그러나, 이들 도전성 구리 페이스트에는 경화 조건이 고온 단시간(예를 들면, 210℃에서 10분간)인 경우에, 비저항이 높아진다는 문제가 있음을 알 수 있었다.
일본 공개특허공보 2008-130301호 일본 공개특허공보 2009-295895호 일본 공개특허공보 평10-064333호
본 발명자들은 예의 연구한 결과, 구리 분말과, 지방산과, 아민과, 4-아미노살리실산을 병용함으로써, 대기 분위기 중에서 경화 가능하고, 점도가 적성 범위 내이며, 고온 단시간의 경화 조건에서도 비저항이 낮은 구리 페이스트에 적합한 수지 조성물을 알아내었다. 즉, 본 발명은 대기 분위기 중에서 경화 가능하고, 점도가 적성 범위 내이며, 경화 후에 비저항이 낮은 구리 페이스트에 적합한 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이하의 구성을 가짐으로써, 상기 문제를 해결한 수지 조성물, 구리 페이스트, 구리 페이스트의 경화물, 구리 페이스트의 경화물의 제조 방법 및 반도체 장치에 관한 것이다.
[1] (A) 구리 분말, (B) 열경화성 수지, (C) 지방산, (D) 아민, (E) 4-아미노살리실산 및 (F) 용제를 함유하고, (E) 성분을 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼3질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
[2] (B) 성분이 레졸형 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지 및 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 상기 [1]에 기재된 수지 조성물.
[3] (C) 성분이 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 스테아르산, 팔미트산 및 라우르산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 수지 조성물.
[4] (D) 성분이 트리에탄올아민, 디에탄올아민 및 모노에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 상기 [1]∼[3] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.
[5] 상기 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 사용하는 구리 페이스트.
[6] 상기 [5]에 기재된 구리 페이스트의 경화물.
[7] (A) 성분, (F) 성분에 용해된 (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분 및 (E) 성분을 혼합하는 상기 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 제조 방법.
[8] 상기 [1]∼[4] 중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반도체 장치.
본 발명 [1]에 의하면, 대기 분위기 중에서 경화 가능하고, 점도가 적성 범위 내이며, 경화 후에 비저항값이 낮은 구리 페이스트에 적합한 수지 조성물을 제공할 수 있다.
본 발명 [5]에 의하면, 대기 분위기 중에서 경화 가능하고, 점도가 적성 범위 내이며, 경화 후에 비저항값이 낮은 구리 페이스트를 제공할 수 있다.
본 발명 [6]에 의하면, 고신뢰성의 반도체 장치를 얻기 위한 구리 페이스트의 경화물을 제공할 수 있다. 본 발명 [7]에 의하면, 고신뢰성의 반도체 장치를 얻기 위한 수지 조성물을 간편하게 얻을 수 있다. 본 발명 [8]에 의하면, 예를 들면, 반도체 소자의 전극부와 기판의 도전부 사이의 접속 저항값이 작은 고신뢰성의 반도체 장치를 얻을 수 있다.
[수지 조성물]
본 발명의 수지 조성물은 (A) 구리 분말, (B) 열경화성 수지, (C) 지방산, (D) 아민, (E) 4-아미노살리실산 및 (F) 용제를 함유하고, (E) 성분을 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼3질량부 함유하는 것을 특징으로 한다.
(A)인 구리 분말은 경화 후의 수지 조성물에 도전성을 부여한다. (A) 성분으로는, 봉 형상, 구 형상, 수지(樹枝) 형상, 플레이크 형상의 구리 분말을 들 수 있고, 경화 후의 수지 조성물의 비저항의 관점에서, 구 형상, 수지 형상, 플레이크 형상이 바람직하다. (A) 성분의 시판품으로는, 미츠이 금속 광업(주) 제조의 전해 구리 분말, 나믹스(주) 제조 환원 구 형상 구리 분말을 들 수 있고, 미츠이 금속 광업(주) 제조 전해 구리 분말(품명: ECY, 평균 입경: 5∼10㎛), 나믹스(주) 제조 환원 구 형상 구리 분말(평균 입경: 6㎛), 상기 나믹스(주) 제조 환원 구 형상 구리 분말을 분쇄한 플레이크 형상 분말(평균 입경: 6㎛)이 바람직하다. 여기서, 평균 입경은 레이저 회절·산란식 입자 분포 측정장치로 측정한다. (A) 성분은 단독이어도 2종 이상을 병용해도 된다.
(B) 성분인 열경화성 수지는 수지 조성물에 접착성, 경화성을 부여한다. (B) 성분으로는, 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 들 수 있고, 열경화 수축성, 밀착성의 관점에서, 페놀 수지가 바람직하고, 레졸형 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지 및 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종이 보다 바람직하다. (B) 성분의 시판품으로는, 쇼와 전공(주) 제조의 레졸형 페놀 수지(품명: CKM-918A), 군에이 화학 공업 제조 노볼락형 페놀(품명: 레지톱 PSM4324), 닛폰 화약 제조 에폭시 수지(품명: EPPN-501HY), 미츠비시 화학 제조 에폭시 수지(품명: JER 1031S)를 들 수 있다. (B) 성분은 단독이어도 2종 이상을 병용해도 된다. 또한, 레졸형 페놀 수지와 같은 고형의 수지는 페이스트를 제작함에 있어서, 후술하는 (E) 성분인 용제와 가열 혼합하여 액상으로 한 후에 사용해도 된다.
(C) 성분인 지방산은 구리 분말 표면의 산화층을 용출시키는 플럭스 성분으로서 기능한다. (C) 성분으로는, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 스테아르산, 팔미트산, 라우르산, 부티르산 및 프로피온산에서 선택되는 적어도 1종이면 바람직하다. (C) 성분은 수지 조성물 제작 시에 액상이면, 수지 조성물에서의 균일성이 양호해지고, (A) 성분인 구리 분말의 표면에 대한 습윤성도 양호해져 바람직하다고 생각된다. (C) 성분으로는,
올레산(CH3(CH2)7CH=CH(CH2)7COOH, 시스-9-옥타데센산),
리놀레산(CH3-(CH2)4-CH=CHCH2CH=CH(CH2)7COOH, 시스-9, 시스-12-옥타데카디엔산),
리놀렌산(CH3CH2CH=CHCH2CH=CHCH2CH=CH(CH2)7COOH, 시스-9, 시스-12, 시스-15-옥타데카트리엔산)
스테아르산(CH3(CH2)16COOH, 옥타데칸산),
팔미트산(CH3(CH2)14COOH, 헥사데칸산),
라우르산(CH3(CH2)10COOH, 도데칸산)
을 들 수 있고, 올레산이 보다 바람직하다. 여기서, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산은 상온(25℃)에서 액체이고, 스테아르산, 팔미트산, 라우르산은 상온에서 고체이다. (C) 성분은 액체여도 고체여도 사용할 수 있다. (C) 성분은 단독이어도 2종 이상을 병용해도 된다.
(D) 성분인 아민은 (C) 성분의 플럭스 효과로 용출된 구리 이온을 고정화하고, 또한 실온하(25℃)에서의 지방산의 카르복실기의 작용을 억제한다. (D) 성분으로는, 트리에탄올아민(TEA, N(CH2CH2OH)3), 디에탄올아민(DEA, NH(CH2CH2OH)2), 모노에탄올아민(MEA, NH2(CH2CH2OH))을 들 수 있고, 트리에탄올아민, 디에탄올아민 및 모노에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하면 바람직하다.
(E) 성분인 4-아미노살리실산(4-아미노-2-히드록시벤조산)은 화학식(1):
Figure 112018012936464-pct00001
로 나타내는 (A) 성분의 산화를 억제한다. (E) 성분 중의 페놀부에는 프리라디칼 흡수능이 있기 때문에, (A) 성분 표면의 활성 산소를 흡수하고, 또한 (E) 성분 중의 히드록시기부에는 환원 작용이 있기 때문에, (E) 성분은 산화 억제와 환원의 2개의 작용을 갖는다고 생각된다. 또한, (E) 성분은 (C) 성분, (D) 성분의 상호 작용에 의해, 경화 후의 수지 조성물의 저저항화를 촉진한다.
수지 조성물은 또한, (B) 성분이 고형인 경우의 (B) 성분의 용융·액상화 및 수지 조성물의 점도 조정의 관점에서, (F) 성분으로서 용제를 사용한다. (F) 성분은 열경화성 수지의 용해성이나 경화 조건을 고려하여 적절히 선택할 수 있고, 구체적으로는 에틸카르비톨, 에틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 부틸카르비톨아세테이트, 테르피네올, 디히드로테르피네올, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸셀로솔브아세테이트, 글리콜에테르, 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노페닐에테르 등을 들 수 있다. (B) 성분이 페놀 수지인 경우에는 부틸카르비톨을 사용하는 것이 바람직하다.
(A) 성분은 수지 조성물의 경화성과, 경화 후의 수지 조성물의 비저항의 관점에서, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 80∼98질량부이면 바람직하고, 85∼96질량부가 보다 바람직하고, 88∼95질량부가 더욱 바람직하다.
(B) 성분은 수지 조성물의 경화성과, 경화 후의 수지 조성물의 비저항의 관점에서, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 2∼20질량부이면 바람직하다.
또한, (B) 성분은 수지 조성물의 경화물의 경우도, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 2∼20질량부이면 바람직하다. 여기서, (B) 성분의 정량 분석은 이온 크로마토그래프-질량 분석 장치로 행한다.
(C) 성분은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼5질량부이면 바람직하고, 1∼3질량부이면 보다 바람직하고, 1질량부이면 특히 바람직하다. (C) 성분이 1질량부보다 낮으면, 경화 후의 수지 조성물의 비저항값이 높아지기 쉽고, 3질량부보다 많으면, 수지 조성물의 포트 라이프가 짧아지기 쉬워진다.
또한, (C) 성분은 수지 조성물의 경화물의 경우도, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼5질량부이면 바람직하고, 1∼3질량부이면 보다 바람직하고, 1질량부이면 특히 바람직하다. 여기서, (C) 성분의 정량 분석은 이온 크로마토그래프-질량 분석 장치로 행한다.
(D) 성분은 (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 1∼10질량부이면 바람직하고, 1∼5질량부이면 보다 바람직하다. (D) 성분이 1질량부보다 낮으면, 수지 조성물의 포트 라이프가 짧아지기 쉽고, 10질량부보다 많으면, 경화 후의 수지 조성물의 비저항값이 높아지기 쉬워진다.
또한, (D) 성분은 수지 조성물의 경화물의 경우도, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 1∼10질량부이면 바람직하고, 1∼5질량부이면 보다 바람직하다. 여기서, (C) 성분의 정량 분석은 이온 크로마토그래프-질량 분석 장치로 행한다.
(E) 성분은 수지 조성물 100질량부에 대해, 0.5∼3질량부이고, 1질량부이면 바람직하다. (C) 성분이 1질량부보다 낮으면, 경화 후의 수지 조성물의 비저항값이 높아지기 쉽고, 3질량부보다 많으면, 수지 조성물의 포트 라이프가 짧아지기 쉬워진다.
또한, (E) 성분은 수지 조성물의 경화물의 경우도, (A) 성분과 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼3질량부이면 바람직하다. 여기서, (C) 성분의 정량 분석은 이온 크로마토그래프-질량 분석 장치로 행한다.
(F) 성분은 수지 조성물 100질량부에 대해, 8∼22질량부이면 바람직하고, 10∼20질량부이면 보다 바람직하다.
본 발명의 수지 조성물에는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 추가로 필요에 따라, 레벨링제, 착색제, 이온 트랩제, 소포제, 난연제, 방청제, 계면활성제, 그 밖의 첨가제 등을 배합할 수 있다.
본 발명의 수지 조성물은 예를 들면, (A) 성분∼(F) 성분 및 그 밖 첨가제 등을 동시에 또는 각각, 필요에 따라 가열 처리를 가하면서, 교반, 용융, 혼합, 분산시킴으로써 얻을 수 있다. 여기서, (B) 성분은 (F) 성분에 용해되어 있으면, 수지 조성물의 균일성의 관점에서 바람직하다. 이들의 혼합, 교반, 분산 등의 장치로는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 교반, 가열 장치를 구비한 라이카이기, 3본 롤밀, 볼밀, 플라네타리 믹서, 비즈밀 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 장치를 적절히 조합하여 사용해도 된다.
수지 조성물의 초기 점도는 10∼500Pa·s의 범위이면, 스크린 인쇄성의 관점에서 바람직하다. 여기서, 수지 조성물의 초기 점도는 수지 조성물을 제작한 후, 1시간 이내에 브룩필드형(B형) 점도계를 이용하여, 25℃, 10회전에서 측정한다.
[구리 페이스트]
본 발명의 구리 페이스트는 상술한 수지 조성물을 사용한다. 이 구리 페이스트는 스크린 인쇄, 디스펜서 등으로, 기판의 도전부나, 반도체 소자의 전극부 등의 전자 부품의 원하는 위치에 형성·도포된다.
본 발명의 구리 페이스트의 경화물은 저저항이며, 종래 사용되고 있는 은 페이스트의 경화물보다 내마이그레이션이 우수하기 때문에, 고신뢰성의 반도체를 제공할 수 있다.
본 발명의 구리 페이스트의 경화 조건은 대기 분위기하, 150∼300℃, 5∼60분간이 바람직하고, 특히, 200∼220℃에서 5∼30분간이 적합하다. 구리 페이스트의 경화물은 저비저항이다. 여기서, 본 발명의 구리 페이스트의 경화물은 구리 페이스트를 기판에 스크린 인쇄한 후, 대기 분위기하, 200∼220℃에서 5∼60분간 가열함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 구리 페이스트는 반도체 소자의 전극부와 기판의 도전부 등의 전자 부품용 접착제로서 적합하다.
[반도체 장치]
본 발명의 반도체 장치는 상술한 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 또한, 반도체 장치는 예를 들면, 도전부를 갖는 기판과 전극부를 갖는 반도체 소자를 포함하고, 상술한 수지 조성물을 사용하는 구리 페이스트의 경화물로 기판의 도전부와 반도체 소자의 전극부가 접합된다.
본 발명의 반도체 장치는 반도체 소자의 전극부와 기판의 도전부 사이의 접속 저항값이 작고, 내마이그레이션성이 우수하기 때문에 고신뢰성이다.
실시예
본 발명에 대해 실시예에 따라 설명하지만, 본 발명이 이들에 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하의 실시예에 있어서, 부, %는 특별한 언급이 없는 한, 질량부, 질량%를 나타낸다.
[평가 방법]
《점도 측정》
수지 조성물을 제작한 후, 1시간 이내에 브룩필드형(B형) 점도계를 이용하여, 25℃, 1회전 및 10회전에서의 수지 조성물의 초기 점도를 측정하였다. 점도는 1회전 점도에서, 20∼700Pa·s가 적성 범위 내이며, 20∼60Pa·s이면 보다 적성 범위 내이다. 10회전 점도에서는, 10∼500Pa·s가 적성 범위 내이며, 10∼15Pa·s이면 보다 적성 범위 내이다. 또한, [(1회전 점도)/(10회전 점도)]로부터, 틱소트로피 비율을 구하였다. 틱소트로피 비율은 1.0∼5.0이 적성 범위 내이다.
《비저항 측정》
알루미나 기판 상에 수지 조성물을 스크린 인쇄기로, 폭: 1mm, 길이: 71mm의 패턴을 인쇄하고, 송풍 정온 건조기로, 대기 분위기 중 또는 질소 분위기 중에서, 200℃×30분간 가열 처리하고 경화시켰다. 얻어진 수지 조성물의 경화물의 막 두께는 (주)도쿄 정밀 제조 표면 조도 형상 측정기(형번: 서프컴 1500SD-2)를 이용하고, 저항값은 (주)TFF 케이슬리 인스트루먼트 제조 디지털 멀티 미터(형번: 2001)를 이용하여 각각 측정하고, 체적 저항률을 산출하여 비저항으로 하였다.
《전단 강도 측정》
20mm□의 알루미나 기판 상에 250메시의 스테인리스 제조 스크린을 이용하여, 각 수지 조성물에 대해, 1.5mm□로 5×5 블록의 패턴 인쇄를 행하고, 3216 사이즈의 알루미나 칩을 10개소에 올리고, 200℃×30분간 가열 처리하여 경화시켰다. 경화 후에, 아이코 엔지니어링 제조 탁상형 강도 시험기(형번: 1605HTP)를 이용하여, 가중 속도 12mm/분에 있어서의 전단 강도를 측정하였다.
[실시예 1]
(A) 성분으로서, 전해 구리 분말: 93.0질량부, (B) 성분으로서의 레졸형 페놀 수지 7.0부를 (F) 성분의 부틸카르비톨 17.5부에 가열 용해시킨 것, (C) 성분으로서 올레산: 1.0부, (D) 성분으로서 트리에탄올아민: 3.0부 및 (E) 성분으로서 4-아미노살리실산: 2.0부를 3본 롤밀로 균일하게 혼련하여, 수지 조성물을 조제하였다. 이 수지 조성물의 경화물의 비저항을 측정하였다. 표 1에 결과를 나타낸다.
[실시예 2∼23, 비교예 1∼10]
표 1∼4에 나타내는 배합으로 한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 조성물을 조제하고, 점도, 비저항의 평가를 행하였다. 표 1∼4에 결과를 나타낸다.
Figure 112018012936464-pct00002
Figure 112018012936464-pct00003
Figure 112018012936464-pct00004
Figure 112018012936464-pct00005
표 1, 표 2로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1∼23의 전부에서, 질소 분위기 중에서 경화시켰을 때의 비저항은 7.0×10-5Ω·㎝ 미만이며, 대기 분위기 중에서 경화시켰을 때의 비저항이 2.1×10-4Ω·㎝ 미만이며, 점도 및 틱소트로피 비율이 적성 범위 내이며, 전단 강도도 높았다. 특히, 실시예 1∼4, 6∼10, 13∼15를 질소 분위기 중에서 경화시켰을 때의 비저항은 5.0×10-5Ω·㎝ 미만으로 은 페이스트의 경화체와 동일한 레벨이었다. 특히, 실시예 2, 10에서는 대기 분위기 중에서 경화시켰을 때의 비저항도 5.0×10-5Ω·㎝ 미만으로 은 페이스트의 경화체와 동일한 레벨이었다. 이에 대해, (E) 성분이 지나치게 적은 비교예 1, (E) 성분이 지나치게 많은 비교예 2는 대기 분위기 중에서의 경화에 대한 비저항값이 높았다. (C) 성분, (D) 성분 및 (E) 성분을 포함하지 않는 비교예 3, (C) 성분 및 (D) 성분을 포함하지 않는 비교예 5, (C) 성분 및 (E) 성분을 포함하지 않는 비교예 7, (D) 성분을 포함하지 않는 비교예 8, (C) 성분을 포함하지 않는 비교예 9, (E) 성분 대신에 메살라진을 포함하는 비교예 10은 모두, 질소 분위기 중에서의 경화, 대기 분위기 중에서의 경화 모두 비저항값이 매우 높았다. (E) 성분을 포함하지 않는 비교예 4, (D) 성분 및 (E) 성분을 포함하지 않는 비교예 6은 대기 분위기 중에서의 경화에 대한 비저항값이 매우 높았다.
본 발명의 수지 조성물은 대기 분위기 중에서 경화 가능하고, 점도가 적성 범위 내이며, 경화 후에 비저항값이 낮기 때문에 매우 유용하다.

Claims (8)

  1. (A) 구리 분말, (B) 열경화성 수지, (C) 지방산, (D) 아민, (E) 4-아미노살리실산 및 (F) 용제를 함유하고, (E) 성분을 (A) 성분 및 (B) 성분의 합계 100질량부에 대해, 0.5∼3질량부 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    (B) 성분이 레졸형 페놀 수지, 노볼락형 페놀 수지 및 에폭시 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    (C) 성분이 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 스테아르산, 팔미트산 및 라우르산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종인 수지 조성물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    (D) 성분이 트리에탄올아민, 디에탄올아민 및 모노에탄올아민으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 수지 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항의 수지 조성물을 사용하는 구리 페이스트.
  6. 제 5 항의 구리 페이스트의 경화물.
  7. (A) 성분, (F) 성분에 용해된 (B) 성분, (C) 성분, (D) 성분 및 (E) 성분을 혼합하는 제 1 항 또는 제 2 항의 수지 조성물의 제조 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항의 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반도체 장치.
KR1020187003609A 2015-08-19 2016-07-27 수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치 KR102531254B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015161608 2015-08-19
JPJP-P-2015-161608 2015-08-19
PCT/JP2016/071984 WO2017029953A1 (ja) 2015-08-19 2016-07-27 樹脂組成物、銅ペースト、および半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180044890A KR20180044890A (ko) 2018-05-03
KR102531254B1 true KR102531254B1 (ko) 2023-05-10

Family

ID=58052216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187003609A KR102531254B1 (ko) 2015-08-19 2016-07-27 수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10276277B2 (ko)
JP (1) JP6714244B2 (ko)
KR (1) KR102531254B1 (ko)
CN (1) CN107922709B (ko)
TW (1) TWI702256B (ko)
WO (1) WO2017029953A1 (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107210085A (zh) * 2015-03-05 2017-09-26 纳美仕有限公司 导电性铜浆料、导电性铜浆料固化膜和半导体装置
JP7081064B2 (ja) * 2016-01-19 2022-06-07 ナミックス株式会社 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130301A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性銅ペースト
JP2009021149A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0753843B2 (ja) * 1988-07-05 1995-06-07 タツタ電線株式会社 半田付可能な導電塗料
JP3309231B2 (ja) * 1993-08-25 2002-07-29 タツタ電線株式会社 金属酸化物成形体との密着性の良い導電塗料
JPH09165606A (ja) * 1995-12-15 1997-06-24 Takeshi Hayakawa 銅粉末の製造方法
JPH1064333A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Taiyo Ink Mfg Ltd 導電性銅ペースト組成物及びそれを用いたプリント回路基板の製造方法
JPH1085984A (ja) * 1996-09-10 1998-04-07 Aoki Metal:Kk はんだ付け用フラックス及びやに入りはんだ
JP2009295895A (ja) 2008-06-09 2009-12-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd 回路板用導電性ペースト
JP4975706B2 (ja) * 2008-09-10 2012-07-11 株式会社構造総研 小物入れ
KR101752023B1 (ko) * 2010-02-05 2017-06-28 나믹스 가부시끼가이샤 금속 도전성 페이스트용의 환원제 조성물
CN107210085A (zh) * 2015-03-05 2017-09-26 纳美仕有限公司 导电性铜浆料、导电性铜浆料固化膜和半导体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008130301A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性銅ペースト
JP2009021149A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 導電性ペースト

Also Published As

Publication number Publication date
CN107922709B (zh) 2020-11-24
JP6714244B2 (ja) 2020-06-24
JPWO2017029953A1 (ja) 2018-06-07
TWI702256B (zh) 2020-08-21
WO2017029953A1 (ja) 2017-02-23
US20180233248A1 (en) 2018-08-16
TW201710365A (zh) 2017-03-16
US10276277B2 (en) 2019-04-30
KR20180044890A (ko) 2018-05-03
CN107922709A (zh) 2018-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10347388B2 (en) Conductive copper paste, conductive copper paste cured film, and semiconductor device
KR102665528B1 (ko) 수지 조성물, 도전성 구리 페이스트 및 반도체 장치
JP2619289B2 (ja) 銅導電性組成物
JP6647031B2 (ja) 樹脂組成物、導電性銅ペースト、硬化物、半導体装置
JP6948111B2 (ja) 樹脂組成物、導電性銅ペースト、および半導体装置
KR102531254B1 (ko) 수지 조성물, 구리 페이스트 및 반도체 장치
EP2240006A1 (en) Ambient-curable anisotropic conductive adhesive
KR102318602B1 (ko) 도전성 접착제 및 그것을 사용한 전자 부품
JP2009205899A (ja) 導電性ペースト組成物およびプリント配線板
JP7369031B2 (ja) ペースト組成物、及び電子部品装置の製造方法
JP2017141330A (ja) 樹脂組成物、導電性銅ペースト、導電性銅ペーストの硬化物、および半導体装置
JP2010055788A (ja) 銀ペースト
JP2010090264A (ja) 機能性導電塗料とそれを用いた印刷配線板の製造方法
JP6790976B2 (ja) 導電性銅ペースト
JP2009205908A (ja) 導電性ペースト組成物およびプリント配線板
JP2009070650A (ja) 機能性導電塗料とその製造方法並びに印刷配線基板
WO2020095634A1 (ja) 硬化樹脂組成物および実装構造体
TWI746647B (zh) 熱固性助焊劑組合物及電子基板之製造方法
JP7276052B2 (ja) 導電性組成物
JP2019207762A (ja) 金属ペーストおよび端面形成用電極ペースト
JP2019206615A (ja) 金属ペーストおよび端面形成用電極ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant