KR102531090B1 - 고 성장률 epi 챔버를 위한 열 차폐 링 - Google Patents

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Abstract

에피택시 챔버를 위한 열 차폐 조립체가 본원에 설명된다. 열 차폐 조립체는 열 차폐 부재 및 예열 부재를 갖는다. 열 차폐 부재는 예열 부재 상에 배치된다. 열 차폐 부재는, 예열 부재의 부분을 노출시키는 컷아웃 부분을 갖는다. 예열 부재는, 열 차폐 부재를 수용하기 위한 리세스형 부분을 갖는다.

Description

고 성장률 EPI 챔버를 위한 열 차폐 링
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱을 위한 장치에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본원에 설명되는 실시예들은, 에피택시(epitaxy) 챔버에 대한 가열 컴포넌트들에 관한 것이다.
[0002] 에피택시는, 반도체 디바이스들에 대한 극도로 균일한 전기 특징들을 갖는 고품질 재료들을 제조하기 위한 반도체 프로세싱에서 일반적으로 사용되는 프로세스이다. 반도체 디바이스들이 점점 더 작아지고 제조 유닛들이 점점 더 커짐에 따라, 단일 제조된 기판에 걸친 균일성에 대한 필요성이 극심해지고 있다.
[0003] 통상적인 에피택시 챔버에서, 프로세스 가스들은, 챔버의 일 측으로부터, 배기 가스들이 제거되는 다른 측으로 기판에 걸쳐 유동한다. 기판은, 통상적으로는 불균일성의 효과를 최소화하기 위해 프로세싱 동안 회전하지만, 그럼에도 불구하고 지속적인 불균일성들이 방사상 변동들로서 나타날 수 있다.
[0004] 고 성장률(high-growth rate) 에피택시 챔버에서, 프로세싱 볼륨은 통상적으로, 상부에 기판이 포지셔닝되는 서셉터(susceptor) 가까이에서는 매우 작다. 프로세스 가스들을 프로세싱 볼륨에 한정하기 위해, 프로세싱 볼륨 위에 석영 윈도우(quartz window)가 배치된다. 돔(dome)이 챔버의 측부와 만나는 에지(edge)들에서, 돔은 약간 만곡(curve)될 수 있다. 돔이 챔버의 측부를 향해 만곡됨에 따라, 프로세싱 볼륨이 압축되므로, 기판의 에지 근처에서의 프로세스 가스들에 대한 유동 경로는 매우 작다. 결과적으로, 프로세스 가스들은 매우 높은 속도로 유동한다.
[0005] 에피택시 챔버는 일반적으로, 서셉터를 일주(circumnavigate)하는 예열(pre-heat) 링 또는 링 조립체를 포함한다. 예열 링 조립체는 통상적으로, 서셉터 아래의 가열 엘리먼트들로부터 열을 흡수하여 그 열을 서셉터의 에지 근처의 예열 링 조립체 위에 재-방사(re-radiate)한다. 방사된 열은, 유입 프로세스 가스들의 온도를, 그 가스들이 서셉터 및 서셉터 상에 배치된 기판에 도달하기 전에, 프로세싱 온도로 증가시킨다. 이것은, 기판 표면과 가스들과의 반응이 기판의 에지에서 시작하는 것을 보장한다.
[0006] 챔버의 측부 근처에서의 압축된 프로세스 볼륨 및 높은 가스 유량들로 인해, 예열 링 조립체 위에서의 가스 가열이 손상(compromise)될 수 있다. 예열 링 조립체 위에서의 체류 시간(residence time)은, 프로세스 가스들이, 기판의 에지에서의 에피택셜(epitaxial) 성장을 위해 활성화되기에 충분할 만큼을 넘어 가열되는 것을 허용하기에는 불충분할 수 있다. 따라서, 기판의 에지에서의 성장이 감소되고, 균일성이 악화된다.
[0007] 매우 높은 유량 상황에서 에피택시를 위해 프로세스 가스들을 예열하기 위한 장치에 대한 필요성이 존재한다.
에피택시 챔버를 위한 열 차폐 조립체가 본원에 설명된다. 열 차폐 조립체는 열 차폐 부재 및 예열 부재를 갖는다. 열 차폐 부재는 예열 부재 상에 배치된다. 열 차폐 부재는, 예열 부재의 부분을 노출시키는 컷아웃(cutout) 부분을 갖는다. 예열 부재는, 열 차폐 부재를 수용하기 위한 리세스형(recessed) 부분을 갖는다.
[0008] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세스 챔버의 개략적인 단면도이다.
[0009] 도 2는 다른 실시예에 따른 열 차폐 조립체의 평면도이다.
[0010] 도 3은, 도 2의 열 차폐 조립체의 열 차폐 부재의 평면도이다.
[0011] 도 4는, 도 2의 열 차폐 조립체의 예열 부재의 평면도이다.
[0012] 도 5a는, 도 2의 열 차폐 조립체의 단면도이다.
[0013] 도 5b는, 도 2의 열 차폐 조립체의 다른 단면도이다.
[0014] 도 5c는 다른 실시예에 따른 열 차폐 조립체의 단면도이다.
[0015] 도 6은 또 다른 실시예에 따른 열 차폐 조립체의 단면도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해, 가능한 경우, 도면들에 대해 공통된 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 동일한 참조 부호들이 사용되었다. 일 실시예에서 개시된 엘리먼트들은, 특정 인용이 없이도 다른 실시예들에 대해 유리하게 활용될 수 있는 것으로 고려된다.
[0017] 본 개시내용에서, "최상부", "최하부", "측부", "위", "아래", "위쪽", "아래쪽", "상향", "하향", "수평", "수직" 등의 용어들은 절대적인 방향들을 지칭하지 않는다. 대신, 이러한 용어들은, 챔버의 기본 평면, 예컨대 챔버의 기판 프로세싱 표면에 평행한 평면에 대한 방향들을 지칭한다.
[0018] 도 1은 일 실시예에 따른 프로세싱 챔버(100)의 개략적인 단면도이다. 챔버(100)는, 내부에 배치된 기판 지지부(104)를 갖는 인클로저(enclosure)(101)를 특징으로 한다. 기판(108)은 통상적으로, 챔버(100)에서의 프로세싱을 위해 기판 지지부(104) 상에 배치된다. 프로세스 챔버(100)의 측벽(136)을 통해 그리고 프로세스 챔버(100)에 배치된 라이너(liner)(163)를 통해 형성되는 프로세스 가스 입구(174)는, 프로세스 가스들이 인클로저(101) 내로 유동하기 위한 통로를 제공한다. 프로세스 가스들은, 프로세스 가스들의 소스(172)로부터 프로세스 가스 입구(174)를 통해 기판(108)의 상부 표면에 걸쳐 유동한다. 기판 지지부(104)는, 균일성을 개선하기 위해 프로세싱 동안 기판을 회전시킬 수 있다. 기판(108)에 걸쳐 유동하는 프로세스 가스들이 챔버(100)를 빠져나가는 것을 허용하기 위해, 프로세스 가스 입구(174)에 대향하는 측벽(136) 및 라이너(163)에 프로세스 가스 출구(178)가 배치된다. 진공 소스(180)는, 프로세스 가스들을 챔버(100)로부터 진공배기(evacuate)한다.
[0019] 돔(128)은, 기판 지지부(104) 위에 배치되고 그리고 기판 지지부(104)와 함께 프로세스 볼륨을 정의한다. 리드(lid)(130)는 돔(128)을 제자리에(in place) 홀딩(hold)한다.
[0020] 기판 지지부(104) 위 또는 아래에 로케이팅될 수 있는 열 모듈을 사용하여 프로세스에 열이 제공될 수 있다. 챔버(100)에서, 열 모듈(145)은 기판 지지부(104) 아래에 제공된다. 열 모듈(145)은, 복수의 열 소스들(102)이 배치되는 하우징(114)을 포함한다. 열 소스(102)는 램프들, LED들, 및 레이저들의 임의의 조합일 수 있고, 열 모듈(145)은 광학 엘리먼트들(115), 예컨대, 렌즈들, 광 파이프들, 및/또는 다른 반사 및 굴절 엘리먼트들을 포함할 수 있으며, 이들은, 개개의 열 소스(102)에 의해 방출되는 에너지를 기판 지지부(104)를 향해 지향시키도록 개별적으로 형상화될 수 있다. 열 모듈(145)로부터의 열은 기판 지지부(104)를 가열하는데, 기판 지지부(104)는, 기판 대부분이 기판 지지부(104)와 접촉하는 경우에는 전도에 의해, 또는 기판 대부분이 기판 지지부(104)와 접촉하지 않는 경우에는 방사에 의해, 기판에 열을 전달한다.
[0021] 열 차폐 조립체(160)는 기판 지지부(104)를 둘러싼다. 열 차폐 조립체(160)는 기판 지지부(104)와 동심인 환형 구조이다. 열 차폐 조립체(160)의 외측 반경(120)은 챔버(100)의 측벽(136) 또는 라이너(163)의 내측 반경(121)보다 작다. 열 차폐 조립체(160)의 상부 표면(122)은, 챔버(100)를 통한 가스 유동에 대해 균일하게 편평한 표면을 제공하기 위해, 기판 지지부(104)의 상부 표면(110)과 실질적으로 동일 평면 상에 있다.
[0022] 열 차폐 조립체(160)는 예열 부재(167) 및 열 차폐 부재(168)(아래에서 추가적으로 더 상세히 설명됨)를 포함한다. 예열 부재(167)는, 기판 지지부(104)의 외측 반경(133)보다 큰 내측 반경(132)을 가지며, 이들은 함께, 예열 부재(167)와 기판 지지부(104) 간의 갭(134)을 정의한다. 열 차폐 부재(168)는 적어도 부분적으로 갭(134)을 커버한다.
[0023] 갭(134)을 통한 챔버(100)의 하부 부분들 내로의 프로세스 가스들의 침입(intrusion)을 방지하기 위해, 퍼지 가스(purge gas)의 소스(162)가 챔버(100)에 커플링될 수 있다. 퍼지 가스는, 갭(134)을 통한 프로세스 가스 출구(178)로의 양압(positive pressure) 가스 유동을 제공하도록, 소스(162)로부터 퍼지 가스 도관(164)을 통해 유동할 수 있다.
[0024] 도 2는 일 실시예에 따른 열 차폐 조립체(200)의 평면도이다. 열 차폐 조립체(200)는, 열 차폐 조립체(160)로서 또는 그것을 대신해, 챔버(100)에서 사용될 수 있다. 열 차폐 조립체(200)는 예열 부재(202) 및 열 차폐 부재(204)를 포함한다. 열 차폐 부재(202)는, 예열 부재(204) 상에 놓이는 환형 부재이고, 적어도 부분적으로 갭(134)을 커버하도록 내측으로 연장되는 내측 반경(206)을 갖는다. 따라서, 예열 부재(204)의 내측 반경(212)은 열 차폐 부재의 내측 반경(206)보다 더 크다. 예열 부재(204)의 외측 반경(210)이 또한 열 차폐 부재(202)의 외측 반경(208)보다 더 크다.
[0025] 도 3은 열 차폐 부재(202)의 개략적인 평면도이다. 열 차폐 부재(202)는, 예열 부재(204)의 부분(222)을 노출시키는 갭(220)을 갖는다. 노출된 부분(222)은, 가스 입구(106)로부터 예열 부재(204)를 거쳐 기판 지지부(104)로 유동하는 가스들에 대한 더 직접적인 열 노출을 제공한다. 열 차폐 부재(202)의 내측 반경(206)은, 300 mm의 공칭 직경을 갖는 기판을 수용하기 위해 150 mm 초과일 수 있다. 예컨대, 내측 반경(206)은 300 mm 기판의 경우 약 151 mm 내지 약 155 mm일 수 있다. 갭(220)은, 치수 표시자(302)에 의해 도시된 바와 같이, 진입 가스들에 원하는 양의 열 노출을 제공하도록 선택되는 치수를 가질 수 있다. 치수(302)는, 도 3의 실시예의 경우 약 50 mm 내지 약 180 mm일 수 있다. 갭(220)은 제1 에지(304) 및 제2 에지(306)를 갖는다. 제1 에지(304) 및 제2 에지(306)는 일반적으로, 균일한 층류(laminar) 가스 유동을 촉진시키기 위해, 갭(220)이 대하는(subtended) 각(310)을 2등분하는 반경(308)에 평행하다. 다른 실시예들에서, 에지들은 임의의 원하는 방향성을 가질 수 있다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 에지들은 라운드형(rounded)일 수 있다. 다른 실시예들에서, 각각의 에지는, 개개의 에지와 교차하는 반경에 평행할 수 있다.
[0026] 아래에 추가로 설명되는 바와 같이, 동작 동안 열 차폐 부재(202)의 이동을 방지하기 위한 하나 또는 그 초과의 형상 피쳐(feature)들(304)이 열 차폐 부재(202)에 포함될 수 있다. 도 3의 실시예에서, 갭(220)의 양측 상의 2개의 외측 코너들은 형상 피쳐들로서 라운드형이다. 형상 피쳐들(304)의 라운드형 코너들은 형상이 원형이지만, 임의의 원하는 형상이 코너들에 부가될 수 있다. 도 3의 실시예에서, 라운드형 코너들은, 약 0.01 mm 내지 약 1.5 mm, 이를테면 약 0.1 mm 내지 약 1.0 mm, 예컨대 약 0.3 mm, 0.4 mm, 또는 0.5 mm의 곡률 반경을 갖는다.
[0027] 도 4는, 도 2의 예열 부재(204)의 개략적인 평면도이다. 예열 부재(204)는, 열 차폐 부재(202)가 예열 부재(204)의 리세스형 부분(402)에 놓이도록, 열 차폐 부재(202)와 형상이 유사한 리세스형 부분(402)을 갖는다. 예열 부재(204)의 림(rim) 부분(404)은, 리세스형 부분(402)을 그리고 (리세스형 부분(402)에 배치될 때) 열 차폐 부재(202)를 둘러싼다.
[0028] 예열 부재(204)는 갭(406)을 가질 수 있다. 갭(406)은, 예열 부재(204)를 통해 임의의 원하는 경로를 따라 그의 외측 반경(210)으로부터 내측 반경(212)으로, 예컨대, 요구될 수 있는 임의의 만곡된 경로를 따라 또는 반경을 따라 직선으로 형성될 수 있다. 갭(406)은 열 사이클링 동안 예열 부재(204)에 응력 완화를 제공할 수 있다. 갭(406)은 또한, 프로세싱 동안 예열 부재(204)의 이동을 방지하기 위한 로킹(locking) 메커니즘을 제공할 수 있다. 잠재적인 로킹 수단을 예시하기 위해, 도 4에서 챔버 라이너(408)가 개략적으로 가상으로 도시되었다. 챔버 라이너(408)는 그의 내측 벽(412)에 리세스(410) 형태를 갖는다. 로킹 핀(414)이 또한 가상으로 도시되었다. 로킹 핀(414)은, 리세스(410) 내에 삽입되고 그리고 리세스(410)로부터 챔버 내부로 돌출한다. 그 다음에, 예열 부재(204)는, 로킹 핀(414)이 갭(406)을 통해 연장되도록 포지셔닝될 수 있다.
[0029] 도 5a는, 도 2에서 5a로 라벨링된 섹션 라인에서 취해진 열 차폐 조립체(200)의 단면도이다. 예열 부재(204)는, 예열 부재(204)를 다른 챔버 컴포넌트, 이를테면 챔버 라이너(도시되지 않음)와 맞물리게 하는 데 사용될 수 있는 에지 연장부(504)를 가질 수 있다. 에지 연장부(504)는 열 차폐 조립체(200)에 센터링(centering)을 제공할 수 있다. 열 차폐 부재(202)는 백그라운드(background)에서 가시적이다. 열 차폐 부재는, 약 0.1 mm 내지 약 1.5 mm, 이를테면 약 0.6 mm 내지 약 0.8 mm, 예컨대 약 0.7 mm, 0.75 mm, 0.78 mm, 또는 0.79 mm의 두께를 가질 수 있다. 열 차폐 부재(202)의 두께는 통상적으로, 열 차폐 부재에 대해 요구되는 열 특징들에 기반하여 선택된다. 예열 부재(204)는, 약 2.0 mm 내지 약 10.0 mm, 이를테면 약 3.0 mm 내지 약 6.0 mm, 예컨대 약 5.0 mm 또는 약 5.5 mm의 두께(502)를 갖는다. 에지 연장부(504)는, 예열 부재(204)의 몸체 아래에서, 약 0.5 mm 내지 약 3.5 mm, 예컨대 약 1.0 mm 연장될 수 있다. 열 차폐 부재(202)는, 프로세싱 챔버(100)에서 사용될 가능성이 있는 프로세싱 조건들을 견딜 수 있는 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예시적인 재료들은, 석영, 사파이어, 실리콘, 흑연, 실리콘 카바이드, 세라믹스(ceramics), 또는 이들의 조합들을 포함한다. 열 차폐 부재(202)가 또한 위의 것들 중 임의의 것으로 제조된 코팅을 가질 수 있다. 예컨대, 열 차폐 부재는 실리콘 카바이드 또는 실리콘 카바이드 코팅 흑연으로 제조될 수 있다. 예열 부재(204)가 또한 위의 재료들 중 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예컨대, 예열 부재(204)는 실리콘 카바이드 또는 실리콘 카바이드 코팅 흑연으로 제조될 수 있다.
[0030] 도 5b는, 도 2에서 5b로 라벨링된 섹션 라인에서 취해진 열 차폐 조립체(200)의 단면도이다. 열 차폐 부재(202)는 가시적인데, 여기서, 예열 부재(204)의 내측 반경(212)을 넘어 내측으로 연장되는 열 차폐 부재(202)의 내측 반경(206)이 관측될 수 있다. 림 부분(404)이 또한 가시적이다. 도 5b에 도시된 바와 같이, 림 부분(404)의 상부 표면(506)은 열 차폐 부재(202)의 상부 표면(508)과 실질적으로 동일 평면 상에 있다. 도 5b의 실시예에서, 열 차폐 부재(202)는 예열 부재(204)와 실질적으로 연속하여 접촉하는 것으로 도시된다.
[0031] 도 5c는 다른 실시예에 따른 열 차폐 조립체(550)의 단면도이다. 도 5b의 단면과 유사한 위치에서 열 차폐 조립체(550)의 단면도가 취해진다. 열 차폐 부재(202)는, 열 차폐 부재(202)와 예열 부재(552) 간의 직접 접촉을 최소화하기 위한 감소된 접촉 피쳐들(554)을 갖는 예열 부재(552)와 커플링된다. 열 차폐 부재와 예열 부재 간의 감소된 접촉은, 일부 실시예들에서, 예열 부재로부터 열 차폐 부재로의 열 전도를 감소시키는 데 유용할 수 있다. 감소된 접촉 피쳐들(554)은, 열 차폐 부재의 하부 표면과 접촉하도록 예열 부재(552)의 상부 표면에 형성된 리지(ridge)들의 형태를 취할 수 있다. 대안적으로, 리지들은 열 차폐 부재의 하부 표면에 형성될 수 있다. 감소된 접촉 피쳐들은, 예열 부재, 열 차폐 부재, 또는 둘 모두에 형성될 수 있다.
[0032] 도 6은 또 다른 실시예에 따른 열 차폐 조립체(600)의 단면도이다. 열 차폐 조립체(600)는 열 차폐 조립체(200)와 유사하지만, 열 차폐 조립체(200)는 정사각형 에지들을 갖는 것으로 도 5a에 도시된 반면, 열 차폐 조립체(600)는 라운드형 에지들(602) 및 챔퍼형(chamfered) 에지들(604)과 같은 몇몇 선택적인 구조적 피쳐들을 포함한다. 열 차폐 조립체(600)는, 각진(angled) 접촉 표면들을 갖는 예열 부재(606) 및 열 차폐 부재(608)를 포함한다. 예열 부재(606)는 각진 표면(610)을 포함하고, 열 차폐 부재(608)는 각진 표면(610) 상에 놓이는 각진 표면(612)을 포함한다.
[0033] 전술한 내용들이 특정 실시예들에 관한 것이지만, 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다.

Claims (17)

  1. 열 차폐 조립체(heat shield assembly)로서,
    갭(gap)을 갖는 환형 열 차폐 부재 ― 상기 갭은 상기 환형 열 차폐 부재의 각에 대하고(subtend), 상기 갭의 에지(edge)들은 상기 각을 2등분하는, 상기 환형 열 차폐 부재의 반경에 평행함 ―;
    상기 환형 열 차폐 부재를 수용하기 위한 리세스형(recessed) 부분을 갖는 환형 예열(preheat) 부재 ― 상기 환형 열 차폐 부재의 갭은, 상기 환형 열 차폐 부재가 상기 리세스형 부분 상에 수용될 경우 상기 환형 예열 부재의 일부분을 노출시킴 ―; 및
    예열 부재 갭을 통해 연장되는 로킹(locking) 핀 ― 상기 예열 부재 갭은 상기 환형 예열 부재의 외측 반경으로부터 내측 반경으로 연장됨 ―을 포함하는, 열 차폐 조립체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 환형 예열 부재의 내측 반경은 상기 환형 열 차폐 부재의 내측 반경보다 더 큰, 열 차폐 조립체.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 환형 예열 부재 또는 상기 환형 열 차폐 부재는 감소된 접촉 피쳐(feature)들을 갖는, 열 차폐 조립체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 환형 예열 부재 및 상기 환형 열 차폐 부재 둘 모두는 각진(angled) 접촉 표면들을 갖는, 열 차폐 조립체.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 감소된 접촉 피쳐들은 리지(ridge)들인, 열 차폐 조립체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 환형 예열 부재는, 상기 환형 열 차폐 부재를 둘러싸는 림(rim) 부분을 갖는, 열 차폐 조립체.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 예열 부재 갭은, 상기 환형 예열 부재의 리세스형 부분 및 림 부분에 형성되는, 열 차폐 조립체.
  8. 예열 부재로서,
    환형 리세스형 부분을 갖는 환형 예열 부재 ― 상기 환형 리세스형 부분은, 상기 환형 예열 부재의 반경에 평행한 에지들을 갖고, 상기 리세스형 부분은 열 차폐 조립체에 포함된 열 차폐 부재를 수용하도록 구성되고, 상기 환형 예열 부재는 상기 환형 예열 부재의 외측 반경으로부터 내측 반경으로의, 상기 환형 예열 부재의 방사상 방향에 따른 직선 갭을 갖고, 상기 직선 갭은 상기 환형 리세스형 부분에 형성됨 ―; 및
    상기 열 차폐 부재의 각에 대하는, 상기 에지들 사이에 형성된 상기 환형 예열 부재의 노출된 부분 ― 상기 환형 예열 부재의 반경은 상기 각을 2등분하고, 상기 에지들 각각은 2등분된 상기 각의 반경에 평행하고, 상기 환형 예열 부재의 노출된 부분은 상기 에지들 사이로부터 노출되도록 구성됨 ―을 포함하는, 예열 부재.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 환형 리세스형 부분을 둘러싸는 림 부분을 더 포함하는, 예열 부재.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 환형 예열 부재의 상부 표면에 형성된 감소된 접촉 피쳐들을 더 포함하는, 예열 부재.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 감소된 접촉 피쳐들은 리지들인, 예열 부재.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 환형 예열 부재는 라운드형 에지들 및 각진 접촉 표면을 갖는, 예열 부재.
  13. 열 차폐 부재로서,
    갭을 갖는 환형 열 차폐 부재를 포함하며,
    상기 갭은 상기 환형 열 차폐 부재의 각에 대하고, 상기 갭은, 상기 갭이 대하는 상기 각을 2등분하는, 상기 환형 열 차폐 부재의 반경에 평행한 제1 에지 및 제2 에지를 갖고, 상기 제1 에지로부터 상기 제2 에지까지의 상기 갭은 50 mm 내지 180 mm이고, 상기 환형 열 차폐 부재는 열 차폐 조립체에 포함된 환형 예열 부재에 의해 수용되도록 구성되고, 상기 제1 에지에서의 갭의 외측 코너 및 상기 제2 에지에서의 갭의 외측 코너는 각각 라운드형이고, 각각은 0.1 mm 내지 1.0 mm의 곡률 반경을 갖는, 열 차폐 부재.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 환형 열 차폐 부재는 각진 접촉 표면을 갖는, 열 차폐 부재.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 환형 열 차폐 부재는 감소된 접촉 피쳐들을 포함하는, 열 차폐 부재.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 곡률 반경은 0.3 mm 내지 0.5 mm인, 열 차폐 부재.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 환형 열 차폐 부재는 0.1 mm 내지 1.5 mm의 두께를 포함하는, 열 차폐 부재.
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