KR20230053648A - 화학 기상 증착 시스템들을 위한 윈도우 및 관련 방법들 - Google Patents

화학 기상 증착 시스템들을 위한 윈도우 및 관련 방법들 Download PDF

Info

Publication number
KR20230053648A
KR20230053648A KR1020237009035A KR20237009035A KR20230053648A KR 20230053648 A KR20230053648 A KR 20230053648A KR 1020237009035 A KR1020237009035 A KR 1020237009035A KR 20237009035 A KR20237009035 A KR 20237009035A KR 20230053648 A KR20230053648 A KR 20230053648A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radius
curvature
substrate
window
processing chamber
Prior art date
Application number
KR1020237009035A
Other languages
English (en)
Inventor
춘-친 투
마나부 하마노
렁싱 수
Original Assignee
글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. filed Critical 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디.
Publication of KR20230053648A publication Critical patent/KR20230053648A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504—Laminar flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45517—Confinement of gases to vicinity of substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45585—Compression of gas before it reaches the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C30B25/165—Controlling or regulating the flow of the reactive gases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

기판 상에 층을 증착시키기 위한 시스템은, 가스를 처리 챔버 내로 도입하기 위한 가스 유입구, 및 가스가 처리 챔버를 빠져나가는 것을 허용하기 위한 가스 배출구를 한정하는 처리 챔버를 포함한다. 기판 지지부는 처리 챔버 내에 위치되고, 기판을 수용하도록 구성된다. 투명 상부 윈도우는 사이에 에어 갭을 한정하기 위해 기판 지지부로부터 이격된 볼록한 제1 면을 포함한다. 상부 윈도우는 가스 유입구로부터 에어 갭을 통해 가스 배출구로 가스를 지향시키기 위해 처리 챔버 내에 위치된다. 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함한다. 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 내측 표면은 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 갖는다.

Description

화학 기상 증착 시스템들을 위한 윈도우 및 관련 방법들
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2020년 8월 18일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 62/706,452에 대한 우선권을 주장하고, 이로써 상기 미국 출원의 전체 개시내용은 그 전체가 참조로 포함된다.
분야
본 분야는 일반적으로, 반도체 웨이퍼들의 처리에서의 화학 기상 증착 시스템들의 사용에 관한 것이고, 더 구체적으로, 화학 기상 증착 프로세스 챔버 내에서의 가스 유동의 균일성을 제어하기 위한 윈도우들 및 방법들에 관한 것이다.
에피택셜 성장 프로세스들을 포함하는 화학 기상 증착(CVD) 프로세스들에서, 기판 상의 증착된 막의 두께의 균일성은 다른 인자들 중에서도 프로세스 챔버 내의 가스들의 유동 분포의 균일성에 의존한다. 막 두께에서의 균일성에 대한 요건들이 더 엄격해짐에 따라, 프로세스 챔버에서의 가스들의 더 균일한 유량 분포에 대한 요구가 증가한다.
종래의 CVD 디바이스들에서, 소스 가스는 가스 매니폴드를 통해 프로세스 챔버 내로 도입되고, 프로세스 챔버의 상부 윈도우와 기판 지지부 상에 위치된 기판 사이에 한정된 갭 사이에 지향된다. 종래의 CVD 디바이스들의 상부 윈도우들은 처리 챔버 내의 기판 표면에 걸쳐 균일한 가스 유동 분포를 지향시키지 않는다.
예를 들어, 일부 종래의 상부 윈도우들은, 프로세스 챔버에 걸쳐 있고 기판을 향하는, 기판의 중심을 향해 하강하는 볼록할 수 있는 만곡된 표면을 포함한다. 그러나, 그러한 종래의 상부 윈도우들은 기판 주위에 난류 가스 유동을 생성할 수 있고, 이는 기판 상에 증착된 에피택시에 하강부들(dips) 또는 함몰부들을 초래한다.
추가적으로, 일부 종래의 CVD 시스템들은 감소된 성장 속도로(예를 들어, 처리 챔버 내의 더 낮은 증착 온도 및/또는 감소된 가스 유량으로) 작동함으로써 에피택시 두께 프로파일의 하강부들의 깊이를 최소화하려고 시도한다. 그러나, 그러한 작동 시스템은 증착된 에피택시의 하강부들의 깊이의 적당한 변화들만을 갖는 더 긴 프로세스 시간들을 초래할 수 있다.
이에 따라, 처리 챔버 내에서 기판의 표면에 걸쳐 더 균일한 유동 분포를 지향시킬 수 있는 상부 윈도우가 필요하다.
이 배경기술 섹션은 아래에서 설명되고/거나 청구되는 본 개시내용의 다양한 양상들과 관련될 수 있는 기술의 다양한 양상들을 독자에게 소개하도록 의도된다. 이 논의는 본 개시내용의 다양한 양상들의 더 나은 이해를 용이하게 하기 위해 배경기술 정보를 독자에게 제공하는데 도움이 될 것으로 여겨진다. 이에 따라, 이러한 서술들은 이러한 관점에서 읽혀져야 하고 종래 기술의 인정이 아니라는 점을 이해해야 한다.
본 개시내용의 일 양상은 기판 상에 층을 증착시키기 위한 시스템에 관한 것이다. 시스템은 가스를 처리 챔버 내로 도입하기 위한 가스 유입구, 및 가스가 처리 챔버를 빠져나가는 것을 허용하기 위한 가스 배출구를 한정하는 처리 챔버를 포함한다. 기판 지지부는 처리 챔버 내에 위치되고, 기판을 수용하도록 구성된다. 투명 상부 윈도우는 사이에 에어 갭을 한정하기 위해 기판 지지부로부터 이격된 볼록한 제1 면을 포함한다. 상부 윈도우는 가스 유입구로부터 에어 갭을 통해 가스 배출구로 가스를 지향시키기 위해 처리 챔버 내에 위치된다. 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함한다. 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 내측 표면은 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 갖는다.
본 개시내용의 다른 양상은 기판 처리 시스템을 위한 윈도우에 관한 것이다. 윈도우는 윈도우를 기판 처리 시스템의 처리 챔버에 부착하기 위한 프레임, 및 프레임에 연결된 투명 몸체를 포함한다. 몸체는 볼록한 제1 면과 대향하는 제2 면 사이에 연장된다. 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함한다. 외측 표면은 프레임으로부터 내측 표면까지 방사상으로 연장되고, 내측 표면은 외측 표면으로부터 윈도우의 방사상 중심까지 방사상 내측으로 연장된다. 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 내측 표면은 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 갖는다.
본 개시내용의 또 다른 양상은 기판 상에 층을 증착시키는 방법에 관한 것이다. 방법은 처리 챔버 내의 기판 지지부 상에 기판을 제공하는 단계를 포함한다. 처리 챔버는 가스 유입구 및 가스 배출구를 포함한다. 방법은 처리 챔버에 상부 윈도우를 제공하는 단계를 더 포함한다. 상부 윈도우는 복사 가열 광이 상부 윈도우를 통과할 수 있게 하기 위해 투명하다. 상부 윈도우는 사이에 에어 갭을 한정하기 위해 기판으로부터 이격된 볼록한 제1 면을 갖는다. 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함한다. 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 내측 표면은 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 갖는다. 방법은 가스 유동을 가스 유입구를 통해 제1 면과 기판 사이의 에어 갭 내로, 그리고 가스 배출구로 지향시키는 단계를 더 포함한다.
전술한 양상들과 관련하여 언급된 특징들의 다양한 개선들이 존재한다. 추가의 특징들이 또한, 전술한 양상들에 포함될 수 있다. 이러한 개선들 및 추가적인 특징들은 개별적으로 또는 임의의 조합으로 존재할 수 있다. 예를 들어, 예시된 실시예들 중 임의의 것과 관련하여 아래에서 논의되는 다양한 특징들은, 단독으로 또는 임의의 조합으로, 위에서 설명된 양상들 중 임의의 것에 포함될 수 있다.
도 1은 본 개시내용의 일 실시예의 상부 윈도우를 포함하는 화학 기상 증착 시스템의 단면도이고;
도 2는, 예시의 목적으로 화학 기상 증착 시스템의 부분들이 제거된, 도 1의 화학 기상 증착 시스템의 확대 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 상부 윈도우의 저면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 상부 윈도우의 부분의 확대 단면도이다.
도 5는 단일의 큰 곡률을 갖는 상부 윈도우를 사용하는 CVD 시스템에서 기판 표면 상에 증착된 에피택시의 두께 프로파일을 도시하는 그래프이다.
도 6은 단일의 작은 곡률을 갖는 상부 윈도우를 사용하는 CVD 시스템에서 기판 표면 상에 증착된 에피택시의 두께 프로파일을 도시하는 그래프이다.
도 7은 제1 이중 곡률 상부 윈도우를 사용하는 CVD 시스템에서 기판 표면 상에 증착된 에피택시의 두께 프로파일을 도시하는 그래프이다.
도 8은 제2 이중 곡률 상부 윈도우를 사용하는 CVD 시스템에서 기판 표면 상에 증착된 에피택시의 두께 프로파일을 도시하는 그래프이다.
다양한 도면들에서 사용되는 유사한 참조 부호들은 유사한 요소들을 나타낸다.
본원에서 "기판 처리 시스템"으로 또한 지칭되는 화학 기상 증착(CVD) 시스템은 도 1에서 일반적으로 100으로 표시된다. 예시된 시스템은 단일 기판 시스템이지만, 더 균일한 가스 유동 분포를 제공하기 위해 본원에 개시된 시스템 및 방법들은, 예를 들어, 다수의 기판 시스템들을 포함하는 다른 시스템 설계들에서 사용하기에 적합하다. 본 개시내용에 따라 사용하기에 적합한 CVD 시스템의 일 예는 어플라이드 머티어리얼스 EPI 센츄라 300(Applied Materials EPI Centura 300)이다.
본원에서 사용되는 바와 같이, "곡률"이라는 용어는 표면 및/또는 면의 곡선이 평면으로부터 벗어나는 양을 지칭하며, "곡률 반경"이라는 문구는 그 둘레가 표면 및/또는 면의 곡률과 매칭되는 곡률을 갖는 원 및/또는 구의 반경을 지칭한다. 예를 들어, 비교적 큰 곡률을 갖는 표면 및/또는 면은 곡선을 따르는 임의의 지점에서의 평면으로부터의 비교적 높은 편차 및 비교적 짧은 곡률 반경을 포함한다. 마찬가지로, 비교적 작은 곡률을 갖는 표면 또는 면은 곡선을 따르는 임의의 지점에서의 평면으로부터의 비교적 낮은 편차 및 비교적 큰 곡률 반경을 가질 것이다.
CVD 시스템(100)은 기판(104)(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 상에 박막들을 증착 및/또는 성장시키기 위한 반응 또는 처리 챔버(102), 처리 챔버(102)의 일 단부에 배치된 가스 주입 포트(106), 및 처리 챔버(102)의 대향 단부에 배치된 가스 배출 포트(108)를 포함한다. 가스 주입 포트(106)와 처리 챔버(102) 사이에 배치된 가스 매니폴드(140)는 가스 주입 포트(106)를 통해 상부 윈도우(112) 및 하부 윈도우(114)에 의해 둘러싸인 처리 챔버(102) 내로 유입 가스(110)를 지향시키는 데 사용된다. 가스 매니폴드(140)는 가스 주입 포트(106)와 처리 챔버(102) 사이에 배치된 주입기 배플 또는 가스 분배 플레이트, 및 배플 플레이트에 인접하며 처리 챔버(102)로부터 상류에 배치된 주입 인서트 라이너 조립체(170)를 포함한다. 작동 시에, 유입 프로세스 가스(110)는 가스 매니폴드(140)를 통해 가스 유입구(103)를 통해 처리 챔버(102) 내로 유동한다. 그 다음, 기판 표면(116) 상에 막을 증착시키기 위해, 가스(110)는 기판 표면(116) 위로 유동하고, 기판 표면(116) 또는 기판 표면 상에 배치된 전구체들과 반응한다. 그 다음, 가스(110)는 처리 챔버(102) 밖으로 가스 배출 포트(108)를 통해 유동한다.
막이 상부에 증착되는 기판(104)은 처리 챔버(102) 내의 서셉터(120)에 의해 지지된다. 서셉터(120)는 샤프트(122)에 연결되고 샤프트(122)는 CVD 시스템(100)의 수직 축(X)을 중심으로 한 샤프트(122), 서셉터(120) 및 기판(104)의 회전을 위한 회전 메커니즘(도시되지 않음)의 모터(도시되지 않음)에 연결된다. 서셉터(120)의 외부 에지(124) 및 (기판(104)과의 접촉 이전에 유입 가스(110)를 가열하기 위한) 예열 링(126)의 내부 에지는 서셉터(120)의 회전을 허용하기 위해 갭에 의해 분리된다. 기판(104)은 과량의 물질이 웨이퍼 선단 에지 상에 증착되는 것을 방지하고 더 균일한 에피택셜 층을 제공하기 위해 회전된다.
유입 가스(110)는 기판(104)에 접촉하기 전에 가열될 수 있다. 예열 링(126) 및 서셉터(120) 양쪽 모두는 일반적으로, 처리 챔버(102)의 위와 아래에 위치될 수 있는 고강도 복사 가열 램프들(128)에 의해 생성되는 복사 가열 광(예를 들어, 적외선 광)을 흡수하기 위해 불투명하다. 처리 챔버(102)에 열을 제공하기 위해 고강도 램프들(128) 이외의 장비, 예컨대, 예를 들어, 저항 가열기들 및 유도 가열기들이 사용될 수 있다. 예열 링(126) 및 서셉터(120)를 주변 온도보다 높은 온도로 유지하는 것은, 가스(110)가 예열 링(126) 및 서셉터(120) 위를 통과할 때, 예열 링(126) 및 서셉터(120)가 유입 가스(110)에 열을 전달하는 것을 허용한다. 서셉터(120)가, 유입 가스(110)가 기판(104)에 접촉하기 전에 유입 가스(110)를 가열하는 것을 허용하기 위해, 기판(104)의 직경은 서셉터(120)의 직경보다 작을 수 있다. 예열 링(126) 및 서셉터(120)는 실리콘 탄화물로 코팅된 불투명 흑연으로 구성될 수 있다.
상부 및 하부 챔버 벽들(130, 132)은 처리 챔버(102)의 외측 둘레를 한정하고, 가스 주입 포트(106) 및 가스 배출 포트(108)와 접촉한다.
CVD 시스템(100)은 가스(110)와 챔버 벽들(130, 132)(전형적으로, 금속성 물질들, 예컨대, 스테인리스 강으로 제조됨) 사이의 반응들을 방지하기 위해 처리 챔버 내에 배치된 상부 및 하부 라이너들(134, 136)을 포함할 수 있다. 라이너들(134, 136)은 적합하게 비반응성인 물질들, 예컨대, 석영으로 제조될 수 있다.
상부 및 하부 윈도우들(112, 114) 각각은, 복사 가열 광이 처리 챔버(102) 내로, 그리고 예열 링(126), 서셉터(120) 및 기판(104) 상으로 전달되는 것을 허용하기 위해 투명 물질, 예컨대, 석영으로 만들어진 일반적으로 환형인 몸체(142)를 포함한다. 윈도우들(112, 114)은 평면일 수 있거나, 도 1에 도시된 바와 같이, 윈도우들(112, 114)은 일반적으로 돔 형상인 구성 및/또는 내측으로 오목한 구성을 가질 수 있다. 특히, 도 1에 도시된 실시예를 참조하면, 하부 윈도우(114)는 일반적으로 돔 형상인 구성을 갖고, 상부 윈도우는 내측으로 오목한 구성을 갖는다. 상부 및 하부 윈도우들(112, 114) 각각은, 처리 챔버(102)의 상부 및 하부 챔버 벽들(130, 132)에 각각 결합되거나 연결된다(용어들은 본원에서 상호교환가능하게 사용됨). 특히, 상부 윈도우(112)는 상부 챔버 벽(130)에 부착된 림(138), 또는 더 광범위하게는 프레임을 포함한다. 대안적으로, 상부 윈도우(112)는 림(138)을 포함하지 않고, 상부 윈도우(112)가 본원에 설명된 바와 같이 기능할 수 있게 하는 임의의 방식으로 상부 챔버 벽(130)에 결합될 수 있다.
상부 윈도우(112)는 투명 몸체(142)를 더 포함하고, 투명 몸체는 림(138)에 부착되거나 선택적으로 연결되고, 상부 윈도우(112)의 상부 오목 면(144)과 하부 볼록 면(146) 사이에 연장된다. 상부 면(144) 및 하부 면(146) 각각은 림(138) 내에 외접된다. 상부 면(144)은 기판(104)으로부터 멀어지는 방향을 향하도록 배향된다. 하부 면(146)은 기판(104)을 향하도록 배향된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상부 면(144)은 하부 면(146)에 실질적으로 대응하여 만곡된다. 대안적으로, 상부 오목 면(144)은 상부 윈도우(112)가 본원에 설명된 바와 같이 기능할 수 있게 하는 임의의 방식으로 성형된다. 예를 들어, 그리고 제한 없이, 일부 대안적인 실시예들에서, 상부 면(144)은 일반적으로 평면 및/또는 돔 형상인 구성을 가질 수 있다.
상부 윈도우(112)의 하부 면(146) 및 서셉터(120)는 그 사이에, 일반적으로 147로 표시되는 종방향 갭을 한정할 수 있다. 갭(147)은, 기판이 서셉터 내에 위치될 때, 유입 가스(110)를 가스 유입구(103)로부터 기판 표면(116)을 따라 가스 배출구(105)로 지향시키도록 크기가 정해진다. 예시적인 실시예에서, 갭(147)은 그의 가장 좁은 지점에서 대략 20 밀리미터이다. 다른 실시예들에서, 갭은 CVD 시스템이 본원에 설명된 바와 같이 작동할 수 있게 하는 임의의 크기이다. 아래에 더 상세히 설명되는 바와 같이, 하부 면(146)은 기판(104) 상에 실질적으로 균일한 기상 증착을 제공하기 위해 CVD 시스템의 작동 동안 프로세스 가스(110)를 기판 위로 지향시키도록 성형된다.
도 2는 CVD 시스템(100)의 부분들의 확대도를 도시하고, 도 3은 상부 윈도우(112)의 저면도를 도시한다. 도 4는 도 2에 도시된 상부 윈도우(112)의 부분의 확대 단면도이다. 이제 도 2를 참조하면, 여기서 CVD 시스템(100)의 부분들이 예시를 위해 제거되었고, 상부 윈도우(112)의 형상이 더 상세히 도시된다. 도 2에서 상부 윈도우(112)의 치수들은 축척에 맞게 도시되지 않았고, 더 구체적으로, 상부 윈도우(112)의 곡률들이 예시의 목적으로 과장되어 있다는 점이 이해될 것이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 하부 면(146)은 일반적으로 148로 표시되는 최하 지점을 한정한다. 특히, 본원에 설명된 바와 같이, 하부 면(146)의 최하 지점(148)은 하부 면(146)과 기판 표면(116) 사이에 한정된 갭(147)이 가장 좁은 지점이다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 최하 지점(148)은 G1로 표시된 갭 거리만큼 기판(104)으로부터 이격된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 하부 면(146)의 최하 지점(148)은 또한, 하부 면(146)의 방사상 중심에, 또는 더 일반적으로, 상부 윈도우(112)의 방사상 중심에 위치될 수 있다. 대안적으로, 상부 윈도우(112)는 상부 윈도우(112)의 최하 지점이 상부 윈도우(112)의 방사상 중심으로부터 이격되도록 성형될 수 있다. 더욱이, 도 2에 도시된 바와 같이, 최하 지점(148)은 기판(104)의 방사상 중심과 수직으로 정렬될 수 있다.
상부 윈도우(112)의 하부 면(146)은 방사상 외측 표면(150), 및 외측 표면(150) 내에 외접된 방사상 내측 표면(152)을 포함한다. 더 구체적으로, 도 2의 실시예에 도시된 바와 같이, 외측 표면(150)은 림(138)으로부터 내측 표면(152)까지 방사상 내측으로, R1로 표시된 제1 방사상 거리만큼 연장된다. 외측 표면(150)은, 외측 표면이 또한, 림(138)으로부터 내측 표면(152)까지, 일반적으로 H1로 표시된 높이만큼 연장되도록 만곡된다. 더 구체적으로, 예시적인 실시예에서, 하부 면(146)의 외측 표면(150)은 림(138)과 내측 표면(152) 사이에서 일정한 곡률을 갖는다. 대안적으로, 외측 표면(150)은 서로 다양한 곡률들을 갖는 다수의 표면들을 포함할 수 있다.
하부 면(146)의 내측 표면(152)은, 외측 표면(150)과 상부 윈도우(112)의 최하 지점(148) 사이에서, R2로 표시된 최하 지점(148)(또한, 예시적인 실시예에서는 상부 윈도우의 "방사상 중심")에 접하는 평면에서 제2 방사상 거리만큼 연장된다. 내측 표면(152)의 반경(R2)은 5 밀리미터 내지 200 밀리미터, 25 밀리미터 내지 125 밀리미터, 50 밀리미터 내지 100 밀리미터, 또는 70 밀리미터 내지 90 밀리미터일 수 있다. 도 2의 실시예에서, 내측 표면(152)의 반경(R2)은 대략 75 밀리미터이다. 내측 표면(152)은 또한, 내측 표면(152)이 외측 표면(150)과 상부 윈도우(112)의 최하 지점(148)(즉, 방사상 중심) 사이의 H2로 표시된 높이만큼 또한 연장되도록 만곡될 수 있다. 도 2의 실시예에 도시된 바와 같이, 내측 표면(152)은 외측 표면(150)으로부터 최하 지점(148)까지 그리고 최하 지점(148)으로부터 외측 표면(150)의 정반대 대향 부분까지 일정한 곡률을 갖는다. 대안적으로, 내측 표면(152)은 서로 다양한 곡률들을 갖는 다수의 표면들을 포함할 수 있다.
하부 면(146)은 림(138)으로부터 최하 지점(148)까지 H3으로 표시된 전체 높이만큼 연장된다. 더 구체적으로, 도 2에 도시된 실시예에서, 전체 높이(H3)는 외측 표면(150)의 높이(H1)와 내측 표면(152)의 높이(H2)의 총 합과 동일하다. 전체 높이(H3)는 6 밀리미터 내지 20 밀리미터, 8 밀리미터 내지 16 밀리미터, 또는 9 밀리미터 내지 12 밀리미터일 수 있다. 도 2의 실시예에서, 하부 면(146)의 전체 높이(H3)는 대략 10 밀리미터이다.
도 2 및 4에 도시된 바와 같이, 예시적인 실시예에서, 외측 표면(150)은 내측 표면(152)이 외측 표면(150)보다 더 큰 곡률 반경을 갖도록 내측 표면(152)보다 더 큰 곡률을 갖는다. 그 결과, 도 3 및 4에 도시된 바와 같이, 하부 면(146)은 내측 표면(152)과 외측 표면(150)의 교차점에서 하부 면(146) 주위에 원주방향으로 연장되는 곡선 경계(149)를 한정한다. 외측 표면(150)은 내측 표면(152)의 곡률 반경의 적어도 2배인 곡률 반경을 가질 수 있다. 외측 표면(150)의 곡률 반경은 적합하게 700 밀리미터 내지 1,500 밀리미터, 800 내지 1,400 밀리미터, 또는 900 밀리미터 내지 1300 밀리미터이다. 도 2에 도시된 실시예에서, 외측 표면(150)의 곡률 반경은 1,260 밀리미터이다. 내측 표면(152)의 곡률 반경은 적합하게 3,000 밀리미터 내지 13,000 밀리미터, 6,000 밀리미터 내지 10,000 밀리미터, 또는 7,000 밀리미터 내지 9,000 밀리미터이다. 도 2에 도시된 실시예에서, 내측 표면(152)의 곡률 반경은 8,000 밀리미터이다. 내측 표면(152)의 곡률 반경 대 외측 표면(150)의 곡률 반경의 비율은 적합하게 100:1 내지 1.1:1, 20:1 내지 2:1, 13:1 내지 4:1, 또는 10:1 내지 5:1이다. 도 2에 도시된 실시예에서, 내측 표면(152)의 곡률 반경 대 외측 표면(150)의 곡률 반경의 비율은 약 6:1이다.
상부 윈도우(112)는 외측 표면(150)의 적어도 일부 및 내측 표면(152)의 적어도 일부가 기판 표면(116)을 수직으로 커버하도록(즉, 기판 표면과 수직으로 정렬되도록) 적절하게 크기가 정해진다. 특히, 기판(104)의 반경 대 내측 표면(152)의 반경(R2)의 비율은 4:1 내지 .5:1, 3:1 내지 1:1, 또는 2.5:1 내지 1.5:1일 수 있다. 도 2에 도시된 실시예에서, 기판(104)의 반경 대 내측 표면(152)의 반경(R2)의 비율은 대략 2:1이다. 더 구체적으로, 내측 표면(152)의 반경(R2)은 대략 75 밀리미터이고, 기판(104)의 반경은 대략 150 밀리미터이다. 하나의 대안적인 실시예에서, 내측 표면(152)의 반경(R2)은 대략 100 밀리미터이고, 기판(104)의 반경은 대략 150 밀리미터이다. 대안적인 실시예들에서, 상부 윈도우(112)는 외측 표면(150)이 기판(104)으로부터 방사상으로 이격되고 내측 표면(152)만이 기판 표면(116)을 수직으로 커버하도록 크기가 정해질 수 있다.
작동 시에, 가스(110)는 선택된 유량으로 가스 주입 포트로부터 CVD 시스템(100) 내로 도입된다. 그 다음, 가스는 하부 면(146)과 서셉터(120) 및/또는 기판(104) 사이에 한정된 에어 갭(147) 내로 유동할 수 있다. 더 구체적으로, 가스의 적어도 일부는 하부 면(146)의 외측 표면(150)을 따라 내측 표면(152)으로 유동할 수 있다. 그 다음, 가스(110)는 내측 표면과 기판(104) 사이의 갭(147)의 더 좁은 부분 내로 유동할 수 있다. 적어도 부분적으로는 외측 표면(150) 및 내측 표면(152)의 구성으로 인해, 갭(147)은 기판(104)의 중심에서 좁을 수 있는 한편, 내측 표면(152)의 곡률은 적어도 일부 종래의 상부 윈도우들에 비해 비교적 작을 수 있다(즉, 내측 표면(152)의 곡률 반경은 비교적 클 수 있다). 기판의 중심에서의 좁은 갭(147)은 기판(104)의 중심에 근접한 상부 윈도우(112)의 비교적 작은 곡률과 조합하여, 기판(104)의 중심 주위에 층류 가스 유동을 제공하는 것을 용이하게 하고, 기판(104)의 중심을 둘러싸는 에피택셜 증착에서의 "하강부들" 또는 함몰부들의 형성을 억제한다.
예들
본 개시내용의 CVD 시스템을 위한 윈도우들은 다음의 예들에 의해 더 예시된다. 이러한 예들은 제한적인 의미로 간주되어서는 안 된다.
예 1: 두께 프로파일 변동
제1 예에서, 기판들 상의 에피택시 증착의 두께 프로파일들을, 상이한 하부 면들을 갖는 상이한 상부 윈도우들에 대해 측정했다. 특히, 큰 곡률 윈도우, 작은 곡률 윈도우, 및 이중 곡률 하부 면을 갖는 2개의 윈도우들을 CVD 시스템에서 시험했다. 더 구체적으로, 윈도우들 각각을 어플라이드 머티어리얼스 EPI 센츄라 300 시스템에서 시험했다. CVD 시스템은 300 밀리미터의 직경을 갖는 원통형 기판 상에 에피택시 막을 증착시키도록 제어되었다. 특히, CVD 시스템은 시험 윈도우들 각각에 대해 대략 1.4 um/min(미크론/분)의 성장 속도로 기판들 상에 막을 증착시키도록 제어되었다. 기판의 방사상 범위들에 걸쳐 최대 두께와 최저 두께 사이의 차이를 결정함으로써 두께 변화 값들을 측정했다. 예를 들어, 기판의 방사상 범위들은 -100 밀리미터 내지 -50 밀리미터, -50 밀리미터 내지 0 밀리미터, 0 밀리미터 내지 50 밀리미터, 및 50 밀리미터 내지 100 밀리미터를 포함했고, 여기서 0 밀리미터 위치는 기판의 방사상 중심을 나타냈다. 기판 직경 범위들 각각에 대한 두께 변화 값들을 평균화함으로써 시험들 각각에 대한 전형적인 하강부 값을 계산했다.
아래에 제공된 표 1에 도시된 바와 같이, 큰 곡률 윈도우는 3,556 밀리미터의 단일 곡률 반경을 갖는 하부 면을 가졌고, 작은 곡률 윈도우는 8,070 밀리미터의 단일 곡률 반경을 갖는 하부 면을 가졌고, 제1 이중 곡률 윈도우는 1,260 밀리미터의 곡률 반경을 갖는 외측 표면 및 8,000 밀리미터의 곡률 반경을 갖는 내측 면을 갖는 하부 면을 가졌다. 제2 이중 곡률 윈도우는 910 밀리미터의 곡률 반경을 갖는 외측 표면 및 8,000 밀리미터의 곡률 반경을 갖는 내측 면을 갖는 하부 면을 가졌다. 제1 이중 곡률 윈도우의 내측 표면은 75 밀리미터의 반경을 가졌고, 제2 이중 곡률 윈도우의 내측 표면은 100 밀리미터의 반경을 가졌다.
큰 곡률 윈도우를, 큰 곡률 윈도우와 기판 사이의 갭(예를 들어, 도 1과 관련하여 위에서 설명된 갭(147)과 유사함)이 그의 가장 좁은 지점에서 대략 23 밀리미터이도록 CVD 시스템에 위치시켰다. 다시 말해서, 상부 윈도우의 최하 지점(예를 들어, 도 2 및 도 3과 관련하여 위에서 설명된 지점(148)과 유사함)과 기판 사이의 거리는 대략 23 밀리미터였다. 제1 이중 곡률 윈도우 및 제2 이중 곡률 윈도우를 큰 곡률과 실질적으로 동일한 방식으로 위치시켰다. 이중 곡률 윈도우들의 더 큰 곡률 외측 표면들로 인해, 기판과 이중 곡률 윈도우들 각각 사이의 갭은 그들의 가장 좁은 지점들에서 대략 20 밀리미터였다. 또한, 작은 곡률 윈도우를 기판과 윈도우들 사이의 갭이 그의 가장 좁은 지점에서 대략 20 밀리미터이도록 위치시켰다.
표 1: 에피택시 프로파일 시험 윈도우들 1-4
Figure pct00001
위에 제공된 표 1에 도시된 바와 같이, 제1 이중 곡률 윈도우 및 제2 이중 곡률 윈도우 각각은 큰 곡률 윈도우 및 작은 곡률 윈도우 둘 모두보다 더 낮은 상대 두께 변동(즉, 개선된 두께 균일성)을 초래했다. 더욱이, 제1 이중 곡률 윈도우 및 제2 이중 곡률 윈도우 각각은 큰 곡률 윈도우보다 더 작은 전형적인 하강부를 초래했다. 증착된 층의 "상대 층 두께 변동"은 최대 층 두께와 최소 층 두께 간의 차이를 측정하고 이 차이를 평균 층 두께로 나눔으로써 결정된다. 백분율로 나타내기 위해 결과 값에 100을 곱했다. 이 백분율이, 본원에 개시된 바와 같은 "상대 층 두께 변동"이다.
도 5-8은 시험 윈도우들 각각에 대한 기판 표면들 상에 증착된 에피택시의 측정된 두께 프로파일들을 도시하는 그래프들이다. 그래프에서 Y 축은 기판 표면 상에 증착된 에피택시의 두께를 나노미터로 표현하고, 0은 기판 상의 가장 낮은 측정된 두께로 조정되었다. 그래프에서 X 축은 기판의 방사상 중심으로부터의 거리를 나타낸다. 더 구체적으로, 도 5는 표 1과 관련하여 설명된, 큰 곡률 윈도우에 대해 수행된 상기 시험들로부터의 측정된 두께 프로파일(402)을 도시한다. 도 6은 큰 곡률 윈도우에 대해 수행된 상기 시험들로부터의 측정된 두께 프로파일(502)을 도시한다. 도 7은 75 밀리미터의 내측 표면 반경을 갖는 제1 이중 곡률 윈도우에 대해 수행된 상기 시험들로부터의 측정된 두께 프로파일(602)을 도시한다. 도 8은 100 밀리미터의 내측 표면 반경을 갖는 제2 이중 곡률 윈도우에 대해 수행된 상기 시험들로부터의 측정된 두께 프로파일(702)을 도시한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 큰 곡률 윈도우는 기판의 중심으로부터 방사상 거리의 1/3 주위에서(즉, 기판의 중심으로부터 +/- 50 밀리미터에서) 에피택시 두께 프로파일에 상당한 하강부들(404)을 초래했다. 더욱이, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판의 +/- 50 밀리미터 부분 주위의 하강부들(504)은 큰 곡률 윈도우의 경우에 비해 작은 곡률 윈도우의 경우에 덜 두드러졌다. 그러나, 작은 곡률 윈도우는 기판 상의 -150 밀리미터 내지 -125 밀리미터 범위 및 125 밀리미터 내지 150 밀리미터 범위에서 높은 에지 상승부들(upticks)(506)을 초래했다.
도 7 및 8을 참조하면, 제1 이중 곡률 윈도우 및 제2 이중 곡률 윈도우 양쪽 모두를 사용하여 기판들 상에 증착된 에피택시는 +/- 50 밀리미터 반경 범위 주위에서 큰 곡률 윈도우의 경우에 비해 감소된 하강부들(604, 704)을 가졌다. 더욱이, 기판 표면들 상에 증착된 에피택시는 -150 밀리미터 내지 -125 밀리미터 범위 및 125 밀리미터 내지 150 밀리미터 범위에서 작은 곡률 윈도우에 비해 감소된 에지 상승부들(606, 706)을 가졌다. 그 결과, 위에 제공된 표 1에 도시된 바와 같이, 이중 곡률 윈도우들 각각은 큰 및 작은 곡률 상부 윈도우들에 비해 더 낮은 상대 두께 변동을 갖는 에피택셜 증착 프로파일을 초래했다.
예 2: 성장 속도 비교
제2 예에서, CVD 시스템을 상이한 유량들로 작동시키는 효과들을 측정하는 데 시험 윈도우들을 사용했다. 시험들 각각에 대해, 처리 챔버의 온도를 섭씨 1100 도로 유지했다.
제1 시험에서, 큰 곡률 윈도우, 작은 곡률 윈도우, 및 제1 이중 곡률 상부 윈도우 각각을 CVD 시스템에서 시험했고 트리클로로실란-수소 혼합물을 분당 8.5 표준 리터의 유량으로 CVD 시스템 내에 도입했다. 분당 미크론 단위의 성장 속도를 결정하기 위해 에피택시 증착의 평균 두께 및 증착 시간을 측정했다. 시험들의 결과들이 아래의 표 2에 제공된다.
표 2: 8.5 slm의 유량에서의 성장 속도 비교
Figure pct00002
위에 제공된 표 2에 도시된 바와 같이, 제1 이중 곡률 윈도우는 큰 곡률 윈도우에 비해 증가된 성장 속도를 초래했다.
제2 시험에서, 제1 이중 곡률 윈도우 및 제2 이중 곡률 윈도우 각각을 CVD 시스템에서 시험했고 트리클로로실란-수소 혼합물을 분당 7.6 표준 리터의 유량으로 CVD 시스템 내에 도입했다. 분당 미크론 단위의 성장 속도를 결정하기 위해 에피택시 증착의 평균 두께 및 증착 시간을 측정했다. 시험들의 결과들이 아래의 표 3에 제공된다.
표 3: 7.6 slm의 유량에서의 성장 속도 비교
Figure pct00003
위에 제공된 표 3에 도시된 바와 같이, 제2 이중 곡률 윈도우는 제1 이중 곡률 윈도우에 비해 증가된 성장 속도를 초래했다. 더욱이, 분당 7.6 표준 리터의 유량의 제1 이중 곡률 윈도우를 사용하는 성장 속도는 제1 시험에서 측정된 분당 8.5 표준 리터의 증가된 유량으로 작동하는 큰 곡률 윈도우로부터 초래된 성장 속도와 거의 동일했다.
본원에 설명된 상부 윈도우들을 포함하는 CVD 시스템들에서, 기판 표면에 걸친 가스 유동 분포의 균일성은 종래의 CVD 시스템들과 비교하여 상이한 가스 유량들에 걸쳐 유지될 수 있다. 예를 들어, 프로세스 가스, 예컨대, 트리클로로실란-수소 혼합물은, 기판 표면에 걸쳐 약 4% 미만의, 기판 표면에 걸쳐 약 2% 미만의, 또는 심지어 기판 표면에 걸쳐 약 1% 미만의 상대 층 두께 변동을 유지하면서, 분당 적어도 약 5 표준 리터, 분당 적어도 약 10 표준 리터, 또는 심지어 분당 적어도 약 15 표준 리터의 유량으로 CVD 시스템 내에 도입될 수 있다. 캐리어 가스, 예컨대, 수소는 또한, 기판 표면에 걸쳐 약 4% 미만의, 기판 표면에 걸쳐 약 2% 미만의, 또는 기판 표면에 걸쳐 심지어 약 1% 미만의 상대 층 두께 변동을 유지하면서, 더 높은 유량, 예컨대, 분당 적어도 약 70 표준 리터, 분당 적어도 약 80 표준 리터, 또는 심지어 분당 적어도 약 90 표준 리터의 유량으로 도입될 수 있다. 기판 표면에 걸친 가스 유동 분포의 균일성이, 더 높은 가스 유량들에서 유지될 수 있기 때문에, 층 두께의 균일성을 유지하면서, 주어진 막 또는 층이 기판 상에 증착되는 속도가 또한 증가될 수 있다. 예를 들어, 에피택셜 층은, 웨이퍼의 직경에 걸쳐 약 4% 미만, 웨이퍼의 직경에 걸쳐 약 2% 미만, 또는 심지어 웨이퍼의 직경에 걸쳐 약 1% 미만의 상대 층 두께 변동을 유지하면서, 적어도 약 150 밀리미터, 적어도 약 200 밀리미터, 적어도 약 300 밀리미터의 직경을 갖는 실리콘 웨이퍼 상에 증착될 수 있다.
본원에서 사용되는 바와 같이, "표준 리터"라는 용어는 0 ℃ 및 101.3 kPa(1013 밀리바)에서의 기준 가스의 1 리터를 지칭한다.
설명된 예들은 반도체 웨이퍼들, 예컨대, 실리콘 웨이퍼들을 처리하기에 적합하지만, 다른 응용들에서 사용될 수 있다. 예들 중 일부는 수소, 트리클로로실란 및 디보란을 포함하는 가스 혼합물들을 사용하는 대기압-실리콘 온 실리콘 화학 기상 증착 에피택시(atmospheric-pressure silicon on silicon chemical vapor deposition epitaxy)에서의 사용에 특히 적합하다. 디클로로실란, 실란, 트리실란, 테트라클로로실란, 메틸실란, 펜타실란, 네오펜타실란 및 다른 고차 실란 전구체들을 포함하는, 트리클로로실란 이외의 실리콘 전구체들이 또한 사용될 수 있다. 게르만, 디게르만, 및 다른 게르마늄 전구체들을 포함하는, 실리콘 전구체들 이외의 전구체들이 또한 사용될 수 있다. 포스핀 및 아르신을 포함하는, 디보란 이외의 도펀트 가스 종들이 사용될 수 있다. 설명된 예들은 또한, (예를 들어, 약 10 Torr 내지 약 750 Torr의 압력들에서의) 감압 에피택시, 실리콘-게르마늄 에피택시, 탄소 도핑된 실리콘 에피택시, 및 비-에피택셜 화학 기상 증착을 포함하는, 대기압-실리콘 온 실리콘 에피택시(atmospheric-pressure silicon on silicon epitaxy) 이외의 프로세스들에서 사용될 수 있다. 예들은 또한, 게르마늄, 갈륨 비소, 인듐 인화물, 및 실리콘 탄화물을 갖는 웨이퍼들을 포함하는, 실리콘 웨이퍼들 이외의 웨이퍼들을 처리하는 데 사용될 수 있다.
위에서 설명된 바와 같이, 본 개시내용의 상부 윈도우들을 포함하는 처리 챔버들은 알려진 처리 챔버들에 비해 개선을 제공한다. 본 개시내용의 상부 윈도우들은, 작동 동안 프로세스 유동을 지향시키고 기판에 걸친 프로세스 가스의 층류를 제공하는 것을 용이하게 하기 위해 상이한 곡률들을 갖는 2개의 표면들을 포함한다. 그 결과, 기판 표면에 걸친 가스 유동 분포의 균일성이 개선될 수 있다. 더 구체적으로, 본 개시내용의 상부 윈도우들을 포함하는 CVD 시스템들은 일부 종래의 CVD 시스템들에 비해 다음의 장점들: 1) 기판 상의 감소된 에피택셜 하강부들; 2) 기판의 외측 둘레 부근에서 기판 상의 감소된 에피택셜 상승부들; 3) 기판들 상의 에피택셜 증착을 위한 감소된 처리 시간; 및 4) 반도체 웨이퍼들의 개선된 수명을 제공한다.
본 개시내용 또는 그의 실시예(들)의 요소들을 도입할 때, 단수 형태 및 "상기"는 요소들 중 하나 이상이 존재한다는 것을 의미하도록 의도된다. "포함" 및 "갖는"이라는 용어들은 포괄적인 것으로 의도되고, 나열된 요소들 이외의 추가적인 요소들이 존재할 수 있다는 것을 의미한다.
본 개시내용의 범위를 벗어나지 않고 상기 구성들 및 방법들에서 다양한 변경들이 이루어질 수 있기 때문에, 상기 설명에 포함되고 첨부 도면들에 도시된 모든 사항은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로서 해석되어야 하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. 기판 상에 층을 증착시키기 위한 시스템으로서,
    가스를 처리 챔버 내로 도입하기 위한 가스 유입구, 및 가스가 처리 챔버를 빠져나가는 것을 허용하기 위한 가스 배출구를 한정하는 처리 챔버;
    상기 처리 챔버 내에 위치되고 기판을 수용하도록 구성된 기판 지지부; 및
    복사 가열 광이 상부 윈도우를 통과할 수 있게 하기 위해 투명한 상부 윈도우 - 상기 상부 윈도우는 사이에 에어 갭을 한정하기 위해 상기 기판 지지부로부터 이격된 볼록한 제1 면을 갖고, 상기 상부 윈도우는 상기 가스를 상기 가스 유입구로부터 상기 에어 갭을 통해 상기 가스 배출구로 지향시키기 위해 상기 처리 챔버 내에 위치되고, 상기 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 상기 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함하고, 상기 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 상기 내측 표면은 상기 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 가짐 -
    를 포함하는, 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 내측 표면은, 상기 기판이 상기 기판 지지부 상에 수용될 때, 상기 기판과 수직으로 정렬되도록 위치되고, 상기 제2 곡률 반경은 상기 제1 곡률 반경보다 더 큰, 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 곡률 반경과 상기 제1 곡률 반경 간의 비율은 100:1 내지 1.1:1인, 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 비율은 10:1 내지 5:1인, 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 내측 표면 및 상기 외측 표면은 각각, 상기 기판이 상기 기판 지지부 상에 수용될 때 상기 기판의 적어도 일부와 수직으로 정렬되도록 위치되는, 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 상부 윈도우는 상기 제1 면에 외접하고 상기 처리 챔버에 결합되도록 구성된 림을 더 포함하고, 상기 외측 표면은 상기 제1 곡률 반경으로 상기 림으로부터 상기 내측 표면까지 연장되는, 시스템.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 내측 표면은 상기 제2 곡률 반경으로 상기 외측 표면으로부터 상기 상부 윈도우의 방사상 중심까지 연장되는, 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 에어 갭은 상기 외측 표면과 상기 내측 표면 사이에서 감소하는, 시스템.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 내측 표면은 상기 상부 윈도우의 방사상 중심에 접하는 평면에서 연장되는 반경을 한정하고, 상기 반경은 상기 방사상 중심으로부터 상기 외측 표면으로 연장되고, 상기 내측 표면의 반경은 5 밀리미터 내지 200 밀리미터인, 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 상부 윈도우는 상기 제1 면에 대향하는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면 사이에 연장되는 몸체를 더 포함하고, 상기 제2 면은 오목한 곡률을 갖는, 시스템.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 상부 윈도우는 상기 제1 면에 외접하고 상기 처리 챔버에 결합되도록 구성된 림을 더 포함하고, 상기 외측 표면은 상기 림과 상기 내측 표면 사이에 제1 높이만큼 연장되고, 상기 내측 표면은 상기 외측 표면과 상기 상부 윈도우의 방사상 중심 사이에 제2 높이만큼 연장되고, 상기 제1 높이는 상기 제2 높이보다 더 큰, 시스템.
  12. 기판 처리 시스템을 위한 윈도우로서,
    상기 윈도우를 상기 기판 처리 시스템의 처리 챔버에 부착하기 위한 프레임; 및
    상기 프레임에 연결된 투명 몸체 - 상기 몸체는 볼록한 제1 면과 대향하는 제2 면 사이에 연장되고, 상기 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 상기 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함하고, 상기 외측 표면은 상기 프레임으로부터 상기 내측 표면까지 방사상으로 연장되고, 상기 내측 표면은 상기 외측 표면으로부터 상기 윈도우의 방사상 중심까지 방사상 내측으로 연장되고, 상기 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 상기 내측 표면은 상기 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 가짐 -
    를 포함하는, 윈도우.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2 곡률 반경은 상기 제1 곡률 반경보다 더 큰, 윈도우.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 곡률 반경과 상기 제1 곡률 반경 간의 비율은 100:1 내지 1.1:1인, 윈도우.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 외측 표면은 상기 제1 곡률 반경으로 상기 프레임으로부터 상기 내측 표면까지 연장되는, 윈도우.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 내측 표면은 상기 제2 곡률 반경으로 상기 외측 표면으로부터 상기 윈도우의 방사상 중심까지 연장되는, 윈도우.
  17. 제12항에 있어서,
    상기 내측 표면은 상기 윈도우의 방사상 중심에 접하는 평면에서 연장되는 반경을 한정하고, 상기 반경은 상기 방사상 중심으로부터 상기 외측 표면으로 연장되고, 상기 내측 표면의 반경은 5 밀리미터 내지 200 밀리미터인, 윈도우.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 제2 면은 오목한 곡률을 갖는, 윈도우.
  19. 기판 상에 층을 증착시키는 방법으로서,
    처리 챔버 내의 기판 지지부 상에 기판을 제공하는 단계 - 상기 처리 챔버는 가스 유입구 및 가스 배출구를 포함함 -;
    상부 윈도우를 상기 처리 챔버에 제공하는 단계 - 상기 상부 윈도우는 복사 가열 광이 상기 상부 윈도우를 통과할 수 있게 하기 위해 투명하고, 상기 상부 윈도우는 사이에 에어 갭을 한정하기 위해 상기 기판으로부터 이격된 볼록한 제1 면을 갖고, 상기 제1 면은 방사상 외측 표면, 및 상기 외측 표면 내에 외접된 방사상 내측 표면을 포함하고, 상기 외측 표면은 제1 곡률 반경을 갖고, 상기 내측 표면은 상기 제1 곡률 반경과 상이한 제2 곡률 반경을 가짐 -; 및
    가스 유동을 상기 가스 유입구를 통해 상기 제1 면과 상기 기판 사이의 상기 에어 갭 내로, 그리고 상기 가스 배출구로 지향시키는 단계
    를 포함하는, 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 가스 유동은 분당 2 표준 리터 초과의 유량으로 제공되고, 상기 기판 상의 증착된 층의 상대 두께 변동은 약 2 퍼센트 미만인, 방법.
KR1020237009035A 2020-08-18 2021-08-13 화학 기상 증착 시스템들을 위한 윈도우 및 관련 방법들 KR20230053648A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202062706452P 2020-08-18 2020-08-18
US62/706,452 2020-08-18
PCT/US2021/045873 WO2022040031A1 (en) 2020-08-18 2021-08-13 Window for chemical vapor deposition systems and related methods

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230053648A true KR20230053648A (ko) 2023-04-21

Family

ID=77655665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020237009035A KR20230053648A (ko) 2020-08-18 2021-08-13 화학 기상 증착 시스템들을 위한 윈도우 및 관련 방법들

Country Status (7)

Country Link
US (1) US12084770B2 (ko)
EP (1) EP4200462A1 (ko)
JP (1) JP2023539137A (ko)
KR (1) KR20230053648A (ko)
CN (1) CN116096941A (ko)
TW (1) TW202225468A (ko)
WO (1) WO2022040031A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230407478A1 (en) * 2022-05-27 2023-12-21 Applied Materials, Inc. Process kits and related methods for processing chambers to facilitate deposition process adjustability

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3492777B2 (ja) * 1993-10-29 2004-02-03 株式会社東芝 放射線イメージ増強管及びその製造方法
US6099648A (en) 1997-08-06 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Domed wafer reactor vessel window with reduced stress at atmospheric and above atmospheric pressures
US6143079A (en) 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
WO2005021841A2 (en) 2003-09-03 2005-03-10 Bioforms Methods and apparatus for rapid crystallization of biomolecules
JP5029340B2 (ja) 2007-12-14 2012-09-19 信越半導体株式会社 エピタキシャル成長方法
DE102008034260B4 (de) 2008-07-16 2014-06-26 Siltronic Ag Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels CVD in einer Kammer und Kammer zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe mittels CVD
WO2014113179A1 (en) * 2013-01-16 2014-07-24 Applied Materials, Inc Quartz upper and lower domes
US10344380B2 (en) * 2013-02-11 2019-07-09 Globalwafers Co., Ltd. Liner assemblies for substrate processing systems
KR20140102880A (ko) 2013-02-15 2014-08-25 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 제조방법 및 화학 기상 증착 장치
CN105027275B (zh) 2013-03-15 2018-06-26 应用材料公司 具有用于外延处理的均匀性调整透镜的基座支撑杆
JP6052070B2 (ja) 2013-06-17 2016-12-27 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの製造方法及びその製造装置
KR20170051499A (ko) 2014-09-05 2017-05-11 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 에피 챔버를 위한 상부 돔
KR20170048578A (ko) 2014-09-05 2017-05-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 분위기 에피택셜 퇴적 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023539137A (ja) 2023-09-13
US20220056583A1 (en) 2022-02-24
US12084770B2 (en) 2024-09-10
TW202225468A (zh) 2022-07-01
EP4200462A1 (en) 2023-06-28
WO2022040031A1 (en) 2022-02-24
CN116096941A (zh) 2023-05-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10975495B2 (en) Epitaxial growth apparatus, preheat ring, and method of manufacturing epitaxial wafer using these
US9123759B2 (en) Susceptor, vapor phase growth apparatus, and method of manufacturing epitaxial wafer
US20080110401A1 (en) Susceptor For Vapor-Phase Growth Reactor
JP3725598B2 (ja) エピタキシャルウェハの製造方法
JPH0831758A (ja) 気相成長方法およびその装置
US20210180208A1 (en) Vapor phase growth apparatus
US9879358B2 (en) Heat shield ring for high growth rate EPI chamber
US20210147981A1 (en) Apparatus and methods for improving thermal chemical vapor deposition (cvd) uniformity
CA2558591A1 (en) Susceptor
EP0519608A1 (en) Substrate holder of thermally anisotropic material used for enhancing uniformity of grown epitaxial layers
KR20230053648A (ko) 화학 기상 증착 시스템들을 위한 윈도우 및 관련 방법들
US10184193B2 (en) Epitaxy reactor and susceptor system for improved epitaxial wafer flatness
US20210381128A1 (en) Vapor phase growth apparatus
WO2021225047A1 (ja) 成膜装置およびプレート
US20010052324A1 (en) Device for producing and processing semiconductor substrates
US20230313411A1 (en) Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method
JP6052070B2 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法及びその製造装置
US12018369B2 (en) Substrate processing chamber and process gas flow deflector for use in the processing chamber
JP2023042593A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ
KR20230038514A (ko) 100 mm보다 큰 직경을 가지는 반도체 웨이퍼에서의 균질 성장 및 도핑을 달성하기 위한 디바이스 및 방법
JP7077331B2 (ja) 基板キャリア構造体
US11373868B2 (en) Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate
US20240006225A1 (en) Susceptor for epitaxial processing and epitaxial reactor including the susceptor
KR20230125028A (ko) 반도체 웨이퍼 반응기에서의 복사열 캡을 위한 시스템및 방법들
US10607837B2 (en) Gas flow control for EPI thickness uniformity improvement

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination