CN200981890Y - 改进的半导体机台 - Google Patents

改进的半导体机台 Download PDF

Info

Publication number
CN200981890Y
CN200981890Y CN 200620132708 CN200620132708U CN200981890Y CN 200981890 Y CN200981890 Y CN 200981890Y CN 200620132708 CN200620132708 CN 200620132708 CN 200620132708 U CN200620132708 U CN 200620132708U CN 200981890 Y CN200981890 Y CN 200981890Y
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer carrier
semiconductor board
baffle plate
wafer
processing procedure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN 200620132708
Other languages
English (en)
Inventor
梁金堆
林俊良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leading Precision Inc
Original Assignee
COLLABORATED SERVICE SOLUTION Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by COLLABORATED SERVICE SOLUTION Inc filed Critical COLLABORATED SERVICE SOLUTION Inc
Priority to CN 200620132708 priority Critical patent/CN200981890Y/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN200981890Y publication Critical patent/CN200981890Y/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种适用于晶圆制程，具有防止残留钯材颗粒污染以及提高清洁效率的改进的半导体机台。此半导体机台包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置。其中挡板设置于制程室内并具有一抵接部；晶圆载盘设置于制程室内，该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构；而承载装置具有晶圆载盘连接的一顶端。此半导体机台利用挡板将残留钯材颗粒加以吸附与阻隔，达到防止残留钯材颗粒污染晶圆制程的目的、以及提升半导体机台内晶圆制程的效率。

Description

改进的半导体机台
技术领域
本实用新型涉及一种改进的半导体机台，可用于晶圆沉积等半导体制造工艺中，尤其涉及一种具有挡板结构以防止残留钯材颗粒污染晶圆与提高清洁效率的半导体机台。
背景技术
一般而言，半导体制程(制造工艺)如沉积等制程中常产生残留钯材颗粒，而附着残留于半导体机台内的残留钯材颗粒易造成后片晶圆制程被污染。如图1所示为已知的半导体机台10，其中包括制程室11、晶圆载盘12、承载装置13以及钯材14。其中晶圆载盘12设置于制程室11内，且连接于承载装置13上，而钯材14也设置于制程室11内。当进行沉积制程时，钯材14所产生的钯材颗粒喷射路径141显示钯材颗粒(未见于图式)可能掉入制程室11的下方，以致前片制程残留的钯材颗粒可能污染后片。此外，钯材颗粒也可能附着于载盘12下方与承载装置13上，清洁时必须拆卸移承载装置13，使得操作过程十分不便以及半导体机台10维护效率无法提升。
因此，提供具有防止残留钯材颗粒污染后片晶圆制程与提高清洁效率功能的半导体机台，便成为半导体制程的关键课题。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种具有防止残留钯材颗粒污染晶圆与提高清洁效率的改进的半导体机台。
为达上述目的，本实用新型提供一种改进的半导体机台，其中包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置，其特征是，
所述的挡板，设置于该制程室内，该挡板具有一抵接部；
所述的晶圆载盘，设置于该制程室内，该晶圆载盘具有一盘缘，该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构；以及
所述的承载装置，设置于该制程室内，该承载装置具有一顶端，该顶端连接于该晶圆载盘。
其中，在制程室内，该抵接部与该盘缘为相互抵接，该挡板与该晶圆载盘抵接之内隔离出一第一封闭空间，该挡板与该晶圆载盘抵接之外为制程室的一第二封闭空间。该第一封闭空间将制程用的钯材位置包括之内，制程产生的钯材颗粒被阻隔于第一封闭空间内。该晶圆载盘具有一制程定位与一移载定位结构，该晶圆载盘位于该制程定位时该盘缘抵接于该抵接部。该半导体机台还包括一钯材，对应钯材的材质不同，该制程定位与该靶材之间距为一可调整结构。
通过上述技术特征，本实用新型的有益效果表现为：
本实用新型是利用挡板将残留钯材颗粒加以吸附与阻隔，使半导体机台具有防止残留钯材颗粒污染晶圆制程的功能而提高清洁效率。并且，清理此半导体机台时仅需更换或清洁挡板，无须拆卸承载装置，操作过程十分简易。
附图说明
图1为已知的半导体机台示意图；
图2A为本实用新型改进的半导体机台示意图；
图2B为本实用新型半导体机台改进结构的作动示意图。
图中符号说明
10：已知的半导体机台；    11：制程室；
12：晶圆载盘；            13：承载装置；
14：钯材；                141：钯材颗粒喷射路径；
20：半导体机台；          21：制程室；
22：晶圆载盘；            221：盘缘；
23：承载装置；            231：顶端；
24：挡板；                241：抵接部；
25：钯材；                26：第一封闭空间；
27：第二封闭空间
具体实施方式
以下具体的实施例，将对本实用新型揭示的各形态内容加以详细说明。
参照图2A，图2A分别为根据本实用新型所提供的一种半导体机台20的改进结构的示意图，其中包括一制程室21、一晶圆载盘22、一承载装置23、以及一挡板24。其中挡板24设置于制程室21内，且其具有抵接部241。晶圆载盘22亦设置于制程室21内，其具有盘缘221，可与挡板24的抵接部241作选择性抵接。承载装置23具有顶端231，而此顶端231连接于晶圆载盘22，例如连接于晶圆载盘22的下方。
此外，挡板24的材质可采用一具有粗操表面的不锈钢材质，而此粗操表面可经由铝电浆喷覆处理(Al Spray)达到粗操表面，加强钯材颗粒附着的效果。
进一步说明，制程室21一晶圆沉积制程室，可于其中进行晶圆沉积等半导体制程。其中晶圆载盘22为可升降移动并具有一制程定位与一移载定位(未见于图式)。而挡板24为环绕于制程室21内的一环形结构，亦即，挡板24为制程室21内、环绕于晶圆载盘22外围的一环形结构，其中抵接部241与晶圆载盘22顶部的盘缘221为可相互抵接的对应结构。当晶圆载盘22升至制程定位时(参考图2B)，盘缘221抵接于抵接部241。当晶圆载盘22降至移载定位时，机械手臂(未见于图式)会将晶圆载盘22上的晶圆移送至下一制程。
又参照图2B，图2B为图2A中半导体机台20的改进设计的作动状态示意图。其中，半导体机台20又包括一钯材25，此靶材设置于制程室21内。当晶圆载盘22位于制程定位(未见于图式)时，此时盘缘221会抵接于抵接部241，而挡板24与晶圆载盘22可将制程室21内部空间隔离出第一封闭空间26与第二封闭空间27。因图中钯材25位于第一封闭空间26内，所以制程中所产生的钯材颗粒(未见于图式)也会被阻隔于第一封闭空间26内，故钯材颗粒不会逸漏至第二封闭空间27，也不会附着于晶圆载盘22下方或承载装置23上。
此外，当钯材25的材质不同时，制程定位与靶材25的间距不同。故制程定位与抵接部241也须因应不同钯材25而调整，以达到各种间距的要求。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型，任何熟习此技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，例如档板以勾挂的方式设置于制程室中。因此本实用新型的保护范围当视所述的申请专利范围界定者为准。

Claims (9)

1.一种改进的半导体机台，其中包括一制程室、一挡板、一晶圆载盘、以及一承载装置，其特征是，
所述的挡板，设置于该制程室内，该挡板具有一抵接部；
所述的晶圆载盘，设置于该制程室内，该晶圆载盘具有一盘缘，该盘缘与该抵接部为一可相互抵接的对应结构；以及
所述的承载装置，设置于该制程室内，该承载装置具有一顶端，该顶端连接于该晶圆载盘。
2.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，在该制程室内，该抵接部与该盘缘为相互抵接，该挡板与该晶圆载盘抵接之内隔离出一第一封闭空间，该挡板与该晶圆载盘抵接之外的制程室为一第二封闭空间。
3.如权利要求2所述的半导体机台，其特征是，该第一封闭空间将制程用的钯材位置包括之内，制程产生的钯材颗粒被阻隔于第一封闭空间内。
4.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，该制程室为一晶圆沉积制程室。
5.如权利要求4所述的半导体机台，其特征是，该晶圆载盘具有一制程定位与一移载定位结构，该晶圆载盘位于该制程定位时该盘缘抵接于该抵接部。
6.如权利要求5所述的半导体机台，其特征是，该半导体机台还包括一钯材，对应钯材的材质不同，该制程定位与该靶材之间距为一可调整结构。
7.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，该挡板为一环形结构，围绕于该晶圆载盘外围。
8.如权利要求1所述的半导体机台，其特征是，该挡板材质为一不锈钢材质。
9.如权利要求8所述的半导体机台，其特征上，该不锈钢材质具有一粗操表面，且该粗操表面为铝电浆喷覆处理的表面。
CN 200620132708 2006-08-25 2006-08-25 改进的半导体机台 Expired - Fee Related CN200981890Y (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200620132708 CN200981890Y (zh) 2006-08-25 2006-08-25 改进的半导体机台

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 200620132708 CN200981890Y (zh) 2006-08-25 2006-08-25 改进的半导体机台

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN200981890Y true CN200981890Y (zh) 2007-11-28

Family

ID=38909051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 200620132708 Expired - Fee Related CN200981890Y (zh) 2006-08-25 2006-08-25 改进的半导体机台

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN200981890Y (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101834113B (zh) * 2009-03-13 2012-11-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆盒清洁设备
CN102810518A (zh) * 2012-07-13 2012-12-05 日月光半导体制造股份有限公司 晶圆承载板结构及晶圆接合方法
CN107636211A (zh) * 2015-05-27 2018-01-26 应用材料公司 用于高生长速率epi腔室的热屏蔽环

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101834113B (zh) * 2009-03-13 2012-11-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆盒清洁设备
CN102810518A (zh) * 2012-07-13 2012-12-05 日月光半导体制造股份有限公司 晶圆承载板结构及晶圆接合方法
CN107636211A (zh) * 2015-05-27 2018-01-26 应用材料公司 用于高生长速率epi腔室的热屏蔽环
CN107636211B (zh) * 2015-05-27 2021-07-09 应用材料公司 用于高生长速率外延腔室的热屏蔽环

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN200981890Y (zh) 改进的半导体机台
US20080240905A1 (en) Exhaust pump, communicating pipe, and exhaust system
CN104169456B (zh) 溅镀装置
CN102468206A (zh) 晶圆基座及其使用、清洗方法
CN102649625A (zh) 一种镀膜用玻璃衬底的清洗方法
CN1914131A (zh) 清洁基材的方法
CN1375358A (zh) 一种微孔型纳米复合材料
CN201503858U (zh) 掩模板更换装置
CN109468639A (zh) 一种超极限锆合金及其制备方法
CN107051967A (zh) 一种有颗粒物要求的高精清洗工艺
US11476101B1 (en) Double-layer shielding device and thin-film-deposition equipment with the same
US8333843B2 (en) Process to remove metal contamination on a glass substrate
CN108582770A (zh) 工件自动清理设备
CN101321572B (zh) 气体净化装置和半导体制造装置
CN1280029C (zh) 使用冷氢焰清洁玻璃基片的装置和方法
CN110498614A (zh) 一种玻璃表面疏尘薄膜及其制备方法
US11898238B2 (en) Shielding device and thin-film-deposition equipment with the same
US11596973B2 (en) Double-shaft shielding device and thin-film-deposition equipment with the same
JP2012174735A (ja) 薄膜太陽電池
CN104746002A (zh) 一种遮挡盘传输装置、反应腔室及等离子体加工设备
CN105970154A (zh) 一种抗静电的透明隔热ato涂层的制备方法
CN1258123C (zh) 防止回溅的装置与方法
CN105088155A (zh) 磁控溅射环、磁控溅射环装置及磁控溅射反应器
CN202090047U (zh) 含过滤结构的电阻蒸发镀膜机
CN1121060C (zh) 集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: LIDING PRECISION CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: LIAN MENG TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20080425

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20080425

Address after: Postcode of Taiwan County, Miaoli, china:

Patentee after: Leading Precision Inc.

Address before: Taiwan Hsinchu county road six light Chinese jhubei City, No. 47 9 floor, zip code:

Patentee before: Collaborated Service Solution Inc.

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20071128

Termination date: 20090925